DE69324864D1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur

Info

Publication number
DE69324864D1
DE69324864D1 DE69324864T DE69324864T DE69324864D1 DE 69324864 D1 DE69324864 D1 DE 69324864D1 DE 69324864 T DE69324864 T DE 69324864T DE 69324864 T DE69324864 T DE 69324864T DE 69324864 D1 DE69324864 D1 DE 69324864D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
manufacturing
type semiconductor
semiconductor memory
vertical type
memory structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69324864T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69324864T2 (de
Inventor
Mehdi Zamanian
James Leon Worley
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
STMicroelectronics lnc USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics lnc USA filed Critical STMicroelectronics lnc USA
Application granted granted Critical
Publication of DE69324864D1 publication Critical patent/DE69324864D1/de
Publication of DE69324864T2 publication Critical patent/DE69324864T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
DE69324864T 1992-08-21 1993-08-19 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur Expired - Fee Related DE69324864T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US93418192A 1992-08-21 1992-08-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69324864D1 true DE69324864D1 (de) 1999-06-17
DE69324864T2 DE69324864T2 (de) 1999-10-07

Family

ID=25465104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69324864T Expired - Fee Related DE69324864T2 (de) 1992-08-21 1993-08-19 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5521401A (de)
EP (1) EP0585059B1 (de)
DE (1) DE69324864T2 (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374572A (en) * 1993-07-22 1994-12-20 Motorola, Inc. Method of forming a transistor having an offset channel section
US5395785A (en) * 1993-12-17 1995-03-07 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. SRAM cell fabrication with interlevel dielectric planarization
JPH07176688A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US5567644A (en) 1995-09-14 1996-10-22 Micron Technology, Inc. Method of making a resistor
US6008082A (en) * 1995-09-14 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method of making a resistor, method of making a diode, and SRAM circuitry and other integrated circuitry
US5943598A (en) * 1995-10-19 1999-08-24 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit with planarized dielectric layer between successive polysilicon layers
JP3581459B2 (ja) * 1995-10-24 2004-10-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5872029A (en) * 1996-11-07 1999-02-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming an ultra high density inverter using a stacked transistor arrangement
US5889293A (en) * 1997-04-04 1999-03-30 International Business Machines Corporation Electrical contact to buried SOI structures
US5923067A (en) * 1997-04-04 1999-07-13 International Business Machines Corporation 3-D CMOS-on-SOI ESD structure and method
US5926700A (en) * 1997-05-02 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor fabrication having multi-level transistors and high density interconnect therebetween
US5818069A (en) 1997-06-20 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Ultra high density series-connected transistors formed on separate elevational levels
US5888872A (en) 1997-06-20 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming source drain junction areas self-aligned between a sidewall spacer and an etched lateral sidewall
KR100290899B1 (ko) * 1998-02-06 2001-06-01 김영환 반도체소자및이의제조방법
KR100615085B1 (ko) * 2004-01-12 2006-08-22 삼성전자주식회사 노드 콘택 구조체들, 이를 채택하는 반도체소자들, 이를채택하는 에스램 셀들 및 이를 제조하는 방법들
US7329914B2 (en) * 2004-07-01 2008-02-12 Macronix International Co., Ltd. Charge trapping memory device with two separated non-conductive charge trapping inserts and method for making the same
KR100653714B1 (ko) * 2005-04-12 2006-12-05 삼성전자주식회사 반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자
JP4087416B2 (ja) * 2006-04-06 2008-05-21 シャープ株式会社 パワーｉｃデバイス及びその製造方法
JP5781720B2 (ja) * 2008-12-15 2015-09-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5531848B2 (ja) * 2010-08-06 2014-06-25 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置、半導体集積回路装置、ＳＲＡＭ、Ｄｔ−ＭＯＳトランジスタの製造方法
US9111795B2 (en) * 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
JP5981711B2 (ja) * 2011-12-16 2016-08-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20160276156A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and manufacturing process thereof
WO2022239196A1 (ja) * 2021-05-13 2022-11-17 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体素子を用いたメモリ装置
CN115568206A (zh) * 2021-07-02 2023-01-03 长鑫存储技术有限公司 存储单元及其制备方法、存储器及其制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3584412A (en) * 1967-11-30 1971-06-15 Boeing Co Stable mist generation method and apparatus, the products and uses thereof
US3585412A (en) * 1968-08-27 1971-06-15 Bell Telephone Labor Inc Schottky barrier diodes as impedance elements
CH519251A (de) * 1970-07-01 1972-02-15 Ibm Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung von Daten
JPS5267532A (en) * 1975-12-03 1977-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory unit
US4251876A (en) * 1978-11-03 1981-02-17 Mostek Corporation Extremely low current load device for integrated circuit
NL188721C (nl) * 1978-12-22 1992-09-01 Philips Nv Halfgeleidergeheugenschakeling voor een statisch geheugen.
US4475964A (en) * 1979-02-20 1984-10-09 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device
JPS57192069A (en) * 1981-05-22 1982-11-26 Hitachi Ltd Insulated gate field effect semiconductor device
US4622575A (en) * 1981-10-27 1986-11-11 Fairchild Semiconductor Corporation Integrated circuit bipolar memory cell
JPS60134461A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS6164166A (ja) * 1984-09-06 1986-04-02 Toshiba Corp 半導体装置
DE3672030D1 (de) * 1985-01-30 1990-07-19 Toshiba Kawasaki Kk Halbleitervorrichtung und methode zu deren herstellung.
JPS627151A (ja) * 1985-07-03 1987-01-14 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2516604B2 (ja) * 1986-10-17 1996-07-24 キヤノン株式会社 相補性ｍｏｓ集積回路装置の製造方法
JPS63227051A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd スタチツクｒａｍのメモリセル
JP2606857B2 (ja) * 1987-12-10 1997-05-07 株式会社日立製作所 半導体記憶装置の製造方法
US5103276A (en) * 1988-06-01 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated High performance composed pillar dram cell
JP2773205B2 (ja) * 1989-03-29 1998-07-09 ソニー株式会社 半導体メモリ
JPH03218667A (ja) * 1989-11-01 1991-09-26 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
KR910010741A (ko) * 1989-11-02 1991-06-29 야마무라 가쯔미 반도체 집적 회로 장치
US5210429A (en) * 1990-06-29 1993-05-11 Sharp Kabushiki Kaisha Static RAM cell with conductive straps formed integrally with thin film transistor gates
EP0469215B1 (de) * 1990-07-31 1995-11-22 International Business Machines Corporation Verfahren zur Herstellung von Bauelementen mit übereinander angeordneten Feldeffekttransistoren mit Wolfram-Gitter und sich daraus ergebende Struktur
US5041884A (en) * 1990-10-11 1991-08-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multilayer semiconductor integrated circuit
JPH04234165A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Nec Corp 半導体記憶装置
KR920022532A (ko) * 1991-05-13 1992-12-19 문정환 이중 수직 채널을 갖는 스태틱램 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0585059B1 (de) 1999-05-12
DE69324864T2 (de) 1999-10-07
EP0585059A3 (de) 1995-07-19
US5521401A (en) 1996-05-28
EP0585059A2 (de) 1994-03-02
US6153458A (en) 2000-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69324864D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur
DE69332231D1 (de) Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE579525T1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Fahrradfelge und nach diesem Verfahren hergestellte Felge.
DE3769400D1 (de) Verkapselte halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung.
DE69425632T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer kristallisierten Halbleiterschicht und diese verwendender Halbleitervorrichtungen
DE69230458D1 (de) Halbleiterkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Halbleiteranordnung mit diesem Körper
DE3586822T2 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung.
DE69228787D1 (de) Verfahren und Anlage zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE69210183T2 (de) Verpackungsstrukture fuer halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE69431023T2 (de) Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE69323827D1 (de) Diamant-Halbleiter und Verfahren zur Herstellung
DE59409218D1 (de) Solarzelle aus einer neuartigen Siliziumhalbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung der Siliziumhalbleiterscheibe
DE69527344D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterverbindungsstruktur
DE3579367D1 (de) Halbleiterphotodetektor und verfahren zu seiner herstellung.
DE69118941D1 (de) Zusammengesetztes Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE68912722T2 (de) Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung.
DE69304455D1 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung
DE58904703D1 (de) Flaechengebilde aus einem substrat und einem ueberzug und verfahren zu seiner herstellung.
DE68914927T2 (de) Halbleiteranordnung vom mit Plastik umhüllten Typ und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE69104300T2 (de) Ultraviolett-Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben.
DE69231272T2 (de) Verbesserte Struktur einer Schotty-Diode und Herstellungsprozeß dafür
DE69432446D1 (de) Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und lichtunterstütztes Abscheideverfahren zu seiner Herstellung
DE3774542D1 (de) Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung.
DE69016230T2 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben.
DE3887580D1 (de) Halbleiterlaservorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee