JP2005072573A - 配線基板及びその作製方法、並びに半導体装置及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、少ない工程で多層配線化を実現し、小面積で高機能な機能回路を有する配線基板及び半導体装置を提供する。またこのような高機能な機能回路を表示装置と同一基板上に一体形成した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、絶縁表面を有する基板上に、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜と、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールを有し、前記第２の配線の幅を前記第１の配線の幅より広いか、あるいは前記第３の配線の幅を前記第１の配線の幅もしくは前記第２の配線の幅より広く、且つ前記第２のコンタクトホールの直径を前記第１のコンタクトホールの直径より大きく形成することを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、多層配線化した配線基板及びその作製方法に関するものである。また、前記配線基板を用いた半導体装置及びその作製方法に関するものである。

近年、多結晶半導体薄膜を用いてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成し、これを画素部のスイッチング素子や、画素の駆動回路に用いた半導体装置の研究開発が活発に行われている。
さらにこのような多結晶半導体薄膜を用いたＴＦＴは、その電界効果移動度などの特性が優れているため、表示装置と同一基板上に機能回路までも搭載する研究開発が始められている。機能回路としては、例えば、ＣＰＵや画像処理回路、メモリなどが挙げられるが、半導体装置の付加価値を高めるためには、高処理能力の機能回路を小面積で搭載することが必要である。

従来のＴＦＴを用いた半導体装置と同様なマスク構成で機能回路を構成した場合の例を図８に示す。
この場合、ＴＦＴのゲート配線１００７及びＴＦＴ間の引き回し配線１００８として第１の配線層、ＴＦＴ間の引き回し配線１００９及び電源配線１０１０として第２の配線層が各々用いられている。
このように２層で配線を形成し、高処理能力の機能回路を実現しようとした場合、第２の配線で引き回し配線と共に電源配線等の配線幅が太い配線を形成することになり、配置面積が拡大する。

機能回路の面積を縮小するための手段として、引き回し配線の幅や電源配線の幅、またはコンタクトホールの径を縮小する事が挙げられる。しかし、引き回し配線や電源配線の配線幅を縮小すると電気抵抗が増大し、信号遅延の増大や電圧降下が生じるため回路の誤動作や動作周波数の低下などの問題点が生じる。また、コンタクトホールの径を縮小すると、第１の配線と第２の配線との電気的接続が不十分になりやすく、回路の誤作動を引き起こす。安定したコンタクトホールの形成には、より高精度の露光装置やエッチング装置が必要になり、開発費が膨大になる。
従って、引き回し配線幅や電源配線幅、またはコンタクトホールの径の縮小による面積縮小は非常に困難である。

一方、従来のＬＳＩ開発においては、多層配線技術を用いてチップ面積を縮小することにより、動作周波数を向上し、処理能力の向上を実現してきた。多層配線では、基本セル内での配線、機能回路内の各ブロック内における配線、ブロック間配線、電源配線、接地配線などについて特定の配線を用いる。このような多層配線化により、配線領域の削減ができるので、チップ面積の縮小が可能となる。
そのため、表示装置と同一基板上に形成された機能回路の作製においても、面積縮小に多層配線技術が有効であると期待される。

ＬＳＩ開発における多層配線の作製工程において、配線を１層増す毎に最低２回のマスク工程が追加される。また平坦化工程などの工程も必要となってくる。層間膜の平坦化工程は、層間膜の段差部における配線の幅の変動を抑制する他、露光の工程における露光精度の向上などの目的で行われる。ＬＳＩ開発における平坦化工程では、例えば層間膜を厚く堆積した後に、ＣＭＰ処理を行う方法を用いる。また、層間膜を堆積した後、さらに平坦性のある膜を堆積した後にエッチバックを行う方法や、前記方法と組み合わせた方法などを用いる。
しかし、これらの方法で、大型基板上に多層配線を作製する場合には、層間膜を均一な厚さで成膜し、平坦化するのは非常に困難である。また、下層の平坦性は、上層の平坦性に反映されるので、配線数が増加するほど平坦化は深刻な問題になり、工程数は更に増加していくという新たな問題が生じる。
以上のことから、同一基板上に機能回路を一体形成した場合において、装置を低価格のまま提供するためには、少ない工程で多層配線化を実現する必要がある。

本発明は、以上のような問題点を鑑みなされたもので、少ない工程で多層配線化を実現し、小面積で高機能な機能回路を有する配線基板及び半導体装置を提供する。またこのような高機能な機能回路を表示装置と同一基板上に一体形成した半導体装置を提供する。

上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においては以下の手段を講じる。

本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された第１の配線と、第１の配線を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上に形成された第２の配線と、第２の配線を覆って形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上に形成された第３の配線と、第１の配線と第２の配線を電気的に接続するために第１の層間絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと、第２の配線と第３の配線を電気的に接続するために第２の層間絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールとを有し、第３の配線の幅は第１および第２の配線の幅より広く、且つ前２の配線の幅は第１の配線の幅より広く、且つ第２のコンタクトホールの直径は第１のコンタクトホールの直径より大きいことを特徴とする配線基板である。また、上記配線基板は第２のコンタクトホールの面積が第１のコンタクトホールの面積よりも大きいことを特徴とする。

本発明において、配線は導電性を有する薄膜である配線層をパターニングすることで形成する。例えば金属薄膜、不純物を添加した半導体薄膜などを配線層として形成した後に、これをパターニングすることで配線を形成する。また配線幅とは配線の幅のことである。また、コンタクトホールとは配線同士を電気的に接続するために、層間絶縁膜に開口した孔のことをいう。例えば、第１の配線と第２の配線との間に第１の層間絶縁膜がある場合、第１の配線と第２の配線を電気的に接続するために第１の層間絶縁膜に形成された開口部のことを指す。またコンタクトホールの直径は、層間絶縁膜に形成した開口部の最上部の部分の径のうち最大のものであるとする。また、コンタクトホールの面積とは、より詳しくはコンタクトホールの上端の面の面積であるとする。

上記構成において、第３の配線の幅は第１および第２の配線の幅より広く、且つ前２の配線の幅は第１の配線の幅より広いとは、下層側の配線より、後から追加した上層側の配線の幅を広くすることであり、配線の幅の広い電源線を上層側に形成することにより、下層側の配線の占有する面積の縮小が図れる。また、上層側の配線は、電源配線のように配線の幅の広い配線として用いることにより、上層側のコンタクトホールを下層側のコンタクトホールより大きく形成することができる。

また、本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と、第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを有し、第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜が形成され、第ｍの層間絶縁膜上に第（ｍ＋１）の配線が形成され、第（ｍ＋１）の配線は第ｍの層間絶縁膜に形成された第ｍのコンタクトホールを介して第１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続され、第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅は、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ−１）の配線のいずれかの幅より広く、且つ第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径は、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ−１）のコンタクトホールのいずれかの直径より大きいことを特徴とする配線基板である。また、上記配線基板は、第ｓのコンタクトホールの面積が第ｔのコンタクトホールの面積よりも大きいことを特徴とする。

本発明は、上記構成において、第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径が、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ―１）のコンタクトホールのいずれかの直径の２倍以上であることを特徴とする配線基板である。また、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールのうち、少なくとも一つは直径が１μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは直径が３μｍ以上であることを特徴としている。なお、直径が１μｍ以下であるコンタクトホールを少なくとも一つは有し、且つ直径が３μｍ以上であるコンタクトホールを少なくとも一つは有しているとは、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールのうち、最大の大きさを有するコンタクトホールの直径が３μｍ以上であり、且つ最小のコンタクトホールの直径が１μｍ以下であることを表している。

本発明は、上記構成において、第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅が、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ―１）の配線のいずれかの幅の２倍以上であることを特徴とする配線基板である。また、第１〜第ｎの配線のうち、少なくとも一つは配線の幅が２μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは配線の幅が３μｍ以上であることを特徴としている。なお、配線の幅が２μｍ以下である配線を少なくとも一つは有し、且つ配線の幅が３μｍ以上である配線を少なくとも一つは有しているとは、第１〜第ｎの配線のうち、最大の大きさを有する配線の幅が３μｍ以上であり、且つ最小の配線の幅が２μ以下であることを表している。

また、本発明において、配線は導電性を有する薄膜からなり、導電性を有する薄膜とは、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素又は該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物を含んだ半導体薄膜であることを特徴としている。

本発明において、絶縁表面を有する基板としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板又はＳＯＩ基板を用いることができる。

また、本発明において、配線のうち、少なくとも１つは電源配線又はクロック配線に用いられていることを特徴としている。上層側の配線は幅の広い配線であればよい。また、電源配線又はクロック配線以外でも配線の幅が広いものであればよく、例えば、ブロック入出力の信号配線、機能回路入出力部の信号配線なども適用可能である。

また、本発明において、層間絶縁膜のうち、少なくとも１つは有機樹脂であることを特徴としている。有機樹脂は通常層間膜に用いられる無機膜に比べて誘電率が低いため、寄生容量を低減することが可能となり、有機樹脂を利用することは機能回路の高速動作には有効になる。また、層間絶縁膜の堆積時に平坦性を有するため、平坦化工程が不要であるという利点もある。しかし、通常材料の特性上、有機樹脂膜に微細なコンタクトホールを形成することは難しく、微細加工には不向きであるが、本発明においては、上層側のコンタクトホールの直径を大きく形成できるため、微細加工においても条件が緩和されるため、有機樹脂を層間絶縁膜として有効に利用することができる。

本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を有する半導体装置において、機能回路は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜と、第１のコンタクトホールと、第２のコンタクトホールを有し、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線は導電性を有する薄膜からなり、第２の配線は、第１の層間絶縁膜に形成されている第１のコンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続しており、第３の配線は、第２の層間絶縁膜に形成されている第２のコンタクトホールを介して第１の配線もしくは第２の配線の少なくとも一方と電気的に接続しており、第２の配線の幅は、第１の配線の幅より広いか、あるいは第３の配線の幅は第１の配線の幅もしくは第２の配線の幅より広く、且つ第２のコンタクトホールの直径は、第１のコンタクトホールの直径より大きいことを特徴とする半導体装置である。また、上記半導体装置は第２のコンタクトホールの面積が第１のコンタクトホールの面積よりも大きいことを特徴とする。

また、本発明の他の構成として、上記構成において、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される半導体装置において、機能回路と表示装置を有することを特徴としている。

また、本発明は上記構成において、第２のコンタクトホールの直径が、第１のコンタクトホールの直径の２倍以上であることを特徴としている。
また、第１のコンタクトホールの直径が１μｍ以下であり、且つ第２のコンタクトホールの直径が３μｍ以上であることを特徴としている。

また、本発明は上記構成において、第２の配線の幅が、第１の配線の幅の２倍以上、又は第３の配線の幅が第１の配線の幅の２倍以上、又は第３の配線の幅が第２の配線の幅の２倍以上であることを特徴としている。
また、第１の配線の幅と第２の配線の幅と第３の配線の幅のうち、配線の幅が２μｍ以下である配線を少なくとも一つは有し、且つ配線の幅が３μｍ以上である配線を少なくとも一つは有していることを特徴としている。

本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を有する半導体装置において、機能回路は、第１〜第ｎ（ｎ＞３）の配線と、第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールと、を有し、第１〜第ｎの配線は、導電性を有する薄膜からなり、第ｍ（２≦ｍ≦ｎ）の配線は、第（ｍ−１）の層間絶縁膜に形成されている第（ｍ−１）のコンタクトホールを介して第１〜第（ｍ−１）の配線の少なくとも一つと電気的に接続しており、第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅は、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ−１）の配線のいずれかの幅より広く、且つ第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径は、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ−１）のコンタクトホールのいずれかの直径より大きいことを特徴としている。また、上記半導体装置は第ｓのコンタクトホールの面積が第ｔのコンタクトホールの面積よりも大きいことを特徴とする。

また、本発明は上記構成において、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される半導体装置において、機能回路と表示装置を有することを特徴としている。

本発明は上記構成において、第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径が、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ―１）のコンタクトホールのいずれかの直径の２倍以上であることを特徴としている。また、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールのうち、直径が１μｍ以下であるコンタクトホールを少なくとも一つは有し、且つ直径が３μｍ以上であるコンタクトホールを少なくとも一つは有していることを特徴としている。

本発明は上記構成において、第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅が、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ―１）の配線のいずれかの幅の２倍以上であることを特徴としている。 また、第１〜第ｎの配線のうち、配線の幅が２μｍ以下である配線を少なくとも一つは有し、且つ配線の幅が３μｍ以上である配線を少なくとも一つは有していることを特徴としている。

また、本発明において、配線は導電性を有する薄膜からなり、導電性を有する薄膜とは、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素又は該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物を含んだ半導体薄膜であることを特徴としている。

本発明において、絶縁表面を有する基板としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板又はＳＯＩ基板を用いることができる。

また、本発明において、配線のうち、少なくとも１つは電源配線又はクロック配線に用いられていることを特徴としている。上層側の配線は配線の幅の広い配線であればよい。また、電源配線又はクロック配線以外でも配線の幅が広いものであればよく、例えば、ブロック入出力の信号配線、機能回路入出力部の信号配線なども適用可能である。

また、本発明において、層間絶縁膜のうち、少なくとも１つは有機樹脂であることを特徴としている。有機樹脂は通常層間膜に用いられる無機膜に比べて誘電率が低いため、寄生容量を低減することが可能となり、有機樹脂を利用することは機能回路の高速動作には有効になる。また、層間絶縁膜の堆積時に平坦性を有するため、平坦化工程が不要であるという利点もある。しかし、通常材料の特性上、有機樹脂膜に微細なコンタクトホールを形成することは難しく、微細加工には不向きであるが、本発明においては、上層側のコンタクトホールの直径を大きく形成できるため、微細加工においても条件が緩和されるため、有機樹脂を層間絶縁膜として有効に利用することができる。

また、本発明において、表示装置として液晶または自発光素子を用いて表示することができる。

本発明において、機能回路とは、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、画像処理回路、ＳＲＡＭ（スタティックメモリ）又はＤＲＡＭ（ダイナミックメモリ）であることを特徴としている。

また、本発明は、上記構成における半導体装置を用いていることを特徴とする電子機器である。

本発明は、絶縁表面を有する基板上に、第１の配線を形成し、第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、第１のコンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続する第２の配線を第１の層間絶縁膜上に形成し、第２の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、第２のコンタクトホールを介して第１または第２の配線の少なくとも一方と電気的に接続する第３の配線を第２の層間絶縁膜上に形成し、第１〜第３の配線、第１および第２のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第５のフォトリソグラフ工程によって形成され、第１〜第５のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする配線基板の作製方法である。

また、本発明は、絶縁表面を有する基板上に、第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを形成し、第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜を形成し、第ｍの層間絶縁膜に第ｍのコンタクトホールを形成し、第ｍのコンタクトホールを介して第１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋１）の配線を第ｍの層間絶縁膜上に形成し、第（ｍ＋１）の配線を覆って第（ｍ＋１）の層間絶縁膜を形成し、第（ｍ＋１）の層間絶縁膜に第（ｍ＋１）のコンタクトホールを形成し、第（ｍ＋１）のコンタクトホールを介して第１〜第（ｍ＋１）の配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋２）の配線を第（ｍ＋１）の層間絶縁膜上に形成し、第１〜第ｎの配線および第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程によって形成され、第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする配線基板の作製方法である。

また、上記構成において、他と異なる露光装置とは、他の露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることを意味する。

本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を形成し、機能回路は、絶縁表面を有する基板上に、第１の配線を形成し、第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、第１のコンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続する第２の配線を第１の層間絶縁膜上に形成し、第２の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、第２のコンタクトホールを介して第１または第２の配線の少なくとも一方と電気的に接続する第３の配線を第２の層間絶縁膜上に形成し、第１〜第３の配線、第１および第２のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第５のフォトリソグラフ工程によって形成され、第１〜第５のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法である。

また、本発明は、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を形成し、機能回路は、絶縁表面を有する基板上に、第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを形成し、 第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜を形成し、第ｍの層間絶縁膜に第ｍのコンタクトホールを形成し、第ｍのコンタクトホールを介して１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋１）の配線を第ｍの層間絶縁膜上に形成し、第（ｍ＋１）の配線を覆って第（ｍ＋１）の層間絶縁膜を形成し、第（ｍ＋１）の層間絶縁膜に第（ｍ＋１）のコンタクトホールを形成し、第（ｍ＋１）のコンタクトホールを介して第１〜第（ｍ＋１）の配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋２）の配線を第（ｍ＋１）の層間絶縁膜上に形成し、第１〜第ｎの配線および第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程によって形成され、第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法である。

また、本発明は、上記構成において、前記機能回路と同一基板上に表示装置を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

また、上記構成において、他と異なる露光装置とは、他の露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることを意味する。露光装置のうち、少なくとも一つはレンズプロジェクション方式またはミラープロジェクション方式の露光装置を用いることができる。

また、上記構成において機能回路の配線およびコンタクトホールの形成に用いる露光装置は、表示装置の配線およびコンタクトホールの形成に用いる露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることができる。

また、本発明は、上記構成において、第１〜第ｎの配線において、より上側に形成される配線の幅を、第１〜第ｎの配線において、より下側に形成される配線の幅より広く形成し、且つ第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より上側に形成されるコンタクトホールの直径を、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より下側に形成されるコンタクトホールの直径より大きくなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

上記構成において、機能回路は、ＣＰＵ、画像処理回路、ＳＲＡＭまたはＤＲＡＭで形成することができる。また、上記構成において、配線のうち少なくとも一つを電源配線またはクロック配線で形成することができる。

また、上記構成において、配線は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素または該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物元素を含んだ半導体膜で形成することができる。

また、本発明は、上記構成において、層間絶縁膜のうち少なくとも一つを有機樹脂で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。また、絶縁表面を有する基板として、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板又はＳＯＩ基板で形成するができる。

上記本発明の半導体装置及びその作製方法によれば、多層配線化に伴う追加工程のうち、平坦化工程が不要もしくは大幅に簡略化できるため、低コストで機能回路の多層配線化が可能となる。
また、多層配線化により、機能回路の配置面積を縮小でき、機能回路の高速動作、高機能化が図れる。
また、上層の配線の露光装置には広露光範囲の露光装置を使用できるため、大型基板上に機能回路と表示装置とを一体形成する場合に有効である。従って、高機能な機能回路もしくはこれを有する表示装置を安価に提供することができる。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。

本発明における機能回路の作製方法について、図１〜図３を用いて説明する。

まず、ガラス、石英、樹脂フィルムのような絶縁表面を有する基板２０１上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜などの絶縁膜からなる下地絶縁膜２０２を形成する（図１（Ａ））。下地絶縁膜２０２は、前記絶縁膜の単層構造でも前記絶縁膜を２層以上積層させた構造であってもよい。

続いて、下地絶縁膜２０２の上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜は公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて形成する。次いで前記非晶質シリコン膜をレーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの公知の結晶化法により結晶化させる。
そして得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして、半導体膜２０３、２０４を形成する。

半導体膜２０３、２０４を覆うゲート絶縁膜２０５を形成する。ゲート絶縁膜２０５として酸化珪素膜等の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法を用いて形成する。

ゲート絶縁膜２０５上に、スパッタリング法、蒸着法等の公知の方法により、導電膜を形成する。次いで、レジストパターンを用いてフォトリソグラフ工程により導電膜をパターニングし、ゲート電極２０６、２０７を形成する。本実施の形態では、ゲート電極２０６，２０７が第１の配線に相当する。

次にゲート電極２０６、２０７をマスクとして、半導体膜２０３、２０４に不純物をドーピングすることにより、ソース領域２１３、２１５とドレイン領域２１４、２１６を形成する。半導体層に不純物を添加して形成したソース領域２１３、２１５とドレイン領域２１４、２１６もゲート電極２０６、２０７と同様に第１の配線に相当する。

次にゲート絶縁膜２０５とゲート電極２０６、２０７の上に窒化珪素膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜を第１の層間絶縁膜２０８として用いる。これにより、薄膜トランジスタは第１の層間絶縁膜２０８により覆われた状態になる。

続いて第１の層間絶縁膜２０８に、ソース領域、ドレイン領域を露出させるコンタクトホール２０９〜２１２を形成するために、フォトリソグラフ工程を用いたパターンの形成を行う。この場合の露光の工程において用いる露光手段としては、解像度と位置精度を要する露光装置を用いる。
図２は本実施の形態における、ステッパによる露光を簡略化して示した図である。
まず、レチクル２３上のパターン２４を光学系（光源２１、ミラー２２）で１／Ｎ（Ｎ＞０）倍に縮小してレジスト上に投影するステッパで露光を行う。ステッパの場合、露光範囲が狭いため、基板２６上を繰り返し走査することにより、パターン２５の転写を行っていく。
ステッパによる露光は、高精彩であるためパターン形成にズレが生じることが少なく、高精度の微細加工が可能となる。

次に、全てのコンタクトホール２０９〜２１２を充填し、且つ第１の層間絶縁膜２０８を覆うように、前記第１の層間絶縁膜２０８の上に、公知の方法を用いて導電膜を形成する。
導電膜形成後、フォトリソグラフ工程により導電膜をパターニングしてソース領域２１３、２１５とドレイン領域２１４、２１６からコンタクトホール２０９〜２１２を介して引き出される配線を形成する。ここで第１の層間絶縁膜２０８上の配線２１７〜２２０が、第２の配線である。

次に、第２の配線の上に、感光性のポリイミド、アクリルなどの有機樹脂膜を形成し、この有機樹脂膜を第２の層間絶縁膜２２１として用いる。これにより、第２の配線２１７〜２２０は、第２の層間絶縁膜２２１により覆われた状態になる。

第２の層間絶縁膜２２１に、コンタクトホール２２２〜２２５を形成するために、フォトリソグラフ工程を用いたパターン形成を行う。この場合の露光手段としては、解像度と位置精度が高い装置よりむしろ広い範囲を露光できる露光装置を用いる。ここでは、図３に示すＭＰＡを用いて一括して露光を行う。
まず光源３１からの光をミラー３２等を用いてマスク３３上に照射し、続いて台形鏡３４や凹面鏡３７等を用いて、レジスト上にマスクパターン３５を一括して投影する。
一般にＭＰＡでは、前記ステッパと比較すると解像度や位置精度はあまり高くないが、一度に大きな範囲を露光することが可能であるため、半導体装置の生産性において非常に有効である。
ここでは、次に説明する第３の配線の配線幅が第１の配線及び第２の配線の配線幅より広く、コンタクトホールの径を大きく形成することが可能であるため、露光工程において露光精度の条件が緩和される。そのため、ＭＰＡを用いて一括して露光を行い、コンタクトホールを形成することができる。

続いて、形成したコンタクトホール２２２〜２２５を充填し、且つ第２の層間絶縁膜２２１を覆うように、導電膜を形成する。次に、フォトリソグラフ工程により導電膜をパターニングして、第２の配線２１７〜２２０からコンタクトホールを介して引き出される配線を形成する。ここで第２の層間絶縁膜２２１上の配線２２６〜２２９が、第３の配線である。このようにして、ＴＦＴを用いた機能回路が作製できる。

本実施の形態に示した方法を用いれば、新たな配線の追加に伴う工程が少なくて済むため、半導体装置の多層配線化の手法として有効である。

（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１の構成に配線をさらに一層追加した機能回路の作製方法について図９を用いて説明する。

まず、実施の形態１に従って図１（Ｂ）の状態まで作製する。
なお、実施の形態１ではコンタクトホール２２２〜２２５の形成にＭＰＡを用いた例を示したが、本実施の形態において、第２の層間絶縁膜上に微細なコンタクトホールを精度よく形成したい場合は、第２のコンタクトホールの形成にも上述したステッパを用いてもよい。

図９において、第３の配線２２６〜２２９の上に、感光性のポリイミド、アクリルなどの有機樹脂により、第３の層間絶縁膜２３０を形成する。

前記第３の層間絶縁膜２３０に、コンタクトホールを形成するために、フォトリソグラフ工程を用いたパターン形成を行う。この場合の露光手段としては、ＭＰＡを用いて一括して露光を行う。
ここでは、第３の配線の配線幅が下層の配線の配線幅より広く、コンタクトホールの直径を大きく形成することが可能であるため、露光工程において露光精度の条件がさらに緩和される。そのため、ＭＰＡを用いて一括して露光を行うことにより、第３のコンタクトホール２３１〜２３４を形成する。

続いて、形成したコンタクトホール２３１〜２３４を充填し、且つ第３の層間絶縁膜２３０を覆うように、導電膜を形成する。次に、フォトリソグラフ工程により導電膜をパターニングして、第３の配線２２６〜２２９からコンタクトホールを介して引き出される配線を形成する。ここで第３の層間絶縁膜２３０上の配線２３５〜２３８が、第４の配線となる。このようにして、機能回路が作製できる。

このように本実施の形態では、下層側の配線幅やコンタクトホールの直径より、追加した上層側の配線幅やコンタクトホールの直径を大きく形成し、露光精度の必要に応じた露光装置を用いて作製することにより、少ない追加工程で多層配線化を実現することができる。

（実施の形態３）
本発明における他の実施の形態を図１０を用いて説明する。本実施の形態では、多くの機能回路を高密度化し１つのチップに集積した配線基板について説明する。
図１０は、従来別々のチップで実現されていたＣＰＵ８０１、周辺インターフェースコントローラー８０２、メモリコントローラー８０３、ＳＲＡＭ８０４、画像処理用プロセッサ８０５、音声処理用プロセッサ８０６、ネットワーク処理用プロセッサ８０７、ディスク処理用プロセッサ８０８等の機能回路を１つのチップに集積したものである。

機能回路部では、小面積、低消費電力、高動作周波数などが要求される。機能回路を別々のチップで形成すると、機能回路各チップ間の配線の引き回しが非常に複雑になるため、引き回し配線の配置面積が膨大になり、その配線を高速に動作させるのは困難である。従って、機能回路を１つのチップに集積すると非常に有利であるが、その場合、本説明における方法が有効である。

本実施の形態では、ＣＰＵ８０１、周辺インターフェースコントローラー８０２、メモリコントローラー８０３、ＳＲＡＭ８０４、画像処理用プロセッサ８０５、音声処理用プロセッサ８０６、ネットワーク処理用プロセッサ８０７、ディスク処理用プロセッサ８０８等の機能回路部の、微細な構造を形成する必要がある部分においては、各チップ毎に、高解像度、高位置精度を有する縮小投影露光装置を用いて露光を行う。ここではステップ・アンド・リピート（ステッパ）で繰り返しながら、一つずつパターンを形成していく。
一方で、機能回路同士を接続する配線８１０〜８１５及びコンタクトホールは、解像度や位置精度の条件がそれほど厳しくないため、広い範囲を一度に露光可能である等倍投影露光装置を用いて露光を行う。ここでは、ＭＰＡを用いて一括して全面にパターンを形成する。

また、本実施の形態において、層間絶縁膜に有機樹脂を用いる。有機樹脂は堆積時に平坦性を有するため、平坦化工程が不要となる。しかし、材料の特性上、有機樹脂膜に微細なコンタクトホールを形成することは難しく、微細加工には不向きであるが、本実施の形態においては、各機能回路を接続する上層側の配線幅及びコンタクトホールの直径を大きく形成できるため、微細加工においても条件が緩和され、有機樹脂を層間絶縁膜として有効に利用することができる。
本実施の形態を用いることで、機能回路を高密度に集積した場合において、引き回し配線の配置面積を大幅に低減でき、少ない工程で作製が可能となるため、高機能な機能回路を有する配線基板を低価格で提供することができる。

本発明における実施例を図５及び図６を用いて説明する。図５は本発明における機能回路の構成の上面図であり、図６は図５のＡ-ＢとＢ-Ｃにおける断面図の一部を示したものである。
図５において、半導体層５０１にＴＦＴのチャネル領域とソース領域とドレイン領域とが形成されている。ゲート配線５０７とＴＦＴ間配線５０８とを構成するのが第１の配線である。また第１の配線と第２の配線間、または活性層と第２の配線間を電気的に接続するのが第１のコンタクトホール５０３である。ＴＦＴ間配線５０９と電源配線５１０と接地配線５１１により第２の配線５０４が形成されている。また、第２の配線と第３の配線間を電気的に接続しているのが第２のコンタクトホール５０５であり、電源配線５１２と接地配線５１３とを構成する第３の配線５０６である。

機能回路におけるＴＦＴの引き回し配線は、第１の配線５０２と第２の配線５０４と第１のコンタクトホール５０３で形成する。ここでは、高精度の微細加工が要求されるので、高精彩且つ狭露光範囲の露光装置であるステッパを使用する。
次に、新たな配線（第３の配線５０６）と、コンタクトホール（第２のコンタクトホール５０５）を追加する。第２の配線と第３の配線との間には絶縁膜が存在しており、第２のコンタクトホール５０５で電気的に接続される。第３の配線は、主に電源配線のように配線幅の広い配線として用いる。従って、第２のコンタクトホール５０５は、配線幅の広い配線のみを電気的に接続する。

上層の配線に配線幅の広い配線を使用することより、第２のコンタクトホールの直径を第１のコンタクトホールの直径より大きく形成できる。
従って、上層の配線及びコンタクトホール形成では、高精度の微細加工は要求されないので、低精彩ながらも大型基板に有効な広露光範囲の露光装置であるＭＰＡを用いることで、機能回路と表示装置との配線もしくはコンタクトホールの露光工程を同時に行うことができる。

図６は、図５に示した構成の断面図である。基板１００上には、半導体を活性層として用いた薄膜トランジスタ１０１〜１０４を形成する。
ゲート電極上に第１の層間絶縁膜が形成され、前記第１の層間絶縁膜１１１にコンタクトホールが設けられている。前記コンタクトホールを介して、不純物が添加された半導体層と第２の配線１１２〜１１９が電気的に接続されている。なお、ここでのコンタクトホールの形成には、高解像度且つ高位置精度である露光装置であるステッパを用いてコンタクトホールを形成する。

第２の配線１１２〜１１９上に第２の層間絶縁膜１２１が形成され、第３の配線１２２、１２３が形成される。また、第２の配線１２０と第３の配線１２３は、前記第２の層間絶縁膜１２１に形成されたコンタクトホールを介して、電気的に接続されている。なお、ここでのコンタクトホールの形成には、広露光範囲を露光できるＭＰＡを用いて一括してコンタクトホールを形成する。
本実施例を用いることで、多層配線化することにより、機能回路の配置面積を縮小でき、機能回路の高速動作、高機能化に対し有効になる。
また本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

本発明の実施例１とは異なる実施例について、図４を用いて説明する。本実例では、同一表面上に表示部及び該表示部を制御する駆動回路、並びにメモリ及びＣＰＵを搭載したパネルについて説明する。図４（Ａ）は、ＴＦＴ基板と対向基板とシール材により液晶を封止することで形成されたパネルの上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ´における断面図である。

図４（Ａ）はパネルの外観を示し、該パネルは、基板７００上に複数の画素がマトリクス状に配置された画素部７０１を有し、画素部７０１の周辺には、画素部７０１を制御する信号線駆動回路７０２、走査線駆動回路７０３を有する。そして、これらを囲むようにしてシール材７０７が設けられる。対向基板７０９は画素部７０１、信号線駆動回路７０２及び走査線駆動回路７０３上のみに設けてもよいし、全面に設けてもよい。但し、発熱する恐れがあるＣＰＵ７０６には、放熱板を接するように配置することが好ましい。メモリ７０５は、不揮発性メモリと揮発性メモリとのいずれでもよく、例えばフラッシュメモリ、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどに相当する。

図４（Ｂ）はパネルの断面図を示す。基板７００上には、画素部７０１、信号線駆動回路７０２及びＣＰＵ７０６が設けられる。画素部７０１にはＴＦＴ７３０と保持容量７２９が設けられ、信号線駆動回路７０２にはＴＦＴ７３１及び７３２が設けられ、ＣＰＵ７０６には複数のＴＦＴ７４０と配線７４１が設けられる。

ＴＦＴなど半導体素子が設けられた基板７００と、対向基板７０９の間にはスペーサー７２２が設けられており、シール材７０７により接着されている。そして、画素部７０１と信号線駆動回路７０２上にはラビング処理された配向膜７３５、液晶層７２３、配向膜７２４、対向電極７２５及びカラーフィルタ７２６が設けられる。基板７００と対向基板７０９には偏光板７２７、７２８が設けられる。またＣＰＵ７０６を構成する素子として、半導体素子７４０とその上層に積層形成された配線７４１を有する。

基板７００上の回路を構成する素子は、非晶質半導体に比べて移動度が高く、オン電流が大きい多結晶半導体により形成され、それ故に同一表面上におけるモノシリック化が実現される。また、本発明の半導体装置の作製方法を適用することで、同一の基板７００上に表示部と駆動回路以外に、ＣＰＵなどの機能回路をも一体形成することができる。また本パネルは、接続する外部ＩＣの個数が減少するため、小型・軽量・薄型が実現される。これは、最近普及が急速に進んだ携帯端末に適用すると、大変有効である。

ＣＰＵ７０６やメモリ７０５では、小面積、低消費電力、高動作周波数などが要求される。このような高度な機能回路を実現しようとすると、ＴＦＴ間の引き回し配線が非常に複雑になるため、ＴＦＴ間の引き回し配線の配置面積が膨大になる。このため、機能回路全体の面積縮小を果たすために、ＣＰＵ７０６、メモリ７０５を多層配線構造とする。

本実施例において、 画素部７０１及び信号線駆動回路７０２のコンタクトホール形成には、位置精度の条件が厳しくないため、広露光範囲の露光装置であるＭＰＡを用いて一括して露光を行う。
一方、ＣＰＵ７０６においては、第１のコンタクトホール形成に位置合わせの精度が要求されるため、高精細な露光装置であるステッパを用いて露光を行う。さらに、上層側の配線のコンタクトホール形成には、位置精度の条件が厳しくないため、広露光範囲の露光装置であるＭＰＡを用いて一括して露光を行う。

なお本実施の形態では、１層目に半導体素子を形成し、その上層に配線を積層形成する場合を示したが、本発明はこれに限定されず、半導体素子を積層形成し、その上層に配線を積層形成してもよい。また、剥離法を用いて、別の基板上に形成された半導体素子を剥離して貼り付けることで、半導体素子を形成し、その上層に配線を積層形成してもよい。

また、本実施の形態では、表示素子として液晶素子を用いたパネルを示したが、本発明はこれに限定されない。表示素子として、例えば発光素子などの他の表示素子を用いたパネルに適用してもよい。
本実施例を用いることにより、少ない工程で多層配線化を実現し、表示装置と同一基板上に機能回路までも一体形成した場合においても、高処理能力の機能回路を小面積で搭載することができる。

本実施例では、本発明を用いて作製される電子機器の例について図７を用いて説明する。

本発明を用いて作製した電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Versatile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図７に示す。

図７（Ａ）は表示装置であり、筐体１４０１、支持台１４０２、表示部１４０３を含む。本発明は表示部１４０３を構成する表示装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、表示装置の小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｂ）はビデオカメラであり、本体１４１１、表示部１４１２、音声入力１４１３、操作スイッチ１４１４、バッテリー１４１５、受像部１４１６などによって構成されている。本発明は表示部１４１２を構成する表示装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、ビデオカメラの小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｃ）はノート型のパーソナルコンピュータであり、本体１４２１、筐体１４２２、表示部１４２３、キーボード１４２４などによって構成されている。本発明は表示部１４２３を構成する表示装置に適用が可能である。また、本発明は本体１４２１内部のＣＰＵ，メモリなどの半導体装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、パーソナルコンピュータの小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｄ）は携帯情報端末であり、本体１４３１、スタイラス１４３２、表示部１４３３、操作ボタン１４３４、外部インターフェイス１４３５などによって構成されている。本発明は表示部１４３３を構成する表示装置に適用が可能である。また、本発明は本体１４３１内部のＣＰＵ，メモリなどの半導体装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、携帯情報端末の小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｅ）は音響再生装置、具体的には車載用のオーディオ装置であり、本体１４４１、表示部１４４２、操作スイッチ１４４３、１４４４などによって構成されている。本発明は表示部１４４２を構成する表示装置に適用が可能である。また、本発明は本体１４４１内部のＣＰＵ，メモリなどの半導体装置に適用が可能である。また、今回は車載用オーディオ装置を例に上げたが、携帯型もしくは家庭用オーディオ装置に用いてもよい。本発明を用いることによって、音響再生装置の小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体１４５１、表示部（Ａ）１４５２、接眼部１４５３、操作スイッチ１４５４、表示部（Ｂ）１４５５、バッテリー１４５６などによって構成されている。本発明は表示部（Ａ）１４５２および表示部（Ｂ）１４５５を構成する表示装置に適用が可能である。また、本発明は本体１４５１内部のＣＰＵ，メモリなどの半導体装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、デジタルカメラの小型・軽量化を実現できる。

図７（Ｇ）は携帯電話であり、本体１４６１、音声出力部１４６２、音声入力部１４６３、表示部１４６４、操作スイッチ１４６５、アンテナ１４６６などによって構成されている。本発明は表示部１４６４を構成する表示装置に適用が可能である。また、本発明は本体１４６１内部のＣＰＵ，メモリなどの半導体装置に適用が可能である。本発明を用いることによって、携帯電話の小型・軽量化を実現できる。

これらの電子機器に使われる半導体装置はガラス基板だけでなく耐熱性のプラスチック基板を用いることもできる。それによりいっそうの軽量化を図ることができる。

本発明は、上記電子機器に限定されず、実施の形態１及び実施の形態２で示した半導体装置を用いた、様々な電子機器とすることができる。
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。

本発明の半導体装置の作製方法を示す図。 ステッパによる露光工程を示す図。 ＭＰＡによる露光工程を示す図。 ＣＰＵ、メモリを具備した半導体装置を示す図。 本発明の半導体装置における機能回路の構成。 本発明の半導体装置における機能回路の構成の断面図。 本発明の半導体装置を用いた電子機器を示す図。 従来の半導体装置における機能回路の構成。 半導体装置の多層配線を示す図。 機能回路を集積化した配線基板を示す図。

Claims (42)

1. 絶縁表面を有する基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の配線と、前記第２の配線を覆って形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の配線と、
   前記第１の配線と前記第２の配線を電気的に接続するために前記第１の層間絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の配線と前記第３の配線を電気的に接続するために前記第２の層間絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールとを有し、
   前記第３の配線の幅は前記第１および第２の配線の幅より広く、且つ前記第２の配線の幅は前記第１の配線の幅より広く、且つ前記第２のコンタクトホールの直径または面積は前記第１のコンタクトホールの直径または面積より大きいことを特徴とする配線基板。
2. 絶縁表面を有する基板上に形成された第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と、第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを有し、
   第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜が形成され、前記第ｍの層間絶縁膜上に第（ｍ＋１）の配線が形成され、前記第（ｍ＋１）の配線は前記第ｍの層間絶縁膜に形成された第ｍのコンタクトホールを介して前記第１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続され、
   第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅は、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ−１）の配線のいずれかの幅より広く、且つ第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径または面積は、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ−１）のコンタクトホールのいずれかの直径または面積より大きいことを特徴とする配線基板。
3. 請求項２において、
   前記第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径または面積が、前記第ｔ（１≦ｔ≦ｓ―１）のコンタクトホールのいずれかの直径または面積の２倍以上であることを特徴とする配線基板。
4. 請求項２または請求項３において、
   前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールのうち、少なくとも一つは直径が１μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは直径が３μｍ以上であることを特徴とする配線基板。
5. 請求項２乃至請求項４において、
   前記第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅が、前記第ｒ（１≦ｒ≦ｐ―１）の配線のいずれかの幅の２倍以上であることを特徴とする配線基板。
6. 請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第１〜第ｎの配線のうち、少なくとも一つは配線の幅が２μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは配線の幅が３μｍ以上であることを特徴とする配線基板。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記配線は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素または該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物元素を含んだ半導体膜からなることを特徴とする配線基板。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記配線のうち、少なくとも一つは電源配線またはクロック配線であることを特徴とする配線基板。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記層間絶縁膜のうち、少なくとも一つは有機樹脂であることを特徴とする配線基板。
10. 絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を有し、
    前記機能回路は、第１の配線と、前記第１の配線上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の配線と、前記第２の配線上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の配線と、
    前記第１の配線と前記第２の配線を電気的に接続するために前記第１の層間絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の配線と前記第３の配線を電気的に接続するために前記第２の層間絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールとを有し、
    前記第３の配線の幅は前記第１および第２の配線の幅より広く、且つ前記第２の配線の幅は前記第１の配線の幅より広く、且つ前記第２のコンタクトホールの直径または面積は前記第１のコンタクトホールの直径または面積より大きいことを特徴とする配線基板。
11. 絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を有し、
    前記機能回路は、第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と、第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と、第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを有し、
    第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線の上に第ｍの層間絶縁膜が形成され、前記第ｍの層間絶縁膜上に第（ｍ＋１）の配線が形成され、前記第（ｍ＋１）の配線は前記第ｍの層間絶縁膜に形成された第ｍのコンタクトホールを介して前記第１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続され、
    第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅は、第ｒ（１≦ｒ≦ｐ−１）の配線のいずれかの幅より広く、且つ第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径または面積は、第ｔ（１≦ｔ≦ｓ−１）のコンタクトホールのいずれかの直径または面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１０または請求項１１において、
    前記機能回路と同一基板上に表示装置を有することを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１１乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記第ｓ（２≦ｓ≦ｎ−１）のコンタクトホールの直径または面積が、前記第ｔ（１≦ｔ≦ｓ―１）のコンタクトホールのいずれかの直径または面積の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールのうち、少なくとも一つは直径が１μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは直径が３μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記第ｐ（２≦ｐ≦ｎ）の配線の幅が、前記第ｒ（１≦ｒ≦ｐ―１）の配線のいずれかの幅の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
16. 請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、
    第１〜第ｎの配線のうち、少なくとも一つは配線の幅が２μｍ以下であり、且つ少なくとも一つは配線の幅が３μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
17. 請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記機能回路とは、ＣＰＵ、画像処理回路、ＳＲＡＭまたはＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
18. 請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記配線は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素または該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物元素を含んだ半導体膜からなることを特徴とする配線基板。
19. 請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、
    前記配線のうち、少なくとも一つは電源配線またはクロック配線であることを特徴とする半導体装置。
20. 請求項１０乃至請求項１９のいずれか一項において、
    前記層間絶縁膜のうち、少なくとも一つは有機樹脂であることを特徴とする半導体装置。
21. 請求項１０乃至請求項２０のいずれか一項における半導体装置を用いていることを特徴とする電子機器。
22. 絶縁表面を有する基板上に、第１の配線を形成し、前記第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続する第２の配線を前記第１の層間絶縁膜上に形成し、前記第２の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１または第２の配線の少なくとも一方と電気的に接続する第３の配線を前記第２の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１〜第３の配線、前記第１および第２のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第５のフォトリソグラフ工程によって形成され、
    前記第１〜第５のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする配線基板の作製方法。
23. 絶縁表面を有する基板上に、第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを形成し、
    第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜を形成し、前記第ｍの層間絶縁膜に第ｍのコンタクトホールを形成し、前期第ｍのコンタクトホールを介して前記第１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋１）の配線を前記第ｍの層間絶縁膜上に形成し、前記第（ｍ＋１）の配線を覆って第（ｍ＋１）の層間絶縁膜を形成し、前記第（ｍ＋１）の層間絶縁膜に第（ｍ＋１）のコンタクトホールを形成し、前記第（ｍ＋１）のコンタクトホールを介して前記第１〜第（ｍ＋１）の配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋２）の配線を前記第（ｍ＋１）の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１〜第ｎの配線および第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程によって形成され、
    前記第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする配線基板の作製方法。
24. 請求項２２または２３において、
    前記他と異なる露光装置とは、他の露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
25. 請求項２２乃至請求項２４のいずれか一項において、
    前記露光装置のうち少なくとも一つは、レンズプロジェクション方式の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
26. 請求項２２乃至請求項２４のいずれか一項において、
    前記露光装置のうち少なくとも一つは、ミラープロジェクション方式の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
27. 請求項２２乃至請求項２６のいずれか一項において、
    前記第１〜第ｎの配線において、より上側に形成される配線の幅を、前記第１〜第ｎの配線において、より下側に形成される配線の幅より広く形成し、
    且つ前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より上側に形成されるコンタクトホールの直径または面積を、前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より下側に形成されるコンタクトホールの直径または面積より大きくなるように形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
28. 請求項２２乃至請求項２７のいずれか一項において、
    前記配線は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素または該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物元素を含んだ半導体膜で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
29. 請求項２２乃至請求項２８のいずれか一項において、
    前記配線のうち、少なくとも一つを電源配線またはクロック配線で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
30. 請求項２２乃至請求項２９のいずれか一項において、
    前記層間絶縁膜のうち、少なくとも一つを有機樹脂で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
31. 絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を形成し、
    前記機能回路は、絶縁表面を有する基板上に、第１の配線を形成し、前記第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の配線と電気的に接続する第２の配線を前記第１の層間絶縁膜上に形成し、前記第２の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１または第２の配線の少なくとも一方と電気的に接続する第３の配線を前記第２の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１〜第３の配線、前記第１および第２のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第５のフォトリソグラフ工程によって形成され、
    前記第１〜第５のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
32. 絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成される機能回路を形成し、
    前記機能回路は、絶縁表面を有する基板上に、第１〜第ｎ（ｎ≧３）の配線と第１〜第（ｎ−１）の層間絶縁膜と第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールを形成し、
    第ｍ（１≦ｍ≦ｎ）の配線を覆って第ｍの層間絶縁膜を形成し、前記第ｍの層間絶縁膜に第ｍのコンタクトホールを形成し、前期第ｍのコンタクトホールを介して前記１〜第ｍの配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋１）の配線を前記第ｍの層間絶縁膜上に形成し、前記第（ｍ＋１）の配線を覆って第（ｍ＋１）の層間絶縁膜を形成し、前記第（ｍ＋１）の層間絶縁膜に第（ｍ＋１）のコンタクトホールを形成し、前記第（ｍ＋１）のコンタクトホールを介して前記第１〜第（ｍ＋１）の配線の少なくとも一つと電気的に接続する第（ｍ＋２）の配線を前記第（ｍ＋１）の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１〜第ｎの配線および第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールは、それぞれ第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程によって形成され、
    前記第１〜第（２ｎ−１）のフォトリソグラフ工程のうち少なくとも一つは他のフォトリソグラフ工程と異なる露光装置を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
33. 請求項３１または請求項３２において、
    前記機能回路と同一基板上に表示装置を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
34. 請求項３１乃至請求項３３のいずれか一項において、
    前記他と異なる露光装置とは、他の露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
35. 請求項３１乃至請求項３４のいずれか一項において、
    前記露光装置のうち少なくとも一つは、レンズプロジェクション方式の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
36. 請求項３１乃至請求項３４のいずれか一項において、
    前記露光装置のうち少なくとも一つは、ミラープロジェクション方式の露光装置を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
37. 請求項３１乃至請求項３６のいずれか一項において、
    前記機能回路の配線およびコンタクトホールの形成に用いる露光装置は、前記表示装置の配線およびコンタクトホールの形成に用いる露光装置より高解像度且つ高位置精度且つ狭露光範囲の露光装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
38. 請求項３１乃至請求項３７のいずれか一項において、
    前記第１〜第ｎの配線において、より上側に形成される配線の幅を、前記第１〜第ｎの配線において、より下側に形成される配線の幅より広く形成し、
    且つ前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より上側に形成されるコンタクトホールの直径または面積を、前記第１〜第（ｎ−１）のコンタクトホールにおいて、より下側に形成されるコンタクトホールの直径または面積より大きくなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
39. 請求項３１乃至請求項３８のいずれか一項において、
    前記機能回路は、ＣＰＵ、画像処理回路、ＳＲＡＭまたはＤＲＡＭで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
40. 請求項３１乃至請求項３９のいずれか一項において、
    前記配線は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕから選ばれた一種の元素または該元素を含む合金からなる単層または積層構造、あるいは不純物元素を含んだ半導体膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
41. 請求項３１乃至請求項４０のいずれか一項において、
    前記配線のうち、少なくとも一つを電源配線またはクロック配線で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
42. 請求項３１乃至請求項４１のいずれか一項において、
    前記層間絶縁膜のうち、少なくとも一つを有機樹脂で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
    

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