DE69129445T2 - Integrierte halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltungsanordnung

Info

Publication number
DE69129445T2
DE69129445T2 DE69129445T DE69129445T DE69129445T2 DE 69129445 T2 DE69129445 T2 DE 69129445T2 DE 69129445 T DE69129445 T DE 69129445T DE 69129445 T DE69129445 T DE 69129445T DE 69129445 T2 DE69129445 T2 DE 69129445T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power supply
wirings
wiring
circuits
supply wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69129445T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69129445D1 (de
Inventor
Minoru 3-5 Owa 3-Chome Nagano-Ken 392 Sasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69129445D1 publication Critical patent/DE69129445D1/de
Publication of DE69129445T2 publication Critical patent/DE69129445T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/211Design considerations for internal polarisation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/10Integrated device layouts

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Dram (AREA)
DE69129445T 1990-07-23 1991-07-19 Integrierte halbleiterschaltungsanordnung Expired - Fee Related DE69129445T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19423790 1990-07-23
PCT/JP1991/000970 WO1992002043A1 (fr) 1990-07-23 1991-07-19 Dispositif a circuits integres a semi-conducteurs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69129445D1 DE69129445D1 (de) 1998-06-25
DE69129445T2 true DE69129445T2 (de) 1998-11-26

Family

ID=16321260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69129445T Expired - Fee Related DE69129445T2 (de) 1990-07-23 1991-07-19 Integrierte halbleiterschaltungsanordnung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5378925A (enExample)
EP (1) EP0493615B1 (enExample)
JP (1) JP3182762B2 (enExample)
KR (1) KR100247267B1 (enExample)
DE (1) DE69129445T2 (enExample)
WO (1) WO1992002043A1 (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4027438B2 (ja) * 1995-05-25 2007-12-26 三菱電機株式会社 半導体装置
KR0172426B1 (ko) * 1995-12-21 1999-03-30 김광호 반도체 메모리장치
US5808900A (en) * 1996-04-30 1998-09-15 Lsi Logic Corporation Memory having direct strap connection to power supply
JPH1092857A (ja) 1996-09-10 1998-04-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
US6344667B1 (en) * 1998-03-02 2002-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Wiring board with reduced radiation of undesired electromagnetic waves
DE19906382A1 (de) 1999-02-16 2000-08-24 Siemens Ag Halbleiterspeicher mit Speicherbänken
JP3913927B2 (ja) * 1999-04-19 2007-05-09 富士通株式会社 半導体集積回路装置
KR100715970B1 (ko) * 2001-03-08 2007-05-08 삼성전자주식회사 메모리 모듈
US6598216B2 (en) 2001-08-08 2003-07-22 International Business Machines Corporation Method for enhancing a power bus in I/O regions of an ASIC device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840344B2 (ja) * 1980-06-10 1983-09-05 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS60182742A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Fujitsu Ltd 集積回路
JPS61241964A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6344742A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS63199444A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Oki Electric Ind Co Ltd 標準セル方式半導体装置
JPS63188949U (enExample) * 1987-05-27 1988-12-05
JP2606845B2 (ja) * 1987-06-19 1997-05-07 富士通株式会社 半導体集積回路
JPH02268439A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR920702552A (ko) 1992-09-04
EP0493615A4 (enExample) 1994-02-16
KR100247267B1 (ko) 2000-03-15
JP3182762B2 (ja) 2001-07-03
US5378925A (en) 1995-01-03
EP0493615A1 (en) 1992-07-08
EP0493615B1 (en) 1998-05-20
DE69129445D1 (de) 1998-06-25
WO1992002043A1 (fr) 1992-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69526006T2 (de) Anordnung mit einem einzigen Verdrillungsgebiet und Verfahren für gepaarte linienförmige Leiter in integrierten Schaltungen
DE68924967T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung, die aus einem Sytem von Standardzellen besteht.
DE112009005519B4 (de) Mikroelektronischer Baustein, der Silliziumpatches für Zwischenverbindungen hoher Dichte enthält, und Verfahren zum Herstellen desselben
DE3716518C2 (enExample)
DE68917398T2 (de) Integrierte Schaltungshalbleiteranordnung mit verbesserter Einrichtung für Speiseleitungen.
DE10066486B3 (de) Halbleitervorrichtung
DE3716868A1 (de) Integrierte schaltung mit hohem integrationsgrad
DE19519796C2 (de) Halbleiterschaltung mit einem Überspannungsschutzkreis
DE69314686T2 (de) Integrierte Masterslice-Schaltung mit reduzierten Chipabmessungen und vermindertem Speisespannungsrauschen
DE69430551T2 (de) Halbleitervorrichtung zur Reduzierung einer Taktverschiebung in einer Vielfalt von Mustern von Verdrahtungsblöcken
DE3879813T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Signallinien.
DE68917515T2 (de) Anordnung für integrierte Halbleiterschaltung vom Master-Slice Typ.
DE68928193T2 (de) Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69129445T2 (de) Integrierte halbleiterschaltungsanordnung
DE69024167T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE3751607T2 (de) Stromversorgungsleitungen in einer integrierten Halbleiterschaltung.
DE69034109T2 (de) Halbleiter-IC-Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren
DE10164606A1 (de) Flip-Chip-Halbleitereinrichtung mit außerhalb von Energiezufuhranschlussflächen angeordneten Signalanschlussflächen
DE69013646T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit Kontaktierungsflächen am Rande des Halbleiterchips.
DE10126610B4 (de) Speichermodul und Verfahren zum Testen eines Halbleiterchips
DE69033641T2 (de) Stromversorgungssystem für Master slice integrierte Schaltung
DE4102718C2 (de) Integrierte Schaltung und Verfahren zur Generierung eines Layouts einer integrierten Schaltung
DE19731714C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit Makrozellenlayoutbereichen und Takttreiberschaltungen
DE10238051B4 (de) Integrierte Flip-Chip-Halbleiterschaltung
DE69210314T2 (de) Zeilenförmiger Bildaufnahmesensor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee