KR20040089585A - 오디오 신호 처리 회로 및 그를 포함하는 디스플레이디바이스 - Google Patents

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KR20040089585A
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

오디오 신호를 처리하는 조밀하고 소형인 오디오 신호 처리 회로가 제공된다. 본 발명의 오디오 신호 처리 회로에 대해, 입력 회로, 피드백 회로 및 평탄화(smoothing) 회로는 작은 장착 공간을 가진 칩 커패시터와 절연 기판 상의 박막 저항기를 사용하여 형성된다. 따라서, 오디오 신호 처리 회로는 소형이며, 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 다른 디스플레이 디바이스가 제공된다.

Description

오디오 신호 처리 회로 및 그를 포함하는 디스플레이 디바이스{An audio signal processing circuit and a display device incorporating the same}
본 발명은 오디오 신호 처리 회로에 관한 것이며, 특히 박막 반도체 소자들로 구성된 오디오 신호 처리 회로에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
최근에, 이동 전화기들은 통신 기술의 진보로 넓게 사용되었다. 미래에, 움직임 이미지들의 전송 및 대량 정보의 전송이 예상된다. 한편, 개인용 컴퓨터들의 중량을 감소시킴으로써, 이동 통신에 적응된 컴퓨터들이 생산되었다. 또한, 전자 노트북에서 시작된 PDA라고 불리는 정보 단말기가 대량으로 생산되었고, 광범위하게 사용될 것으로 기대된다. 그 외에도, 그들 휴대용 정보 기기 대부분은 디스플레이 디바이스들의 발달과 함께 평면 디스플레이(flat panel display)가 장착되었다.
또한 최근에, 능동 매트릭스 디스플레이 디바이스들에서, 저온에 의해 결정화된 다결정 반도체를 사용하는 박막 소자(전형적 예는 박막 트랜지스터이다; 이후, TFT라 칭한다)가 사용되는 디스플레이 디바이스의 제조가 진행되었다. 상술된 저온은 600°C의 결정화 온도가 1000°C 이상의 종래의 결정화 온도에 비해 더 낮음을 의미한다. 픽셀뿐만 아니라 저온에 의해 결정화된 다결정 반도체를 사용하는 TFT로, 신호 구동기 회로는 픽셀 부분 주위에 집적적으로 형성될 수 있다. 따라서, 디스플레이 디바이스의 소형화 및 고해상도를 실현할 수 있으며, 미래에 보다 광범위하게 사용될 것이 기대된다.
반면, 휴대용 정보 기기에 대해, 다른 출력 기능들, 특히 오디오 출력 기능이 비주얼 디스플레이 기능과 마찬가지로 필요하다. 이미지와 사운드를 디스플레이함으로써, 이미지를 효과적으로 볼 수 있고 이미지를 더 잘 즐길 수 있게 된다.
현재 오디오 출력 디바이스는 콘 스피커를 사용하여 전기 신호들을 사운드로 변환함으로써 사운드를 출력한다. 콘 스피커가 휴대용 정보 기기 내에서 큰 공간을 차지하기 때문에, 휴대용 정보 기기의 크기 및 중량을 감소시키지 못했다.
도 2는 종래의 오디오 출력 기능으로 휴대용 정보 기기(201) 내의 디스플레이 디바이스의 주변의 상부 평면도이다. 도 2b는 횡단면도이다. 디스플레이 디바이스는, 픽셀부(204), 소스 신호 구동기 회로(202), 게이트 신호 구동기 회로(203)가 집적적으로 형성되는 기판(209)을 구비한다. 디스플레이 디바이스에는 콘 스피커(207), FPC(205), 카운터 기판(208), 및 인쇄된 회로 보드(206)가 부착되어 있으며, 인쇄된 회로 보드(206) 상에는 오디오 신호 처리 회로(210) 및 결합 커패시터(211)가 장착되어 있다.
콘 스피커(207)는 큰 크기로 인해 휴대용 정보 기기의 크기 및 중량을 감소시키는데 적절하지 않다. 상술된 이유로 인해, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같은 평면 스피커가 개발되고 있다. 도 3a는 평면 스피커(flat speaker)를 구비한 휴대용 정보 기기(301)에서의 디스플레이 디바이스의 주변의 상부 평면도이다. 도 3b는 횡단면도이다. 디스플레이 디바이스는, 픽셀 위치(304), 소스 신호 구동기 회로(302), 게이트 신호 구동기 회로(303)가 집적적으로 형성되는 기판(309)을 구비한다. 디스플레이 디바이스에는 평면 스피커(306), FPCs(305 및 308), 카운터 기판(310) 및 인쇄된 회로 보드(311)가 부착되어 있으며, 인쇄된 회로 보드(311) 상에는 오디오 신호 처리 회로(307) 및 결합 커패시터(312)가 장착되어 있다.
평면 스피커는, 사운드를 출력하기 위해 전기 신호들이 진동들로 변환되지만, 디스플레이 디바이스에서의 유리 기판, 플라스틱 기판, 터치 패널 등이 콘 스피커 대신 진동한다는 점에서 다른 것을 제외하고, 종래의 콘 스피커들과 유사하다. 그러한 평면 스피커로, 종래의 콘 스피커를 사용한 휴대용 정보 기기보다 더 작고 더 가벼운 중량의 휴대용 정보 기기가 실현될 수 있다.
그 외에도, 커패시터로서 다중층 세라믹 칩 커패시터를 사용하여, FPC(flexible printed circuit; 가용성 인쇄 회로) 상의 칩 커패시터(예컨대, 특서 문서 1: 일본 특허 공개 공보 제 평11-326937호)가 장착된 경우와, 디스플레이 디바이스의 기판 상의 칩 커패시터(예컨대, 특허 문서 2: 일본 특허 공개 공보 제 평7-261191호)가 장착된 경우가 보고되어 있다. 대략 2 내지 3mm의 길이 측면을 가진 이러한 종류의 칩 커패시터들은 부피를 감소시키는데 큰 이점을 갖는다.
평면 스피커가 상술된 휴대용 정보 기기의 크기 및 중량을 감소시키는데 매우 효과적인 수단이지만, 해결해야할 문제점들이 있다. 도 3a 및 3b에 도시된 평면 스피커(306)를 구동하는 오디오 신호 처리 회로(307)에 대해, 인쇄된 회로보드(311)는 종래의 오디오 신호 처리 회로와 같이 그 위에 장착된 LSI로 이루어진 오디오 신호 처리 회로(307)를 구비한 디스플레이 디바이스의 외부에 설정된다. 따라서, 이것은 휴대용 정보 기기의 크기 및 중량을 감소시키기에 여전히 불충분하다. 그 외에도, 오디오 신호 주파수가 낮기 때문에, 커패시터와 오디오 신호를 결합하기 위해 큰 용량값(예컨대, 10 내지 100iF)을 갖는 결합 커패시터(312)가 요구된다. 이러한 종류의 커패시터들에 대해, 큰 부피(전형적으로, 대략 5 내지 10mm의 직경과 7 내지 10mm의 높이를 가진 원통 형태)를 갖는 정전 커패시터 이외의 다른 선택들이 존재하지 않는다. 따라서, 회로의 부피가 증가되었다.
특허 문서 1 및 특허 문서 2에 언급된 것과 같은 다중층 세라믹 칩 커패시터가 정전 커패시터보다 더 작은 부피를 가질지라도, 최대 용량값이 많아야 대략 0.1iF이라는 문제점을 갖는다. 따라서 칩 커패시터에 의해 오디오 신호 처리 회로(307)의 결합을 구성하기 위하여, 레지스터의 저항값을 증가시킬 필요가 있다. 오디오 신호의 가장 낮은 주파수가 20Hz이고, 용량이 0.1iF일 때, 대략 80kΩ 이상의 저항값이 요구된다.
저항기가 다른 구성 요소들과 같이 칩 구성 요소로서 사용되는 경우에, 오디오 신호 처리 회로(307)의 주파수 특성에서 열화를 유발한다. 그 이유는 인쇄된 회로 보드(311) 또는 FPC(308)로 회로를 그릴 때, 기생 용량들(parasitic capacitances)이 단자 부분들에서 증가하고, 저역 필터들이 기생 용량들과 칩 저항기 사이에 형성되고, 따라서 주파수 특성을 감소시킨다는 것이다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같은 회로 구조로 10 배 증폭을 위한 증폭기 회로의 경우가 이후에고려될 것이다. 오디오 신호 처리 회로(401)는 연산 증폭기(402)를 포함한다. 증폭기 회로는 연산 증폭기(402), 외부 저항기들(403, 404 및 405), 외부 커패시터들(406 및 407), 신호 소스(408) 및 바이어스 공급(414)으로 구성된다.
외부 저항기들(404 및 405)의 저항값들이 각각 R404 및 R405로 참조될 때, 증폭기 회로의 이득(1+(R405/R404))은 도 4에 도시된 회로에서 얻어진다. 한편, 0.1iF의 용량을 갖는 칩 커패시터와 적어도 20Hz의 저주파수를 얻기 위해, 외부 저항기들(403 및 404)의 저항값을 80kΩ 이상으로 설정할 필요가 있다. 외부 저항기들(403 및 404)의 각각이 약간의 마진을 가진 100kΩ의 저항값을 갖도록 각각 설정된다고 가정하면, 증폭기 회로에서 10배의 큰 이득을 얻기 위해, 900kΩ의 외부 저항기(405)가 요구된다.
그러나, 참조 번호들(409 내지 413)에 의해 표시된 바와 같은 기생 커패시터들은 도 4에 도시된 오디오 신호 처리 회로의 외부 부분에서 연산 증폭기(402)의 입력 및 출력 단자들을 설정함으로써 발생된다. 특히, 기생 커패시터(410)가 900kΩ의 외부 저항기(405)와 병렬로 발생하기 때문에, 저역 필터가 그 사이에 형성된다. 기생 커패시터(410)의 값이 10pF에 이르면, 17kHz의 저역 필터가 형성된다. 저역 필터로 인해, 증폭기의 고주파수측이 제한되고, 주파수 특성이 감소하는 문제가 발생한다. 도 6에 도시된 기생 저역 필터를 갖는 경우(601)와 기생 저역 필터를 갖지 않는 경우(602)를 비교하면, 그들 주파수 특성들의 현저한 차이가 있다.
단결정 실리콘을 사용하는 종래의 IC에 포함되는 외부 저항기로 구성된 오디오 신호 처리 회로에서, 동일한 문제점이 발생한다. 도 5를 참조하여 예가 설명될것이다. 단결정 실리콘을 사용하는 IC에서, MOS 트랜지스터들 및 저항기들이 실리콘 기판(501) 상에 형성된다. 도 5에서, 502 및 503은 각각 MOS 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역을 표시하고, 504는 채널 영역을 표시하고, 505는 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon; 실리콘 국부 산화)막을 표시하고, 506은 게이트 절연막을 표시하고, 507은 게이트 전극을 표시하고, 508은 층간막(interlayer film)을 표시하고, 509는 소스 전극을 표시하고, 510은 드레인 전극을 표시한다. LOCOS막(505) 상에 형성된 저항기(511)에 대해, 한 단자는 드레인 전극(510)에 접속되고, 다른 단자는 전극(512)에 접속된다. LOCOS 막(505)이 대략 200 내지 5000nm의 두께를 갖기 때문에, 실리콘 기판(501)과 저하기(511) 사이의 기생 커패시터(513)가 존재한다. 대략 1MΩ의 저항기는 수 pF의 기생 용량을 야기한다. 실리콘 기판은 도전체이며, 통상, GND 등에 접속된다. 따라서, 상술한 것과 동일한 문제점들이 발생하고, 주파수 특성이 열화되었다.
전술한 문제점들을 고려하여, 본 발명은 크기가 감소된 오디오 신호 처리 회로, 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스, 및 작은 크기와 가벼운 중량을 갖는 전자 기기를 제공한다.
본 발명의 목적은 박막 소자들 및 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기를 포함하는 오디오 신호 처리 회로를 제공하는 것이다. 그 외에도, 본 발명의 다른 목적은 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기를 포함하는 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스를 제공하는 것이다. 이러한 구성의 경우, 단자 기생커패시터는 문제점을 갖지 않는다. 더욱이, 절연 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터는 기판과, IC에서의 저항과 같은 저항기 사이의 기생 용량의 문제점을 유발하지 않는다는 이점이 있다.
도 1은 오디오 신호 처리 회로를 도시한 등가 회로도.
도 2는 종래의 디스플레이 디바이스의 상부 평면도 및 횡단면도.
도 3은 종래의 디스플레이 디바이스의 상부 평면도 및 횡단면도.
도 4는 종래의 오디오 신호 처리 회로를 도시한 등가 회로도.
도 5는 종래의 오디오 신호 처리 IC의 횡단면도.
도 6은 종래의 오디오 신호 처리 회로의 주파수 특성들을 도시한 도표.
도 7은 제조 단계들에 대한 횡단면도들.
도 8은 디스플레이 디바이스의 실시예를 도시한 도면.
도 9는 디스플레이 디바이스의 실시예를 도시한 도면.
도 10은 연산 증폭기 회로를 도시한 등가 회로도.
도 11은 정류기 회로를 도시한 등가 회로도.
도 12a 내지 12g는 디스플레이 디바이스들을 사용한 전자 기기들을 도시한 도면들.
도 13은 디스플레이 디바이스를 도시한 도면.
도 14는 박막 소자들의 상부 평면도들.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**
105, 106, 107 : 박막 저항기들 111 : 전원 장치
102 : FPC 108, 109 : 칩 커패시터들
116 : 입력 회로 117 : 피드백 회로
본 발명의 구성은 하기에 기술될 것이다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 입력 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 입력 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 입력 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 피드백 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 피드백 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기,및 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 피드백 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 평탄화 회로(smoothing circuit)는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 평탄화 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로가 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들을 포함하는 것에 관련하여, 평탄화 회로는 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기, 및 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로에서, P-형 불순물들이 박막 저항기에 도핑된다.
본 발명에 따라, 오디오 신호 처리 회로에서, 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 입력 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 입력 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 입력 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 피드백 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 피드백 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 피드백 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 평탄화 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 평탄화 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 접속되는 플렉서블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스가 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 것에 관련하여, 오디오 신호 처리 회로의 평탄화 회로는, 절연 기판 상에 형성된 박막 소자들 및 박막 저항기와 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함한다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스에서, P-형 불순물들이 박막 저항기에 도핑된다.
본 발명에 따라, 디스플레이 디바이스에서, 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는다.
본 발명에 따라, 휴대용 정보 기기는 상술된 디스플레이 디바이스를 사용한다.
상술한 것에 의하면, 작은 크기의 커패시터가 실현될 수 있고, 오디오 신호 처리 회로가 디스플레이 디바이스로 포함될 수 있다. 따라서, 전자 기기, 통상적으로, 작은 크기와 가벼운 중량을 가진, 사운드를 출력할 수 있는 휴대용 정보 기기가 실현될 수 있다.
오디오 출력 기능을 가진 종래의 휴대용 정보 기기에서, 정전 커패시터는 오디오 신호 처리 회로에 사용된다. 따라서, 오디오 신호 처리 회로의 크기 감소가 어렵고, 오디오 출력 기능을 가진 종래의 휴대용 정보 기기는 휴대용 정보 기기의 크기를 감소시키지 못한다.
본 발명에 따라, 작은 부피를 가진 오디오 신호 처리 회로와, 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스는 박막 소자들을 가진 오디오 신호 처리 회로를 구성함으로써, 특히 저항기로서 박막 저항기와 작은 용량을 가진 커패시터를 사용함으로써 실현될 수 있다. 본 발명은 오디오 출력 기능을 가진 휴대용 정보 기기의 크기와 중량을 감소시킬 수 있다.
이후, 본 발명의 실시예 모드들은 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도 1은 절연 기판(101) 상에 형성된 오디오 신호 처리 회로의 증폭기 회로의 실시예 모드를 도시한 것이다. 이러한 증폭기 회로는, TFTs와 같은 박막 소자들, 박막 저항기들(105, 106 및 107), 전원 장치(111), FPC(102) 및 FPC 상에 형성된 칩 커패시터들(108 및 109)을 포함한다. 박막 저항기(105) 및 칩 커패시터(109)는 입력 회로(116)를 구성하고, 박막 저항기들(106 및 107) 및 칩 커패시터(108)는 피드백 회로(117)를 구성한다.
상술된 바와 같이 박막 저항기(105)로 입력 회로(116)를 구성함으로써, 입력 회로(116)에서 발생되는 기생 용량의 벌크(bulk)는 FPC(102) 상의 기생커패시터(114)가 되고, 주파수 특성이 개선될 수 있다. 그 외에도, 상술된 바와 같이 박막 저항기들(106 및 107)로 피드백 회로(117)를 구성함으로써, 피드백 회로(117)에서 발생되는 기생 용량들의 벌크는 기생 커패시터(113)가 된다. 특히, 박막 저항기(106)가 종래 저항기와 비교하여 훨씬 더 적은 기생 용량을 가짐에 따라, 주파수 특성이 개선될 수 있다.
본 실시예 모드의 동작은 다음에 설명될 것이다. 인쇄된 회로 보드(103) 상의 신호 소스(110)로부터의 신호 출력은 칩 커패시터(109)를 통해 연산 증폭기(104) 및 박막 저항기(105)에 입력된다. 신호 소스(110)의 DC 전압은 전형적으로 0V이고, 박막 저항기(105)와 연산 증폭기(104)의 입력의 DC 전압들은 전원 장치(111)에 의해 공급된다. 따라서, 그들은 서로 같지 않다. 따라서, DC 전압은 칩 커패시터(109)로 나누어진다. 박막 저항기(105) 및 칩 커패시터(109)는 입력 회로(116)를 구성한다. 연산 증폭기(104)에 대한 신호 입력은 증폭된 후 단자(112)에 출력된다. 여기서, 박막 저항기들(106 및 107)과 칩 커패시터(108)는 피드백 회로(117)를 구성하고, 연산 증폭기(104)의 이득은 박막 저항기(107)에 대한 박막 저항기(106)의 저항비에 의해 결정된다.
0.1iF의 용량을 가진 칩 커패시터(108)와 10배의 큰 이득을 가진 적어도 20Hz의 저주파수를 얻기 위해, 상술된 바와 같이, 박막 저항기(107)를 100kΩ로 설정하고 박막 저항기(106)를 900kΩ으로 설정할 필요가 있다. 실시예 모드에 따라, 각 박막 저항기의 두 단자들 중 하나만이 외부에 있기 때문에, 기생 커패시터들(113 및 114)에 의한 기생 저역 필터들이 형성되지 않는다. 따라서, 종래 회로와는 달리, 고주파수에서의 주파수 특성을 감소시킬 가능성은 없다.
더욱이, 본 발명의 박막 저항기들(105 내지 107)의 기판(101)이 절연체이기 때문에, 단결정 실리콘 기판을 사용하는 IC와는 달리, 저항과 기판 사이의 용량에 의해 저역 필터들이 형성되지 않는다. 따라서, 상술된 입력 회로(116)뿐만 아니라 피드백 회로(117)에서 유리한 효과가 얻어진다. 상술된 바와 같이, 본 발명에서, 80kΩ 이상의 고저항을 갖는 저항기가 고주파수에서의 주파수 특성을 열화시키지 않고 형성될 수 있기 때문에, 용량이 작은 칩 커패시터가 커패시터로서 사용될 수 있다. 따라서, 외부 회로를 포함하는 회로의 부피를 감소시킬 수 있으며, 그에 의해 디바이스의 중량, 두께 및 크기를 감소시킬 수 있다. 상술된 것은 칩 커패시터들(105 내지 109)이 FPC(102) 상에 장착된 예이다. 그러나, 칩 커패시터의 장착 위치는 FPC(102)에 제한되지 않으며, 절연 기판(101) 상에 또는 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드(103) 상에 장착될 수 있다.
[실시예 1]
본 발명의 실시예가 도 11에 도시되어 있다. 본 실시예는 절연 기판(1101) 상의 반파 정류기 회로를 보여준다. 정류기 회로는 신호들의 레벨 검출에 사용된다. 실시예의 반파 정류기 회로는 TFTs와 같은 박막 소자들, 박막 저항기들(1105, 1106, 1107 및 1114), 박막 다이오드들(1112 및 1113), 전원 장치(1111), FPC(1102), 및 FPC(1102) 상의 칩 커패시터들(1108 및 1109)로 이루어진 연산 증폭기(1104)를 포함한다. 반파 정류기 회로의 동작은 이후에 설명될 것이다.
인쇄된 회로 보드(1103) 상의 신호 소스(1110)로부터의 신호 출력은 칩 커패시터(1109)를 통해 박막 저항기(1107)에 입력된다. 박막 저항기(1107) 및 칩 커패시터(1109)는 입력 회로(1118)를 구성한다. 박막 저항기(1107)에 대해, 한 단자는 칩 커패시터(1109)에 접속되고, 다른 단자는 연산 증폭기(1104)의 반전 입력 단자에 접속된다. 신호의 중심이 0V라고 가정하면, 입력 신호가 하부(음의 진폭)가 되는 경우, 연산 증폭기(1104)의 출력 신호는 상부(양의 진폭)가 된다. 연산 증폭기(1104)의 출력 단자에서 박막 다이오드(1113) 및 박막 저항기(1107)를 통해 신호 소스(1110)로 전류가 흐른다. 이 때, 접속 노드(1117)의 전압은 연산 증폭기(1104)의 반전 입력 단자의 전압과 같게 된다.
입력 신호가 하부(음의 진폭)가 되는 경우에, 연산 증폭기(1104)의 반전 입력 단자의 전압이 전원 장치(1111)의 전압과 대략 같기 때문에, 고정 전압(전원 장치(1111)의 전압)은 접속 노드(1117)에 출력된다. 신호 소스(1110)로부터의 신호가 상부(양의 진폭)가 되는 경우에, 신호 소스(1110)로부터 칩 커패시터(1109) 및 박막 저항기(1107)를 통해 박막 저항기(1106), 박막 다이오드(1112), 및 최종적으로 연산 증폭기(1104)의 출력 단자로 전류가 흐른다. 이때, 입력 신호의 위상에 반대 위상을 갖는 신호는 접속 노드(1117)에서 발생한다. 반파 정류는 이러한 방식으로 실행된다.
박막 저항기(1114)는 접속 노드(1117)에 접속되고, 평탄화는 칩 커패시터(1108)에 의해 실행된다. 박막 저항기(1114) 및 칩 커패시터(1108)는 평탄화 회로(1119)를 구성한다. 실시예 따라, 발생되는 기생 저항들의 벌크는 FPC(1102) 상의 기생 커패시터(1115 및 1116)가 되고, 주파수 특성에서의 열화는박막 저항기들(1107, 1106 및 1114)을 반파 정류기 회로에 포함시킴으로써 방지될 수 있다. 상술된 것은, 칩 커패시터들(1108 및 1109)이 FPC(1102) 상에 장착되는 예이다. 그러나, 칩 커패시터의 장착 위치는 FPC(1102)에 제한되지 않으며, 절연 기판(1101) 상에, 또는 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드(1103) 상에 장착될 수 있다.
[실시예 2]
본 발명의 디스플레이 디바이스의 실시예는 도 8에 도시되어 있다. 본 실시예는 오디오 신호 처리 회로에 대한 칩 커패시터가 FPC 상에 설치된 예를 보여준다. 도 8의 설명은 하기에 이루어질 것이다. 참조 번호(801)는 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스를 표시한다. TFTs는 절연 기판 상에 형성되고 픽셀부(802) 내에 매트릭스 방식으로 배치된다. 그 외에도, 소스 구동기 회로(803) 및 게이트 구동기 회로(804)는 TFTs뿐만 아니라 픽셀들로 구성된다. 더욱이, 오디오 신호 처리 회로(805)는 또한 TFTs에 의해 구성된다. 디스플레이 디바이스(801)는 절연 기판 상의 이들 회로들, FPC(806) 상에 장착된 칩 커패시터들(807 내지 810) 및 인쇄된 회로 보드(811)에 신호들을 전송하기 위해 FPC(806)이 장착되어 있다.
오디오 신호 처리 회로(805)는 사운드를 처리하기 위해 아날로그 증폭기 회로를 포함하지만, 본 발명은 본 실시예에 제한되지 않는다. 오디오 신호 처리 회로(805)는 본 발명의 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 포함할 수 있다. 주파수 특성의 열화는 입력 회로, 피드백 회로, 및 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 구비한 평탄화 회로를 구성함으로써 방지될 수 있다.
[실시예 3]
본 발명의 디스플레이 디바이스의 실시예는 도 9에 도시되어 있다. 본 실시예는 오디오 신호 처리 회로에 대한 칩 커패시터가 절연 기판 상에 설치된 예를 보여준다. 도 9의 설명은 하기에 이루어질 것이다. 참조 번호(901)는 오디오 신호 처리 회로(905)를 포함하는 디스플레이 디바이스를 표시한다. TFTs는 절연 기판 상에 형성되고 픽셀부(902)에 매트릭스 방식으로 배치된다. 그 외에도, 소스 구동기 회로(903) 및 게이트 구동기 회로(904)는 TFTs뿐만 아니라 픽셀들로 구성된다. 더욱이, 오디오 신호 처리 회로(905)는 또한 TFTs에 의해 구성된다. 디스플레이 디바이스(901)는, 절연 기판 상의 이들 회로들, FPC(906) 상에 장착된 칩 커패시터들(907 내지 910) 및 인쇄된 회로 보드(911)에 신호들을 전송하기 위해 FPC(906)이 장착되어 있다.
오디오 신호 처리 회로(905)는 사운드를 처리하기 위해 아날로그 증폭기 회로를 포함하지만, 본 발명은 본 실시예에 제한되지 않는다. 오디오 신호 처리 회로(905)는 본 발명의 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 포함할 수 있다. 주파수 특성의 열화는 입력 회로, 피드백 회로, 및 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 구비한 평탄화 회로를 구성함으로써 방지될 수 있다.
[실시예 4]
본 발명의 디스플레이 디바이스의 실시예는 도 13에 도시되어 있다. 본 실시예는 오디오 신호 처리 회로에 대한 칩 커패시터가 인쇄된 회로 보드 상에 설치된예를 보여준다. 도 13의 설명은 하기에 이루어질 것이다. 참조 번호(1401)는 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스를 표시한다. TFTs는 절연 기판 상에 형성되고 픽셀부(1402) 내에 매트릭스 방식으로 배치된다. 그 외에도, 소스 구동기 회로(1403) 및 게이트 구동기 회로(1404)는 TFTs뿐만 아니라 픽셀들로 구성된다. 더욱이, 오디오 신호 처리 회로(1405)는 또한 TFTs에 의해 구성된다. 디스플레이 디바이스(1401)는, 절연 기판 상의 이들 회로들, 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드(1411), 인쇄된 회로 보드(1411)상에 장착된 칩 커패시터들(1407 내지 1410)에 신호들을 전송하기 위해 FPC(1406)이 장착된다.
실시예의 오디오 신호 처리 회로(1405)에 대해, 실시예 모드에서 도시된 것이 사용될 수 있다. 오디오 신호 처리 회로는 사운드를 처리하기 위해 아날로그 증폭기 회로를 포함하지만, 본 발명은 본 실시예에 제한되지 않는다. 오디오 신호 처리 회로(1405)는 본 발명의 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 포함할 수 있다. 주파수 특성의 열화는 입력 회로, 피드백 회로, 및 박막 저항기들과 칩 커패시터들을 구비한 평탄화 회로를 구성함으로써 방지될 수 있다.
[실시예 5]
본 발명의 박막 저항기의 제조 방법은 도 7a 내지 7d를 사용하여 설명될 것이다. 기본막(702)은 절연 기판(701) 상에 형성된다. 이러한 기본막에 대해, 바람직하게 질화막 또는 질화막의 박막과 산화막이 사용된다. 비정질 실리콘막이 다음에 형성된다. 비정질 실리콘막은 열 또는 레이저 조사들로 결정화되어 폴리실리콘막을 형성한다. 그 다음, 폴리실리콘막은 바람직한 형태들의 실리콘 섬들(siliconislands; 703 내지 706)을 형성하도록 패터닝된다(도 7a).
다음, 게이트 절연막(707)이 형성되고, 게이트 전극 재료가 그 위에 형성된다. 게이트 전극 재료는 게이트 전극들(708 및 709)을 형성하도록 패터닝되고, 그 후에 N-형 도핑(710)을 위해 N-형 불순물들이 레지스트 마스트(resist mask)를 사용하여 도핑된다. 게이트 전극이 그 위에 형성되는 실리콘 영역은, 게이트 전극(708) 아래 영역이 도핑되지 않기 때문에, N-형 TFT(1511)의 채널 영역(711)이 된다. 반면, 게이트 영역이 그 위에 남아 있지 않은 실리콘 영역은, 실리콘 영역이 도핑되기 때문에 N-형 박막 저항기(712)가 된다(도 7b). N-형 도핑(710)을 위한 레지스트 마스크가 끝난 후에, P-형 도핑(710)을 위한 레지스트 마스크가 형성되어 P-형 불순물이 도핑된다. 게이트 전극이 그 위에 형성된 실리콘 영역은 게이트 전극(709) 아래의 영역이 도핑도지 않기 때문에 P-형 TFT(1514)의 채널 영역(714)이 된다. 반면, 게이트 전극이 그 위에 형성되지 않은 실리콘 영역은, 실리콘 영역이 도핑되기 때문에 P-형 박막 저항기(715)가 된다(도 7c).
연속하여, 층간막(716)이 형성되고 접촉 홀들이 개구(open)된다. 전극들(717 내지 720)이 형성되어 와이어 금속을 형성 및 패터닝함으로써, N-형 TFT(1511), P-형 TFT(1514), N-형 박막 저항기(1512) 및 P-형 박막 저항기(1515)가 형성된다. 회로는 이들 단계들로 완성된다(도 7d). 그 외에도, 그들의 상부 평면도들이 도 14a 내지 14d에 도시되어 있다. 동일한 부분들은 유사한 번호들로 표시된다. 도 14a 내지 14d는 N-형 TFT(1511), P-형TFT(1514), N-형 박막 저항기(1512) 및 P-형 박막 저항기(1515)의 상부 평면도들을 도시한 것이다. 도 14a 내지 14d의 번호들(708,709, 711, 712 및 717 내지 720)은 도 7a 내지 7d의 동일한 번호들에 대응하고, 번호들(721 내지 724)은 도 7d의 번호(716) 의해 표시된 층간막의 접촉 홀들을 표시한다. 상술된 바와 같이, 본 실시예에서의 TFT의 형성 단계들에 어떤 것도 추가하지 않고 박막 저항기들을 제조할 수 있다. 본 실시예의 저항기들을 형성하기 위해 P-형 또는 N-형 불순물들 중 어느 것이 도핑될지라도, P-형 불순물로 도핑된 저항기가 더 작은 변화도들(variations)로 인해 박막 저항기에 대해 바람직하다는 것을 주지한다.
[실시예 6]
도 10은 TFTs로 구성된 연산 증폭기 회로의 등가 회로도이다. 이러한 연산 증폭기 회로는 TFT(1001) 및 TFT(1002)를 갖는 차동 회로, TFT(1003) 및 TFT(1004)를 갖는 전류 미러 회로, TFT(1005) 및 TFT(1009)를 갖는 일정한 전류 소스, TFT(1006)을 갖는 공통 소스 회로, TFT(1007) 및 TFT(1008)을 갖는 유휴 회로(idling circuit), TFT(1010) 및 TFT(1011)을 갖는 소스 팔로우어 회로(source follower circuit), 및 위상 보상 커패시터(1012)를 포함한다.
도 10에 도시된 연산 증폭기 회로의 동작은 이 후에 설명될 것이다. 양의 신호가 비-반전 입력 단자에 입력되며, TFTs(1005 및 1109)를 갖는 일정한 전류 소스가 차동 회로를 구성하는 TFT(1001) 및 (1002)의 소스들에 접속되어 있기 때문에, TFT(1001)의 드레인 전류가 TFT(1002)의 드레인 전류보다 더 크다. TFT(1003) 및 TFT(1004)가 전류 미러 회로를 구성하기 때문에 TFT(1003)의 드레인 전류는 TFT(1002)의 전류 드레인과 같게 된다. TFT(1003)의 드레인 전류와 TFT(1001)의 드레인 전류 사이의 차동 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 낮아지게 한다. TFT(1006), 즉 P-형 TFT가 턴 온되고, 드레인 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 낮아질 때 증가된다. 따라서, TFT(1010)의 게이트 전압이 증가한다. 이와 함께, TFT(1010)의 소스 전압, 즉 출력 단자의 전압은 증가한다.
음의 신호가 비-반전 입력 단자에 입력되면, TFT(1001)의 드레인 전류는 TFT(1002)의 드레인 전류보다 더 작게 된다. TFT(1003)의 드레인 전류가 TFT(1002)의 드레인 전류와 같기 때문에, TFT(1003)의 드레인 전류와 TFT(1001)의 드레인 전류 사이의 차동 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 낮아지게 한다. TFT(1006), 즉 P-형 TFT가 턴 오프되고, 드레인 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 증가할 때 감소한다. 따라서, TFT(1010)의 게이트 전압은 낮아진다. 이와 함께, TFT(1010)의 소스 전압, 즉 출력 단자의 전압이 낮아진다. 상술한 바와 같이, 비-반전 입력 단자의 신호의 위상과 동일한 위상을 갖는 신호는 출력 단자로부터 출력된다.
양의 신호가 반전 입력 단자에 입력되면, TFT(1001)의 드레인 전류가 TFT(1002)의 드레인 전류보다 더 작게 된다. TFT(1003)의 드레인 전류가 TFT(1002)의 드레인 전류와 같기 때문에, TFT(1003)의 드레인 전류와 TFT(1001)의 드레인 전류 사이의 차동 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 증가하게 한다. TFT(1006), 즉 P-형 TFT는 턴 오프되고, TFT(1006)의 게이트 전압이 증가할 때 드레인 전류가 증가한다. 따라서, TFT(1010)의 게이트 전압은 낮아진다. 이와 함께, TFT(1010)의 소스 전압, 즉 출력 단자의 전압이 낮아진다.
음의 신호가 반전된 입력 단자에 입력되면, TFT(1001)의 드레인 전류가TFT(1002)의 드레인 전류보다 더 커지게 된다. TFT(1003)의 드레인 전류가 TFT(1002)의 드레인 전류와 같기 때문에, TFT(1003)의 드레인 전류와 TFT(1001)의 드레인 전류 사이의 차동 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 낮아지게 한다. TFT(1006), 즉 P-형 TFT가 턴 온되고, 드레인 전류는 TFT(1006)의 게이트 전압이 낮아질 때 증가한다. 따라서, TFT(1010)의 게이트 전압은 상승한다. 이와 함께, TFT(1010)의 소스 전압, 즉 출력 단자의 전압이 올라간다. 상술한 바와 같이, 반전 입력 단자의 신호와 반대 위상을 갖는 신호가 출력 단자로부터 출력된다.
이러한 실시예에서, 차동 전류는 Nch TFTs로 구성되고, 전류 미러 회로는 Pch TFTs로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 그 역으로 사용될 수도 있다. 즉 차동 전류가 Pch TFTs에 의해 구성될 수 있고, 전류 미러 회로가 Nch TFTs에 의해 구성될 수 있다. 그 외에도, 회로는 상술된 회로에 제한되지 않으며, 다른 회로가 연산 증폭기 회로로 기능하는 한 사용될 수 있다.
[실시예 7]
상술된 바와 같이 제조되는 디스플레이 디바이스는 다양한 전자 기기의 디스플레이 부분으로서 사용될 수 있다. 디스플레이 매체로서 본 발명에 따라 제조되는 디스플레이 디바이스를 포함하는 전자 기기는 이후에 설명될 것이다.
그러한 전자 기기들의 예는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이(고글 디스플레이), 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터, 휴대용 정보 단말기(이동 컴퓨터, 이동 전화기 또는 전자책) 등을 포함한다. 그들의 특정 예들이 도 12a 내지 12g에 도시되어 있다.
도 12a는, 본체(3101), 디스플레이부(3102), 이미지 수신부(3103), 조작키들(3104), 외부 접속 포트(3105), 및 셔터(3106) 등을 포함하는 디지털 카메라이다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는 소형이고 편리한 디지털 카메라를 성취하기 위하여 디스플레이부(3102)에 사용될 수 있다.
도 12b는, 본체(3201), 하우징(3202), 디스프레이부(3203), 키보드(3204), 외부 접속 포트(3205), 포인팅 마우스(3206) 등을 포함하는 랩탑 컴퓨터이다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는 소형이고 편리한 랩탑 컴퓨터를 성취하기 위하여 디스플레이부(3203)에 사용될 수 있다.
도 12c는, 본체(3301), 디스플레이부(3302), 스위치(3303), 조작키들(3304), 적외선 포트(3305) 등을 포함하는 휴대용 정보 단말기이다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는 소형이고 편리한 휴대용 정보 단말기를 성취하기 위하여 디스플레이부(3302)에 사용될 수 있다.
도 12d는, 본체(3401), 하우징(3402), 기록 매체(CD, LD 또는 DVD와 같은) 리드-인 부(read-in portion; 3405), 작동 스위치들(3406), 디스플레이부A(3403), 디스플레이부B(3404) 등을 포함하는, 기록 매체를 구비한 이미지 재생 디바이스(특히, DVD 재생 디바이스)이다. 디스플레이부A(3403)는 주로 이미지 데이터를 디스플레이하고, 디스플레이부B(3404)는 주로 문자 데이터를 디스플레이한다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는, 소형이고 편리한 이미지 재생 디바이스를 성취하기 위하여 기록 매체가 제공된 이미지 재생 디바이스의 디스플레이부A(3403) 및 B(3404)에 사용될 수 있다. CD 재생 디바이스, 게임 머신 등은 기록 매체가 구비된 이미지 재생디바이스에 사용될 수 있음을 주지한다.
도 12e는 접는 식의 휴대용 디스플레이 디바이스이다. 본 발명을 사용한 디스플레이부(3502)는 소형이고 편리한 휴대용 디스플레이 디바이스를 성취하기 위하여 본체(3501)에 부착될 수 있다.
도 12f는, 벨트(3601), 디스플레이부(3602), 조작 스위치(3603) 등을 포함하는 시계이다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는, 오디오 출력 기능을 갖는 시계를 성취하기 위하여 디스플레이부(3602)에 사용될 수 있다.
도 12g는, 본체(3701), 하우징(3702), 디스플레이부(3703), 오디오 입력부(3704), 안테나(3705), 조작키들(3706), 외부 접속 포트(3707)를 포함하는 이동 전화기이다. 본 발명의 디스플레이 디바이스는 소형이고 편리한 이동 전화기를 성취하기 위하여 디스플레이부(3703)에 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명이 넓게 사용될 수 있고, 다양한 분야들의 전자 기기에 적용될 수 있다. 본 발명의 전자 기기들이 실시예들 1 내지 6의 구조들의 임의의 조합을 사용함으로써 성취될 수 있음을 주지한다.
본 발명에 의하면, 크기가 감소된 오디오 신호 처리 회로와, 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스와 작은 크기와 가벼운 중량을 갖는 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (42)

  1. 오디오 신호 처리 회로에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 오디오 신호 처리 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 평탄화 회로(smoothing circuit)를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 오디오 신호 처리 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 오디오 신호 처리 회로.
  7. 제 1 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이(headmounted display), 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
  8. 오디오 신호 처리 회로에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판에 접속되는 플렉시블 기판(flexible substrate) 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 오디오 신호 처리 회로.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 평탄화 회로를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 오디오 신호 처리 회로.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 오디오 신호 처리 회로.
  14. 제 8 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이, 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
  15. 오디오 신호 처리 회로에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 오디오 신호 처리 회로.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 오디오 신호 처리 회로는 평탄화 회로를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 오디오 신호 처리 회로.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 오디오 신호 처리 회로.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 오디오 신호 처리 회로.
  21. 제 15 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이, 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
  22. 디스플레이 디바이스에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 디스플레이 디바이스.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 평탄화 회로를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 디스플레이 디바이스.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 디스플레이 디바이스.
  28. 제 22 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이, 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
  29. 디스플레이 디바이스에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판에 접속되는 플렉시블 기판 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 디스플레이 디바이스.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  31. 제 29 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  32. 제 29 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 평탄화 회로를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  33. 제 29 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 디스플레이 디바이스.
  34. 제 29 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 디스플레이 디바이스.
  35. 제 22 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이, 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
  36. 디스플레이 디바이스에 있어서,
    절연 기판 상에 형성된 박막 소자;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막 저항기; 및
    상기 절연 기판에 전기적으로 접속되는 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 칩 커패시터를 포함하는 디스플레이 디바이스.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 입력 회로를 포함하고, 상기 입력 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  38. 제 36 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  39. 제 36 항에 있어서,
    상기 디스플레이 디바이스는 평탄화 회로를 포함하고, 상기 평탄화 회로는 상기 박막 저항기 및 상기 칩 커패시터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  40. 제 36 항에 있어서,
    상기 박막 저항기에 P-형 불순물들이 도핑되는, 디스플레이 디바이스.
  41. 제 36 항에 있어서,
    상기 박막 저항기는 80kΩ 이상의 저항값을 갖는, 디스플레이 디바이스.
  42. 제 36 항에 따른 오디오 신호 처리 회로를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    비디오 카메라, 디지털 카메라, 헤드 장착 디스플레이, 게임 머신, 차량 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택된 것인 전자 기기.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4271479B2 (ja) * 2003-04-09 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 ソースフォロワ及び半導体装置
US7199637B2 (en) * 2003-09-02 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit without alternating-current feedback
US8053717B2 (en) * 2008-05-22 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device having a reference voltage generation circuit with a resistor and a second diode element and electronic device having the same
WO2010035608A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010161482A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Audio Technica Corp フィルター回路

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0451604A (ja) 1990-06-19 1992-02-20 Nec Corp 混成集積回路
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process
JPH05102881A (ja) 1991-10-08 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp 音声信号処理回路
JPH06181369A (ja) 1992-12-11 1994-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用回路基板及びその製造方法
US5643804A (en) * 1993-05-21 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body
JPH07261191A (ja) 1994-03-16 1995-10-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JPH0822024A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリクス基板およびその製法
JP3483714B2 (ja) * 1996-09-20 2004-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH10200114A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜回路
JPH11142813A (ja) 1997-11-11 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライブ回路、液晶表示パネル、駆動方法、製造方法および表示パネルを用いた表示装置
JPH11266546A (ja) 1998-03-16 1999-09-28 Toshiba Corp 電子装置
JP3169178B2 (ja) 1998-05-15 2001-05-21 松下電器産業株式会社 液晶表示装置の組み立て方法
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE19961683A1 (de) 1999-12-21 2001-06-28 Philips Corp Intellectual Pty Bauteil mit Dünnschichtschaltkreis
JP2001183687A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
GB0107404D0 (en) * 2001-03-23 2001-05-16 Koninkl Philips Electronics Nv Display substrate and display device
JP2003069352A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Murata Mfg Co Ltd Fet差動増幅回路およびそれを用いた電子装置
SG143934A1 (en) * 2002-11-08 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Display appliance
US7230316B2 (en) * 2002-12-27 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having transferred integrated circuit

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