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Die
Erfindung betrifft einen magnetischen Speicher wahlfreien Zugriffs
zum Speichern von Informationen von "1" oder "0" unter Verwendung des Magnetowiderstandseffekts
bwz. magnetoresistiven Effekts.
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Ein
magnetischer Speicher wahlfreien Zugriffs (MRAM) ist eine Speichervorrichtung
zum Speichern von Informationen von "1" oder "0" unter Verwendung des magnetoresistiven
Effekts. In jüngster Zeit
haben viele Firmen Entwicklungen von MRAMs als einem Kandidaten
für Universalspeichervorrichtungen
begonnen, die Nichtflüchtigkeit,
eine hohe Integrationsdichte, hohe Zuverlässigkeit, geringe Energievergeudung
und Hochgeschwindigkeitsbetrieb kombinieren.
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Als
magnetoresistive Wirkungen gibt es zwei bekannten Wirkungen des
magnetoresistiven Rieseneffekts bzw. Giant-Magneto-Resistive-Effects (GRM-Effekt)
und des magnetoresistiven Tunneleffekts bzw. Tunnel-Magneto-Resistive-Effect (TMR-Effekt).
Ein Element, das den GMR-Effekt zeigt,
verwendet einen Effekt, dass der Widerstand eines zwischen zwei
ferromagnetischen Schichten eingelegten Leiters in Übereinstimmung
mit der Drall- bzw. Spin-Ausrichtung
dieser oberen und unteren ferromagnetischen Schichten variiert.
Das MR-Verhältnis,
das ein Verhältnis
der Variation im Magnetowiderstandswert angibt, ist jedoch so niedrig
wie etwa 10%, so dass ein Auslesesignal gespeicherter Information
gering ist. Daher ist das kritischte Problem bei der Implementierung
eines MRAM gewesen, eine Auslesemarge sicherzustellen, hierdurch die
Industrie von der nicht ausreichenden Praktikabilität des MRAM überzeugend.
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Ein
Beispiel eines Elementes, das den TMR-Effekt zeigt, ist andererseits
ein Magnetotunnelübergangselement
bzw. Magnetic-Tunnel-Junction-Element
(MTJ-Element), welches eine Stapelstruktur hat aus zwei ferromagnetischen
Schichten und einem zwischen diesen beiden ferromagnetischen Metallschichten
eingelegten Isolationsfilm und eine Variation im magnetischen Widerstand
verwendet, die auf den Spin-Polarisations-Tunneleffekt
zurückgeht.
Das MTJ-Element zeigt die maximale Tunnelwahrscheinlichkeit zwischen
den beiden magnetischen Schichten über den Tunnelisolationsfilm
dazwischen, wenn die oberen und unteren ferromagnetischen Schichten
parallel zueinander in ihrer Spin-Ausrichtung sind, demnach in einem
minimalen Widerstand des Tunnelisolationsfilms resultierend. Wenn
sie antiparallel zueinander in ihrer Spin-Ausrichtung sind, ist
andererseits die Tunnelwahrscheinlichkeit minimiert, demnach den
Widerstand des Tunnelisolationsfilms maximierend.
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Zum
Implementieren dieser beiden Zustände ist eine der beiden oben
erwähnten
zwei magnetischen Schichten in der Magnetisierungsrichtung festgelegt
zum Vermeiden eines Einflusses externer Magnetisierung. Diese Schicht
wird allgemein als eine PIN-Schicht bezeichnet. Die andere magnetische Schicht
kann so programmiert werden, dass ihre Magnetisierungsrichtung parallel
oder antiparallel zu der der PIN-Schicht ist in Übereinstimmung mit der Richtung
eines daran angelegten Magnetfelds. Diese Schicht wird allgemein
als FREE-Schicht bezeichnet mit einer Rolle des Speicherns von Information.
Es wird derzeit ein bestimmter MTJ-Elementetyp erhalten, der ein MR-Verhältnis als
das Widerstandsvariationsverhältnis
von über
50% zeigt, welcher Typ zu einem Hauptziel der Entwicklungen von
MRAMs geworden ist. Daten können
in ein MRAM unter Verwendung eines MTJ-Elementes durch Invertieren der Magnetisierungsrichtung
der oben erwähnten FREE-Schicht
geschrieben werden durch Fließenlassen
mindestens eines konstanten Stroms durch eine Bitleitung und eine
Wortleitung, die orthogonal zueinander über jeder Speicherzelle sind,
um hierdurch diese Magnetisierungsrichtung der FREE-Schicht zu Steuern
mit der Magnetude eines resultierend auftretenden synthetischen
Magnetfelds.
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Andererseits
können
Daten von ihm ausgelesen werden durch Anlegen einer Spannung zwischen
den beiden magnetischen Schichten eines MTJ-Elementes, das einem
ausgewählten
Bit entspricht, um hierdurch den Widerstandswert von einem resultierend
fließenden
Strom auszulesen oder durch Fließenlassen eines konstanten
Stroms durch das ausgewählte
MTJ-Element, um hierdurch eine resultierend auftretende Spannung
zwischen diesen beiden magnetischen Schichten auszulesen.
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Ein
Beispiel von den ein solches MTJ-Element verwendenden MRAMs verwendet
zwei MOS-Transistoren und zwei MTJ-Elemente zum Darstellen von Ein-Bit-Daten
und wird in einer Literaturstelle von beispielsweise "A 10-ns Read and
Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction
and FET Swich in each Cell" bzw. "Ein 10-ns nicht-flüchtiges
Lese- und Schreibspeicherarray unter Verwendung eines magnetischen
Tunnelübergangs
und FET-Schalters in jeder Zelle" in "a digest of Technical
Paper, p. 128 von ISSC C2000" berichtet.
Das in dieser Literaturstelle berichtete MRAM bildet jedoch Ein-Bit-Daten
von zwei MOS-Transistoren und zwei MTJ-Elementen, wie oben beschrieben
und man findet es demnach schwierig, einen Massenspeicher bereitzustellen.
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Demgegenüber wird
ein solches Verfahren vorgeschlagen (siehe beispielsweise JP-Patentanmeldung
Nr. 2001-390518) zum Herstellen eines anderen Beispiels eines MRAM
unter Verwendung eines MTJ-Elementes, in welchem, wie in 1 gezeigt,
ein Auswahl-MOS-Transistor SG1 in seiner Benutzung durch mehrere
Speicherzellen MC1 bis MC4 geteilt wird, um ein Reduzieren des Zellenbereichs
zu ermöglichen,
hierdurch zu einer Zunahme der Integrationsdichte beitragend.
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Das
MRAM gemäß diesem
vorgeschlagenen Verfahren hat beispielsweise einen solchen Zellenquerschnitt,
wie er in 2 gezeigt ist. Auf einem Halbleitersubstrat 101 sind
eine Gate-Verdrahtungsleitung (RSW1 des Auswahl-MOS-Transistors SG1 und
eine Auswahlleitung SL1, die mit einer Diffusionsschicht 102 des
Auswahl-MOS-Transistors SG1 verbunden ist, angeordnet. Zudem sind
oberhalb der Auswahlleitung SL1 eine Einschreibe-Bitleitung WBL1
und eine Unter-Bitleitung SBL1 angeordnet. Auf der Unter-Bitleitung
SBL1 sind MTJ-Elemente MTJ1 bis MTJ4 angeordnet, die jeweils Speicherzellen
MC1 bis MC4 bilden.
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Das
MRAM mit einer in 2 gezeigten Struktur hat eine
solche Verdrahtungskonfiguration, dass die Einschreibe-Bitleitung WBL1 physikalisch von
den MTJ-Elementen getrennt ist. Die Einschreibe-Bitleitung WBL1
hat eine Rolle des Erzeugens zweier Magnetfelder mit unterschiedlichen
Richtungen, um die Ausrichtung einer FREE-Schicht des MTJ-Elementes zu bestimmen,
so dass die physikalische Trennung der Einschreibe-Bitleitung WBL1 und
des MTJ-Elementes zu einer erwarteten Verringerung der Intensität eines
an das MTJ-Element angelegten Leicht-Achsenrichtungs-Einschreibemagnetfelds
führen
dürfte,
was ein Schlüssel
für die
Informationsspeicherung ist. Demnach muss, um es zu lösen, ein
Bitleitungsstrom erhöht
werden, was zu einem Problem einer Erhöhung des Stromverbrauchs führt.
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Es
ist ein Ziel der Erfindung, einen magnetischen Speicher wahlfreien
Zugriffs bereitzustellen, der einen Bitleitungsstrom verringern
kann, um den Energieverbrauch zu reduzieren durch Verbinden einer
Einschreibe-Bitleitung und einer ein magnetoresistives Element umfassenden
Speicherzelle.
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Ein
magnetischer Speicher wahlfreien Zugriffs gemäß einem Aspekt der vorliegenden
Erfindung umfasst: Eine Speicherzelle, die ein magnetoresistives
Element einschließt,
dessen elektrischer Widerstand durch Magnetismus geändert wird;
eine Unter-Bitleitung, die mit einem Ende der Speicherzelle verbunden
ist; eine Haupt-Bitleitung, die mit der Unter-Bitleitung über eine
erste Auswahlschaltung verbunden ist; einen Leseverstärker, der
mit der Haupt-Bitleitung über eine
zweite Auswahlschaltung verbunden ist; eine Verdrahtungsleitung,
die mit dem anderen Ende der Speicherzelle verbunden ist und in einer
ersten Richtung angeordnet ist; eine Wortleitung die durch einen
Verbindungspunkt zwischen der Speicherzelle und der Verdrahtungsleitung
hindurch verläuft
und orthogonal zu der ersten Richtung angeordnet ist; gekennzeichnet
durch das fernere Umfassen: einer ersten Operationsschaltung, die
mit einem Ende der Verdrahtungsleitung über eine dritte Auswahlschaltung
verbunden ist, wobei die erste Operationsschaltung als ein Wortleitungstreiber
während einer
Ausleseoperation des Auslesens von Daten aus der Speicherzelle arbeitet,
und wobei die erste Operationsschaltung als eines von einem Bitleitungstreiber
und einem Bitleitungsabsenker während
einer Schreiboperation der Schreibens von Daten in die Speicherzelle
arbeitet; und eine zweite Operationsschaltung, die mit dem anderen
Ende der Verdrahtungsleitung verbunden ist, wobei die zweite Operationsschaltung
während
der Schreiboperation als der andere von entweder dem Bitleitungstreiber
oder dem Bitleitungsabsenker arbeitet; wobei die Verdrahtungsleitung
während
der Leseoperation eine Auslesewortleitung bereitstellt und die Verdrahtungsleitung während der
Schreiboperation eine Einschreibe-Bitleitung bereitstellt.
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Der
Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs kann umfassen: Eine Vielzahl
von Speicherzellen, die jeweils ein magnetoresistives Element einschließen, dessen
elektrischer Widerstand durch Magnetismus geändert wird, erste und zweite
Unter-Bitleitungen, erste und zweite Haupt-Bitleitungen, und erste
und zweite Wortleitungen; wobei die erste Unter-Bitleitung mit einem Ende einer ersten
Speicherzelle der Vielzahl von Speicherzellen verbunden ist; wobei
die erste Haupt-Bitleitung mit der ersten Unter-Bitleitung über die
erste Auswahlschaltung verbunden ist; wobei der Leseverstärker mit
der ersten Haupt-Bitleitung über
die zweite Auswahlschaltung verbunden ist; wobei die zweite Unter-Bitleitung
mit einem Ende einer zweiten Speicherzelle der Vielzahl von Speicherzellen
verbunden ist; wobei die zweite Haupt-Bitleitung mit der zweiten
Unter-Bitleitung über
eine vierte Auswahlschaltung verbunden ist; wobei eine fünfte Auswahlschaltung
zwischen der zweiten Haupt-Bitleitung und dem Leseverstärker verbunden ist;
wobei die Verdrahtungsleitung mit den anderen Enden der ersten und
zweiten Speicherzellen verbunden ist und in der ersten Richtung
angeordnet ist; wobei die erste Wortleitung über einen Schnittpunkt zwischen
der ersten Speicherzelle und der Verdrahtungsleitung verläuft und
in einer zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung angeordnet
ist; wobei die zweite Wortleitung über einen Schnittpunkt zwischen
der zweiten Speicherzelle und der Verdrahtungsleitung verläuft und
in der zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung angeordnet
ist; wobei die erste Operationsschaltung mit einem Ende der Verdrahtungsleitung über die
dritte Auswahlschaltung verbunden ist, die erste Operationsschaltung während einer
Leseoperation des Auslesens von Daten aus den ersten und zweiten
Speicherzellen als ein Wortleitungstreiber arbeitet, die erste Operationsschaltung
während
einer Schreiboperation des Einschreibens von Daten in die ersten
und zweiten Speicherzellen als eines von einem Bitleitungstreiber
und einem Bitleitungsabsenker arbeitet, und wobei die zweite Operationsschaltung
mit dem anderen Ende der Verdrahtungsleitung verbunden ist, wobei
die zweite Operationsschaltung während
der Schreiboperation als der andere von entweder dem Bitleitungstreiber
oder dem Bitleitungsabsenker arbeitet.
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Der
Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs kann umfassen: Eine Vielzahl
von Speicherzellen, von denen jede ein magnetoresistives Element
einschließt, dessen
elektrischer Widerstand durch Magnetismus geändert wird, erste und zweite
Unter-Bitleitungen, erste und zweite Haupt-Bitleitungen, und erste
und zweite Verdrahtungsleitungen; wobei die erste Unter-Bitleitung
mit einem Ende einer ersten Speicherzelle der Vielzahl von Speicherzellen
verbunden ist; die erste Haupt-Bitleitung mit der ersten Unter-Bitleitung über die
erste Auswahlschaltung verbunden ist; der Leseverstärker mit der
ersten Haupt-Bitleitung über
die zweite Auswahlschaltung verbunden ist; die zweite Unter-Bitleitung
mit einem Ende einer zweiten Speicherzelle der Vielzahl von Speicherzellen
verbunden ist; die zweite Haupt-Bitleitung mit der zweiten Unter-Bitleitung über eine
vierte Auswahlschaltung verbunden ist; eine fünfte Auswahlschaltung zwischen
der ersten Haupt-Bitleitung
und dem Leseverstärker
verbunden ist; die erste Verdrahtungsleitung mit dem anderen Ende
der ersten Speicherzelle verbunden ist und in einer ersten Richtung
angeordnet ist; die zweite Verdrahtungsleitung mit dem anderen Ende
der zweiten Speicherzelle verbunden ist und in der ersten Richtung
angeordnet ist; die Wortleitung über
einen Schnittpunkt zwischen der ersten Speicherzelle und der ersten
Verdrahtungsleitung und einen Schnittpunkt zwischen der zweiten
Speicherzelle und der zweiten Verdrahtungsleitung hindurch verläuft und
in einer zweiten Richtung angeordnet ist, die orthogonal zur ersten
Richtung ist; die erste Operationsschaltung mit einem Ende der ersten Verdrahtungsleitung über die
dritte Auswahlschaltung verbunden ist, wobei die erste Operationsschaltung
während
einer ersten Ausleseoperation des Auslesens von Daten aus der ersten
Speicherzelle als ein Wortleitungstreiber arbeitet, und wobei die erste
Operationsschaltung während
einer ersten Schreib-Operation des Einschreibens von Daten in die
erste Speicherzelle als eines von einem Bitleitungstreiber und einem
Bitleitungsabsenker arbeitet; und die zweite Operationsschaltung
mit dem anderen Ende von der ersten Verdrahtungsleitung verbunden ist,
wobei die zweite Operationsschaltung während der ersten Einschreiboperation
als der andere von entweder dem Bitleitungstreiber oder dem Bitleitungsabsenker
arbeitet; und umfassend: Eine dritte Operationsschaltung, die mit
einem Ende der zweiten Verdrahtungsleitung über eine sechste Auswahlschaltung
verbunden ist, wobei die dritte Operationsschaltung während einer
zweiten Ausleseoperation des Auslesens von Daten aus der zweiten
Speicherzelle als ein Wortleitungstreiber arbeitet, wobei die dritte
Operationsschaltung während
einer zweiten Schreiboperation des Schreibens von Daten in die zweite
Speicherzelle als ein Bitleitungsabsenker arbeitet, wenn die erste
Operationsschaltung als der Bitleitungstreiber betrieben wird, und
wobei die dritte Operationsschaltung während der zweiten Schreiboperation
als ein Bitleitungstreiber arbeitet, wenn die erste Operationsschaltung
als ein Bitleitungsabsenker arbeitet; eine vierte Operationsschaltung,
die mit dem anderen Ende der zweiten Verdrahtungsleitung verbunden
ist, wobei die vierte Operationsschaltung während der zweiten Schreiboperation
als ein Bitleitungstreiber arbeitet, wenn die erste Operationsschaltung
als Bitleitungstreiber betrieben wird, die vierte Operationsschaltung
während
der zweiten Schreiboperation als ein Bitleitungsabsenker arbeitet,
wenn die erste Operationsschaltung als der Bitleitungsabsenker arbeitet;
und wobei die ersten und zweiten Verdrahtungsleitungen während der
ersten und zweiten Ausleseoperationen Auslesewortleitungen bereitstellen,
wobei die erste Verdrahtungsleitung eine Einschreibe-Bitleitung
während
der ersten Schreiboperation bereitstellt; und wobei die zweite Verdrahtungsleitung
eine Einschreibe-Bitleitung während
der zweiten Schreiboperation bereitstellt.
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Dieses
Resümee
der Erfindung beschreibt nicht notwendiger Weise alle erforderlichen
Merkmale, so dass die Erfindung auch eine Unterkombination jener
beschriebenen Merkmale sein kann.
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Die
Erfindung kann vollständiger
aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden werden,
wenn betrachtet im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen,
in denen zeigt:
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1 ein Äquivalentschaltungsdiagramm
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs, der eine konventionelle
Speicherzelle vom Kreuzungspunkttyp und einen Auswahl-MOS-Transistor
einschließt;
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2 eine
Querschnittsansicht eines Speicherzellenabschnitts in dem konventionellen
magnetischen Speicher wahlfreien Zugriffs;
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3 ein Äquivalenzschaltungsdiagramm eines
magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs (MRAM) eines Referenzbeispiels;
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4 eine
Querschnittsansicht eines Speicherzellenabschnitts in dem magnetischen
Speicher wahlfreien Zugriffs des Referenzbeispiels;
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5 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Ablauf eines Signals beim Auslesen
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß einer ersten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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6 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Ablauf eines Signals beim Einschreiben
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 eine
Querschnittsansicht eines Speicherzellenabschnitts in dem magnetischen
Speicher wahlfreien Zugriffs der ersten Ausführungsform;
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8 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Ablauf eines Signals beim Auslesen
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß einer zweiten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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9A und 9B Schaltungsdiagramme, die
einen Ablauf eines Signals beim Einschreiben eines magnetischen
Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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10 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Ablauf eines Signals beim Auslesen
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß einer dritten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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11 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Ablauf eines Signals beim Einschreiben
eines magnetischen Speichers wahlfreien Zugriffs gemäß der dritten
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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12 einen
Entwurf, der hauptsächlich
ein MTJ-Element und einen Speicherzellenabschnitt in dem magnetischen
Speicher wahlfreien Zugriffs der dritten Ausführungsform zeigt;
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13 einen
Entwurf, der hauptsächlich
einen Auswahl-MOS-Transistor
eines Speicherzellenabschnitts in dem magnetischen Speicher wahlfreien Zugriffs
der dritten Ausführungsform
zeigt; und
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14 eine
Querschnittsansicht des Speicherzellenabschnitts in dem magnetischen
Speicher wahlfreien Zugriffs der dritten Ausführungsform.
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Bevor
die Ausführungsformen
der Erfindung beschrieben werden, wird nachfolgend ein magnetischer
Speicher wahlfreien Zugriffs (MRAM) als ein Referenzbeispiel erläutert.
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In
diesem RAM wird zum Sicherstellen eines Zelleninformationsauslesesignals
eine in 1 gezeigte Konfiguration abgeändert zum
Einfügen
einer hierarchischen Konstruktion einer Bitleitung beim Anordnen
eines Auswahl-MOS-Transistors
SG1 zwischen einer Haupt-Bitleitung MBL1 und einer Unter-Bitleitung
SBL1, wie in 3 gezeigt. Dies ermöglicht das
selektive Verbinden mindestens einer der mehreren derart aufgeteilten
Unter-Bitleitungen mit der Haupt-Bitleitung. Als ein Ergebnis kann
die Anzahl ausgewählter
mit der Bitleitung verbundener Zellen, wie sie von einem Leseverstärker betrachtet werden,
stark reduziert werden.
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Ein
konventioneller Kreuzungspunkttyp von Speicherzellen hat ein Problem,
das seine Nichtselektivität
der Speicherzellen eine Gruppe von nicht ausgewählten Speicherzellen veranlasst,
ein Fehlersignal an den Leseverstärker zu senden. Um dieses Problem
zu lösen,
reduziert das in 3 gezeigte MRAM die effektive
Anzahl an Speicherzellen, die mit der Bitleitung verbunden sind
zum Zwecke des Unterdrückens
des Fehlersignals.
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Ein
Beispiel eines Zellenquerschnittaufbaus des in 3 gezeigten
MRAM ist in 4 gezeigt.
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In
dem in 4 gezeigten Zellenquerschnitt sind beim Vergleich
mit den in 2 gezeigten, Bitleitungen und
Wortleitungen miteinander ausgetauscht, so dass Verdrahtungsleitungen,
die in der Funktion Auslese-Bitleitungen
(RBL1–RBL4
und Einschreibe-Wortleitungen (WBL1–WBL4) kombinieren, die auf
einer oberen Schicht des MTJ-Elements
in 2 angeordnet sind, ersetzt werden durch Auslese-/Einschreibe-Wortleitungen
WL1–WL4
in 4. Zudem wird einer von zwei Knoten, das heißt eine Source-Leitung
SL1 eines Auswahl-MOS-Transistors in 2 ersetzt
durch eine dedizierte Auslese-Bitleitung MBL1 in 4.
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Jedoch
ist auch in dem MRAM mit einer in 4 gezeigten
Struktur die Einschreibe-Bitleitung WBL1 physikalisch getrennt bei
der Verdrahtung von den MTJ-Elementen, wie oben beschrieben. Die
Einschreibe-Bitleitung WBL1 spielt eine Rolle des Erzeugens zweier
Magnetfelder mit unterschiedlichen Richtungen, um die Ausrichtung
von einer FREE-Schicht des MTJ-Elementes zu bestimmen, so dass die
physikalische Trennung der Einschreibe-Bitleitung WBL1 und der MTJ-Elemente
zu einer verdächtigen
Abnahme in der Intensität
eines Leicht-Achsenrichtungs-Einschreibemagnetfeldes führen kann,
das an die MTJ-Elemente angelegt wird, welches ein Schlüssel für die Informationsspeicherung
ist. Demnach, um dies zu beheben, muss ein Bitleitungsstrom erhöht werden,
was zu einem Problem einer Erhöhung
des Stromverbrauchs führt.
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Das
Folgende wird Ausführungsformen
der Erfindung beschreiben, die die Probleme des MRAM in Übereinstimmung
mit dem oben erwähnten
Referenzbeispiel beheben. In der Beschreibung sind Elemente, die
allen Zeichnungen gemeinsam sind, durch gemeinsame Bezugszeichen
angegeben.
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Ein
magnetischer Speicher wahlfreien Zugriffs gemäß den Ausführungsformen der Erfindung umfasst
in seinem Aufbau ein Element, das "1"-
oder "0"-Information unter
Verwendung des magnetoresistiven Effekts bzw. MR-Effekts als eine
diskrete Speicherzelle speichert. Zudem sind eine Vielzahl von diskreten
Speicherzellen integriert und in einer Matrix angeordnet, in deren
Peripherie es eine hinzugefügte Steuerschaltungsgruppe
einschließlich
einer Decoderschaltung und einer Leseschaltung gibt, hierdurch Auslese-
und Einschreibe-Operationen durch Anordnen von wahlfreiem Zugriff
zu einem beliebigen Bit ermöglichend.
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Das
Folgende wird die Ausführungsformen unter
Bezugnahme auf ein Verfahren zum Ermöglichen der Zwischenverbindung
von Einschreibe-Bitleitungen und MTJ-Elementen in einem Speicherarray
beschreiben, in welchem Speicherzellen vom Kreuzungspunkttyp gemeinsam
mit der Vielzahl von aufgeteilten Bitleitungen angeordnet sind,
und zusätzlich
ein optionales Verfahren zum Zwischenverbinden der Haupt-Bitleitung
und der Unter-Bitleitung in diesem Fall. Es ist darauf hinzuweisen,
dass, obwohl das Folgende eine aus einem MTJ gebildete Speicherzelle
vom Kreuzungspunkttyp beispielhaft wiedergeben wird, die Erfindung
nicht darauf beschränkt
ist. Beispielsweise ist die Erfindung auch anwendbar auf irgendwelche
anderen magnetoresistiven Elemente, die imstande sind, den elektrischen Widerstandswert
magnetisch zu steuern. Erste Ausführungsform Zuerst wird nachstehend
ein MRAM gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. 5 ist ein
Schaltungsdiagramm, welches eine Konfiguration des MRAM in Übereinstimmung
mit der ersten Ausführungsform
zeigt.
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Wie
in 5 gezeigt, sind die einen Enden von Kreuzungspunktspeicherzellen
MC1 bis MC4, die jeweils ein MTJ-Element umfassen, mit einer Unter-Bitleitung
SBL1 verbunden, die ein gemeinsamer Knoten ist. Die Unter-Bitleitung SBL1 ist
mit einer Haupt-Bitleitung MBL1 über
einen Auswahl-MOS-Transistor SG1 verbunden, der als ein Schalter
dient. An ein Gate des Auswahl-MOS-Transistors SG1 ist eine Signalleitung
SS1 verbunden, die wiederum mit einem Zeilendecoder 11 verbunden
ist. Ein Ende der Haupt-Bitleitung MBL1 ist über eine Spalten-Gate-Schaltung
CG1 mit einem Leseverstärker
(S/A) 12 verbunden.
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An
das jeweilige andere Ende der oben erwähnten Speicherzellen MC1 bis
MC4 sind Verdrahtungsleitungen L1 bis L4 jeweils verbunden. An eines der
Enden der Verdrahtungsleitungen L1 bis L4 sind ein Einschreibe-Bitleitungstreiber
bzw. Absenker 13 verbunden. Die anderen Enden der Schreibleitungen L1
bis L4 sind über
jeweilige Wortleitungs-Auswahltransistoren WS1 bis WS4 mit einem
Einschreibe-Bitleitungstreiber bzw. Absenker und einem Auslese-Wortleitungstreiber 14 verbunden.
Zudem sind Gate-Anschlüsse der
Wortleitungs-Auswahltransistoren WS1 bis WS4 jeweils mit dem Zeilendecoder 11 verbunden.
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An
einen Gate-Anschluss der oben erwähnten Spalten-Gate-Schaltung CG1 ist
eine Signalleitung SC1 verbunden, die wiederum an einen Spaltendecoder
und einen Spaltenauswahlleitungs-(CSL)-Treiber 15 verbunden
ist. Zudem ist an die Haupt-Bitleitung MBL1 eine Vorspannungsschaltung 16 verbunden.
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Die
einen Enden von Kreuzungspunktspeicherzellen MC1 bis MC4 umfassen
jeweils ein MTJ-Element, andererseits sind sie mit einer Unter-Bitleitung
SBL2 verbunden, die ein gemeinsamer Knoten ist. Diese Unter-Bitleitung
SBL2 ist mit einer Haupt-Bitleitung
MBL2 über
einen Auswahl-MOS-Transistor SG2 verbunden, der als ein Schalter
dient. An einem Gate-Anschluss
des Auswahl-MOS-Transistors SG2 ist die Signalleitung SS1 verbunden.
Ein Ende der Haupt-Bitleitung MBL2 ist über eine Spalten-Gate-Schaltung
CG2 an dem Leseverstärker
(S/A) 12 verbunden. Zudem sind an die anderen Ende der
Speicherzellen MC1 bis MC8 die oben erwähnten Verdrahtungsleitungen
L1 bis L4 jeweils verbunden.
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An
einen Gate-Anschluss der oben erwähnten Spalten-Gate-Schaltung CG2 ist
der Spaltendecoder und der Spaltenauswahl-Leitungstreiber 15 verbunden.
Zudem ist an die Haupt-Bitleitung
MBL2 eine Vorspannungsleitung 17 verbunden.
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In ähnlicher
Weise ist jeweils ein Ende der Kreuzungspunktspeicherzellen MC9
bis MC12, die ein MTJ-Element
umfassen, an eine Unter-Bitleitung SBL3 verbunden, die ein gemeinsamer
Knoten ist. Diese Unter-Bitleitung SBL3 ist an die oben erwähnte Haupt-Bitleitung
MBL1 über
einen Auswahl-MOS-Transistor SG2 verbunden, der als ein Schalter
dient. An einen Gate-Anschluss des Auswahl-MOS-Transistors SG2 ist
eine Signalleitung SS2 verbunden, die wiederum mit einem Zeilendecoder 18 verbunden
ist.
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An
die anderen Enden der oben erwähnten Speicherzellen
Mc9 bis MC12 sind jeweils Verdrahtungsleitungen L2 bis L8 verbunden.
An jeweils eines der Enden der Verdrahtungsleitungen L5 bis L8 ist ein
Einschreibe-Bitleitungstreiber
bzw. Absenker 19 verbunden. Die anderen Enden der Verdrahtungsleitungen
L5 bis L8 sind jeweils über
jeweilige Wortleitungs-Auswahltransistoren WS5 bis WS8 an einen Einschreibe-Bitleitungstreiber
bzw. Absenker und Auslese-Wortleitungstreiber 20 verbunden.
Zudem sind Gate- Anschlüsse der
Wortleitungs-Auswahltransistoren WS5 bis WS8 jeweils an den Zeilendecoder 18 verbunden.
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Wieder
in ähnlicher
Weise sind jeweils ein Ende der Kreuzungspunktspeicherzellen MC13
bis MC16, die jeweils ein MTJ-Element umfassen, an eine Unter-Bitleitung
SBL4 verbunden, die ein gemeinsamer Knoten ist. Die Unter-Bitleitung SBL4 ist an
die Haupt-Bitleitung MBL2 über
einen Auswahl-MOS-Transistor SG4 verbunden, der als ein Schalter
dient. An einen Gate-Anschluss des Auswahl-MOS-Transistors SG4 ist
die Signalleitung SS2 verbunden. An die anderen Enden jener Speicherzellen
MC13 bis MC16 sind die oben erwähnten
Verdrahtungsleitungen L5 bis L8 jeweils verbunden.
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Zudem
ist unterhalb der oben erwähnten Speicherzellen
Mc1 bis MC4 und MC9 bis MC12 eine Einschreibe-Bitleitung WWL1 angeordnet.
An einem Ende der Einschreibe-Bitleitung WWL1 ist ein Einschreibe-Wortleitungstreiber 21 angeschlossen
und an das andere Ende davon ein Einschreibe-Wortleitungsabsenker 22.
Zudem ist unterhalb der oben erwähnten
Speicherzellen MC5 bis MC8 und MC13 bis MC16 eine Einschreibe-Wortleitung
WWL2 angeordnet. An ein Ende der Einschreibe-Wortleitung WWL2 ist
der Einschreibe-Wortleitungstreiber 21 verbunden und an
das andere Ende davon der Einschreibe-Wortleitungsabsenker 22.
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Obwohl 5 die
Speicherzellen MC1 bis MC16 als ein Beispiel zeigt, sind in einem
tatsächlichen
MRAM die Speicherzellen integriert und in geeigneter Weise zweidimensional
angeordnet. Zudem, obwohl das Beispiel eine 4-Bit-Speicherzelle verbunden
mit jeder der aufgeteilten Unter-Bitleitungen SBL1 bis SBL4 zeigt,
kann die Anzahl von Bits jeder zu verbindenden Speicherzelle auch
in geeigneter Weise geändert
werden einschließlich
beispielsweise vier, acht oder irgendeiner anderen Zahl von Bits.
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Das
Folgende wird die Ausleseoperationen des MRAM gemäß der ersten
Ausführungsform
unter Bezugnahme auf 5 beschreiben.
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Es
wird hier angenommen, dass in der Speicherzelle MC1 gespeicherte
Information ausgelesen wird. Zuerst wird die Verdrahtungsleitung
L1 selektiv auf einen niedrigen Spannungspegel durch den Zeilendecoder 11 festgelegt.
Zudem wird an die Signalleitung SS1 ein hoher Pegel durch den Zeilendecoder 11 angelegt,
um den Auswahl-MOS-Transistor SG1 zwischen der Unter-Bitleitung
SBL1 und der Haupt-Bitleitung MBL1 EINzuschalten. Daneben wird die
Signalleitung SC1 mit dem Hoch-Pegel durch den Spaltendecoder und
den Spaltenauswahl-Leitungstreiber 15 versorgt, um das
Spaltenschaltung-Gate CG1 zwischen der Haupt-Bitleitung MGL1 und
dem Leseverstärker 12 EINzuschalten.
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Auf
solche Weise wird selektiv ein Strom von der Haupt-Bitleitung MBL1 zu
der Verdrahtungsleitung L1 (Auslese-Wortleitung RWL1) über den Auswahl-MOS-Transistor
SG1 zwischen der Unter-Bitleitung SBL1 und der Hauptbitleitung MBL1
fließen
lassen. Dies verursacht, dass die in der ausgewählten Speicherzelle MC1 gespeicherte
Information in der Haupt-Bitleitung MBL1 zu dem Leseverstärker 12 ausgelesen
wird. Zudem wird die zu dem Leseverstärker 12 ausgelesene
Information gelesen und verstärkt,
um sie hierdurch auszugeben. Demnach funktioniert beim Auslesen
die Schreibleitung L1 als Auslese-Wortleitung RWL.
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Als
Nächstes
wird das Einschreiben in das MRAM gemäß der oben erwähnten ersten
Ausführungsform
unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. 6 ist
ein Schaltungsdiagramm, das das Einschreiben in das MRAM gemäß der oben
erwähnten ersten
Ausführungsform
zeigt.
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Es
wird hier angenommen, dass Information in die Speicherzelle MC1
geschrieben wird. In der Schreiboperation wird die Haupt-Bitleitung
MBL1 nicht verwendet, so dass die Signalleitung SS1 mit dem Niedrig-Pegel
durch den Zeilendecoder 11 versorgt wird, um den Auswahl-MOS-Transistor SG1 zwischen
der Haupt-Bitleitung MBL1 und der Unter-Bitleitung SBL1 nicht-leitend zu machen.
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In
diesem Zustand wird durch Fließenlassen eines
Stroms durch die Schreib-Wortleitung WWL1, die in derselben Richtung
angeordnet ist wie die Haupt-Bitleitung MBL1, ein Magnetfeld in
einer Richtung erzeugt, die den Zeilendecoder 11 und den
Bitleitungstreiber bzw. Absenker 13 in der Figur miteinander
verbindet, das heißt,
einer Richtung, die rechtwinklig zu der Schreib-Wortleitung WWL1
ist. Um den Strom durch die Schreib-Wortleitung WWL1 fließen zu lassen,
ist an einem Ende davon der Schreib-Wortleitungstreiber 21 angeordnet
und am anderen Ende davon der Schreib-Wortleitungsabsenker 22.
In der vorliegenden Ausführungsform
wird der Strom in einer Richtung von dem Wortleitungstreiber 21 zu
dem Wortleitungsabsenker 22 fließen gelassen.
-
Zudem
wird, um zweiaxiales Einschreiben auszuführen, ein Strom auch durch
die Schreibleitung L1 fließen
gelassen, die gegenüber
der Unter-Bitleitung SBL1 angeordnet ist in Bezug auf die Speicherzelle
MC1, um ein Magnetfeld in einer Richtung zu erzeugen, die die Wortleitungstreiber 21 und den
Wortleitungsabsenker 22 in der Figur miteinander verbindet,
das heißt,
einer Richtung, die parallel zu der Schreib-Wortleitung WWL1 ist. In Übereinstimmung
mit der Information, die in die Richtung, in der der Strom durch
die Verdrahtungsleitung L1 fließen
gelassen wird, einzuschreiben ist, muss die Richtung einer Magnetdomäne einer
FREE-Schicht in einem MTJ-Element, das die Speicherzelle MC1 bildet,
gesteuert werden, um den Widerstandswert des MTJ-Elements zu ändern. Zu
diesem Zweck sind an einem Ende und dem anderen Ende der Verdrahtungsleitung
L1 die Bitleitungstreiber bzw. Absenker 13 und die Bitleitungstreiber
bzw. Absenker 14 jeweils so angeordnet, dass ein Strom
bidirektional zwischen dem Schreibleitungstreiber bzw. Absenker 13 und
dem Schreibleitungstreiber bzw. Absenker 14 fließen kann.
Auf solche Weise funktioniert die Schreibleitung L1 als Schreib- Bitleitung WBL1,
die Information, die in dem Schreibmodus geschrieben werden soll,
bestimmt.
-
Eine
Querschnittsansicht des Speicherzellenabschnitts in dem MRAM der
vorliegenden ersten Ausführungsform
wird in 7 gezeigt. Wie in 7 gezeigt,
sind auf einem Halbleitersubstrat 31 Source- bwz. Drain-Diffusionsschichten 32A, 32B und 32C des
Auswahl-MOS-Transistors SG1 als voneinander isoliert ausgebildet.
Auf der Diffusionsschicht 22B ist ein Kontaktzapfen 34 als
in einem Isolationsfilm 33 vergraben ausgebildet, auf welchem
Kontaktzapfen 34 die Unter-Bitleitung SBL1 ausgebildet
ist.
-
Auf
der Unter-Bitleitung SBL1 sind MTJ-Elemente von MTJ1, MTJ2, MTJ3
und MTJ4 ausgebildet, die nach oben in einer Richtung einer PIN-Schicht,
einer Isolationsschicht und einer FREE-Schicht gestapelt sind. Zudem
sind auf jenen MTJ-Elementen
von dem MTJ1 bis MTJ4 die Verdrahtungsleitungen L1 bis L4 jeweils
ausgebildet.
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Zwischen
den Diffusionsschichten 32A und 32B und zwischen
den Diffusionsschichten 32B und 32C ist das Gate
(Signalleitung SS1) des Auswahl-MOS-Transistors SG1 ausgebildet.
Diese Diffusionsschichten 32A, 32B, und 32C und
die Signalleitung SS1 umfassen den Auswahl-MOS-Transistor SG1.
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Auf
jenen Diffusionsschichten 32A und 32C ist ein
Kontaktzapfen 35 ausgebildet. Auf diesen Kontaktzapfen 35 ist
die Haupt-Bitleitung MBL1 ausgebildet. Zudem ist oberhalb der Haupt-Bitleitung
MBL1 die Schreib-Wortleitung WWL1 über den Isolationsfilm 33 ausgebildet.
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In
einer in 7 gezeigten Querschnittsstruktur
ist die Schreib-Wortleitung WWL1 eine Verdrahtungsleitung, die zum
Erzeugen eines Magnetfelds in einer Hartachsenrichtung einer FREE-Schicht
in den MTJ-Elementen von MTJ1 bis MTJ4 vorgesehen ist. Zudem ist
die Verdrahtungsleitung L1 vorgesehen zum Erzeugen eines Magnetfelds
in einer Leicht- Achsenrichtung
der FREE-Schicht in den MTJ-Elementen von MTJ1 bis MTJ4, die als
Auslese-Wortleitung RWL1 oder Schreib-Bitleitung WBL1 funktioniert. Das heißt, die Schreibleitung
L1 dient als Wortleitung, welche als Wortleitung funktioniert zum
Auswählen
einer Speicherzelle im Lesemodus und als eine Bitleitung zum Steuern
von in dem Schreibmodus zu schreibender Information. In ähnlicher
Weise funktionieren die Verdrahtungsleitungen L2 bis L4 jeweils
als Lesewortleitung RWL2 oder Schreib-Bitleitung WBL2, die Lese-Wortleitung RWL3
oder die Schreib-Bitleitung WBL3, oder die Lese-Wortleitung RWL4
oder die Schreib-Bitleitung WBL4.
-
Wie
oben beschrieben, wird in der ersten Ausführungsform die Verdrahtungsleitung,
die gegenüber
der Unter-Bitleitung (der aufgeteilten Bitleitung) angeordnet ist
in Bezug auf das MTJ-Element, veranlasst,
als Wortleitung im Lesemodus und als Bitleitung im Schreibmodus
zu funktionieren. Auf solche Weise ist es möglich, eine solche Konfiguration vorzusehen,
dass die Schreib-Bitleitung WBL1, die die Rolle des Erzeugens zweier
Magnetfelder mit unterschiedlichen Richtungen hat, um die Ausrichtung einer
FREE-Schicht des MTJ-Elementes zu bestimmen, physikalisch mit dem
MTJ-Element von MTJ1 in der Speicherzelle MC1 verbunden ist, was
bei dem konventionellen MRAM unmöglich
gewesen ist.
-
Es
ist demnach möglich,
eine Verringerung der Intensität
des Leicht-Achsenrichtungs-Schreibmagnetfeldes, das an das MTJ-Element angelegt wird,
zu vermeiden, welches ein Schlüssel
für die
Informationsspeicherung ist.
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Zweite Ausführungsform
-
Das
Folgende wird ein MRAM in Übereinstimmung
mit einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung beschreiben.
-
8 ist
ein Schaltungsdiagramm, das eine Konfiguration des MRAM in Übereinstimmung
mit der zweiten Ausführungsform
zeigt. Die zweite Ausführungsform
unterscheidet sich von der oben erwähnten in 1 gezeigten
Ausführungsform
dahingehend, dass im Gegensatz zu der ersten Ausführungsform,
in der Ein-Bit-Information in einer Speicherzelle gespeichert wird,
in der zweiten Ausführungsform Ein-Bit-Information
in zwei Speicherzellen gespeichert wird (das heißt, Zwei-Bit/Zelle-System). Die Komponenten der
zweiten Ausführungsform,
die ähnlich
jenen der oben erwähnten
ersten Ausführungsform
sind, sind durch dieselben Bezugszeichen gekennzeichnet und ihre
Erläuterung
wird weggelassen, um nur die unterschiedlichen Komponenten nachstehend
zu beschreiben.
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Wie
in 8 gezeigt, ist an Gate-Anschlüsse von Spalten-Gate-Schaltungen
CG1 und CG2 eine Signalleitung SC1 gemeinsam verbunden. Die anderen
Komponenten sind dieselben wie jene in der oben erwähnten Ausführungsform.
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Das
MRAM der vorliegenden zweiten Ausführungsform arbeitet folgendermaßen.
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In
dem Lesemodus werden Signalleitungen SS1 und SC1 angetrieben auf
den hohen Spannungspegel, um Auswahl-MOS-Transistoren SG1 und SG2 und die Spalten-Gate-Schaltungen
CG1 und CG2 EINzuschalten. Zudem wird ein Wortleitungs-Auswahltransistor
WS1 t durch einen Zeilendecoder 11 EINgeschalte. Dann wird
eine Auslese-Wortleitung RWL1 (Verdrahtungsleitung L1) durch einen
Auslese-Wortleitungstreiber 14 auf
den niedrigen Spannungspegel angetrieben. Demnach werden Daten,
die in Speicherzellen MT1 und MT5 gespeichert sind, in denen zwei
komplementäre
Datenbits geschrieben sind, zu einem Haupt-Bitleitungspaar (MBL1/MBL2) über Unter-Bitleitungen
SBL1 und SBL2 gelesen.
-
Die
derart zu dem Haupt-Bitleitungspaar ausgelesenen Daten werden unverändert als
komplementäre
Daten zu einem Leseverstärker
(S/A) 12 über
die Spalten-Gate-Schaltungen CG1 und CG2 übermittelt. Zudem werden die
derart übermittelten komplementären Daten
durch den Leseverstärker 12 gelesen
und verstärkt
und ausgelesen beispielsweise zu einer Außenseite eines Chips.
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Im
Schreibmodus werden andererseits, wie in 9A und 9B zwei
Schreiboperationen benötigt.
Die ist, weil es notwendig ist, zueinander komplementäre Datenwerte
in jeweils zwei Bits von Speicherzellen MC1 und MC2 zu schreiben,
die auszuwählen
sind von jenen, die mit einer Schreib-Bitleitung WBL1 verbunden
sind durch Fließenlassen
von Strömen
mit unterschiedlichen Richtungen durch die Schreib-Bitleitung WBL1.
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In
einem ersten Einschreibezyklus, der in 9A gezeigt
ist, wird ein Strom durch die Schreib-Bitleitung WBL1 in einer Richtung
von einem Bitleitungstreiber bzw. Absenker 14 zu einem
Bitleitungstreiber bzw. Absenker 13 fließen gelassen
und auch durch eine Schreib-Wortleitung WWL1. Demnach wird das Einschreiben
(Zweiachsen-Einschreiben) in die Speicherzelle MC1 abgeschlossen.
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Daraufhin
wird in einem zweiten, in 9B gezeigten
Schreibzyklus ein Strom, der durch die Schreib-Bitleitung WBL1 fließen gelassen
wird, umgeschaltet wird, in einer Richtung von dem Bitleitungstreiber
bzw. Absenker 13 zu dem Bitleitungstreiber bzw. Absenker 14,
während
gleichzeitig ein Strom durch eine Schreib-Wortleitung WWL2 anstelle
der Einschreibe-Wortleitung WWL1 fließen gelassen wird. Demnach
wird das Schreiben in die Speicherzelle MC2 abgeschlossen. Auf solche
Weise werden zwei Schreibzyklen verwendet zum Schreiben von komplementären Datenwerten
in die Speicherzellen MC1 bzw. MC2.
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Wie
oben beschrieben, wird in der zweiten Ausführungsform, selbst in dem Fall
eines Zwei-Zellen/Bit-Systems, von dem Ein-Bit-Daten in zwei Speicherzellen
gespeichert werden, eine Schreibleitung, die gegenüber einer
Unter-Bitleitung (aufgeteilter Bitleitung) angeordnet ist in Bezug
auf ein MTJ-Element, veranlasst, als eine Wortleitung im Lesemodus und
als eine Bitleitung im Schreibmodus zu arbeiten.
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Auf
solche Weise ist es möglich,
eine solche Konfiguration bereitzustellen, dass die Schreib-Bitleitung
WBL1, die eine Rolle des Erzeugens von zwei Magnetfeldern in unterschiedlichen
Richtungen hat, um die Ausrichtung einer FREE-Schicht des MTJ-Elementes
zu bestimmen, physikalisch mit dem MTJ-Element von MTJ1 in der Speicherzelle
MC1 verbunden werden kann, was mit dem konventionellen MRAM unmöglich gewesen
ist. Es ist demnach möglich,
eine Abnahme der Intensität
des an die MTJ-Elemente angelegten Leicht-Achsenrichtung-Schreibmagnetfeldes zu
vermeiden, welches ein Schlüssel
für das
Informationsspeichern ist.
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Dritte Ausführungsform
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Das
Folgende wird ein MRAM gemäß einer dritten
Ausführungsform
der Erfindung beschreiben.
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10 ist
ein Schaltungsdiagramm, welches eine Konfiguration des MRAM gemäß der dritten Ausführungsform
zeigt. Gegenüber
der oben erwähnten
zweiten Ausführungsform,
in der zwei Schreibzyklen erforderlich sind zum Schreiben von Komplementärdaten kann
durch diese dritte Ausführungsform
das Schreiben von Komplementärdaten
in einem Zyklus abgeschlossen werden.
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Gegenüber der
oben erwähnten
zweiten Ausführungsform,
in der eine Signalleitung SS1 mit Gate-Anschlüssen von Auswahl-MOS-Transistoren SG1
und SG2 verbunden ist, ist in der dritten Ausführungsform die Signalleitung
SS1 mit Gate-Anschlüssen
der Auswahl-MOS-Transistoren SG1 und SG3 verbunden. Zudem ist in
Kontrast zu der oben erwähnten
zweiten Ausführungsform,
in der ein Ende des Strompfades des Auswahl-MOS-Transistors SG3
mit einer Haupt-Bitleitung MBL1 verbunden ist und ein Ende des Strompfades
eines Auswahl-MOS-Transistors SG4 mit einer Haupt-Bitleitung MBL2
verbunden ist, in der dritten Ausführungsform ein Ende des Strompfades
des Auswahl-MOS-Transistors
SG3 mit der Haupt-Bitleitung MBL2 verbunden und ein Ende des Strompfades
des Auswahl-MOS-Transistors SG4 ist mit der Haupt-Bitleitung MBL1
verbunden. Die Komponenten der dritten Ausführungsform, die ähnlich jenen
der oben erwähnten
zweiten Ausführungsform
sind, sind durch dieselben Bezugszeichen gekennzeichnet und ihre Erläuterung
wird weggelassen, um nur die unterschiedlichen Komponenten nachstehend
zu beschreiben.
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Das
Folgende wird das Auslesen aus dem MRAM der dritten Ausführungsform
in Bezug auf 10 beschreiben. Es wird hier
angenommen, das in Speicherzellen MC1 und MC9 gespeicherte Information
ausgelesen wird.
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Zuerst
wird zum jeweiligen selektiven Verbinden von die Speicherzellen
MC1 und MC9 einschließenden
Unter-Bitleitung SBL1 und SB3 mit den Haupt-Bitleitungen MBL1 und
MBL2 das Signal SS1 auf den hohen Spannungspegel angetrieben, um
die Auswahl-MOS-Transistoren SG1 und SG3 jeweils EINzuschalten.
Auch wird eine Signalleitung SC1 auf den hohen Spannungspegel, um
die Spalten-Gate-Schaltungen CG1 und CG2 EIN zu schalen. Zudem wird
ein Wortleitungs-Auswahltransistor WS1 durch einen Zeilendecoder 11 EINgeschaltet, während ein
Wortleitungs-Auswahltransistor WS5 durch einen Zeilendecoder 18 EINgeschaltet
wird. Dann werden zwei jeweils eine der Speicherzellen MC1 bzw.
MC9, auf die zuzugreifen ist, einschließende Auslese-Wortleitungen
RWL1 (Verdrahtungsleitung L1) bzw. RWL5 (Verdrahtungsleitung L5)
auf den niedrigen Spannungspegel festgelegt.
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Auf
solche Weise werden in den beiden Speicherzellen MC1 und MC9, die
auf derselben Schreib-Wortleitung WWL1 angeordnet sind, gespeicherte
Informationen zu dem Haupt-Bitleitungspaar MBL1 und MBL2 über die
Unter-Bitleitungen SBL1 bzw. SBL3 jeweils ausgelesen. In diesem
Fall wird wie oben beschrieben, durch Verbinden der Unter-Bitleitung
SBL1 mit der Haupt-Bitleitung
MBL1 und Verbinden der Unter-Bitleitung SBL3 mit der Haupt-Bitleitung
MBL2 das Kollidieren von zwei in den Speicherzellen gespeicherten
Datenbits miteinander auf dem Haupt-Bitleitungspaar von MBL1 und MBL2
vermieden.
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Danach
werden wie in dem Fall der zweiten Ausführungsform, die aus dem Haupt-Bitleitungspaar ausgelesenen
Daten unverändert
als Komplementärdaten
zu dem Leseverstärker
(S/A) übermittelt.
Zudem werden derart übermittelte
Daten durch den Leseverstärker 12 gelesen
und verstärkt
und ausgelesen beispielsweise nach außerhalb eines Chips.
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Das
Folgende wird die Einschreibe-Operationen in das MRAM der dritten
Ausführungsform
in Bezug auf 11 beschreiben. 11 ist
ein Schaltungsdiagramm, welches das Einschreiben in das MRAM der
dritten Ausführungsform
zeigt.
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Im
Folgenden wird ein Fall, in dem Komplementärdaten in die Speicherzellen
MC1 und MC9 eingeschrieben werden, beschrieben. Wie in 11 gezeigt,
sind Einschreibe-Bitleitungen
WBL1 und WBL5 für
die auszuwählenden
Speicherzellen MC1 und MC9 unabhängig
voneinander aufgeteilt, wobei die Schreib-Wortleitung WWL1 gemeinsam
für sie
ist.
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In
dieser Konfiguration wird beispielsweise ein Strom durch die Schreib-Wortleitung
WWL1 in einer Richtung fließen
gelassen von einem Schreib-Wortleitungstreiber 21 zu einem Schreib-Wortleitungsabsenker 22.
Gleichzeitig wird ein Strom durch die Schreib-Bitleitung WBL1 in
einer Richtung von einem Bitleitungstreiber/Absenker 14 zu
einem Bitleitungstreiber/Absenker 13 fließen gelassen,
während
ein Strom durch die Schreib-Bitleitung WBL5 in einer Richtung von
einem Bitleitungstreiber bzw. Absenker 19 zu einem Bitleitungsreiber bzw.
Absenker 20 fließen
gelassen wird. Es ist demnach möglich,
dass Schreiben von zwei Komplementärdatenbits in die jeweiligen
Speicherzellen MC1 und MC9 in einem Schreibzyklus abzuschließen.
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In
der dritten Ausführungsform
ist es durch Adressieren zweier Bits von Speicherzellen, die bei Verbindungspunkten von
einer solchen gemeinsamen Schreib-Wortleitung WWL und den voneinander unabhängigen Schreib-Bitleitungen
WBL1 und WBL5 jeweils angeordnet sind als ein Speicherzellenpaar, das
Komplementärdaten
speichert, möglich,
Komplementärdatenwerte
in zwei Speicherzellen in einer Schreiboperation zu schreiben.
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Als
Nächstes
werden Entwürfe
von Speicherzellenabschnitten in dem MRAM der dritten Ausführungsform
in 12 und 13 gezeigt. 12 ist
eine Draufsicht, die hauptsächlich
die Speicherzellen MC1 bis MC16 einschließlich MTJ-Elementen von MTJ1
bis MTJ16 jeweils zeigt, und 13 eine Draufsicht,
die hauptsächlich
die Auswahl-MOS-Transistoren SG1 bis SG4 zeigt.
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Wie
in 12 gezeigt, sind die MTJ-Elemente von MTJ1 bis
MTJ16 integriert und zweidimensional angeordnet. Darüber hinaus
ist die Unter-Bitleitung SBL1 angeordnet, die eine Schreibleitung
ist gemeinsam mit den MTJ-Elementen von MTJ1 bis MTJ4, die vier
Bits aufnehmen. In ähnlicher
Weise ist die Unter-Bitleitung SBL2 angeordnet, die eine Schreibleitung
ist gemeinsam für
die MTJ-Elemente von MTJ5 bis MTJ8, die Unter-Bitleitung SBL3 ist angeordnet, die
eine Schreibleitung ist gemeinsam für die MTJ-Elemente MTJ9 bis
MTJ12, und die Unter-Bitleitung
SBL4 ist angeordnet, die eine Schreibleitung gemeinsam für die MTJ-Elemente
von MTJ13 bis MTJ16 ist.
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Oberhalb
der MTJ-Elemente von MTJ1 und MTJ5 ist die Schreibleitung L1 damit
verbunden angeordnet. In ähnlicher
Weise sind oberhalb der MTJ-Elemente von MTJ2 und MTJ6 eine Schreibleitung
2 angeordnet und oberhalb der MTJ-Elemente von MTJ3 und MTJ7 eine
Schreibleitung L3 angeordnet und oberhalb der MTJ-Elemente von MTJ4
und MTJ8 eine Schreibleitung L4 angeordnet. Darüber hinaus ist oberhalb der
MTJ-Elemente von MTJ9 und MTJ13 eine Schreibleitung L5 angeordnet,
oberhalb der MTJ-Elemente von MTJ10 und MTJ14 ist eine Schreibleitung
L6 angeordnet, oberhalb der MTJ-Elemente von MTJ11 und MTJ15 ist
eine Schreibleitung L7 angeordnet und oberhalb der MTJ- Elemente von MTJ12
und MTJ16 ist eine Schreibleitung L8 angeordnet. Diese Schreibleitungen
L1 bis L8 funktionieren als Lese-Wortleitung in dem Lesemodus und
als Schreib-Bitleitung
in dem Schreibmodus.
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Zudem
ist die Schreib-Wortleitung WWL1 parallel zu den Unter-Bitleitungen SBL1
und SBL3 jeweils unterhalb der MTJ-Elemente von MTJ1 bis MTJ4 und
der MTJ-Elemente von MTJ9 bis MTJ12 angeordnet. Eine Schreib-Wortleitung
WWL2 ist parallel zu den Unter-Bitleitungen SBL2 und SBL4 unterhalb
der MTJ-Elemente von MTJ5 bis MTJ8 und der MTJ-Elemente von MTJ13
bis MTJ16 jeweils angeordnet.
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Die
Unter-Bitleitung SBL1 ist über
einen Kontaktzapfen CP1, der zwischen den Schreibleitungen L1 und
L2 angeordnet ist, mit einer Source- bzw. Drain-Diffusionsschicht 32B des
in 13 gezeigten Auswahl-MOS-Transistors SG1 verbunden.
Die Unter-Bitleitung SBL2 ist über
einen Kontaktzapfen CP2, der zwischen den Schreibleitungen L3 und
L4 angeordnet ist, mit der Source- bzw. Drain-Diffusion 32B des
Auswahl-MOS-Transistors
SG2 verbunden. Die Unter-Bitleitung SBL3 ist über einen zwischen den Schreibleitungen
L5 und L6 angeordneten Kontaktzapfen CP3 mit der Source- bzw. Drain-Diffusion 32B der
Auswahl-MOS-Transistoren SG3 verbunden. Zudem ist die Unter-Bitleitung
SBL4 über
einen Kontaktzapfen CP4, der zwischen den Verdrahtungsleitungen
L7 und L8 angeordnet ist, mit der Source- bzw. Drain-Diffusion 32B des
Auswahl-MOS-Transistors
SG4 verbunden.
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In
jeder der Regionen der Auswahl-MOS-Transistoren SG1 bis SG4 sind
Diffusionsschichten 32A und 32C getrennt von der
Diffusionsschicht 32B angeordnet. Die Signalleitung SS1, die
ein Gate ist, ist zwischen den Diffusionsschichten 32A und 32B angeordnet
und zwischen den Diffusionsschichten 32B und 32C jedes
der Auswahl-MOS-Transistoren SG1 und SG3. Zudem ist eine Signalleitung
FS5, die ein Gate ist, zwischen den Diffusionsschichten 32A und 32B und
zwischen den Diffusionsschichten 32B und 32C jedes
der Auswahl-MOS-Transistoren
SG2 und SG4 verbunden.
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Die
Haupt-Bitleitung MBL1 ist über
einen Kontaktzapfen CP5 mit den Diffusionsschichten 32A und 32C jedes
der Auswahl-MOS-Transistoren
SG1 und SG4 verbunden. Zudem ist die Haupt-Bitleitung MBL2 über den Kontaktzapfen CP5 an
die Diffusionsschichten 32A und 32C jedes der
Auswahl-MOS-Transistoren
SG2 und SG3 verbunden.
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Es
ist darauf hinzuweisen, dass durch Trennen einer Region, in der
die MTJ-Elemente, die vier Bits aufnehmen, welche mit derselben
Unter-Bitleitung verbunden sind, angeordnet sind und einer Region,
in der die Auswahl-MOS-Transistoren wie in 12 und 13 gezeigt,
angeordnet sind, voneinander, es möglich ist, den Freiheitsgrad
der Zwischenverbindung von Auswahl-MOS-Transistoren und der Haupt-Bitleitung
zu erhöhen.
Als ein Ergebnis ist es möglich,
das andere Ende der Diffusionsschicht des Auswahl-MOS-Transistors
zu jedem der Haupt-Bitleitungspaare zu verbinden, hierdurch die Unter-Bitleitung mit der
Haupt-Bitleitung auf solche Weise verbindend, dass die sich schneiden
können, ohne
eine neue Verdrahtungsleitungsschicht einzuführen, wie in 12 und 13 gezeigt.
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Zudem
ist es auch möglich,
eine Verdrahtung derart zu implementieren, wie in 12 und 13 gezeigt,
durch abwechselndes Verdrahten der beiden Signalleitungen SS1 und
SS5, die eine Gate-Verdrahtungsleitung des Auswahl-MOS-Transistors sind.
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Als
Nächstes
wird eine Querschnittsstruktur eines Speicherzellenabschnitts in
dem MRAM der dritten Ausführungsform
in 14 gezeigt.
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Wie
in 14 gezeigt, sind auf einem Halbleitersubstrat 31 Source-
bzw. Drain-Diffusionsschichten 32A, 32B und 32C der
Auswahl-MOS-Transistoren SG1 und SG5 voneinander isoliert ausgebildet.
Auf der Diffusionsschicht 32B sind die Kontaktzapfen CP1
und CP2 als in einem Isolationsfilm 33 vergraben ausgebildet.
Auf dem Kontaktzapfen CP1 ist die Unter-Bitleitung SBL1 ausgebildet.
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Auf
dieser Unter-Bitleitung SBL1 sind die MTJ-Elemente von MTJ1, MT2,
MTJ3 und MTJ4, die aufwärts
in einer Reihenfolge einer PIN-Schicht, einer Isolationsschicht
und einer FREE-Schicht
gestapelt sind, ausgebildet. Zudem sind auf jenen MTJ-Elementen
von dem MTJ1 bis MTJ4 die Verdrahtungsleitungen L1 bis L4 jeweils
ausgebildet.
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Über den
Kanalregionen zwischen den Diffusionsschichten 32A und 32B und
zwischen den Diffusionsschichten 32B und 32C sind
das Gate (Signalleitung SS1) des Auswahl-MOS-Transistors SG1, oder
das Gate (Signalleitung SS5) des Auswahl-MOS-Transistors SG2 ausgebildet.
Diese Diffusionsschichten 32A, 32B und 32C und
die Signalleitung SS1 umfassen den Auswahl-MOS-Transistor SG1, während die
Diffusionsschichten 32A und 32B und 32C und
die Signalleitung SS5 den Auswahl-MOS-Transistor SG2 umfassen.
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Auf
jenen Diffusionsschichten 32A und 32C ist der
Kontaktzapfen CP5 ausgebildet. Auf diesem Kontaktzapfen CP5 ist
die Haupt-Bitleitung MBL1 oder eine nicht gezeigte MBL5 ausgebildet.
Zudem ist oberhalb der Haupt-Bitleitung MBL1 die Schreib-Wortleitung
WWL1 über
der Isolationsschicht 33 ausgebildet.
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Wie
oben beschrieben, wird in der dritten Ausführungsform, wie in dem Fall
der oben erwähnten
zweiten Ausführungsform,
in dem Fall eines Zwei-Zellen-/Bit-Systems, von dem Ein-Bitdaten in zwei
Speicherzellen gespeichert werden, eine Verdrahtungsleitung, die
gegenüber
einer Unter-Bitleitung (aufgeteilten Bitleitung) angeordnet ist
in Bezug auf ein MTJ-Element, veranlasst, als eine Wortleitung im
Lesemodus zu funktionieren und als eine Bitleitung im Schreibmodus.
Auf solche Weise ist es möglich,
eine solche Konfiguration bereitzustellen, dass die Schreib-Bitleitung
WBL1, die eine Rolle des Erzeugens von zwei Magnetfeldern mit unterschiedlichen
Richtungen hat, um die Ausrichtung einer FREE-Schicht des MTJ-Elementes
zu bestimmen, physikalisch mit dem MTJ-Element von MTJ1 in der Speicherzelle
MC1 verbunden sein kann, was mit dem konventionellen MRAM unmöglich war.
Es ist demnach möglich,
ein Verringern der Intensität
des an die MTJ-Elemente angelegten Leicht-Achsenrichtungs-Schreibmagnetfeldes
zu vermeiden, welches ein Schlüssel
zur Informationsspeicherung ist. Zudem kann durch Abschließen des
Einschreibens von Komplementärdaten
in einem Schreibzyklus in dem Fall des Zwei-Zellen-Bit-Systems die
Schreibgeschwindigkeit erhöht
werden.
-
Durch
die Ausführungsform
der Erfindung wird in einem Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs, der
eine Kreuzungspunktspeicherzelle verwendet und eine Unter-Bitleitungskonstruktion
bzw. aufgeteilte Bitleitungskonstruktion, ein Ende der Speicherzelle
mit der Unter-Bitleitung verbunden werden und das andere Ende davon
mit mehreren Schreibleitungsschichten, die voneinander unabhängig getrennt
sind. Diese Schreibleitungsschichten sind konfiguriert, um als Lese-Wortleitung
in dem Speicherzellenauslesemodus zu agieren und als Schreib-Bitleitung in dem
Speicherzelleneinschreibmodus. Demnach ist es möglich, eine solche Konfiguration bereitzustellen,
dass die Schreib-Bitleitung, die eine Rolle des Erzeugens zweier
Magnetfelder mit unterschiedlichen Richtungen hat, um die Ausrichtung
einer FREE-Schicht des MTJ-Elementes zu bestimmen, physikalisch
mit dem MTJ-Element verbunden ist. Als ein Ergebnis ist es möglich, eine
Verringerung der Intensität
des Leicht-Achsenrichtungs-Schreibmagnetfeldes zu vermeiden, das
an die MTJ-Elemente angelegt wird, was ein Schlüssel für die Informationsspeicherung
ist, hierdurch ein MRAM mit geringer Leistungsverschwendung implementierend.
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Zudem
sind in dem Fall eines Zwei-Zellen/Bit-Systems, von dem zwei Speicherzellen
verwendet werden zum Speichern jeweiliger Ein-Bitdaten, mindestens
jeweilige zwei mit einem Haupt-Bitleitungspaar
verbundene Unter-Bitleitungen auf derselben Schreib-Wortleitung
in der Konfiguration angeordnet. Demnach ist es möglich, einen Schreibstrom
zu verringern und auch, gleichzeitiges Einschreiben in die beiden
Speicherzellen zu realisieren, die der Ein-Bit-Information entsprechen.
In Übereinstimmung
hiermit ist es möglich,
einen Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs geringer Leistungsverschwendung
zu implementieren, der zu Hochgeschwindigkeitsschreib-Operationen befähigt ist.
-
Wie
oben beschrieben, ist es durch die Ausführungsformen der Erfindung
durch Querverbinden einer Schreib-Bitleitung und eines MTJ-Elementes möglich, einen
Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs bereitzustellen, der einen Bitleitungsstrom
reduzieren kann, um die Energievergeudung zu reduzieren.
-
Es
ist zu bemerken, dass die oben erwähnten Ausführungsformen nicht nur unabhängig voneinander
implementiert werden könne,
sondern auch in Kombination. Zudem haben die oben erwähnten Ausführungsformen
eine Vielfalt von Stufen der Erfindung, so dass diese Stufen durch
geeignetes Kombinieren der Vielzahl von Komponenten, die in diesen Ausführungsformen
offenbart sind, extrahiert werden können.