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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Oberflächenwellenfilterbauelemente,
die als Bandpassfilter verwendet werden, in Mobiltelefonen und anderen
Elektronikvorrichtungen. Insbesondere bezieht sich die vorliegende
Erfindung auf Oberflächenwellenfilterbauelemente
mit einer Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion und im Wesentlichen
gleicher Eingangs- und Ausgangsimpedanz.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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In
letzter Zeit war mit der Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung
von Mobiltelefonen die Entwicklung zusammengesetzter Komponenten
mit zusammengesetzten mehreren Funktionen zusätzlich zu der Reduzierung der
Anzahlen beinhalteter Komponenten und der Miniaturisierung derselben
in Gange. Unter derartigen Umständen
wurde immer mehr Forschung betrieben, um ein Oberflächenwellenfilterbauelement,
das eine Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist,
die üblicherweise
als eine Balun-Funktion bezeichnet wird, als ein Oberflächenwellenfilterbauelement,
das in der HF-Stufe eines Mobiltelefons verwendet wird, zu erzeugen.
Ein derartiges Oberflächenwellenfilterbauelement
wird bisher in ein Mobiltelefon zur Verwendung in dem GSM-System
und anderen Mobiltelefonsystemen eingebaut.
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Die
japanische ungeprüfte
Patentanmeldung Nr. 9-205342 z. B. beschreibt ein Oberflächenwellenfilterbauelement
mit der Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion.
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18 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die die Elektrodenstruktur eines Beispiels
eines longitudinalgekoppelten Resonatortyp-Oberflächenwellenfilterbauelements,
das eine Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist,
darstellt. In einem Oberflächenwellenfilterbauelement 100 sind eine
Eingangsimpedanz und Ausgangsimpendanz im Wesentlichen gleich und
eine Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion ist bereitgestellt. Auf
einem piezoelektrischen Substrat sind drei Interdigitalwandler (IDTs;
IDT = interdigital transducer) 102 bis 104 entlang
einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Außerhalb
des Bereichs, in dem die IDTs 102 bis 104 angeordnet
sind, sind Reflektoren 101 und 105 entlang der
Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet. Die IDTs 102 und 104 sind üblicherweise
miteinander verbunden und sind mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 106 verbunden.
Die Kanten des IDT 103 sind mit einem ersten symmetrischen
Signalanschluss 107 bzw. einem zweiten symmetrischen Signalanschluss 108 verbunden.
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In
dem Filterbauelement, das die Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion
aufweist, müssen
in Bezug auf die Übertragungscharakteristika
innerhalb des Durchlassbandes zwischen dem unsymmetrischen Signalanschluss
und dem ersten symmetrischen Signalanschluss und die Übertragungscharakteristika
innerhalb des Durchlassbandes zwischen dem unsymmetrischen Signalanschluss
und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss, die Amplitudencharakteristika
gleich sein und eines der Filter muss um 180 Grad außer Phase in
Bezug auf das andere Filter sein. Zusätzlich müssen außerhalb des Durchlassbandes
die Amplitudencharakteristika und die Phasencharakteristika gleich sein.
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Die
Amplitudengleichheit bzw. -symmetrie und die Phasengleichheit sind
wie unten ausgedrückt,
wenn das Filterbauelement, das die Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion
aufweist, als ein Bauelement mit drei Toren betrachtet wird, wobei
z. B. ein unsymmetrischer Eingangsanschluss ein Tor 1 ist und einer
erster und ein zweiter symmetrischer Ausgangsanschluss ein Tor 2
und ein Tor 3 sind.
Amplitudengleichheit = |A|. In diesem Fall
gilt
A = |20logS21| – |20logS31|.
Phasengleichheit
= |B – 180|.
B = |⦟S21 – ⦟S31|.
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S21
stellt einen Übertragungskoeffizienten von
dem ersten Tor zu dem zweiten Tor da. S31 stellt einen Übertragungskoeffizienten
von dem ersten Tor zu dem dritten Tor da. Das Symbol A stellt die
Differenz zwischen einem Dezibel-Wert von S21 und einem Dezibel-Wert
von S31 dar.
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Idealerweise
beträgt
in dem Durchlassband des Filterbauelements die Amplitudengleichheit
0 dB und die Phasengleichheit beträgt 0 Grad. Außerhalb des
Durchlassbandes desselben beträgt
die Amplitudengleichheit 0 dB und die Phasengleichheit beträgt 180 Grad.
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In
dem in 18 gezeigten Oberflächenwellenfilterbauelement 100 jedoch
sind die Symmetrien nicht ideal und nicht ausreichend. Der Grund
hierfür ist
der, dass, da die Überbrückungskapazität zwischen
dem IDT 103 und den IDTs 102 und 104 an
jeder Seite zu dem symmetrischen Signalanschluss 107 hinzugefügt wird
und eine Kapazität
zwischen dem symmetrischen Signalanschluss 108 und einem Massepotential
eingefügt
wird, die symmetrischen Signalanschlüsse 107 und 108 unterschiedliche
parasitäre
Kapazitäten
aufweisen. So gehen aufgrund der Differenz zwischen den parasitären Kapazitäten die
Symmetrien, insbesondere die Symmetrien außerhalb des Durchlassbandes, verloren und dadurch nimmt
eine Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes ab.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Um
die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, stellen bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung ein Oberflächenwellenfilterbauelement
mit einer Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion bereit,
das derart angeordnet ist, dass die Symmetrien außerhalb
des Durchlassbandes stark verbessert werden und eine Reduzierung
einer Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes verhindert wird. Weitere bevorzugte Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung stellen eine Kommunikationsvorrichtung
bereit, die ein derartiges neuartiges Oberflächenwellenfilterbauelement
umfasst.
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung weist ein Oberflächenwellenfilterbauelement
eine gleiche Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz auf und umfasst einen
unsymmetrischen Signalanschluss, einen ersten und einen zweiten
symmetrischen Signalanschluss, 2n-1 erste
Oberflächenwellenfilter,
die zwischen den unsymmetrischen Signalanschluss und den ersten
symmetrischen Signalanschluss geschaltet sind, und 2n-1 zweite
Oberflächenwellenfilter,
die zwischen den unsymmetrischen Signalanschluss und den zweiten
symmetrischen Signalanschluss geschaltet sind, wobei n eine Ganzzahl
gleich 1 oder mehr ist. In diesem Filterbauelement ist eine der
Eingangs- und Ausgangsimpedanz jedes des ersten und zweiten Filters
etwa vier mal die andere Impedanz und die zweiten Oberflächenwellenfilter
sind um 180 Grad außer
Phase in Bezug auf die ersten Oberflächenwellenfilter.
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Zusätzlich könnte jedes
der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter
einen oder mehrere Interdigitalwandler aufweisen, die in einer Richtung
angeordnet sind, in der sich eine akustische Oberflächenwelle
ausbreitet, und zumindest einer der Interdigitalwandler könnte in
einer Breitenrichtung eines Elektrodenfingerineinandergreifens halbiert sein,
um einen ersten und einen zweiten IDT-Abschnitt zu definieren, die
in Serie zueinander geschaltet sind.
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Ferner
könnte
jedes der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter eine Struktur
aufweisen, in der ein vorläufiges
Oberflächenwellenfilter
mit im Wesentlichen einer gleichen Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz
in einer derartigen Weise aufgebaut ist, dass zumindest ein Interdigitalwandler
in einer Breitenrichtung eines Elektrodenfingerineinandergreifens
halbiert ist, um einen ersten und einen zweiten Interdigitalwandlerabschnitt
zu definieren.
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Das
vorläufige
Oberflächenwellenfilter
könnte
ein longitudinalgekoppeltes Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter sein. Zusätzlich könnte das
longitudinalgekoppelte Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter drei Interdigitalwandler
aufweisen, die in einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet sind, und ein mittlerer Interdigitalwandler oder Interdigitalwandler
an beiden Seiten könnten in
der Breitenrichtung eines Elektrodenfingerineinandergreifens halbiert
sein, um den ersten und den zweiten Interdigitalwandlerabschnitt
zu definieren.
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Ferner
könnte
jedes der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter einen oder
mehrere Interdigitalwandler aufweisen und zumindest ein Interdigitalwandler
könnte
in einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
halbiert sein, um einen ersten und einen zweiten Interdigitalwandlerabschnitt
zu definieren.
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Zusätzlich könnte jedes
der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter
eine Struktur aufweisen, bei der ein vorläufiges Oberflächenwellenfilter
mit in etwa gleicher Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz in einer
derartigen Weise aufgebaut ist, dass zumindest ein Interdigitalwandler
in einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle halbiert
ist. Obwohl das vorläufige
Oberflächenwellenfilter
nicht spezifisch bezeichnet ist, ist es vorzugs weise ein longitudinalgekoppeltes
Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter.
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Das
vorläufige
longitudinalgekoppelte Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter könnte drei
Interdigitalwandler aufweisen und ein mittlerer Interdigitalwandler
könnte
in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
halbiert sein.
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Zusätzlich könnten vorzugsweise
entweder die ersten Interdigitalwandlerabschnitte oder die zweiten
Interdigitalwandlerabschnitte mit einem Massepotential verbunden
sein. Mit dieser Anordnung ist eine der Eingangsimpedanz und der
Ausgangsimpedanz des SAW-Filters zwischen dem symmetrischen Anschluss
und dem unsymmetrischen Anschluss vorzugsweise etwa vier mal die
andere Impedanz desselben.
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Zusätzlich könnte jedes
der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter
eine Struktur aufweisen, in der ein Oberflächenwellenfilter mit einer
Mehrzahl von Interdigitialwandlern in einer derartigen Weise aufgebaut
ist, dass zumindest zwei der Interdigitalwandler in Serie geschaltet
sind.
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Zusätzlich könnte jedes
der ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter
eine Struktur aufweisen, in der ein vorläufiges Oberflächenwellenfilter
mit im Wesentlichen gleicher Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz
in einer derartigen Weise aufgebaut ist, dass zumindest zwei der
Interdigitalwandler in Serie geschaltet sind. Vorzugsweise ist ferner
das vorläufige
Oberflächenwellenfilter
ein longitudinalgekoppeltes Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter.
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In
diesem Fall könnte
das longitudinalgekoppelte Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter drei Interdigitalwandler
aufweisen und die Interdigitalwandler, die an beiden Seiten in einer
Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet sind, könnten in
Serie geschaltet sein.
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Gemäß einem
weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung umfasst eine Kommunikationsvorrichtung
das Oberflächenwellenfilterbauelement
weiterer bevorzugter Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung, das ein Bandpassfilter definiert.
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Weitere
Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter
Ausführungsbeispiele
unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen besser ersichtlich werden.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 zeigt
schematisch eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilterbauelements
gemäß einem
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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2 zeigt
schematisch eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilterbauelements,
das verwandte Technik ist, zum Vergleich mit der vorliegenden Erfindung.
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3 ist
ein Graph, der einen Amplitudengleichheitsvergleich zwischen dem
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigt.
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4 ist
ein Graph, der einen Phasengleichheitsvergleich zwischen dem ersten
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigt.
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5 ist
ein Graph, der Dämpfung-Frequenz-Charakteristika
der Oberflächenwellenfilterbauelemente
des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vor liegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigt.
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6 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine Modifizierung des Oberflächenwellenfilterbauelements
des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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7 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine weitere Modifizierung des
Oberflächenwellenfilterbauelements
des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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8 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine weitere Modifizierung des
Oberflächenwellenfilterbauelements
des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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9 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die ein Oberflächenwellenfilterbauelement
gemäß einem zweiten
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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10 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine Modifizierung des Oberflächenwellenfilterbauelements
des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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11 ist
ein Graph, der einen Amplitudengleichheitsvergleich zwischen dem
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigt.
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12 ist
ein Graph, der eine Phasengleichheitsvergleich zwischen dem zweiten
bevorzugten Ausführungsbeispiel
und der verwandten Technik zeigt.
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13 ist
ein Graph, der Dämpfung-Frequenz-Charakteristika
der Oberflächenwellenfilterbauelemente
des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigt.
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14 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die ein Oberflächenwellenfilterbauelement
gemäß einem
dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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15 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine Modifizierung des Oberflächenwellenfilterbauelements
des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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16 zeigt
schematisch eine Draufsicht, die eine weitere Modifizierung des
Oberflächenwellenfilterbauelements
des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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17 zeigt
ein Blockdiagramm, das schematisch die Struktur einer Kommunikationsvorrichtung
darstellt, die das Oberflächenwellenfilterbauelement
weiterer bevorzugter Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung umfasst.
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18 zeigt
schematisch eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilterbauelements
mit einer Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion, das verwandte
Technik definiert, zum Vergleich mit der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte
Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
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Nun
werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen Details bevorzugter
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf ein Oberflächenwellenfilterbauelement
gemäß einem
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung beschrieben.
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1 ist
eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächenwellenbauelement zur Verwendung als
z. B. ein DCS-Empfangsfilter
mit einem Durchlassband von etwa 1 GHz bis etwa 3 GHz darstellt.
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Bei
diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
umfasst das Oberflächenwellenfilterbauelement vorzugsweise
eine Elektrodenstruktur, die in 1 gezeigt
ist, auf einem Substrat, das vorzugsweise aus 45±5-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiTaO3 (was nicht gezeigt ist) hergestellt ist.
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Ein
Oberflächenwellenfilterbauelement 200 umfasst
vorzugsweise ein erstes Oberflächenwellenfilter 201 und
ein zweites Oberflächenwellenfilter 216,
das um 180 Grad außer
Phase in Bezug auf das erste Oberflächenwellenfilter ist.
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Das
erste Oberflächenwellenfilter 201 weist Interdigitalwandler
(IDTs) 203 bis 205 auf, die in einer Richtung
angeordnet sind, in der sich eine akustische Oberflächenwelle
ausbreitet. Reflektoren 202 und 206 sind an jeder
Seite des Bereichs, in dem die IDTs 203 bis 205 angeordnet
sind, in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet.
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Der
IDT 203 ist in einer Richtung in zwei IDT-Abschnitte 203A und 203B aufgeteilt,
die im Wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung einer
akustischen Oberflächenwelle
ist. Ähnlich
ist der IDT 205 in der Richtung in zwei IDT-Abschnitte 205A und 205B aufgeteilt,
die im Wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung einer
akustischen Oberflächenwelle
ist. Die IDT-Abschnitte 203A und 203B sind in
Serie zueinander geschaltet und die IDT-Abschnitte 205A und 205B sind
ebenso in Serie zueinander geschaltet.
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Der
IDT-Abschnitt 203A des IDT 203 ist üblicherweise
mit dem IDT-Abschnitt 205A des IDT 205 verbunden,
um mit einem Anschluss 215 verbunden zu sein. Der Anschluss 215 ist
mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 231 verbunden.
Die IDT-Abschnitte 203B und 205B sind mit Kanten
der IDT-Abschnitte 203A und 205A verbunden,
die gegenüberliegend
zu den Kanten derselben sind, die mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 231 verbunden sind.
Die verbleibenden Kanten der IDT-Abschnitte 203B und 205B sind
mit Massepotentialen verbunden.
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Eine
Kante des mittleren IDT 204 ist mit einem Massepotential
verbunden und die andere Kante desselben ist mit einem ersten symmetrischen
Signalanschluss 212 verbunden. In dem Oberflächenwellenfilter 201 ist
die Impedanz des Anschluss 215 vorzugsweise etwa vier mal
die Impedanz des symmetrischen Signalanschluss 212.
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Das
Oberflächenwellenfilter 201 ist äquivalent
zu einer Modifizierung eines vorläufigen longitudinalgekoppelten
Resonatortyp-Oberflächenwellenfilters 300,
das in 2 gezeigt ist. Insbesondere ist das Oberflächenwellenfilter 300 in
einer derartigen Weise entworfen, dass eine Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz
im Wesentlichen gleich sind und das Filter 300 drei IDTs 302 bis 304 aufweist,
die entlang einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet sind. Bezugszeichen 301 und 305 bezeichnen
Reflektoren. In dem Oberflächenwellenfilter 300 sind
die IDTs 302 und 304, die an jeder Seite angeordnet
sind, wie oben gezeigt ist, in einer Richtung in die ersten IDT-Abschnitte
und die zweiten IDT-Abschnitt aufgeteilt, die im Wesentlichen senkrecht
zu der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
ist. Dann sind die ersten und zweiten IDT-Abschnitte in Serie geschaltet,
um das Oberflächewellenfilter 201 zu
definieren. Mit dieser Anordnung ist die Impedanz an dem Anschluss 215 vorzugsweise
etwa vier mal so hoch wie die Impedanz an dem symmetrischen Signalanschluss 212.
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Das
zweite Oberflächenwellenfilter 216 ist vorzugsweise ähnlich wie
das erste Oberflächenwellenfilter 201 aufgebaut,
mit der Ausnahme, dass die Polarität eines mittleren IDT 220 invertiert
ist. Anders ausgedrückt
sind Reflektoren 217 und 222 wie die Reflektoren 202 und 206 aufgebaut.
Ein IDT 219, der in IDT-Abschnitte 219A und 219B aufgeteilt
ist, und ein IDT 212, der in IDT-Abschnitte 221A und 221B aufgeteilt
ist, sind wie die IDTs 203 und 205 aufgebaut.
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Wie
oben erwähnt
wurde, ist die Polarität
des IDT 220 relativ zu der Polarität des IDT 204 invertiert. Folglich
ist das Oberflächenwellenfilter 216 um
180 Grad außer
Phase in Bezug auf das Oberflächenwellenfilter 201.
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Die
IDTs 219A und 221A des zweiten Oberflächenwellenfilters 216 sind üblicherweise
miteinander verbunden und sind mit einem Anschluss 230 verbunden.
Der Anschluss 230 ist mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 231 verbunden.
Die IDT-Abschnitte 219B und 221B der
IDTs 219 und 221 sind mit Massepotentialen verbunden.
Zusätzlich
ist eine Kante des IDT 220 mit einem Massepotential verbunden
und die andere Kante desselben ist mit einem zweiten symmetrischen
Signalanschluss 227 verbunden.
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Bei
diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist der mittlere IDT 204 des ersten Oberflächenwellenfilters 201 mit
dem ersten symmetrischen Signalanschluss 212 verbunden
und der mittlere IDT 220 des zweiten Oberflächenwellenfilters 216 ist
mit dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 227 verbunden.
Die Anschlüsse 215 und 230 sind
mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 231 verbunden.
Diese Anordnung ermöglicht
die Bildung des Oberflächenwellenfilterbauele ments 200 mit
im Wesentlichen gleicher Eingangs- und Ausgangsimpedanz und der
Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion. In 1 sind
für eine
einfachere Darstellung die IDTs und die Reflektoren schematisch
gezeigt. So unterscheidet sich die Anzahl von Elektrodenfingern
von der Anzahl von Elektrodenfingern, die in dem realen Filterbauelement
beinhaltet sind.
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Als
Nächstes
werden detaillierte Charakteristika des Oberflächenwellenfilterbauelements 200 basierend
auf experimentellen Ergebnissen beschrieben.
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Zum
Vergleich wird das vorläufige
longitudinalgekoppelte Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter 300,
das in 2 gezeigt ist, als verwandet Technik verwendet.
Eine detaillierte Beschreibung über
den Entwurf des longitudinalgekoppelten Resonatortyp-Oberflächenwellenfilters 300 wird
bereitgestellt.
Breite eines Elektrodenfinger-Ineinandergreifens
W: 74,8 λI
(λI: die
Wellenlänge
des IDT)
Anzahl von Elektrodenfingern der IDTs 302, 303 und 304:
23, 33 und 23
IDT-Wellenlänge λI: 2,14 μm
Reflektorwellenlänge λR: 2,19 μm
Anzahl
von Reflektorelektrodenfingern: 150
Zwischenraum zwischen benachbarten
IDTs (Entfernung zwischen den Mitten benachbarter Elektrodenfinger):
0,32 λI
Zwischenraum
zwischen IDT und Reflektor (Entfernung zwischen den Mitten benachbarter
Elektrodenfinger): 0,53 λI
Tastverhältnis des
IDT: 0,63
Tastverhältnis
des Reflektors: 0,57
Dicke des Elektrodenfingers: 0,088 λI
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In
dem Oberflächenwellenfilterbauelement 300,
das wie oben entworfen ist, sind die IDTs 302 und 304 typischerweise
miteinander verbunden, um mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 313 verbunden
zu sein. Die Kanten des IDT 303 sind mit einem ersten bzw.
zweiten symmetrischen Signalanschluss 308 und 309 verbunden.
Bei dieser Anordnung wurden die Charakteristika des Filterbauelements 300 gemessen.
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Ferner
wurde unter der gleichen Bedingung wie derjenigen des longitudinalgekoppelten
Resonatortyp-Oberflächenwellenfilters 300 als
verwandet Technik, das wie oben beschrieben hergestellt wurde, das
Oberflächenwellenfilterbauelement 200 entworfen.
Wie oben erwähnt
wurde, wurden in den Oberflächenwellenfiltern 201 und 216 jedoch
die IDTs 203, 205, 219 und 221 in
der Richtung halbiert, die im Wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
ist. Die Polarität
des IDT 220 war relativ zu der Polarität des IDT 204 invertiert.
In dem Oberflächenwellenfilterbauelement 200 des
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
war die Breite eines Elektrodenfingerineinandergreifens 37 λI, um die
Eingangs- und Ausgangsimpedanz
des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
und der verwandten Technik auszugleichen. In Bezug auf den übrigen Aufbau
und eine Anordnung von Elementen war das Oberflächenwellenfilterbauelement 200 des
vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiels ähnlich aufgebaut
wie das Oberflächenwellenfilterbauelement 300.
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3 zeigt
Amplitudengleichheiten in beiden der Oberflächenwellenfilterbauelemente 200 und 300. 4 zeigt
Phasengleichheiten derselben und 5 zeigt
Dämpfung-Frequenz-Charakteristika derselben.
In den 3 bis 5 sind die Charakteristika der
verwandten Technik durch unterbrochene Linien angezeigt und die
Charakteristika des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels sind durch
durchgezogene Linien angezeigt.
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Offensichtlich
verändert
sich in Bezug auf die Amplitudengleichheiten, die in 3 gezeigt
sind, die Amplitudengleichheit der verwandten Technik stark in einem
Bereich von etwa 3 GHz bis etwa 6 GHz und sie beträgt mehr
als etwa 10 dB nahe 5 GHz. Im Gegensatz dazu ist die Amplituden gleichheit des
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
in dem Bereich von etwa 3 GHz bis etwa 6 GHz auf etwa 1 dB oder
weniger eingeschränkt.
Zusätzlich
wurde entdeckt, dass die Amplitudengleichheit bei dem vorliegenden
bevorzugten Ausführungsbeispiel
sogar in dem Bereich von Frequenzen unterhalb von etwa 1 GHz verbessert
werden kann.
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Ähnliche
Ergebnisse waren bei den in 4 gezeigten
Phasengleichheiten zu sehen. In der verwandten Technik verändert sich
in einem Bereich von etwa 3 GHz bis 6 GHz die Phasengleichheit stark
in einem Bereich von 0 bis 180 Grad. Im Gegensatz dazu liegt in
dem gleichen Frequenzbereich die Phasengleichheit des vorliegenden
bevorzugten Ausführungsbeispiels
innerhalb eines Bereichs von etwa 170 Grad bis etwa 180 Grad. Selbst
in dem Bereich von Frequenzen unterhalb von 1 GHz kann offensichtlich
die Phasengleichheit des vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiels
wesentlich verbessert werden.
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Wie
oben gezeigt wurde, ist in den Frequenzbereichen außerhalb
des Durchlassbandes (von etwa 1 GHz bis etwa 3 GHz) die Amplitudengleichheit des
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels
nahe bei etwa 0 dB und die Phasengleichheit desselben ist nahe bei
etwa 180 Grad. Als eine Folge zeigt sich, wie in 5 gezeigt
ist, dass eine Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes stark ansteigt. Es zeigt sich, dass verglichen
mit der verwandten Technik bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
in dem Frequenzbereich unterhalb von 1 GHz die Dämpfung um etwa 10 dB ansteigt.
In dem Frequenzbereich unterhalb von etwa 3 GHz nimmt die Dämpfung um etwa
15 dB zu und insbesondere nimmt sie nahe bei 4,5 GHz um mehr als
etwa 40 dB zu.
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Der
Grund, dass die Amplitudengleichheit und die Phasengleichheit verbessert
sind und dadurch die Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes in dem Oberflächenwellenfilterbauelement 200 des
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels,
wie oben beschrieben wurde, erhöht
ist, ist wie folgt.
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In
der in 2 gezeigten verwandten Technik werden unterschiedliche
parasitäre
Kapazitäten an
dem symmetrischen Signalanschluss 308 und dem symmetrischen
Signalanschluss 309 erzeugt. Anders ausgedrückt fungiert
die parasitäre
Kapazität, die
zu dem symmetrischen Signalanschluss 309 hinzugefügt wird,
hauptsächlich
als eine Überbrückungskapazität zwischen
dem mittleren IDT 303 und den IDTs 302 und 304 an
jeder Seite. Im Gegensatz dazu ist die parasitäre Kapazität, die zu dem symmetrischen
Signalanschluss 308 hinzugefügt wird, hauptsächlich eine
Kapazität,
die zwischen dem symmetrischen Signalanschluss 308 und
dem Massepotential eingefügt
wird. So scheint es aufgrund unterschiedlicher Einflüsse der
parasitären
Kapazitäten,
dass die Symmetrien, insbesondere die Amplitudengleichheit und die
Phasengleichheit außerhalb
des Durchlassbandes, verloren gehen, mit dem Ergebnis, dass die
Dämpfung
sinkt.
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Bei
dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel jedoch sind
Massepotentiale um den ersten und den zweiten symmetrischen Signalanschluss 212 und 227 herum
vorhanden. So fungieren die parasitären Kapazitäten, die zu beiden symmetrischen
Signalanschlüssen
hinzugefügt
werden hauptsächlich
als Kapazitäten
zwischen den Anschlüssen und
den Massepotentialen. Entsprechend wird eine gleiche parasitäre Kapazität zu dem
ersten und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 212 und 227 hinzugefügt. Folglich
scheint es, dass, da wenig Differenz zwischen den parasitären Kapazitäten besteht,
die zu den symmetrischen Signalanschlüssen 212 und 227 hinzugefügt werden,
die Amplitudengleichheit außerhalb
des Durchlassbandes nahe etwa 0 dB wird und die Phasengleichheit
nahe etwa 180 Grad wird, mit dem Ergebnis, dass die Dämpfung außerhalb
des Durchlassbandes wesentlich ansteigt.
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Bei
dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
umfasst das Oberflächenwellenfilterbauelement 200 vorzugsweise
zwei longitudinalgekoppelte Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter des 3-IDT-Typs.
Alternativ könnten,
wie in 6 gezeigt ist, ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilter 703 und 704 parallel
zu einem ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter 701 und 702 geschaltet
sein. Das erste und das zweite Oberflächenwellenfilter 701 und 702 sind ähnlich wie
die Oberflächenwellenfilter 201 und 216 des
oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiels aufgebaut.
Zusätzlich
sind die Oberflächenwellenfilter 703 und 704 auch ähnlich wie
die Oberflächenwellenfilter 201 und 216 aufgebaut.
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Eine
Kante des Oberflächenwellenfilters 701 und
eine Kante des Oberflächenwellenfilters 702 sind gemeinsam
miteinander verbunden und ähnlich
sind eine Kante des Oberflächenwellenfilters 703 und eine
Kante des Oberflächenwellenfilters 704 gemeinsam
miteinander verbunden. Dann sind dieselben mit einem unsymmetrischen
Signalanschluss 705 verbunden. Der erste und der zweite
symmetrische Signalanschluss 706 und 707 sind
mit den mittleren IDTs der Oberflächenwellenfilter 701 und 703 und
den mittleren IDTs der Oberflächenwellenfilter 702 und 704 verbunden.
Wie hier gezeigt ist, kann selbst mit der Struktur, die die vier
Oberflächenwellenfilter
verwendet, wenn die Filter ähnlich
aufgebaut sind wie das Filter des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels,
eine Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes ähnlich
erhöht
werden.
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Ferner
ist bei der vorliegenden Erfindung die Anzahl von IDTs jedes des
ersten und des zweiten Oberflächenwellenfilters
nicht auf drei eingeschränkt. Bei
einer Modifizierung, wie in 7 gezeigt
ist, z. B. gibt es Filter, die zwei IDTs aufweisen, die ein erstes Oberflächenwellenfilter 201A und
ein zweites Oberflächenwellenfilter 216A umfassen.
Das erste Oberflächenwellenfilter 201A weist
eine Struktur auf, bei der der IDT 203 von dem Oberflächenwellenfilter 201 entfernt
ist. Das zweite Oberflächenwellenfilter 216A weist
eine Struktur auf, bei der der IDT 221 von dem Oberflächenwellenfilter 216 entfernt
ist. Die Zwischenräume
zwischen den Reflektoren und den IDTs sind ähnlich wie die Zwischenräume, die
bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
gesetzt sind.
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Eine
Kante des IDT 204 ist mit dem ersten symmetrischen Signalanschluss 212 verbunden
und eine Kante des IDT 220 ist mit dem zweiten symmetrischen
Signalanschluss 227 verbunden. Eine Kante jedes der IDTs 205 und 219 ist
mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 231 verbunden.
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Wie
in 8 gezeigt ist, könnten Oberflächenwellenfilter
des 5-IDT-Typs als jedes des ersten und des zweiten Oberflächenwellenfilters 201B und 216B verwendet
werden. Hier sind die IDTs 251 und 252 auf jeder
Seite der IDTs 203 und 205 in der Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Mit Ausnahme von dieser Anordnung ist das Oberflächenwellenfilter 201B ähnlich aufgebaut
wie die Oberflächenwellenfilter 201. Ähnlich ist das
zweite Oberflächenwellenfilter 216B ähnlich aufgebaut
wie das Oberflächenwellenfilter 216,
mit der Ausnahme, dass die IDTs 253 und 254 außerhalb
der IDTs 219 und 221 in der Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet sind.
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In
Bezug auf das modifizierte Oberflächenwellenfilterbauelement,
das in jeder der 7 und 8 gezeigt
ist, ist bei dem ersten Oberflächenwellenfilter
eine der Eingangsimpedanz und der Ausgangsimpedanz vorzugsweise
etwa vier mal die andere Impedanz. Ähnlich ist bei dem zweiten
Oberflächenwellenfilter
eine der Eingangsimpedanz und der Ausgangsimpedanz vorzugsweise
etwa vier mal die andere Impedanz und das zweite Filter ist um 180 Grad
außer
Phase in Bezug auf das erste Filter. Zusätzlich sind 2n-1 erste
und zweite Filter miteinander verbunden und die Gesamtzahl der ersten
und zweiten Oberflächenwellenfilter
beträgt
2n, wobei n eine Ganzzahl von 1 oder mehr
ist. Diese Oberflächenwellenfilter
sind in der gleichen Weise verbunden wie das erste bevorzugte Ausführungsbeispiel
und dadurch kann eine Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes ähnlich
erhöht
werden. Um erwünschte Frequenzcharakteristika
zu erhalten, können
die Breite eines Elektrodenfingerineinandergreifens und die Anzahl
von IDTs wie benötigt
eingestellt werden. Ferner könnten,
falls dies nötig
ist, Fallen hinzugefügt werden.
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9 zeigt
schematisch eine Draufsicht der Elektrodenstruktur eines Oberflächenwellenfilterbauelements
gemäß einem
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist das Oberflächenwellenfilterbauelement ähnlich wie
bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
ein DCS-Empfangsfilter
mit einem Durchlassband von etwa 1 GHz bis etwa 3 GHz.
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Die
in 9 gezeigte Elektrodenstruktur ist vorzugsweise
auf einem Substrat angeordnet, das aus einem 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiTaO3,
das nicht gezeigt ist, hergestellt ist.
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Ein
Oberflächenwellenfilterbauelement 800 umfasst
ein erstes und zweites akustisches Filter 801 und 802 und
ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilter 803 und 804.
Dies bedeutet, dass das Filterbauelement 800 ein Oberflächenwellenfilterbauelement
mit einer Vier-Element-Struktur ist.
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Das
Oberflächenwellenfilterbauelement 800 ist
durch ein Parallel-Schalten zweier Oberflächenwellenfilterbauelemente 1100,
die äquivalent
zu einer in 10 gezeigten Modifizierung sind,
aufgebaut.
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Für ein leichtes
Verständnis
erfolgt zuerst eine Beschreibung der Struktur des in 10 gezeigten
Oberflächenwellenfilterbauelements 1100.
Das Oberflächenwellenfilterbauelement 1100 umfasst vorzugsweise
ein erstes Oberflächenwellenfilter 1101 und
ein zweites Oberflächenwellenfilter 1115, das
um 180 Grad außer
Phase in Bezug auf das erste Oberflächenwellenfilter 1101 ist.
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Das
erste Oberflächenwellenfilter 1101 ist äquivalent
zu einem vorläufigen
longitudinalgekoppelten Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter mit im Wesentlichen
gleicher Eingangsimpedanz und Ausgangsimpedanz und mit drei IDTs,
von denen der mittlere IDT in einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen
Oberflächenwelle
halbiert ist. Insbesondere ist ein mittlerer IDT 1104 in
IDT-Abschnitte 1104A und 1104B aufgeteilt. IDTs 1103 und 1105 sind
an jeder Seite des IDT 1104 in der Ausbreitungsrichtung einer
akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Reflektoren 1102 und 1106 sind in
der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
außerhalb des
Bereichs, in dem die IDTs 1103, 1104 und 1105 angeordnet
sind, angeordnet.
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Von
den IDT-Abschnitten 1104A und 1104B ist eine Kante
des IDT-Abschnitts 1104A mit einem Massepotential verbunden
und die andere Kante des IDT-Abschnitts 1104A und eine
Kante des IDT-Abschnitts 1104B sind durchgehend angeordnet,
während
die andere Kante des IDT-Abschnitts 1104B mit einem unsymmetrischen
Signalanschluss 1129 verbunden ist. Eine Kante jedes der
IDTs 1103 und 1105 ist mit einem Massepotential
verbunden und die verbleibenden Kanten der IDTs 1103 und 1105 sind
gemeinsam miteinander verbunden und sind mit einem ersten symmetrischen
Signalanschluss 1114 verbunden.
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Ähnlich ist
in dem zweiten Oberflächenwellefilter 1115 ein
mittlerer IDT 1118 in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen
Oberflächenwelle
halbiert, um einen ersten IDT-Abschnitt 1118A und
einen zweiten IDT-Abschnitt 1118B zu definieren. Eine Kante
des IDT-Abschnitts 1118B ist mit einem Massepotential verbunden.
Eine Kante des IDT-Abschnitts 1118A ist mit dem unsymmetrischen
Signalanschluss 1129 verbunden. Eine Kante jedes der IDTs 1117 und 1119 ist
mit einem Massepotential verbunden. Die verbleibenden Kanten derselben
sind gemeinsam miteinander verbunden und sind mit dem zweiten symmetrischen
Signalanschluss 1128 verbunden. Bezugszeichen 1116 und 1120 bezeichnen Reflektoren.
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Wie
oben erwähnt
wurde, ist eine Kante des IDT-Abschnitts 1104A mit dem
Massepotential verbunden und eine Kante des IDT-Abschnitts 1104B ist mit
dem unsymmetrischen Signalanschluss 1129 verbunden. So
ist in dem Oberflächenwellenfilter 1101 die
Impedanz des Anschluss 1129 vorzugsweise etwa vier mal
die Impedanz des Oberflächenwellenfilters 1114. Ähnlich unterscheidet
sich bei dem Oberflächenwellenfilter 1115 die
Impedanz des Anschluss 1129 vorzugsweise von der Impedanz
des Anschluss 1128.
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Zwischen
den unsymmetrischen Signalanschluss 1129 und den ersten
und den zweiten symmetrischen Signalanschluss 1114 und 1128 sind
das erste und das zweite Oberflächenwellenfilter 1101 und 1115 geschaltet,
wie oben gezeigt ist. So kann wie in dem Fall des ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiels
eine Dämpfung
außerhalb
eines Durchlassbandes erhöht
werden.
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Als
Nächstes
erfolgt eine Beschreibung des Oberflächenwellenfilterbauelements 800 gemäß dem in 9 gezeigten
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel.
In dem Oberflächenwellenfilterbauelement 800 sind
zwei Oberflächenwellenfilterbauelemente 1100,
die jeweils das erste und das zweite Oberflächenwellenfilter 1101 und 1115 aufweisen, parallel
geschaltet. Anders ausgedrückt
sind die Oberflächenwellenfilter 801 und 803 ähnlich wie
das Oberflächenwellenfilter 1101 aufgebaut
und die Oberflächenwellenfilter 802 und 804 sind ähnlich aufgebaut
wie das Oberflächenwellenfilter 1115.
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Das
Oberflächenwellenfilterbauelement 800 gemäß dem in 9 gezeigten
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist vorzugsweise gemäß den gleichen
Bedingungen wie den Bedin gungen des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels,
das oben beschrieben wurde, entworfen, um die Charakteristika desselben
zu messen. Die erhaltenen Ergebnisse sind in den 11 bis 13 durch
durchgezogene Linien angezeigt. Zum Vergleich sind die Charakteristika
der in 2 gezeigten verwandten Technik in den 11 bis 13 durch
unterbrochene Linien angezeigt.
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Wie
in den 11 bis 13 klar
gezeigt ist, sind selbst bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
parasitäre
Kapazitäten,
die zu dem ersten und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss
hinzugefügt
werden, im Wesentlichen gleich. So können verglichen mit der verwandten
Technik die Amplitudengleichheit und die Phasengleichheit außerhalb
des Durchlassbandes verbessert werden. Insbesondere wird, wie in 11 gezeigt
ist, bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
außerhalb des
Durchlassbandes (in den Frequenzbereichen unterhalb von 1 GHz und über 3 GHz)
die Amplitudengleichheit nahe 0 dB und, wie in 12 klar
gezeigt ist, wird die Phasengleichheit nahe 180 Grad. Folglich kann,
wie in 13 gezeigt ist, eine Dämpfung außerhalb
des Durchlassbandes wesentlich erhöht werden.
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In
dem Oberflächenwellenfilterbauelement 1100 mit
der in 10 gezeigten Zwei-Element-Struktur
können
die gleichen Vorteile wie diejenigen, die bei dem zweiten bevorzugten
Ausführungsbeispiel
erhalten werden, erhalten werden. Zusätzlich ist die vorliegende
Erfindung nicht darauf eingeschränkt,
dass das Oberflächenwellenfilterbauelement 800 die
Vier-Element-Struktur aufweist und das Oberflächenwellenfilterbauelement 1100 die Zwei-Element-Struktur
aufweist, wie in dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel gezeigt ist.
Die gleichen Vorteile wie diejenigen bei dem oben beschriebenen
bevorzugten Ausführungsbeispiel
können
durch ein Verbinden der 2n-1 ersten und
zweiten Oberflächenwellenfilter
erhalten werden, wobei in jedem derselben die Eingangs- und Ausgangsimpedanz
vorzugsweise etwa vier mal so hoch ist wie eine der Ausgangs- und
Eingangsimpedanz und eines der Filter um 180 Grad außer Phase
in Bezug auf das andere Filter ist.
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14 zeigt
schematisch die Elektrodenstruktur eines Oberflächenwellenfilterbauelements gemäß einem
dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
dient das Oberflächenwellenfilterbauelement
vorzugsweise auch zur Verwendung als ein DCS-Empfangsfilter, das
ein Durchlassband von etwa 1 GHz bis etwa 3 GHz aufweist.
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Die
in 14 gezeigte Elektrodenstruktur ist vorzugsweise
auf einem Substrat angeordnet, das aus einem 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiTaO3 hergestellt
ist, das nicht gezeigt ist, um ein Oberflächenwellenfilterbauelement 1500 bereitzustellen.
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Das
Oberflächenwellenfilterbauelement 1500 umfasst
ein erstes und ein zweite Oberflächenwellenfilter 1501 und 1513,
wobei in jedem derselben die Impedanz an einer Kante etwa vier mal
die Impedanz an der andere Kante ist. Das erste Oberflächenwellenfilter 501 ist
um 180 Grad außer
Phase in Bezug auf das zweite Oberflächenwellenfilter 1513.
Das erste Oberflächenwellenfilter 1501 weist
eine Struktur auf, in der ein vorläufiges longitudinalgekoppeltes Resonatortyp-Oberflächenwellenfilter
mit drei IDTs derart entworfen ist, dass die Eingangsimpedanz und die
Ausgangsimpedanz im Wesentlichen gleich sind, wobei IDTs, die an
beiden Seiten des mittleren IDT angeordnet sind, in Serie geschaltet
sind. Anders ausgedrückt,
sind IDTs 1503 bis 1505 in einer Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Eine Kante jedes der IDTs 1503 und 1505 an
jeder Seite des mittlere IDT in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen
Oberflächenwelle
ist gemeinsam miteinander verbunden. Dann ist die andere Kante des
IDT 1503 mit einem Massepotential verbunden und die andere
Kante des IDT 1505 ist mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 1512 verbunden.
So sind die IDTs 1503 und 1505 in Serie geschaltet.
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Eine
Kante des mittleren IDT 1504 ist mit einem Massepotential
verbunden und die andere Kante desselben ist mit einem ersten symmetrischen
Signalanschluss 1510 verbunden. Bezugszeichen 1502 und 1506 bezeichnen
Reflektoren.
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Das
zweite Oberflächenwellenfilter 1513 ist ähnlich wie
das erste Oberflächenwellenfilter 1501 aufgebaut.
Insbesondere ist eine Kante des mittleren IDT 1516 mit
einem Massepotential verbunden und die andere Kante desselben ist
mit einem zweiten symmetrischen Signalanschluss 1522 verbunden. Eine
Kante jedes der IDTs 1515 und 1517 an jeder Seite
des mittleren IDT ist miteinander verbunden und die verbleibende
Kante des IDT 1517 ist mit einem Massepotential verbunden.
Die verbleibende Kante des IDT 1515 ist mit dem unsymmetrischen
Signalanschluss 1512 verbunden. So sind der IDT 1515 und
der IDT 1517 in Serie zwischen das Massepotential und den
unsymmetrischen Signalanschluss 1512 geschaltet. Bezugszeichen 1514 und 1518 bezeichnen
Reflektoren.
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Wie
oben gezeigt ist, ist, wenn die Ausbreitungsrichtung einer akustischen
Oberflächenwelle als
eine Pfeil X-Richtung
in 14 gesetzt ist, in dem ersten Oberflächenwellenfilter 1501 der
IDT 1505, der vor der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
vorhanden ist, mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 1512 verbunden.
In dem zweiten Oberflächenwellenfilter 1513 ist
der IDT 1515, der an einem Anfangspunkt der Richtung einer akustischen
Oberflächenwelle
angeordnet ist, mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 1512 verbunden.
Mit dieser Anordnung ist das erste Oberflächenwellenfilter 1501 um
180 Grad außer
Phase in Bezug auf das zweite Oberflächenwellenfilter 1513.
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So
sind bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel
eine Kante des ersten Oberflächenwellenfilters 1501 und
eine Kante des zweiten Oberflächenwellenfilters 1513 gemeinsam miteinander
verbunden, um mit dem unsymmetrischen Signalanschluss 1512 verbunden
zu sein. Eine Kante jedes der mittleren IDTs 1504 und 1516 des
ersten und des zweiten Oberflächenwellenfilters 1501 und 1513 ist mit
dem ersten und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss verbunden.
Als ein Ergebnis sind in dem Oberflächenwellenfilterbauelement
die Eingangsimpedanz und die Ausgangsimpedanz ausgeglichen und die
Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion wird bereitgestellt.
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Bei
dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel
sind ähnlich
wie bei dem ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel parasitäre Kapazitäten, die
zu dem ersten und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 1510 und 1522 hinzugefügt werden,
im Wesentlichen gleich. Entsprechend nimmt wie bei dem ersten und
dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel,
da die Amplitudengleichheit und die Phasengleichheit verbessert
sind, eine Dämpfung
außerhalb
des Durchlassbandes wesentlich zu.
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Das
Oberflächenwellenfilterbauelement 1500,
das in 14 gezeigt ist, verwendet das
erste und das zweite Oberflächenwellenfilter 1501 und 1513 des
3-IDT-Typs. Wie in 15 gezeigt ist, könnten jedoch
Oberflächenwellenfilter 1501A und 1513A des
5-IDT-Typs verwendet werden.
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In
dem in 15 gezeigten Oberflächenwellenfilterbauelement 1500A sind
IDTs 1531, 1532, 1533 und 1534 zusätzlich außerhalb
der IDTs 1503 und 1505 und der IDTs 1515 und 1517,
die in 14 gezeigt sind, in der Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Mit Ausnahme dieser Anordnung ist das Oberflächenwellenfilterbauelement 1500A vorzugsweise
das gleiche wie das in 14 gezeigte bevorzugte Ausführungsbeispiel. Bei
dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist die Anzahl von IDTs jedes longitudinalgekoppelten Resonatortyp-Oberflächenwellenfilters
nicht auf die angegebenen eingeschränkt.
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Zusätzlich könnten, wie
in 16 zeigt ist, zwei erste und zweite Oberflächenwellenfilter
verwendet werden, um ein Oberflächenwellenfilterbauelement
mit einer Vier-Element-Struktur
bereitzustellen. Bei dem in 16 gezeigten
Oberflächenwellenfilterbauelement 1500B sind
zwei erste Oberflächenwellenfilter 1501 und 1501A und
zwei zweite Oberflächenwellenfilter 1513 und 1513A verbunden,
um das Oberflächenwellenfilterbauelement
mit der Vier-Element-Struktur
zu erzeugen.
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Wie
bei dem oben beschriebenen ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist auch bei dem dritten Ausführungsbeispiel
in dem ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter
eine der Eingangs- und Ausgangsimpedanz vorzugsweise etwa vier mal
so hoch wie eine der Ausgangs- und Eingangsimpedanz. Das zweite
Oberflächenwellenfilter ist
um 180 Grad außer
Phase in Bezug auf das erste zweite Oberflächenwellenfilter. Zusätzlich sind
2n-1 erste und zweite Oberflächenwellenfilter
miteinander verbunden, wobei n eine Ganzzahl von 1 oder mehr ist.
Insgesamt werden 2n Oberflächenwellenfilter
verwendet, um das Oberflächenwellenfilterbauelement der
vorliegenden Erfindung aufzubauen. Ähnlich kann die Differenz zwischen
parasitären
Kapazitäten, die
zu dem ersten und zweiten symmetrischen Signalanschluss hinzugefügt wird,
reduziert werden und dadurch kann eine Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes
erhöht
werden.
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Jedes
des ersten bis dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels verwendet vorzugsweise
das Substrat, das aus 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiTaO3 hergestellt ist, das nicht gezeigt ist.
Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete Substrat ist jedoch
nicht auf ein derartiges piezoelektrisches Substrat eingeschränkt. Zum
Beispiel könnte
die vorliegende Erfindung ein Substrat verwenden, das aus 64-72-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO3 gebildet ist, oder ein Substrat, das aus 41-Grad-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO3 gebildet ist, oder ein weiters geeigne tes
Material und Substrate. Mit dieser Anordnung können auch die gleichen Vorteile
erhalten werden.
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17 zeigt
schematisch ein Blockdiagramm zum Darstellen einer Kommunikationsvorrichtung 160,
die zumindest eines oder Oberflächenwellenfilterbauelemente
gemäß bevorzugten
Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung, die oben beschrieben wurden, umfasst.
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In 17 ist
ein Duplexer 162 mit einer Antenne 161 verbunden.
Zwischen den Duplexer 162 und empfangsseitige Mischer 163 und 163a sind
ein Schalter SW, ein Oberflächenwellenfilter 164 einer HF-Stufe
und Verstärker 165 und 165a geschalten. Zusätzlich sind
Oberflächenwellenfilter 169 und 169a einer
Zf-Stufe mit den Mischern 163 und 163a verbunden.
Zwischen den Duplexer 162 und einen sendeseitigen Mischer 166 sind
ein Verstärker 167 und ein
Oberflächenwellenfilter 168 einer
HF-Stufe geschaltet.
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Als
das Oberflächenwellenfilter 164,
das in die Kommunikationsvorrichtung 160 eingebaut ist, kann
ein Oberflächenwellenfilterbauelement
gemäß einem
beliebigen der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung, die oben beschrieben sind, geeigneterweise
verwendet werden.
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Wie
oben beschrieben wurde, ist in dem Oberflächenwellenfilterbauelement
gemäß bevorzugten
Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung in jedem des ersten und zweiten Oberflächenwellenfilters
eine der Eingangs- und Ausgangsimpedanz vorzugsweise etwa vier mal
die andere Impedanz. Zusätzlich
ist das zweite Oberflächenwellenfilter
um 180 Grad außer
Phase zu dem ersten Oberflächenwellenfilter.
Außerdem
sind 2n-1 erste und zweite Oberflächenwellenfilter
zwischen den unsymmetrischen Signalanschluss und den ersten symmetrischen
Signalanschluss und zwischen den unsymmetrischen Signalanschluss
und den zweiten symmetrischen Signalanschluss geschaltet. Entsprechend
ist die Differenz zwischen den parasitären Kapazitäten, die zu dem ersten und dem
zweiten symmetrischen Signalanschluss hinzugefügt werden, stark reduziert
und dadurch wird die Amplitudengleichheit und die Phasengleichheit
wesentlich verbessert. Als ein Ergebnis kann in dem Oberflächenwellenfilterbauelement
mit der Symmetrisch-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion und gleicher
Eingangs- und Ausgangsimpedanz eine Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes
wesentlich erhöht
werden.
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Während bevorzugte
Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung oben beschrieben wurden, sollte zu erkennen
sein, dass Modifizierungen und Veränderungen innerhalb des Schutzbereichs der
vorliegenden Erfindung, wie durch die folgenden Ansprüche definiert
ist, für
Fachleute auf dem Gebiet ersichtlich sein werden.