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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung und insbesondere
auf eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung, die eine Hochfrequenzeinrichtung
umfaßt,
zum Beispiel einen Hochfrequenzschalter und ein Filter, und auf
ein Verfahren zum Bilden einer zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung
durch gleichzeitiges Bilden einer verbundenen Vorrichtung, die zumindest
eine Hochfrequenzeinrichtung und zumindest ein Filter umfaßt.
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Ein Hochfrequenzschalter, der in 10 gezeigt ist, wird für Schaltverbindungen
zwischen einer Übertragungsschaltung
TX und einer Antenne ANT und zwischen einer Empfangsschaltung RX
und einer Antenne ANT über
Signalleitungen zum Beispiel in einem tragbaren Digitaltelephonsatz
verwendet.
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Ein Beispiel einer Hochfrequenzeinrichtung, wie
zum Beispiel ein Hochfrequenzschalter, weist eine Konfiguration
auf, die in dem Schaltungsdiagramm aus 11 gezeigt ist. Der Hochfrequenzschalter 1 ist
mit einer Antenne ANT, einer Übertragungsschaltung
TX und einer Empfangsschaltung RX durch Signalleitungen V1 verbunden.
Eine Hochfrequenzkomponente, wie zum Beispiel eine Diode D1, weist
eine Anode auf, die über
einen Kondensator C1 mit der Übertragungsschaltung
TX verbunden ist. Die Anode der Diode D1 ist ferner mit Masse über eine
Reihenschaltung verbunden, die eine Streifenleitung L1 umfaßt, die
Teil einer ersten Übertragungsleitung
und eines Kondensators C4 bildet. Die Länge der Streifenleitung L1
ist im wesentlichen gleich oder weniger als λ/4, wobei die Wellenlänge eines
Signals, das von der Übertragungsschaltung
TX gesendet wird, λ beträgt. Ein Steuerungsanschluß Vc1 ist
mit einem Zwischenpunkt zwischen der Streifenleitung L1 und dem
Kondensator C4 verbunden. Eine Steuerungsschaltung (nicht gezeigt)
zum Schalten des Hochfrequenzschalters 1 ist mit dem Steuerungsanschluß Vc1 verbunden.
Eine Reihenschaltung, die eine Streifenleitung L3 umfaßt, die
einen Teil der ersten Übertragungsleitung
und eines Kondensators C6 bildet, ist mit beiden Enden der Diode
D1 verbunden (zwischen der Anode und der Kathode). Die Kathode der
Diode D1 ist mit der Antenne ANT über einen Kondensator C2 verbunden.
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Die Empfangsschaltung RX ist mit
dem Kondensator C2 verbunden, der mit der Antenne ANT verbunden
ist, über
eine Reihenschaltung, die eine Streifenleitung L2 umfaßt, die
Teil der ersten Übertragungsleitung
und eines Kondensators C3 bildet. Wie in dem Fall der Streifenleitung
L1 ist die Länge
der Streifenleitung L2 im wesentlichen gleich oder weniger als λ/4. Eine
andere Hochfrequenzkomponente, zum Beispiel eine Diode D2, weist
eine Anode auf, die mit einem Zwischenpunkt zwischen der Streifenleitung
L2 und dem Kondensator C3 verbunden ist. Die Kathode der Diode D2
ist mit Masse über
einen Kondensator C5 verbunden. Ferner ist ein Steuerungsanschluß Vc2 mit
einem Zwischenpunkt zwischen der Diode D2 und dem Kondensator C5
verbunden. Eine Steuerungsschaltung (nicht gezeigt) zum Schalten
des Hochfrequenzschalters 1 ist mit dem Steuerungsanschluß Vc2 verbunden,
um dadurch die Schaltung des Hochfrequenzschalters 1 fertigzustellen.
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Wenn ein Signal durch den Hochfrequenzschalter 1 übertragen
wird, wird eine positive Vorspannungsspannung an den Steuerungsanschluß Vc1 angelegt,
während
eine negative Vorspannungsspannung an den Steuerungsanschluß Vc2 angelegt wird.
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Da diese Spannungen als Vorspannungsspannungen
in der Vorwärtsrichtung
wirken, um die Dioden D1 und D2 vorzuspannen, werden die Dioden D1
und D2 EIN geschaltet. Zu dieser Zeit werden Gleichströme durch
die Kondensatoren C1 bis C6 geschnitten und die Spannungen, die
an die Steuerungsanschlüsse
Vc1 und Vc2 angelegt sind, werden nur an eine Schaltung angelegt,
die die Dioden D1 und D2 umfaßt.
Somit wird die Streifenleitung L2 mit Masse durch die Diode D2 verbunden
und ist in Resonanz auf einer Übertragungsfrequenz
und die Impedanz wird annähernd
unendlich. Folglich wird ein Signal, das von der Übertragungsschaltung
TX gesendet wird, zu der Antenne ANT durch den Kondensator C1, die
Diode D1 und den Kondensator C2 übertragen,
ohne in den meisten Fällen
zu der Seite der Empfangsschaltung RX übertragen zu werden. Ferner,
da die Streifenleitung L1 über
den Kondensator C4 mit Masse verbunden ist, ist die Streifenleitung L1
auf einer Übertragungsfrequenz
in Resonanz und die Impedanz wird annähernd unendlich. Folglich wird
ein Lecken eines übertragenen
Signals zu der Masseseite verhindert.
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Andererseits ist beim Empfangen eines
Signals eine negative Vorspannungsspannung an den Steuerungsanschluß Vc1 angelegt,
während
ein positive Vorspannungsspannung an den Steuerungsanschluß Vc2 angelegt
ist. Da diese Spannungen als Vorspannungsspannungen in umgekehrten
Richtungen relativ zu den Dioden D1 und D2 wirken, werden die Dioden
D1 und D2 AUS geschaltet, und dadurch wird ein Signal, das von der
Antenne ANT empfangen wird, zu der Empfangsschaltung RX durch den Kondensator
C2, die Streifenleitung L2 und den Kondensator C3 übertragen,
ohne in den meisten Fällen zu
der Übertragungsschaltung
TX übertragen
zu werden.
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Auf diese Weise ermöglicht der
Hochfrequenzschalter 1 ein Schalten von übertragenen
und empfangenen Signalen durch Steuern von Vorspannungsspannungen,
die an die Steuerungsanschlüsse Vc1
und Vc2 angelegt werden sollen.
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Ferner werden die Reihenschaltung,
die die Streifenleitung L3 umfaßt,
und der Kondensator C6 zum Erhöhen
der Impedanz auf einen Verbindungspunkt mit der Streifenleitung
L3 verwendet, wenn die Diode D1 AUS ist, und zum Reduzieren eines
Einfügungsverlustes
und eines Reflexionsverlustes durch Bilden einer Parallelresonanzschaltung,
um durch die Synthetikkapazität
zwischen dem Kondensator C6 und der Diode D1, die AUS ist, und der
Induktivitätskomponente
der Streifenleitung L3 in Resonanz zu sein, und dadurch, daß dieselbe
auf ihrer Resonanzfrequenz in Resonanz ist, die im wesentlichen gleich
zu einer Frequenz eines empfangenen Signals ist.
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Abgesehen von dem Schaltungsaufbau
eines Hochfrequenzschalters, der oben beschrieben wurde, bestehen
verschiedene Typen von verfügbaren
Hochfrequenzschaltern. Zum Beispiel ein Hochfrequenzschalter, wie
er in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 6-197042 und dem
offengelegten japanischen Patent Nr. 6-197043 beschrieben ist, und
ein Hochfrequenzschalter, der einen Schaltungsaufbau wie zum Beispiel
den aufweist, der in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 7-74762
gezeigt ist, kann ebenfalls verwendet werden.
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Ferner können andere Hochfrequenzkomponenten,
wie zum Beispiel Transistoren, FETs und eine andere geeignete Einrichtung
statt den Hochfrequenzkomponenten verwendet werden, wie zum Beispiel
die oben beschriebenen Dioden D1 und D2. Zusätzlich dazu können anstatt
den Streifenleitungen L1, L2 und L3 andere Übertragungsleitungen, wie zum
Beispiel Koplanarleitungen und andere geeignete Komponenten verwendet
werden.
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Üblicherweise
jedoch treten Probleme auf, wenn Hochfrequenzvorrichtungen, wie
zum Beispiel Hochfrequenzschalter verwendet werden, um eine Hochfrequenzvorrichtung
zu bilden, durch Verbinden von Filtern mit den Hochfrequenzeinrichtungen.
Die Hochfrequenzeinrichtungen und Filter werden unterschiedlich
und unabhängig
entworfen und hergestellt und werden dann miteinander verbunden.
Folglich nehmen die kombinierte Hochfrequenzeinrichtung und das
Filter relativ große
Bereiche auf einer gedruckten Schaltungsplatine ein und machen die Schaltungsanordnung
derselben komplizierter. Zusätzlich
dazu muß eine
Impedanzanpassung zwischen der Hochfrequenzeinrichtung und dem Filter durchgeführt werden,
um die Hochfrequenzeinrichtung und das Filter zu verbinden. Daher
muß eine
Impedanzanpassungsschaltung spezifisch für die bestimmte Hochfrequenzeinrichtung
und das Filter entworfen werden, die miteinander verbunden werden sollen.
Sobald das Impedanzanpassungsfilter entworfen ist, muß das Impedanzanpassungsfilter
hergestellt und mit der Hochfrequenzeinrichtung und dem Filter verbunden
werden. Folglich werden Kosten, Zeit und Herstellungsschwierigkeit
einer Vorrichtung, die eine verbundene Hochfrequenzeinrichtung und
ein Filter mit einer notwendigen Impedanzanpassungsschaltung aufweist,
im wesentlichen erhöht.
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Y. Taguchi u. a. bewerten „Microwave
Characteristics of Aluminia-Glas Composite Multi-Layer Substrates
with Cofired Copper Conductors" in
IEICE TRANSACTIONS ON ELETRONICS, Band E76-C, Nr. 6, Juni 1993,
Tokio, Seiten 912 bis 918 die elektrischen Charakteristika von Mehrschicht substraten
für Mobilkommunikation
und erörtern
die Verwendbarkeit von Keramikmehrschichtsubstraten in GHz-Anwendungen.
Eine typische Konfiguration eines Keramikmehrschichtsubstrats ist
mit einer oder mehreren aktiven oder passiven Komponenten beschrieben, die
auf einer oberen Schicht vorgesehen sind. In weiteren Schichten
sind Leistungsversorgungsleitungen durch Drei-Platten-Übertragungsstreifenleitungen gebildet.
Weitere Elemente, wie zum Beispiel eine Anpassungsschaltung, ein
Resonator, ein Filter oder ein Koppler, sind durch Drei-Platten-Übertragungsstreifenleitungen
gebildet.
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Die US-A-4,899,118 beschreibt gemeinsam bei
niedriger Temperatur eingebrannte Keramikpakete für integrierte
Mikrowellen- und Millimeter-Schaltungen. Vor Ort vergrabene passive
Komponenten, einschließlich
Kondensatoren, Widerstände
und Induktoren, sind innerhalb eines gemeinschaftlichen eingebrannten
Substrats eingelagert. In einem Hohlraum, der in der oberen Oberfläche des
Substrats vorgesehen ist, ist ein Integrierte-Schaltung-Chip eingegrenzt.
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Es ist die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung zu schaffen,
die eine reduzierte Größe zum Einnehmen
eines reduzierten Raumbetrags auf einer gedruckten Schaltungsplatine
aufweist, und die eine vereinfachte Schaltungsanordnung aufweist,
während
dieselbe eine verbesserte Flexibilität zum Anordnen von zwei Hochfrequenzkomponenten
in der Vorrichtung liefert.
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Diese Aufgabe wird durch eine zusammengesetzte
Hochfrequenzvorrichtung gemäß Anspruch 1
gelöst.
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Externe Elektroden gemäß Anspruch
1 sind bekannt, wie zum Beispiel aus den Patentdokumenten IP-A-06204912
und GB-A-2273821.
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Um die Probleme der herkömmlichen
Einrichtungen zu lösen,
die oben beschrieben wurden, umfaßt die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
und das Verfahren zum Bilden der Vorrichtung gemäß zumindest einem der bevorzugten
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung eine Hochfrequenzeinrichtung, die an
einer Außenoberfläche einer
Mehrschichtbasis befestigt ist, die eine laminierte Struktur einer
Mehrzahl von dielektrischen Schichten und eine Signalleitung, die
mit einer Masseelektrode verbunden ist, umfaßt, wobei die Hochfrequenzeinrichtung
zumindest an der Außenoberfläche der
Mehrschichtbasis oder der dielektrischen Schicht angeordnet ist,
wobei eine erste Übertragungsleitung
die Signalleitung und die Masseelektrode und ein Filter verbindet,
das mit der Hochfrequenzkomponente über eine zweite Übertragungsleitung
und Signalleitungen, die in der Mehrschichteinheit angeordnet sind,
verbunden ist.
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Ferner wird eine Diode vorzugsweise
als eine Hochfrequenzkomponente verwendet, eine Streifenleitung
mit vorzugsweise als die Übertragungsleitung
verwendet und ein Hochfrequenzschalter wird vorzugsweise als die
Hochfrequenzeinrichtung verwendet. Ein Tiefpaßfilter kann als das Filter verwendet
werden. Alternativ können
alle anderen geeigneten Hochfrequenzkomponenten, Übertragungsleitungen,
Hochfrequenzeinrichtungen und Filter ebenfalls verwendet werden,
wie aus der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung offensichtlich wird.
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Durch Anordnen der Hochfrequenzeinrichtung
und des Filters auf der Mehrschichtbasis, die eine Mehrzahl von
dielektrischen Schichten umfaßt, und
dadurch Erzeugen einer zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung,
wird die Gesamtabmessung der Vorrichtung im Vergleich zu einer herkömmlichen
Einrichtung reduziert, bei der eine Hochfrequenzeinrichtung und
ein Filter separat hergestellt und dann miteinander verbunden werden.
Ferner, durch Kombinieren der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung
und der Schaltung des Filters und durch gleichzeitiges Bilden der
Hochfrequenzeinrichtung und des Filters wird eine gewünschte Impedanzanpassung
zwischen der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung und der Schaltung
des Filters erreicht, ohne den Bedarf nach einer separaten Impedanzanpassungsschaltung.
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Andere Merkmale und Vorteile der
vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung
der Erfindung offensichtlich, die sich auf die beiliegenden Zeichnungen
bezieht.
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1 ist
ein Diagramm, das eine Schaltung einer zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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2 ist
eine Querschnittsansicht, die die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
zeigt, die in 1 gezeigt
ist;
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3 ist
eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
aus 1 zeigt;
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4 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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5 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
andere bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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8 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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9 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem
anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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10 ist
eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau einer herkömmlichen
Hochfrequenzeinrichtung zeigt; und
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11 ist
ein Diagramm, das die Schaltung der herkömmlichen Hochfrequenzeinrichtung
zeigt, die in 10 gezeigt
ist.
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Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung werden Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen
beschrieben. Die Beschreibung von Elementen, die ähnlich oder
gleich zu den herkömmlichen
Elementen sind, die in 10 und 11 gezeigt sind, werden weggelassen,
um eine Wiederholung zu vermeiden. Solche ähnlichen Elemente, die bei
den bevorzugten Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung enthalten sind, werden durch dieselben
Bezugszeichen identifiziert, die verwendet werden, um die herkömmlichen
Komponenten zu beschreiben.
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1 ist
ein Diagramm, das eine Schaltung einer zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung 2 gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung zeigt. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel,
das in 1 gezeigt ist, kann
ein Filter F1 vorzugsweise ein Tiefpaßfilter sein, wie zum Beispiel
ein Tiefpaßfilter
vom Butterworth-Typ
oder ein anderes geeignetes Filter.
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Das Filter F1 ist vorzugsweise zwischen
eine Übertragungsschaltung
TX und ein Ende eines Kondensators C1 einer Hochfrequenzvorrichtung 1 geschaltet.
Das Filter F1 umfaßt
vorzugsweise Streifenleitungen L4 und L5, die eine zweite Übertragungsleitung
bilden. Das Filter F1 umfaßt
ferner vorzugsweise Kondensatoren C7, C8 und C9. Die Beschreibung der
Verbindungen, die sich auf das Filter F1 beziehen, wird weggelassen,
da solche Verbindungen bekannt sind.
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2 ist
eine Querschnittsansicht, die die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung 2 aus 1 zeigt. Die Hochfrequenzvorrichtung 2 umfaßt eine
Mehrschichtbasis 10. Wie bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel
aus 3 gezeigt ist, wird
die Mehrschichtbasis 10 vorzugsweise durch Laminieren von
dielektrischen Schichten 11 bis 25 von der ersten bis
zur fünfzehnten
dielektrischen Schicht nacheinander von oben nach unten gebildet.
Die Dioden D1 und D2 sind vorzugsweise an der ersten dielektrischen
Schicht 11 befestigt. Die Kondensatorelektroden C51, C11,
C21, C31, C12, C22, C32, C13, C33, C61, C15, C35, C63, C41, C71,
C81 und C91 sind vorzugsweise an den Schichten 12 bis 15 der
zweiten bis zur fünfzehnten
dielektrischen Schicht und an den Schichten 17, 20 und 24 der
siebten, zehnten und vierzehnten dielektrischen Schicht angeordnet.
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Die Kondensatorelektroden C14, C34
und C62 und eine Streifenleitungselektrode L31 sind vorzugsweise
an der sechsten dielektrischen Schicht 16 gebildet. Streifenleitungselektroden
L41, L51, L11 und L21 sind vorzugsweise an der achten und zwölften dielektrischen
Schicht 18 und 22 gebildet. Masseelektroden G1
sind vorzugsweise an der neunten, elften, dreizehnten und fünfzehnten
dielektrischen Schicht 19, 21, 23 und 25 gebildet.
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Ferner sind eine externe Elektrode
für eine Übertragungsschaltung
TX1, eine externe Elektrode für
eine Empfangsschaltung RX1, eine externe Elektrode für eine Antenne
ANT1, externe Steuerungselektroden Vc11 und Vc22 und externe Masseelektroden
G2 vorzugsweise auf einer unteren Oberfläche der fünfzehnten dielektrischen Schicht 25 (25u in 3) gebildet. Durch Bilden
von Signalleitungselektroden (nicht gezeigt in 3) an gewünschten Positionen auf den dielektrischen
Schichten 11 bis 25 und durch Bilden externer
Elektroden (nicht gezeigt in 3)
an der äußeren Oberfläche der
Mehrschichtbasis 11 und durch elektrisches Verbinden der
externen Elektroden ist die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung 2 aufgebaut,
um die Schaltungskonfiguration aufzuweisen, die in 1 gezeigt ist.
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Genauer gesagt weist der Kondensator
C1 des Hochfrequenzschalters 1 Kondensatorelektroden C11
bis C15 auf, der Kondensator C2 weist Kondensatorelektroden C21
und C22 auf, der Kondensator C3 weist Kondensatorelektroden C31
bis C35 auf, der Kondensator C4 weist eine Kondensatorelektrode
C41 auf, der Kondensator C5 weist eine Kondensatorelektrode C51
auf und der Kondensator C6 weist Kondensatorelektroden C61 bis C63
auf. Die Kondensatoren C7, C8 und C9 der Filterschaltung F1 weisen
Kondensatorelektroden C71, C81 bzw. C91 auf.
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Spulenstrukturen L1 bis L3 des Hochfrequenzschalters 1 weisen
Streifenleitungselektroden L11 bis bzw. L31 auf. Spulenstrukturen
L4 und L5 der Filterschaltung F1 weisen Streifenleitungselektroden L41
bzw. L51 auf.
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Beim Herstellen einer solchen zusammengesetzten
Hochfrequenzvorrichtung 2 werden vorzugsweise dielektrische
Keramikgrünschichten
vorbereitet. Auf den dielektrischen Keramikgrünschichten wird eine Elektrodenpaste
vorzugsweise gemäß den Formen
der jeweiligen Elektroden und Signalleitungen gedruckt. Dann, durch
Laminieren der dielektrischen Keramikgrünschichten mit Elektrodenpaste gedruckt
auf denselben und Backen der Keramikgrünschichten, wird eine Mehrschichtbasis
gebildet, die laminierte dielektrische Schichten aufweist. Ferner
werden durch Drucken der Elektrodenpa ste auf die Außenoberfläche der
Mehrschichtbasis und Backen der Elektrodenpaste externe Elektroden
gebildet. Es ist ferner möglich,
die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung durch Drucken von Elektrodenpaste
zu bilden, um externe Elektroden zu bilden, und durch einstöckiges Backen
der Elektroden nachdem die dielektrischen Grünschichten laminiert sind.
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Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung,
die eine Hochfrequenzeinrichtung und ein Filter umfaßt, die
an einer Mehrschichtbasis durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten
gebildet sind, weist eine physische Gesamtabmessung auf, die im
wesentlichen geringer ist als die herkömmlicher Einrichtungen, bei
denen eine Hochfrequenzeinrichtung und ein Filter separat gebildet
und dann verbunden werden. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
gemäß zumindest einem
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung erreicht ein reduziertes Volumen und
nimmt weniger Bereich auf einer gedruckten Schaltungsplatine ein.
Ferner, durch Kombinieren der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung
und der Schaltung des Filters durch gleichzeitiges Entwerfen und
Bilden der Schaltungen der Hochfrequenzeinrichtung und des Filters,
wird eine Impedanzanpassung zwischen der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung
und der Schaltung des Filters erreicht. Folglich ist es nicht notwendig,
eine Impedanzanpassungsschaltung zwischen der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung
und der Schaltung des Filters zu entwerfen, herzustellen und zu
verbinden. Daher ist die Herstellung und Anordnung der Schaltung
der Hochfrequenzeinrichtung und der Schaltung des Filters einfacher
und kostengünstiger
als herkömmliche Verfahren.
Ferner, da die Impedanzanpassungsschaltung nicht notwendig ist,
wird die zusammengesetzte Hochfrequenzeinrichtung im wesentlichen
in einer kürzeren
Zeitperiode gebildet, da die Zeit, die zum Entwerfen und Bilden
der Impedanzanpassungsschaltung erforderlich ist, unnötig wird.
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Ferner wurde bei der Beschreibung
des bevorzugten Ausführungsbeispiels
aus 1 Bezug auf die
Kondensatoren und Streifenleitungen genommen, die auf der Mehrschichtbasis
gebildet sind. Widerstandskomponenten jedoch, wie zum Beispiel Chipwiderstände, gedruckte
Widerstände
und andere geeignete Widerstandskomponenten und elektronische Komponenten
können
auf der Oberfläche
der Mehrschichtbasis gebildet sein oder können innerhalb der Mehrschichtbasis
gebildet sein.
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Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel aus 1 sind die Hochfrequenzeinrichtung
und das Filter derart verbunden, daß das Filter F1 zwischen die Übertragungsschaltung
TX und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet ist. Es ist
jedoch möglich, dieselbe
Wirkung zu erzielen, durch selektives Schalten des Filters F1 zwischen
die Übertragungsschaltung
TX, die Empfangsschaltung RX oder die Antenne ANT und den Hochfrequenzschalter 1.
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Verschiedene alternative bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden in nachfolgenden Absätzen in
Bezug auf 4–9 beschrieben.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die
Antenne ANT und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet sein,
wie in 4 gezeigt ist.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die
Empfangsschaltung RX und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet
sein, wie in 5 gezeigt
ist.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die Übertragungsschaltung
TX und den Hochfrequenzschalter 1 und zwischen die Antenne
ANT und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet sein, wie
in 6 gezeigt ist.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die Übertragungsschaltung
TX und den Hochfrequenzschalter 1 und zwischen die Empfangsschaltung
RX und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet sein, wie
in 7 gezeigt ist.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die
Empfangsschaltung RX und den Hochfrequenzschalter 1 und
zwischen die Antenne ANT und den Hochfrequenzschalter 1 geschaltet
sein, wie in 8 gezeigt
ist.
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Das Filter F1 kann vorzugsweise zwischen die Übertragungsschaltung
TX und den Hochfrequenzschalter 1, zwischen die Empfangsschaltung RX
und dem Hochfrequenzschalter 1 und zwischen die Antenne
ANT und dem Hochfrequenzschalter 1 geschaltet sein, wie
in 9 gezeigt ist.
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Ferner kann bei einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ein Filter, zum Beispiel ein Tiefpaßfilter,
mit der Hochfrequenzvorrichtung verbunden sein. Anstatt eines Tiefpaßfilters
kann jedoch ein Hochpaßfilter,
ein Bandpaßfilter
und ein Bandsperrfilter und ein anderes geeignetes Filter verwendet
werden, um mit der Hochfrequenzvorrichtung kombiniert oder verbunden
zu werden.
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Die Wirkung der Bildung gemäß zumindest einem
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung wird Bezug nehmend auf ein Beispiel detaillierter
beschrieben, bei dem ein Tiefpaßfilter
verwendet wird.
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Eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
kann aufgebaut werden durch Bilden einer Hochfrequenzeinrichtung,
wie zum Beispiel eines Hochfrequenzschalters, die eine Mehrschichtbasis aus
laminierten dielektrischen Schichten, die die Abmessungen von ungefähr 6,3 × 5,0 × 3,0 mm
aufweisen, und ein Tiefpaßfilter,
das die Abmessungen von ungefähr
4,5 × 3,2 × 2,0 mm
auf einer Mehrschichtbasis aufweist, umfaßt. Folglich betragen die Gesamtabmessungen
der Vorrichtung ungefähr
6,3 × 5,0 × 3,0 mm,
die ungefähr
gleich den Gesamtabmessungen eines herkömmlichen Hochfrequenzschalters
sind. Die Volumina und eingenommenen Bereiche auf einer gedruckten
Schaltungsplatine der zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung,
die durch zumindest ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung erzeugt wird, werden wesentlich reduziert. Ferner wird
durch Kombinieren der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung und
der Schaltung des Filters und durch gleichzeitiges Entwerfen und
Bilden der Schaltungen keine Impedanzanpassungsschaltung benötigt, wie
bei einer herkömmlichen
Hochfrequenzeinrichtung und einem Tiefpaßfilter.
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Somit ist gemäß zumindest einem der bevorzugten
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung, durch Erzeugen einer zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung
durch Bilden einer Hochfrequenzeinrichtung und eines Filters auf
einer Mehrschichtbasis hergestellt aus einer Mehrzahl von dielektrischen
Schichten, eine Gesamtabmessung der Vorrich tung wesentlich geringer
als die Gesamtabmessung der herkömmlichen
Hochfrequenzeinrichtung und des Filters, die unabhängig entworfen
und gebildet und dann verbunden werden. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung
gemäß der zumindest
einem der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung weist ein reduziertes Volumen auf und
nimmt wesentlich weniger Bereich auf einer gedruckten Schaltungsplatine
ein. Ferner ist es durch Kombinieren der Schaltung des Filters und
der Schaltung der Hochfrequenzeinrichtung und durch gleichzeitiges
Entwerfen und Bilden der Schaltungen möglich, eine Impedanzanpassung zwischen
den zwei Schaltungen zu erreichen. Dementsprechend ist es nicht
notwendig, eine Impedanzanpassungsschaltung hinzufügen, und
der Schaltungsaufbau der bevorzugten Ausführungsbeispiele wird vereinfacht.
Zusätzlich
dazu wird die Zeitperiode, die zum Entwerfen, Bilden und Verbinden
der Impedanzanpassungsschaltung erforderlich ist, wie es bei bekannten
Einrichtungen erforderlich ist, beseitigt, da eine Impedanzanpassungsschaltung
bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung nicht notwendig ist.