TWI335772B - An audio signal processing circuit and a display device incorporating the same - Google Patents
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Description
1335772 (1) ， 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種音頻信號處理電路，尤指由薄膜半導 體元件組成的音頻信號處理電路。此外，本發明還關於包 含音頻信號處理電路的顯示裝置。 【先前技術】 近年來，隨著通信技術的進步，行動電話已經被廣泛 使用。未來可望實現活動圖像的傳輸和大容量資訊的傳輸 。另一方面，藉著減小個人電腦的重量，也已經製造出了 適合移動通信的個人電腦。起源於電子記事本、被稱爲 PDA的資訊終端也已經被大量製造並有望被廣泛使用。另 外，隨著顯示裝置的發展，這些攜帶型資訊設備大部分都 配備了平板顯示器。 另外，近年來，在有源矩陣顯示裝置中，已經促進了 一種顯示裝置的製造技術，對於該顯示裝置使用了採用低 溫結晶的多晶半導體的薄膜元件（典型的例子是薄膜電晶 體；此後稱爲TFT)。上面提到的低溫意味著，6〇〇 t或 更低的結晶溫度同傳統的1 〇 〇 〇 °C或者更高的結晶溫度相 比比較低。由於TFT (以及圖素）採用低溫結晶的多晶半 導體，可以在一個圖素部分周圍整體地形成一個信號驅動 器電路。這樣’就有可能實現顯示裝置的緻密性和高淸晰 度，並有望在未來得到更廣泛的使用。 另一方面’對於攜帶型資訊設備，還需要其他的輸出 -5- (2) (2)1335772 功能（尤其是音頻輸出功能）和視覺顯示功能。通過顯示 帶有聲音的圖像，使得更有效地觀看圖像和享受圖像成爲 可能。 當前的音頻輸出裝置通過使用圓錐形揚聲器或者類似 設備將電子信號轉化爲音頻而輸出聲音。因爲圓錐形揚聲 器在攜帶型資訊設備中佔據了大量空間，阻礙了在尺寸和 重量上減小攜帶型資訊設備。 圖2A是在一個具有傳統音頻輸出功能的攜帶型資訊 設備20 1中的顯示裝置的週邊的頂視平面圖。圖2B是一 個橫剖面圖。該顯示裝置具有基底209，在其上整體地形 成了圖素部分2〇4、源信號驅動電路202、閘信號驅動電 路203。附屬於顯示裝置的有圓錐形揚聲器207，FPC205 ，相對基底2 0 8，印刷電路板2 0 6，印刷電路板上設置了 音頻信號處理電路210和耦合電容器211« 圓錐形揚聲器207因爲它的大尺寸而不適於減少攜帶 型資訊設備的尺寸和重量。因爲上面的原因，正在發展如 圖3A、3B所示的平面揚聲器。圖3A是在使用平面揚聲 器的攜帶型資訊設備301中的顯示裝置的週邊的頂視平面 圖。圖3B是橫剖面圖。該顯示裝置擁有基底309，在其 上整體地形成了圖素部分3 〇4、源信號驅動電路3 02、閘 信號.驅動電路303 »附屬於顯示裝置的有平面揚聲器306 ，F P C 3 0 5和3 0 8，相對基底3 1 0，印刷電路板3 1 1，在印 刷電路板上設置了音頻信號處理電路307和耦合電容器 (3) . (3) .1335772 平面揚聲器同傳統的圓錐形揚聲器相似之處在於電子 信號都被轉化爲震動而輸出聲音，不同之處在於一個玻璃 基底、一個塑膠基底、一個觸板、或者顯示裝置中的類似 器件，受到震動，而不是圓錐形揚聲器被震動。使用這樣 的平面揚聲器，能夠實現比使用傳統圓錐形揚聲器更小更 輕的攜帶型設備。 另外，可使用多層陶製片狀電容器作爲電容器，有文 檔報告了將片狀電容器安裝在FPC (撓性印刷電路）上的 情況（例如-專利文件1 :日本公開專利申請 No.Hei 1 1 -326937 )和將片狀電容器安裝在顯示裝置的基 底上的情況（例如一專利文件2 :日本公開專利申請 No.Hei 7-26Π91)。這種片狀電容器長約2至3毫米， 十分利於減小體積。 如上所述，儘管平面揚聲器對於減小攜帶型資訊設備 的尺寸和重量是一個有效的辦法，但還有一些問題需要解 決。對於驅動平面揚聲器306的音頻信號處理電路307來 說，如圖3 A和3B所示，印刷電路板3 1 1被安裝在顯示 裝置的外部，由一個LSI構成的音頻信號處理電路307像 傳統的音頻信號處理電路那樣被安裝在印刷電路板上面。 因此，這還不足以減小攜帶型資訊設備的尺寸和重量。另 外，由於音頻信號頻率較低，需要大電容値（比如，10 到100iF )的耦合電容器312，以便使用電容器來耦合音 頻信號。對這一類電容器來說，沒有比靜電電容器更好的 選擇，它有較大的尺寸（通常是圓柱體形狀，直徑約5至 -7- (4) 1335772 10毫米’高7至10毫米）。因此，電路的尺寸增加了 ^ 儘管專利文件1和專利文件2中提到的多層陶製片狀 電容器比靜電電容器體積小，但它有一個問題，最大電容 値最多爲大約〇 ·] i F。因此，就必須增加電阻器的電阻値 以便利用片狀電容器構成音頻信號處理電路3〇7的耦合。 當音頻信號的最低頻率是20Hz，電容是O.liF時，要求電 阻器的電阻値大約是8 0 Κ Ω或者更大。
當電阻器像其他元件一樣被用作晶片元件時，它導致 音頻信號處理電路307頻率特性的惡化。原因是，在把這 個電路繪製到印刷電路板3 1 1或者F P C 3 0 8時，寄生電容 在終端部位出現，然後在寄生電容和晶片電阻器之間形成 低通濾波器，並因此而降低頻率特性。例如，下文中所考 慮的將是採用如圖4所示電路結構的10倍放大器。音頻 信號處理電路4〇1由運算放大器4 02，外部電阻器403、 404和405，外部電容器406和407，信號源408以及偏 壓電源4 1 4組成。 當外部電阻器4〇4和4 05的電阻値分別被標記爲 R404和R405時，圖4所示的放大器電路獲得的增益是（ 1+ (R4 05/R4 04 ))。另一方面，爲了在晶片電容器的 電容爲O.liF時獲得至少20Hz的低頻率，如上所述，必 須將外部電阻器403和404的電阻値設置爲80 ΚΩ或更 大。這裏假定外部電阻器4 0 3 ' 404被分別設置爲電阻値 略大於100 ΚΩ，那麽需要外部電阻器405達到900 ΚΩ ，以在放大器電路中獲得10倍放大的增益。 -8- (5) (5)1335772 然而，如圖4所示，通過將運算放大器402的輸入和 輸出端設置在音頻信號處理電路的外部，由參考數字409 到413標記的寄生電容上升。特別是，因爲同900 ΚΩ的 外部電阻器並聯的寄生電容410上升，在它們之間形 成一個低通濾波器。當寄生電容的電容値達到10pF 時，就形成了一個17 KHz的低通濾波器。因爲這個低通 濾波器，放大器的高頻端受到限制，並且發生了頻率特性 降低的問題。比較如圖6中所示有寄生的低通濾波器的情 形60 1和沒有寄生的低通濾波器的情形6 02，它們的頻率 特性有顯著差別。 在由引入到使用單晶矽的傳統1C中的外部電阻器所 組成的音頻信號處理電路中，也會發生同樣的問題。下面 參考圖5講述一個實例。在使用單晶矽的1C中，在矽基 底501上形成了 MOS電晶體和電阻器。在圖5中，502 和5 0 3分別表示MOS電晶體的源區和汲區，5 04表示通 道區，5〇5表示LOCOS (矽的局部氧化）膜，506表示閘 絕緣層，507表示閘電極，508表示中間層膜，509表示 源電極，510表示汲極。對於在LOCUS膜505之上形成 的電阻器5Π，一端連接到汲極510，另一端連接到電極 512。因爲LOCUS膜505厚約200到5000 nm，在矽基底 501和電阻器51]之間是寄生電容513。大約1 ΜΩ的電 阻器形成幾pF的寄生電容。矽基底是導體，通常與GND 或者類似部分連接。因此，發生與上面同樣的問題並且頻 率特性也被惡化。 -S- (6) (6)1335772 【發明內容】 考慮到前述問題，本發明提供一個減小了尺寸的音頻 信號處理電路，一種引入該音頻信號處理電路的顯示裝置 ，以及尺寸小重量輕的電子設備。 本發明的目標是提供一種音頻信號處理電路，其包含 形成在絕緣基底上的薄膜元件和薄膜電阻器。另外’提供 引入了包含形成在絕緣基底上的薄電阻器的音頻信號處理 電路的顯示裝置是本發明的另一個目的。就這種配置情形 而言，終端寄生電容不再成爲問題。此外，這種配置有一 個優勢是在絕緣基底上形成的薄膜電阻器不會像1C中的 電阻器那樣帶來基底和電阻器之間的寄生電容問題。 下面描述本發明的配置。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，輸入電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在此絕緣基底上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，輸入電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底相連接的撓性基底 上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，輸入電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底電連接的印刷電路 板上的片狀電容器。 -10- (7) (7)1335772 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，反饋電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在此絕緣基底上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，反饋電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底相連接的撓性基底 上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，反饋電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底電連接的印刷電路 板上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，平滑電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在此絕緣基底上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，平滑電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底相連接的撓性基底 上的片狀電容器β 依照本發明，所涉及的音頻信號處理電路包含形成在 絕緣基底上的薄膜元件，平滑電路包含形成在此絕緣基底 上的薄膜電阻器和安裝在同此絕緣基底電連接的印刷電路 板上的片狀電容器。 依照本發明=在音頻信號處理電路中，Ρ型雜質被摻 雜在薄膜電阻器中。 -11 - (8) (8)1335772 依照本發明，在音頻信號處理電路中，薄膜電阻器的 電阻値爲80ΚΩ或更大。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的輸入電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在此絕緣基底 上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的輸入電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底相連接的撓性基底上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的輸入電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底電連接的印刷電路板上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的反饋電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在此絕緣基底 上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的反饋電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底相連接的撓性基底上的片狀電容器。 依照本發明：所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路，該音頻信號處理電路的反饋電路包含形成在絕緣 -12- 1335772 Ο) 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底電連接的印刷電路板上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路’該音頻信號處理電路的平滑電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在此絕緣基底 上的片狀電容器。
依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路’該音頻信號處理電路的平滑電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底相連接的揍性基底上的片狀電容器。 依照本發明，所涉及的顯示裝置包含一個音頻信號處 理電路’該音頻信號處理電路的平滑電路包含形成在絕緣 基底上的薄膜元件和薄膜電阻器，以及安裝在同此絕緣基 底電連接的印刷電路板上的片狀電容器。
依照本發明，在顯示裝置中，P型雜質被摻雜在薄膜 電阻器中。 依照本發明，在顯示裝置中，薄膜電阻器的電阻値爲 80 ΚΩ或更大。 依照本發明，攜帶型資訊設備使用上述顯示裝置。 通過上面的方法，能夠實現尺寸更小的電容器，音頻 信號處理電路也可以合併到顯示裝置中。接著，能夠實現 可以輸出聲音的尺寸小重量輕的電子設備（通常是攜帶型 資訊設備）。 在具有音頻輸出功能的傳統攜帶型資訊設備中，音頻 -13- (10) . 1335772 信號處理電^中使用的是靜電電容器。這樣，要縮小音頻 信號處理電路的尺寸就很困難，有音頻輸出功能的傳統攜 帶型資訊設備妨礙了攜帶型資訊設備尺寸的縮小。 依照本發明，通過使用薄膜元件組成音頻信號處理電 路，尤其是使用薄膜電阻器作爲電阻器以及使用小電容的 電容器，能夠實現體積小的音頻信號處理電路和引入了該 音頻信號處理電路的顯示裝置。本發明使得減小具有音頻 輸出功能的攜帶型資訊設備的尺寸和重量成爲可能。 【實施方式】
下文中，參考附圖講述本發明的實施方式。圖一展示 了在絕緣基底101上形成的音頻信號處理電路的放大器電 路的實施方式。這個放大器電路包含運算放大器104，它 由薄膜元件比如TFT組成，該放大器電路還包括薄膜電 P且器]〇5、106、107，電源 111，FPC 1 02 -和在 FPC 1 02 上形成的片狀電容器108和109。薄膜電阻器105和片狀 電容器109組成輸入電路1]6，薄膜電阻器106、107和 片狀電容器108組成反饋電路1 17 ^ 如上所述通過用薄膜電阻器105組成輸入電路116, 輸入電路116中將出現的大部分寄生電容成爲FPC 102上 的寄生電容]14，並且頻率特性得到了提高。另外，如上 所述通過用薄膜電阻器〗06和107組成反饋電路117，反 饋電路]17中將出現的大部分寄生電容成爲寄生電容113 。特別是，因爲薄膜電阻器1 06同傳統電阻器相比寄生電 -14 - (11) (11)1335772 容小的多，所以頻率特性能得到提高。 接下來解釋本實施方案的操作。來自印刷電路板103 上的信號源Π0的信號輸出通過片狀電容器]09被輸入到 運算放大器]〇4和薄膜電阻器105。信號源1 10的DC電 壓通常爲0V，薄膜電阻器1〇5的DC電壓和運算放大器 104的輸入電壓由電源111供給。這樣，它們互不相同。 因此，直流電壓由片狀電容器109分開。薄膜電阻器105 和片狀電容器109組成輸入電路]16。運算放大器104的 信號輸入在放大後被輸出到終端112。在這兒，薄膜電阻 器106、107和片狀電容器108組成反饋電路1 17，運算 放大器104的增益由薄膜電阻器106同薄膜電阻器107的 電阻比値決定。 如上所述，爲了在片狀電容器108的電容爲O.liF並 放大1 〇倍的情況下獲得至少20Hz的低頻，必須將薄膜電 阻器107的電阻値設爲]00 Κ Ω，將薄膜電阻器106的電 阻値設置爲900 ΚΩ。按照這種實施方式，寄生電容113 和114不會形成寄生的低通濾波器，因爲每一個薄膜電阻 器的兩端都只有一個在外部。因此，這種實施方式不可能 如同傳統電路那樣，降低高頻的頻率待性。 另外，因爲本發明中薄膜電阻器到107的基底 1〇]是絕緣體，不會像使用單晶矽基底的1C那樣，由電 阻器和基底之間的電容構成低通濾波器。因此，在上述輸 入電路1 1 6以及反饋電路1 ] 7中能夠獲得有利的效果。如 上所述，在本發明中能夠使用小電容的片狀電容器作爲電 -15- (13) (13)1335772 算放大器1104的輸出端通過薄膜二極體U]3和薄膜電阻 器n〇7流向信號源1110。同時，連接節點]]1 7的電壓 變得同運算放大器1104的反相輸入端的電壓相等。 當輸入信號變成較低部分（負振幅）時，固定電壓（ 電源1111的電壓）被輸出到連接節點]117，這是因爲運 算放大器1104的反相輸入端的電壓同電源Mil的電壓大 致相等。當來自信號源的信號變成較高部分（正振 幅）時，電流從信號源1110通過片狀電容器1109和薄膜 電阻器1107流到薄膜電阻器1106和薄膜二極體1112, 最終流到運算放大器1104的輸出端。這時，同輸入信號 反相位的信號出現在連接節點1 1 1 7。以這種方式實現了 半波整流。 薄膜電阻器1114與連接節點1117相連，並由片狀電 容器〗108實現平滑。薄膜電阻器1114和片狀電容器 1108構成平滑電路1119。依照該實施例，大部分將要出 現的寄生電容成爲FPC 1102上的寄生電容1115和1116
D 通過將薄膜電阻器1107，1106和]114合倂到半波整 流器電路中，能夠防止頻率特性的惡化。上面所描述的例 子中片狀電容器1108和]109被安裝在了 FPC 1]02上。 然而，片狀電容器的安裝位置並不局限於FPC 1102，它 也可以被安裝在絕緣基底1101或者同絕緣基底電連接的 印刷電路板1 1 0 3上。 (14) (14)1335772 〔實施例2〕 圖8中示出了本發明的顯示裝置的實施例。該實施例 展示了將音頻信號處理電路的片狀電容器安裝在FPC上 的例子。接下來給出對圖8的解釋。參考數字801表示引 入了音頻信號處理電路的顯示裝置。TFT排列在絕緣基底 上，以矩陣模式被安置在圖素部分8 02。另外，源驅動電 路803和閘驅動電路8〇4由TFT以及圖素構成。此外， 音頻信號處理電路805也是由TFT構成。顯示裝置801 配備有FPC 8 06、安裝在FPC 8 06上的片狀電容器8 0 7到 810和印刷電路板81 1，其中FPC 8 06用於向絕緣基底上 的這些電路發送信號。 音頻信號處理電路805包含用於處理聲音的類比放大 器電路’但是本發明並不限於這種實施方案。音頻信號處 理電路8 05可以包含本發明的薄膜電阻器和片狀電容器。 通過以薄膜電阻器和片狀電容器來配置輸入電路、反饋電 路和平滑電路，能夠防止頻率特性的惡化。 〔實施例3〕 圖9中顯示了本發明的顯示裝置的一個實施例。本實 施例示出了將音頻信號處理電路的片狀電容器安裝在絕緣 基底上的例子。接下來是對圖9的解釋。參考數字901表 示引入了音頻信號處理電路905的顯示裝置。TFT排列在 絕緣基底上’並以矩陣方式被安置在圖素部分902中。另 外，源驅動電路903和閘驅動電路9〇4是由TFT及圖素 -18- (15) 1335772 組成的。此外’音頻信號處理電路9 05也是由TFT配置 的。顯示裝置901裝配有FPC 906、安裝在絕緣基底上的 片狀電容器907到910和印刷電路板911’所述FPC 906 用於向絕緣基底上的這些電路發送信號。 音頻信號處理電路905包含一個處理聲音的類比放大 器電路，但是，本發明並不局限於這一種實施方案。音頻 信號處理電路9〇5可以包含本發明的薄膜電阻器和片狀電 容器。通過使用薄膜電阻器和片狀電容器來配置輸入電路 、反饋電路和平滑電路，可以防止頻率特性的惡化。 〔實施例4〕 圖13示出了本發明的顯示裝置的一個實施例。該實 施例示出了將音頻信號處理電路的片狀電容器安裝在印刷 電路板上的例子。接下來是對圖13的解釋。參考數字 1401表示引入了音頻信號處理電路的顯示裝置。TFT排 列在絕緣基底上，以矩陣方式被安置在圖素部分14 02中 。另外，源驅動電路1403和閘驅動電路1404由TFT以 及圖素組成。此外，音頻信號處理電路1405也是由TFT 構成。顯示裝置1401裝配有用於向絕緣基底上的這些電 路發送信號的FPC 1 4 06、被電連接到該絕緣基底的印刷電 路板I4〗1以及安裝在該印刷電路板上的片狀電容器1407 到 1 4 ] 0 ° 對於該實施例的音頻信號處理電路14〇5:可以使用 該實施模式中所顯示的那種。音頻信號處理電路包含一個 -19- (16) 1335772 處理聲音的類比放大器電路，但是，本發明並不 貫施例。音頻信號處理電路1405包含本發明的 器。通過使用薄膜電阻器和片狀電容器來配置輸 反饋電路和平滑電路，可以防止頻率特性的惡化 〔實施例5〕 將使用圖7A到7D來解釋本發明薄膜電阻 方法。基膜702被形成在絕緣基底701上。對這 說’希望使用氮化物膜或者氮化物膜同氧化物膜 。接下來形成非晶矽膜。用熱輻射或雷射輻射來 膜進行結晶’形成多晶矽膜。然後使多晶矽膜組 以形成期望形狀的矽島703到706 (圖7A) » 接下來’形成閘絕緣膜7 0 7並在其上形成閘 。使閘電極材料構成圖案，以形成閘電極7 0 8和 後使用N型摻雜的抗蝕劑掩模710來摻雜N型 其上形成閘電極的矽區域變成了 N型TFT 1511 711，因爲閘電極708下的區域沒有被摻雜。另 其上沒有閘電極的矽區域形成了 N型薄膜電阻器 爲該矽區域已被摻雜（圖7B)。在N型摻雜的 模710被取走後，就形成了 P型摻雜的抗蝕劑掩 摻雜P型雜質。在其上形成閘電極的矽區域變员 TFT 1514的通道區714，因爲閘電極709下的區 摻雜。另一方面，其上沒有閘電極的矽區域形成 膜電阻器715，因爲該矽區域已被摻雜（圖7C) 局限於該 薄膜電阻 入電路、 器的製作 個基膜來 的叠層膜 對非晶矽 成圖案， 電極材料 709 -然 雜質。在 的通道區 —方面， 712，因 抗蝕劑掩 模7 1 3並 I 了 P型 域沒有被 了 P型薄 -20- (17) (17)1335772 接下來，形成中間層膜716，並開接觸孔》通過形成 佈線金屬並使其組成圖案，形成電極7 1 7到720，這樣就 形成了 N型TFT 1511，P型TFT 1514，N型薄膜電阻器 1512和P型薄膜電阻器]5]5。通過這些步驟完了 一個電 路（圖7D )。另外，圖14 A到1 4D中顯示了它們的頂視 平面圖。同樣的部件用同樣的數字進行標記。圖Μ A到 14D顯示了 N型TFT 1511，P型TFT 1514，N型薄膜電 阻器1 5 1 2以及P型薄膜電阻器1 5 1 5的頂視平面圖。圖 14A 到 14D 中的數字 708、709、711' 712 和 717-720 對 應於圖7A到7D中的相同數字，數字721至U 724表示由 圖7 D中的數字7 1 6所表示的中間層膜的接觸孔。如上所 述’不需要向本實施例TFT的形成步驟添加任何東西就 能夠製造薄膜電阻器。注意，儘管在本實施例中，可以摻 雜P型雜質或N型雜質以形成電阻器，但對薄膜電阻器 來說優選的是摻雜P型雜質的電阻器，因爲它的變化較小 〔實施例6〕 圖10是一個由TFT組成的運算放大器電路的等效電 路圖。這個運算放大器電路包括擁有TFT 1001和TFT 1 002的差動電路，擁有TFT 1 003和TFT 1 004的電流鏡 電路，擁有TFT 1 005和TFT ] 009的恒流源，擁有TFT 1006的共源電路，擁有TFT 1007和丁FT ]008的空載電 路（idling circuit)，擁有 TFT 1010 和 TFT 101]的源跟 -21 - (18) (18)1335772 隨電路（source follower circuit)，以及相位補償電容器 1 0 1 2 〇 下面講述圖]0所示的運算放大器電路的操作。當一 個正信號被輸入非反相輸入端，TFT 1 00 1的漏電流變的 大於TFT 1 002的漏電流，因爲擁有TFT 1 005和TFT 1 009的該恒流源被連接到組成差動電路的 TFT 100 1和 TFT 1002的源。由於TFT 1003和TFT 1004組成了電流 鏡電路，TFT 1 003的漏電流變的同 TFT 1 002的相等。 TFT 1 003的漏電流和TFT 1001的漏電流之間的差動電流 導致TFT 1006的閘電壓降低。當TFT 1006的閘電壓被降 低時，TFT 1006(P型TFT)導通，並且漏電流增大。因 此TFT 1010的閘電壓上升。與此同時，TFT 1010的源電 壓，即輸出端的電壓上升" 當一個負信號被輸入非反相輸入端，TFT 1001的漏 電流變的小於TFT 1 002的漏電流。因爲TFT 1 003的漏電 流同TFT 1 002的相等，TFT 1 003的漏電流和TFT 1001 的漏電流之間的差動電流導致TFT 1 006的閘電壓降低。 當TFT 1006的閘電壓上升時，TFT 1006 (P型TFT)關 閉，並且漏電流減小。因此TFT 10]0的閘電壓降低。與 此同時，TFT 1010的源電壓，即輸出端的電壓降低。如 上所述，同非反相輸入端的信號具有相同相位的信號被輸 出端輸出。 當一個正信號被輸入反相輸入端時，TFT 1001的漏 電流變的小於丁FT 1 002的漏電流。因爲TFT ] 003的漏電 -22 - (19) 1335772 流同 TFT 1 002漏電流相等，TFT 1 003的漏電流和 1001的漏電流之間的差動電流導致TFT 1006的閘電 升。當TFT 1006的閘電壓上升時，丁 FT 1006 (P型 )關閉，並且漏電流減小。因此TFT ] 0 ] 0的閘電壓 。與此同時，TFT 1010的源電壓，即輸出端的電壓 〇 當一個負信號被輸入反相輸入端時，TFT 1001 電流變的大於TFT 1 002的漏電流。因爲TFT 1 003的 流同TFT 1 002的相等，TFT 1 003的漏電流和TFT 的漏電流之間的差動電流導致TFT ] 006的閘電壓降 當TFT ]. 006的閘電壓降低降低時，TFT 1006 (P型 )導通，並且漏電流增大。因此TFT 1010的閘電壓 。與此同時，TFT 1010的源電壓，即輸出端的電壓 。如上所述，輸出端輸出的信號同反相輸入端的信號 反相位。 在該實施例中，差動電路是由Nch TFT組成， 鏡電路是由Pch TFT組成。但是本發明並不局限於這 置，也可以使用相反的配置，即，差動電路可以由 TFT構成，電流鏡電路可以由Nch TFT構成》另外， 也不局限於上述電路，其他有運算放大器功能的電路 以被使用。 [實施例7〕 按上述方案製造的顯示裝置可以被用作各種電子 TFT 壓上 TFT 降低 降低 的漏 漏電 1001 低。 TFT 上升 上升 有相 電流 種配 Pch 電路 都可 設備 -23- (20) 1335772 的顯示器部分。下面介紹各種電子設備，其引入依照 明而製造的該顯示裝置作爲顯示介質。 這種電子設備的實例包括攝影機，數位相機，頭 顯示器（護目鏡顯示器），遊戲機，汽車導航系統， 電腦，攜帶型資訊終端（移動電腦，行動電話或者電 籍）和其他類似設備》圖1 2A到1 2G中顯示了它們 一些具體的例子。 圖12A是一台數位相機，包括主體3101，顯示 31〇2 ’圖像接收部分3103，操作鍵3104，外部連 3 1 0 5，快門3 1 0 6和其他部件。本發明的顯示裝置可 在顯示部分3 1 02，以實現緊湊方便的數位相機。 圖12B是一台膝上電腦，包括主體3201，外殼 ，顯示部分3203，鍵盤3204，外部連接埠3205，定 鼠」3 2 06和其他裝置。本發明的顯示裝置可以用在顯 分3 203，以實現緊湊方便的膝上電腦。 圖〗2C是一台攜帶型資訊終端，包括主體33〇1 示部分3 3 0 2，開關3 3 03，操作鍵3304，紅外線埠 和其他裝置。本發明的顯示裝置可以用在顯示部分 ，以實現緊湊方便的攜帶型資訊終端。 圖]2D是對記錄媒體圖像再現的裝置（尤其， 再現裝置）包括主體3401，外殼3402，記錄媒體（ CD’ LD或DVD)讀入部分3405，操作開關3406, 部分A 34〇3’顯示部分b 3404和其他裝置。顯示部 34 03主要顯示圖像資料，顯示部分B 3404主要顯示 本發 戴式 個人 子書 中的 部分 接埠 以用 3 202 點滑 示部 ，顯 3 3 0 5 3 3 03 DVD 比如 顯示 分A 字元 -24 - (21) 1335772 資料。本發明的顯示裝置可以用在配備有記錄媒體 像再現裝置的顯示部分A 34〇3和B 34〇4，以實現 便的圖像再現裝置。注意，CD再現裝置、遊戲機 他裝置也被包含在具有記錄媒體的該圖像再現裝置 圖12E是可折疊攜帶型顯示裝置。使用本發明 部分3502可以附在主體3501上以實現緊湊方便的 示裝置。 圖〗2F是一手錶，它包括錶帶36〇i、顯示部： 、操作開關3 603和類似部件。本發明的顯示裝置 在顯示部分3602中以使該手錶具有音頻輸出功能。 圖12G是一部行動電話，它包括主體37〇1 3 7〇2、顯示部分π”、音頻輸出部分37〇4 '天線 操作鍵3706和外部連接埠3707。本發明的顯示裝 用在顯示部分3 703中以實現緊湊方便的行動電.話。 如上所述，本發明可以被廣泛使用，並用在不 的電子設備中。注意，該實施例的電子設備也可以 施例1到6的結構的任意組合來實現。 【圖式簡單說明〕 圖1 1是表示一種音頻信號處理電路的等效電路| ® 2A和2B是傳統顯示裝置的頂視平面圖和 圖。 ® 3A和3B是傳統顯示裝置的頂視平面圖和 圖。 的該圖 緊湊方 以及其 中〇 的顯示 便攜顯 分 3 602 可以用 、外殼 3 705 ' 置可以 同領域 通過實 橫剖面 橫剖面 -25- (22) (22)1335772 ® 4¾表示傳統音頻信號處理電路的等效電路圖。 B1 5是傳統音頻信號處理ic的橫剖面圖。 Μ 6¾表示傳統音頻信號處理電路之頻率特性的圖表 〇 圖7A到7D是製造步驟的橫剖面圖。 圖8是表示顯示裝置實施例的視圖。 圖9是表示顯示裝置實施例的視圖。 圖1〇是表示運算放大電路的等效電路圖。 圖】1是表示整流器電路的等效電路圖。 圖12A到12G是使用顯示裝置的電子設備的視圖。 圖1 3是表示顯示裝置的視圖。 圖1 4 A到1 4 D是薄膜元件的頂視平面圖。 主要元件符號說明 10 1 絕 緣 基 底 102 撓 性 印 刷 電路 103 印 刷 電 路 板 ]04 運 算 放 大 器 105 薄 膜 電 阻 αο 益 ]06 薄 膜 電 阻 器 107 薄 膜 電 阻 器 1 08 片 狀 電 容 器 1 09 片 狀 電 容 器 1 1 0 信 號 源 -26- 1335772 (23) 111 電 源 112 終 丄山 m 113 寄 生 電 容 1 ] 4 寄 生 電 容 115 寄 生 電 容 116 輸 入 電 路 117 反 饋 電 路 20 1 攜 帶 型 資 訊 設 備 202 源 信 號 驅 動 電 路 203 閘 信 號 驅 動 電 路 204 圖 素 部 分 205 撓 性 印 刷 電 路 206 印 刷 電 路 板 207 c 圓 錐 形 揚 聲 器 208 相 對 基 底 209 基 底 2 10 音 頻 信 號 處 理 電路 2 1 1 耦 合 電 容 器 3 0】 攜 帶 型 資 訊 三几 叹 備 302 源 信 號 驅 動 電 路 3 03 閘 信 號 驅 動 電 路 304 圖 素 部 分 305 撓 性 印 刷 電 路 306 平 面 揚 聲 器
-27- 1335772 (24) 3 07 頻 信 號 處 理 電 路 308 撓 性 印 刷 電 路 309 基 底 3 10 相 對 基 底 3 11 印 刷 電 路 板 3 12 耦 合 電 容 器 40 1 頻 信 號 處 理 電 路 402 運 算 放 大 器 403 外 部 電 阻 器 404 外 部 電 阻 器 405 外 部 電 阻 器 406 外 部 電 容 器 407 外 部 電 容 器 408 信 號 源 409 寄 生 電 容 4 1 0 寄 生 電 容 4 11 寄 生 電 容 4 12 寄 生 電 容 4 ] 3 寄 生 電 容 4 14 偏 壓 電 源 50 1 矽 基 底 502 源 區 503 汲 區 504 通 道 區 1335772 (25) 505 矽的局部氧化膜 506 閘絕緣層 50 7 閘電極 508 中間層膜 509 源電極 5 10 汲極 5 11 電阻器 5 12 電極 5 13 寄生電容 70 1 絕緣基底 702 基膜 703 矽島 704 矽島 705 矽島 706 矽島 707 閘絕緣層 708 閘電極 709 閘電極 7 10 N型摻雜的抗蝕劑掩模 7 11 通道區 7 1 2 N型薄膜電阻器 7 13 P型摻雜的抗蝕劑掩模 7 14 通道區 7 15 P型薄膜電阻
-29- 1335772 (26) 7 16 中 7 17 電 7 18 電 7 19 電 720 電 72 1 接 722 接 723 接 724 接 80 1 顯 802 圖 803 源 804 閘 805 806 撓 80 7 片 808 片 809 片 8 10 片 8 1 1 印 90 1 顯 902 圖 903 源 904 閘 間層膜 極 極 極 極 觸孔 觸孑L 觸孔 觸孔 示裝置 素部分 驅動電路 驅動電路 頻信號處理電路 性印刷電路 狀電容器 狀電容器 狀電容器 狀電容器 刷電路板 示裝置 素部分 驅動電路 驅動電路
-30- 1335772 (27) 905 音 906 撓 907 片 908 片 909 片 9 1 0 片 9 1 1 印 100 1 薄 1002 薄 1003 薄 1004 薄 1005 薄 1006 薄 1007 薄 1008 薄 1009 薄 10 10 薄 ]0 1 1 薄 10 12 薄 110 1 絕 1102 撓 1103 印 1 104 運 1105 薄 頻信號處理電路 性印刷電路 狀電容器 狀電容器 狀電容器 狀電容器 刷電路板 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 膜電晶體 緣基底 性印刷電路 刷電路板 算放大器 膜電阻器
-31 - 1335772 (28) 1106 薄 1107 薄 1108 片 1109 片 1110 信 1111 電 1112 薄 1113 薄 1114 薄 1115 寄 1116 寄 1117 連 1118 輸 1119 平 140 1 顯 1402 圖 1403 源 1404 閘 1405 1406 撓 1407 片 ]408 片 1 409 片 14 10 片 膜電阻器 膜電阻器 狀電容器 狀電容器 號源 源 膜二極體 膜二極體 膜電阻器 生電容 生電容 接節點 入電路 滑電路 示裝置 素部分 驅動電路 驅動電路 頻信號處理電路 性印刷電路 狀電容器 狀電容器 狀電容器 狀電容器
-32 - 1335772 (29) 14 11 印刷電路板 15 11 N型薄膜電晶體 15 12 N型薄膜電阻器 15 14 P型薄膜電晶體 15 15 P型薄膜電阻器 3 10 1 主體 3 102 顯示部分 3 103 圖像接收部分 3 104 操作鍵 3 105 外部連接埠 3 106 快門 320 1 主體 3 202 外殼 3 2 03 顯示部分 3 2 04 鍵盤 3205 外部連接埠 3 2 06 定點滑鼠 3 3 0 1 主體 3 3 02 顯示部分 3 3 03 開關 3 3 04 操作鍵 3 3 05 紅外線堤 340 1 主體 3 4 02 外殼
-33- 1335772 (30) 3403 340 顯 3405 記 3 40 6 操 3 5 0 1 主 3 5 02 顯 3 60 1 錶 3 602 Μ / Ι·> Ί 3 603 操 3 70 1 主 3 702 外 3 7 03 顯 3 704 3 705 天 3 706 操 3 707 外 示部分A 示部分B 錄媒體讀入部分 作開關 體 示部分 帶 示部分 作開關 體 殼 示部分 頻輸出部分 線 作開關 部連接埠
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Claims (1)
1335772 9# 1扎户狂替換頁 拾、申請專利範圍 第093 1 0854 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年10月14日修正 1. 一種音頻信號處理電路，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件； 形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在絕緣基底之上的片狀電容器；以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 2. 如申請專利範圍第1項之音頻信號處理電路，其 中P型雜質被摻雜在薄膜電阻器中。 3. 如申請專利範圍第1項之音頻信號處理電路，其 中薄膜電阻器的電阻値爲80 ΙίΩ或者更大。 4. 一種電子設備，包含如申請專利範圍第1項之音 頻信號處理電路，其中該電子設備是從一組電子設備中選 出的任一設備，該組電子設備由攝影機，數位相機，頭戴 式顯示器，遊戲機，汽車導航系統，個人電腦以及攜帶型 資訊終端組成。 5. 一種音頻信號處理電路，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件； 形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在同絕緣基底相連接的撓性基底之上的片狀電容 1335772 正， 器；以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 6. 如申請專利範圍第5項之音頻信號處理電路，其 中P型雜質被摻雜在薄膜電阻器中。 7. 如申請專利範圍第5項之音頻信號處理電路，其 中薄膜電阻器的電阻値爲80 kQ或者更大。 8. —種電子設備，包含如申請專利範圍第 5項之音 頻信號處理電路，該電子設備是從一組電子設備中選出的 任一設備，該組電子設備由攝影機，數位相機，頭戴式顯 示器，遊戲機，汽車導航系統，個人電腦以及攜帶型資訊 終端組成。 9. 一種音頻信號處理電路，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件： 形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在同該絕緣基底電連接的印刷電路板之上的片狀 電容器：以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 10. 如申請專利範圍第9項之音頻信號處理電路，其 中P型雜質被摻雜在薄膜電阻器中。 11. 如申請專利範圍第9項之音頻信號處理電路，其 -2- 1335772 _ 99w㈣換頁 中薄膜電阻器的電阻値爲80kn或者更大。 12. —種電子設備，包含如申請專利範圍第9項之音 頻信號處理電路，其中該電子設備是從一組電子設備中選 出的任一設備，該組電子設備由攝影機，數位相機.，頭戴 式顯示器，遊戲機，汽車導航系統，個人電腦以及攜帶型 資訊終端組成。 13. —種顯示裝置，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件； 形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在絕緣基底上的片狀電容器；以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 14. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中Ρ型 雜質被摻雜在薄膜電阻器中》 15. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中薄膜 電阻器的電阻値爲80 kD或者更大。 16. —種電子設備，包含如申請專利範圍第13項之 顯示裝置，其中該電子設備是從一組電子設備中選出的任 一設備，該組電子設備由攝影機，數位相機，頭戴式顯示 器，遊戲機，汽車導航系統，個人電腦以及攜帶型資訊終 端組成.。. 1 7 .—種顯示裝置，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件； -3- 1335772
形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在同該絕緣基底相連的撓性基底之上的片狀電容 器；以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 18. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中P型 雜質被摻雜在薄膜電阻器中。 19. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中薄膜 電阻器有80kQ或者更大的電阻値。 _ 20. —種電子設備，包含如申請專利範圍第17項之 顯示裝置，其中該電子設備是從一組電子設備中選出的任 一設備，該組電子設備由攝影機，數位相機，頭戴式顯示 器，遊戲機，汽車導航系統，個人電腦以及攜帶型資訊終 端組成。 21. —種顯示裝置，包括： 形成在絕緣基底之上的薄膜元件； 形成在絕緣基底之上的薄膜電阻器； 安裝在同該絕緣基底電連接的印刷電路板之上的片狀 電容器；以及 包含該薄膜電阻器及該片狀電容器的輸入電路， 其中該薄膜電阻器的一終端被連接至該薄膜元件，且 該薄膜電阻器的另一終端被連接至該片狀電容器。 22. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中P型 -4- 1335772 __ 雜質被摻雜在薄膜電阻器中。 23. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中薄膜 電阻器有80 或者更大的電阻値。 24. —種電子設備，包含如.申請專.利範圍第21項之顯 示裝置，其中該電子設備是從一組電子設備中選出的任一 設備，該組電子設備由攝影機，數位相機，頭戴式顯示器 ’遊戲機，汽車導航系統’個人電腦以及攜帶型資訊終端 組成。 S -5-
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