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Die vorliegende Erfindung betrifft eine
Halbleitervorrichtung und insbesondere eine Übertragungsleitung für ein
Hochfrequenzsignal auf einem sogenannten GaAs-Chip-auf-Si-
IC, und zwar einem Siliziumsubstrat, auf dem Hochfrequenz-
GaAs-Chips angebracht bzw. gesockelt sind.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die Figuren 6(a) und 6(b) sind Diagramme, die eine in
vimtegration and Packaging of GaAs MMIC Subsystems Using
Silicon Motherboards", IEEE 1990 GaAs IC Symposium,
Technical Digest, Seiten 85-87, offenbarte
Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik zeigen, in welcher
Hochfrequenz-GaAs-Chips auf einem Siliziumsubstrat
angebracht sind, auf dem ein IC-Muster ausgebildet ist. Obwohl
es vorteilhaft ist, einen Schaltkreis mittels Verwendung
eines GaAs-Substrates im Hinblick auf einen
Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu bilden, ist es nachteilig im Hinblick
auf die Herstellungskosten, da ein GaAs-Substrat teuer ist.
Folglich werden im allgemeinen, nachdem nur ein
Hochfrequenzschaltkreis, in welchem allgemein ein
Hochgeschwindigkeitsbetrieb erforderlich ist, mit dem GaAs-
Substrat hergestellt wird, und andere Schaltkreise unter
Verwendung von einem Siliziumsubstrat hergestellt werden,
diese Schaltkreise hergestellt. Im einzelnen sind, wie in
Fig. 6 (a) gezeigt, auf der Oberfläche eines
Siliziumsubstrates 1, auf welcher IC-Muster wie zum Beispiel ein
Speicherschaltkreis und Verdrahtungen ausgebildet sind,
Rohchip-Kontaktierungseinkerbungen 11 ausgebildet, so daß
der Oberflächenteil eines GaAs-Chips 6 und der
Oberflächenteil des Siliziumsubstrates 1 bei der Rohchip-Kontaktierung
des GaAs-Chips 6 dasselbe Niveau haben. Dieser GaAs-Chip 6
ist in der Rohchip-Kontaktierungseinkerbung 11 mittels Lot
oder dergleichen Rohchip-kontaktiert, und dieser GaAs-Chip
6 ist mittels einer Drahtkontaktierung 20 mit einer auf dem
Siliziumsubstrat 1 ausgebildeten Übertragungsleitung 19
verbunden. Wie oben beschrieben, wird durch das Bestücken
bzw. Montieren des GaAs-Chips 6 in einem konkaven bzw.
ausgehöhlten Teil des Substrates 1 die Länge der
Drahtkontaktierung 20, die die Übertragungsleitung 19 auf der Seite
des Siliziumsubstrates 1 mit dem GaAs-Chip 6 verbindet,
verkürzt, was die Reflexion von Hochfrequenzsignalen
verringert.
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Fig. 6(b) ist ein Teilbereich eines Querschnittes, der ent
lang einer Linie in der Längsrichtung von Fig. 6(a)
genommen ist. Eine Erdungsleitung 21 ist auf der hinteren
Oberfläche des Substrates 1, in welchem die
Rohchip-Kontaktierungseinkerbung 11 ausgebildet ist, ausgebildet, und die
Erdungsleitung 21 ist mit der hinteren Oberfläche des GaAs-
Chips 6 durch ein Durchkontaktierungsloch 22 hindurch,
welches in dem Substrat 1 ausgebildet ist, elektrisch
verbunden. Die auf der Oberfläche des Siliziumsubstrates 1
erzeugte Wellenimpedanz der Übertragungsleitung 19 wird durch
solche Parameter wie der dielektrischen Konstante εr und
der Dicke t des Substrates 1, der Breite W der
Übertragungsleitung 19 oder dergleichen bestimmt. Folglich ist
eine Halbleitervorrichtung (GaAs-Chip-auf-Si-IC) 80
ausgebildet, die die Funktion der auf dem Siliziumsubstrat
1 ausgebildeten ICs und die Funktion des GaAs-Chips 6
komplex macht.
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Weiterhin, wenn eine bei hohen Frequenzen arbeitende
Halbleitervorrichtung wie zum Beispiel ein GaAs-Chip oder ein
GaAs-Chip-auf-Si-Substrat versiegelt wird, tritt, falls ein
dielektrisches Harzmaterial auf dem Muster des Chips
anhaftet, eine Verschlechterung der Hochfrequenzeigenschaften
auf, insofern als die Wellenlänge eines in der Vorrichtung
erzeugten Hochfrequenzsignales variieren und von dem
erwünschten Wert abweichen sollte oder der dielektrische
Verlust zunehmen sollte. Um diese Verschlechterung zu
verhindern, werden, wie in Fig. 7 veranschaulicht, Chips unter
Verwendung einer hohlen Baugruppe versiegelt. Mit anderen
Worten, die Halbleitervorrichtung 80 ist in einen
Baugruppenkörper 23 eingekapselt, welcher gemäß der Beschaffenheit
der Halbleitervorrichtung 80 entworfen bzw. gestaltet ist,
eine an dem Baugruppenkörper 23 befestigte externe Zulei
tung 25 ist mit einer Elektrode der Halbleitervorrichtung
80 mit einer Verdrahtung oder dergleichen verbunden, um so
Signale zwischen der Halbleitervorrichtung 80 und der
Außenseite der Baugruppe auszutauschen, und die
Halbleitervorrichtung 80 ist mittels Befestigen eines Kappenmaterials
24 an dem Baugruppenkörper 23 versiegelt.
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In der wie oben beschrieben konstruierten
Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik, bei dem Hochfrequenz-
IC-Chips auf dem Siliziumsubstrat angebracht sind, ist es
erforderlich, eine hochisolierende Eigenschaft zu besitzen,
um den spezifischen elektrischen Widerstand über einigen
KΩ/cm zu erhalten und den Verlust beim Übertragen von
Hochfrequenzsignalen zu verringern. Folglich muß ein
teureres Siliziumsubstrat mit einer höheren Reinheit als
ein konventionellersiliziumwafer verwendet werden, was zu
hohen Kosten führt. Zusätzlich ist die Verwendung der
hohlen Baugruppe, die für die Bestückung bzw. Montage der
Hochfrequenz-IC-Chips verwendet wird, nicht weit
verbreitet, und sie ist für jeden Chip speziell orientiert,
was zu außergewöhnlich hohen Produktionskosten in Relation
zu einem Fall des Verwendens einer Kunstoffversiegelung
führt.
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US-A-5049978 offenbart eine Halbleitervorrichtung, die
einen Hochfrequenzschaltkreis-Chip aufweist, der bei hohen
Frequenzen arbeitet und auf einem Siliziumsubstrat
angebracht ist, worin ein Dünnfilmband mit einer
Mikrostreifenstruktur,
das einen Isolierfilm, eine Signalleitung auf
einer Oberfläche des Isolierfilms und eine Erdungsschicht
auf einer hinteren Oberfläche des Isolierfilmes umfaßt, auf
dem Siliziumsubstrat angeordnet ist, wodurch das
Siliziumsubstrat mit dem Hochfrequenzschaltkreis-Chip elektrisch
verbunden ist.
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EP-A-0491161 offenbart ein Substrat zum Aufnehmen von
integrierten Schaltkreischips, worin das Substrat einen oberen
Teilbereich auf einer aus Silizium bestehenden Basis
aufweist, und worin auf der oberen Oberfläche des Substrates
Schaltkreiselemente angeordnet sind.
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US-A-5087530 offenbart ein Dünnfilmband zum Verbinden von
integrierten Schaltkreischips auf eineni Substrat, worin das
TAB-Band eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen
Schaltkreismustern auf einem flexiblen Isolierfilm besitzt, wobei
der letztere Fensterbereiche besitzt, eine auf einer
hinteren Oberfläche ausgebildete Erdungsschicht und eine
Vielzahl von Durchgangslöchern zum Verbinden der
Signalleitungen und der Massemetallisierung.
KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist,
einen Hochfrequenzchip auf einem IC-Chip anzubringen bzw.
zu tragen, der ein konventionelles Siliziumsubstrat
aufweist.
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Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, welche billig
ist ohne eine hohle Baugruppe zu verwenden, und eine
Versiegelungsstruktur besitzt, in welcher
Hochfrequenzeigenschaften nicht verschlechtert werden.
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Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden von der im folgenden gegebenen ausführlichen
Beschreibung offensichtlich werden; es versteht sich jedoch,
daß die gegebene ausführliche Beschreibung und spezifische
Ausführungsform nur der Veranschaulichung dienen, da
verschiedene Änderungen und Modifikationen innerhalb des
Bereiches der beigefügten Ansprüche für Fachleute aus dieser
ausführlichen Beschreibung offensichtlich werden.
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In einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung, welche in den beigefügten Ansprüchen 1 oder 2
spezifiziert ist, haftet ein Dünnf ilmband mit einer
Mikrostreifenstruktur, das einen Isolierfilm, eine Signalleitung
auf einer Oberfläche des Isolierfilmes und eine
Erdungsschicht auf einer hinteren Oberfläche des Isolierfilmes
aufweist, auf einem Siliziumsubstrat an, und ein
Hochfrequenzschaltkreis-Chip und ein Schaltkreis auf der Seite des
Siliziumsubstrates sind mittels des Dünnfilmbandes
elektrisch verbunden. Als eine Folge wird die Jmpedanz der
Signalleitung nicht in Abhängigkeit von der dielektrischen
Konstante des Substrates bestimmt.
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Zusätzlich ist eine Isolierschicht mit einer Öffnung
zwischen dem Dünnfilmband und dem Siliziumsubstrat angeordnet
und ein Hochfrequenzschaltkreis-Chip ist in der Öffnung
eingekapselt, oder ein konkaver Teil ist auf der Oberfläche
des Siliziumsubstrates angeordnet und ein
Hochfrequenzschaltkreis-Chip ist in dem konkaven Teil eingekapselt, und
ein Teilbereich über dem Hochfrequenzschaltkreis-Chip ist
mit einer Kappe bedeckt. Als eine Folge ist ein Raum über
dem Hochfrequenzschaltkreis-Chip erzeugt und
Kunststoffversiegelung ist verwendet.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die Figuren 1(a) bis 1(c) sind Querschnittsansichten, die
eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
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Die Figur 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen
GaAs-Chip-auf-Si-IC mit der Struktur der ersten
Ausführungsform zeigt.
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Fig. 3 ist ein Diagramm, das eine Einstellung der Impedanz
eines TAB-Bandes (Tape Automated Bonding - Automatische
Bandkontaktierung) der Halbleitervorrichtung von Fig. 2
erklärt.
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Die Figuren 4(a) bis 4(c) sind Querschnittsansichten, die
eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
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Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen GaAs-
Chip-auf-Si-IC mit der Struktur der zweiten Ausführungsform
zeigt.
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Die Figuren 6(a) und 6(b) sind eine perspektivische Ansicht
und ein Teilbereich eines Querschnittes, die eine
Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik zeigen.
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Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht, die die
Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik zeigt, die in einer
Baugruppe eingekapselt ist.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
ausführlich unter Bezugnahme auf die Figuren 1(a) bis 1(c)
beschrieben werden.
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In Fig. 1(a) bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie jene
von Fig. 6 dieselben oder entsprechende Teile. Ein
automatisches
Bandkontaktierungsband (TAB-Band) 100 besitzt eine
Struktur, in welcher ein unterer Isolierfilm 10, der solch
ein Material wie Polyimid aufweist, um mit einem Si-IC-
Muster verbunden zu werden, eine Übertragungsleitung 4, ein
oberer Isolierfilm 3 und eine Erdungsschicht 8 nacheinander
vom Boden bzw. unten her schichtweise angeordnet sind, und
eine Mikrostreifenleitung umfaßt die Erdungsschicht 8, den
oberen Isolierfilm 3 und die Übertragungsleitung 4.
Tatsächlich, wie oben beschrieben, wird der mit der
Erdungsschicht und der Übertragungsleitung ausgestattete
Isolierfilm 3 in dem unteren Isolierfilm 10 mittels
Thermokompressionskontaktierung oder dergleichen unter Verwendung
der TAB-Technik installiert. Der untere Isolierfilm 10
besitzt ungefähr dieselbe Dicke wie der GaAs-Chip 6, und die
Hochfrequenzsignale werden übertragen, indem man einen
Elektrodenkontaktierungsfleck auf der Oberfläche des GaAs-
Chips 6 mit einem Vorsprungsteil 4a der Übertragungsleitung
4 verbindet. Zusätzlich ist der GaAs-Chip 6 mit einem
Erdungskontaktierungsfleck 17 verbunden, der auf dem
Siliziumsubstrat 1 ausgebildet ist, mit Lot oder
dergleichen, und ist befestigt bzw. fixiert. Eine Kappe 15,
die eine Offnung 100a des TAB-Bandes 100 bedeckt, weist
eine Metallschicht 15a auf, die mit der Erdungsschicht 8
verbunden ist, und ein Isoliermaterial 15b wie zum Beispiel
Polyimid, das auf der Metallschicht 15a ausgebildet ist, um
die Öffnung 100a zu bedecken bzw. zu überdecken. Dies läßt
einen Raum über dem GaAs-Chip 6 und schirmt den Raum
elektrisch ab. Zusätzlich ist, wie in Fig. 1(b) gezeigt,
die Erdungsschicht 8 mit einer Erdungsleitung 16, die auf
derselben Ebene wie die Übertragungsleitung 4 ausgebildet
ist, über ein Durchgangsloch 18 verbunden.
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Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen GaAs-
Chip-auf-Si-IC zeigt, der die Struktur der Figuren 1(a) bis
1(c) besitzt. Hier ist ein IC-Musterbereich 27, in welchem
ein IC-Muster 2 ausgebildet ist, auf dem Siliziumsubstrat 1
erzeugt bzw. hergestellt. Und ein GaAs-Verstärker mit einem
Induktor 7 und einem GaAs-Chip ist auf dem Siliziumsubstrat
1 konstruiert bzw. ausgebildet. Wie in der Figur
veranschaulicht ist, ist der untere Isolierfilm 10 mit einer
Öffnung in einem Bereich, in welchem der GaAs-Chip
angeordnet ist, auf einer Halboberfläche des Siliziumsubstrates 1
angeordnet und ein oberer Isolierfilm ist bereitgestellt,
welcher eine Übertragungsleitung 4, eine Erdungsleitung 16,
Gleichstrom-Bias-Leitungen 12 und äußere
Zuleitungskontaktierungen 13 auf einer ersten Hauptebene besitzt, ausgebil
det auf derselben Oberfläche mittels Ätzen eines dünnen
Metallfilmes, der zum Beispiel durch Metallisieren von
Kupfer von 35 um Dicke mit Gold von mehreren Mikrometern
gebildet wird, und eine Erdungsschicht 8 auf einer zweiten
Hauptebene. Die Erdungsschicht 8, welche die oberste
Schicht ist, ist mit einem Erdungskontaktierungsfleck 17
auf der Oberfläche des Siliziumsubstrates 1 über ein
Durchgangsloch 18 und die Erdungsleitung 16 verbunden. In
dem Si-IC-Musterbereich 27 sind Elemente des IC-Musters 2
mittels auf der hinteren Oberfläche des unteren
Isolierfilmes 10 ausgebildeten Verdrahtungen verbunden. Der
GaAs-Chip und der Si-IC-Musterbereich 27 sind durch die
äußere Zuleitungskontaktierung 13 hindurch verbunden, und
der GaAs-Chip und der Induktor 7 sind durch die äußere
Zuleitungskontaktierung 13 hindurch verbunden. Das
Bezugszeichen 26 bezeichnet einen externen
Verbindungskontaktierungsfleck des IC-Musters 2. Obwohl eine Differenz
bzw. ein Unterschied im Niveau, der zu einer Dicke des
unteren Isolierfilmes 10 äquivalent ist, durch das
Verbinden der Erdungsleitung 16 mit dem
Erdungskontaktierungsfeck 17 erzeugt wird, ist es möglich, den
Unterschied zu verringern, indem man den
Erdungskontaktierungsfleck 17 in einer Bump-Konf iguration bzw. erhöhten
Konfiguration oder dergleichen ausbildet.
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Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, die die Nachbarschaft
eines Polyimid-Bandes (oberer Isolierfilm) 3 zeigt, das die
Mikrostreifenleitung bildet. Um die Wellenimpedanz der
Übertragungsleitung 4 bei, zum Beispiel, 50Ω zu fixieren,
wird eine Leitungsbreite 14 der Übertragungsleitung 4 unter
der Annahme, daß die dielektrische Konstante des Polyimid-
Bandes 3 3,5 und seine Dicke 50um beträgt, auf 95 um
eingestellt.
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Fig. 1(c) ist ein Querschnitt, der die Nachbarschaft der
Gleichstrom-Bias-Leitung 12 oder der Übertragungsleitung 4
beim Durchführen der Kunststoffversiegelung des
GaAs-Chipauf-Si-IC von Fig. 1(b) zeigt. In dieser Struktur, sogar
falls der Chip mittels eines Pressharzes 28 versiegelt
wird, tritt eine Verschlechterung der
Hochfrequenzeigenschaften nicht auf, da der Teilbereich über dem GaAs-Chip 6
ein Raum ist, in einem Zustand, der mit der Kappe 15
bedeckt bzw. überdeckt wird. Dann, da die Öffnung 100a mit
dem Isoliermaterial 15b bedeckt bzw. überdeckt wird, gibt
es keinen Fall, sogar falls man eine dünne Metallschicht
isa für die Kappe 15 verwendet, daß die Metalischicht 15a
durch einen Druck beim Formpressen zerstört und das
Pressharz 28 an dem GaAs-Chip 6 anhaften würde.
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Wie oben beschrieben wurde, wird gemäß dieser
Ausführungsform das TAB-Band 100 auf dem Siliziumsubstrat 1
angeordnet, auf dem IC-Muster ausgebildet sind, der GaAs-Chip 6
wird in der Öffnung 100a des TAB-Bandes 100 eingekapselt,
die hintere Oberfläche des Chips 6 wird mit dem
Erdungskontaktierungsfleck 17 verbunden und die auf der ersten
Hauptebene des oberen Isolierfilmes 3 ausgebildete
Übertragungsleitung 4 wird mit dem Elektrodenkontaktierungsfleck auf
der Oberfläche des Chips 6 elektrisch verbunden. Folglich
wird die Wellenimpedanz der Übertragungsleitung 4 nicht in
Abhängigkeit von der dielektrischen Konstante des
Siliziumsubstrates 1 bestimmt, sondern in Abhängigkeit von solchen
Parametern wie der dielektrischen Konstante und Dicke des
Polyimid-Bandes 3 oder einer Breite der Übertragungsleitung
4, was zu niedrigen Kosten führt, ohne sich solche
Beschränkungen wie das Material des Siliziumsubstrates 1
einzuhandeln.
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Zusätzlich ist der GaAs-Chip 6 in der Öffnung 100a des TAB
Bandes 100 eingekapselt, und die Öffnung 100a ist mit der
Kappe 15 versiegelt. Folglich wird der Raum über dem GaAs-
Chip 6 beibehalten ohne eine speziell orientierte hohle
Baugruppe zu verwenden und die Bestückung bzw. Montage wird
mit konventioneller Kunststoffversiegelung durchgeführt,
was die Herstellungskosten verringert.
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Als zweitens wird eine zweite Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ausführlich mit Bezugnahme auf die Figuren
4(a) bis 4(c) beschrieben werden.
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In dieser Ausführungsform wird, wie in Fig. 4(a)
veranschaulicht, eine Chip-Kontaktierungseinkerbung 11 mit
ungefähr derselben Dicke wie jener des GaAs-Chips 6 auf dem
Siliziumsubstrat 1 ausgebildet, der GaAs-Chip 6 wird in
dieser Einkerbung 11 eingekapselt und der in dem Bodenteil
der Einkerbung 11 angeordnete Erdungskontaktierungsfleck 17
wird mit der hinteren Oberfläche des Chips 6 elektrisch
verbunden. Ein TAB-Band 101, welches mittels nacheinander
schichtweise Anordnen der Übertragungsleitung 4, eines
Isolierfilmes 3 wie züm Beispiel Polyimid und der
Erdungsschicht 8 gebildet bzw. konstruiert wird und eine Öffnung
101(a) in einem vorbestimmten Bereich besitzt, haftet an
dem Siliziumsubstrat 1, so daß sich die Übertragungsleitung
4 in der unteren Seite befindet. Der vorspringende Teil
bzw. Vorsprungsteil 4a der Übertragungsleitung 4 wird mit
einem Elektrodenkontaktierungsfleck auf der Oberfläche des
GaAs-Chips 6 verbunden. Weiterhin wird, wie in Fig. 4 (b)
veranschaulicht, die Erdungsschicht 8 über das
Durchgangsloch 18 mit der Erdungsleitung 16, die auf derselben Ebene
wie die Übertragungsleitung 4 ausgebildet ist, elektrisch
verbunden. Eine Kappe 15 bedeckt bzw. überdeckt die Öffnung
101a des TAB-Bandes 101 und besitzt dieselbe Konstruktion
wie jene in der ersten Ausführungsform. Dies läßt einen
Raum über dem GaAs-Chip 6 und schirmt den Raum elektrisch
ab.
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Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die den
GaAs-Chipauf-Si-IC mit der Struktur der Figuren 4(a) bis 4(c) zeigt.
Wie in den Figuren gezeigt ist, ist das Polyimid-Band 3 mit
der Öffnung 101a in einem Bereich, der den GaAs-Chip 6
einschließt, auf dem Siliziumsubstrat 1 angeordnet. Die
Übertragungsleitung 4, die Erdungsleitung 16, die Gleichstrom-
Bias-Leitungen 12 und die äußeren Zuleitungskontaktierungen
13, welche auf derselben Ebene mittels Ätzen eines dünnen
Metallfilms aus metallischem Kupfer mit Gold ausgebildet
sind, sind auf einer ersten Hauptebene des Bandes 3
angeordnet. In dem IC-Muster 2 sind die Elemente mittels
Verdrahtungen verbunden, welche in derselben Ebene wie die
Übertragungsleitung 4, die Erdungsleitung 16 und die
Gleichstrom-Bias-Leitungen 12 ausgebildet und von diesen
Verdrahtungen elektrisch isoliert sind. Die Erdungsschicht
8 ist auf einer zweiten Hauptebene des Polyimid-Bandes 3
ausgebildet und über das Durchgangsloch 18 mit dem
Erdungskontaktierungsfleck 17 und der Erdungsleitung 16 verbunden.
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Fig. 4(c) ist eine Querschnittsansicht, die die
Nachbarschaft der Gleichstrom-Bias-Leitung 12 oder der
Übertragungsleitung 4 beim Durchführen der Kunstoffversiegelung
des GaAs-Chip-auf-Si-ICs von Fig. 4(b) zeigt. In dieser
Struktur, ähnlich wie in der ersten Ausführungsform, sogar
falls der Chip mittels des Pressharzes 28 versiegelt wird,
werden die Hochfrequenzeigenschaften nicht verschlechtert.
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Wie oben beschrieben wurde, wird derselbe Effekt wie in der
ersten Ausführungsform erhalten, mit Verwendung von weniger
Komponenten, und eine Differenz bzw. ein Unterschied beim
Verbinden der Erdungsleitung 16 und des
Erdungskontaktierungsfleck 17 wird verringert.
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Obwohl die Kappe 15 in der ersten und der zweiten
Ausführungsform die Metallschicht isa und das Isoliermaterial 15b
aufweist, braucht das Isoliermaterial 15b nicht verwendet
werden, falls die Metalischicht isa eine hinreichende
Intensität besitzt.
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Wie oben beschrieben wurde, in einer Halbleitervorrichtung
gemäß der vorliegenden Erfindung, da ein TAB-Band, in
welches eine Erdungsschicht und eine Signalleitung auf
beiden Seiten eines Polyimid-Bandes als eine
Mikrostreifenleitung erzeugt bzw. hergestellt sind, zu einer
Leitungsübertragung eines Hochfrequenzsignales auf einem
Siliziumsubstrat verwendet wird, und da das TAB-Band mittels
Anhaften mit dem Siliziumsubstrat elektrisch verbunden
wird, wird die Impedanz der Signalleitung nicht in
Abhängigkeit von der dielektrischen Konstante des
Siliziumsubstrates bestimmt sondern in Abhängigkeit von der
dielektrischen Konstante des TAB-Bandes und der Breite der
Übertragungsleitung Folglich wird ein konventionelles
Siliziumsubstrat verwendet, was die Produktionskosten
verringert.
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Weiterhin, da eine Isolierschicht mit einer Öffnung
zwischen dem Dünnf umband und dem Siliziumsubstrat angeordnet
und ein Hochfrequenzschaltkreis-Chip in der Öffnung
eingekapselt wird, oder da ein ausgehöhlter bzw. konkaver Teil
an der Oberfläche des Siliziumsubstrates angeordnet und ein
Hochfrequenzschaltkreis-Chip in dem konkaven Teil
eingekapselt wird, und ein Teilbereich über dem
Hochfrequenzschaltkreis-Chip mit einer Kappe überdeckt wird, wird ein
Raum über dem Hochfrequenzschaltkreis-Chip beibehalten und
Kunstoffversiegelung wird durchgeführt. Als eine Folge ist
eine teuere hohle Baugruppe nicht erforderlich, was die
Produktionskosten verringert.