DE10133660A1 - Hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul mit keramischen Substraten mit eingebetteten passiven Komponenten - Google Patents

Hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul mit keramischen Substraten mit eingebetteten passiven Komponenten

Info

Publication number
DE10133660A1
DE10133660A1 DE10133660A DE10133660A DE10133660A1 DE 10133660 A1 DE10133660 A1 DE 10133660A1 DE 10133660 A DE10133660 A DE 10133660A DE 10133660 A DE10133660 A DE 10133660A DE 10133660 A1 DE10133660 A1 DE 10133660A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
passive
layer
circuit module
layers
component integration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE10133660A
Other languages
English (en)
Inventor
Young Huang Chou
Jyh Wen Sheen
Wen Jen Tseng
Chin Li Wang
Jian Hong Chen
Ching Wen Tang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of DE10133660A1 publication Critical patent/DE10133660A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

Eine Mehrzahl von keramischen Substraten (403) wird zum Herstellen und Integrieren von hochintegrierten mehrschichtigen Schaltkreismodulen verwendet. Integrierte Schaltkreiskomponenten (409) werden auf einer oder beiden Oberflächen des Schaltkreismoduls erzeugt, dessen mehrschichtige Struktur in drei Typen von Integrationsbereiche, nämlich Verbindungsintegrationsbereiche, passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche und passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche, aufgeteilt wird. Verbindungsschichten (404, 408) werden in den Verbindungsintegrationsbereichen zur elektrischen Kontaktierung von integrierten Schaltungen erzeugt. Passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche beinhalten Kondensatorschichten, Widerstandsschichten und Induktorschichten. Filter, Koppler und Baluns werden in den passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereichen erzeugt. Abschirmende Masseschichten sind zur Isolation der Komponenten vorgesehen, um elektromagnetische Interferenzen zu vermeiden. Standardisierte Eingangs- und Ausgangskontakte werden auf der unteren Oberfläche erzeugt, damit das Schaltkreismodul als modulare Einheit verwendet werden kann.

Description

Die Erfindung betrifft ein mehrschichtiges Schaltkreismodul und insbesondere ein hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul, welches mit mehreren keramischen Substraten und eingebetteten passiven Komponenten hergestellt wurde, sowie ein Verfahren zum Entwerfen und Integrieren eines solchen hochintegrierten mehrschichtigen Schaltkreismoduls.
Fig. 1 zeigt eine Schaltkreisstruktur eines modernen drahtlosen Kommunikationssystems. Die Basiskomponenten dieses Systems beinhalten ein Hochfrequenzteil 101, ein Modulations- und Demodulationsmodul 102, einen Basisband-Steuerschaltkreis 103 und ein Flash-Speichermodul 104. Jede dieser Basiskomponenten weist ihren eigenen integrierten Schaltkreis zusammen mit entsprechenden Peripheriekomponenten auf, um die notwendigen Funktionen bereitzustellen, damit die Anforderungen an das System erfüllt werden können. Das System weist außerdem auf ein Hochfrequenzfilter 108, Baluns 105 (Symmetrier-/Asymmetrier-Schaltungskomponente), eine Schaltdiode 106, einen Leistungsverstärker 107 und eine Antenne 109.
Bei einem konventionellen Verfahren zum Entwerfen eines solchen Systems wird das System üblicherweise in mehrere Teilmodule aufgeteilt. Jedes Teilmodul wird individuell entworfen und getestet. Die Teilmodule werden dann zusammen in ein Gesamtsystem integriert, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Das kabellose Kommunikationssystem in Fig. 2 weist auf eine Antenne 201, ein Filter 202, Baluns 203, einen Hochfrequenzschalter 204, einen Transistor 205, ein Flash-Speichermodul 206, passive Peripheriekomponenten 207, eine integrierte Basisfrequenz-Schaltkreiskomponente 208 und eine integrierte Radiofrequenz-Schaltkreiskomponente 209. Die passiven Peripheriekomponenten 207 beinhalten Kondensatoren, Widerstände und Induktoren.
Auf Grund der Komplexität moderner Kommunikationssysteme ist das konventionelle Entwurfs- und Entwicklungsverfahren sehr kompliziert und schwierig. Insbesondere müssen die Teilmodule oftmals während des Integrationsvorganges verändert werden, um die Spezifikationen und funktionalen Anforderungen an ein Produkt zu erfüllen. Außerdem kann jedes einzelne Teilmodul weitere Modifikationen zur Optimierung der Integration des Systems erforderlich machen. Dementsprechend steigen die Kosten und die Zeit für die Entwicklung während der Integration an.
Zusätzlich zu dem oben beschriebenen Nachteil des konventionellen Verfahrens zum Entwurf und zur Entwicklung eines solchen elektronischen Produkts wird das elektronische Produkt gemäß dem Stand der Technik mit zunehmenden Funktionen immer kompakter. Die Komplexität in einem solchen Produkt führt dazu, dass das konventionelle Verfahren veraltet ist. Eine neue Technologie wurde zur Integration elektronischer Schaltkreise entwickelt, bei dem mehrschichtige Strukturen mit gestapelten FR4 Substraten, wie in Fig. 3 gezeigt, hergestellt werden.
Wie dem Querschnitt in Fig. 3 entnommen werden kann, beinhaltet die obere Integrationsschicht 302 eine integrierte Schaltkreiskomponente 306, passive Komponenten 307 und eine aktive Komponente 308. Die untere Integrationsschicht 305 beinhaltet passive Komponenten 309 und 311, eine integrierte Schaltkreiskomponente 310 und eine aktive Komponente 312. Verbindungsschichten 303 stellen Signalverbindungspfade zwischen einzelnen Komponenten bereit und abschirmende Masseschichten 304 gewährleisten eine Trennung der Komponenten von den Signalverbindungspfaden zur Vermeidung von elektromagnetischen Interferenzen. Zusätzlich ist eine Antenne 301 auf der oberen Oberfläche montiert.
Wie in Fig. 3 gezeigt wird, sind die integrierten Schaltkreiskomponenten und ihre entsprechenden Peripheriekomponenten an den oberen und unteren Schichten der Mehrschichtstruktur angeordnet. Die Signalpfade zur Kopplung der Schaltkreise und Komponenten sind zur Erhöhung der Flexibilität beim Entwerfen des Systems durch die inneren Schichten der Struktur geführt. Wenn eine Miniaturisierung des Schaltkreismoduls notwendig ist, wird das oben beschriebene Integrationsverfahren jedoch schlechter durchführbar. Sofern nicht in verbesserten Schaltkreisen von den Entwicklern die Anzahl an Peripheriekomponenten reduziert wird, ist es mit diesem Verfahren nicht möglich, die Gesamtgröße des Produkts zu reduzieren.
Passive Komponenten in Schaltkreisstrukturen von modernen Kommunikationssystemen verbrauchen den meisten Platz im jeweiligen System. Zu diesen passiven Komponenten gehören Kondensatoren, Widerstände, Induktoren, Filter, Baluns, Koppler, Antennen und anderes. Die Anzahl an passiven Komponenten entspricht rund 95% aller Komponenten. Die passiven Komponenten verbrauchen dabei 80% des gesamten Volumens des Systems. Zusätzlich vergrößern die zur Integration der Teilmodule notwendigen Kopplungsnetzwerke die Flächen und Volumina, die von den passiven Komponenten benötigt werden.
Wie oben bereits beschrieben, basiert das konventionelle Verfahren zur Integration von mehrschichtigen Schaltkreisstrukturen zur Erhöhung der Kompaktheit der Schaltkreismodule nur auf eingebetteten Signalpfaden. Es spart jedoch effektiv keine Flächen oder Volumina ein, die von passiven Komponenten benötigt werden. Zusätzlich schließt eine Antenne in einem drahtlosen System eine externe Komponente ein, welche sorgfältige Entwurfsüberlegungen erfordert. Ebenso muss das relative Layout der Schaltkreiskomponenten und der Antenne in dem System berücksichtigt werden, um die gewünschten Charakteristika zu erzielen. Folglich werden für gewöhnlich zusätzliche Flächen auf Grund von Layoutüberlegungen verbraucht.
Der Erfindung liegt somit das Problem zugrunde, eine verbesserte Struktur für ein mehrschichtiges Schaltkreismodul anzugeben. Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Planung und zum Entwerfen einer solchen Struktur und zur Anordnung von aktiven Komponenten, passiven Basiskomponenten, passiven Hochfrequenzkomponenten und abschirmenden Masseschichten in dem mehrschichtigen Schaltkreismodul anzugeben. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur gemeinsamen Integration verschiedener Komponenten in einem mehrschichtigen Schaltkreismodul anzugeben.
Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß der Erfindung weist eine Mehrzahl an keramischen Substraten auf. Integrierte aktive Schaltkreiskomponenten sind auf einer oder beiden der oberen und unteren Oberflächen des Schaltkreismoduls befestigt. Die keramischen Substrate dieser Erfindung weisen für das Frequenzband, welches in der gegenwärtigen drahtlosen Kommunikation angewandt wird, einen ausreichend hohen Q-Faktor auf. Das Hochfrequenzverhalten der Substrate ist damit sehr gut. Passive Komponenten können direkt in den mehreren keramischen Substraten hergestellt werden, um die Anzahl an Komponenten auf der oberen oder unteren Oberfläche zu reduzieren. Die Größe des mehrschichtigen Schaltkreismoduls kann somit erheblich reduziert werden.
Erfindungsgemäß wird das mehrschichtige Schaltkreismodul entsprechend den in dem Schaltkreismodul verwendeten passiven Komponenten in mehrere Integrationsbereiche unterteilt. Die Integrationsbereiche enthalten Verbindungsintegrationsbereiche, passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche und passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche. Verbindungsschichten in den Verbindungsintegrationsbereichen ermöglichen eine elektrische Kopplung der integrierten Schaltkreiskomponenten, welche auf den Oberflächen des Schaltkreismoduls befestigt sind. Kondensatoren, Widerstände und Induktoren werden in entsprechenden Schichten der passiven Basiskomponenten-Integrationsbereiche hergestellt. Passive Hochfrequenzkomponenten wie beispielsweise Filter, Koppler, Baluns und Antennen werden in den passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereichen erzeugt.
Die Verbindung zwischen den integrierten Schaltkreiskomponenten auf der Oberfläche und in den Verbindungsschichten wird durch gefüllte Kontaktlöcher sichergestellt. Die Verbindungsschichten werden in der Nähe der oberen oder unteren Oberfläche angeordnet, um Schwierigkeiten bei der Anordnung der passiven Komponenten zwischen der großen Anzahl von gefüllten Kontaktlöchern zu vermeiden. Die passiven Basiskomponenten-Integrationsbereiche werden in der Nähe der Verbindungsschichten angeordnet. Innerhalb der passiven Basiskomponenten-Integrationsbereiche sind Kondensatorschichten, Widerstandsschichten und Induktorschichten angeordnet. Die Kondensatorschichten sind in allernächster Nähe zu den Verbindungsschichten angeordnet, da integrierte Schaltkreiskomponenten normalerweise eine große Anzahl an Kondensatoren benötigen. Den passiven Basiskomponenten-Integrationsbereichen folgen die passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche.
Um elektromagnetische Interferenzen zu vermeiden, wird eine Masseschicht zum Abschirmen und Isolieren der Oberflächenschicht oder einer Verbindungsschicht gegen die internen Integrationsschichten verwendet. Ebenso sind Kondensatorschichten zwischen zwei abschirmende Masseschichten zum Isolieren der Kondensatoren gegen andere Integrationsschichten eingebettet. Mit Masse gekoppelte gefüllte Kontaktlöcher werden ebenso verwendet, um einen vorgesehenen Kondensator effektiv zu isolieren und gegenseitige Kopplungen sowie Veränderungen der Charakteristika der Kondensatoren zu vermeiden. Passive Hochfrequenzkomponenten weisen eine geringere Anzahl an Eingangs- und Ausgangsanschlüssen auf, benötigen jedoch einen großen ununterbrochenen Raum. Diese werden in den Mittelschichten eines mehrschichtigen Schaltkreismoduls unter sorgfältiger Berücksichtigung der erwünschten Charakteristika einer jeden einzelnen passiven Komponente positioniert. Abschirmende Masseschichten und mit Masse gekoppelte gefüllte Kontaktlöcher werden ebenso zur Vermeidung von gegenseitiger Kopplung verwendet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind integrierte aktive Schaltkreiskomponenten sowohl auf der oberen als auch der unteren Oberfläche des Schaltkreismoduls vorgesehen. Wie oben bereits beschrieben, werden die passiven Hochfrequenzkomponenten in den Mittelschichten entworfen und integriert sowie auf beiden Seiten von passiven Basiskomponentenschichten und Verbindungsschichten umgeben. Die untere Oberfläche ist mit Eingangs- und Ausgangskontakten vorgesehen. Erfindungsgemäß werden dazu Ball-Grid-Kontakte verwendet, welche die Spezifikationen für Standardeingänge und -ausgänge für eine modulare Einheit einhalten.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung sind die integrierten aktiven Schaltkreiskomponenten ausschließlich auf der oberen Oberfläche des Schaltkreismoduls befestigt. Da auf der unteren Oberfläche Eingangs- und Ausgangskontakte vorgesehen sind, wird die Erdung der abschirmenden Masseschicht vollständig zerstört. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel sind die passiven Basiskomponentenschichten in zwei Teile aufgeteilt. Die Kondensator- und Widerstandsschichten sind auf der einen Seite der passiven Hochfrequenzkomponentenschichten und die Induktorschichten auf der entsprechenden anderen Seite vorgesehen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Komponenten.
Es zeigen
Fig. 1 ein Blockdiagramm der Basisstruktur eines drahtlosen Kommunikationssystems;
Fig. 2 eine mehrschichtige Schaltkreisstruktur eines drahtlosen Kommunikationssystems, welches mittels konventioneller Technik integriert ist;
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges Schaltkreismodul mit aktiven und passiven Komponenten auf beiden Oberflächen des Schaltkreismoduls, welches mittels einer Technik gemäß dem Stand der Technik integriert ist;
Fig. 4 einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, welches mittels Erzeugen von aktiven Komponenten auf den oberen und unteren Oberflächen sowie mittels Einbetten von Kondensatoren, Widerständen, Induktoren und passiven Hochfrequenzkomponenten in keramischen Substraten entworfen und integriert wird;
Fig. 5(a)-5(c) die Verbindung zwischen auf der Oberfläche montierten Komponenten, den Verbindungsintegrationsbereich und den passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich sowie die abschirmenden Masseschichten eines mehrschichtigen Schaltkreismoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 6(a)-6(b) die Verbindungsschichten und die abschirmenden Masseschichten in dem Verbindungsintegrationsbereich für Komponenten auf der oberen Oberfläche des mehrschichtigen Schaltkreismoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 7 die Induktorintegrationsschichten mit in Spirallinien angeordneten Induktoren und Hochfrequenzkurzschlüssen sowie von Leiterbahnen gebildete Isolationsschaltungen gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 8 einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges Schaltkreismodul mit Schaltkreiskomponenten, welche nur auf einer Oberfläche angeordnet sind, gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 9(a)-9(c) ein mehrschichtiges Bluetooth™-Kommunikationsmodul, welches entsprechend der vorliegenden Erfindung entworfen und integriert ist.
Fig. 4 zeigt ein mehrschichtiges Schaltkreismodul, welches entsprechend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung entworfen und integriert ist. Die Struktur des Schaltkreismoduls weist mehrschichtige Keramiksubstrate auf, welche mittels einer Niedrigtemperatur-kogefeuerten Keramiktechnologie hergestellt sind. Die Mehrschichtstruktur ist entsprechend den in dem aktuellen Schaltkreis verwendeten passiven Komponenten in mehrere Integrationsbereiche aufgeteilt.
Diese Integrationsbereiche beinhalten Verbindungsintegrationsbereiche, passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche und passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche. Die Verbindungsintegrationsbereiche weisen Verbindungsschichten auf. Die passiven Basiskomponenten-Integrationsbereiche weisen außerdem Kondensatorschichten, Widerstandsschichten und Induktorschichten auf. Die passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche sind für Hochfrequenzkomponenten wie beispielsweise Filter, Baluns, Koppler und Antennen reserviert.
Die elektrische Kopplung von Komponenten oder Signalleitungen zwischen unterschiedlichen Schichten wird mittels gefüllten Kontaktlöchern erreicht, welche mit einer abschirmenden Masse zur Isolierung der Signale und zur Vermeidung von Interferenzen ummantelt sind. Aktive Komponenten und andere Komponenten, welche nicht in die mehrschichtige Struktur eingebettet werden können, werden auf den Oberflächen der obersten bzw. untersten Schicht angebracht. Eingänge und Ausgänge werden mittels Ball-Grid-Kontakten implementiert, welche an der untersten Schicht des Schaltkreismoduls angebracht sind und den Standardspezifikationen für modulare Einheiten entsprechen.
Die Struktur des in Fig. 4 dargestellten mehrschichtigen Schaltkreismoduls weist eine Mehrzahl an gestapelten keramischen Substraten 403 auf. Schaltkreiskomponenten sind sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche des Schaltkreismoduls befestigt. Ein oberes Metallschutzschild 401 bedeckt die Komponenten 402, welche auf der oberen Oberfläche befestigt sind. In der Nähe der oberen Oberfläche befindet sich ein oberer Verbindungsintegrationsbereich mit Verbindungsschichten 404. Eine Anzahl von passiven Basiskomponentenschichten 405 bildet einen oberen passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich. In der Mitte ist ein passiver Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich angeordnet, welcher passive Hochfrequenzkomponentenschichten 406 aufweist. Unter dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich befindet sich ein unterer passiver Basiskomponenten-Integrationsbereich, welcher von verschiedenen passiven Basiskomponentenschichten 407 gebildet wird. Ein unterer Verbindungsintegrationsbereich mit Verbindungsschichten 408 befindet sich unter dem unteren passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich. Auf der unteren Oberfläche sind Schaltkreiskomponenten 409 befestigt. Eingänge und Ausgänge werden von Ball-Grid-Kontakten 410 gebildet. Die Planung und Entwicklung der Integrationsbereiche wird im Nachfolgenden beschrieben:
1. Herstellung von Komponenten auf Oberflächenschichten
Die auf den Oberflächen der oberen bzw. unteren Schichten herzustellenden Komponenten werden der Raumersparnis wegen so regelmäßig wie möglich angeordnet und ausgerichtet, ohne dabei zu berücksichtigen, wie die Komponenten verbunden werden. Lediglich Hochfrequenzsignale werden zwischen den Komponenten geführt. Die Steuerungssignale und die Gleichspannungsversorgungsbahnen werden in den in der Nähe der Oberflächenschichten befindlichen Verbindungsschichten mittels gefüllten Kontaktlöchern sichergestellt. Die Anzahl an Verbindungsschichten hängt von der Komplexität des Schaltkreises ab. Die Anordnung der Verbindungsschichten direkt neben den Oberflächenschichten ermöglicht eine größere Integrationsflexibilität, da die Verbindung zu den Komponenten an der Oberfläche oder den passiven Komponenten auf der anderen Seite wie in dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel durchgeführt werden kann.
Fig. 5 zeigt das Beispiel, dass auf der oberen Oberfläche des Schaltkreismoduls integrierte Schaltkreiskomponenten 501 und 502, passive externe Komponenten 503 und aktive Komponenten 504 befestigt sind. Die Verbindungsschicht weist Verbindungsbahnen 505 zur elektrischen Kopplung der Komponenten auf. Gefüllte Kontaktlöcher 506, 507 und 508 sind nach unten gerichtet erzeugt, um die Verbindungsschicht mit den passiven Komponenten in dem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich zu koppeln. Die abschirmenden Masseschichten 509 und 510 stellen, wie in Fig. 5(a) gezeigt, die Erdung für die Komponenten sowie die Isolation zur Vermeidung von elektromagnetischen Interferenzen zur Verfügung.
Die abschirmenden Masseschichten 511 und 512 isolieren einen eingebetteten gedruckten Kondensator 516 und einen eingebundenen Stapel-Kondensator 517, wie in Fig. 5(b) gezeigt. Die gefüllten Kontaktlöcher 513, 514 und 515 sind nach oben gerichtet erzeugt, um die passiven Komponenten mit der Verbindungsschicht zu koppeln. Die Verbindungsbahnen 522 und die gefüllten Kontaktlöcher 523, 524, 525 und 526 koppeln eingebettete Widerstände 521 an die Verbindungsschichten, wie in Fig. 5(c) gezeigt ist. Die abschirmenden Masseschichten 527 und 528 isolieren die eingebetteten Widerstände 521.
Im Allgemeinen können die auf den Oberflächenschichten befestigten integrierten Schaltkreiskomponenten viele Anschlusspins aufweisen. Eine große Anzahl an gefüllten Kontaktlöchern wird zur Kopplung der integrierten Schaltkreiskomponenten mit den zugeordneten Peripheriekomponenten benötigt. Deshalb sollten keine anderen passiven Komponentenintegrationsschichten zwischen den Verbindungsschichten und den Oberflächenschichten angeordnet sein, um Schwierigkeiten beim Entwerfen der anderen passiven Komponenten sowie der großen Anzahl an dazwischen angeordneten gefüllten Kontaktlöchern zu vermeiden. Zusätzlich werden die Eingangs- und Ausgangssignale, welche an die Ball-Grid-Kontakte der Bodenschicht angelegt werden, in der Umgebung des Moduls zur leichten Kopplung mit der Bodenschicht angeordnet. Folglich werden der Entwurf und die Integration dieser internen passiven Komponenten nicht von diesen Signalbahnen beeinträchtigt.
Zur Vermeidung von elektromagnetischen Interferenzen wird, wie in Fig. 6(a) gezeigt, eine Masseschicht zur Abschirmung und Isolation der Oberflächenschicht oder der Verbindungsschicht gegen die internen Integrationsbereiche verwendet. Ein Metallschutzschild 601 bedeckt die Komponenten 602, welche auf der Oberfläche befestigt sind. Die abschirmenden Masseschichten 604 isolieren den Verbindungsintegrationsbereich 603. In einigen Fällen kann die abschirmende Masseschicht zur Isolation der Oberflächenschicht auch unnötig sein. Wie in Fig. 6(b) gezeigt wird, erfolgt die Isolierung des direkt neben der Oberflächenschicht gelegenen Verbindungsintegrationsbereichs 613 mittels der abschirmenden Masseschicht 614. Die Komponenten 612 sind auf der Oberflächenschicht befestigt und werden von dem Metallschutzschild 611 bedeckt. Es befindet sich keine abschirmende Masseschicht zwischen der Oberflächenschicht und der Verbindungsintegrationsregion 613. In einem Hochfrequenzschaltkreis muss die Position der abschirmenden Masse anhand des Abstandes der 50 Ohm-Hochfrequenzleiterbahn zur Oberflächenschicht bestimmt werden, um den Anforderungen für den Herstellungsprozess zu entsprechen.
2. Passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche
Die Komponenten in den passiven Basiskomponenten-Integrationsbereichen sind Kondensatoren, Induktoren und Widerstände. Jeder Komponententyp ist in seinen eigenen Integrationsschichten angeordnet. Die Position der Integrationsbereiche wird von der Anzahl an Komponenten und der Komplexität ihrer Kopplung bestimmt. Im Allgemeinen ist die Anzahl an Kondensatoren in einem Schaltkreis größer als die anderer Komponenten. Zusätzlich sind in den meisten Signalbahnen in den Verbindungsschichten zusätzlich Kondensatoren integriert. Deshalb ist es bei der Integration sehr hilfreich, die Kondensatorschichten nach den Verbindungsschichten anzuordnen.
Wie in Fig. 5(b) gezeigt, können die Kondensatoren entsprechend dem Herstellungsprozess entweder gestapelt oder gedruckt werden. Stapel-Kondensatoren werden zum Herstellen von kleinen Kondensatoren benutzt. Diese sind zwar präziser als gedruckte Kondensatoren, benötigen jedoch mehrere Schichten bei der Herstellung. Gedruckte Kondensatoren weisen größere Kondensatoren auf. Diese benötigen zwar weniger Schichten bei der Herstellung, sind jedoch ungenauer als Stapel- Kondensatoren. In ausgereiften Prozessen kann der Kapazitätswert von gedruckten Kondensatoren mit einer Genauigkeit von ±20% gesteuert werden.
Auf Grund von Dickenanforderungen an das Schaltkreismodul kann es möglich sein, dass ein Stapel-Kondensator mit einer nicht zu großen Anzahl an Schichten hergestellt werden muss. Folglich muss die für den Kondensator benötigte Fläche erhöht werden, um einen äquivalenten Stapel-Kondensator mit weniger Schichten herzustellen. Die vergrößerte Fläche widerspricht jedoch dem Ziel der Produktminiaturisierung. In der Praxis sollte der Kapazitätswert eines Stapel-Kondensators, welcher mit drei Metallschichten und mit einem gemeinsamen keramischen Material mit einer relativen Dielektrizitätskonstante εr = 7,8 realisiert ist, nicht größer als 10 pF sein.
Um die Kondensatorschichten von anderen Integrationsbereichen zu isolieren, sind die Kondensatorschichten zwischen zwei abschirmende Masseschichten eingebettet, wie in Fig. 5(b) gezeigt ist. Auf Grund von Streukapazitäten eignen sich die Kondensatorschichten eher für die Realisierung von Erdungskondensatoren. Im Allgemeinen ist die Anzahl an Erdungskondensatoren in Schaltkreisstrukturen höher als die anderer Kondensatoren. Deshalb verursacht die Verwendung von Kondensatorschichten keine größeren Schwierigkeiten beim Entwurf des Schaltkreismoduls. Während des Entwurfs können mit Masse verbundene gefüllte Kontaktlöcher zur effektiven Isolierung jedes vorgesehenen Kondensators verwendet werden, um jegliche gegenseitige Kopplung oder Veränderung in den Charakteristika der Kondensatoren zu vermeiden.
Da die Anzahl an Widerständen zweitrangig bezüglich der Anzahl von Kondensatoren ist, wird die Widerstandsschicht nach der Kondensatorschicht angeordnet. Ein Widerstand kann dadurch hergestellt werden, dass ein widerstandsfähiges Material zwischen zwei elektrische Knoten gedruckt wird, wie in Fig. 5(c) gezeigt ist. Die letzte passive Basiskomponenten-Integrationsschicht ist die Induktorschicht, da Induktoren nur in geringem Maße in einem Schaltkreis verwendet werden. Wie in Fig. 7 gezeigt, wird ein Induktor in einer vorherbestimmten Schicht mittels einer Spiralbahn 702 hergestellt, um einen entsprechend gewünschten Induktionswert zu erzielen. Ebenso ist dort gezeigt, dass die Induktorschichten von zwei abschirmenden Masseschichten 703 und 704 abgeschirmt werden.
Zusätzlich zu den Induktoren werden in den Induktorschichten von den Übertragungsbahnen 701 Hochfrequenzisolationsschaltungen oder Hochfrequenzkurzschlüsse gebildet. Der Wert der gewünschten Induktivität bestimmt dabei die Länge der Übertragungsbahnen 701. Die Betriebsfrequenz bestimmt ebenso die Länge der Übertragungsbahnen 701 für die jeweilige Hochfrequenzisolation bzw. den jeweiligen Hochfrequenzkurzschluss. Die Gesamtanzahl an Induktorschichten ist von diesen beiden wichtigen Faktoren abhängig.
Die Anzahl an Induktorschichten sollte sorgfältig gesteuert werden. Dabei sollte die Anzahl an Induktorschichten an die Größe und Dicke des Schaltkreismoduls angepasst sein, um eine optimale Integration des Systems zu gewährleisten. Jede Spiralbahn kann mittels den mit Masse verbundenen gefüllten Kontaktlöchern effektiv isoliert werden. Wenn die Anzahl an in der Schaltung verwendeten Induktoren nicht sehr groß ist und der Induktionswert gering ist, kann es auch möglich sein, bei ausreichendem Platz Mikrofilmstreifen direkt auf den Oberflächenschichten vorzusehen. Dabei können dann die Induktorschichten entfallen.
3. Passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereiche
Passive Hochfrequenzkomponenten beinhalten Filter, Koppler, Baluns und Antennen. Diese Komponenten benötigen eine geringere Anzahl an Eingangs- und Ausgangspins, erfordern jedoch einen großen zusammenhängenden Raum für das Entwerfen des Hauptschaltkreises. Deshalb ist es besser, diese Komponenten in den Mittelschichten des Schaltkreismoduls anzuordnen. Es muss dabei nicht jede Komponente in allen Schichten vorgesehen sein. Beim Entwerfen jeder einzelnen Komponente wird der benötigte Platz mittels abschirmender Masseschichten oder mit Masse verbundener gefüllter Kontaktlöcher isoliert, um gegenseitige Kopplungen und Veränderung der Charakteristika zu vermeiden.
Zusätzlich zur Basistheorie für den Entwurf von passiven Hochfrequenzkomponenten muss die Gesamtanzahl an Integrationsschichten entsprechend der Größe des Schaltkreismoduls gut vorhergeplant werden. Die relativen Positionen für die Komponenten sollten unter der Voraussetzung angeordnet werden, dass die Charakteristika für jede Komponente erhalten bleiben, um die größtmögliche Effizienz bei der Ausnutzung des zur Verfügung stehenden Raumes mit so wenig Interferenzen wie möglich zu erreichen.
Innerhalb einer Integrationsschicht sind die relativen Positionen zwischen den Komponenten flexibler. Jeder Designer kann passende Anordnungen entsprechend einem einzelnen Schaltkreissystem vornehmen. Bei einem Schaltkreismodul mit Schaltkreiskomponenten auf sowohl der oberen als auch der unteren Oberfläche sind die passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten in der Mitte des Schaltkreismoduls angeordnet. Passive Basiskomponenten-Integrationsschichten und Verbindungsschichten werden sowohl oberhalb als auch unterhalb der mittleren passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten angeordnet, um die an den oberen und unteren Oberflächen angeordneten Schaltkreiskomponenten zu integrieren und elektrisch zu koppeln.
Erfindungsgemäß sollten die Kondensatorschichten in den passiven Basiskomponenten-Integrationsbereichen neben den Verbindungsschichten angeordnet sein. Die Anordnung der Widerstandsschichten und Induktorschichten kann entsprechend den Anforderungen an den jeweiliger. Schaltkreis flexibler gestaltet werden. Es sollte berücksichtigt werden, dass die Anordnung der passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten, der passiven Basiskomponenten-Integrationsschichten und der Verbindungsschichten in geeigneter Weise vorgenommen werden sollte, um Schwierigkeiten und Komplexitäten beim Schaltungsentwurf zu reduzieren.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung weist das Schaltkreismodul nur auf der oberen Oberfläche Schaltkreiskomponenten auf und ist auf der unteren Oberfläche mit Eingangs- und Ausgangskontakten vorgesehen. Die vollständige Erdung der abschirmenden Masseschicht, welche der Isolierung der passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten dient, wird von den Eingangs- und Ausgangskontakten zerstört. Um dieses Problem zu beseitigen, können die passiven Basiskomponenten-Integrationsschichten in zwei Teile aufgeteilt werden. Die Kondensatorschichten und die Widerstandsschichten sind auf einer Seite der passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten angeordnet, während die Induktorschichten auf der anderen Seite angeordnet sind, wie es in Fig. 8 dargestellt ist.
Die in Fig. 8 dargestellte Struktur eines mehrschichtigen Schaltkreismoduls weist eine Mehrzahl an gestapelten keramischen Substraten 803 auf. Schaltkreiskomponenten sind lediglich auf der oberen Oberfläche des Schaltkreismoduls angeordnet. Ein oberes Metallschutzschild 801 bedeckt die Komponenten 802, welche auf der oberen Oberfläche befestigt sind. In der Nähe der oberen Oberfläche befindet sich ein Verbindungsintegrationsbereich mit einer Verbindungsschicht 804. Eine oberer passiver Basiskomponenten-Integrationsbereich 805 weist Kondensator- und Widerstandsschichten auf. Der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich 806 ist unterhalb der Kondensator- und Widerstandsschichten angeordnet. Unterhalb des passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereichs 806 ist ein unterer passiver Basiskomponenten-Integrationsbereich angeordnet, welcher Kondensatorschichten aufweist. Eingänge und Ausgänge sind mittels Ball-Grid-Kontakten 808 an der unteren Oberfläche vorgesehen. Eine Masseschicht 809 ist auf der unteren Oberfläche vorgesehen.
Fig. 9 zeigt ein Beispiel für ein miniaturisiertes drahtloses Bluetooth™-Kommunikationsmodul mit mehreren Metallschichten und keramischen Substraten, welche mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens integriert sind. Das Modul weist sechzehn Substratschichten auf und sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche sind Schaltkreiskomponenten vorgesehen. Integrierte Schaltkreiskomponenten sind direkt auf der oberen und auf der unteren Oberfläche des Moduls befestigt, wobei zur Raumersparnis die Flip-Chip Packtechnik angewandt wird.
Wie in Fig. 9(a) gezeigt wird, ist auf der oberen Oberflächenkomponentenfläche 901 eine integrierte Hochfrequenzschaltkreiseinheit 905, eine Schaltdiodenkomponente 906, ein Kristalloszillator 907 und ein Transistor 908 mittels Flip-Chip-Technik befestigt. Es sind fünfzehn interne Metallschichten vorgesehen. Die ersten zwei Metallschichten 902 sind Verbindungsschichten für Signalverbindungspfade und Gleichspannungsversorgungsbahnen. Gefüllte Kontaktlöcher sind zur Kopplung der Komponenten auf der oberen Oberfläche mit den passiven Komponenten unterhalb der Verbindungsschichten vorgesehen. Die dritte Metallschicht 903 ist eine abschirmende Masseschicht. Die vierten und fünften Metallschichten 904 werden zur Integration der Hochfrequenzisolation bzw. der Hochfrequenzkurzschlüsse verwendet. Die in Fig. 9(b) gezeigte sechste Metallschicht ist eine weitere abschirmende Masseschicht.
Die siebten bis elften Metallschichten und die zugehörigen keramischen Substrate 911 sind passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsschichten, welche zwei eingebettete Baluns 913, ein eingebettetes Hochfrequenzfilter 914 und eine eingebettete Antenne 912 beinhalten. Zwei abschirmende Masseschichten 916 und 917 sind als sechste Schicht bzw. zwölfte Schicht vorgesehen. Jede Komponente ist mittels mit Masse verbundener gefüllter Kontaktlöcher isoliert. Die in Fig. 9(c) gezeigten dreizehnten und vierzehnten Metallschichten 921 integrieren die Basisbandsignalverbindung. Die fünfzehnte Metallschicht 922 dient der Basisbandschaltkreiserdung und zum Aufnehmen eines Teils der Gleichspannungsversorgungsbahnen. Zusätzlich zu einigen Verbindungsbahnen, der Basisbandintegrationsschaltkreiseinheit 924 und dem Flash-Speichermodul 925, welche mittels Flip-Chip-Technik befestigt sind, werden Eingangs- und Ausgangskontakte 926 vom Ball-Grid-Array-Typ (BGA) an der unteren Oberfläche 923 zur Peripherie des Schaltkreismoduls vorgesehen, um das Schaltkreismodul als standardisierte modulare Einheit verbinden zu können.
Das oben beschriebene Entwurfs- und Integrationsverfahren schafft eine Technik zur Integration von integrierten Schaltkreiskomponenten und ist zur Integration von passiven Komponenten in mehrschichtige Schaltkreismodule für moderne Schaltkreissysteme wie beispielsweise drahtlose Kommunikationssysteme notwendig. Daraus resultiert ein miniaturisiertes und hochintegriertes drahtloses Kommunikationsschaltkreismodul. Ein miniaturisiertes Teilmodul, welches in modernen Kommunikationssystemen benötigt wird, kann ebenso mit der erfindungsgemäßen Technik entworfen und entwickelt sowie als miniaturisiertes Schaltkreissystem ohne externe komplizierte Peripherschaltkreise integriert werden.
Für ein einfacheres Kommunikationssystem kann der gesamte Systemschaltkreis mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens auf geringem Raum integriert werden. Unter Zuhilfenahme von standardisierten Eingangs- und Ausgangskontakten kann das miniaturisierte System zusätzlich direkt in ein Produkt integriert werden, um dem Produkt zusätzliche Funktionen hinzuzufügen oder in diesem bereitzustellen. Das Entwurfs- und Integrationsverfahren dieser Erfindung reduziert in erheblichem Maße die Entwicklungskosten und die Herstellungszeit für ein Produkt. Das Verfahren ist insbesondere wertvoll bei der Entwicklung von leichten und kompakten Kommunikationskomponenten mit einer Mehrzahl an Funktionen.
Erfindungsgemäß weist das mehrschichtige Schaltkreismodul eine Mehrzahl an keramischen Substraten auf. Integrierte aktive Schaltkreiskomponenten befinden sich auf einer oder beiden der oberen und unteren Oberflächen des Schaltkreismoduls. Da die erfindungsgemäßen keramischen Substrate einen ausreichend hohen Q-Faktor für das in der gegenwärtigen drahtlosen Kommunikation verwendete Frequenzband aufweisen, können passive Komponenten direkt in den vielen keramischen Substraten hergestellt und eingebunden werden, um die Anzahl an Komponenten an der oberen und unteren Oberfläche zu reduzieren. Die Größe des mehrschichtigen Schaltkreismoduls kann damit erheblich reduziert werden.
Gemäß dem Entwurfsverfahren der Erfindung werden passive Komponenten nach der Definition der Integrationsbereiche in dem jeweiligen Integrationsbereich unter Berücksichtigung der zulässigen Schichten entworfen. Gefüllte Kontaktlöcher sind zur Gewährleistung der elektrischen Kopplung zwischen verschiedenen Schichten vorgesehen. Abschirmende Masseschichten werden zur effektiven Isolierung der Komponenten genutzt. Die keramischen Substrate weisen einen geringen thermischen Expansionskoeffizienten auf, wodurch eine leichte Integration mit anderen, ungepackten integrierten Schaltkreiskomponenten möglich gemacht wird.
Die obige Beschreibung betrifft bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung, bei denen der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich separate Kondensatorschichten, Widerstandsschichten und Induktorschichten aufweist. Wenn das Schaltkreismodul jedoch nur wenige passive Basiskomponenten benötigt, können die verschiedenen passiven Komponenten auch in den selben Schichten gemischt werden, um die Schichtanzahl und damit die Größe des Schaltkreismoduls zu verringern. Beispielsweise können in Kondensatorschichten auch Widerstände oder Induktoren erzeugt werden. Kondensatoren und Induktoren können ebenso in Widerstandsschichten bzw. Widerstände oder Kondensatoren in Induktorschichten erzeugt werden. Vergleichsweise kann die Anordnung der passiven Basiskomponentenschichten in dem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich an die übrigen Anforderungen an das Schaltkreismodul angepasst werden. Auf diese Weise kann die Leistung des Schaltkreismoduls angepasst werden.

Claims (56)

1. Mehrschichtiges Schaltkreismodul aufweisend:
eine Mehrzahl von Substratschichten und Metallschichten, welche in einer Mehrzahl von Integrationsbereichen aufgeteilt sind, wobei die Integrationsbereiche mindestens einen Verbindungsintegrationsbereich (603, 613), mindestens einen passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) und mindestens einen passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) aufweisen;
eine Mehrzahl von Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502), welche mindestens auf einer der oberen oder unteren Oberflächen des Schaltkreismoduls befestigt sind;
wobei der Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) mindestens eine Verbindungsschicht (404, 408; 804) zur elektrischen Schaltkreiskopplung zwischen der Mehrzahl an Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) aufweist, wobei der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) eine passive Basiskomponentenschicht (405, 407) aufweist und wobei der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) passive Hochfrequenzkomponenten aufweist.
2. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 1, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens eine Kondensatorschicht aufweist.
3. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 2, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) einen in der mindestens einen Kondensatorschicht hergestellten Stapel-Kondensator (517) aufweist.
4. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 2, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) in der mindestens einen Kondensatorschicht einen gedruckten Kondensator (516) aufweist.
5. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens einen in der mindestens einen Kondensatorschicht hergestellten Widerstand (521) oder Induktor aufweist.
6. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens eine Widerstandsschicht aufweist.
7. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 6, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens einen in der mindestens einen Widerstandsschicht hergestellten Kondensator oder Induktor aufweist.
8. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens eine Induktorschicht aufweist.
9. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 8, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) eine Spiralbahn (702) in der mindestens einen Induktorschicht zum Bilden eines Induktors aufweist.
10. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) eine Übertragungsbahn (701) auf der mindestens einen Induktorschicht zum Bilden eines Hochfrequenzkurzschlusses oder einer Hochfrequenzisolationsschaltung in der mindestens einen Induktorschicht aufweist.
11. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mindestens einen in der mindestens einen Induktorschicht hergestellten Widerstand (521) oder Kondensator aufweist.
12. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) ein Hochfrequenzfilter (914) aufweist.
13. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) einen Hochfrequenzkoppler aufweist.
14. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) Hochfrequenz-Baluns (913) aufweist.
15. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) eine Antenne (912) aufweist.
16. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem jede der Mehrzahl an Integrationsbereichen mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von in der Mehrzahl an Integrationsbereichen befindlichen Komponenten aufweist.
17. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem die Verbindungsschicht (404, 408; 804) mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von in der Verbindungsschicht (404, 408; 804) befindlichen Schaltkreisverbindungspfaden aufweist.
18. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem die passive Basiskomponentenschicht (405, 407) mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von in der passiven Basiskomponentenschicht befindlichen passiven Basiskomponenten aufweist.
19. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, bei dem Komponenten in unterschiedlichen Integrationsbereichen oder unterschiedlichen Schichten mittels gefüllter Kontaktlöcher (506, 507, 508, 513, 514, 515, 523, 524, 525, 526) elektrisch gekoppelt sind.
20. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem die Mehrzahl an Substratschichten keramische Substrate (403; 803; 911) aufweist.
21. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 20, bei dem der Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) benachbart zu der oberen oder unteren Oberfläche, auf welcher sich die Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) befinden, angeordnet ist.
22. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 21, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) benachbart angeordnet ist zu dem Verbindungsintegrationsbereich (603, 613), zu dem passiven Basiskomponenten-Tntegrationsbereich (805), in welchem Kondensatorschichten benachbart zu dem Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) angeordnet sind, und zu Widerstandsschichten neben den Kondensatorschichten.
23. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 22, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) neben den Widerstandsschichten Induktorschichten aufweist.
24. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 22 oder 23, bei dem lediglich auf der oberen Oberfläche des Schaltkreismoduls Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) befestigt sind, bei denen der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) neben den Widerstandsschichten vorgesehen ist und bei dem Induktorschichten nach dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) vorgesehen sind.
25. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 24, bei dem der Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) neben einer abschirmenden Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) benachbart zu der oberen oder unteren Oberfläche, auf welcher die Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) vorgesehen sind, angeordnet ist.
26. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 23, bei dem sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche des Schaltkreismoduls Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) vorgesehen sind und bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) Mittelschichten mit der Mehrzahl von Substratschichten und Metallschichten aufweist.
27. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 26, bei dem passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche (805) auf beiden Seiten des passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereichs (806) ausgebildet sind.
28. Mehrschichtiges Schaltkreismodul gemäß Anspruch 27, bei dem sowohl die obere als auch die untere Oberfläche jeweils einen benachbarten Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) mit einem daneben befindlichen passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805), welcher benachbart zu dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) ist, aufweist.
29. Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Schaltkreismodul mit folgenden Schritten:
  • a) Aufteilen des Schaltkreismoduls in eine Mehrzahl von Integrationsbereichen, welche mindestens einen Verbindungsintegrationsbereich (603, 613), mindestens einen passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) und mindestens einen passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) beinhaltet;
  • b) Erzeugen von mindestens einer Verbindungsschicht (404, 408; 804) in dem Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) zur Schaltkreiskopplung zwischen einer Mehrzahl von Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502);
  • c) Erzeugen von mindestens einer passiven Basiskomponentenschicht in dem passiven Basisintegrationsbereich;
  • d) Erzeugen einer Mehrzahl von passiven Hochfrequenzkomponenten in dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806); und
  • e) Befestigen einer Mehrzahl von Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) auf mindestens einer der oberen und unteren Oberflächen des Schaltkreismoduls.
30. Verfahren gemäß Anspruch 29, bei dem mindestens eine Kondensatorschicht in dem passiven Basiskomponenten-Tntegrationsbereich (805) erzeugt wird.
31. Verfahren gemäß Anspruch 30, bei dem ein Stapel-Kondensator (517) in der mindestens einen Kondensatorschicht erzeugt wird.
32. Verfahren gemäß Anspruch 30, bei dem ein gedruckter Kondensator (516) in der mindestens einen Kondensatorschicht erzeugt wird.
33. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 30 bis 32, bei dem mindestens ein Widerstand (521) oder mindestens ein Induktor in der mindestens einen Kondensatorschicht erzeugt wird.
34. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 33, bei dem mindestens eine Widerstandsschicht in dem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) erzeugt wird.
35. Verfahren gemäß Anspruch 34, bei dem mindestens ein Kondensator oder mindestens ein Induktor in der mindestens einen Widerstandsschicht erzeugt wird.
36. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 35, bei dem mindestens eine Induktorschicht in dem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) erzeugt wird.
37. Verfahren gemäß Anspruch 36, bei dem eine Spiralbahn (702) in der mindestens einen Induktorschicht zum Erzeugen eines Induktors erzeugt wird.
38. Verfahren gemäß Anspruch 36 oder 37, bei dem eine Übertragungsbahn (701) in der mindestens einen Induktorschicht zum Erzeugen eines Hochfrequenzkurzschlusses oder einer Hochfrequenzisolationsschaltung erzeugt wird.
39. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 36 bis 38, bei dem mindestens ein Widerstand (521) oder mindestens ein Kondensator in der mindestens einen Induktorschicht erzeugt wird.
40. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 39, bei dem ein Hochfrequenzfilter (914) in dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt wird.
41. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 40, bei dem ein Hochfrequenzkoppler in dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt wird.
42. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 41, bei dem Baluns (913) in dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt werden.
43. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 42, bei dem eine Antenne (912) in dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt wird.
44. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 43, bei dem in jeder von der Mehrzahl von Integrationsbereichen mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von in der Mehrzahl von Integrationsbereichen befindlichen Komponenten erzeugt wird.
45. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 44, bei dem in der Verbindungsschicht (404, 408; 804) mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von Schaltkreisverbindungspfaden erzeugt wird.
46. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 45, bei dem in der passiven Basiskomponentenschicht mindestens eine abschirmende Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) zum Abschirmen und Isolieren von in der passiven Basiskomponentenschicht befindlichen passiven Basiskomponenten erzeugt wird.
47. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 46, bei dem Komponenten in unterschiedlichen Integrationsbereichen oder unterschiedlichen Schichten mittels gefüllter Kontaktlöcher (506, 507, 508, 513, 514, 515, 523, 524, 525, 526) elektrisch gekoppelt werden.
48. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 47, bei dem das Schaltkreismodul aus einer Mehrzahl von keramischen Substratschichten und Metallschichten, welche in die Mehrzahl von Integrationsbereiche aufgeteilt ist, gebildet wird.
49. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 48, bei dem der Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) benachbart zu der oberen oder unteren Oberfläche, auf welcher Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) befestigt werden, erzeugt wird.
50. Verfahren gemäß Anspruch 49, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) benachbart zu dem Verbindungsintegrationsbereich (603, 613), zu dem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805), welcher Kondensatorschichten benachbart zu dem Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) aufweist, und zu Widerstandsschichten neben den Kondensatorschichten erzeugt wird.
51. Verfahren gemäß Anspruch 50, bei dem der passive Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) mit Induktorschichten neben den Widerstandsschichten erzeugt wird.
52. Verfahren gemäß Anspruch 50 oder 51, bei dem lediglich auf der oberen Oberfläche des Schaltkreismoduls Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) montiert werden, bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) neben den Widerstandsschichten erzeugt wird und bei dem die Induktorschichten neben dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt wird.
53. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 52, bei dem der Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) neben einer abschirmenden Masseschicht (509, 510, 511, 512, 527, 528; 604, 614; 703, 704; 809) benachbart zu der oberen oder unteren Oberfläche, auf welcher Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) befestigt werden, erzeugt wird.
54. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 29 bis 51, bei dem die Mehrzahl von Schaltkreiskomponenten (409; 501, 502) sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche des Schaltkreismoduls erzeugt werden und bei dem der passive Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) von Mittelschichten aus einer Mehrzahl von Substratschichten und Metallschichten auf dem Schaltkreismodul erzeugt wird.
55. Verfahren gemäß Anspruch 54, bei dem passive Basiskomponenten-Integrationsbereiche (805) auf beiden Seiten des passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereichs (806) erzeugt werden.
56. Verfahren gemäß Anspruch 55, bei dem jede der oberen und der unteren Oberflächen mit einem benachbarten Verbindungsintegrationsbereich (603, 613) neben einem passiven Basiskomponenten-Integrationsbereich (805) benachbart zu dem passiven Hochfrequenzkomponenten-Integrationsbereich (806) erzeugt wird.
DE10133660A 2000-12-07 2001-07-11 Hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul mit keramischen Substraten mit eingebetteten passiven Komponenten Ceased DE10133660A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25421900P 2000-12-07 2000-12-07
US09/823,844 US20020140081A1 (en) 2000-12-07 2001-03-30 Highly integrated multi-layer circuit module having ceramic substrates with embedded passive devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10133660A1 true DE10133660A1 (de) 2002-06-20

Family

ID=26943913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10133660A Ceased DE10133660A1 (de) 2000-12-07 2001-07-11 Hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul mit keramischen Substraten mit eingebetteten passiven Komponenten

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20020140081A1 (de)
JP (1) JP2002198655A (de)
CN (1) CN1216514C (de)
DE (1) DE10133660A1 (de)
TW (1) TW512654B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110087391A (zh) * 2019-04-02 2019-08-02 成都兴仁科技有限公司 一种ltcc本振源模块及其制备方法

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
US7212829B1 (en) 2000-02-28 2007-05-01 Chung Lau Method and system for providing shipment tracking and notifications
US7218938B1 (en) 2002-04-24 2007-05-15 Chung Lau Methods and apparatus to analyze and present location information
US6975941B1 (en) 2002-04-24 2005-12-13 Chung Lau Method and apparatus for intelligent acquisition of position information
US7321774B1 (en) * 2002-04-24 2008-01-22 Ipventure, Inc. Inexpensive position sensing device
US7366522B2 (en) 2000-02-28 2008-04-29 Thomas C Douglass Method and system for location tracking
US7905832B1 (en) 2002-04-24 2011-03-15 Ipventure, Inc. Method and system for personalized medical monitoring and notifications therefor
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US7310039B1 (en) 2001-11-30 2007-12-18 Silicon Laboratories Inc. Surface inductor
JP3836367B2 (ja) * 2001-12-21 2006-10-25 アルプス電気株式会社 高周波モジュール
US9182238B2 (en) 2002-04-24 2015-11-10 Ipventure, Inc. Method and apparatus for intelligent acquisition of position information
US9049571B2 (en) 2002-04-24 2015-06-02 Ipventure, Inc. Method and system for enhanced messaging
US20040222511A1 (en) * 2002-10-15 2004-11-11 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for electromagnetic shielding of a circuit element
US7141883B2 (en) * 2002-10-15 2006-11-28 Silicon Laboratories Inc. Integrated circuit package configuration incorporating shielded circuit element structure
DE10261410B4 (de) * 2002-12-30 2008-09-04 Qimonda Ag Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung
JP3831353B2 (ja) * 2003-03-27 2006-10-11 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ
EP1553812A3 (de) * 2003-12-11 2013-04-03 STMicroelectronics S.A. Halbleiterchip und Schaltungsanordnung mit abgeschirmter Induktivität
CN1765162B (zh) * 2003-12-26 2011-06-15 株式会社村田制作所 多层陶瓷基板
US7657185B2 (en) * 2004-01-26 2010-02-02 Opnext, Inc. Electronic interface for long reach optical transceiver
US7375411B2 (en) * 2004-06-03 2008-05-20 Silicon Laboratories Inc. Method and structure for forming relatively dense conductive layers
EP1759398A1 (de) 2004-06-25 2007-03-07 Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina Mehrschichtkondensator und integriertes schaltungsmodul
JP2006135447A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Fujitsu Media Device Kk 分波器
EP1764866A1 (de) * 2005-09-15 2007-03-21 Infineon Tehnologies AG Miniaturisierte integrierte Monopolantenne
US7501924B2 (en) * 2005-09-30 2009-03-10 Silicon Laboratories Inc. Self-shielding inductor
WO2007049375A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合回路モジュール及び高周波モジュール装置
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
JP2007243559A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd アンテナモジュール及びアンテナ装置
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
TWI330951B (en) * 2006-10-04 2010-09-21 Via Tech Inc Electronic apparatus
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
JP2012095282A (ja) * 2010-10-01 2012-05-17 Mitsumi Electric Co Ltd 無線通信装置
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
CN102686011A (zh) * 2011-03-15 2012-09-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 印刷电路板
US20120286391A1 (en) * 2011-05-09 2012-11-15 Mediatek Inc. Semiconductor circuit
TW201312849A (zh) * 2011-09-15 2013-03-16 Max Echo Technology Corp 積層式平衡非平衡轉換器製程
US8648664B2 (en) 2011-09-30 2014-02-11 Silicon Laboratories Inc. Mutual inductance circuits
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
CN103945638A (zh) * 2014-04-15 2014-07-23 电子科技大学 系统级封装中的多层复合媒质基板
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
CN104201452A (zh) * 2014-08-29 2014-12-10 上海斐讯数据通信技术有限公司 一种射频滤波装置结构及形成方法以及移动终端
TW201616809A (zh) * 2014-10-16 2016-05-01 晶越微波積體電路製造股份有限公司 雙模低耗能石英振盪器
CN106207383A (zh) * 2015-05-06 2016-12-07 佳邦科技股份有限公司 通信模组
JP6920184B2 (ja) * 2017-12-19 2021-08-18 新光電気工業株式会社 電子装置及び電子モジュール
CN108174534B (zh) * 2018-01-09 2021-06-01 广州添利电子科技有限公司 嵌入天线式的ku波段转换器电路板空气腔制造工艺
US11502652B2 (en) * 2020-05-08 2022-11-15 Qualcomm Incorporated Substrate comprising capacitor configured for power amplifier output match
CN111863627B (zh) * 2020-06-29 2022-04-19 珠海越亚半导体股份有限公司 集成无源器件封装结构及其制作方法和基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110087391A (zh) * 2019-04-02 2019-08-02 成都兴仁科技有限公司 一种ltcc本振源模块及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1356861A (zh) 2002-07-03
CN1216514C (zh) 2005-08-24
JP2002198655A (ja) 2002-07-12
TW512654B (en) 2002-12-01
US20020140081A1 (en) 2002-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10133660A1 (de) Hochintegriertes mehrschichtiges Schaltkreismodul mit keramischen Substraten mit eingebetteten passiven Komponenten
DE69531370T2 (de) Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung
DE60220882T2 (de) Streifenleitungsantenne mit schaltbaren reaktiven komponenten für mehrfrequenzverwendung in mobiltelefonkommunikationen
DE69623425T2 (de) Struktur einer Drosselspule
DE60034421T2 (de) Isolator mit eingebauter leistungsverstärker
DE102008002507B4 (de) Leiterplatte mit elektromagnetischer Bandabstandstruktur
DE3850729T2 (de) Monolithischer integrierter Mikrowellenverstärker.
DE69734846T2 (de) Frequenzweiche für Zweiband-Mobilfunkendgeräte
DE60217762T2 (de) Laminiertes Filter, integrierte Vorrichtung und Kommunikationsgerät
EP0035093A2 (de) Anordnung zum Packen mehrerer schnellschaltender Halbleiterchips
DE4119551A1 (de) Verzoegerungsleitungsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE10340391A1 (de) Induktor mit geringem Energieverlust
DE102008045055A1 (de) Elektromagnetische Bandgap-Struktur und Leiterplatte
EP0947030B1 (de) Mikrowellenfilter
DE112019006353T5 (de) Mehrschichtfilter mit einem kondensator; der mit mindestens zwei durchkontaktierungen verbunden ist
DE202021101905U1 (de) Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät
EP0451541B1 (de) Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten mit erhöhter Leiterbahnendichte
DE60206309T2 (de) Hochfrequenzleiterplatte und diese verwendendes Hochfrequenz-Antennenschaltmodul
EP1537767B1 (de) Abschirmung für emi-gefährdete elektronische bauelemente und/oder schaltungen von elektronischen geräten
WO2004064158A2 (de) Halbleitermodul mit internen aufgefächerten höchstfrequenzverbindungen
DE112012002565B4 (de) Schaltungsmodul
WO2009071142A2 (de) Elektrische schaltungsanordnung mit konzentrierten elementen in mehrlagensubstraten
EP0902443B1 (de) Planare, gekoppelte Spulenanordnung
DE102004022755A1 (de) Mehrschichtige Substratanordnung zur Reduzierung der Layout-Fläche
DE202021101940U1 (de) Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H05K 1/16

8131 Rejection