JPH06181369A - 半導体装置用回路基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用回路基板及びその製造方法Info
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- JPH06181369A JPH06181369A JP35339992A JP35339992A JPH06181369A JP H06181369 A JPH06181369 A JP H06181369A JP 35339992 A JP35339992 A JP 35339992A JP 35339992 A JP35339992 A JP 35339992A JP H06181369 A JPH06181369 A JP H06181369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な抵抗値を有する薄膜抵抗、均一な静電
容量値を有する薄膜コンデンサを確実に形成でき、高周
波用回路基板としても有効に使用できる回路基板を提供
する。 【構成】 セラミック基板１０の表面にタンタル層１２
あるいはアルミニウム層を薄膜形成し、該タンタル層１
２あるいはアルミニウム層を酸化処理することによって
平滑表面の酸化タンタル層１４あるいはアルミナ層を形
成した後、該酸化タンタル層１４あるいはアルミナ層を
下地として薄膜抵抗１６を形成する。ポリイミド等の電
気的絶縁層に薄膜抵抗を形成することもできる。
容量値を有する薄膜コンデンサを確実に形成でき、高周
波用回路基板としても有効に使用できる回路基板を提供
する。 【構成】 セラミック基板１０の表面にタンタル層１２
あるいはアルミニウム層を薄膜形成し、該タンタル層１
２あるいはアルミニウム層を酸化処理することによって
平滑表面の酸化タンタル層１４あるいはアルミナ層を形
成した後、該酸化タンタル層１４あるいはアルミナ層を
下地として薄膜抵抗１６を形成する。ポリイミド等の電
気的絶縁層に薄膜抵抗を形成することもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用回路基板及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置では基板表面に回路パターン
を形成する際に抵抗体を設けることがあるが、このよう
な抵抗体を設ける場合は別部品のチップ抵抗器を搭載す
る方法や、基板表面にじかに形成する場合は窒化タンタ
ル等の抵抗物質をスパッタリングして基板表面に抵抗体
を形成し、レーザートリミングによって抵抗値を調整し
て抵抗体とする方法が行われている。しかしながら、セ
ラミック基板の表面にじかに抵抗体を設ける場合はセラ
ミック基板の表面が粗面になっているため精度よく抵抗
体をつくることができないという問題点があった。この
問題を解消する方法として、セラミック基板の表面にガ
ラスグレーズ層を設けて下地を平滑面にしてから抵抗体
を設けることが従来なされている。
を形成する際に抵抗体を設けることがあるが、このよう
な抵抗体を設ける場合は別部品のチップ抵抗器を搭載す
る方法や、基板表面にじかに形成する場合は窒化タンタ
ル等の抵抗物質をスパッタリングして基板表面に抵抗体
を形成し、レーザートリミングによって抵抗値を調整し
て抵抗体とする方法が行われている。しかしながら、セ
ラミック基板の表面にじかに抵抗体を設ける場合はセラ
ミック基板の表面が粗面になっているため精度よく抵抗
体をつくることができないという問題点があった。この
問題を解消する方法として、セラミック基板の表面にガ
ラスグレーズ層を設けて下地を平滑面にしてから抵抗体
を設けることが従来なされている。
【０００３】また、半導体装置の基板表面に回路パター
ンを形成する際にコンデンサを設けることも行われてい
る。この場合も、別部品のチップコンデンサを搭載した
り、基板表面にじかにコンデンサを形成したりすること
が行われていた。しかしながら、セラミック基板にじか
に薄膜コンデンサを形成する場合も、上記の抵抗体の場
合と同様にセラミック基板が粗面であることによって精
度よくコンデンサをつくることができないという問題点
があり、同様にガラスグレーズ層を設けて下地を平滑面
にしてから誘電体を設けることがなされている。
ンを形成する際にコンデンサを設けることも行われてい
る。この場合も、別部品のチップコンデンサを搭載した
り、基板表面にじかにコンデンサを形成したりすること
が行われていた。しかしながら、セラミック基板にじか
に薄膜コンデンサを形成する場合も、上記の抵抗体の場
合と同様にセラミック基板が粗面であることによって精
度よくコンデンサをつくることができないという問題点
があり、同様にガラスグレーズ層を設けて下地を平滑面
にしてから誘電体を設けることがなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波用の
半導体装置にはポリイミド等の電気的絶縁層を介して回
路パターンを多層に形成した製品があるが、このような
製品では抵抗体を薄膜で形成する必要があり、かつ精度
よく抵抗値を制御する必要がある。このためには抵抗体
を形成する下地を平滑に形成しなければならず、また下
地としてポリイミド等の有機物を使用している場合には
レーザによって有機物が損傷してしまうためレーザトリ
ミングができないといった問題点がある。また、高周波
用の半導体装置ではレーザトリミングによって抵抗体に
切れ目を入れると信号の反射が生じることが問題にな
る。また、高周波用の半導体装置にコンデンサを薄膜で
形成する際にもコンデンサの静電容量を精度よく制御す
ることが問題になる。
半導体装置にはポリイミド等の電気的絶縁層を介して回
路パターンを多層に形成した製品があるが、このような
製品では抵抗体を薄膜で形成する必要があり、かつ精度
よく抵抗値を制御する必要がある。このためには抵抗体
を形成する下地を平滑に形成しなければならず、また下
地としてポリイミド等の有機物を使用している場合には
レーザによって有機物が損傷してしまうためレーザトリ
ミングができないといった問題点がある。また、高周波
用の半導体装置ではレーザトリミングによって抵抗体に
切れ目を入れると信号の反射が生じることが問題にな
る。また、高周波用の半導体装置にコンデンサを薄膜で
形成する際にもコンデンサの静電容量を精度よく制御す
ることが問題になる。
【０００５】本発明はこれら問題点を解消すべくなされ
たものであり、その目的とするところは、セラミック基
板の表面に抵抗体あるいはコンデンサを形成する場合に
下地を容易に平滑面に形成できて薄膜抵抗あるいは薄膜
コンデンサを精度よく形成でき、また電気的絶縁層を介
して多層に回路パターンを形成する場合にも容易に薄膜
抵抗あるいは薄膜コンデンサが形成できる半導体装置用
回路基板及びその製造方法を提供するにある。
たものであり、その目的とするところは、セラミック基
板の表面に抵抗体あるいはコンデンサを形成する場合に
下地を容易に平滑面に形成できて薄膜抵抗あるいは薄膜
コンデンサを精度よく形成でき、また電気的絶縁層を介
して多層に回路パターンを形成する場合にも容易に薄膜
抵抗あるいは薄膜コンデンサが形成できる半導体装置用
回路基板及びその製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、セラミック基板
の表面にタンタル層あるいはアルミニウム層が薄膜形成
され、該タンタル層あるいはアルミニウム層の表面に該
タンタル層あるいはアルミニウム層が酸化処理されてな
る酸化タンタル層あるいはアルミナ層が形成され、該酸
化タンタル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗
又は薄膜コンデンサが形成されたことを特徴とする。ま
た、セラミック基板の表面にタンタル層あるいはアルミ
ニウム層を薄膜形成し、該タンタル層あるいはアルミニ
ウム層を酸化処理することによって平滑表面の酸化タン
タル層あるいはアルミナ層を形成した後、前記酸化タン
タル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗又は薄
膜コンデンサを形成することを特徴とする。また、セラ
ミック基板の表面にポリイミド等の電気的絶縁性を有す
る材料がコーティングされて電気的絶縁層が形成され、
該電気的絶縁層に配線パターンが形成されるとともに、
該電気的絶縁層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデン
サが形成されたことを特徴とする。また、セラミック基
板の表面にポリイミド等の電気的絶縁性を有する材料を
コーティングして電気的絶縁層を形成し、該電気的絶縁
層に配線パターンを形成するとともに、前記電気的絶縁
層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデンサを形成する
ことを特徴とする。また、薄膜抵抗又は薄膜コンデンサ
を化学的にエッチングして抵抗値または静電容量値を調
整することを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、セラミック基板
の表面にタンタル層あるいはアルミニウム層が薄膜形成
され、該タンタル層あるいはアルミニウム層の表面に該
タンタル層あるいはアルミニウム層が酸化処理されてな
る酸化タンタル層あるいはアルミナ層が形成され、該酸
化タンタル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗
又は薄膜コンデンサが形成されたことを特徴とする。ま
た、セラミック基板の表面にタンタル層あるいはアルミ
ニウム層を薄膜形成し、該タンタル層あるいはアルミニ
ウム層を酸化処理することによって平滑表面の酸化タン
タル層あるいはアルミナ層を形成した後、前記酸化タン
タル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗又は薄
膜コンデンサを形成することを特徴とする。また、セラ
ミック基板の表面にポリイミド等の電気的絶縁性を有す
る材料がコーティングされて電気的絶縁層が形成され、
該電気的絶縁層に配線パターンが形成されるとともに、
該電気的絶縁層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデン
サが形成されたことを特徴とする。また、セラミック基
板の表面にポリイミド等の電気的絶縁性を有する材料を
コーティングして電気的絶縁層を形成し、該電気的絶縁
層に配線パターンを形成するとともに、前記電気的絶縁
層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデンサを形成する
ことを特徴とする。また、薄膜抵抗又は薄膜コンデンサ
を化学的にエッチングして抵抗値または静電容量値を調
整することを特徴とする。
【０００７】
【作用】セラミック基板に薄膜抵抗を形成する際に、セ
ラミック基板上にタンタル層あるいはアルミニウム層を
設けて酸化処理することによって、電気的絶縁性を有
し、かつ好適な表面平滑面を有する酸化タンタル層ある
いはアルミナ層が得られ、これらを下地層として抵抗体
を形成することによって抵抗値が均一で良質の薄膜抵抗
を得ることができる。また、同様の下地層上に薄膜コン
デンサを形成することによって、静電容量値が均一で良
質の薄膜コンデンサを得ることができる。ポリイミド等
の電気的絶縁層を設けて抵抗体あるいはコンデンサを形
成する場合は、電気的絶縁層が良好な表面平滑性を有す
ることから良質の薄膜抵抗あるいは薄膜コンデンサを容
易に得ることができる。
ラミック基板上にタンタル層あるいはアルミニウム層を
設けて酸化処理することによって、電気的絶縁性を有
し、かつ好適な表面平滑面を有する酸化タンタル層ある
いはアルミナ層が得られ、これらを下地層として抵抗体
を形成することによって抵抗値が均一で良質の薄膜抵抗
を得ることができる。また、同様の下地層上に薄膜コン
デンサを形成することによって、静電容量値が均一で良
質の薄膜コンデンサを得ることができる。ポリイミド等
の電気的絶縁層を設けて抵抗体あるいはコンデンサを形
成する場合は、電気的絶縁層が良好な表面平滑性を有す
ることから良質の薄膜抵抗あるいは薄膜コンデンサを容
易に得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１はセラミック基板の基板表
面にじかに薄膜抵抗体を形成する実施例を示す。この実
施例ではまず、薄膜抵抗体を形成するセラミック基板１
０の表面にスパッタリングによってタンタル層１２を設
け（図１(b) ）、このタンタル層１２に熱酸化処理を施
すことによって酸化タンタル層１４を形成した後、酸化
タンタル層１４を下地として薄膜抵抗１６を形成する
（図１(c) ）。スパッタリングによって形成したタンタ
ル層１２の表面は粗面であるが、上記の熱酸化処理を施
して酸化タンタル層１４とすると表面が平滑面になる。
づいて詳細に説明する。図１はセラミック基板の基板表
面にじかに薄膜抵抗体を形成する実施例を示す。この実
施例ではまず、薄膜抵抗体を形成するセラミック基板１
０の表面にスパッタリングによってタンタル層１２を設
け（図１(b) ）、このタンタル層１２に熱酸化処理を施
すことによって酸化タンタル層１４を形成した後、酸化
タンタル層１４を下地として薄膜抵抗１６を形成する
（図１(c) ）。スパッタリングによって形成したタンタ
ル層１２の表面は粗面であるが、上記の熱酸化処理を施
して酸化タンタル層１４とすると表面が平滑面になる。
【０００９】酸化タンタル層１４はその表面が平滑面に
形成されることにより、良質の抵抗体を好適に形成する
ことができる。たとえば、抵抗体として一般に使用され
ている窒化タンタルを使用する場合は、酸化タンタルと
のなじみが良好であるという利点があり、上記の酸化タ
ンタル層１４に窒化タンタルを薄膜形成して薄膜抵抗１
６とすることができる。この場合、下地の酸化タンタル
層１４はレーザによって損傷されないからレーザトリミ
ングによって薄膜抵抗の抵抗値を調整することができ
る。図１では薄膜抵抗１６に配線パターン１８を接続
し、さらに上層に回路パターンを形成するためポリイミ
ドの電気的絶縁層２０を設けた状態を示す。
形成されることにより、良質の抵抗体を好適に形成する
ことができる。たとえば、抵抗体として一般に使用され
ている窒化タンタルを使用する場合は、酸化タンタルと
のなじみが良好であるという利点があり、上記の酸化タ
ンタル層１４に窒化タンタルを薄膜形成して薄膜抵抗１
６とすることができる。この場合、下地の酸化タンタル
層１４はレーザによって損傷されないからレーザトリミ
ングによって薄膜抵抗の抵抗値を調整することができ
る。図１では薄膜抵抗１６に配線パターン１８を接続
し、さらに上層に回路パターンを形成するためポリイミ
ドの電気的絶縁層２０を設けた状態を示す。
【００１０】上記実施例ではセラミック基板にタンタル
層を設けて熱酸化処理を施すことにより抵抗体を形成す
る下地を平滑面に形成したが、タンタル層を形成するか
わりに、たとえばスパッタリングあるいは蒸着法等でア
ルミニウム層を形成した後、このアルミニウム層を陽極
酸化してアルミナ層とすることによって抵抗体の下地と
することもできる。緻密化したアルミナ層を形成するこ
とによって十分に平滑な下地とすることができる。
層を設けて熱酸化処理を施すことにより抵抗体を形成す
る下地を平滑面に形成したが、タンタル層を形成するか
わりに、たとえばスパッタリングあるいは蒸着法等でア
ルミニウム層を形成した後、このアルミニウム層を陽極
酸化してアルミナ層とすることによって抵抗体の下地と
することもできる。緻密化したアルミナ層を形成するこ
とによって十分に平滑な下地とすることができる。
【００１１】上記のように抵抗体を形成する下地層とし
て酸化タンタル層あるいはアルミナ層等を形成して薄膜
抵抗を形成する方法によれば、従来のガラスグレーズ層
を下地層とする場合にくらべて下地層の平滑性が向上し
て抵抗体が均一に形成されること、ガラスグレーズ層に
くらべて下地層の厚さを薄くすることができること、酸
化タンタル層の下地に対して窒化タンタルを用いて薄膜
抵抗を形成する場合は同じ材料が使用でき、製造が容易
になるといった利点がある。
て酸化タンタル層あるいはアルミナ層等を形成して薄膜
抵抗を形成する方法によれば、従来のガラスグレーズ層
を下地層とする場合にくらべて下地層の平滑性が向上し
て抵抗体が均一に形成されること、ガラスグレーズ層に
くらべて下地層の厚さを薄くすることができること、酸
化タンタル層の下地に対して窒化タンタルを用いて薄膜
抵抗を形成する場合は同じ材料が使用でき、製造が容易
になるといった利点がある。
【００１２】なお、上記例では基板上にタンタル層ある
いはアルミニウム層を設けてから熱酸化処理を施すこと
によって平滑面を形成したが、平滑面に形成する方法と
しては、窒化アルミニウムあるいは酸化チタン等の絶縁
体による層を基板上にあらかじめ形成し、これら絶縁層
を加熱することによって平滑面にする方法も利用するこ
とができる。
いはアルミニウム層を設けてから熱酸化処理を施すこと
によって平滑面を形成したが、平滑面に形成する方法と
しては、窒化アルミニウムあるいは酸化チタン等の絶縁
体による層を基板上にあらかじめ形成し、これら絶縁層
を加熱することによって平滑面にする方法も利用するこ
とができる。
【００１３】図２はポリイミド等の電気的絶縁層２０を
積層して回路パターンを立体的に形成する場合に薄膜抵
抗１６を回路パターンにつくり込む実施例を示す。この
ような回路基板はポリイミド等の絶縁物質を薄膜状にコ
ーティングして電気的絶縁層２０を形成し、電気的絶縁
層２０の表面に回路パターンを形成するとともに層間の
電気的接続をとる操作を繰り返していくことによって形
成される。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の表面に抵
抗体をスパッタリング等することによって薄膜形成す
る。この場合薄膜抵抗１６はレーザエッチングできない
から、化学的エッチングによってその抵抗値を調整す
る。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の任意の層に形成
することができる。
積層して回路パターンを立体的に形成する場合に薄膜抵
抗１６を回路パターンにつくり込む実施例を示す。この
ような回路基板はポリイミド等の絶縁物質を薄膜状にコ
ーティングして電気的絶縁層２０を形成し、電気的絶縁
層２０の表面に回路パターンを形成するとともに層間の
電気的接続をとる操作を繰り返していくことによって形
成される。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の表面に抵
抗体をスパッタリング等することによって薄膜形成す
る。この場合薄膜抵抗１６はレーザエッチングできない
から、化学的エッチングによってその抵抗値を調整す
る。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の任意の層に形成
することができる。
【００１４】図３は電気的絶縁層２０を介して回路パタ
ーンを立体的に形成する回路基板でレーザエッチングに
よって薄膜抵抗１６の抵抗値を調節できるようにした実
施例を示す。この実施例ではポリイミドの電気的絶縁層
２０を積層して回路パターンを多層に形成した後、その
最上層に酸化タンタル層１４を形成し、この酸化タンタ
ル層１４の上に薄膜抵抗１６を形成した。酸化タンタル
層１４は前記実施例と同様にタンタル層を形成した後、
熱酸化によって形成する。この実施例の方法によれば薄
膜抵抗１６をレーザトリミングすることができ、上記実
施例のように化学的エッチングによる方法にくらべて容
易にかつ正確に抵抗値を合わせることが可能になる。
ーンを立体的に形成する回路基板でレーザエッチングに
よって薄膜抵抗１６の抵抗値を調節できるようにした実
施例を示す。この実施例ではポリイミドの電気的絶縁層
２０を積層して回路パターンを多層に形成した後、その
最上層に酸化タンタル層１４を形成し、この酸化タンタ
ル層１４の上に薄膜抵抗１６を形成した。酸化タンタル
層１４は前記実施例と同様にタンタル層を形成した後、
熱酸化によって形成する。この実施例の方法によれば薄
膜抵抗１６をレーザトリミングすることができ、上記実
施例のように化学的エッチングによる方法にくらべて容
易にかつ正確に抵抗値を合わせることが可能になる。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用回路基板及び
その製造方法によれば、上述したように、薄膜抵抗を形
成する下地の表面が容易に平滑表面として得ることがで
き、良質の薄膜抵抗又は薄膜コンデンサを形成すること
ができる。これによって、高周波用の回路基板にも有効
に使用できる優れた特性を有する半導体装置用回路基板
を提供することができる。また、ポリイミド等の電気的
絶縁層に薄膜抵抗又は薄膜コンデンサをつくることによ
って多層の回路パターンを有する回路基板の製造にも好
適に適用することができる等の著効を奏する。
その製造方法によれば、上述したように、薄膜抵抗を形
成する下地の表面が容易に平滑表面として得ることがで
き、良質の薄膜抵抗又は薄膜コンデンサを形成すること
ができる。これによって、高周波用の回路基板にも有効
に使用できる優れた特性を有する半導体装置用回路基板
を提供することができる。また、ポリイミド等の電気的
絶縁層に薄膜抵抗又は薄膜コンデンサをつくることによ
って多層の回路パターンを有する回路基板の製造にも好
適に適用することができる等の著効を奏する。
【図１】半導体装置用回路基板の製造方法を示す説明図
である。
である。
【図２】半導体装置用回路基板の製造例を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】半導体装置用回路基板の他の製造例を示す説明
図である。
図である。
１０ セラミック基板 １２ タンタル層 １４ 酸化タンタル層 １６ 薄膜抵抗 １８ 配線パターン ２０ 電気的絶縁層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】上記実施例ではセラミック基板にタンタル
層を設けて熱酸化処理を施すことにより抵抗体を形成す
る下地を平滑面に形成したが、タンタル層を形成するか
わりに、たとえばスパッタリングあるいは蒸着法等でア
ルミニウム層を形成した後、このアルミニウム層を陽極
酸化してアルミナ層とすることによって抵抗体の下地と
することもできる。緻密化したアルミナ層を形成するこ
とによって十分に平滑な下地とすることができる。な
お、反応性スパッタリング法によりセラミック基板に直
接、酸化タンタル層、アルミナ層を形成することができ
る。
層を設けて熱酸化処理を施すことにより抵抗体を形成す
る下地を平滑面に形成したが、タンタル層を形成するか
わりに、たとえばスパッタリングあるいは蒸着法等でア
ルミニウム層を形成した後、このアルミニウム層を陽極
酸化してアルミナ層とすることによって抵抗体の下地と
することもできる。緻密化したアルミナ層を形成するこ
とによって十分に平滑な下地とすることができる。な
お、反応性スパッタリング法によりセラミック基板に直
接、酸化タンタル層、アルミナ層を形成することができ
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】図２はポリイミド等の電気的絶縁層２０を
積層して回路パターンを立体的に形成する場合に薄膜抵
抗１６を回路パターンにつくり込む実施例を示す。この
ような回路基板はポリイミド等の絶縁物質を薄膜状にコ
ーティングして電気的絶縁層２０を形成し、電気的絶縁
層２０の表面に回路パターンを形成するとともに層間の
電気的接続をとる操作を繰り返していくことによって形
成される。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の表面に抵
抗体をスパッタリング等することによって薄膜形成す
る。この場合薄膜抵抗１６はレーザトリミングできない
から、化学的エッチングによってその抵抗値を調整す
る。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の任意の層に形成
することができる。
積層して回路パターンを立体的に形成する場合に薄膜抵
抗１６を回路パターンにつくり込む実施例を示す。この
ような回路基板はポリイミド等の絶縁物質を薄膜状にコ
ーティングして電気的絶縁層２０を形成し、電気的絶縁
層２０の表面に回路パターンを形成するとともに層間の
電気的接続をとる操作を繰り返していくことによって形
成される。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の表面に抵
抗体をスパッタリング等することによって薄膜形成す
る。この場合薄膜抵抗１６はレーザトリミングできない
から、化学的エッチングによってその抵抗値を調整す
る。薄膜抵抗１６は電気的絶縁層２０の任意の層に形成
することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図３は電気的絶縁層２０を介して回路パタ
ーンを立体的に形成する回路基板でレーザトリミングに
よって薄膜抵抗１６の抵抗値を調節できるようにした実
施例を示す。この実施例ではポリイミドの電気的絶縁層
２０を積層して回路パターンを多層に形成した後、その
最上層に酸化タンタル層１４を形成し、この酸化タンタ
ル層１４の上に薄膜抵抗１６を形成した。酸化タンタル
層１４は前記実施例と同様にタンタル層を形成した後、
熱酸化によって形成する。この実施例の方法によれば薄
膜抵抗１６をレーザトリミングすることができ、上記実
施例のように化学的エッチングによる方法にくらべて容
易にかつ正確に抵抗値を合わせることが可能になる。
ーンを立体的に形成する回路基板でレーザトリミングに
よって薄膜抵抗１６の抵抗値を調節できるようにした実
施例を示す。この実施例ではポリイミドの電気的絶縁層
２０を積層して回路パターンを多層に形成した後、その
最上層に酸化タンタル層１４を形成し、この酸化タンタ
ル層１４の上に薄膜抵抗１６を形成した。酸化タンタル
層１４は前記実施例と同様にタンタル層を形成した後、
熱酸化によって形成する。この実施例の方法によれば薄
膜抵抗１６をレーザトリミングすることができ、上記実
施例のように化学的エッチングによる方法にくらべて容
易にかつ正確に抵抗値を合わせることが可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｃ 6921−4Ｅ Ｄ 6921−4Ｅ 3/38 Ａ 7011−4Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面にタンタル層ある
いはアルミニウム層が薄膜形成され、 該タンタル層あるいはアルミニウム層の表面に該タンタ
ル層あるいはアルミニウム層が酸化処理されてなる酸化
タンタル層あるいはアルミナ層が形成され、 該酸化タンタル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜
抵抗又は薄膜コンデンサが形成されたことを特徴とする
半導体装置用回路基板。 - 【請求項２】 セラミック基板の表面にタンタル層ある
いはアルミニウム層を薄膜形成し、 該タンタル層あるいはアルミニウム層を酸化処理するこ
とによって平滑表面の酸化タンタル層あるいはアルミナ
層を形成した後、 前記酸化タンタル層あるいはアルミナ層を下地として薄
膜抵抗又は薄膜コンデンサを形成することを特徴とする
半導体装置用回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 セラミック基板の表面にポリイミド等の
電気的絶縁性を有する材料がコーティングされて電気的
絶縁層が形成され、 該電気的絶縁層に配線パターンが形成されるとともに、
該電気的絶縁層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデン
サが形成されたことを特徴とする半導体装置用回路基
板。 - 【請求項４】 セラミック基板の表面にポリイミド等の
電気的絶縁性を有する材料をコーティングして電気的絶
縁層を形成し、 該電気的絶縁層に配線パターンを形成するとともに、前
記電気的絶縁層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデン
サを形成することを特徴とする半導体装置用回路基板の
製造方法。 - 【請求項５】 薄膜抵抗又は薄膜コンデンサを化学的に
エッチングして抵抗値または静電容量値を調整すること
を特徴とする請求項２または４記載の半導体装置用回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35339992A JPH06181369A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置用回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35339992A JPH06181369A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置用回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181369A true JPH06181369A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18430579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35339992A Pending JPH06181369A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体装置用回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181369A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7769190B2 (en) | 2003-04-14 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Audio signal processing circuit and a display device incorporating the same |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP35339992A patent/JPH06181369A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7769190B2 (en) | 2003-04-14 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Audio signal processing circuit and a display device incorporating the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040810 |