DE602004003417T2

DE602004003417T2 - Tonsignalverarbeitungsschaltung, Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät mit derartiger Schaltung

Info

Publication number: DE602004003417T2
Application number: DE602004003417T
Authority: DE
Inventors: Kazuhiko Miyata; Jun Koyama; Hiroyuki Miyake; Kei Takahashi
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Sharp Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Sharp Corp
Priority date: 2003-04-14
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2007-09-27
Anticipated expiration: 2024-04-15
Also published as: US20040201056A1; JP2004319611A; JP4152797B2; DE602004003417D1; KR101047288B1; EP1469490B1; CN1542509A; EP1469490A1; TWI335772B; CN100483190C; US7769190B2; TW200503576A; KR20040089585A

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Tonsignalverarbeitungsschaltung und insbesondere eine Tonsignalverarbeitungsschaltung, die aus Dünnschichthalbleiterelementen besteht. Weiterhin bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Anzeigevorrichtung, welche die Tonsignalverarbeitungsschaltung umfasst.
2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik
In den letzten Jahren sind mit dem Fortschritt der Kommunikationstechnik Mobiltelefone weithin benutzt worden. Zukünftig werden die Übertragung von beweglichen Bildern und die Übertragung einer größeren Menge an Informationen erwartet. Auf der anderen Seite sind, indem man das Gewicht von PCs verringerte, solche, die für die mobile Kommunikation angepasst sind, produziert worden. Es ist ebenso das Informationsdatenendgerät, das PDA genannt wird und sich aus elektronischen Notebooks entwickelt hat, in großen Mengen produziert worden, und es wird erwartet, dass es weithin benutzt wird. Zusätzlich werden die meisten jener mobilen Informationsgeräte mit der Entwicklung von Anzeigegeräten mit einem Flachbildschirm ausgerüstet.
Zusätzlich ist in den letzten Jahren in aktiven Matrixanzeigegeräten die Herstellung eines Anzeigegeräts, für das ein Dünnschichtelement (ein typisches Beispiel ist ein Dünnschichttransistor; im weiteren als ein TFT bezeichnet) unter Verwendung eines polykristallinen Halbleiters, der durch niedrige Temperatur kristallisiert wird, verwendet wird, gefördert worden. Die oben erwähnte niedrige Temperatur bedeutet, dass eine Kristallisationstemperatur von 600°C oder weniger verglichen mit einer herkömmlichen Kristallisationstemperatur von 1000°C oder mehr niedriger ist. Für den TFT, der den polykristallinen Halbleiter verwendet, der durch niedrige Temperatur kristallisiert wird, wie auch für ein Pixel, kann eine Signalbetriebsschaltung um einen Pixelteil herum integral ausgebildet werden. Somit ist möglich, eine Kompaktheit und eine hohe Auflösung eines Anzei gegeräts zu verwirklichen, und es wird erwartet, dass es in der Zukunft häufiger benutzt wird.
Auf der anderen Seite sind für das mobile Informationsgerät andere Ausgabefunktionen, besonders eine Audioausgabefunktion sowie eine Sichtanzeigefunktion erforderlich. Indem man ein Bild mit Ton anzeigt, wird es möglich, das Bild effektiv anzusehen und das Bild mehr zu genießen.
Eine gegenwärtige Tonausgabevorrichtung gibt einen Ton aus, indem sie elektrische Signale in Ton unter Verwendung eines Konuslautsprechers oder dergleichen umwandelt. Da der Konuslautsprecher einen großen Raum in einem mobilen Informationsgerät besetzt, ist eine Verringerung in der Größe und dem Gewicht des mobilen Informationsgeräts verhindert worden.
2A ist eine obere Draufsicht einer Peripherie eines Anzeigegeräts in einem mobilen Informationsgerät 201 mit einer herkömmlichen Audioausgabefunktion. 2B ist eine Querschnittsansicht. Das Anzeigegerät hat ein Substrat 209, auf dem ein Pixelteil 204, eine Sourcesignalbetriebsschaltung 202, eine Gatesignalbetriebsschaltung 203 integral ausgebildet sind. An dem Anzeigegerät sind ein Konuslautsprecher 207, ein FPC 205, ein gegenüber liegendes Substrat 208 und eine Leiterplatine 206 angebracht, auf der eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 210 und ein Koppelkondensator 211 angebracht sind.
Der Konuslautsprecher 207 ist aufgrund seiner großen Größe nicht für eine Verringerung der Größe und des Gewichts eines mobilen Informationsgeräts verwendbar. Aus dem oben erwähnten Grund wird ein flacher Lautsprecher, wie er in 3A und 3B gezeigt ist, entwickelt. 3A ist eine obere Draufsicht der Peripherie eines Anzeigegeräts in einem mobilen Informationsgerät 301 mit einem flachen Lautsprecher. 3B ist eine Querschnittsansicht. Das Anzeigegerät hat ein Substrat 309, auf dem ein Pixelteil 304, eine Sourcesignalbetriebsschaltung 302, eine Gatesignalbetriebsschaltung 303 integral ausgebildet sind. An dem Anzeigegerät sind ein flacher Lautsprecher 306, FPCs 305 und 308, ein gegenüber liegendes Substrat 310 und eine Leiterplatine 311 angebracht, auf der eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 307 und ein Koppelkondensator 312 angebracht sind.
Der flache Lautsprecher ist herkömmlichen Konuslautsprechern dahingehend ähnlich, dass elektrische Signale in Vibrationen umgewandelt werden, um Ton auszugeben, aber er ist darin unterschiedlich, dass ein Glassubstrat, ein Kunststoffsubstrat, ein Touchpanel oder dergleichen in dem Anzeigegerät ist, und dergleichen wird anstelle des Konuslautsprechers zur Vibration gebracht. Mit einem solchen flachen Lautsprecher kann das mobile Informationsgerät mit einer kleineren Größe und leichteren Gewicht als das, das einen herkömmlichen Konuslautsprecher verwendet, verwirklicht werden.
Zusätzlich werden unter Verwendung eines mehrschichtigen keramischen Chip-Kondensators als Kondensator der Fall der Montage dieses Chip-Kondensators auf eine FPC (flexible Leiterplatine) (z. B. Patent-Dokument 1: japanische offen gelegte Patentanmeldung Nr. Hei 11 – 326937) und der Fall der Montage dieses Chip-Kondensators auf einem Substrat eines Anzeigegeräts (z. B. Patent-Dokument 2: japanische offen gelegte Patentanmeldung Nr. Hei 7 – 261191) berichtet. Diese Art der Chip-Kondensatoren mit einer langen Seite von ungefähr 2 bis 3 Millimeter hat einen großen Vorteil dahingehend, das Volumen zu verringern.
Obgleich der flache Lautsprecher, wie oben beschrieben, ein sehr wirkungsvolles Mittel für die Verringerung der Größe und des Gewichts eines mobilen Informationsgeräts ist, verbleiben Probleme, die zu lösen sind. Für die Tonsignalverarbeitungsschaltung 307, die den flachen Lautsprecher 306, wie in 3A und 3B gezeigt, betreibt, wird die Leiterplatine 311 außerhalb von dem Anzeigegerät positioniert, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung 307 aus einem LSI, der darauf als eine herkömmliche Tonsignalverarbeitungsschaltung angebracht ist, hergestellt ist. Folglich ist dieses noch für die Verringerung der Größe und des Gewichts eines mobilen Informationsgeräts unzulänglich. Zusätzlich ist, da die Tonsignalfrequenz niedrig ist, ein Koppelkondensator 312, der einen großen Kapazitätswert (zum Beispiel 10 bis 100 μF) besitzt, für die Kopplung eines Tonsignals mit einem Kondensator erforderlich. Für diese Art der Kondensatoren gibt es keine andere Wahl als einen elektrostatischen Kondensator, der ein großes Volumen (gewöhnlich eine Zylinderform mit einem Durchmesser von ungefähr 5 bis zu 10 mm und von einer Höhe von 7 bis 10 mm) aufweist. Folglich wird das Volumen einer Schaltung erhöht.
Obgleich ein mehrschichtiger keramischer Chip-Kondensator, wie der, der in Patent-Dokument 1 und in Patent-Dokument 2 erwähnt wird, ein kleineres Volumen als ein e lektrostatischer Kondensator hat, hat er ein Problem dadurch, dass der maximale Kapazitätswert bei höchstens ungefähr 0,1 μF liegt. Somit ist es notwendig, den Widerstandswert eines Widerstandes zu erhöhen, um eine Koppelung einer Tonsignalverarbeitungsschaltung 307 durch einen Chip-Kondensator aufzubauen. Wenn die niedrigste Frequenz des Tonsignals 20 Hz und die Kapazität 0,1 μF ist, ist ein Widerstandswert von ungefähr 80 kΩ oder mehr erforderlich.
In dem Fall, in dem der Widerstand als eine Chip-Komponente wie andere Bestandteile benutzt wird, verursacht er die Verschlechterung in einer Frequenzcharakteristik der Tonsignalverarbeitungsschaltung 307. Der Grund ist, dass, wenn der Stromkreis auf eine Leiterplatine 311 oder einen FPC 308 gezeichnet wird, parasitäre Kapazitäten an den Anschlussteilen entstehen und dann Tiefpassfilter zwischen den parasitären Kapazitäten und dem Chip-Widerstand ausgebildet werden, und eine Frequenzcharakteristik folglich verringert wird. Z. B. wird im Folgenden der Fall einer Verstärkerschaltung für die 10fache Verstärkung mit einer Schaltungsstruktur, wie sie in 4 gezeigt ist, betrachtet. Eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 401 schließt einen Operationsverstärker 402 ein. Eine Verstärkerschaltung besteht aus dem Operationsverstärker 402, externen Widerstände 403, 404 und 405, externen Kondensatoren 406 und 407, einer Signalquelle 408 und einer Vorspannungsversorgung 414.
Wenn die Widerstandswerte der externen Widerstände 404 und 405 als R404 bzw. R405 bezeichnet werden, wird ein Gewinn (1 + (R405/R404)) durch die Verstärkerschaltung in der in 4 gezeigten Schaltung erhalten. Auf der anderen Seite ist es, um eine Niederfrequenz von mindestens 20 Hz mit einem Chip-Kondensator zu erreichen, der eine Kapazität von 0,1 μF hat, notwendig, den Widerstandswert der externen Widerstände 403 und 404 auf 80 kΩ oder mehr einzustellen, wie es oben beschrieben ist. Wenn man hier annimmt, dass jeder der externen Widerstände 403 bzw. 404 so eingestellt wird, dass er mit etwas Spiel einen Widerstandswert von 100 kΩ aufweist, ist der externe Widerstand 405 von 900 kΩ für das Erreichen eines Gewinnes von 10 mal so groß, wie dem der Verstärkerschaltung erforderlich.
Es treten jedoch durch die Einstellung von Eingangs- und der Ausgangsanschlüsse des Operationsverstärkers 402 an einem externen Teil der Tonsignalverarbeitungsschaltung, wie in 4 gezeigt, parasitäre Kondensatoren auf, wie diejenigen, die durch die Bezugszeichen 409 bis 413 bezeichnet werden. Insbesondere wird, da der parasitäre Kon densator 410 parallel zu dem externen Widerstand 405 von 900 kΩ entsteht, ein Tiefpassfilter dazwischen ausgebildet. Wenn der Wert des parasitären Kondensators 410 10 pF erreicht, wird ein Tiefpassfilter von 17 kHz gebildet. Wegen des Tiefpassfilters ist die Hochfrequenzseite eines Verstärkers begrenzt und ein Problem des Verringerns der Frequenzcharakteristik tritt auf. Im Vergleich eines Falls 601, in dem ein parasitärer Tiefpassfilter vorliegt, mit einem Fall 602, in dem kein parasitärer Tiefpassfilter vorliegt, gibt es, wie in 6 gezeigt, einen bemerkenswerten Unterschied bezüglich der Frequenzcharakteristiken von diesen.
In einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die aus einem externen Widerstand in einer herkömmlichen IC unter Verwendung von Einkristall-Silizium aufgebaut ist, tritt das gleiche Problem auf. Ein Beispiel wird mit Bezug auf 5 erklärt. In einer IC unter Verwendung von Einkristall-Silizium werden MOS – Transistoren und ein Widerstand auf einem Siliziumsubstrat 501 ausgebildet. In 5 bezeichnen 502 und 503 eine Sourceregion bzw. eine Drainregion eines MOS – Transistors, bezeichnet 504 eine Kanalregion, bezeichnet 505 eine LOCOS (lokale Oxidation des Siliziums) – Schicht, bezeichnet 506 einen Gate isolierenden Film, bezeichnet 507 eine Gate-Elektrode, bezeichnet 508 eine Zwischenlageschicht, bezeichnet 509 eine Sourceelektrode, und 510 bezeichnet eine Drainelektrode. Wie für einen Widerstand 511, der auf der LOCOS – Schicht 505 ausgebildet ist, wird ein Anschluss an die Drainelektrode 510 angeschlossen, und der andere Anschluss wird an die Elektrode 512 angeschlossen. Weil die LOCOS – Schicht 505 ungefähr 200 bis 5000 nm dick ist, tritt ein parasitärer Kondensator 513 zwischen dem Siliziumsubstrat 501 und dem Widerstand 511 auf. Der Widerstand von ungefähr 1 MΩ verursacht eine parasitäre Kapazität von einigen pF. Ein Siliziumsubstrat ist ein Leiter und wird gewöhnlich an einer Erde und dergleichen angeschlossen. Folglich tritt das gleiche Problem, wie das oben genannte, auf, und die Frequenzcharakteristik ist verschlechtert worden.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Angesichts der vorangehenden Probleme stellt die vorliegende Erfindung eine Tonsignalverarbeitungsschaltung, die in der Größe verringert ist, ein Anzeigegerät, welches die Tonsignalverarbeitungsschaltung enthält, und ein elektronisches Gerät mit kleiner Größe und leichtem Gewicht zur Verfügung.
Die Tonsignalverarbeitungsschaltung gemäß der Erfindung wird durch die Merkmale von Anspruch 1 oder Anspruch 8 oder Anspruch 15 definiert.
Das Ziel der Erfindung ist es, eine Tonsignalverarbeitungsschaltung zur Verfügung zu stellen, die Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat ausgebildet ist, umfasst. Zusätzlich dazu ist es, ein Anzeigegerät, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung enthält, die einen Dünnschichtwiderstand umfasst, der auf einem isolierenden Substrat ausgebildet ist, zur Verfügung zu stellen, ein weiteres Ziel der Erfindung. Für den Fall dieser Konfiguration wird ein parasitärer Abschlusskondensator nicht zu einem Problem. Des weiteren ergibt sich ein Vorteil dadurch, dass der Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat ausgebildet ist, kein Problem der parasitären Kapazität zwischen einem Substrat und einem Widerstand, wie einem Widerstand in einer IC, verursacht.
Eine Konfiguration der Erfindung wird im Folgenden beschrieben.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Eingangsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat ausgebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem am isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Eingangsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat ausgebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Eingangsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat ausgebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Rückkopplungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Rückkopplungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Rückkopplungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Glättungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Glättungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die Dünnschichtelemente umfasst, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, umfasst eine Glättungsschaltung einen Dünnschichtwiderstand, der auf dem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung sind in der Tonsignalverarbeitungsschaltung P-artige Verunreinigungen in dem Dünnschichtwiderstand dotiert.
Entsprechend der Erfindung hat in der Tonsignalverarbeitungsschaltung der Dünnschichtwiderstand einen Widerstandswert von 80 kΩ oder mehr.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Eingangsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Eingangsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Eingangsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Rückkopplungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Rückkopplungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Rückkopplungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Glättungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf dem isolierenden Substrat angebracht ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Glättungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einem flexiblen Substrat angebracht ist, das mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung hinsichtlich eines Anzeigegeräts, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung einschließt, umfasst eine Glättungsschaltung der Tonsignalverarbeitungsschaltung Dünnschichtelemente und einen Dünnschichtwiderstand, der auf einem isolierenden Substrat gebildet ist, und einen Chip-Kondensator, der auf einer Leiterplatine angebracht ist, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
Entsprechend der Erfindung sind in dem Anzeigegerät P-artige Verunreinigungen in dem Dünnschichtwiderstand dotiert.
Entsprechend der Erfindung hat in dem Anzeigegerät der Dünnschichtwiderstand einen Widerstandswert von 80 kΩ oder mehr.
Mittels des vorangehenden kann ein Kondensator mit kleinerer Größe verwirklicht werden, und es kann eine Tonsignalverarbeitungsschaltung in einem Anzeigegerät enthal ten sein. Infolgedessen kann ein elektronisches Gerät, typischer Weise ein mobiles Informationsgerät, mit kleiner Größe und leichtem Gewicht, das zum Ausgeben eines Tones fähig ist, realisiert werden.
In einem herkömmlichen mobilen Informationsgerät mit einer Audioausgabefunktion wird ein elektrostatischer Kondensator in der Tonsignalverarbeitungsschaltung benutzt. Somit ist die Verringerung der Tonsignalverarbeitungsschaltung schwierig, und das herkömmliche mobile Informationsgerät mit einer Audioausgabefunktion verhindert die Verringerung der Größe des mobilen Informationsgeräts.
Entsprechend der Erfindung können eine Tonsignalverarbeitungsschaltung mit einem kleinen Volumen und ein Anzeigegerät, das die Tonsignalverarbeitungsschaltung enthält, verwirklicht werden, indem man die Tonsignalverarbeitungsschaltung aus Dünnschichtelementen, besonders unter Verwendung eines Dünnschichtwiderstands als einen Widerstand und eines Kondensators mit kleiner Kapazität, zusammensetzt. Die Erfindung macht es möglich, ein mobiles Informationsgerät mit einer Audioausgabefunktion in der Größe und in dem Gewicht zu verringern.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Ersatzschaltbild, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung gemäß der Erfindung zeigt.
2A und 2B sind eine obere Draufsicht und eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen Anzeigegeräts.
3A und 3B sind eine obere Draufsicht und eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen Anzeigegeräts.
4 ist ein Ersatzschaltbild, das eine herkömmliche Tonsignalverarbeitungsschaltung zeigt.
5 ist eine Querschnittsansicht einer herkömmlichen Tonsignalverarbeitungs-IC.
6 ist ein Diagramm, das Frequenzcharakteristiken einer herkömmlichen Tonsignalverarbeitungsschaltung zeigt.
7A bis 7D sind Querschnittsansichten für Herstellungsschritte.
8 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform eines Anzeigegeräts gemäß der Erfindung zeigt.
9 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform eines Anzeigegeräts gemäß der Erfindung zeigt.
10 ist ein Ersatzschaltbild, das einer Operationsverstärkerschaltung zeigt.
11 ist ein Ersatzschaltbild, das eine Gleichrichterschaltung zeigt.
12A bis 12G sind Ansichten der elektronischen Geräte mit Anzeigegeräten gemäß der Erfindung.
13 ist eine Ansicht, die ein Anzeigegerät gemäß der Erfindung zeigt.
14A bis 14D sind obere Draufsichten der Dünnschichtelemente.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Im Folgenden werden Modi von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Figuren erklärt. 1 zeigt einen Ausführungsmodus einer Tonsignalverarbeitungsschaltung, die auf einem isolierenden Substrat 101 ausgebildet ist. Diese Verstärkerschaltung umfasst einen Operationsverstärker 104, der aus Dünnschichtelementen wie TFTs, Dünnschichtwiderständen 105, 106 und 107, einem Energieversorgungsteil 111, einem FPC 102, und Chip-Kondensatoren 108 und 109, die auf dem FPC ausgebildet sind, besteht. Der Dünnschichtwiderstand 105 und der Chip-Kondensator 109 bilden eine Eingangsschaltung 116, und die Dünnschichtwiderstände 106 und 107 und der Chip-Kondensator 108 bilden eine Rückkopplungsschaltung 117.
Indem man, wie oben beschrieben, die Eingangsschaltung 116 mit dem Dünnschichtwiderstand 105 bildet, wird der Hauptteil der parasitären Kapazität, die in der Eingangsschaltung 116 entsteht, ein parasitärer Kondensator 114 auf dem FPC 102, und die Frequenzcharakteristik kann verbessert werden. Zusätzlich wird, indem man, wie oben beschrieben, die Rückkopplungsschaltung 117 mit den Dünnschichtwiderständen 106 und 107 bildet, der Hauptteil der parasitären Kapazitäten, die in der Rückkopplungsschaltung 117 entstehen, ein parasitärer Kondensator 113. Insbesondere kann so, da der Dünnschichtwiderstand 106 eine weit geringere parasitäre Kapazität verglichen mit dem herkömmlichen hat, die Frequenzcharakteristik verbessert werden.
Der Betrieb des vorliegenden Ausführungsmodus wird als nächstes erklärt. Ein Signal, das von einer Signalquelle 110 auf einer Leiterplatine 103 ausgegeben wird, wird in den Operationsverstärker 104 und den Dünnschichtwiderstand 105 durch den Chip-Kondensator 109 eingegeben. Eine Gleichspannung der Signalquelle 110 beträgt typischer Weise 0 V, und Gleichspannungen des Dünnschichtwiderstandes 105 und des Einganges des Operationsverstärkers 104 werden durch das Energieversorgungsteil 111 geliefert. Somit sind sie nicht einander gleich. Folglich wird eine Gleichspannung mit dem Chip-Kondensator 109 geteilt. Der Dünnschichtwiderstand 105 und der Chip-Kondensator 109 bilden die Eingangsschaltung 116. Ein Signal, das dem Operationsverstärker 104 eingegeben wird, wird, nachdem es verstärkt worden ist, an einen Anschluss 112 ausgegeben. Hierbei bilden die Dünnschichtwiderstände 106 und 107 und der Chip-Kondensator 108 die Rückkopplungsschaltung 117, und ein Gewinn des Operationsverstärkers 104 wird durch das Widerstandsverhältnis von dem Dünnschichtwiderstand 106 zu dem Dünnschichtwiderstand 107 bestimmt.
Um ein Niederfrequenz von mindestens 20 Hz mit dem Chip-Kondensator 108 zu erreichen, der die Kapazität von 0,1 μF hat, und mit einem Gewinn von 10 mal so groß, ist es notwendig, den Dünnschichtwiderstand 107 auf 100 kΩ und den Dünnschichtwiderstand 106 auf 900 kΩ, wie oben beschrieben, einzustellen. Entsprechend dem Ausführungsmodus werden keine parasitären Tiefpassfilter durch die parasitären Kondensatoren 113 und 114 ausgebildet, da sich nur einer von zwei Anschlüssen jedes Dünnschichtwiderstandes auf der Außenseite befindet. Folglich gibt es anders als bei der herkömmlichen Schaltung keine Möglichkeit des Verringerns einer Frequenzcharakteristik in der Hochfrequenz.
Des weiteren werden anders als bei einer IC unter Verwendung eines Einkristall-Siliziumsubstrats, da das Substrat 101 der Dünnschichtwiderstände 105 bis 107 der Erfindung ein Isolator ist, keine Tiefpassfilter durch die Kapazität zwischen einem Widerstand und einem Substrat ausgebildet. Folglich wird der vorteilhafte Effekt in der Eingangsschaltung 116, die oben beschrieben worden ist, sowie in der Rückkopplungsschaltung 117 erhalten. Wie oben beschrieben, kann in der Erfindung ein Chip-Kondensator, dessen Kapazität klein ist, als ein Kondensator benutzt werden, da ein Widerstand, der einen hohen Widerstand von 80 kΩ oder mehr besitzt, ausgebildet werden kann, ohne eine Verschlechterung in einer Frequenzcharakteristik in der Hochfrequenz zu verursachen. Folglich ist es möglich, das Volumen einer Schaltung einschließlich einer externen Schaltung zu verringern, und es dient somit der Verringerung des Gewichts, der Dicke und der Größe einer Vorrichtung. Oben ist ein Beispiel beschrieben, in dem Chip-Kondensatoren 105 bis 109 auf einem FPC 102 angebracht werden. Jedoch ist die Montageposition des Chip-Kondensators nicht auf den FPC 102 beschränkt, er kann auf einem isolierenden Substrat 101 oder auf einer Leiterplatine 103 angebracht werden, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
[Ausführungsform 1]
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in 11 gezeigt. Die vorliegende Ausführungsform zeigt eine Halbwellengleichrichterschaltung auf einem isolierenden Substrat 1101. Eine Gleichrichterschaltung wird für die Pegeldetektion von Signalen verwendet. Die Halbwellengleichrichterschaltung der Ausführungsform umfasst einen Operationsverstärker 1104, der aus Dünnschichtelementen wie TFTs, Dünnschichtwiderständen 1105, 1106, 1107 und 1114, Dünnschichtdioden 1112 und 1113, einem Energieversorgungsteil 1111, einem FPC 1102 und Chip-Kondensatoren 1108 und 1109 auf dem FPC 1102 zusammengesetzt ist. Der Betrieb der Halbwellengleichrichterschaltung wird im Folgenden erklärt.
Ein Signal, das von einer Signalquelle 1110 auf einer Leiterplatine 1103 ausgegeben wird, wird in den Dünnschichtwiderstand 1107 durch den Chip-Kondensator 1109 eingegeben. Der Dünnschichtwiderstand 1107 und der Chip-Kondensator 1109 bauen eine Eingangsschaltung 1118 auf. Was den Dünnschichtwiderstand anbetrifft 1107, wird ein Anschluss an den Chip-Kondensator 1109 angeschlossen, und der andere Anschluss wird an einen invertierenden Eingangsanschluss des Operationsverstärkers 1104 ange schlossen. Wenn man annimmt, dass eine Mitte eines Signals bei 0 V liegt, wird in dem Fall, in dem ein Eingangssignal niedriger wird (ein negative Amplitude bekommt), ein Ausgangssignal des Operationsverstärkers 1104 höher (bekommt eine positive Amplitude). Ein Strom fließt von dem Ausgangsanschluss des Operationsverstärkers 1104 zu der Signalquelle 1110 durch die Dünnschichtdiode 1113 und den Dünnschichtwiderstand 1107. Hierbei wird eine Spannung eines Anschlusspunktes 1117 einer Spannung des invertierenden Eingangsanschlusses des Operationsverstärkers 1104 gleich.
In dem Fall, in dem das Eingangssignal niedriger wird (eine negative Amplitude bekommt), wird eine festgelegte Spannung (eine Spannung des Energieversorgungsteils 1111) an den Anschlusspunkt 1117 ausgegeben, da die Spannung des invertierenden Eingangsanschlusses des Operationsverstärkers 1104 der Spannung des Energieversorgungsteils 1111 ungefähr gleich ist. In dem Fall, in dem das Signal von der Signalquelle 1110 größer wird (eine positive Amplitude bekommt), fließt ein Strom von der Signalquelle 1110 zu dem Dünnschichtwiderstand 1106, zu der Dünnschichtdiode 1112 und schließlich zu einem Ausgangsanschluss des Operationsverstärkers 1104 durch den Chip-Kondensator 1109 und den Dünnschichtwiderstand 1107. Hierbei entsteht an dem Anschlusspunkt 1117 ein Signal, das eine zu derjenigen des Eingangssignals umgekehrte Phase hat. Die Halbwellenkorrektur wird in dieser Weise durchgeführt.
Der Dünnschichtwiderstand 1114 wird an den Anschlusspunkt 1117 angeschlossen, und das Glätten wird durch den Chip-Kondensator 1108 durchgeführt. Der Dünnschichtwiderstand 1114 und der Chip-Kondensator 1108 bilden eine Glättungsschaltung 1119. Entsprechend der Ausführungsform wird der Hauptteil der parasitären Kapazitäten, die auftreten, der parasitäre Kondensator 1115 und 1116 auf dem FPC 1102, und die Verschlechterung in der Frequenzcharakteristik kann verhindert werden, indem man die Dünnschichtwiderstände 1107, 1106 und 1114 in der Halbwellengleichrichterschaltung einbaut. Es ist oben ein Beispiel beschrieben, in dem Chip-Kondensatoren 1108 und 1109 auf dem FPC 1102 angebracht werden. Jedoch ist die Montageposition des Chip-Kondensators nicht auf den FPC 1102 beschränkt, er kann auf einem isolierenden Substrat 1101 oder auf einer Leiterplatine 1103 angebracht werden, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist.
[Ausführungsform 2]
Eine Ausführungsform des Anzeigegeräts der vorliegenden Erfindung wird in 8 gezeigt. Die vorliegende Ausführungsform zeigt ein Beispiel, in dem ein Chip-Kondensator für eine Tonsignalverarbeitungsschaltung auf einem FPC angebracht ist. Die Erklärung von 8 wird unten erfolgen. Bezugszeichen 801 bezeichnet ein Anzeigegerät, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung enthält. TFTs werden auf einem isolierenden Substrat gebildet und in einer Matrixweise in einem Pixelteil 802 angeordnet. Zusätzlich werden eine Sourcebetriebsschaltung 803 und eine Gatebetriebsschaltung 804 aus den TFTs sowie aus Pixeln zusammengesetzt. Des weiteren wird ebenso eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 805 aus den TFTs zusammengesetzt. Das Anzeigegerät 801 ist mit einem FPC 806 für das Senden von Signalen zu diesen Schaltungen auf dem isolierenden Substrat, Chip-Kondensatoren 807 bis 810, die auf dem FPC 806 angebracht sind, und einer Leiterplatine 811 ausgestattet.
Die Tonsignalverarbeitungsschaltung 805 schließt eine analoge Verstärkerschaltung für die Verarbeitung eines Tones ein, jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Die Tonsignalverarbeitungsschaltung 805 kann Dünnschichtwiderstände der Erfindung und Chip-Kondensatoren enthalten. Die Verschlechterung in der Frequenzcharakteristik kann verhindert werden, indem man eine Eingangsschaltung, eine Rückkopplungsschaltung und ein Glättungsschaltung mit den Dünnschichtwiderständen und den Chip-Kondensatoren konfiguriert.
[Ausführungsform 3]
Eine Ausführungsform des Anzeigegeräts der vorliegenden Erfindung wird in 9 gezeigt. Die vorliegende Ausführungsform zeigt ein Beispiel, in dem ein Chip-Kondensator für eine Tonsignalverarbeitungsschaltung auf einem isolierenden Substrat angebracht ist. Die Erklärung von 9 wird unten erfolgen. Bezugszeichen 901 bezeichnet ein Anzeigegerät, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 905 enthält. TFTs werden auf einem isolierenden Substrat gebildet und in einer Matrixweise in einem Pixelteil 902 angeordnet. Zusätzlich werden eine Sourcebetriebsschaltung 903 und eine Gatebetriebsschaltung 904 aus den TFTs sowie aus Pixeln zusammengesetzt. Des weiteren wird ebenso eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 905 aus den TFTs zusammengesetzt. Das Anzeigegerät 901 ist mit einem FPC 906 für das Senden von Signalen zu diesen Schaltungen auf dem isolierenden Substrat, Chip-Kondensatoren 907 bis 910, die auf dem isolierenden Substrat angebracht sind, und einer Leiterplatine 911 ausgestattet.
Die Tonsignalverarbeitungsschaltung 905 schließt eine analoge Verstärkerschaltung für die Verarbeitung eines Tones ein, jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Die Tonsignalverarbeitungsschaltung 905 kann Dünnschichtwiderstände der Erfindung und Chip-Kondensatoren enthalten. Die Verschlechterung in der Frequenzcharakteristik kann verhindert werden, indem man eine Eingangsschaltung, eine Rückkopplungsschaltung und ein Glättungsschaltung mit den Dünnschichtwiderständen und den Chip-Kondensatoren konfiguriert.
[Ausführungsform 4]
Eine Ausführungsform des Anzeigegeräts der vorliegenden Erfindung wird in 13 gezeigt. Die vorliegende Ausführungsform zeigt ein Beispiel, in dem ein Chip-Kondensator für eine Tonsignalverarbeitungsschaltung auf einer Leiterplatine angebracht wird. Die Erklärung von 13 wird unten erfolgen. Bezugszeichen 1401 bezeichnet ein Anzeigegerät, das eine Tonsignalverarbeitungsschaltung enthält. TFTs werden auf einem isolierenden Substrat gebildet und in einer Matrixweise in einem Pixelteil 1402 angeordnet. Zusätzlich werden eine Sourcebetriebsschaltung 1403 und eine Gatebetriebsschaltung 1404 aus den TFTs sowie Pixeln zusammengesetzt. Des weiteren wird eine Tonsignalverarbeitungsschaltung 1405 auch durch die TFTs aufgebaut. Das Anzeigegerät 1401 wird mit einem FPC 1406 für das Senden von Signalen zu diesen Schaltungen auf dem isolierenden Substrat, einer gedruckten Leiterplatte 1411, die elektrisch mit dem isolierenden Substrat verbunden ist, und Chip-Kondensatoren 1407 bis 1410, die auf der Leiterplatine 1411 angebracht sind, ausgestattet.
Für die Tonsignalverarbeitungsschaltung 1405 der Ausführungsform kann diejenige, die in dem Ausführungsmodus gezeigt wird, verwendet werden. Die Tonsignalverarbeitungsschaltung schließt eine analoge Verstärkerschaltung für die Verarbeitung eines Tones ein, jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Die Tonsignalverarbeitungsschaltung 1405 umfasst Dünnschichtwiderstände der Erfindung. Die Verschlechterung in der Frequenzcharakteristik kann verhindert werden, indem man eine Eingangsschaltung, eine Rückkopplungsschaltung und eine Glättungsschaltung mit den Dünnschichtwiderständen und den Chip-Kondensatoren konfiguriert.
[Ausführungsform 5]
Ein Herstellungsverfahren für einen Dünnschichtwiderstand der Erfindung wird unter Verwendung der 7A bis 7D erklärt. Ein Unterfilm 702 wird auf einem isolierenden Substrat 701 gebildet. Für diesen Unterfilm wird wünschenswerter Weise ein Nitridfilm oder ein laminierter Film eines Nitridfilmes und eines Oxidfilms benutzt. Ein amorpher Siliziumfilm wird als nächstes gebildet. Der amorphe Siliziumfilm wird durch thermische Bestrahlung oder Laserbestrahlung kristallisiert und bildet einen Polysiliziumfilm. Dann wird der Polysiliziumfilm gemustert, um Siliziuminseln 703 bis 706 von gewünschten Formen zu bilden (7A).
Als nächstes wird ein Gate isolierender Film 707 ausgebildet, und es wird ein Gate-Elektroden-Material darauf ausgebildet. Das Gate-Elektroden-Material wird gemustert, um Gate-Elektroden 708 und 709 zu bilden, und danach werden N-artige Verunreinigungen unter Verwendung einer Lackmaske für das N-artige Dotieren 710 dotiert. Eine Siliziumregion, in der die Gate-Elektrode darauf gebildet wird, wird eine Kanalregion 711 des N-artigen TFT 1511, da eine Region unter der Gate-Elektrode 708 nicht dotiert wird. Auf der anderen Seite wird eine Siliziumregion, in der keine Gate-Elektrode darauf belassen wird, ein N-artiger Dünnschichtwiderstand 712, da die Siliziumregion dotiert wird (7B). Nachdem die Lackmaske für das N-artige Dotieren 710 entfernt worden ist, wird eine Lackmaske für das P-artige Dotieren 713 gebildet, und es werden P-artige Verunreinigungen dotiert. Eine Siliziumregion, in der die Gate-Elektrode darauf gebildet ist, wird eine Kanalregion 714 des P-artigen TFT 1514, da eine Region unter der Gate-Elektrode 709 nicht dotiert wird. Auf der anderen Seite wird eine Siliziumregion, in der keine Gate-Elektrode darauf gebildet wird, ein P-artiger Dünnschichtwiderstand 715, da von der Siliziumregion dotiert wird (7C).
Danach wird ein Zwischenlagefilm 716 gebildet und Kontaktbohrungen werden geöffnet. Elektroden 717 bis 720 werden gebildet, indem man ein Verdrahtungsmetall bildet und mustert, und somit werden ein N-artiger TFT 1511, ein P-artiger TFT 1514, ein N-artiger Dünnschichtwiderstand 1512 und ein P-artiger Dünnschichtwiderstand 1515 gebildet. Durch diese Schritte wird eine Schaltung fertig gestellt (7D). Zusätzlich werden obere Draufsichten von ihnen in den 14A bis 14D gezeigt. Die gleichen Teile werden durch nämliche Bezugszeichen gekennzeichnet. 14A bis 14D zeigen obere Drauf sichten des N-artigen TFT 1511, des P-artigen TFT 1514, des N-artigen Dünnschichtwiderstands 1512 und des P-artigen Dünnschichtwiderstands 1515. Bezugszeichen 708, 709, 711, 712 und 717–720 in 14A bis 14D entsprechen den gleichen Bezugszeichen in 7A bis 7D, und Bezugszeichen 721 bis 724 bezeichnen Kontaktbohrungen in dem Zwischenlagefilm, der durch Bezugszeichen 716 in der 7D bezeichnet wird. Wie oben beschrieben, ist es möglich, die Dünnschichtwiderstände herzustellen, ohne irgend etwas den Ausbildungsschritten eines TFT in der vorliegenden Ausführungsform hinzuzufügen. Es sei bemerkt, dass, obgleich entweder P-artige oder N-artige Verunreinigungen für die Bildung der Widerstände in der Ausführungsform dotiert werden können, ein Widerstand, der mit P-artigen Verunreinigung dotiert wird, für den Dünnschichtwiderstand wegen seiner geringen Variationen vorzuziehen ist.
[Ausführungsform 6]
10 ist ein Ersatzschaltbild einer Operationsverstärkerschaltung, die aus TFTs besteht. Diese Operationsverstärkerschaltung umfasst eine Differentialschaltung, die einen TFT 1001 und einen TFT 1002, eine Stromspiegelschaltung, die einen TFT 1003 und einen TFT 1004 besitzt, eine konstante Stromquelle, die einen TFT 1005 und einen TFT 1009 besitzt, eine gemeinsame Sourceschaltung, die einen TFT 1006 besitzt, eine Blindstromschaltung, die einen TFT 1007 und einen TFT 1008 besitzt, ein Sourcenachfolgeschaltung, die einen TFT 1010 und einen TFT 1011 besitzt, und einen Phasekompensatorkondensator 1012 aufweist.
Der Betrieb der Operationsverstärkerschaltung, die in 10 gezeigt wird, wird im Folgenden erklärt. Wenn ein Plus – Signal einem nicht-invertierten Eingangsanschluss eingegeben wird, wird der Drainstrom des TFT 1001 größer als der des TFT 1002, da die konstante Stromquelle, die die TFTs 1005 und 1109 besitzt, an den Sources der TFT 1001 und der TFT 1002 angeschlossen ist, die die Differentialschaltung aufbauen. Der Drainstrom des TFT 1003 wird dem des TFT 1002 gleich, da der TFT 1003 und der TFT 1004 die Stromspiegelschaltung bilden. Der Differentialstrom zwischen dem Drainstrom des TFT 1003 und dem des TFT 1001 veranlasst, dass die Gatespannung des TFT 1006 verringert wird. Der TFT 1006, ein P-artiger TFT, schaltet sich ein, und der Drainstrom erhöht sich, wenn die Gatespannung des TFT 1006 gesenkt wird. Folglich steigt die Gatespannung des TFT 1010. Hiermit verbunden steigt die Sourcespannung des TFT 1010, nämlich die Spannung eines Ausgangsanschlusses.
Wenn ein Minus – Signals dem nicht-invertierten Eingangsanschluss eingegeben wird, wird der Drainstrom des TFT 1001 kleiner als der des TFT 1002. Da der Drainstrom des TFT 1003 dem des TFT 1002 gleich ist, veranlasst der Differentialstrom zwischen dem Drainstrom des TFT 1003 und dem des TFT 1001, dass die Gatespannung des TFT 1006 gesenkt wird. Der TFT 1006, ein P-artiger TFT, stellt sich ab, und der Drainstrom verringert sich, wenn die Gatespannung des TFT 1006 steigt. Folglich sinkt die Gatespannung des TFT 1010. Hiermit verbunden wird die Sourcespannung des TFT 1010, nämlich die Spannung von dem Ausgangsanschluss, gesenkt. Wie oben beschrieben, wird ein Signal, welches die gleiche Phase wie das eines Signals des nicht-invertierten Eingangsanschlusses hat, von dem Ausgangsanschluss ausgegeben.
Wenn ein Plus – Signal einem invertierten Eingangsanschluss eingegeben wird, wird der Drainstrom des TFT 1001 kleiner als der des TFT 1002. Da der Drainstrom des TFT 1003 dem des TFT 1002 gleich ist, veranlasst der Differentialstrom zwischen dem Drainstrom des TFT 1003 und dem des TFT 1001, dass die Gatespannung des TFT 1006 erhöht wird. Der TFT 1006, ein P-artiger TFT, stellt sich ab und der Drainstrom verringert sich, wenn die Gatespannung des TFT 1006 steigt. Folglich sinkt die Gatespannung des TFT 1010. Hiermit verbunden wird die Sourcespannung des TFT 1010, nämlich die Spannung von dem Ausgangsanschluss, gesenkt.
Wenn ein Minus – Signal dem invertierten Eingangsanschluss eingegeben wird, wird der Drainstrom des TFT 1001 größer als der des TFT 1002. Da der Drainstrom des TFT 1003 dem des TFT 1002 gleich ist, veranlasst der Differentialstrom zwischen dem Drainstrom des TFT 1003 und dem des TFT 1001, dass die Gatespannung des TFT 1006 gesenkt wird. Der TFT 1006, ein P-artiger TFT, schaltet sich ein, und der Drainstrom erhöht sich, wenn die Gatespannung des TFT 1006 gesenkt wird. Folglich steigt die Gatespannung des TFT 1010. Hiermit verbunden wird die Sourcespannung des TFT 1010, nämlich die Spannung von dem Ausgangsanschluss, erhöht. Wie oben beschrieben, wird ein Signal, welches die umgekehrte Phase zu der eines Signals des invertierten Eingangsanschlusses hat, von dem Ausgangsanschluss ausgegeben.
In dieser Ausführungsform besteht die Differentialschaltung aus Nch – TFTs, und die Stromspiegelschaltung besteht aus Pch – TFTs. Die Erfindung ist jedoch nicht auf dieses beschränkt, und es kann das Umgekehrte verwendet werden, d.h. es kann die Differen tialschaltung aus Pch – TFTs gebildet werden, und die Stromspiegelschaltung kann aus Nch – TFTs gebildet werden. Zusätzlich ist eine Schaltung nicht auf die oben beschriebene Schaltung beschränkt, und es kann eine andere Schaltung verwendet werden, solange sie als eine Operatorverstärkerschaltung arbeitet.
[Ausführungsform 7]
Ein Anzeigegerät, das wie oben beschrieben hergestellt ist, kann als ein Anzeigeteil verschiedener elektronischer Geräte verwendet werden kann. Ein elektronisches Gerät, das ein Anzeigegerät enthält, das entsprechend der Erfindung als ein Anzeigemedium hergestellt ist, wird im Folgenden erklärt.
Beispiele solcher elektronischer Geräte schließen eine Videokamera, eine digitale Kamera, ein Head Mounted Display (eine Brillenanzeige), ein Spielautomat, ein Fahrzeugnavigationsgerät, einen PC, ein tragbares Informationsdatenendgerät (einen tragbaren Computer, ein Mobiltelefon oder ein elektronisches Buch) und dergleichen ein. Spezielle Beispiele von diesen werden in den 12A bis 12G gezeigt.
12A ist eine digitale Kamera, die einen Hauptkörper 3101, einen Anzeigeteil 3102, einen Bildempfangsteil 3103, Bedientasten 3104, einen externen Verbindungsport 3105 und einen Verschluss 3106 und dergleichen einschließt. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in dem Anzeigeteil 3102 benutzt werden, um eine digitale Kamera zu erhalten, die kompakt und bequem ist.
12B ist eine Laptop-Computer, die einen Hauptkörper 3201, ein Gehäuse 3202, einen Anzeigeteil 3203, eine Tastatur 3204, einen externen Verbindungsport 3205, eine Zeigemaus 3206 und dergleichen einschließt. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in dem Anzeigeteil 3203 benutzt werden, um eine Laptop-Computer zu erhalten, der kompakt und bequem ist.
12C ist ein tragbares Informationsdatenendgerät, das einen Hauptkörper 3301, einen Anzeigeteil 3302, einen Schalter 3303, Bedientasten 3304, einen Infrarot-Port 3305 und dergleichen einschließt. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in dem Anzeigeteil 3302 benutzt werden, um eintragbares Informationsdatenendgerät zu erhalten, das kompakt und bequem ist.
12D ist eine Bildwiedergabevorrichtung mit einem Aufnahmemedium (speziell einer DVD – Wiedergabevorrichtung), die einen Hauptkörper 3401, ein Gehäuse 3402, ein Aufzeichnungsmedium – Einleseteil 3405 mittlerer (wie für eine CD, eine LD oder eine DVD), Bedienschalter 3406, einen Anzeigeteil A 3403, einen Anzeigeteil B 3404 und dergleichen einschließt. Der Anzeigeteil A 3403 zeigt hauptsächlich Bilddaten an, und der Anzeigeteil B 3404 zeigt hauptsächlich Textdaten an. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in den Anzeigeteilen A 3403 und in B 3404 der Bildwiedergabevorrichtung benutzt werden, die mit dem Aufnahmemedium versehen ist, um eine Bildwiedergabevorrichtung zu erhalten, die kompakt und bequem ist. Es sei bemerkt, dass eine CD-Wiedergabevorrichtung, ein Spielautomat und dergleichen in der Bildwiedergabevorrichtung mit einem Aufnahmemedium enthalten sind.
12E ist ein klappbares tragbares Anzeigegerät. Ein Anzeigeteil 3502, der die Erfindung verwendet, kann an einem Hauptkörper 3501 angebracht werden, um ein tragbares Anzeigegerät zu erhalten, das kompakt und bequem ist.
12F ist eine Uhr, die ein Band 3601, einen Anzeigeteil 3602, einen Bedienschalter 3603 und dergleichen einschließt. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in dem Anzeigeteil 3602 benutzt werden, um eine Uhr zu erhalten, die eine Audioausgabefunktion hat.
12G ist ein Mobiltelefon, das einen Hauptkörper 3701, ein Gehäuse 3702, ein Anzeigeteil 3703, ein Audioeingangsteil 3704, eine Antenne 3705, Bedientasten 3706, einen externen Verbindungsport 3707 einschließt. Das Anzeigegerät der Erfindung kann in dem Anzeigeteil 3703 benutzt werden, um ein Mobiltelefon zu erhalten, das kompakt und bequem ist.
Wie oben beschrieben, kann die Erfindung weitläufig verwendet werden und wird auf elektronische Geräte auf verschiedenen Gebieten angewendet. E sei bemerkt, dass die elektronischen Geräte dieser Ausführungsform erhalten werden können, indem man irgend eine Kombination der Strukturen in den Ausführungsformen 1 bis 6 verwendet.

Claims

Tonsignalverarbeitungsschaltung umfassend: ein Dünnschichtelement, das über einem nichtleitenden Substrat (101, 1101) gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand (105, 106, 107, 1105, 1106, 1107, 1114), der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und ein Chip-Kondensator (108, 109, 1108, 1109), der über dem nichtleitenden Substrat befestigt ist.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 1 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.
Tonsignalverarbeitungsschaltung umfassend: ein Dünnschichtelement, das über einem nichtleitenden Substrat (101, 1101) gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand (105, 106, 107, 1105, 1106, 1107, 1114), der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und ein Chip-Kondensator (108, 109, 1108, 1109), der über einem biegsamen Substrat (102) befestigt ist, das mit dem nichtleitenden Substrat verbunden ist.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 8 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.
Tonsignalverarbeitungsschaltung umfassend: ein Dünnschichtelement (1112, 1113), das über einem nichtleitenden Substrat (1101) gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand (1105, 1106, 1107, 1114), der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und ein Chip-Kondensator (1108, 1109), der über einer Platine (1411) befestigt ist, die mit dem nichtleitenden Substrat elektrisch verbunden ist.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15, wobei die Tonsignalverarbeitungsschaltung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Tonsignalverarbeitungsschaltung nach Anspruch 15 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.
Anzeigevorrichtung, die eine Tonsignalverarbeitungsschaltung umfasst, umfassend: ein Dünnschichtelement, das über einem nichtleitenden Substrat gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand, der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und ein Chip-Kondensator, der über dem nichtleitenden Substrat befestigt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei die Anzeigevorrichtung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei die Anzeigevorrichtung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei die Anzeigevorrichtung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.
Anzeigevorrichtung, die eine Tonsignalverarbeitungsschaltung umfasst, umfassend: ein Dünnschichtelement, das über einem nichtleitenden Substrat gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand, der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und ein Chip-Kondensator, der über einem biegsamen Substrat befestigt ist, das mit dem nichtleitenden Substrat verbunden ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29, wobei die Anzeigevorrichtung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29, wobei die Anzeigevorrichtung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29, wobei die Anzeigevorrichtung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 29 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.
Anzeigevorrichtung, die eine Tonsignalverarbeitungsschaltung umfasst, umfassend: ein Dünnschichtelement, das über einem nichtleitenden Substrat gebildet ist; einen Dünnschichtwiderstand, der über dem nichtleitenden Substrat gebildet ist; und einen Chip-Kondensator (1108, 1109), der über einer Platine (1411) befestigt ist, die mit dem nichtleitenden Substrat elektrisch verbunden ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Anzeigevorrichtung eine Eingangsschaltung umfasst, und die Eingangsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Anzeigevorrichtung eine Rückkopplungsschaltung umfasst, und die Rückkopplungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Anzeigevorrichtung eine Glättungsschaltung umfasst, und die Glättungsschaltung den Dünnschichtwiderstand und den Chip-Kondensator umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei P-Typ Dotierstoffe in den Dünnschichtwiderstand hineindotiert sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei der Dünnschichtwiderstand einen Widerstand mit einem Wert von 80 kΩ oder mehr aufweist.
Elektronisches Gerät, das die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36 umfasst, wobei das elektronische Gerät ein aus der Gruppe ausgewähltes Gerät ist bestehend aus einer Videokamera, einer Digitalkamera, einer auf dem Kopf angebrachten Anzeige, einem Spielgerät, einem Fahrzeugnavigationssystem, einem Personalcomputer, und einem tragbaren Informationsendgerät.