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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer
Halbleitervorrichtung, welches einen Halbleiterkörper vorsieht, der neben einer
Hauptoberfläche eine durch eine Isolierzone abgegrenzte Device-Zone aufweist, welches eine
elektrische Verbindung mit der Device-Zone durch Aufbringen eines organischen,
fließfähigen Materials zwecks Herstellung einer organischen Schicht auf einer
Hauptoberfläche vorsieht, bei welchem über der organischen Schicht eine Maskierungsschicht
ausgebildet wird, die organische Schicht gegenüber der darunterliegenden Vorrichtung
und den Isolierzonen durch ein Fenster in der Maskierungsschicht selektiv weggeätzt
wird, um eine die Kontaktfläche der Device-Zone freilegende Öffnung zu bilden und
elektrisch leitendes Material abgeschieden wird, um in der Öffnung einen, die
Kontaktfläche kontaktierenden, leitenden Kontakthöcker herzustellen.
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Ein solches Verfahren wird in EP-A-0195977 beschrieben. Wie in EP-A-
0195977 beschrieben, weist das fließfähige Material zur Herstellung der organischen
Schicht eine Polyimidschicht auf, welche durch Aufschleudern auf eine Hauptoberfläche
aufgebracht wird, um eine relativ flache Oberfläche vorzusehen. Auf der
Polyimidschicht wird eine Oxidschicht vorgesehen, welcher ein Fotolack folgt, der zwecks
Ausbildung einer Maskierungsschicht, durch welche die organische Schicht unter
Verwendung eines feuchten oder trockenen Ätzmittels weggeätzt wird, entwickelt wird.
Sodann wird Wolfram selektiv abgeschieden, um den leitenden Kontakthöcker in der in
das Dielektrikum durch Schichtabscheidung unter Verwendung von WF&sub6; und H&sub2;
eingeätzten Öffnung herzustellen. Es kann in der Öffnung, zum Beispiel durch Anwendung
einer Abhebetechnik, eine Kernbildungsschicht vorgesehen werden, um die
Wolframabscheidung zu vereinfachen. Nach Ausbildung des leitenden Kontakthöckers wird eine
weitere Polyimidschicht auf die Oberfläche aufgeschleudert, und die obenerwähnten
Schritte werden wiederholt. Sollte es wünschenswert sein, wie in Figur 8 der EP-A-
0195977 dargestellt, zwei oder mehr Kontakthöcker durch eine zweite
Metallisierungsfläche miteinander zu verbinden, ist gewöhnlich eine Kernbildungsschicht erforderlich,
um eine selektive Wolframabscheidung über der ersten Polyimidschicht zu ermöglichen.
Dieser Vorgang kann, je nach gewünschter Anzahl der Metallisierungsflächen, ein oder
mehrere Male wiederholt werden. Dieses Verfahren stützt sich auf das Aufschleudern
von Polyimidschichten, um Isolier- oder dielektrisches Material, welches leitende
Kontakthöcker voneinander isoliert, vorzusehen, so daß lediglich die gewünschten
elektrischen Verbindungen hergestellt werden.
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EP-A-182 998 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Metall-
Kontaktstücken zwischen der Metallisierung der ersten Fläche und Zonen einer
Halbleitervorrichtung mit Hilfe eines Abhebeverfahrens. Bei dem in EP-A-182 998
beschriebenen Verfahren ist es wichtig, daß das zur Herstellung der Abhebemaske
verwendete Material das organische Material, bei dem es sich um Polyimid handeln
kann, welches die die Isolierung für die Halbleitervorrichtung bildenden, tiefen Gräben
füllt, nicht angreift. Folglich wird in EP-A-182 998 die Verwendung eines Fotolackes,
wie zum Beispiel eines Diazo-Fotolackes, zur Herstellung der Abhebemaske
beschrieben, mit welchem die Möglichkeit gegeben ist, die Abhebemaskenvorlage so
auszubilden, daß sie das die tiefen Gräben füllende, organische Material, selbst dort, wo die in
der Fotolack-Abhebeschicht geöffneten Fenster überlappen und so das die
Isolationsgräben füllende Material freilegen, nicht angreift. Nach Abscheidung des leitenden
Materials wird der Fotolack entfernt, um die unerwünschten Teile des leitenden
Materials abzuheben. Sodann wird zwecks Ausbildung der Isolierung zwischen den
Metall-Kontaktstücken eine Schicht aus Siliziumoxid abgeschieden.
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EP-A-224 699 befaßt sich mit einem Verfahren zur Herstellung leitfähiger
Zuleitungen, Leiterbilder und Anschlußteile, welches die Nachteile der Abhebeverfahren
eliminieren soll. Somit wird bei den in EP-A-224 699 beschriebenen Verfahren leitendes
Material auf ein, auf ein Substrat aufgetragenes, strukturiertes, polymeres Material
aufgebracht und leitendes Überschußmaterial unter Anwendung eines
chemisch-mechanischen Verfahrens, bei welchem die Notwendigkeit eines Abhebeverfahrens nicht besteht,
entfernt. Das polymere Material kann sodann als Isolator an seinem Platz verbleiben
oder durch ein geeigneteres Material ersetzt werden.
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Wie in EP-A-224 699 beschrieben, ist es möglich, mehr als eine Schicht
polymeres Material zu verwenden, wenn es sich bei der darunterliegenden Schicht um
einen Isolator und bei der oberen Schicht um einen Fotolack handelt. Bei dem
beschriebenen Beispiel weist das erste oder darunterliegende, polymere Isoliermaterial
Polyimid auf, während der Fotolack aus einem Novolak-Fotolack besteht, welcher
einem "Silylating"-Verfahren unterworfen wird. Da der "silylated" Fotolack ein guter
Isolator ist und eine Dielektrizitätskonstante aufweist, welche nahezu ebenso hoch wie
diese des Polyimids ist, kann der "silylated" Fotolack entweder an seiner Stelle belassen
oder alternativ entfernt werden, so daß sich das Metall über der verbleibenden
polymeren Isolierschicht erstreckt.
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Polyimid ist jedoch riß- und schmutzempfindlich und kann aus diesem
Grunde keine ausreichend gute Isolierung herstellen, wodurch zum Beispiel
Kurzschlüsse erfolgen können.
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Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung vorzusehen, welches eine gute elektrische Verbindung mit einer
Device-Zone ermöglicht, während die obenerwähnten Probleme eliminiert oder
zumindest reduziert werden.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung vorgesehen, welches einen Halbleiterköper vorsieht, der
neben einer Hauptoberfläche eine durch eine Isolierzone abgegrenzte Device-Zone
aufweist, welches eine elektrische Verbindung mit der Device-Zone durch Aufbringen
eines organischen, fließfähigen Materials zur Herstellung einer organischen
Isolierschicht auf einer Hauptoberfläche vorsieht, bei welchem über der organischen
Isolierschicht eine Maskierungsschicht ausgebildet ist, die organische Isolierschicht gegenüber
der darunterliegenden Vorrichtung und den Isolierzonen durch ein Fenster in der
Maskierungsschicht selektiv weggeätzt wird, um eine Öffnung durch die organische
Isolierschicht herzustellen, welche eine Kontaktfläche der Device-Zone freilegt,
elektrisch leitendes Material in der Öffnung selektiv abgeschieden wird, um in der
Öffnung einen, die Kontaktfläche kontaktierenden, leitenden Kontakthöcker herzustellen,
die Maskierungsschicht und die organische Isolierschicht abgetragen und dadurch die
Seitenflächen des leitenden Kontakthöckers freigelegt werden, der Kontakthöcker mit
einer Schicht aus Isoliermaterial versehen wird, eine Rückätzung der Isolierschicht
zwecks Freilegung einer Oberseite des Kontakthöckers erfolgt und elektrisch leitendes
Material abgeschieden wird, um einen Kontakt mit dem Kontakthöcker herzustellen.
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Es ist zu bemerken, daß unter dem hier verwendeten Begriff 'fließfähiges,
organisches Isoliermaterial' ein geeignetes, kohlenstoffhaltiges, isolierendes Polymerisat
verstanden wird, welches auf einfache Weise, zum Beispiel in einem sauerstoffhaltigen
Plasma, geätzt werden kann.
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Bei Anwendung eines die Erfindung verkörpernden Verfahrens ergibt sich
der Vorteil der Verwendung eines fließfähigen, organischen Isoliermaterials, wie zum
Beispiel Polyimid, d.h. durch die Verwendung eines fließfähigen, organischen
Isoliermaterials wird eine Ätzung des Kontaktfensters oder der Öffnung gegenüber der
darunterliegenden Vorrichtung und Isolierzonen mit hoher Selektivität ermöglicht, so daß,
wenn überhaupt, sehr wenig des darunterliegenden Materials durch die Ätzung der
Öffnung oder des Kontaktfensters entfernt wird, wodurch das Kontactfenster oder die
Öffnung auf der Gate-Isolierung oder dem Feldoxid ohne Gefahr eines unerwünschten
Kurzschlusses zwischen z.B. einem isolierten Gate und einer, seitens des
Kontakthökkers kontaktierten Device-Zone überlappt, was in einer Eliminierung oder zumindest
Reduzierung der Probleme des Reißens und/oder der Verunreinigung, welche dann
auftreten können, wenn ein fließfähiges Materials, wie zum Beispiel Polyimid, als
Isolierschicht verwendet wird, resultiert.
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Ferner soll die Verwendung eines die Erfindung verkörpernden
Verfahrens mögliche Abgleichprobleme reduzieren, da das elektrisch leitende Material zur
Kontaktierung des leitenden Kontakthöckers direkt auf dem Kontakthöcker abgeschieden
wird und dann wie gewünscht strukturiert werden kann, wodurch ein guter elektrischer
Kontakt mit dem Kontakthöcker hergestellt wird.
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Es kann, wenn es sich bei der Halbleitervorrichtung um eine
Siliziumvorrichtung und bei dem selektiv abgeschiedenen, leitenden Material um Wolfram handelt,
eine Kernbildungsschicht, wie zum Beispiel eine Schicht aus amorphem Silizium oder
eine Titan-Wolfram-Legierung, vor Auftragen des fließfähigen, organischen
Isoliermaterials auf der Hauptoberfläche aufgebracht werden, um, ungeachtet des ursprünglich auf
der Kontaktfläche vorgesehenen Materials und ohne ein erhöhtes Risiko unerwünschter
elektrischer Kurzschlüsse, die Ausdehnung des leitenden Kontakthöckers auf der
Kontaktfläche zu erleichtern, da freigelegte Teile der Kernbildungsschicht nach Abtragen
der organischen Schicht entfernt werden können.
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Im allgemeinen wird bei einem die Erfindung verkörpernden Verfahren
die Maskierungsschicht als eine aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid und
Borophosphosilikatglas
und aufzuschleuderndes Glas bestehende Schicht ausgebildet, und die organische
Isolierschicht wird durch die Maskierungsschicht unter Anwendung eines reaktiven
Ionenätzverfahrens geätzt, wodurch die die Kontaktfläche freilegende Öffnung präzise
und mit geraden Seitenwänden ausgebildet werden kann, was besonders bei
Großintegration, wo die Öffnung oder das Kontaktfenster eine geringere Breite oder
Durchmesser als einen Mikrometer aufweisen kann, von Bedeutung ist.
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Die Isolierschicht kann durch Abscheidung einer Schicht aus Siliziumoxid,
Aufbringen einer Fotolackschicht auf der Siliziumoxidschicht zwecks Herstellung einer
ebeneren Oberfläche und anschließender Ätzung der Isolierschicht, so daß Siliziumoxid
und Fotolack mit gleicher Geschwindigkeit geätzt werden und dadurch eine relativ
ebene Oberfläche bei Freilegung der Oberseite des leitenden Kontakthöckers entsteht,
vorgesehen werden, wodurch eine relativ ebene, aus Isoliermaterial mit guten
Isoliereigenschaften gebildete Isolierschicht, welche weniger schmutz- und rißempfindlich als
ein fließfähiges, organisches Material, wie zum Beispiel Polyimid, ist, vorgesehen
werden kann.
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Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der
Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
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Figur 1 bis 5 Querrisse eines Teiles einer Halbleitervorrichtung zwecks
Darstellung eines ersten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Verfahrens;
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Figur 6 einen den Figuren 1 bis 5 gleichenden Querriß zwecks
Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Es ist zu bemerken, daß es sich bei den Figuren lediglich um
schematische und keine maßstäblichen Darstellungen handelt. Vor allem bestimmte Maße, wie
zum Beispiel die Stärke von Schichten oder Zonen können übertrieben dargestellt sein,
während andere Maße kleiner dargestellt sein können. Es ist auch zu bemerken, daß
identische oder ähnliche Teile in sämtlichen Figuren mit den gleichen Bezugsziffern
versehen sind.
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In der Zeichnung, zum Beispiel den Figuren 1 bis 5, wird ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung beschrieben, welches einen Halbleiterkörper
1 vorsieht, der neben einer Hauptoberfläche 1a eine, durch eine Isolierzone 9, 12a, 12b
abgegrenzte Device-Zone 3, 4 aufweist, welches eine elektrische Verbindung mit der
Device-Zone durch Aufbringen eines fließfähigen, organischen Isoliermaterials zur
Herstellung einer organischen Isolierschicht 20 auf einer Hauptoberfläche vorsieht, bei
welchem über der organischen Isolierschicht 20 eine Maskierungsschicht 30 ausgebildet
ist, die organische Schicht 20 gegenüber der darunterliegenden Vorrichtung und
Isolierzonen durch ein Fenster 31 in der Maskierungsschicht 30 selektiv weggeätzt wird,
um eine, eine Kontaktfläche 11 der Device-Zone 3, 4 freilegende Öffnung 21 zu
bilden, elektrisch leitendes Material, zum Beispiel Wolfram, abgeschieden wird, um in
der Öffnung einen, die Kontaktfläche 11 kontaktierenden, leitenden Kontakthöcker 40
(Figur 2) herzustellen und die Maskierungsschicht 30 abgetragen wird.
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Ferner sieht das erfindungsgemäße Verfahren vor, wie in Figur 3
dargestellt, die organische Isolierschicht 20 so abzutragen, daß die Seitenflächen des
leitenden Kontakthöckers freigelegt werden, eine Schicht 50 aus Isoliermaterial über
dem Kontakthöcker 40 aufzubringen, die Isolierschicht abzutragen, um eine Oberseite
41 des Kontakthöckers freizulegen und elektrisch leitendes Material 60 zur
Kontaktierung des Kontakthöckers 40 abzuscheiden.
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Bei Anwendung eines die Erfindung verkörpernden Verfahrens ergibt sich
der Vorteil der Verwendung eines fließfähigen, organischen Materials, wie zum Beispiel
Polyimid, d.h. durch die Verwendung eines fließfähigen, organischen Materials wird
eine Ätzung des Kontaktfensters oder der Öffnung 21 mit hoher Selektivität (in der
Praxis nahezu unendlich hoch) ermöglicht, so daß, wenn überhaupt, sehr wenig des die
darunterliegende Vorrichtung und Isolierzonen aufweisenden Materials durch die Ätzung
der Öffnung oder des Kontaktfensters 21 abgetragen wird, was in einer Eliminierung
oder zumindest Reduzierung der Probleme des Reißens und/oder der Verunreinigung,
welche dann auftreten können, wenn ein fließfähiges Material, wie zum Beispiel
Polyimid, als Isolierschicht verwendet wird, resultiert.
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Es wird nun speziell auf Figur 1 Bezug genommen, wonach die
Halbleitervorrichtung einen monokristallinen Siliziumkörper 1 vorsieht, welcher neben einer
Hauptoberfläche 1a des Halbleiterkörpers 1 eine relativ schwach dotierte Zone 2 eines
Leitfähigkeitstyps, in diesem Beispiel eines P-Leitfähigkeitstyps,innerhalb welcher mehr
stark dotierte Device-Zonen 3, 4 des anderen Leitfähigkeitstyps, in diesem Beispiel
eines N-Leitfähigkeitstyps, neben einer Oberfläche 1a vorgesehen sind, aufweist. Zwar
sind lediglich zwei Device-Zonen 3, 4 in Figur 1 dargestellt, jedoch sind in dem
Halbleiterkörper 1 viele derartige Device-Zonen vorgesehen. Bei diesem
Ausführungsbeispiel sind die Device-Zonen 3, 4 isolierten Gate-Strukturen 5, welche auf einer
Oberfläche 1a zur Herstellung von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (IGFETs)
vorgesehen sind, zugeordnet. Die obenerwähnten Device-Zonen 3, 4 des
N-Leitfähigkeitstyps bilden N-Kanal IGFETs. Fachkundigen wird es verständlich vorkommen, daß
Halbleiterkörper ebenfalls P-Kanal IGFETs zwecks Herstellung einer integrierten
CMOS Schaltung enthalten können, wobei die P-Kanal IGFETs aus Device-Zonen des
P-Leitfähigkeitstyps, welche in einer N-leitenden Wanne und selbstverständlich
zugeordneten isolierten Gates vorgesehen sind, gebildet werden.
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Die obenbeschriebenen Bauelemente werden in dem Halbleiterkörper 1
nach Ausbildung einer Feldoxidstruktur (deren Isolierzone 9 teilweise in Figur 1
dargestellt ist) durch konventionelle, lokale Oxidation von Silizium (LOCOS- Technik),
wobei die isolierten Gates 5 auf konventionelle Weise durch Aufbringen einer
Gateoxidschicht auf die Oberfläche 1a und anschließendem Auftragen einer dotierten,
polykristallinen Siliziumschicht auf der Gateoxidschicht hergestellt werden, gebildet. Die dotierte,
polykristalline Siliziumschicht ist lokal mit einer Isolierzone 12a, zum Beispiel aus
Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid, versehen. Nach Strukturieren mittels
konventioneller fotolithografischer und Ätztechniken zwecks Ausbildung der isolierten Gates 5
werden schwach dotierte Erweiterungszonen 3a, 4a der Device-Zonen 3, 4 unter
Verwendung der isolierten Gates 5 und der Feldoxidstruktur als Maske 9 mit Hilfe von
Selbstjustierung hergestellt.
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Sodann wird eine Siliziumoxid- oder Siliziumnitridschicht 12 durch
konventionelle Schichtabscheidung aufgetragen und unter Anwendung eines geeigneten
anisotropen Ätzverfahrens geätzt, um, wie in Figur 1 dargestellt, Isolierzwischenzonen
12b auf den Seitenwänden der isolierten Gates 5 vorzusehen, welche, zusammen mit
den Isolierabdeckzonen 12a die isolierten Gates 5 umschließen, um unerwünschtes
Kurzschließen zwischen den isolierten Gates 5 und den Device-Zonen 3, 4 durch
anschließende Metallisierung zu vermeiden und die Kontaktflächen 11 der Device-Zonen
3, 4 freizulegen. Die in Figur 1 dargestellten, isolierten Gates 5 sind beide von lokalen
Isolierabdeckzonen 12a und Isolierzwischenzonen 12b umschlossen. Andere isolierte
Gates (nicht dargestellt) der Vorrichtung können jedoch nicht mit einer
Isolierabdeckzone 12a versehen werden.
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Nach Herstellung der Isolierzwischenzonen 12b werden mehr stark
dotierte Zonen 3b, 4b der Device-Zonen 3,4 unter Verwendung der isolierten Gates 5,
Zwischenzonen 12b und Feldoxidisolierzone 9 als Maske auf konventionelle Weise mit
Hilfe von Selbstjustierung gebildet.
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Zur Verbesserung des ohmschen Kontaktes mit den Device-Zonen 3, 4
können Silizidzonen 8, zum Beispiel Titan- oder Kobaltsilizid, auf den Oberflächen der
Device-Zonen 3, 4 auf bekannte Weise durch Aufbringen einer Titan- oder
Kobaltschicht auf den freigelegten Siliziumflächen und Erhitzung gebildet werden.
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Der oben beschriebene, in Figur 1 gezeigte Aufbau stellt eine Basis dar,
an welcher in diesem Beispiel die elektrische Verbindung vorzunehmen ist.
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Das fließfähige Material wird in diesem Beispiel sodann auf eine
Hauptoberfläche 1a als eine Schicht 20 aus Polyimid bis zu einer, durch den
Oberflächenaufbau vorgegebenen Durchschnittsstärke aufgeschleudert. In diesem Beispiel, in
welchem die Steigung etwa 1,2 Mikrometer, die Breite der isolierten Gates 5 etwa 0,55
Mikrometer und die Höhe der durch die isolierten Gates 5 ausgebildeten Stufe und
Isolierabdeckzonen 12a etwa 0,5 Mikrometer (wobei die Stärke der Isolierabdeckzonen
12a etwa 0,2 Mikrometer beträgt) beträgt, kann das Polyimid eine Stärke von etwa 0,7
Mikrometer aufweisen. Die Polyimidschicht 20 wird zum Beispiel etwa 30 Minuten bei
400 Grad Celsius ausgehärtet.
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Die Maskierungsschicht 30 wird bei geringer Temperatur aufgebracht. Bei
der Maskierungsschicht 30 kann es sich um ein, durch ein konventionelles, bei
niedrigen Temperaturen - etwa 300 bis 350 Grad Celsius - erfolgendes
Abscheidungsverfahren aus einem Plasma gebildetes Tieftemperatur-Oxid, ein
Tieftemperatur-Borophosphosilikatglas oder ein Siliziumoxid oder Siliziumnitrid handeln. Alternativ kann ein
aufzuschleuderndes Glas zur Herstellung der Maskierungsschicht 30 verwendet werden.
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Die Maskierungsschicht 30 wird unter Anwendung konventioneller
fotolithografischer Techniken und Trockenätzverfahren auf Fluorbasis strukturiert, um über
der Kontaktfläche 11 die Fenster 31 vorzusehen (von denen zwei in Figur 1 dargestellt
sind).
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Wie durch die Phantomlinien in Figur 1 dargestellt, wird die durch das
Fenster 31 freigelegte, erste Polyimid-Isolierschicht 20 zur Herstellung der die
Kontaktflächen 11 freilegenden Öffnungen 21 durch einen geeigneten anisotropen Ätzvorgang
geätzt. In diesem Beispiel wird von einem reaktiven Ionenätzverfahren Gebrauch
gemacht, bei welchem ein Sauerstoffplasma, dem eine kleine Menge Fluor zur
Erhöhung der Ätzgeschwindigkeit und Vermeidung oder zumindest Reduzierung von
Polymerrückständen zugegeben wurde, verwendet wird. Die verwendete Fluormenge wird so
bemessen, daß eine zufriedenstellende Ätzselektivität der organischen Schicht 20
gegenüber der Maskierungsschicht 30 beibehalten wird.
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Sodann werden leitende Kontakthöcker 40 durch Einbringen von Wolfram
in die Öffnungen 21 unter Anwendung eines selektiven Verfahrens, wodurch Wolfram
auf den freigelegten, eine Silizium- oder Silizidoberfläche aufweisenden Zonen, nicht
jedoch auf der Maskierungsschicht 30, abgeschieden wird, gebildet. Das Wolfram kann
durch ein geeignetes Schichtabscheidungs- Verfahren unter Verwendung von WF&sub6; und
H&sub2;, wie zum Beispiel in der EP-A-0195977 beschrieben, oder von WF&sub6; mit Silan
abgeschieden werden.
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Zur Herstellung des Wolfram-Kontakthöckers auf der Oberfläche der
Isolierzwischenzonen 12b kann eine Kernbildungsschicht 13 (in den Figuren durch
Phantomlinien dargestellt), zum Beispiel eine Schicht aus amorphem Silizium oder eine
Titan-Wolfram-Legierung, auf die Basis 10 vor Auftragen der fließfähigen, organischen
Schicht 20 aufgebracht werden. Eine solche Kernbildungsschicht soll ebenfalls die
Haftung des Wolframs an der Kontaktfläche 11 verbessern.
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Die Verwendung eines fließfähigen, organischen Materials, wie zum
Beispiel Polyimid, zur Herstellung der Schicht 20 zeigt, daß die Oberfläche der
organischen Schicht relativ flach oder eben ist, und daß darüberhinaus die leitenden
Kontakthöcker 40, sofern durch eine generelle Abscheidungstechnik ausgebildet, auf
einer relativ flachen Oberfläche aufliegende Oberseiten 41 aufweisen. Polyimid ist
jedoch riß- und ebenso schmutzempfindlich und kann deshalb keine ausreichend gute
Isolierschicht bilden. Folglich werden nach selektiver Abscheidung des Wolframs zur
Herstellung der leitenden Kontakthöcker 40 die organische Schicht 20 und die
Maskierungsschicht 30 entfernt, wobei die Maskierungsschicht 30 zum Beispiel durch
naßchemisches Ätzen mit HF-Lösungen oder durch Plasmaätzung in einer Fluorumgebung
und die Polyimidschicht 20 zum Beispiel durch ein Sauerstoff-Plasma-Ätzverfahren oder
durch naßchemisches Ätzen unter Verwendung von HNO&sub3; , H&sub2; N&sub2; abgetragen wird.
Dieses hat den Vorteil, daß das Polyimid gegenüber den Wolfram-Kontakthöckern und
dem Oxid mit hoher Selektivität entfernt werden kann.
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Bei Vorhandensein der Kernbildungs- oder Haftungsschicht 13 werden die
freigelegten Teile nach Abtragen der Polyimidschicht 20 durch konventionelle Mittel
entfernt. Das Entfernen der Polyimidschicht 20 ermöglicht somit die Verwendung einer
Kernbildungsschicht 13, welche sich über die gesamte Oberfläche (wie in den Figuren 1
und 2 durch die Phantomlinien dargestellt) und im besonderen auf den
Isolierzwischenzonen 12a, Isolierabdeckzonen 12b und Feldoxidisolierzonen 9 erstreckt, um eine
Ausdehnung des Wolframs über dem Isoliermaterial, wie zum Beispiel Siliziumoxid, zu
ermöglichen, wodurch die leitenden Kontakthöcker 40 neben dem Isoliermaterial
überlappen können, ohne Kurzschlüsse hervorzurufen, welche sonst entstehen können, wenn
die Polyimidschicht 20 und somit notwendigerweise die Kernbildungsschicht 13 nach
Herstellung der leitenden Kontakthöcker 40 vorhanden blieben. Figur 3 zeigt den
Aufbau nach Entfernen der ersten Polyimidisolierschicht 20 mit den verbleibenden
Teilen 13a der Kernbildungsschicht unterhalb der leitenden Kontakthöcker 40.
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Wie in Figur 4 dargestellt, wird die weitere Isolierschicht 50 so
ausgebildet, daß sie die gesamte Anordnung auf einer Hauptoberfläche 1a bedeckt. In diesem
Beispiel wird die weitere Isolierschicht 50 gebildet, indem zuerst eine, den Konturen der
Oberfläche folgende Schicht 51 aus Isoliermaterial, zum Beispiel durch Verwendung
von Tetra-Ethyl-Ortho-Silikat (TEOS), und sodann eine Fotolackschicht 52, welche als
fließfähiges Material eine relativ ebene Oberfläche 52a vorsieht, aufgebracht wird. Die
weitere Isolierschicht 50 wird anschließend unter Verwendung eines Ätzmittels, wie
zum Beispiel ein CF&sub4; / 0&sub2; Plasma, welches den Fotolack und die Siliziumoxidschicht in
im wesentlichen dem gleichen Maße ätzt, bis die Oberseiten 41 der Kontakthöcker
freigelegt sind, rückgeätzt. Die gestrichelte Linie 53 in Figur 4 stellt die Oberfläche der
weiteren Isolierschicht 50 nach diesem Rückätzvorgang dar. Durch den Rückätzvorgang
wird somit die Fotolackschicht 52 komplett abgetragen, und es verbleibt eine relativ
ebene Oberfläche, welche eine Begrenzung der leitenden Kontakthöcker 40 durch die
verbleibenden Teile 51a der Isolierschicht 51 darstellt, so daß eine relativ ebene
Oberfläche vorgesehen wird, während die Probleme der Rißbildung und der
Verunreinigung, welche dann auftreten können, wenn Polyimid als Isoliermaterial
verwendet wird, vermieden oder zumindest vermindert werden. Sodann wir elektrisch
leitendes Material so aufgetragen, daß es die leitenden Kontakthöcker 40 kontaktiert.
Das elektrisch leitende Material 60 kann anschließend unter Anwendung konventioneller
fotolithografischer und Ätztechniken strukturiert werden, um die gewünschten
elektrischen Verbindungen zwischen den leitenden Kontakthöckern herzustellen.
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Figur 6 zeigt eine Anordnung, in welcher das elektrisch leitende Material
60 strukturiert wurde, um separate Leiterbahnen 60a, 60b auszubilden, welche die
beiden, in den Figuren dargestellten, leitenden Kontakthöcker 40 kontaktieren. Eine
solche Anordnung kann zum Beispiel dann geeignet sein, wenn die in den Figuren
dargestellten Device-Zonen 3 und 4 die Source- und Drainzonen des gleichen IGFET
bilden.
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Wie in Figur 6 dargestellt, kann die Metallisierungsfläche 60 mit einer
anderen, durch Schichtabscheidung aufgebrachten Isolierschicht, zum Beispiel einer
Siliziumoxidschicht 70, versehen werden, welche sodann strukturiert wird, um
Öffnungen 71 (es ist lediglich eine dargestellt) auszubilden, durch welche eine weitere
Metallisierungsfläche (nicht dargestellt) die Metallisierungsfläche 60 kontaktieren soll.
Das anhand der Figuren 1 bis 5 oben beschriebene Verfahren kann sodann zur
Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den gewünschten Leiterbahnen der
beiden Metallisierungsflächen angewendet werden, so daß, wie in Figur 6 dargestellt,
eine weitere Polyimidschicht 20a und Maskierungsdeckschicht 30a auf der Oberfläche
der anderen Isolierschicht 70 vorgesehen werden und ein leitender Kontakthöcker 40a in
der Öffnung 71 hergestellt wird. Das Verfahren wird nun wie oben beschrieben unter
Bezugnahme auf die Figuren 3 bis 5 fortgeführt, wobei jedoch die in den Figuren 1 bis
5 dargestellte Basis 10 durch die in Figur 6 gezeigte Basis 10a ersetzt wird. Das
Verfahren kann zwecks Ausbildung weiterer Metallisierungsflächen wiederholt werden.
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Die Verwendung der organischen Schicht 20 ermöglicht eine Ätzung der
Öffnungen oder Kontaktfenster 21 gegenüber den darunterliegenden Zonen 3, 4 und
Isolierzonen 12a, 12b, 9 mit sehr hoher Selektivität (in der Praxis nahezu unendlich
hoch), so daß während der Herstellung der Kontaktfenster oder Öffnungen 21 sehr
wenig des darunterliegenden Materials geätzt wird. Die Kernbildungsschicht 13 kann
unterhalb der organischen Schicht 20 vorgesehen werden, um eine Ausdehnung des
leitenden Kontakthöckers 40 auf dem angrenzenden Isoliermaterial zu ermöglichen, da
freigelegte Teile der Kernbildungsschicht 13 nach Abtragen der organischen Schicht 20
entfernt werden können, um auf diese Weise eventuelle Kurzschlüsse zu vermeiden. Da
das zur Öffnung der Kontaktfenster 21 angewendete Verfahren somit darunterliegende
Device-Zonen und Gate- oder Feldisolierung nicht angreift und eine Ausdehnung des
leitfähigen oder isolierenden Materials ermöglicht, können sich die leitfähigen
Kontakthöcker 40 ausdehnen oder auf angrenzenden Feldoxidisolierzonen 9 oder
Isolierzonen 12a, 12b überlappen, ohne das Risiko eines unerwünschten Kurzschlusses, zum
Beispiel eines isolierten Gates 5 oder einer leitenden Polleiste (nicht dargestellt) auf dem
Feldoxid 9. Dieses Verfahren ist somit toleranter gegenüber Fehlausrichtungen der
Kontaktfenster oder Öffnungen 21 als konventionelle Verfahren.