CN1542509A - 音频信号处理电路和引入相同电路的显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于处理音频信号的音频信号处理电路，其紧凑且体积小。对于本发明的音频信号处理电路，输入电路、反馈电路和平滑电路都是由绝缘基底上的薄膜电阻器和只占用很小安装空间的片状电容器组成。因此，该音频信号处理电路体积小，本发明还提供了引入该音频信号处理电路的显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及音频信号处理电路，尤其是由薄膜半导体元件组成的音频信号处理电路。此外，本发明还涉及包含该音频信号处理电路的显示装置。
背景技术
近年来，随着通信技术的进步，移动电话已经被广泛使用。未来可望实现活动图像的传输和大容量信息的传输。另一方面，通过减小个人计算机的重量，也已经制造出了适合移动通信的个人电脑。起源于电子记事本、被称为PDA的信息终端也已经被大量制造并有望被广泛使用。另外，随着显示装置的发展，这些便携式信息设备大部分都配备了平板显示器。
另外，近年来，在有源矩阵显示装置中，已经促进了一种显示装置的制造技术，对于该显示装置使用了采用低温结晶的多晶半导体的薄膜元件(典型的例子是薄膜晶体管；此后称为TFT)。上面提到的低温意味着，600℃或更低的结晶温度同传统的1000℃或者更高的结晶温度相比比较低。由于TFT(以及像素)采用低温结晶的多晶半导体，可以在一个像素部分周围整体地形成一个信号驱动器电路。这样，就有可能实现显示装置的致密性和高清晰度，并有望在未来得到更广泛的使用。
另一方面，对于便携式信息设备，还需要其它的输出功能(尤其是音频输出功能)和视觉显示功能。通过显示带有声音的图像，使得更有效地观看图像和享受图像成为可能。
当前的音频输出装置通过使用纸盆扬声器或者类似设备将电子信号转化为音频而输出声音。因为纸盆扬声器在便携式信息设备中占据了大量空间，阻碍了在尺寸和重量上减小便携式信息设备。
图2A是在一个具有传统音频输出功能的便携式信息设备201中的显示装置的外围的顶视平面图。图2B是一个横剖面图。该显示装置具有基底209，在其上整体地形成了像素部分204、源信号驱动电路202、栅信号驱动电路203。附属于显示装置的有纸盆扬声器207，FPC205，计数器基底208，印刷电路板206，印刷电路板上设置了音频信号处理电路210和耦合电容器211。
纸盆扬声器207因为它的大尺寸而不适于减少便携式信息设备的尺寸和重量。因为上面的原因，正在发展如图3A、3B所示的平面扬声器。图3A是在使用平面扬声器的便携式信息设备301中的显示装置的外围的顶视平面图。图3B是横剖面图。该显示装置拥有基底309，在其上整体地形成了像素部分304、源信号驱动电路302、栅信号驱动电路303。附属于显示装置的有平面扬声器306，FPC305和308，计数器基底310，印刷电路板311，在印刷电路板上设置了音频信号处理电路307和耦合电容器312。
平面扬声器同传统的纸盆扬声器相似之处在于电子信号都被转化为震动而输出声音，不同之处在于一个玻璃基底、一个塑料基底、一个触板、或者显示装置中的类似器件，受到震动，而不是纸盆扬声器被震动。使用这样的平面扬声器，能够实现比使用传统纸盆扬声器更小更轻的便携式设备。
另外，可使用多层陶制片状电容器作为电容器，有文档报告了将片状电容器安装在FPC(柔性印刷电路)上的情况(例如-专利文件1：日本公开专利申请No.Hei 11-326937)和将片状电容器安装在显示装置的基底上的情况(例如-专利文件2：日本公开专利申请No.Hei 7-261191)。这种片状电容器长约2至3毫米，十分利于减小体积。
如上所述，尽管平面扬声器对于减小便携式信息设备的尺寸和重量是一个有效的办法，但还有一些问题需要解决。对于驱动平面扬声器306的音频信号处理电路307来说，如图3A和3B所示，印刷电路板311被安装在显示装置的外部，由一个LSI构成的音频信号处理电路307象传统的音频信号处理电路那样被安装在印刷电路板上面。因此，这还不足以减小便携式信息设备的尺寸和重量。另外，由于音频信号频率较低，需要大电容值(比如，10到100iF)的耦合电容器312，以便使用电容器来耦合音频信号。对这一类电容器来说，没有比静电电容器更好的选择，它有较大的尺寸(通常是圆柱体形状，直径约5至10毫米，高7至10毫米)。因此，电路的尺寸增加了。
尽管专利文件1和专利文件2中提到的多层陶制片状电容器比静电电容器体积小，但它有一个问题，最大电容值最多为大约0.1iF。因此，就必须增加电阻器的电阻值以便利用片状电容器构成音频信号处理电路307的耦合。当音频信号的最低频率是20Hz，电容是0.1iF时，要求电阻器的电阻值大约是80KΩ或者更大。
当电阻器像其它元件一样被用作芯片元件时，它导致音频信号处理电路307频率特性的恶化。原因是，在把这个电路绘制到印刷电路板311或者FPC308时，寄生电容在终端部位出现，然后在寄生电容和芯片电阻器之间形成低通滤波器，并因此而降低频率特性。例如，下文中所考虑的将是采用如图4所示电路结构的10倍放大器。音频信号处理电路401由运算放大器402，外部电阻器403、404和405，外部电容器406和407，信号源408以及偏置电源414组成。
当外部电阻器404和405的电阻值分别被标记为R404和R405时，图4所示的放大器电路获得的增益是(1+(R405/R404))。另一方面，为了在芯片电容器的电容为0.1iF时获得至少20Hz的低频率，如上所述，必须将外部电阻器403和404的电阻值设置为80KΩ或更大。这里假定外部电阻器403、404被分别设置为电阻值略大于100KΩ，那么需要外部电阻器405达到900KΩ，以在放大器电路中获得10倍放大的增益。
然而，如图4所示，通过将运算放大器402的输入和输出端设置在音频信号处理电路的外部，由参考数字409到413标记的寄生电容上升。特别是，因为同900KΩ的外部电阻器405并联的寄生电容410上升，在它们之间形成一个低通滤波器。当寄生电容410的电容值达到10pF时，就形成了一个17kHz的低通滤波器。因为这个低通滤波器，放大器的高频端受到限制，并且发生了频率特性降低的问题。比较如图6中所示有寄生的低通滤波器的情形601和没有寄生的低通滤波器的情形602，它们的频率特性有显著差别。
在由引入到使用单晶硅的传统IC中的外部电阻器所组成的音频信号处理电路中，也会发生同样的问题。下面参考图5讲述一个实例。在使用单晶硅的IC中，在硅基底501上形成了MOS晶体管和电阻器。在图5中，502和503分别指示MOS晶体管的源区和漏区，504指示沟道区，505指示LOCOS(硅的局部氧化)膜，506指示栅绝缘层，507指示栅电极，508指示中间层膜，509指示源电极，510指示漏极。对于在LOCUS膜505之上形成的电阻器511，一端连接到漏极510，另一端连接到电极512。因为LOCUS膜505厚约200到5000nm，在硅基底501和电阻器511之间是寄生电容513。大约1MΩ的电阻器形成几pF的寄生电容。硅基底是导体，通常与GND或者类似部分连接。因此，发生与上面同样的问题并且频率特性也被恶化。
发明内容
考虑到前述问题，本发明提供一个减小了尺寸的音频信号处理电路，一种引入该音频信号处理电路的显示装置，以及尺寸小重量轻的电子设备。
本发明的目标是提供一种音频信号处理电路，其包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器。另外，提供引入了包含形成在绝缘基底上的薄电阻器的音频信号处理电路的显示装置是本发明的另一个目的。就这种配置情形而言，终端寄生电容不再成为问题。此外，这种配置有一个优势是在绝缘基底上形成的薄膜电阻器不会像IC中的电阻器那样带来基底和电阻器之间的寄生电容问题。
下面描述本发明的配置。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，输入电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，输入电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，输入电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，反馈电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，反馈电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，反馈电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，平滑电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，平滑电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的音频信号处理电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件，平滑电路包含形成在此绝缘基底上的薄膜电阻器和安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，在音频信号处理电路中，P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
依照本发明，在音频信号处理电路中，薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或更大。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的输入电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的输入电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的输入电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的反馈电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的反馈电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的反馈电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的平滑电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在此绝缘基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的平滑电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底相连接的柔性基底上的片状电容器。
依照本发明，所涉及的显示装置包含一个音频信号处理电路，该音频信号处理电路的平滑电路包含形成在绝缘基底上的薄膜元件和薄膜电阻器，以及安装在同此绝缘基底电连接的印刷电路板上的片状电容器。
依照本发明，在显示装置中，P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
依照本发明，在显示装置中，薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或更大。
依照本发明，便携式信息设备使用上述显示装置。
通过上面的方法，能够实现尺寸更小的电容器，音频信号处理电路也可以合并到显示装置中。接着，能够实现可以输出声音的尺寸小重量轻的电子设备(通常是便携式信息设备)。
在具有音频输出功能的传统便携式信息设备中，音频信号处理电路中使用的是静电电容器。这样，要缩小音频信号处理电路的尺寸就很困难，有音频输出功能的传统便携式信息设备妨碍了便携式信息设备尺寸的缩小。
依照本发明，通过使用薄膜元件组成音频信号处理电路，尤其是使用薄膜电阻器作为电阻器以及使用小电容的电容器，能够实现体积小的音频信号处理电路和引入了该音频信号处理电路的显示装置。本发明使得减小具有音频输出功能的便携式信息设备的尺寸和重量成为可能。
附图说明
图1是表示一种音频信号处理电路的等效电路图。
图2A和2B是传统显示装置的顶视平面图和横剖面图。
图3A和3B是传统显示装置的顶视平面图和横剖面图。
图4是表示传统音频信号处理电路的等效电路图。
图5是传统音频信号处理IC的横剖面图。
图6是表示传统音频信号处理电路之频率特性的图表。
图7A到7D是制造步骤的横剖面图。
图8是表示显示装置实施例的视图。
图9是表示显示装置实施例的视图。
图10是表示运算放大电路的等效电路图。
图11是表示整流器电路的等效电路图。
图12A到12G是使用显示装置的电子设备的视图。
图13是表示显示装置的视图。
图14A到14D是薄膜元件的顶视平面图。
具体实施方式
下文中，参考附图讲述本发明的实施方式。图一展示了在绝缘基底101上形成的音频信号处理电路的放大器电路的实施方式。这个放大器电路包含运算放大器104，它由薄膜元件比如TFT组成，该放大器电路还包括薄膜电阻器105、106、107，电源111，FPC102，和在FPC102上形成的片状电容器108和109。薄膜电阻器105和片状电容器109组成输入电路116，薄膜电阻器106、107和片状电容器108组成反馈电路117。
如上所述通过用薄膜电阻器105组成输入电路116，输入电路116中将出现的大部分寄生电容成为FPC102上的寄生电容114，并且频率特性得到了提高。另外，如上所述通过用薄膜电阻器106和107组成反馈电路117，反馈电路117中将出现的大部分寄生电容成为寄生电容113。特别是，因为薄膜电阻器106同传统电阻器相比寄生电容小的多，所以频率特性能得到提高。
接下来解释本实施方案的操作。来自印刷电路板103上的信号源110的信号输出通过片状电容器109被输入到运算放大器104和薄膜电阻器105。信号源110的DC电压通常为0V，薄膜电阻器105的DC电压和运算放大器104的输入电压由电源111供给。这样，它们互不相同。因此，直流电压由片状电容器109分开。薄膜电阻器105和片状电容器109组成输入电路116。运算放大器104的信号输入在放大后被输出到终端112。在这儿，薄膜电阻器106、107和片状电容器108组成反馈电路117，运算放大器104的增益由薄膜电阻器106同薄膜电阻器107的电阻比值决定。
如上所述，为了在片状电容器108的电容为0.1iF并放大10倍的情况下获得至少20Hz的低频，必须将薄膜电阻器107的电阻值设为100KΩ，将薄膜电阻器106的电阻值设置为900KΩ。按照这种实施方式，寄生电容113和114不会形成寄生的低通滤波器，因为每一个薄膜电阻器的两端都只有一个在外部。因此，这种实施方式不可能如同传统电路那样，降低高频的频率特性。
另外，因为本发明中薄膜电阻器105到107的基底101是绝缘体，不会像使用单晶硅基底的IC那样，由电阻器和基底之间的电容构成低通滤波器。因此，在上述输入电路116以及反馈电路117中能够获得有利的效果。如上所述，在本发明中能够使用小电容的片状电容器作为电容器，是因为可以在不导致高频的频率特性恶化的情况下形成阻值为80KΩ或更大的高电阻电阻器。因此，能够减小包括外部电路在内的电路的体积，这样有助于减小设备的重量，厚度和大小。上面所描述的是一个例子，在这个例子中片状电容器105到109被安装在FPC102上，然而，片状电容器的安装位置并不仅仅限于FPC102，它可以被安装在绝缘基底101上或者是同绝缘基底电连接的印刷电路板103上。
【实施例1】
图11显示了本发明的一个实施例。本实施例显示了绝缘基底1101上的一个半波整流器电路。整流器电路用于信号的电平检测。本实施例的半波整流器电路包括由像TFT这样的薄膜元件构成的运算放大器1104，薄膜电阻器1105、1106、1107和1114，薄膜二极管1112和1113，电源1111，FPC1102，以及FPC1102上的片状电容器1108和1109。半波整流器的操作将在下文中说明。
来自印刷电路板1103上的信号源1110的信号输出通过片状电容器1109被输入到薄膜电阻器1107。薄膜电阻器1107和片状电容器1109构成输入电路1118。至于薄膜电阻器1107，其一端与片状电容器1109相连，另一端与运算放大器1104的反相输入端相连。假设信号中心是0V，当输入信号变成较低部分时(负振幅)，运算放大器1104的输出信号变为较高部分(正振幅)。电流从运算放大器1104的输出端通过薄膜二极管1113和薄膜电阻器1107流向信号源1110。同时，连接节点1117的电压变得同运算放大器1104的反相输入端的电压相等。
当输入信号变成较低部分(负振幅)时，固定电压(电源1111的电压)被输出到连接节点1117，这是因为运算放大器1104的反相输入端的电压同电源1111的电压大致相等。当来自信号源1110的信号变成较高部分(正振幅)时，电流从信号源1110通过片状电容器1109和薄膜电阻器1107流到薄膜电阻器1106和薄膜二极管1112，最终流到运算放大器1104的输出端。这时，同输入信号反相位的信号出现在连接节点1117。以这种方式实现了半波整流。
薄膜电阻器1114与连接节点1117相连，并由片状电容器1108实现平滑。薄膜电阻器1114和片状电容器1108构成平滑电路1119。依照该实施例，大部分将要出现的寄生电容成为FPC1102上的寄生电容1115和1116。
通过将薄膜电阻器1107，1106和1114合并到半波整流器电路中，能够防止频率特性的恶化。上面所描述的例子中片状电容器1108和1109被安装在了FPC1102上。然而，片状电容器的安装位置并不局限于FPC1102，它也可以被安装在绝缘基底1101或者同绝缘基底电连接的印刷电路板1103上。
【实施例2】
图8中示出了本发明的显示装置的实施例。该实施例展示了将音频信号处理电路的片状电容器安装在FPC上的例子。接下来给出对图8的解释。参考数字801表示引入了音频信号处理电路的显示装置。TFT排列在绝缘基底上，以矩阵模式被安置在像素部分802。另外，源驱动电路803和栅驱动电路804由TFT以及像素构成。此外，音频信号处理电路805也是由TFT构成。显示装置801配备有FPC806、安装在FPC806上的片状电容器807到810和印刷电路板811，其中FPC806用于向绝缘基底上的这些电路发送信号。
音频信号处理电路805包含用于处理声音的模拟放大器电路，但是本发明并不限于这种实施方案。音频信号处理电路805可以包含本发明的薄膜电阻器和片状电容器。通过以薄膜电阻器和片状电容器来配置输入电路、反馈电路和平滑电路，能够防止频率特性的恶化。
【实施例3】
图9中显示了本发明的显示装置的一个实施例。本实施例示出了将音频信号处理电路的片状电容器安装在绝缘基底上的例子。接下来是对图9的解释。参考数字901表示引入了音频信号处理电路905的显示装置。TFT排列在绝缘基底上，并以矩阵方式被安置在像素部分902中。另外，源驱动电路903和栅驱动电路904是由TFT及像素组成的。此外，音频信号处理电路905也是由TFT配置的。显示装置901装配有FPC906、安装在绝缘基底上的片状电容器907到910和印刷电路板911，所述FPC906用于向绝缘基底上的这些电路发送信号。
音频信号处理电路905包含一个处理声音的模拟放大器电路，但是，本发明并不局限于这一种实施方案。音频信号处理电路905可以包含本发明的薄膜电阻器和片状电容器。通过使用薄膜电阻器和片状电容器来配置输入电路、反馈电路和平滑电路，可以防止频率特性的恶化。
【实施例4】
图13示出了本发明的显示装置的一个实施例。该实施例示出了将音频信号处理电路的片状电容器安装在印刷电路板上的例子。接下来是对图13的解释。参考数字1401表示引入了音频信号处理电路的显示装置。TFT排列在绝缘基底上，以矩阵方式被安置在像素部分1402中。另外，源驱动电路1403和栅驱动电路1404由TFT以及像素组成。此外，音频信号处理电路1405也是由TFT构成。显示装置1401装配有用于向绝缘基底上的这些电路发送信号的FPC1406、被电连接到该绝缘基底的印刷电路板1411以及安装在该印刷电路板上的片状电容器1407到1410。
对于该实施例的音频信号处理电路1405，可以使用该实施模式中所显示的那种。音频信号处理电路包含一个处理声音的模拟放大器电路，但是，本发明并不局限于该实施例。音频信号处理电路1405包含本发明的薄膜电阻器。通过使用薄膜电阻器和片状电容器来配置输入电路、反馈电路和平滑电路，可以防止频率特性的恶化。
【实施例5】
将使用图7A到7D来解释本发明薄膜电阻器的制作方法。基膜702被形成在绝缘基底701上。对这个基膜来说，希望使用氮化物膜或者氮化物膜同氧化物膜的迭层膜。接下来形成无定形硅膜。用热辐射或激光辐射来对无定形硅膜进行结晶，形成多晶硅膜。然后使多晶硅膜组成图案，以形成期望形状的硅岛703到706(图7A)。
接下来，形成栅绝缘膜707并在其上形成栅电极材料。使栅电极材料构成图案，以形成栅电极708和709，然后使用N型掺杂的抗蚀剂掩模710来掺杂N型杂质。在其上形成栅电极的硅区域变成了N型TFT 1511的沟道区711，因为栅电极708下的区域没有被掺杂。另一方面，其上没有栅电极的硅区域形成了N型薄膜电阻器712，因为该硅区域已被掺杂(图7B)。在N型掺杂的抗蚀剂掩模710被取走后，就形成了P型掺杂的抗蚀剂掩模713并掺杂P型杂质。在其上形成栅电极的硅区域变成了P型TFT 1514的沟道区714，因为栅电极709下的区域没有被掺杂。另一方面，其上没有栅电极的硅区域形成了P型薄膜电阻器715，因为该硅区域已被掺杂(图7C)。
接下来，形成中间层膜716，并开接触孔。通过形成布线金属并使其组成图案，形成电极717到720，这样就形成了N型TFT 1511，P型TFT 1514，N型薄膜电阻器1512和P型薄膜电阻器1515。通过这些步骤完了一个电路(图7D)。另外，图14A到14D中显示了它们的顶视平面图。同样的部件用同样的数字进行标记。图14A到14D显示了N型TFT 1511，P型TFT 1514，N型薄膜电阻器1512以及P型薄膜电阻器1515的顶视平面图。图14A到14D中的数字708、709、711、712和717-720对应于图7A到7D中的相同数字，数字721到724指示由图7D中的数字716所指示的中间层膜的接触孔。如上所述，不需要向本实施例TFT的形成步骤添加任何东西就能够制造薄膜电阻器。注意，尽管在本实施例中，可以掺杂P型杂质或N型杂质以形成电阻器，但对薄膜电阻器来说优选的是掺杂P型杂质的电阻器，因为它的变化较小。
【实施例6】
图10是一个由TFT组成的运算放大器电路的等效电路图。这个运算放大器电路包括拥有TFT 1001和TFT 1002的差动电路，拥有TFT1003和TFT 1004的电流镜电路，拥有TFT 1005和TFT 1009的恒流源，拥有TFT 1006的共源电路，拥有TFT 1007和TFT 1008的空载电路(idling circuit)，拥有TFT 1010和TFT 1011的源跟随电路(source follower circuit)，以及相位补偿电容器1012。
下面讲述图10所示的运算放大器电路的操作。当一个正信号被输入非反相输入端，TFT 1001的漏电流变的大于TFT 1002的漏电流，因为拥有TFT 1005和TFT 1009的该恒流源被连接到组成差动电路的TFT 1001和TFT 1002的源。由于TFT 1003和TFT 1004组成了电流镜电路，TFT 1003的漏电流变的同TFT 1002的相等。TFT 1003的漏电流和TFT 1001的漏电流之间的差动电流导致TFT 1006的栅电压降低。当TFT 1006的栅电压被降低时，TFT 1006(P型TFT)导通，并且漏电流增大。因此TFT 1010的栅电压上升。与此同时，TFT 1010的源电压，即输出端的电压上升。
当一个负信号被输入非反相输入端，TFT 1001的漏电流变的小于TFT 1002的漏电流。因为TFT 1003的漏电流同TFT 1002的相等，TFT 1003的漏电流和TFT 1001的漏电流之间的差动电流导致TFT1006的栅电压降低。当TFT 1006的栅电压上升时，TFT 1006(P型TFT)关闭，并且漏电流减小。因此TFT 1010的栅电压降低。与此同时，TFT 1010的源电压，即输出端的电压降低。如上所述，同非反相输入端的信号具有相同相位的信号被输出端输出。
当一个正信号被输入反相输入端时，TFT 1001的漏电流变的小于TFT 1002的漏电流。因为TFT 1003的漏电流同TFT 1002漏电流相等，TFT 1003的漏电流和TFT 1001的漏电流之间的差动电流导致TFT 1006的栅电压上升。当TFT 1006的栅电压上升时，TFT 1006(P型TFT)关闭，并且漏电流减小。因此TFT 1010的栅电压降低。与此同时，TFT 1010的源电压，即输出端的电压降低。
当一个负信号被输入反相输入端时，TFT 1001的漏电流变的大于TFT 1002的漏电流。因为TFT 1003的漏电流同TFT 1002的相等，TFT 1003的漏电流和TFT 1001的漏电流之间的差动电流导致TFT1006的栅电压降低。当TFT 1006的栅电压降低降低时，TFT 1006(P型TFT)导通，并且漏电流增大。因此TFT 1010的栅电压上升。与此同时，TFT 1010的源电压，即输出端的电压上升。如上所述，输出端输出的信号同反相输入端的信号有相反相位。
在该实施例中，差动电路是由Nch TFT组成，电流镜电路是由PchTFT组成。但是本发明并不局限于这种配置，也可以使用相反的配置，即，差动电路可以由Pch TFT构成，电流镜电路可以由Nch TFT构成。另外，电路也不局限于上述电路，其它有运算放大器功能的电路都可以被使用。
【实施例7】
按上述方案制造的显示装置可以被用作各种电子设备的显示器部分。下面介绍各种电子设备，其引入依照本发明而制造的该显示装置作为显示介质。
这种电子设备的实例包括摄影机，数码相机，头戴式显示器(护目镜显示器)，游戏机，汽车导航系统，个人计算机，便携式信息终端(移动计算机，移动电话或者电子书籍)和其它类似设备。图12A到12G中显示了它们中的一些具体的例子。
图12A是一台数码相机，包括主体3101，显示部分3102，图像接收部分3103，操作键3104，外部连接端口3105，快门3106和其它部件。本发明的显示装置可以用在显示部分3102，以实现紧凑方便的数码相机。
图12B是一台膝上电脑，包括主体3201，外壳3202，显示部分3203，键盘3204，外部连接端口3205，定点鼠标3206和其它装置。本发明的显示装置可以用在显示部分3203，以实现紧凑方便的膝上电脑。
图12C是一台便携式信息终端，包括主体3301，显示部分3302，开关3303，操作键3304，红外线端口3305和其它装置。本发明的显示装置可以用在显示部分3303，以实现紧凑方便的便携式信息终端。
图12D是对记录介质图像再现的装置(尤其，DVD再现装置)包括主体3401，外壳3402，记录介质(比如CD，LD或DVD)读入部分3405，操作开关3406，显示部分A3403，显示部分B 3404和其它装置。显示部分A 3403主要显示图像数据，显示部分B 3404主要显示字符数据。本发明的显示装置可以用在配备有记录介质的该图像再现装置的显示部分A 3403和B 3404，以实现紧凑方便的图像再现装置。注意，CD再现装置、游戏机以及其它装置也被包含在具有记录介质的该图像再现装置中。
图12E是可折叠便携式显示装置。使用本发明的显示部分3502可以附在主体3501上以实现紧凑方便的便携显示装置。
图12F是一块手表，它包括表带3601、显示部分3602、操作开关3603和类似部件。本发明的显示装置可以用在显示部分3602中以使该手表具有音频输出功能。
图12G是一部移动电话，它包括主体3701、外壳3702、显示部分3703、音频输出部分3704、天线3705、操作键3706和外部连接端口3707。本发明的显示装置可以用在显示部分3703中以实现紧凑方便的移动电话。
如上所述，本发明可以被广泛使用，并用在不同领域的电子设备中。注意，该实施例的电子设备也可以通过实施例1到6的结构的任意组合来实现。
Claims (42)
1.一种音频信号处理电路，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；以及
安装在绝缘基底之上的片状电容器。
2.权利要求1的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个输入电路，并且该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
3.权利要求1的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个反馈电路，并且该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
4.权利要求1的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个平滑电路，并且该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
5.权利要求1的音频信号处理电路，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
6.权利要求1的音频信号处理电路，其中薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或者更大。
7.包含权利要求1的音频信号处理电路的电子设备，其中该电子设备是从一组电子设备中选出的的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
8.一种音频信号处理电路，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；
安装在同绝缘基底相连接的柔性基底之上的片状电容器。
9.权利要求8的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个输入电路，并且该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
10.权利要求8的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个反馈电路，并且该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
11.权利要求8的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个平滑电路，并且该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
12.权利要求8的音频信号处理电路，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
13.权利要求8的音频信号处理电路，其中薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或者更大。
14.包含权利要求8的音频信号处理电路的电子设备，该电子设备是从一组电子设备中选出的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
15.一种音频信号处理电路，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；
安装在同该绝缘基底电连接的印刷电路板之上的片状电容器。
16.权利要求15的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个输入电路，并且该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
17.权利要求15的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个反馈电路，并且该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
18.权利要求15的音频信号处理电路，其中该音频信号处理电路包含一个平滑电路，并且该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
19.权利要求15的音频信号处理电路，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
20.权利要求15的音频信号处理电路中，其中薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或者更大。
21.包含权利要求15的音频信号处理电路的电子设备，其中该电子设备是从一组电子设备中选出的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
22.一种显示装置，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；
安装在绝缘基底上的片状电容器。
23.权利要求22的显示装置，其中该显示装置包含一个输入电路，该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
24.权利要求22的显示装置，其中该显示装置包含一个反馈电路，该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
25.权利要求22的显示装置，其中该显示装置包含一个平滑电路，该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
26.权利要求22的显示装置，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
27.权利要求22的显示装置，其中薄膜电阻器的电阻值为80KΩ或者更大。
28.包含权利要求22的该显示装置的电子设备，其中该电子设备是从一组电子设备中选出的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
29.一种显示装置，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；
安装在同该绝缘基底相连的柔性基底之上的片状电容器。
30.权利要求29的显示装置，其中该显示装置包含输入电路，该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
31.权利要求29的显示装置，其中该显示装置包含反馈电路，该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
32.权利要求29的显示装置，其中该显示装置包含平滑电路，该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
33.权利要求29的显示装置，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
34.权利要求29的显示装置，其中薄膜电阻器有80KΩ或者更大的电阻值。
35.包含权利要求29的该显示装置的电子设备，其中该电子设备是从一组电子设备中选出的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
36.一种显示装置，包括：
形成在绝缘基底之上的薄膜元件；
形成在绝缘基底之上的薄膜电阻器；
安装在同该绝缘基底电连接的印刷电路板之上的片状电容器。
37.权利要求36的显示装置，其中该显示装置包含一个输入电路，该输入电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
38.权利要求36的显示装置，其中该显示装置包含一个反馈电路，该反馈电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
39.权利要求36的显示装置，其中该显示装置包含一个平滑电路，该平滑电路包含薄膜电阻器和片状电容器。
40.权利要求36的显示装置，其中P型杂质被掺杂在薄膜电阻器中。
41.权利要求36的显示装置，其中薄膜电阻器有80KΩ或者更大的电阻值。
42.包含权利要求36的该显示装置的电子设备，其中该电子设备是从一组电子设备中选出的任一设备，该组电子设备由摄影机，数码相机，头戴式显示器，游戏机，汽车导航系统，个人计算机以及便携式信息终端组成。
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