DE112021000234T5

DE112021000234T5 - Anzeigesubstrat und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112021000234T5
Application number: DE112021000234.1T
Authority: DE
Inventors: Hongjun Zhou; Wen Tan
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2021-05-13
Publication date: 2022-10-27
Also published as: WO2022001410A1; US20240147786A1; CN113871419A

Abstract

Ein Anzeigesubstrat und eine Anzeigevorrichtung. Das Anzeigesubstrat (10) ist mit einem Anzeigebereich (101) und einem Peripheriebereich (102), der den Anzeigebereich (101) zumindest teilweise umgibt, versehen und umfasst ein Basissubstrat (100). Der Anzeigebereich (101) umfasst eine Vielzahl von Pixeleinheiten (110), die in einem Array auf dem Basissubstrat (100) angeordnet sind, und eine Vielzahl von Signalleitungen (120), die jeweils mit den Vielzahl von Pixeleinheiten (110) elektrisch verbunden sind. Der Peripheriebereich (102) umfasst mindestens ein erstes Elektrodenmuster (130), das elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen (120) verbunden ist, und umfasst ein zweites Elektrodenmuster (140). Das mindestens eine erste Elektrodenmuster (130) und das zweite Elektrodenmuster (140) in einer Richtung senkrecht zu einer Substratoberfläche des Basissubstrats (100) zumindest teilweise überlappend und voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen sind. Der Peripheriebereich (102) umfasst ferner eine Gate-Abtasttreiberschaltung (150). Die Gate-Abtasttreiberschaltung (150) ist dazu konfiguriert, ein Gate-Abtastsignal an die Vielzahl von Pixeleinheiten (110) zu liefern. In einer Richtung parallel zur Substratoberfläche des Basissubstrats (100) sich befinden das mindestens eine erste Elektrodenmuster (130) und das zweite Elektrodenmuster (140) zwischen der Gate-Abtasttreiberschaltung (150) und dem Anzeigebereich (101). Das Anzeigesubstrat ist in der Lage, eine Übertragungslast der Signalleitungen zu kompensieren, wodurch die Wirkung der Signalübertragung verbessert wird.

Description

Die Anmeldung beansprucht die Priorität der chinesischen Patentanmeldung Nr. 202010621917.9 , eingereicht am 30. Juni 2020, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme als Teil der vorliegenden Anmeldung aufgenommen wird.
TECHNISCHEN BEREICH
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung betreffen ein Anzeigesubstrat und eine Anzeigevorrichtung.
HINTERGRUND
Anzeigevorrichtungen mit organischen lichtemittierenden Dioden (Organic Light-Emitting Diode, OLED) haben viele Vorteile, wie z. B. geringe Dicke, geringes Gewicht, weiter Betrachtungswinkel, aktive Lichtemission, kontinuierlich einstellbare lichtemittierende Farbe, geringe Kosten, schnelle Reaktionsgeschwindigkeit, geringer Energieverbrauch, geringer Treiberspannung, großer Arbeitstemperaturbereich, einfacher Produktionsprozess, hohe lichtemittierende Effizienz und flexible Anzeige, weshalb es in Anzeigebereichen wie Mobiltelefonen, Tablet-Computern, Digitalkameras usw. immer weiter verbreitet ist.
ZUSAMMENFASSUNG
Mindestens ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat bereit, mit einem Anzeigebereich und einem Peripheriebereich, der den Anzeigebereich zumindest teilweise umgibt, und umfassend: ein Basissubstrat, wobei der Anzeigebereich eine Vielzahl von Pixeleinheiten umfasst, die in einem Array auf dem Basissubstrat angeordnet sind, und eine Vielzahl von Signalleitungen, die jeweils elektrisch mit der Vielzahl von Pixeleinheiten verbunden sind, der Peripheriebereich mindestens ein erstes Elektrodenmuster umfasst, das elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen verbunden ist, und ein zweites Elektrodenmuster umfasst, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster in einer Richtung senkrecht zu einer Substratoberfläche des Basissubstrats mindestens teilweise überlappen und voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen sind, der Peripheriebereich ferner eine Gate-Abtasttreiberschaltung umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Gate-Abtastsignal an die Vielzahl von Pixeleinheiten bereitzustellen, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster sich zwischen der Gate-Abtasttreiberschaltung und dem Anzeigebereich in einer Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats befinden.
Zum Beispiel liegt in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat eine orthographische Projektion des mindestens einen ersten Elektrodenmusters auf dem Basissubstrat innerhalb einer orthographischen Projektion des zweiten Elektrodenmusters auf dem Basissubstrat.
Zum Beispiel sich befindet in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das zweite Elektrodenmuster auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite des mindestens einen ersten Elektrodenmusters.
Zum Beispiel umfasst in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten eine sich auf dem Basissubstrat befindende Pixeltreiberschaltung, die einen Dünnfilmtransistor und einen Speicherkondensator umfasst; der Dünnfilmtransistor umfasst eine aktive Schicht, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, und der Speicherkondensator umfasst eine erste Kondensatorelektrode und eine zweite Kondensatorelektrode, die der ersten Kondensatorelektrode in der Richtung senkrecht zur Substratoberfläche des Basissubstrats gegenüberliegt; die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode sich befinden auf einer vom Basissubstrat entfernten Seite der aktiven Schicht, das erste Elektrodenmuster, die Gate-Elektrode und die erste Kondensatorelektrode sind in einer gleichen Schicht vorgesehen, und das zweite Elektrodenmuster und die zweite Kondensatorelektrode sind in einer gleichen Schicht vorgesehen.
Zum Beispiel sind in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat die Vielzahl von Signalleitungen in derselben Schicht wie die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors vorgesehen, und das mindestens eine erste Elektrodenmuster ist elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen durch eine Durchgangslochstruktur verbunden.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das zweite Elektrodenmuster dazu konfiguriert, ein erstes Spannungssignal von einer ersten Spannungsquelle zu empfangen.
Zum Beispiel umfasst in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat der Peripheriebereich ferner ein Stromkabelmuster, das Stromkabelmuster ist elektrisch mit der ersten Spannungsquelle verbunden und das zweite Elektrodenmuster ist elektrisch mit dem Stromkabelmuster verbunden, um das erste Spannungssignal über das Stromkabelmuster zu empfangen.
Zum Beispiel sind in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das Stromkabelmuster in derselben Schicht wie die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors vorgesehen, und das zweite Elektrodenmuster ist elektrisch mit dem Stromkabelmuster durch eine Durchgangslochstruktur verbunden.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat zumindest ein Teil des zweiten Elektrodenmusters elektrisch zwischen das Stromkabelmuster und die Vielzahl von Pixeleinheiten in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats verbunden, und das Stromkabelmuster liefert das erste Spannungssignal an mindestens einen Teil der Vielzahl von Pixeleinheiten über das zweite Elektrodenmuster.
Zum Beispiel umfasst in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das mindestens eine erste Elektrodenmuster eine Vielzahl von ersten Elektrodenmuster, die in Intervallen vorgesehen sind; der Peripheriebereich umfasst ferner ein Abstandsmuster, das sich zwischen zwei benachbarten ersten Elektrodenmustern befindet, und von den ersten Elektrodenmustern voneinander isoliert ist.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das Abstandsmuster dazu konfiguriert, ein zweites Spannungssignal von einer zweiten Spannungsquelle zu empfangen, die sich von der ersten Spannungsquelle unterscheidet.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das Abstandsmuster elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster verbunden, um das erste Spannungssignal von der ersten Spannungsquelle zu empfangen.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das Abstandsmuster in derselben Schicht wie die aktive Schicht des Dünnfilmtransistors vorgesehen.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das zweite Elektrodenmuster kontinuierlich entlang einer Kante des Anzeigebereichs vorgesehen, und das zweite Elektrodenmuster und die Vielzahl von ersten Elektrodenmustern mindestens teilweise überlappen jeweils in der Richtung senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrats und sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen.
Zum Beispiel schneidet in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat eine Erstreckungsrichtung von mindestens einem Teil einer Kante des Anzeigebereichs eine Erstreckungsrichtung der Vielzahl von Signalleitungen und ist nicht senkrecht zu dieser.
Zum Beispiel umfasst in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das Anzeigesubstrat ferner eine erste Isolierschicht, die sich zwischen dem ersten Elektrodenmuster und dem zweiten Elektrodenmuster befindet, und ein Material der ersten Isolierschicht umfasst Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid.
Zum Beispiel umfassen in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat die Vielzahl von Pixeleinheiten eine erste Spalte von Pixeleinheiten und eine zweite Spalte von Pixeleinheiten, eine Zahl der Pixeleinheiten in der ersten Spalte von Pixeleinheiten ist kleiner als eine Zahl der Pixeleinheiten in der zweiten Spalte von Pixeleinheiten, und die Signalleitung, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, ist elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat die Signalleitung, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, elektrisch mit dem einen anderen ersten Elektrodenmusters verbunden, ein Betrag einer Kompensationskapazität, die zwischen dem zweiten Elektrodenmuster und dem einen ersten Elektrodenmuster gebildet ist, ist größer als ein Betrag einer Kompensationskapazität, die zwischen dem zweiten Elektrodenmuster und dem einen anderen ersten Elektrodenmuster gebildet ist, wobei das eine erste Elektrodenmuster elektrisch mit der Signalleitung verbunden ist, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, und das eine andere erste Elektrodenmuster elektrisch mit der Signalleitung verbunden ist, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist.
Zum Beispiel weisen in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat das erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster unterschiedliche Längen in einer Spaltenrichtung auf, und das erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster weisen unterschiedliche Längen in einer Zeilenrichtung auf.
Zum Beispiel sind in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat die Vielzahl von Signalleitungen Abtastleitungen oder Datenleitungen.
Zum Beispiel ist in dem von mindestens einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat ein erstes Ende oder ein zweites Ende von mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden, oder ein erstes Ende mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen ist elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden und ein zweites Ende der mindestens einen der Vielzahl von Signalleitungen ist elektrisch mit dem einen anderen ersten Signalleitung verbunden.
Mindestens ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, die ein in irgendeinem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung beschriebenen Anzeigesubstrat umfasst.
Figurenliste
Um die technischen Lösungen der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung deutlicher zu veranschaulichen, werden die beigefügten Zeichnungen der Ausführungsbeispielen im Folgenden kurz veranschaulicht; Es ist offensichtlich, dass sich die Zeichnungenin in der nachfolgenden Beschreibung nur auf einige Ausführungsbeispielen der Offenbarung beziehen und die Offenbarung nicht einschränken.

1A ist eine schematische planare Ansicht eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
1 B ist eine schematische planare Ansicht eines anderen Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2A ist ein schematisches Diagramm eines Kompensationsmodus eines in 1A gezeigten Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2B ist ein schematisches Diagramm eines anderen Kompensationsmodus des in 1A gezeigten Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2C ist ein schematisches Diagramm noch eines anderen Kompensationsmodus des in 1A gezeigten Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
3 ist ein schematisches Diagramm einer Teilstruktur eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
4 ist ein schematisches Diagramm einer partiellen planaren Struktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
5A ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
5B ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines anderen Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
6 ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Anzeigebereichs und einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
7 ist ein Ersatzschaltbild einer Pixeltreiberschaltung eines Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
8A-8E sind schematische Diagramme verschiedener Schichten einer Pixeltreiberschaltung eines Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
9 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; und
10 ist ein schematisches Blockdiagramm einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN
Um Aufgaben, technische Details und Vorteile der Ausführungsbeispielen der Offenbarung deutlich zu machen, werden die technischen Lösungen der Ausführungsbeispielen klar und vollständig verständlich in Verbindung mit den Zeichnungen zu den Ausführungsbeispielen der Offenbarung beschrieben. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsbeispielen nur ein Teil, aber nicht alle Ausführungsbeispielen der Offenbarung. Basierend auf den hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen können Fachleute anderen Ausführungsbeispiel(andere Ausführungsbeispielen) ohne jegliche erfinderische Arbeit erhalten, die innerhalb des Umfangs der Offenbarung liegen sollten.
Sofern nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe die gleichen Bedeutungen, wie sie allgemein von einem Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet verstanden werden, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört. Die Begriffe „erster“, „zweiter“ etc., die in der Beschreibung und den Ansprüchen der vorliegenden Offenbarungsanmeldung verwendet werden, sollen keine Reihenfolge, Menge oder Bedeutung angeben, sondern verschiedene Komponenten unterscheiden. Außerdem sollen die Begriffe „umfassen“, „umfassen“, „enthalten“, „einschließlich“ usw. spezifizieren, dass die vor diesen Begriffen genannten Elemente oder Gegenstände die nach diesen Begriffen aufgeführten Elemente oder Gegenstände und Äquivalente davon umfassen, aber schließen Sie die anderen Elemente oder Objekte nicht aus. Die Ausdrücke „verbinden“, „verbunden“ usw. sollen keine physische Verbindung oder mechanische Verbindung definieren, sondern können direkt oder indirekt eine elektrische Verbindung umfassen. „Ein“, „unter“, „links“, „rechts“ und dergleichen werden nur verwendet, um eine relative Positionsbeziehung anzugeben, und wenn die Position des beschriebenen Objekts geändert wird, kann die relative Positionsbeziehung entsprechend geändert werden.
Gegenwärtig werden mit der Popularisierung elektronischer Anzeigeprodukte die Anforderungen der Benutzer an Funktionen und Aussehen elektronischer Anzeigeprodukte weiter erhöht. Um den unterschiedlichen praktischen Bedürfnissen der Benutzer gerecht zu werden, muss das Erscheinungsbild oder der Anzeigebereich elektronischer Anzeigeprodukte manchmal in unregelmäßigen oder speziellen Formen entworfen werden. Aufgrund der unregelmäßigen oder speziellen Form des Anzeigebereichs kann jedoch die Anzahl von Pixeleinheiten, die in unterschiedlichen Zeilen in dem Anzeigebereich enthalten sind, unterschiedlich sein, oder die Anzahl von Pixeleinheiten, die in unterschiedlichen Spalten in dem Anzeigebereich enthalten sind, kann ebenfalls unterschiedlich sein. Nimmt man zum Beispiel den Fall als Beispiel an, dass die Anzahl von Pixeleinheiten, die in unterschiedlichen Spalten in dem Anzeigebereich enthalten sind, unterschiedlich ist, aufgrund der unterschiedlichen Anzahl von Pixeleinheiten in unterschiedlichen Spalten, Übertragungslasten auf einer Vielzahl von Signalleitungen zum Bereitstellen von Datensignalen oder andere erforderliche elektrische Signale an die Pixeleinheiten, die sich in unterschiedlichen Spalten befinden, können unterschiedlich sein, was zu inkonsistenten Signalübertragungseffekten (z. B. Übertragungsgeschwindigkeit) der Vielzahl von Signalleitungen führt und ferner zu einer verringerten Helligkeitsgleichförmigkeit und -konsistenz von bereitgestellten Anzeigebildern führt, sogar abnormales Phänomen des Anzeigebildschirms.
Mindestens ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat bereit, mit einem Anzeigebereich und einem Peripheriebereich, der den Anzeigebereich zumindest teilweise umgibt, und umfassend: ein Basissubstrat. Der Anzeigebereich umfasst eine Vielzahl von Pixeleinheiten, die in einem Array auf dem Basissubstrat angeordnet sind, und eine Vielzahl von Signalleitungen, die jeweils elektrisch mit der Vielzahl von Pixeleinheiten verbunden sind; der Peripheriebereich umfasst mindestens ein erstes Elektrodenmuster, das elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen verbunden ist, und ein zweites Elektrodenmuster umfasst, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster in einer Richtung senkrecht zu einer Substratoberfläche des Basissubstrats mindestens teilweise überlappen und voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen sind, der Peripheriebereich umfasst ferner eine Gate-Abtasttreiberschaltung, die dazu konfiguriert ist, ein Gate-Abtastsignal an die Vielzahl von Pixeleinheiten bereitzustellen, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster sich zwischen der Gate-Abtasttreiberschaltung und dem Anzeigebereich in einer Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats befinden.
Bei dem durch den obigen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat überlappen sich das erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster zumindest teilweise in der Richtung senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrats und sind voneinander isoliert, so dass ein Kondensator kann zwischen dem ersten Elektrodenmuster und dem zweiten Elektrodenmuster gebildet werden, wodurch die Übertragungslast auf den Signalleitungen kompensiert wird, die elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster verbunden sind, um die Konsistenz von Signalübertragungseffekten der Vielzahl von Signalleitungen zu erhöhen, wodurch die Helligkeitsgleichförmigkeit und -konsistenz von den Anzeigebildern erhöht werden, so dass das anormale oder schlechte Phänomen des Anzeigebildschirms abgeschwächt oder vermieden wird, und der Anzeigeeffekt von den Anzeigebildern verbessert wird.
Im Folgenden werden einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Bezugszeichen in unterschiedlichen Zeichnungen verwendet werden, um sich auf die gleichen Elemente zu beziehen, die bereits beschrieben wurden.
1A ist eine schematische planare Ansicht eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 1A gezeigt, weist das Anzeigesubstrat 10 einen Anzeigebereich 101 und einen Peripheriebereich 102 auf, die den Anzeigebereich 101 zumindest teilweise umgibt (beispielsweise umgibt der Peripheriebereich 102 den Anzeigebereich 101 vollständig). Beispielsweise hat der Anzeigebereich 101 des Anzeigesubstrats 10 eine kreisförmige Form, und der Peripheriebereich 102 umgibt den Anzeigebereich 101 und hat eine Kontur, die eine annähernd kreisförmige Form hat, wodurch ermöglicht wird, dass das Anzeigesubstrat 10 in einer ungefähr kreisförmig ist, um den tatsächlichen Bedürfnissen der Benutzer nach Anzeigesubstraten mit unterschiedlichen Formen gerecht zu werden.
Es sei darauf hingewiesen, dass Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung keine Beschränkung auf die spezifische Form des Anzeigesubstrats auferlegen. Zum Beispiel ist 1 B eine schematische planare Ansicht eines anderen Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 1 B weist das Anzeigesubstrat 20 einen Anzeigebereich 201 und einen Peripheriebereich 202 auf, der den Anzeigebereich 201 zumindest teilweise umgibt (zum Beispiel umgibt der Randbereich 202 den Anzeigebereich 201 vollständig). Beispielsweise hat der Anzeigebereich 201 des Anzeigesubstrats 20 eine quadratische Form mit abgerundeten Ecken, und der Peripheriebereich 202 umgibt den Anzeigebereich 201 und hat die gleiche Kontur wie der Anzeigebereich 201, so dass das Anzeigesubstrat 20 auch eine quadratische Form mit abgerundeten Ecken hat. In anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung hat das Anzeigesubstrat regelmäßige Formen wie Ellipsoid, Sektor, Dreieck, Rhombus, Fünfeck oder andere geeignete unregelmäßige Formen, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung erlegen der Form des Anzeigesubstrats keine Beschränkung auf.
Im Folgenden nimmt der vorliegenden Offenbarung die Form des in 1A gezeigten Anzeigesubstrats 10 an als ein Beispiel zum Erklären des Anzeigesubstrats, das durch der Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, aber dies bildet keine Beschränkung der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung.
2A ist ein schematisches Diagramm eines Kompensationsmodus eines in 1A gezeigten Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; 3 ist ein schematisches Diagramm einer Teilstruktur eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, und zum Beispiel entspricht 3 dem in 2 gezeigten Bereich REG1.
Beispielsweise, wie in 1A, 2A und 3 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat 10 ein Basissubstrat 100. Der Anzeigebereich 101 umfasst eine Vielzahl von Pixeleinheiten 110, die in einem Array auf dem Basissubstrat 100 angeordnet sind, und eine Vielzahl von Signalleitungen 120, die jeweils elektrisch mit den Pixeleinheiten 110 verbunden sind. Der Peripheriebereich 102 umfasst mindestens ein erstes Elektrodenmuster 130, das elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen 120 verbunden ist, und umfasst ein zweites Elektrodenmuster 140. Das erste Elektrodenmuster 130 und das zweite Elektrodenmuster 140 überlappen zumindest teilweise in einer Richtung senkrecht zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 und sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen, um einen Kondensator zu bilden, und somit kann die Übertragungslasten (zum Beispiel kann sich die Übertragungslast auf den Signalleitungen 120 auf den Übertragungswiderstand der Signalleitungen 120 oder den zwischen den Signalleitungen 120 und anderen Drähten gebildeten Kondensator beziehen) auf den elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbundenen Signalleitungen 120 durch den zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kondensator kompensiert werden, wodurch die Konsistenz der Übertragungslasten auf den Vielzahl von Signalleitungen 120 im Anzeigebereichs 101 erhöht wird. Als Ergebnis kann der Signalübertragungseffekt der Vielzahl von Signalleitungen 120 in dem Anzeigebereich 101 erhöht werden und die Helligkeitsgleichförmigkeit und -konsistenz von durch das Anzeigesubstrat erzeugten Anzeigebildern kann erhöht werden, wodurch das anormale oder schlechte Phänomen des Anzeigebildschirms abgeschwächt oder vermieden wird, und der Anzeigeeffekt von den Anzeigebildern verbessert wird.
In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist die Signalleitung 120 eine Abtastleitung beispielsweise zum Bereitstellen eines Gate-Abtastsignals an die Pixeleinheit 110, oder eine Datenleitung beispielsweise zum Bereitstellen eines Datensignals an die Pixeleinheit 110, oder eine Signalleitung zum Bereitstellen anderer elektrischer Signale an die Pixeleinheit 110, die zum Realisieren einer Bildanzeige erforderlich sind.
Beispielsweise wird in dem Fall, in dem die Signalleitung 120 eine Abtastleitung ist, die Übertragungslast auf der elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbundenen Abtastleitung durch den zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und der zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kondensator kompensiert, wodurch der Übertragungseffekt eines beispielsweise Gate-Abtastsignals, das auf der Abtastleitung übertragen wird, erhöht wird und die Konsistenz des Übertragungseffekts von Gate-Abtastsignalen auf der Vielzahl von Abtastleitungen in dem Anzeigebereich 101 verbessert wird.
Beispielsweise wird in dem Fall, in dem die Signalleitung 120 eine Datenleitung ist, die Übertragungslast auf der elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbundenen Datenleitung durch den zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und der zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kondensator kompensiert, wodurch der Übertragungseffekt eines auf der Datenleitung übertragenen Datensignals erhöht wird und die Konsistenz des Übertragungseffekts von Datensignalen auf der Vielzahl von Datenleitungen in dem Anzeigebereich 101 erhöht wird.
Die folgenden Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung werden veranschaulicht, indem der Fall angenommen wird, in dem die Signalleitung 120 die Datenleitung ist, aber es sollte angemerkt werden, dass die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung diesen Fall umfassen, aber nicht darauf beschränkt sind.
Beispielsweise, wie in 1A, 2A und 3 gezeigt, umfasst der Peripheriebereich 102 ferner eine Gate-Abtasttreiberschaltung (zum Beispiel ein Gate-On-Array (GOA)) 150, die dazu konfiguriert ist, ein Gate-Abtastsignal an die Vielzahl von Pixeleinheiten 110 bereitzustellen, und beispielsweise wird die Gate-Abtasttreiberschaltung 150 direkt auf dem Basissubstrat 100 durch einen Halbleiterprozess hergestellt. In einer Richtung parallel zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 sind das erste Elektrodenmuster 130 und das zweite Elektrodenmuster 140 zwischen der Gate-Abtasttreiberschaltung 150 und dem Anzeigebereich 101 angeordnet, damit das Raumnutzungsverhältnis des Peripheriebereichs 102 erhöht werden kann, und der Raum, der von dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 in dem Anzeigesubstrat 10 eingenommen wird, kann reduziert werden, wodurch das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats 10 erleichtert wird.
Beispielsweise umfasst die Gate-Abtasttreiberschaltung 150 eine Vielzahl von kaskadierte Schieberegistereinheiten, und beispielsweise ist ein Ausgangsende jeder Schieberegistereinheit elektrisch mit einer Reihe von Pixeleinheiten 110 in dem Anzeigebereich 101 durch eine Gate-Leitung verbunden, um das Gate-Abtastsignal für eine Vielzahl von Pixeleinheiten 110 in der Reihe von Pixeleinheiten 110 bereitzustellen. Beispielsweise sind die Vielzahl von Pixeleinheiten 110 in einem Array in dem Anzeigebereich 101 angeordnet, und die Gate-Abtasttreiberschaltung 150 ist dazu konfiguriert, eine Vielzahl von Zeilen von Pixeleinheiten 110 in dem Anzeigebereich 101, die in dem Array angeordnet sind, beispielsweise mit zeilenweise verschobenen Gate-Abtastsignalen bereitzustellen.
Beispielsweise ist die Schieberegistereinheit in der oben erwähnten Gate-Abtasttreiberschaltung 150 von einer 4T1C-Struktur, das heißt, die 4T1 C-Struktur umfasst mindestens vier Transistoren und den einen Kondensator, um jeweils die Funktionen von Signaleingang, Signalausgang, Registerrücksetzung usw. zu realisieren; alternativ kann die 4T1C-Struktur ferner mehr Transistoren und/oder Kondensatoren enthalten, zum Beispiel werden Teilschaltungen zum Realisieren der Funktionen der Pull-up-Knotensteuerung, der Pull-down-Knotensteuerung oder der Rauschunterdrückung usw. in die 4T1C-Struktur hinzugefügt, um eine stabilere Eingabe, Ausgabe und Rückstellung zu realisieren. Die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung erlegen der spezifischen Struktur der Schieberegistereinheit keine Beschränkung auf.
Beispielsweise ist in dem Fall, in dem die Signalleitung 120 die Datenleitung ist, das erste Elektrodenmuster 130 elektrisch zwischen die entsprechende Datenleitung und eine Datentreiberschaltung verbunden, und die Datentreiberschaltung ist dazu konfiguriert, jeweils entsprechende Datensignale an eine Vielzahl von Spalten von Pixeleinheiten 110 in dem Anzeigebereich 101 bereitzustellen, wodurch die Übertragung von Datensignalen durch die Signalleitungen 120 und das erste Elektrodenmuster 130 realisiert wird; beispielsweise spielt das erste Elektrodenmuster 130 ferner zumindest teilweise eine Rolle von Übertragen von Datensignalen. Beispielsweise wandelt die Datentreiberschaltung digitale Bilddaten, die von einer Zeitsteuerung eingegeben werden, unter Verwendung einer Referenz-Gammaspannung gemäß einer Vielzahl von Datensteuersignalen von der Zeitsteuerung, in die Datensignale um. Beispielsweise ist die Datentreiberschaltung als Halbleiterchip implementiert, und der Halbleiterchip wird auf einer flexiblen Leiterplatte montiert und durch ein Bondverfahren mit den Datenleitungen auf dem Anzeigesubstrat gekoppelt.
4 ist ein schematisches Diagramm einer partiellen planaren Struktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Zum Beispiel entspricht 4 dem in 3 gezeigten Bereich REG2. 5A ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Zum Beispiel ist 5A ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur des Anzeigesubstrats 10 entlang der in 3 gezeigten Linie A-A'. 5B ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines anderen Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Zum Beispiel ist 5B ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur des Anzeigesubstrats 10 entlang der in 3 gezeigten Linie B-B'.
Zum Beispiel, wie in 3 bis 5B liegt eine orthographische Projektion des ersten Elektrodenmusters 130 auf dem Basissubstrat 100 innerhalb einer orthographischen Projektion des zweiten Elektrodenmusters 140 auf dem Basissubstrat 100, das heißt, in der Richtung R1 senkrecht zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 bedeckt das zweite Elektrodenmuster 140 das erste Elektrodenmuster 130 vollständig, somit durch Erhöhen des Überlappungsbereichs des ersten Elektrodenmusters 130 und des zweiten Elektrodenmusters 140 in der Richtung R1 senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrats 100 wird die Kapazität des zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kompensationskondensators erhöht, so dass eine stabile Kapazität zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildet werden kann. Somit kann die Kompensationswirkung der Übertragungslast der Signalleitung 120 weiter erhöht werden,und die Stabilität und Konsistenz des Signalübertragungseffekts der Vielzahl von Signalleitungen 120 in dem Anzeigebereich 101 kann weiter erhöht werden.
Es sollte beachtet werden, dass in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung, um den elektrischen Verbindungseffekt zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und der Signalleitung 120 zu verbessern, ist ein Verbinder zum Realisieren der elektrischen Verbindung zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und der Signalleitung 120 zwischen den beiden vorgesehen. Beispielsweise befindet sich der Verbinder in derselben Schicht wie das erste Elektrodenmuster 130 oder die Signalleitungen 120 oder in einer anderen Schicht als das erste Elektrodenmuster 130 und die Signalleitungen 120, was nicht durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung beschränkt ist.
Zum Beispiel sich erstreckt in einigen in 3 gezeigten Ausführungsbeispielen, das erste Elektrodenmuster 130 linear und hat eine Streifenform; jedoch erstreckt sich in anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung das erste Elektrodenmuster 130 in einer gekrümmten Form, einer Faltlinienform oder einer anderen geeigneten Kontur, und die Form des ersten Elektrodenmusters 130 kann beispielsweise die Form einer Ellipsoidform, einer quadratischen Form, einer Zickzackform oder einer anderen geeigneten regelmäßigen Form oder unregelmäßigen Form gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen annehmen. Die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen darauf keine Beschränkung fest.
Beispielsweise, wie in 3 bis 5B sich das zweite Elektrodenmuster 140 auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite des ersten Elektrodenmusters 130 befindet, so dass das zweite Elektrodenmuster 140 eine Rolle von Abschirmen des elektrischen Felds spielt, und die Interferenz auf die auf dem ersten Elektrodenmuster 130 übertragenen elektrischen Signale, die durch andere Strukturen oder Vorrichtungen in dem Anzeigesubstrat 10 verursacht wird, die sich auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite des zweiten Elektrodenmusters 140 befinden, kann geschwächt oder vermieden werden, somit wird die Stabilität des auf der mit dem ersten Elektrodenmuster 130 elektrisch verbundenen Signalleitung 120 übertragenen elektrischen Signals erhöht.
6 ist ein schematisches Diagramm einer partiellen Querschnittsstruktur eines Anzeigebereichs und einer partiellen Querschnittsstruktur eines Peripheriebereichs eines Anzeigesubstrats, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Beispielsweise umfasst die Querschnittsstruktur des in 6 gezeigten Anzeigesubstrats 10 die Querschnittsstruktur des Peripheriebereichs 102 des in 5A gezeigten Anzeigesubstrats 10, oder die partielle Querschnittsstruktur des Peripheriebereichs 102 des in 5B gezeigten Anzeigesubstrats 10, und umfasst ferner eine partielle Querschnittsstruktur des Anzeigebereichs 101 des Anzeigesubstrats 10, wie beispielsweise eine partielle Querschnittsstruktur der Pixeltreiberschaltung der einer Pixeleinheit 110 in dem Anzeigebereich 101.
Beispielsweise, wie in 3 bis 6 umfasst mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten 110 (z. B. jede Pixeleinheit 110) eine Pixeltreiberschaltung, die sich auf dem Basissubstrat 100 befindet, und die Pixeltreiberschaltung umfasst einen Dünnfilmtransistor 160 und einen Speicherkondensator 170. Der Dünnfilmtransistor 160 umfasst eine aktive Schicht 161, eine Gate-Elektrode 162, eine Source-Elektrode 163 und eine Drain-Elektrode 164, und der Speicherkondensator 170 eine erste Kondensatorelektrode 171 und eine zweite Kondensatorelektrode 172 umfasst, die der ersten Kondensatorelektrode 171 in der Richtung R1 senkrecht zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 gegenüberliegt. Die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 sich auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der aktiven Schicht 161 befinden.
Beispielsweise sind das erste Elektrodenmuster 130, die Gate-Elektrode 162 und die erste Kondensatorelektrode 171 in einer gleichen Schicht vorgesehen, und das zweite Elektrodenmuster 140 und die zweite Kondensatorelektrode 172 in einer gleichen Schicht vorgesehen sind. Auf diese Weise kann durch Bilden des ersten Elektrodenmusters 130, die Gate-Elektrode 162 und die erste Kondensatorelektrode 171 in der gleichen Schicht im Herstellungsprozess gebildet (beispielsweise werden das erste Elektrodenmuster 130, die Gate-Elektrode 162 und die erste Kondensatorelektrode 171 durch einen Musterungsprozess gebildet, der auf derselben Materialschicht durchgeführt wird) und Bilden des zweiten Elektrodenmusters 140 und der zweiten Kondensatorelektrode 172 in derselben Schicht in dem Herstellungsprozess der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 vereinfacht werden, und die Herstellungskosten des Anzeigesubstrats 10 können reduziert werden, was für die Massenproduktion und Anwendung des Anzeigesubstrats 10 vorteilhaft ist.
Es sollte angemerkt werden, dass in dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung der Begriff „in einer gleichen Schicht angeordnet“ bedeutet, dass zwei funktionelle Schichten oder strukturelle Schichten in der gleichen Schicht in der geschichteten Struktur des Anzeigesubstrats sind und aus dem gleichen Material hergestellt, das heißt, im Herstellungsprozess werden die beiden Funktionsschichten oder Strukturschichten durch dieselbe Materialschicht gebildet, und das erforderliche Muster und die erforderliche Struktur können durch ein und denselben Musterungsprozess gebildet werden, zum Beispiel wird die Materialschicht zuerst gebildet, und dann werden die zwei Funktionsschichten oder Strukturschichten unter Verwendung der Materialschicht durch ein und denselben Strukturierungsprozess gebildet.
Beispielsweise umfasst das Anzeigesubstrat 10 ferner eine erste Isolierschicht 1101, die sich zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 befindet. Ein Material der ersten Isolierschicht 1101 kann beispielsweise Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid oder andere isolierende Materialien mit einer hohen Dielektrizitätskonstante umfassen. Somit kann durch Verwenden eines Isoliermaterials mit der hohen Dielektrizitätskonstante (wie etwa Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid) als die erste Isolierschicht 1101 zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 ein Kompensationskondensator mit einer größeren Kapazität kann zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildet werden, so dass die Größen des ersten Elektrodenmusters 130 und des zweiten Elektrodenmusters 140 reduziert werden können. Somit kann der Raum, der von dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 in einer Ebene parallel zu dem Basissubstrat 100 eingenommen wird, weiter reduziert werden, was für das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats 10 vorteilhaft ist.
Beispielsweise befindet sich die erste Isolierschicht 1101 zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140, das heißt, zwischen der ersten Kondensatorelektrode 171 und der zweiten Kondensatorelektrode 172, so dass nicht nur die Kapazität des zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kompensationskondensators, sondern auch die Kapazität des zwischen der ersten Kondensatorelektrode 171 und der zweiten Kondensatorelektrode 172 gebildeten Speicherkondensators durch das erste Isolierschicht 1101 erhöht werden können, wodurch die Gesamtleistung des Anzeigesubstrats 10 verbessert wird und die Stabilität des Anzeigesubstrats 10 verbessert wird.
Beispielsweise umfasst das Anzeigesubstrat 10 ferner eine Pufferschicht 1104, eine zweite Isolierschicht 1102 und eine dritte Isolierschicht 1103. Die Pufferschicht 1104 befindet sich auf dem Basissubstrat 100; die aktive Schicht 161 ist auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der Pufferschicht 1104 angeordnet; die zweite Isolierschicht 1102 ist auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der aktiven Schicht 161 entfernt von dem Basissubstrat 100 angeordnet; und das erste Elektrodenmuster 130, die Gate-Elektrode 162 und die erste Kondensatorelektrode 171 befinden sich auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der zweiten Isolierschicht 1102. Die erste Isolierschicht 1101 ist auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite des ersten Elektrodenmusters 130, der Gate-Elektrode 162 und der ersten Kondensatorelektrode 171 angeordnet; das zweite Elektrodenmuster 140 und die zweite Kondensatorelektrode 172 sind auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der ersten Isolierschicht 1101 angeordnet; die dritte Isolierschicht 1103 ist auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite des zweiten Elektrodenmusters 140 und der zweiten Kondensatorelektrode 172 angeordnet; und die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 befinden sich auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der dritten Isolierschicht 1103.
Beispielsweise, wie in 6 gezeigt, sind die Vielzahl von Signalleitungen 120 in der gleichen Schicht wie die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 des Dünnfilmtransistors 160 angeordnet, und das erste Elektrodenmuster 130 ist elektrisch mit den Signalleitungen 120 beispielsweise durch eine Durchgangslochstruktur verbunden, die die erste Isolierschicht 1101 und die dritte Isolierschicht 1103 durchdringt, wodurch die Kompensation der Übertragungslast der Signalleitungen 120 realisiert wird.
Zum Beispiel umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine Schutzschicht (nicht gezeigt) auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der Source-Elektrode 163 und der Drain-Elektrode 164 und ein lichtemittierendes Element (nicht gezeigt) auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite der Schutzschicht; die Source-Elektrode 163 oder die Drain-Elektrode 164 ist elektrisch mit dem lichtemittierenden Element auf der Schutzschicht durch ein Durchgangsloch verbunden, das in der Schutzschicht vorgesehen ist.
Beispielsweise umfasst ein Material der aktiven Schicht 161 Polysilicium oder einen Oxidhalbleiter (beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid). Das Material der Gate-Elektrode 162 kann ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial umfassen, wie beispielsweise eine Metall-Einzelschicht- oder Metall-Mehrschichtstruktur, die durch Molybdän, Aluminium, Titan und dergleichen gebildet wird. Beispielsweise ist die mehrschichtige Metallstruktur eine laminierte Schicht aus mehreren Metallen (wie etwa eine dreischichtige laminierte Metallschicht aus Titan, Aluminium und Titan (Al/Ti/Al)). Das Material der Source-Elektrode 163 und das Material der Drain-Elektrode 164 können ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial umfassen. Beispielsweise sind sowohl die Source-Elektrode 163 als auch die Drain-Elektrode 164 eine metallische Einzelschicht- oder eine metallische Mehrschichtstruktur, die durch Molybdän, Aluminium, Titan usw. gebildet ist. Beispielsweise ist die mehrschichtige Struktur eine laminierte Schicht aus mehreren Metallen (wie etwa eine laminierte Schicht aus drei Schichten aus Metall aus Titan, Aluminium und Titan (Al/Ti/Al)). Die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind nicht besonders auf das Material jeder Struktur- oder Funktionsschicht beschränkt.
Beispielsweise verhindert die Pufferschicht 1104 nicht nur das Eindringen schädlicher Substanzen in dem Basissubstrat 100 in das Anzeigesubstrat 10, sondern erhöht auch die Haftung von Schichten in dem Anzeigesubstrat 10 an dem Basissubstrat 100. Beispielsweise umfasst ein Material der Pufferschicht 1104 ein isolierendes Material wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid und dergleichen. Beispielsweise umfasst ein Material von einem oder mehreren, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus der ersten Isolierschicht 1101, der zweiten Isolierschicht 1102, der dritten Isolierschicht 1103 und der Schutzschicht, ein isolierendes Material wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid und dergleichen. Die Materialien der ersten Isolierschicht 1101, der zweiten Isolierschicht 1102, der dritten Isolierschicht 1103, der Pufferschicht 1104 und der Schutzschicht sind gleich oder voneinander verschieden, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung erlegen keine Beschränkung darauf auf.
Es sei darauf hingewiesen, dass 6 zeigt ein Beispiel, bei dem der Dünnfilmtransistor 160 ein Top-Gate-Dünnfilmtransistor ist, aber in anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist der Dünnfilmtransistor 160 ein Bottom-Gate-Dünnfilmtransistor oder andere geeignete Arten von Dünnfilmtransistoren, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen keine Beschränkung darauf fest.
Es sei darauf hingewiesen, dass sich die spezifische Beschreibung der Pixeltreiberschaltung des Anzeigesubstrats 10 auf den Inhalt eines spezifischen Beispiels der in 7 und 8A-8E gezeigten Pixeltreiberschaltung bezieht, was hier nicht wiederholt wird.
In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung, wie in 3 bis 6 umfasst das Anzeigesubstrat 10 ferner eine erste Spannungsquelle 181, und das zweite Elektrodenmuster 140 dazu konfiguriert ist, ein erstes Spannungssignal von der ersten Spannungsquelle 181 zu empfangen, so dass das zweite Elektrodenmuster 140 eine stabile Spannung aufweist, wodurch die Stabilität des zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kompensationskondensators erhöht wird, und die Interferenz auf die auf dem ersten Elektrodenmuster 130 übertragenen elektrischen Signale, die durch andere Strukturen oder Vorrichtungen vom Anzeigesubstrat 10 verursacht wird, die sich auf einer von dem Basissubstrat 100 entfernten Seite des zweiten Elektrodenmusters 140 befinden, wird durch das erste Spannungssignal weiter geschwächt oder vermieden. Beispielsweise ist das erste Spannungssignal ein Spannungssignal mit hohem Pegel oder ein Spannungssignal mit niedrigem Pegel, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen keine Beschränkung darauf auf.
Beispielsweise, wie in 3-6 gezeigt umfasst der Peripheriebereich 102 ferner ein Stromkabelmuster 182. Das Stromleitungsmuster 182 ist elektrisch mit der ersten Spannungsquelle 181 verbunden, und das zweite Elektrodenmuster 140 ist elektrisch mit dem Stromleitungsmuster 182 verbunden, um das erste Spannungssignal durch das Stromleitungsmuster 182 zu empfangen. Somit wird die Layoutstruktur des Anzeigesubstrats 10 geändert, wodurch das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats 10 erleichtert und der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 vereinfacht wird.
Beispielsweise ist in einigen Beispielen in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats 100 das Leistungsleitungsmuster 182 zwischen der ersten Spannungsquelle 181 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 angeordnet, oder auf einer von dem Anzeigebereich 101 entfernten Seite der ersten Spannungsquelle 181 und des zweiten Elektrodenmusters 140 angeordnet; alternativ überlappt in einigen Beispielen das Stromleitungsmuster 182 zumindest teilweise das zweite Elektrodenmuster 140 in der Richtung senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrats 100, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung erlegen keine Beschränkung darauf auf.
Beispielsweise befindet sich das Stromleitungsmuster 182 in derselben Schicht wie die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 des Dünnfilmtransistors 160, und das zweite Elektrodenmuster 140 ist elektrisch mit dem Stromleitungsmuster 182 durch eine Durchgangslochstruktur verbunden, die durch die dritte Isolierschicht 1103 hindurchdringt, wodurch die Layoutstruktur im Peripheriebereich 102 des Anzeigesubstrats 10 optimiert wird.
Beispielsweise ist in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats 100 zumindest ein Teil (z. B. insgesamt) des zweiten Elektrodenmusters 140 elektrisch zwischen dem Stromleitungsmuster 182 und der Vielzahl von Pixeleinheiten verbunden 110, und das Stromleitungsmuster 182 stellt das erste Spannungssignal an zumindest einem Teil der Vielzahl von Pixeleinheiten 110 durch das zweite Elektrodenmuster 140 bereit. Während das zweite Elektrodenmuster 140 und das erste Elektrodenmuster 130 auf diese Weise einen Kompensationskondensator bilden, um die Übertragungslast auf der Signalleitung 120 zu kompensieren, die elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbunden ist, wird das zweite Elektrodenmuster 140 ferner verwendet, um das Leistungsspannungssignal (d. h. das erste Spannungssignal) zur Anzeige zu übertragen, so dass die Layoutstruktur des Anzeigesubstrats 10 weiter optimiert werden kann, das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats 10 erleichtert werden kann und die Stabilität des Anzeigesubstrats 10 ebenfalls erhöht werden kann.
Wie in 3 gezeigt ist das zweite Elektrodenmuster 140 elektrisch mit einer Vielzahl von ersten Stromleitungen 183 in dem Anzeigebereich 101 verbunden, um das erste Spannungssignal, das von der ersten Spannungsquelle 181 bereitgestellt wird, durch die ersten Stromleitungen 183 in die Pixeleinheit 110 zu übertragen. Beispielsweise ist die erste Stromleitung 183 in der gleichen Schicht wie die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 des Dünnfilmtransistors 160 angeordnet, und das zweite Elektrodenmuster 140 ist elektrisch mit der ersten Stromleitung 183 beispielsweise durch eine Durchgangslochstruktur verbunden, die die dritte Isolierschicht 1103 durchdringt.
Beispielsweise, wie in 3 bis 6 gezeigt, umfasst der Peripheriebereich 102 des Anzeigesubstrats 10 eine Vielzahl von erste Elektrodenmuster 130, und die Vielzahl von ersten Elektrodenmuster 130 sind in Intervallen angeordnet. Beispielsweise umfasst der Peripheriebereich 102 in der Richtung parallel zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 ferner ein Abstandsmuster 190, das sich zwischen zwei benachbarten ersten Elektrodenmustern 130 befindet und von den ersten Elektrodenmustern 130 voneinander isoliert ist. Das Abstandsmuster 190 kann eine Signalinterferenz zwischen den benachbarten ersten Elektrodenmustern 130 verringern oder vermeiden und die Stabilität des auf den ersten Elektrodenmustern 130 übertragenen elektrischen Signals erhöhen.
In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist das Abstandsmuster 190 dazu konfiguriert, ein zweites Spannungssignal von einer zweiten Spannungsquelle zu empfangen, die sich von der ersten Spannungsquelle unterscheidet, so dass das Abstandsmuster 190 und die benachbarten ersten Elektrodenmuster 130 Kondensatoren in einer Ebene parallel zur Substratoberfläche des Basissubstrats 100 bilden können, wodurch der Kompensationseffekt der Übertragungslast auf der elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbundenen Signalleitung 120 weiter erhöht wird, und die Stabilität und Konsistenz des Signalübertragungseffekts einer Vielzahl von Signalleitungen 120 in dem Anzeigebereich 101 weiter erhöht werden.
In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung ist das Abstandsmuster 190 elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster 140 verbunden, um das erste Spannungssignal von der ersten Spannungsquelle 181 zu empfangen, so dass die Layoutstruktur in dem Peripheriebereich 102 des Anzeigesubstrats 10 weiter optimiert werden kann auf der Grundlage, dass es dem Abstandsmuster 190 und den benachbarten ersten Elektrodenmustern 130 ermöglicht wird, Kondensatoren in der Ebene parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats 100 zu bilden, was für das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats 10 vorteilhaft ist.
Beispielsweise, wie in 3 gezeigt ist das Abstandsmuster 190 durch die erste Stromleitung 183 elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster 140 verbunden. Das Abstandsmuster 190 ist in der gleichen Schicht wie die aktive Schicht 161 des Dünnfilmtransistors 160 angeordnet und ist elektrisch mit der ersten Stromleitung 183 durch eine Durchgangsstruktur verbunden, die zumindest die erste Isolierschicht 1101, die zweite Isolierschicht 1102 und die dritte Isolierschicht 1103 durchdringt, um weiter elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster 140 verbunden zu sein. Somit werden das Abstandsmuster 190 und die aktive Schicht 161 des Dünnfilmtransistors 160 im Herstellungsprozess in derselben Schicht ausgebildet (Beispielsweise werden das Abstandsmuster 190 und die aktive Schicht 161 des Dünnfilmtransistors 160 durch ein Musterungsverfahren aus der gleichen Materialschicht gebildet), so dass der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 weiter vereinfacht und die Herstellungskosten des Anzeigesubstrats 10 reduziert werden können, was für die Massenproduktion und Anwendung des Anzeigesubstrats 10 vorteilhaft ist.
In dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung erstreckt sich das Abstandsmuster 190 linear und hat eine Streifenform; jedoch erstreckt sich in anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung das Abstandsmuster 190 in einer gekrümmten Form, einer Faltlinienform oder einer anderen geeigneten Kontur, und die Form des ersten Abstandsmusters 190 kann beispielsweise die Form einer Ellipsoidform, einer quadratischen Form, einer Zickzackform oder einer anderen geeigneten regelmäßigen Form oder unregelmäßigen Form gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen annehmen. Die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen darauf keine Beschränkung fest.
Nimmt beispielsweise man als Beispiel das Abstandsmuster 190 in der Streifenform, das in 3-6 gezeigt ist, umfasst das Abstandsmuster 190 in der Erstreckungsrichtung des Abstandsmusters 190 ein erstes Ende und ein zweites Ende, die einander gegenüberliegen, und das erste Ende ist näher an dem Anzeigebereich 101 als das zweite Ende. Das erste Ende des Abstandsmusters 190 ist elektrisch mit der ersten Stromleitung 183 verbunden, beispielsweise durch eine Durchgangslochstruktur, die zumindest die erste Isolierschicht 1101, die zweite Isolierschicht 1102 und die dritte Isolierschicht 1103 durchdringt, und weiter elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster 140 verbunden, um das erste Spannungssignal zu empfangen; das zweite Ende des Abstandsmusters 190 befindet sich in einem aufgehängten Zustand, so dass die entsprechende Durchgangslochstruktur nicht vorgesehen zu werden braucht, wodurch die Anzahl der im Anzeigesubstrat 10 bereitzustellenden Durchgangslöcher reduziert wird und der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 weiter vereinfacht wird. Alternativ sind in anderen Beispielen der vorliegenden Offenbarung das erste Ende und das zweite Ende des Abstandsmusters 190 beide elektrisch mit der ersten Stromleitung 183 oder dem zweiten Elektrodenmuster 140 durch eine Durchgangslochstruktur verbunden, um gleichzeitig das erste Spannungssignal zu empfangen, wodurch die Stabilität des ersten Spannungssignals erhöht wird, das auf dem Abstandsmuster 190 übertragen wird, was nicht durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung beschränkt ist.
Da der Peripheriebereich 102, der mit dem Abstandsmuster 190 versehen ist, in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung, den Anzeigebereich 101 zumindest teilweise umgibt und entlang der Kante des Anzeigebereichs 101 vorgesehen ist, kann durch Bereitstellen des Abstandsmusters 190 in derselben Schicht wie die aktive Schicht 161 des Dünnfilmtransistors 160 das Überätzen des nahe dem Randsteil liegenden aktiven Schicht des Anzeigebereichs 101 im Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 geschwächt oder vermieden werden, so dass die Ätzgleichmäßigkeit an der Grenzposition des Anzeigebereichs 101 erhöht werden kann und ein besserer Ätzeffekt erzielt werden kann.
Beispielsweise, wie in 3-6 gezeigt, ist das zweite Elektrodenmuster 140 kontinuierlich entlang der Kante des Anzeigebereichs 101 vorgesehen, und das zweite Elektrodenmuster 140 überlappt zumindest teilweise mit den Vielzahl von ersten Elektrodenmustern 130 in der Richtung R1 senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrat 100 und ist von den ersten Elektrodenmustern 130 beabstandet und von diesen isoliert vorgesehen, so dass die Konsistenz und Stabilität des auf dem zweiten Elektrodenmuster 140 übertragenen ersten Spannungssignals erhöht werden kann, wodurch die Konsistenz und Stabilität der Vielzahl von Kompensationskondensatoren erhöht wird, die jeweils zwischen dem zweiten Elektrodenmuster 140 und der Vielzahl von ersten Elektrodenmustern 130 gebildet sind, und der Signalübertragungseffekt der Signalleitungen 120 weiter erhöht wird, die elektrisch mit den ersten Elektrodenmustern 130 verbunden sind. Darüber hinaus ist das kontinuierlich angeordnete zweite Elektrodenmuster 140 auch hilfreich, um den Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats 10 zu vereinfachen und die Herstellungskosten des Anzeigesubstrats 10 zu reduzieren, was für die Massenproduktion und Anwendung des Anzeigesubstrats 10 vorteilhaft ist.
Nimmt beispielsweise man als Beispiel das spezifische Beispiel des Anzeigesubstrats 10, das in 2A gezeigt ist, ist das zweite Elektrodenmuster 140 kontinuierlich entlang der Kante des Anzeigebereichs 101 angeordnet und hat eine gestufte Form, das heißt, die Elektrodenmuster an den oberen und unteren Stufen benachbart zueinander sind miteinander verbunden, wodurch ein ganzes Stück des zweiten Elektrodenmusters 140 gebildet wird, und auf diese Weise kann der Spannungsabfall, wenn das erste Spannungssignal durch die zweiten Elektrodenmuster 140 übertragen wird, verringert werden, und damit die Helligkeitsgleichförmigkeit und -konsistenz der Anzeigebilder kann weiter erhöht werden.
Beispielsweise, wie in 2A gezeigt, umfasst die Vielzahl von Pixeleinheiten 110 eine erste Spalte von Pixeleinheiten 111 und eine zweite Spalte von Pixeleinheiten 112, und die Anzahl von Pixeleinheiten 110 in der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 ist kleiner als die in der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112; und die Signalleitung 120, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 verbunden ist, ist elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster 130 verbunden. Somit kompensiert der zwischen dem einen ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildete Kompensationskondensator die Übertragungslast der Signalleitung 120, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 verbunden ist, um den Signalübertragungseffekt auf der Signalleitung 120 zu erhöhen, so dass die Signalübertragungswirkung auf der Signalleitung 120 im Wesentlichen mit derjenigen anderer Signalleitungen 120 (zum Beispiel die Signalleitung 120, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbunden ist) übereinstimmt.
Beispielsweise kann die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbundene Signalleitung 120 auch elektrisch mit einem anderen ersten Elektrodenmuster 130 verbunden sein, und ein Betrag der zwischen dem zweiten Elektrodenmuster 140 und dem einen ersten Elektrodenmuster 130 gebildeten Kompensationskapazität, das elektrisch mit der elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 verbundenen Signalleitung 120 verbunden ist, ist größer als ein Betrag der zwischen dem zweiten Elektrodenmuster 140 und dem einen anderen ersten Elektrodenmuster 130 gebildeten Kompensationskapazität, das elektrisch mit der elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbundenen Signalleitung 120 verbunden ist. Durch Verwenden unterschiedlicher Beträge der Kompensationskapazität, um jeweils die Übertragungslast der Signalleitung 120, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 verbunden ist, und die Übertragungslast der Signalleitung 120, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbunden ist, zu kompensieren, können somit die Stabilität und Konsistenz zwischen dem Signalübertragungseffekt der Signalleitung 120, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 verbunden ist, und dem Signalübertragungseffekt der Signalleitung 120, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbunden ist, erhöht werden. Somit können die Konsistenz und Stabilität der Signalübertragungseffekte der Vielzahl von Signalleitungen 120 in dem Anzeigebereich 101 erhöht werden, und der Anzeigeeffekt des bereitgestellten Anzeigebildschirms kann damit erhöht werden, und die Anzeigeanomalie oder das schlechte Phänomen des Anzeigebildschirms können abgeschwächt oder vermieden werden.
Die Vielzahl von Pixeleinheiten 110 umfasst beispielsweise ferner eine dritte Spalte von Pixeleinheiten 113, die eine Lastkompensation für die Signalleitungen 120 bereitstellen kann, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 und der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbunden sind, unter Nehmen der Übertragungslast der Signalleitungen 120, die elektrisch mit der dritten Spalte von Pixeleinheiten 113 verbunden sind, als Standard, so dass die kompensierten Übertragungslasten der Signalleitungen 120, die jeweils elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten 111 und der zweiten Spalte von Pixeleinheiten 112 verbunden sind, im Wesentlichen dieselben sind wie diejenigen der Signalleitungen 120, die elektrisch mit der dritten Spalte von Pixeleinheiten 113 verbunden sind, so dass die Übertragungslasten der Signalleitungen 120 in dem Anzeigesubstrat 10, die elektrisch mit jeweiligen Spalten von Pixeleinheiten 110 verbunden sind, im Wesentlichen konsistent sind, wodurch die Konsistenz von Signalübertragungseffekten jeweiliger Signalleitungen 120 in dem Anzeigebereich 101 erhöht wird und der Anzeigeeffekt der Anzeigebilder erhöht wird.
Beispielsweise sind die Länge des ersten Elektrodenmusters 130 in Spaltenrichtung und die Länge des zweiten Elektrodenmusters 140 in Spaltenrichtung unterschiedlich oder die Länge des ersten Elektrodenmusters 130 in Zeilenrichtung und die Länge des zweiten Elektrodenmuster 140 in Zeilenrichtung unterschiedlich sind. Beispielsweise sind die Länge des ersten Elektrodenmusters 130 in der Spaltenrichtung oder der Zeilenrichtung und die Länge des zweiten Elektrodenmusters 140 in der Spaltenrichtung oder der Zeilenrichtung so ausgelegt, dass sie eine unterschiedliche Lastkompensation bereitstellen. Nimmt zum Beispiel man als Beispiel den Fall, in dem die Datensignale an die jeweilige Spalte von Pixeleinheiten 110 in dem Anzeigebereich 101 durch die Signalleitungen 120 bereitgestellt werden, ist es für die eine Spalte mit einer kleinen Anzahl von Pixeleinheiten 110 notwendig, ein größere Menge an Lastkompensation an der Signalleitung 120 bereitzustellen, die elektrisch mit der Spalte von Pixeleinheiten 110 verbunden ist, daher müssen das erste Elektrodenmuster 130 und das zweite Elektrodenmuster 140 eine größere Länge in der Spaltenrichtung oder der Zeilenrichtung haben, das heißt, je kleiner die Anzahl von Pixeleinheiten 110 ist, die in der einen Spalte enthalten sind, desto größer muss der Lastkompensationsbetrag der Signalleitung 120 bereitgestellt werden, die elektrisch mit dieser einen Spalte von Pixeleinheiten 110 verbunden ist. Somit können das erste Elektrodenmuster 130 und das zweite Elektrodenmuster 140 flexibel im Peripheriebereich 102 vorgesehen werden und die Layoutstruktur im Peripheriebereich 102 des Anzeigesubstrats 10 damit kann weiter optimiert werden.
Beispielsweise in dem Fall, in dem die Übertragungslast auf der Signalleitung 120, die elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbunden ist, durch den zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 gebildeten Kompensationskondensator kompensiert wird, Kann gemäß dem erforderlichen Kompensationsbetrag das erste Ende oder das zweite Ende der Signalleitung 120 elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster 130 verbunden sein, wie in 2A oder 2B gezeigt, oder es ist auch möglich, wie in 2C gezeigt, dass das erste Ende der Signalleitung 120 wird elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster 130 verbunden und das zweite Ende der Signalleitung 120 wird elektrisch mit einem anderen ersten Elektrodenmuster 130 verbunden, das heißt, die zwei Enden der Signalleitung 120 werden jeweils elektrisch mit zwei ersten Elektrodenmustern 130 verbunden, um den Lastkompensationsbetrag zu erhöhen. Die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf diesen Fall beschränkt.
In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung schneidet eine Erstreckungsrichtung von zumindest einem Teil der Kante des Anzeigebereichs 101 des Anzeigesubstrats 10 eine Erstreckungsrichtung der Signalleitung 120 und ist nicht senkrecht zu dieser. Beispielsweise kann gemäß den tatsächlichen Anforderungen des Benutzers an die Form des Anzeigesubstrats 10 das Anzeigesubstrat 10 mit unterschiedlichen Formen oder Konturen entworfen und bereitgestellt werden, wobei die Form nicht nur auf ein einzelnes quadratisches Anzeigesubstrat mit rechten Winkeln beschränkt ist.
Beispielsweise kann das Anzeigesubstrat, das durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wie beispielsweise das Anzeigesubstrat 10 oder das Anzeigesubstrat 20, ein organisches Leuchtdioden-Anzeigesubstrat sein.
Beispielsweise kan das Anzeigesubstrat, das durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, auch ein Substrat mit Anzeigefunktion, wie etwa ein Quantenpunkt-Leuchtdioden-Anzeigesubstrat, ein Anzeigesubstrat aus elektronisches Papier oder andere Arten von Anzeigesubstraten sein, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf diese beschränkt.
7 ist ein Ersatzschaltbild einer Pixeltreiberschaltung eines Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, und 8A-8E sind schematische Diagramme verschiedener Schichten einer Pixeltreiberschaltung eines Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Beispielsweise kann der in 6 gezeigte Speicherkondensator 170 der Speicherkondensator Cst in der in den 7 und 8A gezeigten Pixeltreiberschaltung 7120 sein. Der in 6 gezeigte Dünnfilmtransistor 160 kann mindestens einer der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren T1, T2, T3, T4, T5, T6 und T7 in der in 7 und 8A gezeigten Pixeltreiberschaltung 7120 sein. Es sollte angemerkt werden, dass die spezifische Struktur der in 7 und 8A gezeigten Pixeltreiberschaltung 7120 nur eine beispielhafte Darstellung ist und Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung dies beinhalten, aber nicht darauf beschränkt sind.
In einigen Ausführungsbeispielen, wie in 7 gezeigt, umfasst die Pixeltreiberschaltung 7120 eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren T1, T2, T3, T4, T5, T6 und T7, eine Vielzahl von Signalleitungen (einschließlich beispielsweise der Signalleitungen 120 in dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel), die mit den Vielzahl von Dünnfilmtransistoren T1, T2, T3, T4, T5, T6 und T7 verbunden sind, und einem Speicherkondensator Cst, und die Vielzahl von Signalleitungen umfassen eine Gate-Leitung GL, eine Lichtemissionssteuerleitung EM, eine Initialisierungsleitung RL, eine Datenleitung DL und eine erste Stromleitung VDD (beispielsweise die erste Stromleitung 183 in dem obigen Ausführungsbeispiel) usw. Die Gate-Leitung GL umfasst beispielsweise eine erste Gate-Leitung GLn und eine zweite Gate-Leitung GLn-1, und beispielsweise ist die erste Gate-Leitung GLn dazu konfiguriert, ein Gate-Abtastsignal zu übertragen, und die zweite Gate-Leitung GLn-1 ist dazu konfiguriert, ein Rücksetzsignal zu übertragen. Die Lichtemissionssteuerleitung EM ist dazu konfiguriert, ein Lichtemissionssteuersignal zu übertragen. Auf diese Weise ist die Pixeltreiberschaltung 7120 eine 7T1C-Pixeltreiberschaltung.
Nimmt zum Beispiel man Beispiel den Fall, in dem die Signalleitung 120 in dem obigen Ausführungsbeispiel die Datenleitung DL ist, wird die Übertragungslast der Datenleitung DL, die elektrisch mit dem ersten Elektrodenmuster 130 verbunden ist, kompensiert, durch den zwischen dem ersten Elektrodenmuster 130 und dem zweiten Elektrodenmuster 140 ausgebildete Kompensationskondensator Ccp, wodurch der Kompensationseffekt des auf der Datenleitung DL übertragenen Datensignals verbessert wird.
Beispielsweise ist die erste Stromleitung VDD direkt elektrisch mit dem Stromkabelmuster 182 in dem obigen Ausführungsbeispiel verbunden, um das erste Spannungssignal zu empfangen, das von der ersten Spannungsquelle 181 bereitgestellt wird, oder ist auch elektrisch mit dem Stromkabelmuster 182 verbunden durch elektrisches Verbinden mit dem zweiten Drahtmuster 140 in dem obigen Ausführungsbeispiel.
Es sei darauf hingewiesen, dass die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung dies beinhalten, aber nicht darauf beschränkt sind, und die Pixeltreiberschaltung 7120 auch andere Arten von Schaltungsstrukturen annehmen kann, wie etwa eine 7T2C-Struktur oder eine 9T2C-Struktur, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen dem Typ der Pixeltreiberschaltung keine Beschränkung auf.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die erste Gate-Elektrode G1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 elektrisch mit der dritten Drain-Elektrode D3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 und der vierten Drain-Elektrode D4 des vierten Dünnfilmtransistors T4 verbunden. Die erste Source-Elektrode S1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 ist elektrisch mit der zweiten Drain-Elektrode D2 des zweiten Dünnfilmtransistors T2 und der fünften Drain-Elektrode D5 des fünften Dünnfilmtransistors T5 verbunden. Die erste Drain-Elektrode D1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 ist elektrisch mit der dritten Source-Elektrode S3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 und der sechsten Source-Elektrode S6 des sechsten Dünnfilmtransistors T6 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die zweite Gate-Elektrode G2 des zweiten Dünnfilmtransistors T2 so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der ersten Gate-Leitung GLn verbunden ist, um das Gate-Abtastsignal zu empfangen, die zweite Source-Elektrode S2 des zweiten Dünnfilmtransistors T2 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der Datenleitung DL verbunden ist, um das Datensignal zu empfangen, und die zweite Drain-Elektrode D2 des zweiten Dünnfilmtransistors T2 ist elektrisch mit der ersten Source-Elektrode S1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die dritte Gate-Elektrode G3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 elektrisch mit der ersten Gate-Leitung GLn verbunden, die dritte Source-Elektrode S3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 ist elektrisch mit der ersten Drain-Elektrode D1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 verbunden, und die dritte Drain-Elektrode D3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 ist elektrisch mit der ersten Gate-Elektrode G1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die vierte Gate-Elektrode G4 des vierten Dünnfilmtransistors T4 so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der zweiten Gate-Leitung GLn-1 verbunden ist, um das Rücksetzsignal zu empfangen, die vierte Source-Elektrode S4 des vierten Dünnfilmtransistors T4 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der Initialisierungsleitung RL verbunden ist, um das Initialisierungssignal zu empfangen, und die vierte Drain-Elektrode D4 des vierten Dünnfilmtransistors T4 ist elektrisch mit der ersten Gate-Elektrode G1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die fünfte Gate-Elektrode G5 des fünften Dünnfilmtransistors T5 so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der Lichtemissionssteuerleitung EM verbunden ist, um das Lichtemissionssteuersignal zu empfangen, die fünfte Source-Elektrode S5 des fünften Dünnfilmtransistors T5 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der ersten Stromleitung VDD verbunden ist, um ein erstes Stromversorgungssignal zu empfangen, und die fünfte Drain-Elektrode D5 des fünften Dünnfilmtransistors T5 ist elektrisch mit der ersten Source-Elektrode S1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die sechste Gate-Elektrode G6 des sechsten Dünnfilmtransistors T6 so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der Lichtemissionssteuerleitung EM verbunden ist, um das Lichtemissionssteuersignal zu empfangen, die sechste Source-Elektrode S6 des sechsten Dünnfilmtransistors T6 ist elektrisch verbunden mit der ersten Drain-Elektrode D1 des ersten Dünnfilmtransistors T1, und die sechste Drain-Elektrode D6 des sechsten Dünnfilmtransistors T6 ist elektrisch mit der ersten Anzeigeelektrode (z. B. Anode) des lichtemittierenden Elements verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, ist die siebte Gate-Elektrode G7 des siebten Dünnfilmtransistors T7 so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der zweiten Gate-Leitung GLn-1 verbunden ist, um das Rücksetzsignal zu empfangen, die siebte Source-Elektrode S7 des siebten Dünnfilmtransistors T7 ist elektrisch mit der ersten Anzeigeelektrode (z. B. Anode) des lichtemittierenden Elements verbunden, und die siebte Drain-Elektrode D7 des siebten Dünnfilmtransistors T7 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit der Initialisierungsleitung RL verbunden ist, um das Initialisierungssignal zu empfangen. Beispielsweise wird die siebte Drain-Elektrode D7 des siebten Dünnfilmtransistors T7, indem sie mit der vierten Source-Elektrode S4 des vierten Dünnfilmtransistors T4 verbunden ist, eine elektrische Verbindung mit der Initialisierungsleitung RL hergestellt.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, umfasst der Speicherkondensator Cst eine erste Kondensatorelektrode CE1 und eine zweite Kondensatorelektrode CE2 (wie beispielsweise die erste Kondensatorelektrode 171 und die zweite Kondensatorelektrode 172 in dem obigen Ausführungsbeispiel). Die zweite Kondensatorelektrode CE2 ist elektrisch mit der ersten Stromleitung VDD verbunden, und die erste Kondensatorelektrode CE1 ist elektrisch mit der ersten Gate-Elektrode G1 des ersten Dünnfilmtransistors T1 und der dritten Drain-Elektrode D3 des dritten Dünnfilmtransistors T3 verbunden.
Beispielsweise, wie in 7 gezeigt, die zweite Anzeigeelektrode (z. B. Kathode) des lichtemittierenden Elements elektrisch mit der zweiten Stromleitung VSS verbunden.
Es sei darauf hingewiesen, dass eine von der ersten Stromleitung VDD und der zweiten Stromleitung VSS eine Stromleitung zum Bereitstellen einer hohen Spannung ist, und die andere eine Stromleitung zum Bereitstellen einer niedrigen Spannung ist. In dem in 7 gezeigten Ausführungsbeispiel stellt die erste Stromleitung VDD (zum Beispiel die oben erwähnte erste Stromleitung 183, die elektrisch mit der ersten Spannungsquelle 181 verbunden ist) eine konstante erste Spannung (d. h. das oben erwähnte erste Spannungssignal) bereit, und die erste Spannung eine positive Spannung ist; und die zweite Stromleitung VSS stellt eine konstante zweite Spannung bereit und die zweite Spannung ist eine negative Spannung, usw. Beispielsweise ist in einigen Beispielen die zweite Spannung eine Massespannung.
Es sei darauf hingewiesen, dass in einigen Ausführungsbeispielen das oben erwähnte Rücksetzsignal und das oben erwähnte Initialisierungssignal ein dasselbes Signal sind.
Es sei darauf hingewiesen, dass gemäß den Eigenschaften eines Transistors die Transistoren in Transistoren vom N-Typ und Transistoren vom P-Typ unterteilt werden können. Aus Gründen der Klarheit nimmt der Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zum Erklären als Beispiel den Fall, in dem die Transistoren Transistoren vom P-Typ (zum Beispiel MOS-Transistoren vom P-Typ) sind, das heißt, in der Beschreibung der vorliegenden Offenbarung sind alle der erste Transistor T1, der zweite Transistor T2, der dritte Transistor T3, der vierte Transistor T4, der fünfte Transistor T5, der sechste Transistor T6 und der siebte Transistor T7 Transistoren vom P-Typ. Die Transistoren der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind jedoch nicht auf Transistoren vom P-Typ beschränkt, und Fachleute können auch die Funktionen eines oder mehrerer Transistoren in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung realisieren, indem sie N-Typ-Transistoren (zum Beispiel N-Typ-MOS-Transistoren) gemäß den tatsächlichen Anforderungen verwenden.
Es sei darauf hingewiesen, dass die in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung verwendeten Transistoren Dünnfilmtransistoren oder Feldeffekttransistoren oder andere Schaltvorrichtungen mit den gleichen Eigenschaften sein können, und die Dünnfilmtransistoren können Oxidhalbleiter-Dünnfilmtransistoren, amorphe Silizium-Dünnfilmtransistoren oder Polysilizium-Dünnfilmtransistoren usw. umfassen. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors können symmetrisch aufgebaut sein, und daher können die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors in ihrer physikalischen Struktur unterscheidbar sein. In den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des gesamten oder eines Teils der Transistoren nach Bedarf austauschbar.
Beispielsweise ist 8A ein schematisches Diagramm der Stapelpositionsbeziehung der Halbleiterschicht, der ersten leitenden Schicht, der zweiten leitenden Schicht und der dritten leitenden Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120.
8B zeigt die Halbleiterschicht der Pixeltreiberschaltung 7120. Wie in 8B gezeigt, wird die Halbleiterschicht durch Strukturieren eines Halbleitermaterials gebildet. Die Halbleiterschicht wird verwendet, um die aktiven Schichten des oben erwähnten ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2, des dritten Dünnfilmtransistors T3, des vierten Dünnfilmtransistors T4, des fünften Dünnfilmtransistors T5, des sechsten Dünnfilmtransistors T6 und des siebten Dünnfilmtransistor T7, und Jede aktive Schicht kann einen Source-Bereich, einen Drain-Bereich und einen Kanalbereich zwischen den Source- und Drain-Bereichen enthalten. Beispielsweise kann die Halbleiterschicht aus amorphem Silizium, Polysilizium, Oxidhalbleitermaterialien usw. bestehen. Es sollte angemerkt werden, dass der oben erwähnte Source-Bereich und der Drain-Bereich Bereiche sein können, die mit Verunreinigungen vom n-Typ oder vom p-Typ dotiert sind.
Beispielsweise befinden sich die aktive Schicht 161 und das Abstandsmuster 190 in den oben erwähnten Ausführungsbeispielen in der oben erwähnten Halbleiterschicht.
In dem Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wird eine Gate-Isolierschicht (zum Beispiel die zweite Isolierschicht 1102 in den obigen Ausführungsbeispielen, nicht gezeigt in den 8A-8E) auf der oben erwähnten Halbleiterschicht gebildet, um die oben erwähnte Halbleiterschicht zu schützen.
8C zeigt die erste leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120. Wie beispielsweise in 8C gezeigt, ist die erste leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120 auf der Gate-Isolierschicht so angeordnet, dass sie von der in 8B gezeigten Halbleiterschicht isoliert ist. Die erste leitende Schicht umfasst beispielsweise die erste Kondensatorelektrode CE1 des Speicherkondensators Cst, die erste Gate-Leitung GLn, die zweite Gate-Leitung GLn-1, die Lichtemissionssteuerleitung EM und die Gate-Elektroden des ersten Dünnfilmtransistors T1, des zweiten Dünnfilmtransistors T2, des dritten Dünnfilmtransistors T3, des vierten Dünnfilmtransistors T4, des fünften Dünnfilmtransistors T5, des sechsten Dünnfilmtransistors T6 und des siebten Dünnfilmtransistors T7. Wie in 8C gezeigt, sind die Gate-Elektroden des zweiten Dünnfilmtransistors T2, des vierten Dünnfilmtransistors T4, des fünften Dünnfilmtransistors T5, des sechsten Dünnfilmtransistors T6 und des siebten Dünnfilmtransistors T7 die Teile der ersten Gate-Leitung GLn und der zweiten Gate-Leitung GLn-1, die mit der Halbleiterschicht überlappen; der dritte Dünnfilmtransistor T3 ist ein Dünnfilmtransistor mit doppelten Gate-Elektroden, die eine Gate-Elektrode des dritten Dünnfilmtransistors T3 ist der Teil der ersten Gate-Leitung GLn, der die Halbleiterschicht überlappt, und die andere Gate-Elektrode des dritten Dünnfilmtransistors T3 ist ein Vorsprungsteil, der von der ersten Gate-Leitung GLn vorsteht; die Gate-Elektrode des ersten Dünnfilmtransistors T1 ist die erste Kondensatorelektrode CE1. Der vierte Dünnfilmtransistor T4 ist ein Dünnfilmtransistor mit doppelten Gate-Elektroden, und die zwei Gate-Elektroden sind die Teile der zweiten Gate-Leitung GLn-1, die mit der Halbleiterschicht überlappen.
Das erste Elektrodenmuster 130, die Gate-Elektrode 162 und die erste Kondensatorelektrode 171 in dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel sich beispielsweise in der oben erwähnten ersten leitenden Schicht befinden.
In dem Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wird eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht (zum Beispiel die erste Isolierschicht 1101 in den obigen Ausführungsbeispielen, nicht gezeigt in den 8A - 8E) auf der oben erwähnten ersten leitenden Schicht gebildet, um die oben erwähnte erste leitende Schicht zu schützen.
8D zeigt die zweite leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120. Wie beispielsweise in 8D gezeigt, umfasst die zweite leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120 die zweite Kondensatorelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst und die Initialisierungsleitung RL. Die zweite Kondensatorelektrode CE2 überlappt zumindest teilweise mit der ersten Kondensatorelektrode CE1, um den Speicherkondensator Cst zu bilden.
Beispielsweise befinden sich das zweite Elektrodenmuster 140 und die zweite Kondensatorelektrode 172 in dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel in der oben erwähnten zweiten leitenden Schicht.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die zweite leitende Schicht ferner einen ersten Lichtabschirmteil 791 und einen zweiten Lichtabschirmteil 792. Eine orthografische Projektion des ersten Lichtabschirmteils 791 auf das Basissubstrat 710 bedeckt die aktive Schicht des zweiten Dünnfilmtransistors T2, die aktive Schicht zwischen der Drain-Elektrode des dritten Dünnfilmtransistors T3 und der Drain-Elektrode der vierten Dünnschicht Transistor T4, wodurch verhindert wird, dass externes Licht die aktiven Schichten des zweiten Dünnfilmtransistors T2, des dritten Dünnfilmtransistors T3 und des vierten Dünnfilmtransistors T4 beeinflusst. Eine orthographische Projektion des zweiten Lichtabschirmteils 792 auf das Basissubstrat 710 bedeckt die aktive Schicht zwischen den zwei Gate-Elektroden des dritten Dünnfilmtransistors T3, wodurch verhindert wird, dass externes Licht die aktive Schicht des dritten Dünnfilmtransistors T3 beeinflusst. Der erste Lichtabschirmteil 791 und der zweite Lichtabschirmteil 792 der benachbarten Pixeltreiberschaltung sind dine integrale Struktur, und der erste Lichtabschirmteil 791 ist elektrisch mit der ersten Stromleitung VDD durch ein Durchgangsloch verbunden, das eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt.
In dem Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht (zum Beispiel die dritte Isolierschicht 1103 in den obigen Ausführungsbeispielen, nicht gezeigt in den 8A-8E) auf der oben erwähnten zweiten leitenden Schicht gebildet, um die oben erwähnte zweite leitende Schicht zu schützen.
8E zeigt die dritte leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120. Wie beispielsweise in 8E gezeigt umfasst die dritte leitende Schicht der Pixeltreiberschaltung 7120 die Datenleitung DL (wie beispielsweise die Signalleitung 120 in dem obigen Ausführungsbeispiel) und die erste Stromleitung VDD (wie beispielsweise die erste Stromleitung 183 in dem obigen Ausführungsbeispiel). Unter Bezugnahme auf 8A und 8E ist die Datenleitung DL mit dem Source-Bereich des zweiten Dünnfilmtransistors T2 in der Halbleiterschicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der Gate-Isolierschicht, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden. Die erste Stromleitung VDD ist mit dem dem fünften Dünnfilmtransistor T5 entsprechenden Source-Bereich in der Halbleiterschicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der Gate-Isolierschicht, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden. Die erste Stromleitung VDD ist mit der zweiten Kondensatorelektrode CE2 in der zweiten leitenden Schicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden.
Beispielsweise befinden sich das Stromkabelmuster 182, die Signalleitung 120, die erste Stromleitung 183, die Source-Elektrode 163 und die Drain-Elektrode 164 in dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel in der oben erwähnten dritten leitenden Schicht.
Beispielsweise umfasst die dritte leitende Schicht ferner einen ersten Verbindungsteil CP1, einen zweiten Verbindungsteil CP2 und einen dritten Verbindungsteil CP3. Ein Ende des ersten Verbindungsteils CP1 ist mit dem Drain-Bereich des entsprechenden dritten Dünnfilmtransistors T3 in der Halbleiterschicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der Gate-Isolierschicht, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden; und das andere Ende des ersten Verbindungsteils CP1 ist mit der Gate-Elektrode des ersten Dünnfilmtransistors T1 in der ersten leitenden Schicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden. Ein Ende des zweiten Verbindungsteils CP2 ist mit der Initialisierungsleitung RL durch das eine Durchgangsloch in der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden, und das andere Ende des zweiten Verbindungsteils CP2 ist mit dem Source-Bereich des siebten Dünnfilmtransistors T7 und dem Source-Bereich des vierten Dünnfilmtransistors T4 in der Halbleiterschicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der Gate-Isolierschicht, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden. Der dritte Verbindungsteil CP3 ist mit dem Drain-Bereich des sechsten Dünnfilmtransistors T6 in der Halbleiterschicht durch mindestens ein Durchgangsloch in der Gate-Isolierschicht, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht verbunden.
In dem Anzeigesubstrat, das durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist eine Schutzschicht (in den 8A-8E nicht gezeigt) auf der oben erwähnten dritten leitende Schicht gebildet, um die oben erwähnten dritte leitende Schicht zu schützen. Die erste Anzeigeelektrode (z. B. Anode) des lichtemittierenden Elements in der Pixeleinheit ist auf der Schutzschicht vorgesehen.
Mindestens ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, die das Anzeigesubstrat gemäß einer der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung umfasst.
9 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie beispielsweise in 9 gezeigt, umfasst die Anzeigevorrichtung 40 ein Anzeigesubstrat 401, und das Anzeigesubstrat 401 ist das Anzeigesubstrat, das durch eine der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wie etwa das oben erwähnte Anzeigesubstrat 10 oder Anzeigesubstrat 20.
10 ist ein schematisches Blockdiagramm einer anderen Anzeigevorrichtung, die durch einige Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie beispielsweise in 10 gezeigt, umfasst die Anzeigevorrichtung 50 ein Anzeigesubstrat 501, und das Anzeigesubstrat 501 ist das Anzeigesubstrat, das durch eine der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, wie etwa das oben erwähnte Anzeigesubstrat 10 oder Anzeigesubstrat 20.
Wie beispielsweise in 10 gezeigt, umfasst die Anzeigevorrichtung 50 ferner einen Datentreiber 510, einen Gate-Treiber 520, eine Zeitsteuerung 530, eine Spannungsquelle 540 und dergleichen. Beispielsweise umfasst der Gate-Treiber 520 die Gate-Abtasttreiberschaltung 150 in den oben erwähnten Ausführungsbeispielen, die sich auf das Anzeigesubstrat 10 beziehen, das heißt, der Gate-Treiber 520 kann durch einen Halbleiterprozess direkt auf dem Basissubstrat hergestellt werden; die Spannungsquelle 540 umfasst die erste Spannungsquelle 181 in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen in Bezug auf das Anzeigesubstrat 10 und ist beispielsweise als eine Energieverwaltungsschaltung implementiert.
Beispielsweise sind in einem Beispiel eine Vielzahl von Pixeleinheiten P (z. B. die Pixeleinheiten 110 in dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel bezogen auf das Anzeigesubstrat 10) in einem Array im Anzeigebereich des Anzeigesubstrats 501 angeordnet, und jede Pixeleinheit P empfängt das von dem Datentreiber 510 bereitgestellte Datensignal über die Datenleitung DL, und empfängt das von der Spannungsquelle 540 bereitgestellte Spannungssignal über die Stromleitung VDD. Beispielsweise in dem Fall, in dem die Signalleitung in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung die Datenleitung ist, umfasst die Datenleitung DL zum Beispiel die Signalleitung 120 in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel in Bezug auf das Anzeigesubstrat 10. Beispielsweise umfasst die Stromleitung VDD beispielsweise die erste Stromleitung 183 in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel in Bezug auf das Anzeigesubstrat 10.
Beispielsweise wandelt der Datentreiber 510 die digitalen Bilddaten RGB, die von der Zeitsteuerung 530 eingegeben werden, in ein Datensignal gemäß dem Datensteuersignal DCS um, das von der Zeitsteuerung 530 bereitgestellt wird. Beispielsweise wandelt der Datentreiber 510 das Datensignal in ein analoges Spannungssignal gemäß dem Datensteuersignal DCS um, das von der Zeitsteuerung 530 bereitgestellt wird, führt eine Verarbeitung, wie etwa eine Operationsverstärkung, an dem analogen Spannungssignal durch und stellt dann das entsprechendes Datensignal an jede Pixeleinheit P über die Datenleitung DL. Beispielsweise ist der Datentreiber 510 als Halbleiterchip implementiert.
Beispielsweise ist der Gate-Treiber 520 elektrisch mit jeder Pixeleinheit P durch die Abtastleitung SL verbunden, um das Abtastsignal jeweils an jede Pixeleinheit P bereitzustellen. Beispielsweise stellt der Gate-Treiber 520 ein Auswahlsignal gemäß einer Vielzahl von Abtaststeuersignalen GCS bereit, die von der Zeitsteuerung 530 bereitgestellt werden. Beispielsweise ist der Gate-Treiber 520 als ein Halbleiterchip implementiert oder in die Anzeigevorrichtung 50 integriert, um eine GOA-Schaltung zu bilden, wie beispielsweise die Gate-Abtasttreiberschaltung 150 in der oben in Bezug auf den Anzeigesubstrat 10 beschriebenen Ausführungsbeispiel.
Beispielsweise ist die Zeitsteuerung 530 dazu konfiguriert, Bilddaten RGB zu verarbeiten, die von außerhalb der Anzeigevorrichtung 50 eingegeben werden, die verarbeiteten Bilddaten RGB an den Datentreiber 510 bereitzustellen und Datensteuersignale DCS und Abtaststeuersignale GCS an den Datentreiber 510 und den Gate-Treiber 520 bereitzustellen, um den Datentreiber 510 und den Gate-Treiber 520 zu steuern.
Zum Beispiel verarbeitet die Zeitsteuerung 530 die Bilddaten RGB, die von außerhalb der Anzeigevorrichtung 50 eingegeben werden, um sie an die Größe und Auflösung der Anzeigevorrichtung 50 anzupassen, und stellt dann die verarbeiteten Bilddaten RGB an den Datentreiber 510 bereit. Die Zeitsteuerung 530 erzeugt die Abtaststeuersignale GCS und die Datensteuersignale DCS unter Verwendung eines Synchronisationssignals SYNC (zum Beispiel ein Punkttakt DCLK, ein Datenfreigabesignal DE, ein horizontales Synchronisationssignal Hsync und ein vertikales Synchronisationssignal Vsync), das von außerhalb der Anzeigevorrichtung 50 eingegeben wird. Die Zeitsteuerung 530 stellt jeweils die erzeugten Datensteuersignale DCS und Abtaststeuersignale GCS an den Datentreiber 510 und den Gate-Treiber 520 bereit, um den Datentreiber 510 und den Gate-Treiber 520 zu steuern.
Die Strukturen, Funktionen und technischen Wirkungen der Anzeigevorrichtung 40 und der Anzeigevorrichtung 50, die durch den offenbarten Ausführungsbeispiel bereitgestellt werden, werden auf die entsprechenden Beschreibungen in dem Anzeigesubstrat 10 oder dem Anzeigesubstrat 20 in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen, die durch die bereitgestellt werden, verwiesen vorliegenden Offenbarung und werden hier nicht wiederholt.
Beispielsweise sind die Anzeigevorrichtung 40 und die Anzeigevorrichtung 50, die durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden, organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtungen. Alternativ sind die Anzeigevorrichtung 40 und die Anzeigevorrichtung 50, die durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden, Vorrichtungen mit Anzeigefunktionen, wie etwa Leuchtdioden-Quantenpunkt-Anzeigevorrichtungen, Anzeigevorrichtungen aus elektronisches Papier oder andere Arten von Anzeigevorrichtungen und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen dem Typ der Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, keine Beschränkung auf.
Zum Beispiel sind die Anzeigevorrichtung 40 und die Anzeigevorrichtung 50, die durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt werden, beliebiges Produkt oder Komponente mit Anzeigefunktion, wie beispielsweise ein Anzeigesubstrat, ein Anzeigepanel, elektronisches Papier, ein Mobiltelefon, a Tablet-Computer, ein Fernseher, ein Display, ein Notebook-Computer, ein digitaler Bilderrahmen, ein Navigator, und die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung legen keine Beschränkung auf die Art der Anzeigevorrichtung, die durch die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
Die folgenden Aussagen sollten beachtet werden:

(1) Die Zeichnungen der Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich nur auf die Strukturen, die sich auf die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung beziehen, und andere Strukturen können sich auf allgemeine Designs beziehen.
(2) Nur zum Zweck der Klarheit können in den beigefügten Zeichnungen zur Veranschaulichung dem Ausführungsbeispiel(en) der vorliegenden Offenbarung die Dicke und Größe einer Schicht oder einer Struktur vergrößert oder verengt werden, das heißt, die Zeichnungen sind es nicht im realen Maßstab gezeichnet. Es versteht sich jedoch, dass in dem Fall, in dem eine Komponente wie etwa eine Schicht, ein Film, ein Bereich, ein Substrat oder dergleichen als „auf“ oder „unter“ einer anderen Komponente bezeichnet wird, die Komponente direkt auf oder unter der Komponente sein kann eine andere Komponente oder es kann eine Zwischenkomponente vorhanden sein.

Wo kein Widerspruch besteht, können die Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung und Merkmale innerhalb der Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, um neue Ausführungsbeispielen zu erhalten.
Was oben beschrieben wurde, sind nur spezifische Implementierungen der vorliegenden Offenbarung, der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt, und Modifikationen oder Ersatzstoffe, die von einem Fachmann konstruiert werden, innerhalb des Umfangs der vorliegenden Offenbarung werden durch den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abgedeckt. Somit sollte der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung auf dem Schutzumfang der Ansprüche basieren.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

CN 202010621917 [0001]

Claims

Anzeigesubstrat mit einem Anzeigebereich und einem Peripheriebereich, der den Anzeigebereich zumindest teilweise umgibt, und umfassend: ein Basissubstrat, wobei der Anzeigebereich eine Vielzahl von Pixeleinheiten umfasst, die in einem Array auf dem Basissubstrat angeordnet sind, und eine Vielzahl von Signalleitungen, die jeweils elektrisch mit der Vielzahl von Pixeleinheiten verbunden sind, der Peripheriebereich mindestens ein erstes Elektrodenmuster umfasst, das elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen verbunden ist, und ein zweites Elektrodenmuster umfasst, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster in einer Richtung senkrecht zu einer Substratoberfläche des Basissubstrats mindestens teilweise überlappen und voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen sind, der Peripheriebereich ferner eine Gate-Abtasttreiberschaltung umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Gate-Abtastsignal an die Vielzahl von Pixeleinheiten bereitzustellen, das mindestens eine erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster sich zwischen der Gate-Abtasttreiberschaltung und dem Anzeigebereich in einer Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats befinden.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, wobei eine orthographische Projektion des mindestens einen ersten Elektrodenmusters auf dem Basissubstrat innerhalb einer orthographischen Projektion des zweiten Elektrodenmusters auf dem Basissubstrat liegt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich das zweite Elektrodenmuster auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite des mindestens einen ersten Elektrodenmusters befindet.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, wobei mindestens eine der Vielzahl von Pixeleinheiten eine sich auf dem Basissubstrat befindende Pixeltreiberschaltung umfasst, die einen Dünnfilmtransistor und einen Speicherkondensator umfasst; der Dünnfilmtransistor eine aktive Schicht, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfasst, und der Speicherkondensator eine erste Kondensatorelektrode und eine zweite Kondensatorelektrode umfasst, die der ersten Kondensatorelektrode in der Richtung senkrecht zur Substratoberfläche des Basissubstrats gegenüberliegt; die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode sich auf einer vom Basissubstrat entfernten Seite der aktiven Schicht befinden, das erste Elektrodenmuster, die Gate-Elektrode und die erste Kondensatorelektrode in einer gleichen Schicht vorgesehen sind, und das zweite Elektrodenmuster und die zweite Kondensatorelektrode in einer gleichen Schicht vorgesehen sind.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 4, wobei die Vielzahl von Signalleitungen in derselben Schicht wie die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors vorgesehen sind, und das mindestens eine erste Elektrodenmuster elektrisch mit mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen durch eine Durchgangslochstruktur verbunden ist.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 4 oder 5, wobei das zweite Elektrodenmuster dazu konfiguriert ist, ein erstes Spannungssignal von einer ersten Spannungsquelle zu empfangen.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 6, wobei der Peripheriebereich ferner ein Stromkabelmuster umfasst, das Stromkabelmuster elektrisch mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist und das zweite Elektrodenmuster elektrisch mit dem Stromkabelmuster verbunden ist, um das erste Spannungssignal über das Stromkabelmuster zu empfangen.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 7, wobei das Stromkabelmuster in derselben Schicht wie die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors vorgesehen sind, das zweite Elektrodenmuster elektrisch mit dem Stromkabelmuster durch eine Durchgangslochstruktur verbunden ist.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 7 oder 8, wobei zumindest ein Teil des zweiten Elektrodenmusters elektrisch zwischen das Stromkabelmuster und die Vielzahl von Pixeleinheiten in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche des Basissubstrats verbunden ist, das Stromkabelmuster das erste Spannungssignal an mindestens einen Teil der Vielzahl von Pixeleinheiten über das zweite Elektrodenmuster liefert.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei das mindestens eine erste Elektrodenmuster eine Vielzahl von ersten Elektrodenmuster umfasst, die in Intervallen vorgesehen sind; der Peripheriebereich ferner ein Abstandsmuster umfasst, das sich zwischen zwei benachbarten ersten Elektrodenmustern befindet, und von den ersten Elektrodenmustern voneinander isoliert ist.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei das Abstandsmuster dazu konfiguriert ist, ein zweites Spannungssignal von einer zweiten Spannungsquelle zu empfangen, die sich von der ersten Spannungsquelle unterscheidet.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei das Abstandsmuster elektrisch mit dem zweiten Elektrodenmuster verbunden ist, um das erste Spannungssignal von der ersten Spannungsquelle zu empfangen.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Abstandsmuster in derselben Schicht wie die aktive Schicht des Dünnfilmtransistors vorgesehen ist.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das zweite Elektrodenmuster kontinuierlich entlang einer Kante des Anzeigebereichs vorgesehen ist, und das zweite Elektrodenmuster und die Vielzahl von ersten Elektrodenmustern jeweils in der Richtung senkrecht zu der Substratoberfläche des Basissubstrats mindestens teilweise überlappen und voneinander beabstandet und voneinander isoliert vorgesehen sind.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei eine Erstreckungsrichtung von mindestens einem Teil einer Kante des Anzeigebereichs eine Erstreckungsrichtung der Vielzahl von Signalleitungen schneidet und nicht senkrecht zu dieser ist.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Anzeigesubstrat ferner eine erste Isolierschicht umfasst, die sich zwischen dem ersten Elektrodenmuster und dem zweiten Elektrodenmuster befindet, ein Material der ersten Isolierschicht Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid umfasst.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die Vielzahl von Pixeleinheiten eine erste Spalte von Pixeleinheiten und eine zweite Spalte von Pixeleinheiten umfassen, eine Zahl der Pixeleinheiten in der ersten Spalte von Pixeleinheiten als eine Zahl der Pixeleinheiten in der zweiten Spalte von Pixeleinheiten kleiner ist, und die Signalleitung, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden ist.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 17, wobei die Signalleitung, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, elektrisch mit dem einen anderen ersten Elektrodenmusters verbunden ist, ein Betrag einer Kompensationskapazität, die zwischen dem zweiten Elektrodenmuster und dem einen ersten Elektrodenmuster gebildet ist, als ein Betrag einer Kompensationskapazität, die zwischen dem zweiten Elektrodenmuster und dem einen anderen ersten Elektrodenmuster gebildet ist, größer ist, wobei das eine erste Elektrodenmuster elektrisch mit der Signalleitung verbunden ist, die elektrisch mit der ersten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist, und das eine andere erste Elektrodenmuster elektrisch mit der Signalleitung verbunden ist, die elektrisch mit der zweiten Spalte von Pixeleinheiten verbunden ist
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei das erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster unterschiedliche Längen in einer Spaltenrichtung aufweisen, oder das erste Elektrodenmuster und das zweite Elektrodenmuster unterschiedliche Längen in einer Zeilenrichtung aufweisen.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei die Vielzahl von Signalleitungen Abtastleitungen oder Datenleitungen sind.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 20, wobei ein erstes Ende oder ein zweites Ende von mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden ist, oder ein erstes Ende mindestens einer der Vielzahl von Signalleitungen elektrisch mit dem einen ersten Elektrodenmuster verbunden ist und ein zweites Ende der mindestens einen der Vielzahl von Signalleitungen elektrisch mit dem einen anderen ersten Signalleitung verbunden ist.
Anzeigevorrichtung, umfassend ein Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 21.