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TECHNISCHES
GEBIET DER ERFINDUNG
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Diese Erfindung betrifft allgemein
die Herstellung von Halbleiterbausteinen und insbesondere ein Verfahren
zum Ausbilden eines Kontakts zu einem Substrat.
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Die Herstellung von Halbleiterbausteinen
beinhaltet das Ausbilden verschiedener Komponenten auf einem Substrat
unter Verwendung einer Vielzahl von Techniken, wie Abscheiden, Strukturieren
und Ätzen.
Eine Komponente bei Halbleiterbausteinen ist ein Kontakt zum Koppeln
einer Schicht aus einem Material mit dem darunterliegenden Substrat
oder einer anderen Schicht. Abhängig
von der jeweiligen Anwendung und der gewünschten Funktion können Kontakte
Löcher,
Kontaktlöcher,
Kanäle
oder andere geometrische Strukturen sein.
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Weil Halbleiterbausteine mit größerer Komponentendichte
komplexer werden, werden neue Techniken zum Bereitstellen höherer Herstellungstoleranzen
entwickelt. Beispielsweise wurde eine Technik für einen selbstjustierten Kontakt
entwickelt, wodurch der Abstand zwischen durch den selbstjustierten
Kontakt getrennten benachbarten Gate-Elektroden verringert wird.
Es können
auch andere Techniken zum Verbessern der Komponentendichte auf einem
Halbleiterbaustein verwendet werden. Diese Techniken erfordern jedoch
ein genaues und kontrolliertes Entfernen von Material zum Erzeugen
eines Kontakts, ohne umgebende Komponenten zu beeinflussen.
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In der internationalen Anmeldung WO-A-91/10261
ist ein Halbleiterbaustein offenbart, bei dem ein Substrat von einer
ersten Schicht aus Siliciumnitrid, gefolgt von einer Polyimidschicht
bedeckt wird, die selbst von einer zweiten Siliciumnitridschicht
bedeckt wird, wobei in nachfolgenden Schritten zur Herstellung des
Halbleiterbausteins die erste Siliciumnitridschicht entfernt wird
und die zweite Siliciumnitridschicht bewahrt bleibt.
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Die vorliegende Erfindung sieht ein
Verfahren zum Ausbilden eines Kontakts auf einem Substrat vor, welches
die folgenden Schritte aufweist:
Ausbilden einer ersten Stoppschicht
auf dem Substrat,
Ausbilden einer Isolierschicht, die ein Oxid
auf der ersten Stoppschicht aufweist,
Ausbilden einer zweiten
Stoppschicht auf der Isolierschicht,
wobei die erste und die
zweite Stoppschicht aus dem gleichen Material bestehen,
Entfernen
von Abschnitten der zweiten Stoppschicht und der Isolierschicht,
um einen Bereich der ersten Stoppschicht freizulegen, der die vorgesehene
Position des Kontakts belegt, wobei die Isolierschicht in bezug
auf die Stoppschichten selektiv entfernbar ist,
Ätzen des
freigelegten Bereichs der ersten Stoppschicht und gleichzeitiges Ätzen des
Rests der zweiten Stoppschicht und
Ausbilden des Kontakts auf
dem Substrat an der Position, an der die erste Stoppschicht einem Ätzen unterzogen
wurde.
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Wichtige technische Vorteile der
vorliegenden Erfindung umfassen das Ausbilden einer Stoppschicht über einer
Isolierschicht, um beim Ausbilden eines Kontakts zu helfen. Gegenwärtige Herstellungstechniken
können
eine erste Stoppschicht, beispielsweise aus Nitrid, bilden, um ein
Substrat während
des Ausbildens eines Kontakts zu schützen. Zum Abschließen des
Ausbildens des Kontakts sollten die Abschnitte der ersten Stoppschicht
in der Kontaktzone genau entfernt werden.
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Ein Überätzen während des Entfernens der ersten
Stoppschicht kann benachbarte Komponenten beschädigen. Zum genauen Entfernen
der über dem
Substrat liegenden ersten Stoppschicht wird gemäß der vorliegenden Erfindung
eine zweite Stoppschicht, beispielsweise aus Nitrid, ausgebildet,
die über
der Isolierschicht liegt. Diese zweite Stoppschicht wird gleichzeitig
mit der ersten Stoppschicht geätzt
und bildet eine Endpunktangabe zum genaueren Steuern des Entfernungsprozesses.
Weiterhin kann die zweite Stoppschicht auch als eine Maske zum Schützen der
Isolierschicht während
des Ausbildens der Kontaktzone und während des Entfernens der ersten
Stoppschicht wirken.
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Andere wichtige technische Vorteile
der vorliegenden Erfindung umfassen eine über der Isolierschicht liegende
zweite Stoppschicht, die einen konsistenten optischen Hintergrund
für ein
genaueres Strukturieren, beispielsweise unter Verwendung einer Photolithographietechnik,
bereitstellt.
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Die zweite Stoppschicht kann darunterliegende
Komponenteneinzelheiten abdecken und eine konsistentere Fokustiefe
für eine
genauere Resiststrukturierung bereitstellen. Weil die zweite Stoppschicht
eine zusätzliche
Schutzbarriere für
die Isolierschicht bereitstellt, kann ein dünnerer Resist verwendet werden,
was die Strukturierungsgenauigkeit weiter begünstigt.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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Für
ein vollständigeres
Verständnis
der vorliegenden Erfindung und für
weitere Merkmale und Vorteile wird nun auf die folgende Beschreibung
Bezug genommen, die in Zusammenhang mit der anliegenden Zeichnung
gelesen werden sollte. Es zeigen:
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die 1A–1F ein Verfahren zum Ausbilden eines
Kontakts zu einem Substrat gemäß der vorliegenden
Erfindung,
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die 2A–2F ein alternatives Verfahren zum
Ausbilden eines Kontakts zu einem Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung,
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die 3A–3G ein Verfahren zum Ausbilden eines
selbstjustierten Kontakts zu einem Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung
und
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die 4A–4G ein alternatives Verfahren zum
Ausbilden eines selbstjustierten Kontakts zu einem Substrat gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die 1A–1F zeigen ein Verfahren zum Ausbilden
eines Kontakts zu einem Substrat. Der Kontakt kann ein Loch, ein
Kanal, ein Kontaktloch, eine Leitung oder eine andere Struktur sein,
die eine Materialschicht mit dem darunterliegenden Substrat oder
einer anderen Schicht koppelt. Dieses Verfahren zum Ausbilden eines
Kontakts kann in die Technik zur Herstellung von Speichern in der
Art dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAMs) und statischer Direktzugriffsspeicher
(SRAMs) sowie von logischen Elementen, Mikroprozessoren, Steuereinrichtungen oder
anderer Halbleiterbausteine, die einen Kontakt aufweisen, aufgenommen
werden.
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1A zeigt
einen Querschnitt eines Halbleiterbausteins 10 während der
Herstellung, der ein Substrat 12 mit mehreren darüberliegenden
Schichten aufweist. Eine erste Stoppschicht 14, die über dem
Substrat 12 liegt, hat eine im wesentlichen gleichmäßige Dicke 15.
Eine Isolierschicht 16 liegt über der ersten Stoppschicht 14.
Eine über
der Isolierschicht 16 liegende zweite Stoppschicht 18 hat eine
im wesentlichen gleichmäßige Dicke 19.
Das Substrat 12, die Isolierschicht 16 und die
Stoppschichten 14 und 18 können unter Verwendung jeder geeigneten
Abscheidungs- oder Aufwachstechnik, einschließlich einer chemischen Abscheidung
bei niedrigem Druck, oder unter Verwendung einer Plasmabeschichtung,
eines Aufschleuderns, eines Sputterns oder eines epitaxialen Aufwachsens,
jedoch ohne Einschränkung
auf diese, ausgebildet werden.
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Eine Planarisierungstechnik kann
während jeder
Phase des Ausbildens des in 1A dargestellten
Bausteins 10 hinzugezogen werden. Das Planarisieren kann
durch einen Wiederaufschmelzprozeß, ein Aufschleudern, ein mechanisches
oder chemisches Polieren, ein Planarisierungsätzen oder eine andere geeignete
Planarisierungstechnik erreicht werden. Beispielsweise kann nach
dem Ausbilden der Isolierschicht 16 vor dem Ausbilden der
zweiten Stoppschicht 18 eine Planarisierungstechnik eingesetzt
werden.
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Das Substrat 12 weist Silicium,
Silicium auf Isolator (SOI) oder ein anderes geeignetes Substrat zur
Halbleiterherstellung auf. Die Isolierschicht 16 kann Oxid
oder ein dotiertes Oxid, wie Borphosphosilikatglas (BPSG), aufweisen.
Die erste Stoppschicht 14 und die zweite Stoppschicht 18 können ein Nitrid
oder ein Nitrid mit einem anderen Oxidmaterial aufweisen. Gemäß einer
Ausführungsform
werden das Material für
die Isolierschicht 16 und das Material für die Stoppschichten 14 und 18 so
ausgewählt,
daß spätere Entfernungsprozesse
für das
eine und nicht das andere Material selektiv sein können.
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1B zeigt
den Baustein 10 nach dem Aufbringen eines Resists 20 auf
die zweite Stoppschicht und nach dem Strukturieren des Resists 20 zum
Definieren einer Kontaktzone 22. Der Resist 20 kann
ein beliebiges geeignetes Strukturierungsmaterial aufweisen, wodurch
die Kontaktzone 22 definiert werden kann. Gemäß einem
Beispiel kann der Resist 20 ein negativer oder positiver
Photoresist sein, der unter Verwendung einer geeigneten Photolithographietechnik
strukturiert wird. Die zweite Stoppschicht 18 kann einen
konsistenten optischen Hintergrund für ein genaueres Strukturieren
des Resists 20 bilden. Beispielsweise kann die zweite Stoppschicht 18 darunterliegende
Komponenteneinzelheiten abdecken und eine konsistentere Fokustiefe
für eine
genauere Resiststrukturierung bereitstellen.
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1C zeigt
den Baustein 10 nach dem Entfernen der Abschnitte der zweiten
Stoppschicht 18, die innerhalb der Kontaktzone 22 liegen.
Dies kann beispielsweise unter Verwendung einer anisotropen Ätztechnik,
die für
die Isolierschicht 16 selektiv ist, erreicht werden. Wie
durch die gestrichelten Linien angegeben ist, wird der Resist 20 nach
dem Entfernen der Abschnitte der zweiten Stoppschicht 18,
die innerhalb der Kontaktzone 22 liegen, entfernt. Die
sich ergebende Struktur weist eine zweite Stoppschicht 18 auf,
die zum Definieren der Kontaktzone 22 strukturiert ist.
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1D zeigt
den Baustein 10 nach dem Entfernen der Abschnitte der Isolierschicht 16 in
der Kontaktzone 22. Gemäß dieser
Ausführungsform wirkt
die zweite Stoppschicht 18 während des Entfernens der Abschnitte
der Isolierschicht 16 als eine harte Maske. Der Entfernungsprozeß kann beispielsweise
durch ein anisotropes Ätzen,
das für
die Stoppschichten 14 und 18 selektiv ist, ausgeführt werden. Gemäß dieser
Ausführungsform
werden das Entfernen der Abschnitte der zweiten Stoppschicht in 1C und das Entfernen der Abschnitte der
Isolierschicht 16 in 1D unter
Verwendung getrennter Schritte ausgeführt. Die in 1D dargestellte sich ergebende Struktur
weist die durch das Entfernen vertikal ausgerichteter Abschnitte
der zweiten Stoppschicht 18 und der Isolierschicht 16 definierte
Kontaktzone 22 auf.
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1E zeigt
den Baustein 10 nach dem Entfernen der restlichen zweiten
Stoppschicht 18 und der Abschnitte der ersten Stoppschicht 14 in
der Kontaktzone 22. Das Entfernen sowohl der zweiten Stoppschicht 18 als
auch der ersten Stoppschicht 14 wird in einem Prozeßschritt,
beispielsweise unter Verwendung einer anisotropen Ätztechnik,
die für
die Isolierschicht 16 selektiv ist, erreicht.
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Das gleichzeitige Ätzen der
ersten Stoppschicht 14 und der zweiten Stoppschicht 18 bietet mehrere
technische Vorteile. Bei einem typischen Halbleiterbaustein kann
die sichtbare Oberfläche
der restlichen zweiten Stoppschicht 18, die in 1D dargestellt ist, einen
großen
Teil der Oberfläche
des Bausteins 10 aufweisen. Falls die zweite Stoppschicht 18 und
die Isolierschicht 16 unterschiedliche optische Eigenschaften
aufweisen, kann das Entfernen der zweiten Stoppschicht 18 einen
optischen Endpunkt für
ein genaueres Steuern des Ätzens
der Abschnitte der ersten Stoppschicht 14 in der Kontaktzone 22 bereitstellen.
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Beispielsweise können die erste Stoppschicht 14 und
die zweite Stoppschicht 18 aus dem gleichen Material, wie
Nitrid, bestehen, wobei ihre jeweiligen Dicken 15 und 19 im
wesentlichen gleich sind. Gemäß dieser
Ausführungsform
kann das optisch oder auf andere Weise erfolgende Entfernen der
zweiten Stoppschicht 18 das Entfernen von Abschnitten der
ersten Stoppschicht 14 in der Kontaktzone 22 angeben.
Weiterhin kann die Dicke 15 der ersten Stoppschicht 14 so
gewählt
wer den, daß sie größer oder
kleiner als die Dicke 19 der zweiten Stoppschicht 18 ist,
um während
des Entfernungsprozesses, der zu der Struktur aus 1E führt, einen
Untererfüllungs-
bzw. Übererfüllungsspielraum bereitzustellen.
Daher fördert
die zweite Stoppschicht 18 ein genaueres und kontrolliertes
Entfernen der Abschnitte der ersten Stoppschicht 14 innerhalb der
Kontaktzone 22.
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1F zeigt
den Baustein 10 nach dem Ausbilden des leitenden Materials 24 in
der Kontaktzone 22 zum Abschließen der Herstellung des allgemein als
Element 26 dargestellten Kontakts. Der Kontakt 26 stellt
eine Kopplung zwischen dem Substrat 12 und einer oder mehreren
Schichten, die über
dem Substrat 12 liegen, bereit. Bei der weiteren Herstellung
des Bausteins 10 kann der Kontakt 26 in einen Speicherknotenkondensator,
einen Transistor, eine Bitleitungskomponente, eine Wortleitungskomponente
oder eine andere geeignete Komponente in einem Halbleiterbaustein
aufgenommen werden.
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Die 2A–2F zeigen ein alternatives
Verfahren zum Ausbilden des Kontakts 26 zum Substrat 12.
Die 2A und 2B zeigen die gleichen Prozeßschritte,
die vorstehend mit Bezug auf die 1A und 1B beschrieben wurden. Anstatt den Resist 20 zu
entfernen, wie vorstehend in 1C dargestellt wurde,
bleibt der Resist 20 jedoch in 2C während
des Entfernens der Abschnitte der Isolierschicht 16 in
der Kontaktzone 22 bestehen.
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Gemäß einer Ausführungsform
kann das Entfernen der vertikal ausgerichteten Abschnitte der zweiten
Stoppschicht 18 und der Isolierschicht 16 durch
ein anisotropes Ätzen
vorgenommen werden, das zunächst
Abschnitte der zweiten Stoppschicht 18 "durchbläst" und
dann eine Selektivität
für die
erste Stoppschicht 14 entwickelt, wenn das Ätzen durch die
Isolierschicht 16 fortgesetzt wird. Die bei einem "Durchblasätzen" entwickelte
Selektivität
kann sich aus sich entwickelnden chemischen Eigenschaften ergeben,
wenn geätzte
Teilchen und andere Rückstände freigegeben
werden und mit dem Ätzprozeß wechselwirken.
Gemäß einer
anderen Ausführungsform
können
verschiedene Entfernungsprozesse verwendet werden, um die zweite
Stoppschicht 18 und die Isolierschicht 16 spezifisch
in zwei getrennten Schritten zu entfernen.
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Bei Verwendung entweder eines einzigen "Durchblas"-Entfernungsschritts
oder von zwei getrennten Entfernungsschritten wirken der Resist 20 und
die zweite Stoppschicht 18 während des Entfernens von Abschnitten
der Isolierschicht 16 als eine hybride weiche/harte Maske
zusammen. Beispielsweise können
Abschnitte des Resists 20, insbesondere jene Abschnitte
in der Nähe
der Kontaktzone 22, während
des Entfernungsprozesses abgelöst
werden, wodurch die zweite Stoppschicht 18 freigelegt wird.
Die zweite Stoppschicht 18 kann dann einen zusätzlichen
Schutz vor dem Ätzprozeß bieten,
um wohldefinierte Seitenwände 30 und
scharfe Ecken 32 der Isolierschicht 16 aufrechtzuerhalten.
Weil die zweite Stoppschicht 18 weiterhin eine zusätzliche Schutzbarriere
für die
Isolierschicht 16 bereitstellt, kann ein dünnerer Resist 20 zum
Verbessern der Strukturierungsgenauigkeit verwendet werden.
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2D zeigt
den Baustein 10 nach dem Entfernen des Resists 20.
Die verbleibenden Schritte des alternativen Verfahrens zum Ausbilden
des Kontakts 26 zum Substrat 12, die in den 2D–2F dargestellt
sind, ähneln
den vorstehend mit Bezug auf die 1D–1F beschriebenen Schritten.
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Die 3A–3G zeigen ein Verfahren zum Ausbilden
eines selbstjustierten Kontakts zum Substrat 12, das die
vorstehend mit Bezug auf die 1A– 1F und 2A–2F beschriebenen Vorteile
aufweist.
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3A zeigt
einen Querschnitt eines Halbleiterbausteins 100 während der
Herstellung, welcher bereits über
dem Substrat 12 ausgebildete Gate-Elektroden 102 aufweist.
Gemäß einer
Ausführungsform
weisen die Gate-Elektroden 102 einen dielektrischen Gate-Film 103,
einen über
dem dielektrischen Gate-Film 103 liegenden leitenden Film 104 und
einen über
dem leitenden Film 104 liegenden Isolierfilm 106 auf.
Die Gate-Elektroden 102 können unter Verwendung einer
beliebigen geeigneten Technik ausgebildet werden, beispielsweise
durch Aufbringen oder thermisches Aufwachsenlassen des dielektrischen
Gate-Films 103, Aufbringen des über dem dielektrischen Gate-Film 103 liegenden
leitenden Films 104, Aufgingen des über dem leitenden Film 104 liegenden
Isolierfilms 106 und Strukturieren des dielektrischen Gate-Films 103,
des leitenden Films 104 und des Isolierfilms 106,
so daß diese
gemeinsam Gate-Elektroden 102 bilden. Der dielektrische
Gate-Film 103 kann aus Oxid, Oxynitrid oder einem anderen
geeigneten Material mit den gewünschten
dielektrischen Eigenschaften gebildet werden. Der leitende Film 104 kann
aus Metall, amorphem Polysilicium, Polysiliciden, Wolframsiliciden
oder einem anderen geeigneten leitenden Material sowie aus jeder
beliebigen Kombination dieser Filme gebildet werden. Der Isolierfilm 106 kann
aus Nitrid mit einigem Oxid oder ohne dieses oder aus einem anderen
geeigneten Isolierfilm oder anderen geeigneten Isolierfilmkombinationen
gebildet werden.
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3B zeigt
den Baustein 100 nach dem Ausbilden isolierender Seitenwände 108 und
dem Ausbilden einer ersten Stoppschicht 110, die über Gate-Elektroden 102 und
isolierenden Seitenwänden 108 liegt.
Die Seitenwände 108 können durch
Aufgingen eines isolierenden Materials in der Art von Oxid oder
Nitrid unter Verwendung einer chemischen Niederdruck- oder Plasma-Dampfabscheidungstechnik (CVD-Technik)
gebildet werden. Das isolierende Material wird dann anisotrop geätzt, bis
ein gewünschter Abschnitt
des Substrats 12 zwischen den Gate-Elektroden 102 freigelegt
wurde. Die erste Stoppschicht 110 kann durch Aufbringen
von Nitrid mit einigem Oxid oder ohne dieses über den Gate-Elektroden 102 und
den isolierenden Seitenwänden 108 unter
Verwendung einer CVD-Technik gebildet werden.
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3C zeigt
den Baustein 100 nach mehreren zusätzlichen Prozeßschritten
einschließlich
des Ausbildens einer Isolierschicht 112 über der
ersten Stoppschicht 110, des Ausbildens einer zweiten Stoppschicht 114 über der
Isolierschicht 112, des Ausbildens von Resist 116 über der
zweiten Stoppschicht 114 und des Strukturierens des Resists 116 zum
Definieren einer Kontaktzone 118. Die Schritte können in ähnlicher
Weise ausgeführt
werden wie vorstehend mit Bezug auf das Ausbilden der ersten Stoppschicht 14,
der Isolierschicht 16, der zweiten Stoppschicht 18 und
des Resists 20 in den 1A und 1B beschrieben wurde.
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3D zeigt
den Baustein 100 nach dem Entfernen eines Abschnitts der
zweiten Stoppschicht 114 in der Kontaktzone 118 und
dem Entfernen des Resists
116. Gemäß dieser Ausführungsform
wirkt die restliche zweite Stoppschicht 114 als eine harte Maske
zum Entfernen von Abschnitten der Isolierschicht 112 innerhalb
der Kontaktzone 118, wie in 3E dargestellt
ist. Nach dem Entfernen der Abschnitte der Isolierschicht 112 ist
ein großer
Teil der Oberfläche
des Bausteins 100 von der zweiten Stoppschicht 114 bedeckt,
und der untere Teil der Kontaktzone 118 ist von der ersten
Stoppschicht 110 bedeckt.
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3F zeigt
den Baustein 100 nach dem Entfernen der restlichen zweiten
Stoppschicht 114 und der Abschnitte der ersten Stoppschicht 110 in
der Kontaktzone 118. Wie vorstehend mit Bezug auf 1E beschrieben wurde, bietet dieses Entfernen der
Stoppschichten 110 und 114 in einem einzigen Prozeß mehrere
technische Vorteile. Insbesondere bietet die zweite Stoppschicht 114 einen
Endpunkt für ein
genaueres Steuern des Entfernens der Abschnitte der ersten Stoppschicht 110 in
der Kontaktzone 118. Beispielsweise können die erste Stoppschicht 110 und
die zweite Stoppschicht 114 aus dem gleichen Material,
wie Nitrid, gebildet werden, wobei ihre jeweiligen Dicken 111 und 115 im
wesentlichen gleich sind. Gemäß dieser
Ausführungsform
kann das optisch oder auf andere Weise erfaßte Entfernen der zweiten Stoppschicht 114 auf
das Entfernen von Abschnitten der ersten Stoppschicht 110 in
der Kontaktzone 118 hinweisen. Weiterhin kann die Dicke 111 der
ersten Stoppschicht 110 so gewählt werden, daß sie größer oder
gleich der Dicke 115 der zweiten Stoppschicht 114 ist,
um während
des Entfernungsprozesses, der zu der in 3F dargestellten Struktur führt, einen
Untererfüllungs-
bzw. einen Übererfüllungsspielraum
bereitzustellen.
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3G zeigt
den Baustein 100 nach dem Ausbilden eines leitenden Materials 120 in
der Kontaktzone 118 zum Abschließen der Herstellung des selbstjustierten
Kontakts, der allgemein als Element 122 dargestellt ist.
Infolge der isolierenden Eigenschaften des Isolierfilms 106 und
der isolierenden Seitenwände 108 und
des sorgfältigen
Entfernens der Abschnitte der ersten Stoppschicht 110 in
der Kontaktzone 118 koppelt der selbstjustierte Kontakt 122 das
Substrat 12 und eine oder mehrere darüberliegende Schichten unter
Verwendung des begrenzten Raums zwischen den Gate-Elektroden 102.
Dies wird ohne eine Wechselwirkung mit der Struktur oder der Arbeitsweise
der Gate-Elektroden 102 erreicht. Der selbstjustierte Kontakt 122 bietet
eine erhöhte Komponentendichte
im Baustein 100, was teilweise durch das genaue und gesteuerte
Entfernen der Stoppschichten 110 und 114 möglich ist.
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In den 4A–4G ist ein alternatives Verfahren
zum Ausbilden eines selbstjustierten Kontakts 122 zum Substrat 12 dargestellt.
Die 4A–4C zeigen die gleichen Prozeßschritte,
die vorstehend mit Bezug auf die 3A– 3C beschrieben wurden. Anstelle
des Entfernens des Resists 116, wie vorstehend in 3D gezeigt wurde, bleibt
der Resist 116 jedoch in 4D während des
Entfernens der Abschnitte der Isolierschicht 112 in der
Kontaktzone 118 bestehen.
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Gemäß einer Ausführungsform
kann das Entfernen vertikal ausgerichteter Abschnitte der zweiten
Stoppschicht 114 und der Isolierschicht 112 durch
ein anisotropes Ätzen
vorgenommen werden, das zunächst
Abschnitte der zweiten Stoppschicht 114 "durchbläst" und
dann eine Selektivität
für die erste
Stoppschicht 110 entwickelt, wenn das Ätzen durch die Isolierschicht 112 fortgesetzt
wird. Die bei einem "Durchblasätzen"
entwickelte Selektivität
kann sich aus sich entwickelnden chemischen Eigenschaften ergeben,
wenn geätzte
Teilchen und andere Rückstände freigegeben
werden und mit dem Ätzprozeß wechselwirken.
Gemäß einer
anderen Ausführungsform
können
verschiedene Entfernungsprozesse verwendet werden, um die zweite
Stoppschicht 114 und die Isolierschicht 112 spezifisch
in zwei getrennten Schritten zu entfernen.
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Bei Verwendung entweder eines einzigen "Durchblas"-Entfernungsschritts
oder von zwei getrennten Entfernungsschritten wirken der Resist 116 und
die zweite Stoppschicht 114 während des Entfernens von Abschnitten
der Isolierschicht 112 als eine hybride weiche/harte Maske
zusammen. Beispielsweise können
Abschnitte des Resists 116, insbesondere jene Abschnitte
in der Nähe
der Kontaktzone 118, während
des Entfernungsprozesses abgelöst werden,
wodurch die zweite Stoppschicht 114 freigelegt wird. Die
zweite Stoppschicht 114 kann dann einen zusätzlichen
Schutz vor dem Ätzprozeß bieten, um
wohldefinierte Seitenwände 130 und
scharfe Ecken 132 der Isolierschicht 112 aufrechtzuerhalten.
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Weil die zweite Stoppschicht 114 weiterhin eine
zusätzliche
Schutzbarriere für
die Isolierschicht 112 bereitstellt, kann ein dünnerer Resist 116 zum Verbessern
der Strukturierungsgenauigkeit verwendet werden.
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4E zeigt
den Baustein 100 nach dem Entfernen des Resists 116.
Die verbleibenden Schritte des alternativen Verfahrens zum Ausbilden
des selbstjustierten Kontakts 122 zum Substrat 12,
die in den 4E–4G dargestellt sind, ähneln den
vorstehend mit Bezug auf die 3E–3G beschriebenen Schritten.