DE112020005545T5 - Anzeigesubstrat und Herstellungsverfahren dafür, Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Yunsheng XIAO
Haigang QING
Xiangdan Dong
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Abstract

Ein Anzeigesubstrat und ein Herstellungsverfahren Dafür, eine Anzeigevorrichtung. Das Anzeigesubstrat umfasst: ein Basissubstrat, das einen Anzeigebereich und einen Peripheriebereich umfasst, der sich auf mindestens einer Seite des Anzeigebereichs befindet; und eine Schieberegistereinheit, eine erste Stromleitung und eine zweite Stromleitung, die auf dem Peripheriebereich des Basissubstrats vorgesehen sind, die erste Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine erste Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen, und die zweite Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine zweite Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat befindet sich auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite einer orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat, eine orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet, die orthographische Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat sich zwischen der orthographischen Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat und der Orthographie Projektion der zweiten Stromleitung auf das Basissubstrat befindet. Das Anzeigesubstrat optimiert das Layout der Schaltungsstruktur, was vorteilhaft ist, um das schmale Rahmendesign des Anzeigepanels zu realisieren.

Description

  • TECHNISCHEN BEREICH
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf ein Anzeigesubstrat und ein Herstellungsverfahren dafür und eine Anzeigevorrichtung.
  • HINTERGRUND
  • Auf dem Gebiet der Anzeigetechnologie umfasst das Pixelarray beispielsweise eines Flüssigkristallanzeigepanels oder eines Anzeigepanels mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) üblicherweise Gate-Leitungen in einer Vielzahl von Reihen und Datenleitungen in einer Vielzahl von Spalten, die sich den Gate-Leitungen schneiden. Die Gate-Leitungen können von einer integrierten Treiberschaltung angetrieben werden, die auf ein Anzeigepanel gebondet sind. In den letzten Jahren kann mit der kontinuierlichen Verbesserung des Herstellungsprozesses von Dünnfilmtransistoren aus amorphem Silizium oder Oxiddünnfilmtransistoren eine Treiberschaltung zum Antreiben von Gate-Leitungen auch direkt auf dem Dünnfilmtransistorarraysubstrat integriert werden, um einen Gatetreiber auf einem Array (gate driver on array, GOA) zum Treiben der Gate-Leitungen zu bilden. Beispielsweise kann ein GOA mit einer Vielzahl von kaskadierten Schieberegistereinheiten verwendet werden, um Spannungssignale (Abtastsignale) von Einschalt- und Ausschaltzuständen an die Gate-Leitungen in den Vielzahl von Zeilen des Pixelarrays zu liefern, um Gate-Leitungen in der Vielzahl von Zeilen zu steuern, die nacheinander geöffnet werden sollen; währenddessen werden Datensignale an die Pixeleinheiten in entsprechenden Zeilen des Pixelarrays durch Datenleitungen geliefert, um Grauskalenspannungen bei jeder Pixeleinheit zu bilden, die für Grauskalen des Anzeigebildes erforderlich sind, so dass das ein Bild angezeigt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat bereit, umfassend: ein Basissubstrat, das einen Anzeigebereich und einen Peripheriebereich umfasst, der sich auf mindestens einer Seite des Anzeigebereichs befindet; und eine Schieberegistereinheit, eine erste Stromleitung und eine zweite Stromleitung, die auf dem Peripheriebereich des Basissubstrats vorgesehen sind, die erste Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine erste Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen, und die zweite Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine zweite Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; die Schieberegistereinheit eine Eingangsschaltung, eine erste Knotensteuerschaltung, eine zweite Knotensteuerschaltung, eine dritte Knotensteuerschaltung, eine vierte Knotensteuerschaltung und eine Ausgangssteuerschaltung umfasst; die Eingangsschaltung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal als Reaktion auf ein erstes Taktsignal in einen ersten Knoten einzugeben; die zweite Knotensteuerschaltung mit der ersten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der ersten Stromleitung bereitgestellte erste Spannung oder das erste Taktsignal unter Steuerung des ersten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des ersten Knotens in den zweiten Knoten einzugeben, um einen elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die erste Knotensteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung des zweiten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des zweiten Knotens in den ersten Knoten einzugeben, um eine Rauschunterdrückung des ersten Knotens durchzuführen; die dritte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, einen elektrischen Pegel des dritten Knotens als Reaktion auf den elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die vierte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, den elektrischen Pegel des dritten Knotens unter der Steuerung des zweiten Taktsignals in den vierten Knoten einzugeben; die Ausgangssteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung und einem Ausgangsanschluss verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung eines elektrischen Pegels des vierten Knotens als ein Ausgangssignal an den Ausgangsanschluss auszugeben; eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat befindet sich auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite einer orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat, eine orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet, die orthographische Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat sich zwischen der orthographischen Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat und der Orthographie Projektion der zweiten Stromleitung auf das Basissubstrat befindet.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine erste Taktsignalleitung und eine zweite Taktsignalleitung, die dazu konfiguriert sind, jeweils das erste Taktsignal oder das zweite Taktsignal an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung, die erste Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung erstrecken sich auf dem Basissubstrat entlang einer ersten Richtung; die orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die zweite Knotensteuerschaltung einen ersten Steuertransistor und einen zweiten Steuertransistor, eine aktive Schicht des ersten Steuertransistors und eine aktive Schicht des zweiten Steuertransistors erstrecken sich entlang der ersten Richtung, eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine erste Transferverbindungselektrode, wobei die erste Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang einer zweiten Richtung erstreckt, die sich von der ersten Richtung unterscheidet, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Abschnitt integriert ausgebildet ist, und sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthographische Projektion des zweiten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind, und die orthographische Projektion des zweiten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat sich an einer entlang der ersten Richtung liegenden imaginären Linie der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet, eine erste Elektrode des ersten Steuertransistors mit dem ersten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode verbunden ist, und eine erste Elektrode des zweiten Steuertransistors mit dem zweiten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode verbunden ist.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst die Eingangsschaltung einen Eingangstransistor, eine aktive Schicht des Eingangstransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors auf dem Basissubstrat auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet; die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors auf das Basissubstrat und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf das Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner einen ersten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der erste Verbindungsdraht einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt umfasst, der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts mit einer Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und einer Gate-Elektrode des Eingangstransistors verbunden ist, und der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts sowie der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors integriert ausgebildet sind; der zweite Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors verbunden und integriert ausgebildet sind; der zweite Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts ferner mit der ersten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine zweite Transferverbindungselektrode, wobei eine zweite Elektrode des ersten Steuertransistors mit der zweiten Transferverbindungselektrode verbunden ist; und der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahtes mit der zweiten Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt, wodurch es veranlasst wird, dass die zweite Elektrode des ersten Steuertransistors mit der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und der Gate-Elektrode des Eingangstransistors, die sich in einer anderen Schicht befinden, verbunden ist.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die erste Knotensteuerschaltung einen ersten Rauschunterdrückungstransistor und einen zweiten Rauschunterdrückungstransistor, eine aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors und eine aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors sich in der einen durchgehenden ersten Halbleiterschicht befinden und sich die erste Halbleiterschicht entlang der ersten Richtung erstreckt, eine Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors und eine Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors sich entlang der zweiten Richtung erstrecken und nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat sich befindet zum Beispiel die erste Halbleiterschicht an einer sich entlang der ersten Richtung erstreckenen imaginären Linie der aktiven Schicht des Eingangstransistors und auf einer von der aktiven Schicht des Eingangstransistors entfernten Seite der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors, die Gate-Elektrode des Eingangstransistors, die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine dritte Transferverbindungselektrode, wobei sich die dritte Transferverbindungselektrode entlang der ersten Richtung erstreckt; der erste Steuertransistor eine erste Gate-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode umfasst, die nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; erste Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode mit der dritten Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden sind, das durch eine Isolierschicht durchdringt; eine erste Elektrode des Eingangstransistors mit einem ersten Ende der dritten Transferverbindungselektrode verbunden ist; und eine erste Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors mit einem zweiten Ende der dritten Transferverbindungselektrode verbunden ist.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die zweite Stromleitung einen ersten Vorsprungsabschnitt, der in der zweiten Richtung zu dem Anzeigebereich vorsteht; der erste Vorsprungsabschnitt in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat mit der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors in der ersten Halbleiterschicht überlappt und durch ein Durchgangsloch mit dieser verbunden ist; und eine erste Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors und der erste Vorsprungsabschnitt verbunden und integriert ausgebildet sind, um die zweite Spannung zu empfangen.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die dritte Knotensteuerschaltung einen dritten Steuertransistor und einen ersten Kondensator; eine aktive Schicht des dritten Steuertransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt; die aktive Schicht des dritten Steuertransistors und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; und eine orthographische Projektion des ersten Kondensators auf das Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die erste Transferverbindungselektrode ferner einen dritten Abschnitt, der mit den ersten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode integriert ausgebildet ist und sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthografische Projektion des dritten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat sich an einer entlang der ersten Richtung liegenden imaginären Linie der orthografischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet; ein Ende des dritten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode mit der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors, einer Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors und einer ersten Elektrode des ersten Kondensators verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden; und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors, die Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors und die erste Elektrode des ersten Kondensators integriert ausgebildet sind.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst die Schieberegistereinheit ferner eine Ausgangsschaltung; wobei die Ausgangsschaltung mit der ersten Stromleitung und dem Ausgangsanschluss verbunden und dazu konfiguriert ist, den Ausgangsanschluss unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens zurückzusetzen; die Ausgangsschaltung einen Ausgangstransistor und einen zweiten Kondensator umfasst; eine orthographische Projektion einer aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf dem Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf das Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors und der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf dem Basissubstrat befindet; und die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf das Basissubstrat sich auf einer sich entlang der ersten Richtung erstreckenden imaginären Linie der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat ist eine erste Elektrode des zweiten Kondensators mit zweiten Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors verbunden, und der ersten Elektrode des zweiten Kondensators und der zweiten Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors integriert ausgebildet sind; die erste Elektrode des zweiten Kondensators ferner mit einer Gate-Elektrode des Ausgangstransistors verbunden ist, und die erste Elektrode des zweiten Kondensators und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors integriert ausgebildet sind; und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors eine Vielzahl von Teil-Gate-Elektroden umfasst, die nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine vierte Transferverbindungselektrode, wobei eine orthographische Projektion der vierten Transferverbindungselektrode auf das Basissubstrat zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf das Basissubstrat überlappt; und ein erstes Ende der vierten Transferverbindungselektrode und eine zweite Elektrode des zweiten Steuertransistors verbunden und integriert ausgebildet sind, ein zweites Ende der vierten Transferverbindungselektrode und eine erste Elektrode des Ausgangstransistors verbunden und integriert ausgebildet sind, und ein drittes Ende der vierten Transferverbindungselektrode und die erste Stromleitung verbunden und integriert ausgebildet sind.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine fünfte Transferverbindungselektrode, wobei die fünfte Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst; eine erste Elektrode des dritten Steuertransistors und ein zweites Ende des ersten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode verbunden und integriert ausgebildet sind; die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors mit einem Ende des zweiten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode und der zweiten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden; eine zweite Elektrode des zweiten Kondensators mit einem ersten Ende des ersten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode verbunden ist, das sich in einer anderen Schicht befindet.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner einen zweiten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der zweite Verbindungsdraht und die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors integriert ausgebildet sind; und ein erstes Ende des zweiten Verbindungsdrahts mit dem Ende des zweiten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt, und ein zweites Ende des zweiten Verbindungsdrahts mit dem zweiten Taktsignalleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch die Isolierschicht durchdringt ist.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die vierte Knotensteuerschaltung einen vierten Steuertransistor, eine aktive Schicht des vierten Steuertransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt und sich auf einer von der aktiven Schicht des Eingangstransistors entfernten Seite der ersten Halbleiterschicht befindet; eine Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors sowie die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors, die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; und die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors mit der zweiten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine sechste Transferverbindungselektrode, wobei die sechste Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, einen zweiten Abschnitt, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und einen dritten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst; der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode parallel zueinander sind, und der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode und der zweite Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode integriert ausgebildet sind; ein Ende des ersten Abschnitts der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer ersten Elektrode des vierten Steuertransistors verbunden ist; der zweite Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des ersten Kondensators verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet; und ein Ende des dritten Abschnitts der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des dritten Steuertransistors verbunden ist.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner einen dritten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der dritte Verbindungsdraht und die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors integriert ausgebildet sind; und ein Ende des dritten Verbindungsdrahts mit der zweiten Taktsignalleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung, wobei die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung mit der ersten Stromleitung, dem ersten Knoten und dem vierten Knoten verbunden ist und dazu konfiguriert ist, unter Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens eine Rauschunterdrückung des vierten Knoten durchzuführen; die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung einen dritten Rauschunterdrückungstransistor umfasst; eine aktive Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors sich entlang der zweiten Richtung erstreckt; und eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf dem Basissubstrat nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind, und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat sich auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite des ersten Kondensators befindet, und sich auf einer Seite der orthogonalen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet, welche Seite von der orthogonalen Projektion des zweiten Kondensator auf dem Basissubstrat entfernt ist.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat sich erstreckt zum Beispiel eine Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors entlang der ersten Richtung und mit der ersten Elektrode des zweiten Kondensators, der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors und den Gate-Elektroden des ersten Steuertransistors verbunden ist; und die Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors sowie die erste Elektrode des zweiten Kondensators, die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors und die Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors integriert ausgebildet sind.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die Ausgangssteuerschaltung einen Ausgangssteuertransistor und einen dritten Kondensator; eine aktive Schicht des Ausgangssteuertransistors und die aktive Schicht des Ausgangstransistors sich in der einen kontinuierlichen zweiten Halbleiterschicht befinden und sich die zweite Halbleiterschicht entlang der ersten Richtung erstreckt; eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Ausgangssteuertransistors auf das Basissubstrat und eine orthographische Projektion des ersten Kondensators und des dritten Kondensators auf das Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; der dritte Kondensator sich auf einer von dem zweiten Kondensator entfernten Seite des ersten Kondensators befindet; die orthografische Projektion einer zweiten Elektrode des dritten Kondensators auf dem Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt; eine erste Elektrode des dritten Kondensators und eine Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors verbunden und integriert ausgebildet sind; die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; und die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors eine Vielzahl von Sub-Gate-Elektroden umfasst, die nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  • In dem durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat umfasst zum Beispiel die zweite Stromleitung ferner einen zweiten Vorsprungsabschnitt, der in der zweiten Richtung zu dem Anzeigebereich vorsteht; der dritte Kondensator die zweite Stromleitung und den zweiten Vorsprungsabschnitt der zweiten Stromleitung in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat überlappt; und die zweite Elektrode des dritten Kondensators mit der zweiten Stromleitung und dem zweiten Vorsprungsabschnitt der zweiten Stromleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine siebte Transferverbindungselektrode, wobei die siebte Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt; ein erstes Ende des ersten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des vierten Steuertransistors verbunden ist; ein Ende des zweiten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit einer ersten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors verbunden ist; und ein zweites Ende des ersten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit der ersten Elektrode des dritten Kondensators und der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine achte Transferverbindungselektrode, wobei die achte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors, einer ersten Elektrode des Ausgangssteuertransistors und der zweiten Elektrode des dritten Kondensators verbunden ist.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine neunte Transferverbindungselektrode, wobei die neunte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des Ausgangssteuertransistors und einer zweiten Elektrode eines Eingangstransistors einer Schieberegistereinheit der nächsten Stufe verbunden ist.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine zehnte Transferverbindungselektrode und einen vierten Verbindungsdraht, wobei die zehnte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des Ausgangstransistors verbunden ist, und mit dem vierten Verbindungsdraht verbunden ist, der sich in einer anderen Schicht befindet, der vierte Verbindungsdraht ferner mit der neunten Transferverbindungselektrode verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinde, und der vierte Verbindungsdraht mit mindestens einer Gate-Leitung verbunden ist, um das Ausgangssignal am Ausgangsanschluss an eine Lichtemissions-Steuerschaltung einer Pixeleinheit vom Anzeigebereich auszugeben.
  • Das Anzeigesubstrat, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner eine Triggersignalleitung, wobei eine Vielzahl von Schieberegistereinheiten, die kaskadiert sind, eine Gate-Treiberschaltung bilden; die Triggersignalleitung dazu konfiguriert ist, ein Triggersignal an die Gate-Treiberschaltung bereitzustellen; eine orthographische Projektion der Triggersignalleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat befindet; und die Triggersignalleitung mit einer zweiten Elektrode eines Eingangstransistors einer Schieberegistereinheit der ersten Stufe der Gate-Treiberschaltung verbunden ist, um das Triggersignal bereitzustellen.
  • Mindestens eine Ausführungsform der Offenbarung stellt auch eine Anzeigevorrichtung bereit, die das Anzeigesubstrat umfasst, das durch eine der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
  • In der durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigevorrichtung ist zum Beispiel die Anzeigevorrichtung eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung.
  • Die Anzeigevorrichtung, die von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst zum Beispiel ferner Pixeleinheiten, die in einem Array angeordnet sind, wobei ein Ausgangssignal, das von der Ausgangssteuerschaltung der Schieberegistereinheit ausgegeben wird, an die Pixeleinheiten als Lichtemissionssteuersignal ausgegeben wird, um die Pixeleinheiten zum Emittieren des Licht anzutreiben.
  • In der durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigevorrichtung wird zum Beispiel ein Ausgangssignal, das von einer Ausgangssteuerschaltung der einen Schieberegistereinheit ausgegeben wird, entsprechend an zwei Reihen von den Pixeleinheiten ausgegeben.
  • Mindestens eine Ausführungsform der Offenbarung stellt auch ein Herstellungsverfahren des Anzeigesubstrats bereit, das durch eine der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfassend: Bereitstellen des Basissubstrats; Bilden der Schieberegistereinheit, der ersten Stromleitung, der zweiten Stromleitung, der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat, wobei das Bilden der Schieberegistereinheit umfasst: sequentielles Bilden einer Halbleiterschicht, einer ersten Isolierschicht, einer ersten leitenden Schicht, einer zweiten Isolierschicht, einer zweiten leitenden Schicht, einer dritten Isolierschicht und einer dritten leitenden Schicht in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat; wobei aktive Schichten jeweiliger Transistoren sich in der Halbleiterschicht befinden, Gate-Elektroden der jeweiligen Transistoren und erste Elektroden jeweiliger Kondensatoren sich in der ersten leitenden Schicht befinden, zweite Elektroden der jeweiligen Kondensatoren sich in der zweiten leitenden Schicht befinden, und die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung, die erste Taktsignalleitung, die zweite Taktsignalleitung und erste Elektroden und zweite Elektroden der jeweiligen Transistoren sich in der dritten leitenden Schicht befinden; und durch Durchgangslöcher, die durch die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht oder die dritte Isolierschicht durchdringen, die jeweiligen Transistoren und die jeweiligen Kondensatoren miteinander verbunden sind, und mit der ersten Stromleitung, der zweiten Stromleitung, der ersten Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung verbunden sind.
  • Figurenliste
  • Um die technische Lösung der Ausführungsformen der Offenbarung klarer darzustellen, werden die Zeichnungen der Ausführungsformen im Folgenden kurz beschrieben; Es ist offensichtlich, dass sich die beschriebenen Zeichnungen nur auf einige Ausführungsformen der Offenbarung beziehen und somit die Offenbarung nicht einschränken.
    • 1A ist ein schematisches Diagramm einer Gesamtschaltungsarchitektur eines Anzeigepanels;
    • 1B ist ein Schaltungsdiagramm einer Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit;
    • 1C ist ein Signalzeitdiagramm der in 1B dargestellten Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit im Betrieb;
    • 1D ist ein schematisches Layoutdiagramm der in 1B dargestellten Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit auf dem Anzeigesubstrat;
    • 2 ist ein schematisches Layoutdiagramm eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 3 ist eine planare Ansicht einer Halbleiterschicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 4 ist eine planare Ansicht einer ersten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 5 ist eine planare Ansicht einer zweiten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 6 ist ein Diagramm, das eine Verteilung von Durchgangslöchern eines Anzeigesubstrats darstellt, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 7 ist eine planare Ansicht einer dritten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
    • 8 ist eine Schnittansicht entlang der A-A'-Richtung des in 2 dargestellten Anzeigesubstrats in einiger Beispielen;
    • 9 ist ein schematisches Diagramm einer Anzeigevorrichtung, die von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; und
    • 10 ist ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Um Aufgaben, technische Details und Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlicher zu machen, werden die technischen Lösungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung klar und vollständig verständlich in Verbindung mit den Zeichnungen zu den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsformen nur ein Teil, aber nicht alle Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Basierend auf den hierin beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Fachmann andere Ausführungsform(en) ohne jegliche erfinderische Arbeit erhalten, die innerhalb des Umfangs der vorliegenden Offenbarung liegen sollten.
  • Sofern nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe die gleichen Bedeutungen, wie sie allgemein von einem Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet verstanden werden, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört. Die Begriffe „erster“, „zweiter“ etc., die in der Beschreibung und den Ansprüchen der vorliegenden Offenbarungsanmeldung verwendet werden, sollen keine Reihenfolge, Menge oder Bedeutung angeben, sondern verschiedene Komponenten unterscheiden. Auch die Begriffe wie „ein“, „eine“ usw. sollen den Betrag nicht begrenzen, sondern auf die Existenz von mindestens einem hinweisen. Die Begriffe „umfassen“, „umfassend“, „umfassen“, „umfassend“ usw. sollen spezifizieren, dass die vor diesen Begriffen genannten Elemente oder Objekte die nach diesen Begriffen aufgeführten Elemente oder Objekte und Äquivalente davon umfassen, aber schließen die anderen Elemente oder Objekte nicht aus. Die Ausdrücke „verbinden“, „verbunden“ usw. sollen keine physische Verbindung oder mechanische Verbindung definieren, sondern können eine direkte oder indirekte elektrische Verbindung umfassen. „Auf“, „unter“, „rechts“, „links“ und dergleichen werden nur verwendet, um eine relative Positionsbeziehung anzugeben, und wenn die Position des beschriebenen Objekts geändert wird, kann die relative Positionsbeziehung entsprechend geändert werden.
  • Die vorliegende Offenbarung wird im Folgenden durch eine Vielzahl von spezifische Ausführungsformen erläutert. Um die folgende Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung klar und prägnant zu halten, können detaillierte Beschreibungen bekannter Funktionen und bekannter Komponenten weggelassen werden. Wenn irgendeine Komponente einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in mehr als einer Zeichnung erscheint, wird die Komponente in jeder Zeichnung mit demselben Bezugszeichen bezeichnet.
  • 1A ist ein schematisches Diagramm einer Gesamtschaltungsarchitektur eines Anzeigepanels. Wie beispielsweise in 1A dargestellt, stellt 101 eine gesamte äußere Rahmenlinie des Anzeigepanels dar; das Anzeigepanel umfasst einen Anzeigebereich (d. h. einen Pixelarraybereich) 102 und einen Peripheriebereich 106 an der Peripherie des Anzeigebereichs 102; und der Anzeigebereich umfasst Pixeleinheiten 103, die in einem Array angeordnet sind; der Peripheriebereich 106 umfasst Abtasttreiber-Schieberegistereinheiten 104, eine Vielzahl von Abtasttreiber-Schieberegistereinheiten 104, die kaskadiert sind, bilden eine Gate-Treiberschaltung (ein Gate-GOA), und die Gate-Treiberschaltung ist dazu konfiguriert, beispielsweise Reihe für Reihe verschobene Gate-Abtastsignale an die Pixeleinheiten 103 in dem Anzeigebereich 102 des Anzeigepanels 101 bereitzustellen, die in einem Array angeordnet sind; der Peripheriebereich 106 umfasst ferner eine Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105, und eine Vielzahl von Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheiten 105, die kaskadiert sind, bilden ein Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarray (EM GOA), und das Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarray ist dazu konfiguriert, beispielsweise Reihe für Reihe verschobene Lichtemissionssteuersignale an die Pixeleinheiten 103 in dem Anzeigebereich 102 des Anzeigepanels 101 bereitzustellen, die in einem Array angeordnet sind, und das Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarray eine Gate-Treiberschaltung zum Ausgeben von Lichtemissionssteuersignalen ist.
  • Wie in 1A dargestellt verlaufen Datenleitungen DL1-DLN (N ist eine ganze Zahl größer als 1), die mit einem Datentreiberchip IC verbunden sind, in Längsrichtung durch den Anzeigebereich 102, um Datensignale an die Pixeleinheiten 103 zu liefern, die in einem Array angeordnet sind; Gate-Leitungen GL1-GLM (M ist eine ganze Zahl größer als 1), die mit der Abtasttreiber-Schieberegistereinheit 104 und der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 verbunden sind, verlaufen horizontal durch den Anzeigebereich 102, um eine Gate-Abtastungssignale und Lichtemissionssteuersignale an die Pixeleinheiten 103 bereitzustellen, die in einem Array angeordnet sind. Zum Beispiel können die Pixeleinheiten 103 Pixelschaltungen beinhalten, die Schaltungsstrukturen, wie etwa 7T1C, 8T2C oder 4T1C, auf dem Gebiet übernehmen, und lichtemittierende Elemente, die Pixelschaltungen arbeiten unter der Steuerung der Datensignale, die durch die Datenleitungen übertragen werden, und der Gate-Abtastungssignale, die durch die Gate-Leitungen übertragen werden, und der Lichtemissionssteuersignale, um die lichtemittierenden Elemente anzustreiben, um Licht zu emittieren und Operationen, wie beispielsweise eine Anzeige, zu realisieren. Das lichtemittierende Element kann beispielsweise eine organische Leuchtdiode (OLED) oder eine Quantenpunkt-Leuchtdiode (QLED) sein.
  • 1B ist ein Schaltungsstrukturdiagramm einer Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit. 1C ist ein Signalzeitdiagramm der in 1B dargestellten Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit im Betrieb. Im Folgenden wird der Betrieb der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit kurz unter Bezugnahme auf 1B und 1C beschrieben.
  • Wie in 1B gezeigt, umfasst die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 zehn Transistoren (einen Eingangstransistor T1, einen ersten Steuertransistor T2, einen zweiten Steuertransistor T3, einen ersten Rauschunterdrückungstransistor T4, einen zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5, einen dritten Steuertransistor Transistor T6, einen vierten Steuertransistor T7, einen dritten Rauschunterdrückungstransistor T8, einen Ausgangssteuertransistor T9 und einen Ausgangstransistor T10) und drei Kondensatoren (einen ersten Kondensator C1, einen zweiten Kondensator C2 und einen dritten Kondensator C3). Beispielsweise ist in dem Fall, in dem eine Vielzahl von Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheiten 105 kaskadiert sind, eine zweite Elektrode des Eingangstransistors T1 in der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe mit einem Eingangsanschluss EI verbunden; der Eingangsanschluss EI ist dazu konfiguriert, mit einer Triggersignalleitung ESTV verbunden zu werden, um ein Triggersignal als ein Eingangssignal zu empfangen; und die zweite Elektrode des Eingangstransistors T1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in den anderen Stufen sind elektrisch mit einem Ausgangsanschluss der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit verbunden 105 in einer vorherigen Stufe, um als das Eingangssigna ein Ausgangssignall zu empfangen, das von dem Ausgangsanschluss EOUT der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der vorherigen Stufe ausgegeben wird, um eine verschobene Ausgabe zu realisieren, und beispielsweise die Reihe für Reihe verschobene Lichtemissionssteuersignale an die Pixeleinheiten 103 in dem Anzeigebereich 102 des Anzeigepanels 101, die in einem Array angeordnet sind, bereitzustellen.
  • Darüber hinaus, wie in 1B gezeigt, umfasst die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit ferner einen ersten Taktsignalanschluss CK und einen zweiten Taktsignalanschluss CB; ECK stellt eine erste Taktsignalleitung dar, ECB stellt eine zweite Taktsignalleitung dar; beispielsweise ist der erste Taktsignalanschluss CK mit der ersten Taktsignalleitung ECK oder der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um ein erstes Taktsignal zu empfangen. Beispielsweise stellt in dem Fall, in dem der erste Taktsignalanschluss CK mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden ist, die erste Taktsignalleitung ECK das erste Taktsignal bereit; in dem Fall, in dem der erste Taktsignalanschluss CK mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden ist, stellt die zweite Taktsignalleitung ECB das erste Taktsignal bereit; eine spezifische Implementierung kann gemäß der tatsächlichen Situation festgelegt werden, und in dieser Hinsicht wird in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung keine Beschränkung gegeben. Ähnlich ist der zweite Taktsignalanschluss CB mit der zweiten Taktsignalleitung ECB oder der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen. Im Folgenden werden Beschreibungen gegeben, indem der Fall als Beispiel angenommen wird, in dem der erste Taktsignalanschluss CK mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden ist, um das erste Taktsignal zu empfangen, und der zweite Taktsignalanschluss CB mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden ist das zweite Taktsignal empfangen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Beispielsweise können das erste Taktsignal und das zweite Taktsignal Pulssignale mit einem Tastverhältnis von mehr als 50 % annehmen und beispielsweise eine Halbzyklusdifferenz aufweisen; VGL repräsentiert eine erste Stromleitung und eine erste Spannung, die von der ersten Stromleitung bereitgestellt wird; VGH repräsentiert eine zweite Stromleitung und eine zweite Spannung, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellt wird; und die zweite Spannung ist größer als die erste Spannung; beispielsweise ist die zweite Spannung ein hoher Gleichspannungspegel und die erste Spannung ein niedriger Gleichspannungspegel; N1, N2, N3 und N4 repräsentieren jeweils einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten, einen dritten Knoten und einen vierten Knoten in Schaltplänen.
  • Wie in 1B gezeigt, ist eine Gateelektrode des Eingangstransistors T1 mit dem ersten Taktsignalanschluss CK (der erste Taktsignalanschluss CK ist mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden) verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen; die zweite Elektrode des Eingangstransistors T1 ist mit dem Eingangsanschluss EI verbunden; eine erste Elektrode des Eingangstransistors T1 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden. Beispielsweise ist in dem Fall, in dem die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit in der ersten Stufe ist, der Eingangsanschluss EI mit einer Triggersignalleitung ESTV verbunden, um das Triggersignal zu empfangen; in dem Fall, in dem die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit eine Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit in einer der anderen Stufen als die erste Stufe ist, ist der Eingangsanschluss EI mit einem Ausgangsanschluss EOUT einer Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit in einer vorherigen Stufe verbunden.
  • Eine Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors T2 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden, eine erste Elektrode des ersten Steuertransistors T2 ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine zweite Elektrode des ersten Steuertransistors T2 ist mit den ersten Taktsignalanschluss CK verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen.
  • Eine Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 ist mit dem ersten Taktsignalanschluss CK verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen, eine erste Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine zweite Elektrode von der zweite Steuertransistor T3 ist mit der ersten Stromleitung VGL verbunden, um die erste Spannung zu empfangen.
  • Eine Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 ist mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB verbunden (zum Beispiel ist der zweite Taktsignalanschluss CB mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden), um das zweite Taktsignal zu empfangen; eine erste Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden; eine zweite Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 ist mit einer zweiten Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 verbunden.
  • Eine Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine erste Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 ist mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden, um die zweite Spannung zu empfangen.
  • Eine Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors T6 ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden; eine erste Elektrode des dritten Steuertransistors T6 ist mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen; und eine zweite Elektrode des dritten Steuertransistors T6 ist mit dem dritten Knoten N3 verbunden.
  • Eine erste Elektrode des ersten Kondensators C1 ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und eine zweite Elektrode des ersten Kondensators C2 ist mit dem dritten Knoten N3 verbunden.
  • Eine Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors T7 ist mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen, eine erste Elektrode des vierten Steuertransistors T7 ist mit dem dritten Knoten N3 verbunden, und eine zweite Elektrode von der vierte Steuertransistor T7 ist mit dem vierten Knoten N4 verbunden.
  • Eine Gateelektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden, eine erste Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 ist mit dem vierten Knoten N4 und eine zweite Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 ist mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden, um die zweite Spannung zu empfangen.
  • Eine Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 ist mit dem vierten Knoten N4 verbunden, eine erste Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 ist mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden, um die zweite Spannung zu empfangen, und eine zweite Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 ist mit dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden.
  • Eine erste Elektrode des dritten Kondensators C3 ist mit dem vierten Knoten N4 verbunden, und eine zweite Elektrode des dritten Kondensators C3 ist mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden, um die zweite Spannung zu empfangen.
  • Eine Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden, eine erste Elektrode des Ausgangstransistors T10 ist mit der ersten Stromleitung VGL verbunden, um die erste Spannung zu empfangen, und eine zweite Elektrode des Ausgangstransistors T10 ist mit dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden.
  • Eine erste Elektrode des zweiten Kondensators C2 ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden, und eine zweite Elektrode des zweiten Kondensators C2 ist mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen.
  • In der Beschreibung wird der Fall, in dem alle Transistoren in der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 wie in 1B gezeigt sind Transistoren vom P-Typ, als Beispiel genommen, das heißt, die Transistoren werden in dem Fall eingeschaltet, in dem die Gate-Elektroden der Transistoren einen niedrigen elektrischen Pegel (einen eingeschalteten elektrischen Pegel) empfangen, und die Transistoren werden in dem Fall ausgeschaltet, in dem die Gate-Elektroden der Transistoren einen hohen elektrischen Pegel (einen ausgeschalteten elektrischen Pegel) empfangen. In diesem Fall können die ersten Elektroden der Transistoren Source-Elektroden sein und die zweiten Elektroden der Transistoren können Drain-Elektroden sein.
  • Die Konfiguration der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit umfasst die Konfiguration, die in 1B dargestellt ist, ist aber nicht darauf beschränkt; beispielsweise können die Transistoren der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 auch Transistoren vom N-Typ übernehmen oder sowohl Transistoren vom P-Typ als auch Transistoren vom N-Typ übernehmen, solange die Anschlusspolaritäten der Transistoren des ausgewählten Typs gemäß den Anschlusspolaritäten entsprechender Transistoren in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verbunden sind.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die in der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit eingesetzten Transistoren Dünnschichttransistoren, Feldeffekttransistoren oder andere Schaltvorrichtungen mit den gleichen Eigenschaften sein können. Hier werden Beschreibungen gegeben, indem der Fall als Beispiel angenommen wird, in dem die Transistoren, die in der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit verwendet werden, Dünnschichttransistoren sind. Beispielsweise bestehen die aktiven Schichten (Kanalbereiche) der Transistoren aus einem Halbleitermaterial, wie einem polykristallinen Silizium (wie polykristallines Niedertemperatur-Silizium oder polykristallines Hochtemperatur-Silizium), einem amorphen Silizium, einem Indium-Gallium-Zinn-Oxid (IGZO) und so weiter, und die Gate-Elektroden, Source-Elektroden und Drain-Elektroden der Transistoren bestehen aus einem Metallmaterial, wie etwa Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode eines hier angenommenen Transistors können symmetrisch in der Struktur sein, so dass es keinen Unterschied in der Struktur zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode gibt. In Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird, um die zwei Elektroden des Transistors mit Ausnahme der Gate-Elektrode zu unterscheiden, direkt beschrieben, dass eine Elektrode die erste Elektrode ist und die andere Elektrode die zweite Elektrode ist. Außerdem können in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Elektroden eines Kondensators Metallelektroden sein, oder alternativ kann eine der Elektroden eines Kondensators ein Halbleitermaterial (wie z. B. dotiertes Polysilizium) annehmen.
  • 1C ist ein Signalzeitdiagramm der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 im Betrieb, wie in 1B dargestellt. Im Folgenden wird der Betrieb der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit detailliert unter Bezugnahme auf 1 B und 1C beschrieben. Beispielsweise wird das Betriebsprinzip der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in einer ersten Stufe beschrieben, und das Betriebsprinzip der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in anderen Stufen ähnlich sind, und es werden keine weiteren Beschreibungen gegeben. Wie in 1C dargestellt umfasst der Betriebsprozess der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 sechs Phasen, die jeweils eine erste Phase P1, eine zweite Phase P2, eine dritte Phase P3, eine vierte Phase P4, eine fünfte Phase P5 und a sind sechste PhaseP6, und 1C zeigt zeitliche Wellenformen von Signalen in jeder Phase.
  • In der ersten Phase P1, wie in 1C dargestellt, liefert die erste Taktsignalleitung ECK einen niedrigen elektrischen Pegel, und daher empfängt der erste Taktsignalanschluss CK, der mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden ist, ein erstes Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel, der Eingangstransistor T1 und der zweite Steuertransistor T3 werden eingeschaltet, der eingeschaltete Eingangstransistor T1 ermöglicht die Übertragung des Triggersignals ESTV mit einem hohen elektrischen Pegel an den ersten Knoten N 1, um den elektrischen Pegel des ersten Knotens N1 in einen hohen elektrischen Pegel zu ändern, und somit werden der erste Steuertransistor T2, der dritte Rauschunterdrückungstransistor T8 und der Ausgangstransistor T10 ausgeschaltet. Außerdem ermöglicht der eingeschaltete zweite Steuertransistor T3, dass die erste Spannung mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den zweiten Knoten N2 übertragen wird, um den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 in einen niedrigen elektrischen Pegel zu ändern, und somit werden der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 und der dritte Steuertransistor T6 eingeschaltet. Da die zweite Taktsignalleitung ECB einen hohen elektrischen Pegel liefert, weist das zweite Taktsignal, das von dem mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbundenen zweiten Taktsignalanschluss CB empfangen wird, einen hohen elektrischen Pegel auf, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 ausgeschaltet. Außerdem kann aufgrund der Speicherfunktion des dritten Kondensators C3 der elektrische Pegel des vierten Knotens N4 auf einem hohen elektrischen Pegel gehalten warden, um zu ermöglichen, dass der Ausgangssteuertransistor T9 ausgeschaltet wird. Da in der ersten Phase P1 sowohl der Ausgangssteuertransistor T9 als auch der Ausgangstransistor T10 ausgeschaltet sind, wird das Ausgangssignal, das von dem Ausgangsanschluss EOUT_1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 ausgegeben wird, auf einem niedrigen elektrischen Pegel gehalten, der vorher existierte.
  • In der zweiten Phase P2, wie in 1C gezeigt, stellt die zweite Taktsignalleitung ECB ein zweites Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den zweiten Taktsignalanschluss CB bereit, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 eingeschaltet. Da die erste Taktsignalleitung ECK ein erstes Taktsignal mit einem hohen elektrischen Pegel an den ersten Taktsignalanschluss liefert, werden der Eingangstransistor T1 und der zweite Steuertransistor T3 ausgeschaltet. Aufgrund der Speicherfunktion des ersten Kondensators C1 kann der zweite Knoten N2 den niedrigen elektrischen Pegel in der vorherigen Phase aufrechterhalten, und somit werden der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 und der dritte Steuertransistor T6 eingeschaltet. Die zweite Spannung VGH mit einem hohen elektrischen Pegel wird über den zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5 und den ersten Rauschunterdrückungstransistor T4, die eingeschaltet sind, an den ersten Knoten N1 übertragen, um zu ermöglichen, dass der elektrische Pegel des ersten Knotens N1 weiterhin auf dem hohen elektrischen Pegel der vorherigen Phase gehalten wird, und somit werden der erste Steuertransistor T2, der dritte Rauschunterdrückungstransistor T8 und der Ausgangstransistor T10 ausgeschaltet. Außerdem wird das zweite Taktsignal mit niedrigem elektrischem Pegel über den dritten Steuertransistor T6 und den vierten Steuertransistor T7, die eingeschaltet sind, an den vierten Knoten N4 übertragen, um den elektrischen Pegel des vierten Knotens N4 in einen niedrigen elektrischen Pegel zu ändern, und damit der Ausgangssteuertransistor T9 eingeschaltet, der eingeschaltete Ausgangssteuertransistor T9 gibt die zweite Spannung VGH mit einem hohen elektrischen Pegel aus, und somit ist das von einem Ausgangsanschluss EOUT_1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Phase P2 ausgegebene Ausgangssignal ein hoher elektrischer Pegel.
  • In der dritten Phase P3, wie in 1C gezeigt, stellt die erste Taktsignalleitung ECK ein erstes Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den ersten Taktsignalanschluss CK bereit, und somit werden der Eingangstransistor T1 und der zweite Steuertransistor T3 eingeschaltet. Die zweite Taktsignalleitung ECB stellt an den zweiten Taktsignalanschluss CB ein zweites Taktsignal mit einem hohen elektrischen Pegel bereit, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 ausgeschaltet. Aufgrund der Speicherfunktion des dritten Kondensators C3 kann der elektrische Pegel des vierten Knotens N4 den niedrigen elektrischen Pegel der vorherigen Phase beibehalten, um den Ausgangssteuertransistor T9 in einem eingeschalteten Zustand zu halten; der eingeschaltete Ausgangssteuertransistor T9 gibt die zweite Spannung VGH mit einem hohen elektrischen Pegel aus, und somit fährt es fort, das durch den Ausgangsanschluss EOUT_1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der dritten Phase P3 ausgegebene Ausgangssignal auf einem hohen elektrischen Pegel zu halten. Währenddessen gibt in dieser Phase der Ausgangsanschluss EOUT_2 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Stufe einen hohen elektrischen Pegel aus (Detaillierte Beschreibungen können sich auf den Betriebsprozess in der zweiten Phase P2 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe beziehen).
  • In der vierten Phase P4, wie in 1C gezeigt, liefert die erste Taktsignalleitung ECK das erste Taktsignal mit einem hohen elektrischen Pegel an den ersten Taktsignalanschluss CK, und somit werden der Eingangstransistor T1 und der zweite Steuertransistor T3 ausgeschaltet. Die zweite Taktsignalleitung ECB liefert das zweite Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den zweiten Taktsignalanschluss CB, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 eingeschaltet. Aufgrund der Speicherfunktion des zweiten Kondensators C2 wird der elektrische Pegel des ersten Knotens N1 auf dem hohen elektrischen Pegel der vorherigen Phase gehalten, um den ersten Steuertransistor T2, den dritten Rauschunterdrückungstransistor T8 und den Ausgangstransistor T10 auszuschalten. Aufgrund der Speicherfunktion des ersten Kondensators C1 beibehält der zweite Knoten N2 weiterhin den niedrigen Pegel der vorherigen Stufe, um den zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5 und den dritten Steuertransistor T6 einzuschalten. Außerdem wird das zweite Taktsignal mit niedrigem elektrischem Pegel über den dritten Steuertransistor T6 und den vierten Steuertransistor T7, die eingeschaltet sind, an den vierten Knoten N4 übertragen, um den elektrischen Pegel des vierten Knotens N4 in einen niedrigen elektrischen Pegel zu ändern, und somit wird der Ausgangssteuertransistor T9 eingeschaltet; der eingeschaltete Ausgangssteuertransistor T9 gibt die zweite Spannung VGH mit einem hohen elektrischen Pegel aus, und somit soll das Ausgangssignal, das von dem Ausgangsanschluss EOUT_1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der vierten Phase P4 ausgegeben wird, immer noch ein hoher elektrischer Pegel sein. Währenddessen gibt in dieser Phase der Ausgangsanschluss EOUT_2 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Stufe einen hohen elektrischen Pegel aus (Detaillierte Beschreibungen können sich auf den Betriebsprozess in der oben erwähnten dritten Phase P3 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe beziehen).
  • In der fünften Phase P5, wie in 1C gezeigt, stellt die erste Taktsignalleitung ECK ein erstes Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den ersten Taktsignalanschluss CK bereit, und somit werden der Eingangstransistor T1 und der zweite Steuertransistor T3 eingeschaltet. Die zweite Taktsignalleitung ECB stellt an den zweiten Taktsignalanschluss CB ein zweites Taktsignal mit einem hohen elektrischen Pegel bereit, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 ausgeschaltet. Der eingeschaltete Eingangstransistor T1 ermöglicht die Übertragung des Triggersignals ESTV mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den ersten Knoten N1, um den elektrischen Pegel des ersten Knotens N1 auf einen niedrigen elektrischen Pegel zu ändern.
  • Beispielsweise beträgt in der fünften Phase P5 die Spannung des ersten Taktsignals mit einem niedrigen elektrischen Pegel -6 V, die Spannung des niedrigen elektrischen Pegels des Triggersignals ESTV beträgt -6 V, und die Schwellenspannung Vth des Eingangstransistors T1 beträgt -1,5 V. Da der Eingangstransistor T1 ein P-Typ-Transistor ist, ist es, um den Eingangstransistor T1 einzuschalten, erforderlich, dass die Spannung Vgs zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Eingangstransistors T1 kleiner als die Schwellenspannung Vth des Eingangstransistors T1 ist, und daher in dem Fall, in dem der erste Knoten N1 geladen wird, um zu ermöglichen, dass der elektrische Pegel des ersten Knotens N1 -4,5 V beträgt, wird der Eingangstransistor T1 ausgeschaltet, und es wird in diesem Moment gestoppt, um den ersten Knoten N1 zu laden, das heißt, in dieser Phase beträgt die Spannung des niedrigen elektrischen Pegels am ersten Knoten N1 -4,5 V, und somit werden der erste Steuertransistor T2, der dritte Rauschunterdrückungstransistor T8 und der Ausgangstransistor T10 eingeschaltet. Der erste Steuertransistor T2, der eingeschaltet ist, ermöglicht, dass ein erstes Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den zweiten Knoten N2 übertragen wird, um den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 weiter herunterzuziehen, und somit wird der elektrische Pegel des zweiten Knotens N2 weiterhin auf dem niedrigen elektrischen Pegel in der vorherigen Phase gehalten, um den zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5 und den dritten Steuertransistor T6 einzuschalten. Außerdem sorgt der eingeschaltete dritte Rauschunterdrückungstransistor T8 dafür, dass die zweite Spannung VGH mit einem hohen elektrischen Pegel an den vierten Knoten N4 übertragen wird, um den elektrischen Pegel des vierten Knotens N4 in einen hohen elektrischen Pegel zu ändern, und somit wird der Ausgangssteuertransistor T9 ausgeschaltet. Der eingeschaltete Ausgangstransistor T10 gibt die erste Spannung VGL mit einem niedrigen elektrischen Pegel (zum Beispiel -6 V) als Reaktion auf den niedrigen elektrischen Pegel (zum Beispiel -4,5 V) am ersten Knoten N1 aus; ähnlich beträgt die Schwellenspannung Vth des Ausgangstransistors T10 -1,5 V, um den Ausgangstransistor T10 einzuschalten, muss die Spannung Vgs zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ausgangstransistors T10 kleiner als die Schwellenspannung Vth des Ausgangstransistors T10 sein, und daher wird in dem Fall, in dem die vom Ausgangsanschluss EOUT_1 ausgegebene Spannung -3 V beträgt, der Ausgangstransistor T10 ausgeschaltet, das heißt, in dieser Phase beträgt die Spannung des niedrigen elektrischen Pegels am Ausgangsanschluss EOUT_1 - 3 V, und somit wird das Ausgangssignal, das in der fünften Phase P5 durch den Ausgangsanschluss EOUT_1 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe ausgegeben wird, auf einen ersten niedrigen elektrischen Pegel (beispielsweise -3 V) geändert. Währenddessen gibt in dieser Phase der Ausgangsanschluss EOUT_2 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Stufe einen hohen elektrischen Pegel aus (Detaillierte Beschreibungen können sich auf den oben erwähnten Betriebsprozess der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe in der vierten Phase P4 beziehen).
  • In der sechsten Phase P6, wie in 1C gezeigt, liefert die erste Taktsignalleitung ECK das erste Taktsignal mit einem hohen elektrischen Pegel an den ersten Taktsignalanschluss CK, die zweite Taktsignalleitung ECB liefert das zweite Taktsignal mit einem niedrigen elektrischen Pegel an den zweiten Taktsignalanschluss CB, und somit werden der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der vierte Steuertransistor T7 eingeschaltet. Da das zweite Taktsignal von einem hohen elektrischen Pegel in der fünften Phase P5 auf einen niedrigen elektrischen Pegel geändert wird, und die Schwankung z. B. Δt (z. B. größer als 6 V) beträgt, wird gemäß dem Bootstrap-Effekt des zweiten Kondensators C2 der elektrische Pegel des ersten Knotens N1 von einem niedrigen elektrischen Pegel (zum Beispiel -4,5 V) in der fünften Phase P5 in einen niedrigen elektrischen Pegel (zum Beispiel -4,5 V-Δt) mit einem noch niedrigeren Spannungswert; und daher werden der erste Steuertransistor T2 und der Ausgangstransistor T10 unter Steuerung des niedrigen elektrischen Pegels (beispielsweise -4,5 V - Δt) am ersten Knoten N1 eingeschaltet; gemäß den Einschaltcharakteristiken des Ausgangstransistors T10, wie oben beschrieben, kann die erste Spannung VGL mit einem niedrigen elektrischen Pegel (beispielsweise -6 V) vollständig an den Ausgangsanschluss EOUT_1 ausgegeben werden. Zum Beispiel ist in der sechsten Phase P6 die vom Ausgangsanschluss EOUT_1 ausgegebene Spannung ein zweiter niedriger elektrischer Pegel (zum Beispiel -6 V). Währenddessen gibt in dieser Phase der Ausgangsanschluss EOUT_2 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Stufe einen niedrigen elektrischen Pegel aus (z. B. -3 V, detaillierte Beschreibungen können sich auf den Betriebsprozess in der oben erwähnten fünften Phase P5 der Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe beziehen).
  • Mit der Reife der Technologie der organischen Leuchtdioden mit aktiver Matrix (AMOLED, active matrix organic light-emitting diode) nehmen immer mehr mobile Endgeräte eine AMOLED als Anzeigetafel an. Derzeit hat ein AMOLED-Produkt mit einer schmalen Einfassung auf dem Markt mehr Wettbewerbsvorteile und wird von mehr Verbrauchern bevorzugt. Zusätzlich zum Einfluss der Packungstechnologie ist die Größe der Einfassung auch stark durch die Gesamtgröße eines EM-GOA (d. h. eines Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarrays) begrenzt. Je größer die Größe des EM GOAs ist, desto größer die Größe der linken und rechten Einfassung des Panels ist; Umgekehrt, je kleiner die Größe des EM GOA ist, desto kleiner die Größe der Einfassungen des Panels ist.
  • 1D ist ein schematisches Layoutdiagramm der in 1B dargestellten Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit auf dem Anzeigesubstrat. Für beispielsweise das Anzeigesubstrat, wie es in 1D gezeigt, sind in einer zweiten Richtung X die Signalleitungen im linken Bereich nacheinander die Triggersignalleitung ESTV, die erste Taktsignalleitung ECK, die zweite Taktsignalleitung ECB und die erste der ersten Stromleitungen VGL, und die Signalleitung in der Mitte ist die zweite Stromleitung VGH; die Signalleitung ganz rechts ist die zweite der ersten Stromleitungen VGL. Wie in 1D gezeigt, sind der Eingangstransistor T1, der erste Steuertransistor T2 und der zweite Steuertransistor T3 Seite an Seite entlang einer ersten Raumrichtung Y im Raum angeordnet, das heißt, der Eingangstransistor T1, der erste Steuertransistor T2 und der zweite Steuertransistor T3 befinden sich in einer Aufwärts-Abwärts-Anordnung auf dem Anzeigesubstrat, wie in 1D dargestellt; beispielsweise liegt der zweite Steuertransistor T3 in der ersten Richtung Y unterhalb des ersten Steuertransistors T2, dies bewirkt, dass die Leitung zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des ersten Steuertransistors T2 und des zweiten Steuertransistors T3 relativ lang ist und ein größerer Raum wird besetzt; zum einfachen Verbinden der Drain-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 und der Drain-Elektrode des Ausgangstransistors T10 mit der ersten Stromleitung VGL, um die erste Spannung zu empfangen, sind außerdem in der zweiten Richtung X zwei erste Stromleitungen VGL, die gleich sind, sowohl im linken Bereich (wie in 1D dargestellt, die Seite näher am zweiten Steuertransistor T3) als auch im rechten Bereich (wie in 1D dargestellt, die Seite näher am Ausgangstransistor T10) des Anzeigesubstrats vorgesehen, was zu einer Platzverschwendung des Anzeigesubstrats führt und der Realisierung abträglich ist ein Anzeigesubstrat mit einer schmalen Einfassung, was zu einer Platzverschwendung des Anzeigesubstrats führt und der Realisierung eines Anzeigesubstrats mit einer schmalen Einfassung abträglich ist.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat bereit, umfassend: ein Basissubstrat, das einen Anzeigebereich und einen Peripheriebereich umfasst, der sich auf mindestens einer Seite des Anzeigebereichs befindet; und eine Schieberegistereinheit, eine erste Stromleitung und eine zweite Stromleitung, die auf dem Peripheriebereich des Basissubstrats vorgesehen sind, die erste Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine erste Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen, und die zweite Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine zweite Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; die Schieberegistereinheit eine Eingangsschaltung, eine erste Knotensteuerschaltung, eine zweite Knotensteuerschaltung, eine dritte Knotensteuerschaltung, eine vierte Knotensteuerschaltung und eine Ausgangssteuerschaltung umfasst; die Eingangsschaltung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal als Reaktion auf ein erstes Taktsignal in einen ersten Knoten einzugeben; die zweite Knotensteuerschaltung mit der ersten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der ersten Stromleitung bereitgestellte erste Spannung oder das erste Taktsignal unter Steuerung des ersten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des ersten Knotens in den zweiten Knoten einzugeben, um einen elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die erste Knotensteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung des zweiten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des zweiten Knotens in den ersten Knoten einzugeben, um eine Rauschunterdrückung des ersten Knotens durchzuführen; die dritte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, einen elektrischen Pegel des dritten Knotens als Reaktion auf den elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die vierte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, den elektrischen Pegel des dritten Knotens unter der Steuerung des zweiten Taktsignals in den vierten Knoten einzugeben; die Ausgangssteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung und einem Ausgangsanschluss verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung eines elektrischen Pegels des vierten Knotens als ein Ausgangssignal an den Ausgangsanschluss auszugeben; eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat befindet sich auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite einer orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat, eine orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet, die orthographische Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat sich zwischen der orthographischen Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat und der Orthographie Projektion der zweiten Stromleitung auf das Basissubstrat befindet.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren eines Anzeigesubstrats bereit, das dem oben beschriebenen Anzeigesubstrat entspricht.
  • Das Anzeigesubstrat, das durch die oben erwähnten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, optimiert Verbindungen zwischen Drähten und das Layout von Strukturen in der Schieberegistereinheit, reduziert eine Menge (Anzahl) von Drähten (zum Beispiel die erste Stromleitungen), und verringert die Länge der Schieberegistereinheit in der zweiten Richtung um ein gewisses Maß, und reduziert die Größe der Schieberegistereinheit, und dieses Design ist vorteilhaft, das schmale Einfassungsdesign des Anzeigesubstrats zu realisieren, während die Anzeigequalität des Anzeigesubstrats garantiert wird.
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und einige Beispiele von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat bereit. 2 ist ein schematisches Layoutdiagramm der in 1B gezeigten Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 auf einem Anzeigesubstrat.
  • Wie beispielsweise in 2 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat 1: ein Basissubstrat 10 und eine Schieberegistereinheit 105, eine erste Stromleitung VGL, eine zweite Stromleitung VGH und eine Vielzahl von Taktsignalleitungen (zum Beispiel eine erste Taktsignalleitung ECK, eine zweite Taktsignalleitung ECB und eine Triggersignalleitung ESTV, wie in 2 dargestellt), die sich auf dem Basissubstrat 10 befinden. Beispielsweise ist in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Schieberegistereinheit die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105. Der Zweckmäßigkeit und Prägnanz der Beschreibungen halber werden Beschreibungen gegeben, indem ermöglicht wird, dass die Lichtemissionssteuerungs-Schieberegistereinheit 105 als die Schieberegistereinheit abgekürzt wird.
  • Zum Beispiel erstrecken sich die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH und die Vielzahl von Taktsignalleitungen (zum Beispiel die erste Taktsignalleitung ECK, die zweite Taktsignalleitung ECB und die Triggersignalleitung ESTV) entlang der ersten Richtung Y auf dem Basissubstrat 10, und sind dazu konfiguriert, jeweils eine erste Spannung, eine zweite Spannung und eine Vielzahl von Taktsignale (zum Beispiel das erste Taktsignal, das zweite Taktsignal oder das Triggersignal oder dergleichen, wie oben beschrieben) an die Schieberegistereinheit 105 bereitzustellen. Beispielsweise ist die erste Stromleitung VGL dazu konfiguriert, die erste Spannung an die Schieberegistereinheit 105 bereitzustellen, und die zweite Stromleitung VGH ist dazu konfiguriert, die zweite Spannung an die Schieberegistereinheit 105 bereitzustellen; die erste Taktsignalleitung ECK und die zweite Taktsignalleitung ECB sind dazu konfiguriert, jeweils das erste Taktsignal oder das zweite Taktsignal an die Schieberegistereinheit 105 bereitzustellen. Beispielsweise ist die erste Spannung kleiner als die zweite Spannung; beispielsweise ist die erste Spannung ein niedriger elektrischer Gleichspannungspegel und die zweite Spannung ein hoher elektrischer Gleichspannungspegel. Spezifische Verbindungen zwischen der Schieberegistereinheit 105 und jeder der ersten Stromleitung VGL, der zweiten Stromleitung VGH und der Vielzahl von Taktsignalleitungen können sich auf die folgenden Beschreibungen beziehen.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH und die Vielzahl von Taktsignalleitungen parallel zueinander sein und sich entlang der ersten Richtung Y erstrecken können, oder einander schneiden können, um dazwischen einen bestimmten Winkel (beispielsweise kleiner als oder gleich 20 Grad) zu bilden, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise kann das Basissubstrat 10 Glas, Kunststoff, Quarz oder andere geeignete Materialien annehmen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise umfasst das Anzeigesubstrat 1 einen Anzeigebereich 102 (zum Beispiel wird der Anzeigebereich 102 als eine Pixelarrayregion bezeichnet) und einen Peripheriebereich 106 auf mindestens einer Seite des Pixelarraybereichs; zum Beispiel befinden sich die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH, die Vielzahl von Taktsignalleitungen und die Schieberegistereinheit 105, die oben beschrieben wurden, auf dem Peripheriebereich 106 des Basissubstrats 10, und befinden sich auf einer Seite des Basissubstrats 10 (wie in 1A dargestellt, befinden sich zwischen dem Anzeigebereich 102 und einer Seitenkante des Basissubstrats 10); wie beispielsweise in 1A gezeigt, befinden sich die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH, die Vielzahl von Taktsignalleitungen und die Schieberegistereinheit 105 im linken Seitenbereich des Basissubstrats 10; offensichtlich befinden sich in einem anderen Beispiel die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH, die Vielzahl von Taktsignalleitungen und die Schieberegistereinheit 105 an der rechten Seitenregion des Basissubstrats 10 oder an zwei Seitenregionen, das heißt der linke Seitenbereich und der rechte Seitenbereich des Basissubstrats 10, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise befindet sich eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung VGL auf dem Basissubstrat 10 auf einer näher an dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite einer orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit 105 auf dem Basissubstrat 10; beispielsweise in der zweiten Richtung X, befindet sich auf der rechten Seite der Schieberegistereinheit 105, wie in 2 dargestellt, das heißt, befindet sich zwischen der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit 105 auf dem Basissubstrat 10 und dem Anzeigebereich 102; eine orthographische Projektion der zweiten Stromleitung VGH und orthographische Projektionen der Vielzahl von Taktsignalleitungen auf dem Basissubstrat 10 befinden sich auf einer weg von dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit 105 auf dem Basissubstrat 10, beispielsweise in der zweiten Richtung X, befinden sich auf der linken Seite der Schieberegistereinheit 105, wie in 2 dargestellt. Das heißt, die orthographische Projektion der Schieberegistereinheit 105 auf dem Basissubstrat 10 liegt zwischen der orthographischen Projektion der ersten Stromleitung VGL auf dem Basissubstrat 10 und der orthographischen Projektion der zweiten Stromleitung VGH auf dem Basissubstrat 10.
  • Zum Beispiel ist in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung durch Anwenden des oben erwähnten Schaltungslayouts, nur die eine erste Stromversorgungsleitung VGL auf der rechten Seite des Anzeigesubstrats vorgesehen, und mit der Schieberegistereinheit 105 verbunden; das heißt, wie in 2 gezeigt, teilen sich der zweite Steuertransistor T3 und der Ausgangstransistor T10 in der Schieberegistereinheit 105 dieselbe erste Stromleitung VGL, und daher wird die Menge an Stromleitungen reduziert, und Bereitstellen nur einer ersten Stromleitung VGL im gesamten Schaltungslayout, kann die Entwurfsanforderungen erfüllen, dies spart erheblich Platz im Schaltungslayout, und es ist vorteilhaft, das schmale Rahmendesign des Anzeigesubstrats zu realisieren.
  • Wie beispielsweise in 2 gezeigt, liegt die orthographische Projektion der zweiten Stromleitung VGH auf dem Basissubstrat 10 zwischen der orthographischen Projektion der ersten Taktsignalleitung ECK und der zweiten Taktsignalleitung ECB auf dem Basissubstrat 10 und der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit 105 auf dem Basissubstrat 10. Beispielsweise sind die Triggersignalleitung ESTV, die erste Taktsignalleitung ECK und die zweite Taktsignalleitung ECB aufeinanderfolgend von links nach rechts entlang der zweiten Richtung X auf dem Basissubstrat 10 angeordnet.
  • Es sollte beachtet werden, dass die Positionen der oben erwähnten Drähte nur Beispiele sind, solange die Einstellung der Verdrahtung erfüllt werden kann, ist es zweckmäßig, eine Verbindung mit der Schieberegistereinheit herzustellen. und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise reicht der Winkel zwischen der ersten Richtung Y und der zweiten Richtung X von 70°-90°, und 70° und 90° sind umgefasst. Beispielsweise beträgt der Winkel zwischen der ersten Richtung Y und der zweiten Richtung X 70°, 75°, 85°, 90°, 80°, usw, der Winkel zwischen der ersten Richtung Y und der zweiten Richtung X kann gemäß der tatsächlichen Implementierung eingestellt werden, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise umfasst der Anzeigebereich 102 eine Vielzahl von Pixeleinheiten 103, die in einem Array angeordnet sind. Beispielsweise umfasst jede der Vielzahl von Pixeleinheiten 103 eine Pixelschaltung, und kann beispielsweise ferner ein lichtemittierendes Element (nicht in Figuren dargestellt) umfassen.
  • Beispielsweise bilden die Vielzahl von Schieberegistereinheiten 105, die kaskadiert sind, ein Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarray (EM GOA). Ausgangsanschlüsse EOUT der Vielzahl von Schieberegistereinheiten 105 sind beispielsweise jeweils mit Lichtemissionssteuerung-Signalanschlüssen jeweiliger Zeilen von Pixelschaltungen in dem Pixelarraybereich verbunden, um Ausgangssignale (z. B. Lichtemissionssteuersignale) an die jeweiligen Zeilen von Pixelschaltungen bereitzustellen, um die licht emittierenden Elemente zu treiben, um Licht zu emittieren. Beispielsweise können die Pixelschaltungen Pixelschaltungen sein, die Schaltungsstrukturen verwenden, wie etwa 7T1C, 2T1C, 4T2C, 8T2C auf dem Gebiet, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • 2 zeigt nur eine Schieberegistereinheit 105 in einer X-ten Stufe in der Gate-Treiberschaltung. Beispielsweise ist ein erster Taktsignalanschluss CK (wie in 1B dargestellt) der Schieberegistereinheit in der ersten Stufe (in den Figuren nicht dargestellt) mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen; ein zweiter Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen; ein erster Taktsignalanschluss CK der Schieberegistereinheit in der zweiten Stufe (in den Figuren nicht dargestellt) ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen, und ein zweiter Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit an der zweiten Stufe ist mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen, und so weiter; wie in 2 gezeigt, ist der erste Taktsignalanschluss CK der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe (X ist eine ungerade Zahl, die größer als oder gleich 1 ist) mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen, ein zweiter Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen; ein erster Taktsignalanschluss CK der Schieberegistereinheit in der (X+1)-ten Stufe ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen; ein zweiter Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit in der (X+1)-ten Stufe ist mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen. Es sei darauf hingewiesen, dass die Verbindungen zwischen den Schieberegistereinheiten an den jeweiligen Stufen und den Taktsignalleitungen auch andere Verbindungen auf dem Gebiet annehmen können, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Beispielsweise ist der Eingangsanschluss EI der Schieberegistereinheit in der ersten Stufe mit der Triggersignalleitung ESTV verbunden, um das als Eingangssignal dienende Triggersignal zu empfangen; der Eingangsanschluss der Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Stufe ist mit dem Ausgangsanschluss EOUT der Schieberegistereinheit in einer vorherigen Stufe (d. h. die Schieberegistereinheit in der ersten Stufe) verbunden, und die Verbindungen für die Schieberegistereinheit an anderen Stufen sind ähnlich zu der oben beschriebenen Verbindung. Im Folgenden werden Beschreibungen gegeben, indem die Struktur der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe als Beispiel genommen wird, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Wie beispielsweise in 1B gezeigt, umfasst die Schieberegistereinheit 105 in einigen Beispielen eine Eingangsschaltung 1041, eine erste Knotensteuerschaltung 1042, eine zweite Knotensteuerschaltung 1043, eine dritte Knotensteuerschaltung 1044, eine vierte Knotensteuerschaltung 1045 und eine Ausgangssteuerschaltung 1046; und in einigen anderen Beispielen umfasst die Schieberegistereinheit 105 ferner eine Ausgangsschaltung 1047 und eine vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung 1048.
  • Die Eingangsschaltung 1041 ist dazu konfiguriert, das durch den Eingangsanschluss EI empfangene Eingangssignal als Reaktion auf das erste Taktsignal in den ersten Knoten N1 einzugeben. Beispielsweise ist die Eingangsschaltung 1041 mit dem Eingangsanschluss EI, dem ersten Knoten N1 und dem ersten Taktsignalanschluss CK verbunden (der erste Taktsignalanschluss CK der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe ist mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen, und der erste Taktsignalanschluss CK der Schieberegistereinheit an der (X+1)-ten Stufe ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das erste Taktsignal zu empfangen), und ist konfiguriert dazu, unter der Steuerung des ersten Taktsignals, das von dem ersten Taktsignalanschluss CK empfangen wird, eingeschaltet zu werden, um zu ermöglichen, dass der Eingangsanschluss EI mit dem ersten Knoten N1 verbunden wird, und um das Eingangssignal in den ersten Knoten N1 einzugeben.
  • Beispielsweise ist die Eingangsschaltung 1041 als wie oben beschrieben der Eingangstransistor T1 implementiert, die Verbindung für den Eingangstransistor T1 kann sich auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die zweite Knotensteuerschaltung 1043 ist mit der ersten Stromleitung VGL verbunden und dazu konfiguriert, die von der ersten Stromleitung VGL bereitgestellte erste Spannung oder das erste Taktsignal unter Steuerung des ersten Taktsignals und des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1 in den zweiten Knoten N2 einzugeben, um den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 zu steuern. Beispielsweise ist die zweite Knotensteuerschaltung 1043 mit der ersten Stromleitung VGL, dem ersten Knoten N1, dem ersten Taktsignalanschluss CK und dem zweiten Knoten N2 verbunden, und ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung des ersten Taktsignals, das von dem ersten Taktsignalanschluss CK empfangen wird, und des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1, eingeschaltet zu werden, um die ersten Spannung, die von der ersten Stromleitung VGL bereitgestellt wird, oder das erste Taktsignal in den zweiten Knoten N2 einzugeben, um den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 zu steuern. Beispielsweise ist die zweite Knotensteuerschaltung 1043 als der erste Steuertransistor T2 und der zweite Steuertransistor T3 wie oben beschrieben implementiert, die Verbindungen für den ersten Steuertransistor T2 und den zweiten Steuertransistor T3 sich können auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die zweite Knotensteuerschaltung 1043 nicht darauf beschränkt ist, mit dem ersten Knoten N1 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am ersten Knoten N1) verbunden sein, oder mit einer Schaltung verbunden sein, die separat vorgesehen ist und gleiche ist wie die Eingangsschaltung, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die erste Knotensteuerschaltung 1042 ist mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden, und dazu konfiguriert ist, die zweite Spannung, die von der zweiten Stromleitung VGH bereitgestellt wird, unter der Steuerung des zweiten Taktsignals und des elektrischen Pegels des zweiten Knotens N2 in den ersten Knoten N1 einzugeben, um eine Rauschunterdrückung am ersten Knoten N1 durchzuführen. Beispielsweise ist die erste Knotensteuerschaltung 1042 mit der zweiten Stromleitung VGH, dem zweiten Taktsignalanschluss CB (der zweite Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen, und der zweite Taktsignalanschluss CB der Schieberegistereinheit in der (X+1)-ten Stufe ist mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden, um das zweite Taktsignal zu empfangen), dem zweiten Knoten N2 und dem ersten Knoten N1 verbunden, und ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung des zweiten Taktsignals, das von dem zweiten Taktsignalanschluss CB empfangen wird, und des elektrischen Pegels des zweiten Knotens N2, eingeschaltet zu werden, um zu ermöglichen, dass die zweite Stromleitung VGH mit dem ersten Knoten N1 verbunden wird, um die zweite Spannung, die von der zweiten Stromleitung VGH bereitgestellt wird, in den ersten Knoten N1 einzugeben, und eine Rauschunterdrückung am ersten Knoten N1 durchzuführen. Beispielsweise ist die erste Knotensteuerschaltung 1042 als der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 implementiert, wie oben beschrieben; die Verbindungen für den ersten Rauschunterdrückungstransistor T4 und den zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5 können sich auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die erste Knotensteuerschaltung 1042 nicht darauf beschränkt ist, mit dem zweiten Knoten N2 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am zweiten Knoten N2) verbunden sein, oder mit einer Schaltung verbunden sein, die separat vorgesehen ist und gleiche ist wie die zweite Knotensteuerschaltung 1043, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die dritte Knotensteuerschaltung 1044 ist dazu konfiguriert, den elektrischen Pegel des dritten Knotens N3 als Reaktion auf den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 zu steuern. Beispielsweise ist die dritte Knotensteuerschaltung 1044 mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB, dem zweiten Knoten N2 und dem dritten Knoten N3 verbunden, und ist dazu konfiguriert, in Reaktion auf den elektrischen Pegel des zweiten Knotens N2 eingeschaltet zu werden, um zu ermöglichen, dass der zweite Taktsignalanschluss CB mit dem dritten Knoten N3 verbunden wird, um den elektrischen Pegel am dritten Knoten N3 zu steuern. Beispielsweise ist die dritte Knotensteuerschaltung 1044 als der dritte Steuertransistor T6 und der erste Kondensator C1 implementiert, wie oben beschrieben; die Verbindungen für den dritten Steuertransistor T6 und den ersten Kondensator C1 können sich auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die dritte Knotensteuerschaltung 1044 nicht darauf beschränkt ist, mit dem zweiten Knoten N2 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am zweiten Knoten N2) verbunden sein, oder mit einer Schaltung verbunden sein, die separat vorgesehen ist und gleiche ist wie die zweite Knotensteuerschaltung 1043, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die vierte Knotensteuerschaltung 1045 ist dazu konfiguriert, den elektrischen Pegel an dem dritten Knoten N3 unter der Steuerung des zweiten Taktsignals in den vierten Knoten N4 einzugeben. Beispielsweise ist die vierte Knotensteuerschaltung 1045 mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB, dem dritten Knoten N3 und dem vierten Knoten N4 verbunden, und dazu konfiguriert ist, unter der Steuerung des zweiten Taktsignals, das von dem zweiten Taktsignalanschluss CB empfangen wird, eingeschaltet zu werden, und um den elektrischen Pegel am dritten Knoten N3 in den vierten Knoten N4 einzugeben.
  • Die Ausgangssteuerschaltung 1046 ist dazu konfiguriert, die zweite Spannung, die von der zweiten Stromleitung VGH bereitgestellt wird, als Ausgangssignal an den Ausgangsanschluss EOUT auszugeben. Beispielsweise ist die Ausgangssteuerschaltung 1046 mit dem vierten Knoten N4, dem Ausgangsanschluss EOUT und der zweiten Stromleitung VGH verbunden, und dazu konfiguriert ist, unter der Steuerung des elektrischen Pegels des vierten Knotens N4 eingeschaltet zu werden, um die zweite Stromleitung VGH und den Ausgangsanschluss EOUT zu verbinden, und um die zweite Spannung als Ausgangssignal am Ausgangsanschluss EOUT auszugeben. Beispielsweise ist die Ausgangssteuerschaltung 1046 als der Ausgangssteuertransistor T9 und der dritte Kondensator C3 wie oben beschrieben implementiert, die Verbindungen für den Ausgangssteuertransistor T9 und den dritten Kondensator C3 sich können auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die Ausgangssteuerschaltung 1046 nicht darauf beschränkt ist, mit dem vierten Knoten N4 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am vierten Knoten N4) verbunden sein, oder mit einer Schaltung verbunden sein, die separat vorgesehen ist und gleiche ist wie die vierte Knotensteuerschaltung 1045, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die Ausgangsschaltung 1047 ist mit der ersten Stromleitung VGL und dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden, und ist dazu konfiguriert, den Ausgangsanschluss EOUT unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1 zurückzusetzen. Beispielsweise ist die Ausgangsschaltung 1047 mit dem zweiten Taktsignalanschluss CB, dem ersten Knoten N1, der ersten Stromleitung VGL und dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden, und ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1 eingeschaltet zu werden, um zu ermöglichen, dass die erste Stromleitung VGL mit dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden wird, um den elektrischen Pegel des Ausgangsanschlusses EOUT auf einen niedrigen elektrischen Pegel zu steuern, und um das Verursachen falscher Ausgaben während einer Phase ohne Ausgabe durch die Schieberegistereinheit zu vermeiden. Beispielsweise ist die Ausgangsschaltung 1047 als der Ausgangstransistor T10 und der zweite Kondensator C2 wie oben beschrieben implementiert; die Verbindungen für den Ausgangstransistor T10 und den zweiten Kondensator C2 können sich auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die Ausgangsschaltung 1047 nicht darauf beschränkt ist, mit dem ersten Knoten N1 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am ersten Knoten N1) verbunden sein oder mit einer Schaltung verbunden sein kann, die die gleiche wie die Eingangsschaltung 1041 ist und separat vorgesehen ist, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung 1048 ist mit der zweiten Stromleitung VGH, dem ersten Knoten N1 und dem vierten Knoten N4 verbunden, und ist dazu konfiguriert, eine Rauschunterdrückung am vierten Knoten N4 unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1 durchzuführen. Beispielsweise wird die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung 1048 unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens N1 eingeschaltet, um zu ermöglichen, dass der vierte Knoten N4 mit der zweiten Stromleitung VGH verbunden wird, um die Spannung am vierten Knoten N4 auf einem hohen elektrischen Pegel zu halten, eine Rauschunterdrückung am vierten Knoten N4 durchzuführen, und um zu vermeiden, falsche Ausgaben durch die Schieberegistereinheit 105 zu verursachen. Beispielsweise kann die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung 1048 als der dritte Rauschunterdrückungstransistor T8 wie oben beschrieben implementiert sein, die Verbindung für den dritten Rauschunterdrückungstransistor T8 kann sich auf die obigen Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben. Es sollte beachtet werden, dass die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung 1048 nicht darauf beschränkt ist, mit dem ersten Knoten N1 verbunden zu sein, und kann auch mit einem anderen unabhängigen Spannungsanschluss (der eine Spannung bereitstellt, die die gleiche ist wie die Spannung am ersten Knoten N1) verbunden sein, oder mit einer Schaltung verbunden sein, die separat vorgesehen ist und gleiche ist wie die Eingangsschaltung 1041, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Die Verbindungen für andere Schaltungen in der Schieberegistereinheit sind ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur schematisch zwei Taktsignalleitungen (die erste Taktsignalleitung ECK und die zweite Taktsignalleitung ECB) zeigen, und können auch 4, 6, 8 oder meherere Taktsignalleitungen umfassen, und in dieser Hinsicht wird in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung keine Beschränkung gegeben. Dementsprechend werden in dem Fall, in dem die Anzahl der Taktsignalleitungen geändert wird, auch die Verbindungen zwischen der Schieberegistereinheit 105 auf dem Anzeigesubstrat und den Taktsignalleitungen geändert, spezifische Details können sich auf das Design auf dem Gebiet beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • 3, 4, 5 und 7 zeigen jeweils planare Ansichten von Verdrahtungen in Schichten des Anzeigesubstrats wie in 2 gezeigt. 3 ist eine planare Ansicht einer Halbleiterschicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, 4 ist eine planare Ansicht einer ersten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, 5 ist eine planare Ansicht einer zweiten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, 6 ist ein Diagramm, das eine Verteilung von Durchgangslöchern eines Anzeigesubstrats darstellt, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, 7 ist eine planare Ansicht einer dritten leitenden Schicht eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, 8 ist eine Schnittansicht entlang der A-A'-Richtung des in 2 dargestellten Anzeigesubstrats in einiger Beispielen. Im Folgenden wird eine laminierte Struktur des Anzeigesubstrats, das durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, unter Bezugnahme auf 3-8 ausführlich beschrieben.
  • Zum Beispiel sich kann eine Zwischenschicht-Isolierschicht (die zum Beispiel eine erste Isolierschicht, eine zweite Isolierschicht, eine dritte Isolierschicht usw. umfasst) zwischen den in den 3 bis 7 gezeigten Schichtstrukturen befinden. Beispielsweise befindet sich die erste Isolierschicht 350 (wie in 8 dargestellt) zwischen der in 3 dargestellten Halbleiterschicht 310 und der in 4 dargestellten ersten leitenden Schicht 320; die zweite Isolierschicht 360 (wie in 8 dargestellt) befindet sich zwischen der in 4 dargestellten ersten leitenden Schicht 320 und der in 5 dargestellten zweiten leitenden Schicht 330; die dritte Isolierschicht 370 (wie in 8 dargestellt) befindet sich zwischen der in 5 dargestellten zweiten leitenden Schicht 330 und der in 7 dargestellten dritten leitenden Schicht 340. Die in 6 dargestellten Durchgangslöcher sind Durchgangslöcher, die durch eine Schicht oder eine Vielzahl von Schichten der ersten Isolierschicht 350, der zweiten Isolierschicht 360 oder der dritten Isolierschicht 370 durchdringen.
  • Wie beispielsweise in 8 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat 1 ferner eine vierte Isolierschicht 380, die sich auf der dritten leitenden Schicht 340 befindet und zum Schützen der dritten leitenden Schicht 340 verwendet wird.
  • Beispielsweise können die Materialien der ersten Isolierschicht 350, der zweiten Isolierschicht 360, der dritten Isolierschicht 370 und der vierten Isolierschicht 380 ein anorganisches Isoliermaterial wie etwa SiNx, SiOx, SiNxOy, und so weiter umfassen, ein organisches Isoliermaterial, wie organisches Harz, oder andere geeignete Materialien, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass das in 2 dargestellte Anzeigesubstrat, beschrieben wird, indem das Layoutdesign für die Schieberegistereinheit in der X-ten Stufe in dem Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarray und die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung und die Signalleitungen, die mit der Schieberegistereinheit verbunden sind, als Beispiel genommen warden, und die Implementierung des Layouts für die Schieberegistereinheiten in den anderen Stufen kann sich auf das in 2 dargestellte Layout beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben; offensichtlich können auch andere Layouts übernommen werden, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Offensichtlich kann sich auch das Layout der Schieberegistereinheiten jeweiliger Stufen der verbleibenden Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarrays auf das in 2 dargestellte Layout beziehen, oder kann andere Layouts annehmen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Im Folgenden wird das durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellte Anzeigesubstrat unter Bezugnahme auf 2-8 ausführlich beschrieben.
  • Zum Beispiel können die aktiven Schichten des Eingangstransistors T1 bis zum Ausgangstransistor T10 der in 2 gezeigten Schieberegistereinheit 105 auf der in 3 gezeigten Halbleiterschicht 310 gebildet werden. Die Halbleiterschicht 310 kann durch einen Strukturierungsprozess für ein Halbleitermaterial gebildet werden. Wie beispielsweise in 3 gezeigt, kann die Halbleiterschicht 310 je nach Bedarf ein Muster mit einer Form eines kurzen Stabs oder ein Muster mit einer gekrümmten oder gebogenen Form haben, und die Halbleiterschicht 310 kann zum Bilden der aktiven Schichten des oben erwähnten Eingangstransistors T1 bis zum Ausgangstransistor T10 verwendet werden. Jede aktive Schicht kann einen Source-Elektrodenbereich, einen Drain-Elektrodenbereich und einen Kanalbereich aufweisen, der zwischen dem Source-Elektrodenbereich und dem Drain-Elektrodenbereich liegt. Beispielsweise hat der Kanalbereich Halbleitereigenschaften; der Source-Elektrodenbereich und der Drain-Elektrodenbereich befinden sich auf zwei Seiten des Kanalbereichs, und kann mit Verunreinigungen dotiert sein, und daher sind der Source-Elektrodenbereich und der Drain-Elektrodenbereich leitend. Beispielsweise ist der Source-Elektrodenbereich Teil der aktiven Schicht, die Metallelektrode (die zum Beispiel in der dritten leitenden Schicht 340 liegt), die in Kontakt mit dem Source-Elektrodenbereich ist, entspricht der Source-Elektrode (oder die wird als die erste Elektrode bezeichnet) eines Transistors; der Drain-Elektrodenbereich ist ein Teil der aktiven Schicht, die Metallelektrode (die zum Beispiel in der dritten leitenden Schicht 340 liegt), die in Kontakt mit dem Drain-Elektrodenbereich steht, entspricht der Drain-Elektrode (oder die wird als die zweite Elektrode bezeichnet) eines Transistors. Beispielsweise ist der Source-Elektrodenbereich mit der Metallelektrode (der Source-Elektrode) entsprechend dem Source-Elektrodenbereich durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt; der Drain-Elektrodenbereich ist mit der Metallelektrode (der Drain-Elektrode) entsprechend dem Drain-Elektrodenbereich durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 8 gezeigt, wird der zweite Steuertransistor T3 als Beispiel genommen. Die aktive Schicht des zweiten Steuertransistors T3 umfasst einen Source-Elektrodenbereich S3, einen Drain-Elektrodenbereich (in den Figuren nicht dargestellt) und einen Kanalbereich P3; der zweite Steuertransistor T3 umfasst ferner eine Gate-Elektrode G3; beispielsweise befindet sich die Gate-Elektrode G3 in der ersten leitenden Schicht 320, und andere Transistoren sind in dieser Hinsicht ähnlich, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Beispielsweise kann das Material der Halbleiterschicht 310 einen Oxidhalbleiter, einen organischen Halbleiter, ein amorphes Silizium, ein Polysilizium und so weiter umfassen; zum Beispiel umfasst der Oxidhalbleiter einen Metalloxidhalbleiter (zum Beispiel Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO)); das Polysilizium umfasst ein Niedertemperatur-Polysilizium oder ein Hochtemperatur-Polysilizium und so weiter, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Es sei darauf hingewiesen, dass die oben erwähnten Source-Elektrodenbereich und Drain-Elektrodenbereich Bereiche sein können, die mit Verunreinigungen vom n-Typ oder vom p-Typ dotiert sind, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Es sollte beachtet werden, dass in einigen anderen Beispielen die erste Elektrode und die zweite Elektrode eines Transistors in anderen leitenden Schichten sein können, und mit entsprechenden Bereichen der aktiven Schicht durch Durchgangslöcher in einer Isolierschicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode und der Halbleiterschicht verbunden sind, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • 4 veranschaulicht die erste leitende Schicht 320 des Anzeigesubstrats, die sich auf der ersten Isolierschich befindett, um zu ermöglichen, dass die erste leitende Schicht 320 mit der Halbleiterschicht 310 isoliert wird. Beispielsweise kann die erste leitende Schicht 320 die ersten Elektroden CE11, CE12, CE13 des ersten Kondensators C1 bis zum dritten Kondensator C3 sowie die Gate-Elektroden des Eingangstransistors T1 bis zum Ausgangstransistor T10 und die jeweiligen direkt mit den Gate-Elektroden verbundenen Drähte (zum Beispiel der erste Verbindungsdraht L1, der zweite Verbindungsdraht L2 und der dritte Verbindungsdraht L3) umfassen; entsprechend dient die erste Isolierschicht 350 auch als Gate-Isolierschicht. Wie in 4 dargestellt, sind die Gate-Elektroden des Eingangstransistors T1 zum Ausgangstransistor T10 Abschnitte, die durch eine kreisförmige oder ovale gepunktete Linie eingekreist sind, das heißt, die Gateelektroden sind Abschnitte, die Halbleiterschichtstrukturen der Transistoren überlappen, von Drähten der ersten leitenden Schicht 320.
  • 5 veranschaulicht die zweite leitende Schicht 330 des Anzeigesubstrats; die zweite leitende Schicht 330 umfasst die zweiten Elektroden CE21, CE22, CE23 des ersten Kondensators C1 bis zum dritten Kondensator C3. Die zweite Elektrode CE21 überlappt zumindest teilweise die erste Elektrode CE11, um den ersten Kondensator C1 zu bilden, die zweite Elektrode CE22 zumindest teilweise die erste Elektrode CE12 überlappt, um den zweiten Kondensator C2 zu bilden, und die zweite Elektrode CE23 überlappt zumindest teilweise die erste Elektrode CE13, um den dritten Kondensator C3 zu bilden.
  • 7 veranschaulicht die dritte leitende Schicht 340 des Anzeigesubstrats, und die dritte leitende Schicht 340 umfasst eine Vielzahl von Signalleitungen (zum Beispiel die Triggersignalleitung ESTV, die mit dem Eingangsanschluss der Schieberegistereinheit 105 in der ersten Stufe verbunden ist, die erste Taktsignalleitung ECK und die zweite Taktsignalleitung ECB), die zweite Stromleitung VGH, die erste Stromleitung VGL und so weiter. Es sei darauf hingewiesen, dass die dritte leitende Schicht 340 ferner eine erste Transferverbindungselektrode 11, eine zweite Transferverbindungselektrode 12, eine dritte Transferverbindungselektrode 13, eine vierte Transferverbindungselektrode 14, eine fünfte Transferverbindungselektrode 15, eine sechste Transferverbindungselektrode 16, eine siebte Transferverbindungselektrode 17, eine achte Transferverbindungselektrode 18, eine neunte Transferverbindungselektrode 19 und eine zehnte Transferverbindungselektrode 10 und so weiter umfasst, die zum Anschluss von Transistoren, Kondensatoren und Signalleitungen dienen.
  • Wie in 2 bis 7 gezeigt, sind die Vielzahl von Signalleitungen, die zweite Stromleitung VGH und die erste Stromleitung VGL durch mindestens ein in 6 gezeigtes Durchgangsloch mit Transistoren und Kondensatoren verbunden, die sich in anderen Schichten befinden und mit den Vielzahl von Signalleitungen, der zweiten Stromleitung VGH verbunden werden müssen, und jeweilge Transistoren und Kondensatoren sind auch durch mindestens ein Durchgangsloch miteinander verbunden order durch die Transferverbindungselektrode überbrückt, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Beispielsweise kann das Material der oben erwähnten dritten leitenden Schicht 340 Titan, Titanlegierung, Aluminium, Aluminiumlegierung, Kupfer, Kupferlegierung oder beliebige andere geeignete Verbundmaterialien beinhalten, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben. Beispielsweise können die Materialien der ersten leitenden Schicht 320 und der zweiten leitenden Schicht 330 die gleichen wie die Materialien der dritten leitenden Schicht 340 sein, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die Schieberegistereinheit in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die oben erwähnten Transistoren, Kondensatoren und Transferverbindungselektroden zum Verbinden der Transistoren und Kondensatoren und so weiter umfasst, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das die Positionsbeziehung für eine Laminierung der in 3 gezeigten Halbleiterschicht 310, der in 4 gezeigten ersten leitenden Schicht 320, der in 5 gezeigten zweiten leitenden Schicht 330 und der in 7 gezeigten dritten leitenden Schicht 340, die oben erwähnt wurden. Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf 2-8 das durch mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellte Anzeigesubstrat ausführlich beschrieben.
  • Zum Beispiel, wie in 2 und 3 dargestellt, erstrecken sich in mindestens einem Beispiel die aktive Schicht des ersten Steuertransistors T2 und die aktive Schicht des zweiten Steuertransistors T3 entlang der ersten Richtung Y, und eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 auf dem Basissubstrat 10 sich auf einer weg von dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Basissubstrat 10 befindet.
  • Beispielsweise erstreckt sich die aktive Schicht des Eingangstransistors T1 entlang der ersten Richtung Y; eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 auf dem Basissubstrat 10 befindet sich auf einer weg von dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 auf dem Basissubstrat 10. Beispielsweise liegen die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 auf dem Basissubstrat 10 und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Basissubstrat 10 Seite an Seite in der zweiten Richtung X. Das heißt, die orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 auf das Basissubstrat 10 liegt zwischen der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 auf dem Basissubstrat 10 und der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiter Steuertransistor T3 auf dem Basissubstrat 10. Es sei darauf hingewiesen, dass die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 auf dem Basissubstrat 10 und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Basissubstrat 10 versetzt (mit Abstand zueinander) angeordnet sind) in der zweiten Richtung X und mit einem bestimmten Abstand dazwischen, solange die Anordnungen anderer Strukturen nicht nachteilig beeinflusst werden und die Größe der Schieberegistereinheit nicht zu sehr erhöht wird, und in dieser Hinsicht wird in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung keine Beschränkung gegeben.
  • In Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Anordnung des Eingangstransistors T1, des ersten Steuertransistors T2 und des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Anzeigesubstrat von einer Aufwärts-Abwärts-Anordnung entlang der ersten Richtung Y geändert, wie in 1D dargestellt, in eine gleichmäßige Anordnung in einer ebenen Form entlang der zweiten Richtung X, d. h. sind gleichmäßig in der zweiten Richtung X angeordnet, und der Raum in der vertikalen Richtung wird erheblich eingespart; währenddessen ist der zweite Steuertransistor T3 näher an dem Ausgangstransistor T10 und der ersten Stromleitung VGL, die sich auf der rechten Seite des zweiten Steuertransistors T3 befinden, dies spricht dafür, dass sowohl der zweite Steuertransistor T3 als auch der Ausgangstransistor T10 mit derselben ersten Stromleitung VGL verbunden werden können, so dass die Menge an Stromleitungen reduziert wird, und dies zugunsten der Realisierung eines schmalen Rahmens.
  • Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, umfasst der erste Steuertransistor T2 eine erste Gate-Elektrode G21 und eine zweite Gate-Elektrode G22, die Seite an Seite in der ersten Richtung Y liegen; beispielsweise erstrecken sich die erste Gate-Elektrode G21 und die zweite Gate-Elektrode G22 entlang der zweiten Richtung und weisen entlang der zweiten Richtung X eine „U“-Form auf; die erste Gate-Elektrode G21 und die zweite Gate-Elektrode G22 (und zum Beispiel miteinander verbunden), die nebeneinander liegen, überlappen jeweils die aktive Schicht (zum Beispiel die aktive Schicht mit einer Streifenform) des ersten Steuertransistors T2, die sich entlang der ersten erstreckt Richtung Y, um einen Doppel-Gate-Transistor zu erhalten. Offensichtlich kann in einem anderen Beispiel die aktive Schicht des ersten Steuertransistors T2 in einer „U“-förmigen Struktur vorliegen, und die Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors T1 kann eine linear geformte Struktur sein, die die aktive Schicht in einer „U“-Form überlappt, um einen Doppelgate-Transistor zu erhalten, sofern die Anordnungen anderer Strukturen nicht nachteilig beeinflusst warden und die Größe der Schieberegistereinheit nicht zu sehr erhöht wird, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Es sollte angemerkt werden, dass der Fall, in dem eine einzige Gate-Elektrode die aktive Schicht des ersten Steuertransistors T2 überlappt, ebenfalls angenommen werden kann, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in dieser Hinsicht keine Beschränkung gegeben wird.
  • Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner einen ersten Verbindungsdraht L1, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt und der erste Verbindungsdraht L1 weist einen ersten Abschnitt L11 und einen zweiten Abschnitt L12 auf. Beispielsweise ist der erste Abschnitt L11 des ersten Verbindungsdrahts L1 mit der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 und der Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 verbunden, und der erste Abschnitt L11 des ersten Verbindungsdrahts L1, die Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 sind integriert ausgebildet; der zweite Abschnitt L12 des ersten Verbindungsdrahts L1 und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 sind verbunden und integriert ausgebildet; das heißt, der erste Verbindungsdraht L1, die Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 sind integriert ausgebildet. Der zweite Abschnitt L12 der ersten Verbindungsleitung L1 ist ferner mit der ersten Taktsignalleitung ECK in einer Schicht verbunden, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich der zweite Abschnitt L12 der ersten Verbindungsleitung L1 befindet; zum Beispiel ist der zweite Abschnitt L12 des ersten Verbindungsdrahts L1 mit der ersten Taktsignalleitung ECK durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine zweite Transferverbindungselektrode 12; die zweite Elektrode des ersten Steuertransistors T2 ist mit der zweiten Transferverbindungselektrode 12 verbunden; der erste Abschnitt L11 des ersten Verbindungsdrahts L1 ist mit der zweiten Transferverbindungselektrode 12 durch ein Durchgangsloch (zum Beispiel ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt, um zu ermöglichen, dass die zweite Elektrode des ersten Steuertransistors T2 mit der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 und der Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 verbunden wird, die sich in einer Schicht befinden, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich die zweite Elektrode befindet des ersten Steuertransistors T2 befinden, um zu ermöglichen, dass alle Gate-Elektroden des Eingangstransistors T1, die zweite Elektrode des ersten Steuertransistors T2 und die Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 in der 1B dargestellten Schaltungsstruktur mit der ersten Taktsignalleitung ECK verbunden sind.
  • Beispielsweise befinden sich die aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 in einer durchgehenden ersten Halbleiterschicht A11 (das heißt, sie sind integriert ausgebildet); die erste Halbleiterschicht A11 erstreckt sich entlang der ersten Richtung Y, und die Gateelektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die Gateelektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 sind Seite an Seite in der ersten Richtung Y. Beispielsweise können die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 parallel zueinander sein; können sich beispielsweise entlang der zweiten Richtung X erstrecken; die Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 können nicht parallel zueinander sein, beispielsweise können sich mit einem bestimmten Winkel dazwischen schneiden; beispielsweise ist der Schnittwinkel kleiner als oder gleich 20°, oder der Winkel zwischen einer horizontalen Linie und sowohl der Erstreckungsrichtung der Gateelektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 als auch der Erstreckungsrichtung der Gateelektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 kleiner als oder gleich 20° ist, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird diesbezüglich keine Einschränkung gegeben, solange der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 integriert angeordnet sind und Strukturen in einer Auf-Ab-Anordnung sind.
  • Beispielsweise befindet sich die erste Halbleiterschicht A11 an der imaginären Linie, die sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt, der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 und befindet sich auf der Seite von der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 entfernten der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2; das heißt, wie in 3 gezeigt, befindet sich in der ersten Richtung Y die erste Halbleiterschicht A11 unterhalb der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1; die Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1, die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 liegen Seite an Seite in der ersten Richtung Y, das heißt, der Eingangstransistor T1 ist in einer Aufwärts-Abwärts-Anordnung entlang der ersten Richtung Y in Bezug auf den ersten Rauschunterdrückungstransistor T4 und den zweiten Rauschunterdrückungstransistor T5, so dass die Breite der Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Richtung X leicht reduziert werden kann, was für die Realisierung eines Anzeigesubstrats mit einer schmalen Einfassung spricht.
  • Wie beispielsweise in 2 und 3 gezeigt, kann die aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 in der ersten Richtung Y teilweise oder vollständig überlappen, das heißt, die aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 kann sich an einer imaginären Linie der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 befinden, die sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt; in einem anderen Beispiel kann die aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T4 in der ersten Richtung nicht überlappen; zum Beispiel können die aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 in der ersten Richtung und mit einem bestimmten Abstand dazwischen versetzt sein, solange die Anordnungen anderer Strukturen nicht nachteilig beeinflusst werden und die Größe der Schieberegistereinheit nicht zu sehr erhöht wird, und solange der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 in der ersten Richtung Y unter dem Eingangstransistor T1 liegen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine dritte Transferverbindungselektrode 13; die dritte Transferverbindungselektrode 13 erstreckt sich entlang der ersten Richtung Y, und ein erstes Ende T21 der ersten Gateelektrode G21 und die zweite Gateelektrode G22 des ersten Steuertransistors T2 sind mit der dritten Transferverbindungselektrode 13 durch ein Durchgangsloch (zum Beispiel ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt; die erste Elektrode des Eingangstransistors T1 ist mit dem ersten Ende T131 der dritten Transferverbindungselektrode 13 verbunden; die erste Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 ist mit einem zweiten Ende T132 der dritten Transferverbindungselektrode 13 verbunden. Beispielsweise kann die dritte Transferverbindungselektrode 13 als der erste Knoten N1 in der Schaltungsstruktur dienen, wie in 1B gezeigt, so dass die Gateelektrode G2 des ersten Steuertransistors T2, die erste Elektrode des Eingangstransistors T1 und die erste Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 durch die dritte Transferverbindungselektrode 13 verbunden sind.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst die zweite Stromleitung VGH einen ersten Vorsprungsabschnitt P1, der in der zweiten Richtung X zu dem Anzeigebereich 102 vorsteht. Beispielsweise überlappen der erste Vorsprungsabschnitt P1 und die erste Halbleiterschicht A11 einander in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat und sind miteinander durch ein Durchgangsloch verbunden; zum Beispiel überlappen der erste Vorsprungsabschnitt P1 und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors A5 in der ersten Halbleiterschicht A11 einander in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 10, und sind durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Beispielsweise sind die erste Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 und der erste Vorsprungsabschnitt P1 verbunden und integriert ausgebildet, um die zweite Spannung zu empfangen, um zu ermöglichen, dass der Sourceelektrodenbereich des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 mit der ersten Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 durch ein Durchgangsloch verbunden wird, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360, und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Beispielsweise erstreckt sich die aktive Schicht des dritten Steuertransistors T6 entlang der ersten Richtung Y; und die aktive Schicht des dritten Steuertransistors T6 und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 liegen Seite an Seite in der zweiten Richtung X.
  • Beispielsweise liegt eine orthographische Projektion des ersten Kondensators C1 auf dem Basissubstrat 10 zwischen der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 auf dem Basissubstrat 10 und der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des dritter Steuertransistor T6 auf dem Basissubstrat 10.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine erste Transferverbindungselektrode 11. Beispielsweise ist die erste Transferverbindungselektrode 11 gebogen und weist eine polygonale Linienform auf. Beispielsweise umfasst die erste Transferverbindungselektrode 11 einen ersten Abschnitt 111, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt, die sich von der ersten Richtung Y unterscheidet, einen zweiten Abschnitt 112, der sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt, und einen dritten Abschnitt 113, der sich entlang der ersten erstreckt Richtung Y sind, der zweite Abschnitt 112 und der erste Abschnitt 111 sind einstückig ausgebildet, und der dritte Abschnitt 113 und der erste Abschnitt 111 sind einstückig ausgebildet.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, sind eine orthographische Projektion des zweiten Abschnitts 112 der ersten Transferverbindungselektrode 11 auf dem Basissubstrat 10 und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 auf dem Basissubstrat 10 Seite an Seite in der zweiten Richtung X, und die orthographische Projektion des zweiten Abschnitts 112 der ersten Transferverbindungselektrode 11 befindet sich auf der imaginären Linie entlang der ersten Richtung Y der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Basissubstrat 10.
  • Wie beispielsweise in 8 gezeigt, sind die erste Elektrode SD2 des ersten Steuertransistors T2 und der erste Abschnitt 111 der ersten Transferverbindungselektrode 11 verbunden und integriert ausgebildet, und die erste Elektrode SD3 des zweiten Steuertransistors T3 ist mit dem zweiten Abschnitt 112 der ersten Transferverbindungselektrode 11 verbunden, um die Verbindung zwischen der ersten Elektrode SD2 des ersten Steuertransistors T2 und der ersten Elektrode SD3 des zweiten Steuertransistors T3 zu realisieren.
  • Beispielsweise ist die erste Elektrode SD2 des ersten Steuertransistors T2 mit dem Sourceelektrodengebiet S2 des ersten Steuertransistors T2 durch ein Durchgangsloch H1 verbunden, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360, und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt; die erste Elektrode SD3 des zweiten Steuertransistors T3 ist mit dem Sourceelektrodengebiet S3 des zweiten Steuertransistors T3 durch ein Durchgangsloch H2 verbunden, das durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Beispielsweise befindet sich eine orthographische Projektion des dritten Abschnitts 113 der ersten Transferverbindungselektrode 11 auf dem Basissubstrat 10 auf der imaginären Linie entlang der ersten Richtung Y der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 auf dem Basissubstrat 10; ein Ende des dritten Abschnitts 113 der ersten Transferverbindungselektrode 11 ist mit der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5, der Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors T6 und der ersten Elektrode CE11 des ersten Kondensators C1 verbunden, die sich in einer Schicht befinden, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich das Ende des dritten Abschnitts 113 der ersten Transferverbindungselektrode 11 befindet. Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, sind die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5, die Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors T6 und die erste Elektrode CE11 des ersten Kondensators C1 integriert ausgebildet.
  • Da die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 und die erste Elektrode CE11 des ersten Kondensators C1 integriert ausgebildet sind, wie beispielsweise in 8 gezeigt, ist der dritte Abschnitt 113 der ersten Transferverbindungselektrode 11 mit der ersten Elektrode CE11 des ersten Kondensators C1 und der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 durch ein Durchgangsloch H3 verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Beispielsweise kann die erste Transferverbindungselektrode 11 als der zweite Knoten N2 in der in 1B gezeigten Schaltungsstruktur dienen, so dass die erste Elektrode SD2 des ersten Steuertransistors T2 und die erste Elektrode SD3 des zweiten Steuertransistors T3 mit der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5, der ersten Elektrode des ersten Kondensators C1 und der Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors T6 über die erste Transferverbindungselektrode 11 verbunden werden können.
  • Durch Ermöglichen, dass der Eingangstransistor T1, der erste Steuertransistor T2 und der zweite Steuertransistor T3 beispielsweise eine planare Formanordnung entlang der zweiten Richtung X annehmen, d. h. gleichmäßig in der zweiten Richtung X angeordnet sind, wodurch ermöglicht wird, dass der Eingangstransistor T1, der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 und der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5 Seite an Seite in der ersten Richtung Y sind, und wodurch ermöglicht wird, dass der zweite Rauschunterdrückungstransistor T5, der erste Kondensator C1 und der dritte Steuertransistor T6 Seite an Seite in der zweiten Richtung X sind, eine Drahtlänge der dritten Transferverbindungselektrode 13 zum Verbinden der Gateelektrode G2 des ersten Steuertransistors T2, der ersten Elektrode des Eingangstransistors T1 und der ersten Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 wird verringert; und eine Drahtlänge der ersten Transferverbindungselektrode 11 zum Verbinden der ersten Elektrode SD2 des ersten Steuertransistors T2 und der ersten Elektrode SD3 des zweiten Steuertransistors T3 mit der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5, die erste Elektrode des ersten Kondensators C1 und die Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors T6 wird reduziert, so dass überfüllte Drähte, die durch zu lange Drähte verursacht werden, vermieden werden; Signalübersprechen vermieden werden und mehr Platz zur Verfügung steht, was für die Realisierung eines Displaysubstrats mit schmalem Rahmen spricht.
  • Wie beispielsweise in 2 und 3 gezeigt, sind eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors T10 auf dem Basissubstrat 10 und eine orthographische Projektion des zweiten Kondensators C2 auf dem Basissubstrat 10 Seite an Seite in der zweiten Richtung X; die orthographische Projektion des zweiten Kondensators C2 auf das Basissubstrat 10 liegt zwischen den orthographischen Projektionen der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors T2 und der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors T3 auf dem Basissubstrat 10 und der orthographischen Projektion des Aktiven Schicht des Ausgangstransistors T10 auf dem Basissubstrat 10; die orthografische Projektion des zweiten Kondensators C2 auf das Basissubstrat 10 befindet sich auf der gedachten Linie, die sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt, der orthografischen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors T6 auf dem Basissubstrat 10.
  • Beispielsweise sind die erste Elektrode CE12 des zweiten Kondensators C2 und die zweiten Enden T22 der ersten Gate-Elektrode G21 und der zweiten Gate-Elektrode G22 des ersten Steuertransistors T2 verbunden und integriert ausgebildet; die erste Elektrode CE12 des zweiten Kondensators C2 ist ferner mit der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 verbunden, und die erste Elektrode CE12 des zweiten Kondensators C2 und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 sind integriert ausgebildet. Beispielsweise umfasst die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 eine Vielzahl von Sub-Gate-Elektroden, die Seite an Seite in der zweiten Richtung X liegen.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine vierte Transferverbindungselektrode 14; eine orthographische Projektion der vierten Transferverbindungselektrode 14 auf das Basissubstrat 10 überlappt die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors T10 auf dem Basissubstrat 10 zumindest teilweise; das erste Ende T141 der vierten Transferverbindungselektrode 14 und die zweite Elektrode des zweiten Steuertransistors T3 sind verbunden und integriert ausgebildet; das zweite Ende T142 der vierten Transferverbindungselektrode 14 und die erste Elektrode SD10 des Ausgangstransistors T10 sind verbunden und integriert ausgebildet; das dritte Ende T143 der vierten Transferverbindungselektrode 14 und die erste Stromleitung VGL sind verbunden und integriert ausgebildet.
  • Beispielsweise können der zweite Steuertransistor T3 und der Ausgangstransistor T10 die erste Stromleitung VGL auf der rechten Seite durch die vierte Transferverbindungselektrode 14 gemeinsam nutzen, so dass die Menge der ersten Stromleitungen VGL reduziert wird, was für die Realisierung eines Anzeigesubstrats mit einem schmalen Rand spricht.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine fünfte Transferverbindungselektrode 15; die fünfte Transferverbindungselektrode 15 umfasst einen ersten Abschnitt 151, der sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt, und einen zweiten Abschnitt 152, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt.
  • Beispielsweise sind die erste Elektrode des dritten Steuertransistors T6 und das zweite Ende T1512 des ersten Abschnitts 151 der fünften Transferverbindungselektrode 15 verbunden und integriert ausgebildet; die Gateelektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 ist mit einem Ende des zweiten Abschnitts 152 der fünften Transferverbindungselektrode 15 und der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, die sich in einer Schicht befinden, die sich von der Schicht unterscheidet, in der die Gateelektrode liegt der erste Rauschunterdrückungstransistor T4 liegt; die zweite Elektrode CE22 des zweiten Kondensators C2 ist mit dem ersten Ende T1511 des ersten Abschnitts 151 der fünften Transferverbindungselektrode 15 verbunden, die sich in einer Schicht befindet, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich die zweite Elektrode CE22 des zweiten Kondensators C2 befindet.
  • Beispielsweise ist die Gateelektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 mit dem Ende des zweiten Abschnitts 152 der fünften Transferverbindungselektrode 15 durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt, und ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 Durchdringt; und die zweite Elektrode CE22 des zweiten Kondensators C2 ist mit dem ersten Ende T1511 des ersten Abschnitts 151 der fünften Transferverbindungselektrode 15 durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die dritte Isolierschicht 360 durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner einen zweiten Verbindungsdraht L2, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt. Beispielsweise sind der zweite Verbindungsdraht L2 und die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4 integriert ausgebildet; das erste Ende L21 des zweiten Verbindungsdrahts L2 ist mit einem Ende des zweiten Abschnitts 152 der fünften Transferverbindungselektrode 15 durch ein Durchgangsloch (ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt; das zweite Ende L22 des zweiten Verbindungsdrahts L2 ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB durch ein Durchgangsloch (ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 2 und 3 gezeigt, erstreckt sich die aktive Schicht des vierten Steuertransistors T7 entlang der ersten Richtung Y und befindet sich auf der weg von der aktiven Schicht des Eingangstransistors T1 liegenden Seite der ersten Halbleiterschicht A11.
  • Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, liegen die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors T7 sowie die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors T4, die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors T5 und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors T1 nebeneinander in der ersten Richtung Y, so dass die Breite der Schieberegistereinheit 105 in der zweiten Richtung X reduziert werden kann, was für die Realisierung eines Designs eines Anzeigesubstrats mit einem schmalen Rahmen spricht.
  • Beispielsweise ist die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors T7 mit der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden, die sich in einer Schicht befindet, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors T7 befindet. Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner einen dritten Verbindungsdraht L3, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt. Beispielsweise sind der dritte Verbindungsdraht L3 und die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors T7 integriert ausgebildet; ein Ende des dritten Verbindungsdrahts L3 ist mit der zweiten Taktsignalleitung ECB durch ein Durchgangsloch (ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine sechste Transferverbindungselektrode 16. Beispielsweise umfasst die sechste Transferverbindungselektrode 16 einen ersten Abschnitt 161, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt, einen zweiten Abschnitt 162, der sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt, und einen dritten Abschnitt 163, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt. Wie beispielsweise in 7 gezeigt, sind der erste Abschnitt 161 und der dritte Abschnitt 163 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 parallel zueinander, und der erste Abschnitt 161 und der dritte Abschnitt 163 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 und der zweite Abschnitt 162 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 sind integriert ausgebildet.
  • Wie beispielsweise in 2 gezeigt, ist ein Ende des ersten Abschnitts 161 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 mit der ersten Elektrode des vierten Steuertransistors T7 verbunden; der zweite Abschnitt 162 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 ist mit der zweiten Elektrode CE21 des ersten Kondensators C1 verbunden, der sich in einer Schicht befindet, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich der zweite Abschnitt 162 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 befindet; ein Ende des dritten Abschnitts 163 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 ist mit der zweiten Elektrode des dritten Steuertransistors T6 verbunden.
  • Beispielsweise ist der zweite Abschnitt 162 der sechsten Transferverbindungselektrode 16 mit der zweiten Elektrode CE21 des ersten Kondensators C1 durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die dritte Isolierschicht 360 durchdringt.
  • Beispielsweise kann die sechste Transferverbindungselektrode 16 als der dritte Knoten N3 in der in 1B gezeigten Schaltungsstruktur dienen, so dass die erste Elektrode des vierten Steuertransistors T7 und die zweite Elektrode CE21 des ersten Kondensators C1 über die sechste Transferverbindungselektrode 16 mit der zweiten Elektrode des dritten Steuertransistors T6 verbunden sind.
  • Wie beispielsweise in 2 und 3 gezeigt, erstreckt sich die aktive Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 entlang der zweiten Richtung X. Beispielsweise liegen die orthographische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 auf dem Basissubstrat 10 und die orthographische Projektion des zweiten Kondensators C2 auf dem Basissubstrat 10 Seite an Seite in der ersten Richtung Y; und die orthografische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 auf dem Basissubstrat 10 ist auf der näher an dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite des ersten Kondensators C1, und befindet sich auf der von der orthogonalen Projektion des zweiten Kondensators C2 auf dem Basissubstrat 10 entfernten Seite der orthogonalen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors T6 auf dem Basissubstrat 10.
  • Wie beispielsweise in 2 und 4 gezeigt, erstreckt sich die Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 entlang der ersten Richtung Y, und ist mit der ersten Elektrode CE12 des zweiten Kondensators C2, der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 und der Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors T2 verbunden, und die Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8, die erste Elektrode CE12 des zweiten Kondensators C2, die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 und die Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors T2 sind integriert ausgebildet.
  • Wie beispielsweise in 2 und 3 gezeigt, befinden sich die aktive Schicht des Ausgangssteuertransistors T9 und die aktive Schicht des Ausgangstransistors T10 in der einen durchgehenden zweiten Halbleiterschicht A12 (d.h. sind integriert gebildet); die zweite Halbleiterschicht A12 erstreckt sich entlang der ersten Richtung Y. Beispielsweise liegen die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Ausgangssteuertransistors T9 auf dem Basissubstrat 10 und die orthographischen Projektionen des ersten Kondensators C1 und des dritten Kondensators C3 auf dem Basissubstrat 10 Seite an Seite in der zweiten Richtung X.
  • Beispielsweise befindet sich der dritte Kondensator C3 auf der weg von dem zweiten Kondensator C2 liegenden Seite des ersten Kondensators C1; die orthographische Projektion der zweiten Elektrode CE23 des dritten Kondensators C3 auf das Basissubstrat 10 erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X, und der Umriss des dritten Kondensators C3 hat eine konkave Strukturform in der ersten Richtung Y; die erste Elektrode CE13 des dritten Kondensators C3 und die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 sind verbunden und integriert ausgebildet.
  • Beispielsweise liegen die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 Seite an Seite in der ersten Richtung Y; beispielsweise können die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 parallel zueinander sein, beispielsweise erstrecken sich sowohl die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 als auch die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 entlang der zweiten Richtung X; als weiteres Beispiel sind die Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und die Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 nicht parallel zueinander; beispielsweise einander schneiden, um dazwischen einen bestimmten Winkel zu bilden; beispielsweise der Schnittwinkel ist kleiner als oder gleich 20°, oder der Winkel zwischen einer horizontalen Linie und sowohl der Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 als auch der Erstreckungsrichtung der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T10 ist kleiner als oder gleich 20°, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben, solange der Ausgangssteuertransistor T9 und der Ausgangstransistor T10 integriert vorgesehen sind, und Strukturen in einer Aufwärts-Abwärts-Anordnung entlang der ersten Richtung Y sind.
  • Beispielsweise umfasst die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 eine Vielzahl von Sub-Gate-Elektroden, die Seite an Seite in der ersten Richtung Y liegen.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst die zweite Stromleitung VGH ferner einen zweiten Vorsprungsabschnitt P2, der in der zweiten Richtung X zu dem Anzeigebereich 102 vorsteht. Beispielsweise überlappt der dritte Kondensator C3 die zweite Stromleitung VGH und den zweiten Vorsprungsabschnitt P2 der zweiten Stromleitung VGH in der Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 10; die zweite Elektrode CE32 des dritten Kondensators C3 ist mit der zweiten Stromleitung VGH und dem zweiten Vorsprungsabschnitt P2 der zweiten Stromleitung VGH durch ein Durchgangsloch (ein Durchgangsloch, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt) verbunden, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine siebte Transferverbindungselektrode 17. Beispielsweise umfasst die siebte Transferverbindungselektrode 17 einen ersten Abschnitt 171, der sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt, und einen zweiten Abschnitt 172, der sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt.
  • Beispielsweise ist ein erstes Ende T1711 des ersten Abschnitts 171 der siebten Transferverbindungselektrode 17 mit der zweiten Elektrode des vierten Steuertransistors T7 verbunden; ein Ende des zweiten Abschnitts 172 der siebten Transferverbindungselektrode 17 ist mit der ersten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8 verbunden; ein zweites Ende T1712 des ersten Abschnitts 171 der siebten Transferverbindungselektrode 17 ist mit der ersten Elektrode CE13 des dritten Kondensators C3 und der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 verbunden, die sich in einer Schicht befinden, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich das zweite Ende T1712 des ersten Abschnitts 171 der siebten Transferverbindungselektrode 17 befindet. Beispielsweise ist das zweite Ende T1712 des ersten Abschnitts 171 der siebten Transferverbindungselektrode 17 mit der ersten Elektrode CE31 des dritten Kondensators C3 und der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt.
  • Beispielsweise kann die siebte Transferverbindungselektrode 17 als vierter Knoten N4 in der in 1B gezeigten Schaltungsstruktur dienen, so dass die zweite Elektrode des vierten Steuertransistors T7 und die erste Elektrode CE13 des dritten Kondensators C3 mit der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 über die siebte Transferverbindungselektrode 17 verbunden sind.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine achte Transferverbindungselektrode 18. Beispielsweise ist die achte Transferverbindungselektrode 18 mit der zweiten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors T8, der ersten Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und der zweiten Elektrode CE23 des dritten Kondensators C3 verbunden.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine neunte Transferverbindungselektrode 19. Beispielsweise ist die neunte Transferverbindungselektrode 19 mit der zweiten Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und der zweiten Elektrode des Eingangstransistors T1 der Schieberegistereinheit in der nächsten Stufe verbunden.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, kann die neunte Transferverbindungselektrode 19 (d. h. die neunte Transferverbindungselektrode 19, die sich in einem oberen Bereich des Anzeigesubstrats entlang der ersten Richtung Y befindet), die mit dem Eingangstransistor T1 der Schieberegistereinheit 105 in der X-ten Stufe verbunden ist, die neunte Transferverbindungselektrode der Schieberegistereinheit in der (X-1)-Stufe.
  • Wie beispielsweise in 2, 4 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine zehnte Transferverbindungselektrode 10 und einen vierten Verbindungsdraht L4. Beispielsweise ist die zehnte Transferverbindungselektrode 10 mit der zweiten Elektrode des Ausgangstransistors T10 verbunden, und ist mit dem vierten Verbindungsdraht L4 verbunden, der sich in einer Schicht befindet, die sich von der Schicht unterscheidet, in der sich die zehnte Transferverbindungselektrode 10 befindet; der vierte Verbindungsdraht L4 ist mit mindestens einer Gate-Leitung verbunden, um das Ausgangssignal am Ausgangsanschluss EOUT an die lichtemittierende Steuerschaltung einer Pixeleinheit im Anzeigebereich auszugeben. Beispielsweise sind die neunte Transferverbindungselektrode 19 und die zehnte Transferverbindungselektrode 10 mit dem vierten Verbindungsdraht L4 durch ein Durchgangsloch verbunden, das durch die zweite Isolierschicht 360 und die dritte Isolierschicht 370 durchdringt, um die Verbindung zwischen der zweiten Elektrode des Ausgangstransistors T10 und der zweiten Elektrode des Ausgangssteuertransistors T9 und dem vierten Verbindungsdraht L4 zu realisieren, um das Ausgangssignal an den Ausgangsanschluss EOUT auszugeben, und dann das Ausgangssignal an die Gate-Leitung auszugeben, die mit dem Ausgangsanschluss EOUT verbunden ist.
  • Wie beispielsweise in 4 gezeigt, ist der vierte Verbindungsdraht L4 mit zwei Gate-Leitungen verbunden, so dass dasselbe eine Ausgangssignal, das durch den Ausgangsanschluss EOUT ausgegeben wird, an die lichtemittierenden Steuerschaltungen von zwei Reihen von Pixeleinheiten ausgegeben werden kann, um die zwei Reihen von Pixeleinheiten anzusteiben, um Licht zu emittieren, und die Schaltungsstruktur des Lichtemissionssteuerungs-Treiberschaltungsarrays kann vereinfacht werden, was für die Realisierung eines Anzeigesubstrats mit einer schmalen Blende spricht.
  • Wie beispielsweise in 2 und 7 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine Gate-Treiberschaltung (in den Figuren nicht dargestellt) und eine Triggersignalleitung ESTV. Beispielsweise ist die Triggersignalleitung ESTV dazu konfiguriert, ein Triggersignal an die Gate-Treiberschaltung zu liefern; die orthografische Projektion der Triggersignalleitung ESTV auf dem Basissubstrat 10 befindet sich auf der weg von dem Anzeigebereich 102 liegenden Seite der orthografischen Projektionen der ersten Taktsignalleitung ECK und der zweiten Taktsignalleitung ECB auf dem Basissubstrat 10. Beispielsweise ist die Gate-Treiberschaltung das oben erwähnte Lichtemissionssteuer-Treiberschaltungsarray (EM GOA), das eine Vielzahl von Schieberegistereinheiten 105 umfasst, die kaskadiert sind, wodurch eine zeilenweise Ausgabe Lichtemissionssteuersignale realisiert werden kann.
  • Beispielsweise ist die Triggersignalleitung ESTV mit der zweiten Elektrode des Eingangstransistors T1 der Schieberegistereinheit an der ersten Stufe der Gate-Treiberschaltung verbunden, um das Triggersignal bereitzustellen. Detaillierte Beschreibungen in dieser Hinsicht können sich auf die oben erwähnten Beschreibungen beziehen, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Beispielsweise sind die Breiten der Drähte in der dritten leitenden Schicht 340 so eingestellt, dass sie ermöglichen, dass die Drähte entsprechende Durchgangslöcher vollständig bedecken; zum Beispiel können die Linienbreiten der Drähte größer sein als die Größen der entsprechenden Durchgangslöcher, und die Unterschiede zwischen den Linienbreiten der Drähte und den Größen (beispielsweise den Durchmessern der Durchgangslöcher) der entsprechenden Durchgangslöcher können gleich oder größer als 1 Mikron sein; beispielsweise reichen die Größen der Durchgangslöcher von 2,0 Mikron bis 2,5 Mikron; die Linienbreiten der Drähte, die entsprechende Durchgangslöcher vollständig in der dritten leitenden Schicht 340 bedecken, reichen von 4 Mikron bis 5 Mikron. Beispielsweise werden die Linienbreiten des Ausgangstransistors T10 und des Ausgangssteuertransistors T9 eingestellt, um die Abstände zwischen den Oberkanten der Drähte und den Oberkanten der entsprechenden Durchgangslöcher und die Abstände zwischen den Unterkanten der Drähte und den Unterkanten der entsprechenden Durchgangslöcher größer als 1 Mikron zu machen; beispielsweise reichen die Leitungsbreiten des Ausgangstransistors T10 und des Ausgangssteuertransistors T9 von 4,0 Mikron bis 4,5 Mikron; weil der Ausgangstransistor T10 und der Ausgangssteuertransistor T9 vielen Durchgangslöchern entsprechen, werden die Leitungsbreiten der Drähte, die andere Transistoren verbinden, in der dritten leitenden Schicht 340 eingestellt, um die Leitungsbreiten der Drähte, die andere Transistoren verbinden, in der dritten leitenden Schicht 340 zu ermöglichen, um die Anforderung zu erfüllen, die Drähte, die andere Transistoren verbinden, in der dritten leitfähigen Schicht 340 zu ermöglichen, entsprechende Durchgangslöcher vollständig abzudecken, mit einem Spielraum von mindestens 1 Mikron am oberen und unteren Ende der entsprechenden Durchgangslöcher. Beispielsweise kann die Breite der Drähte zwischen den Durchgangslöchern kleiner sein.
  • Beispielsweise sind die Abstände zwischen Drähten, wie etwa der ersten Taktsignalleitung ECK, der zweiten Taktsignalleitung ECB, der zweiten Stromleitung VGH und der ersten Stromleitung VGL in der dritten leitenden Schicht 340 gleich oder größer als 3 Mikron; die Leitungsbreiten der ersten Taktsignalleitung ECK und der zweiten Taktsignalleitung ECB müssen gleich oder größer als 9 Mikron sein, um die Treiberfähigkeit der ersten Taktsignalleitung ECK und der zweiten Taktsignalleitung ECB zu erfüllen; die Leitungsbreite der ersten Stromleitung VGL kann 6 Mikron, 9 Mikron oder 10 Mikron betragen; die Linienbreite der zweiten Stromleitung VGH beträgt beispielsweise 10 Mikron; beispielsweise beträgt die von der ersten Stromleitung VGL bereitgestellte erste Spannung im Allgemeinen -7 V.
  • Beispielsweise reichen in einigen Beispielen die Dicken der ersten leitenden Schicht 320 und der zweiten leitenden Schicht 330 von 2000 Angström bis 3000 Angström; die Dicke der dritten leitenden Schicht 340 reicht von 5000 Angström bis 8000 Angström, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Durch Bereitstellen der oben erwähnten Transferverbindungselektroden und der Verbindungsdrähte, können beispielsweise Probleme, die durch dicht angeordnete Drähte in derselben Schicht verursacht werden, wie die Verbindung und Haftung zwischen Drähten und Kurzschlüsse von Signalleitungen, vermieden werden. Beispielsweise sind die oben erwähnten Transferverbindungselektroden und Verbindungsdrähte zum Realisieren einer Verbindungs- oder Überbrückungsverbindungsfunktion vorgesehen.
  • Das Anzeigesubstrat, das durch die oben erwähnten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, optimiert Verbindungen zwischen Drähten und das Layout von Strukturen in der Schieberegistereinheit, reduziert eine Menge (Anzahl) von Drähten (zum Beispiel die erste Stromleitungen), und verringert die Länge der Schieberegistereinheit in der zweiten Richtung um ein gewisses Maß, und reduziert die Größe der Schieberegistereinheit, und dieses Design ist vorteilhaft, das schmale Einfassungsdesign des Anzeigetafels zu realisieren, während die Anzeigequalität des Anzeigetafels garantiert wird.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit. 9 ist ein schematisches Diagramm einer Anzeigevorrichtung, die von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Wie in 9 gezeigt, umfasst die Anzeigevorrichtung 2 das Anzeigesubstrat 1, das durch eine beliebige Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; zum Beispiel das Anzeigesubstrat 1, wie in 2 dargestellt.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die Anzeigevorrichtung 2 beliebiges Produkt oder beliebige Komponente mit einer Anzeigefunktion sein kann, wie z. B. ein OLED-Panel, ein OLED-TV, ein QLED-Panel, ein QLED-TV, ein Mobiltelefon, ein Tablet-Computer, ein Notebook, ein digitaler Bilderrahmen, ein Navigationsgerät oder dergleichen. Und die Anzeigevorrichtung 2 kann ferner andere Komponenten umfassen, wie etwa eine Datentreiberschaltung, eine Zeitsteuerung usw, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Es sollte beachtet werden, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung aus Gründen der Klarheit und Einfachheit nicht alle Komponenten der Anzeigevorrichtung darstellen. Um die grundlegenden Funktionen der Anzeigevorrichtung zu realisieren, kann der Fachmann andere Strukturen, die nicht gezeigt sind, gemäß spezifischen Anforderungen bereitstellen und vorsehen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Bezüglich der technischen Wirkung der Anzeigevorrichtung 2, die durch die obigen Ausführungsformen bereitgestellt wird, kann auf die technische Wirkung des Anzeigesubstrats 1, das in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, Bezug genommen werden, und es wird hier keine weitere Beschreibung gegeben.
  • Mindestens eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ferner ein Herstellungsverfahren des Anzeigesubstrats bereit. 10 ist ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines Anzeigesubstrats, das von mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Beispielsweise kann das Herstellungsverfahren verwendet werden, um das Anzeigesubstrat herzustellen, das durch eine beliebige Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, beispielsweise um das in 2 dargestellte Anzeigesubstrat 1 herzustellen
  • Wie in 10 gezeigt, umfasst das Herstellungsverfahren des Anzeigesubstrats die folgenden Schritte S110 bis Schritt S120.
  • Schritt S110: Bereitstellen eines Basissubstrats.
  • Schritt S120: Bilden einer Schieberegistereinheit, einer erste Stromleitung, einer zweite Stromleitung, einer ersten Taktsignalleitung und einer zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat.
  • Das Bilden der Halbleiterschicht, der ersten Isolierschicht, der ersten leitenden Schicht, der zweiten Isolierschicht, der zweiten leitenden Schicht, der dritten Isolierschicht und der dritten leitenden Schicht umfasst beispielsweise jeweils: Bilden einer entsprechenden Materialschicht (zum Beispiel einer Halbleitermaterialschicht, einer Isoliermaterialschicht oder einer leitenden Materialschicht); im Prozess des Bildens jeder der oben erwähnten Schichten wird eine entsprechende Musterstruktur (z. B. eine aktive Schicht, ein Elektrodenmuster, ein Draht, eine Durchkontaktierung usw.) jeweils unter Verwendung eines Musterbildungsprozesses gebildet. Der Musterbildungsprozess ist zum Beispiel ein Fotolithografieprozess, der umfasst: Auftragen einer Fotolackschicht auf eine zu strukturierende Materialschicht, Durchführen eines Belichtungsprozesses auf der Fotolackschicht mit einer Maske, Durchführen eines Entwicklungsprozesses auf der Fotolackschicht, nachdem der Belichtungsprozess durchgeführt wurde, um ein Photoresistmuster zu erhalten; und Ätzen einer Strukturschicht mit dem Fotolackmuster, und dann wahlweises Eenfernen des Photoresistmusters.
  • Für Schritt S110 kann das Basissubstrat 10 beispielsweise Glas, Kunststoff, Quarz oder andere geeignete Materialien annehmen, und in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in dieser Hinsicht keine Einschränkung gegeben.
  • Beispielsweise sind die Schieberegistereinheit, die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung, die erste Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat bildet.
  • Für Schritt S120 umfasst das Bilden der Schieberegistereinheit 105 zum Beispiel: sequentielles Bilden der Halbleiterschicht 310, der ersten Isolierschicht 350, der ersten leitenden Schicht 320, der zweiten Isolierschicht 360, der zweiten leitenden Schicht 330, der dritten Isolierschicht 370 und der dritten leitenden Schicht 340 in der Richtung senkrecht zur Basis Substrat 10. Aktive Schichten der Transistoren befinden sich in der Halbleiterschicht 310; die Gate-Elektroden der Transistoren und die ersten Elektroden der Kondensatoren befinden sich in der ersten leitenden Schicht 320; die zweiten Elektroden der Kondensatoren befinden sich in der zweiten leitenden Schicht 330; die erste Stromleitung VGL, die zweite Stromleitung VGH, die erste Taktsignalleitung ECK, die zweite Taktsignalleitung ECB und die ersten Elektroden und die zweiten Elektroden der Transistoren befinden sich in der dritten leitenden Schicht 340.
  • Beispielsweise sind die Transistoren und die Kondensatoren durch Durchgangslöcher, die durch die erste Isolierschicht 350, die zweite Isolierschicht 360 oder die dritte Isolierschicht 370 durchdringen, miteinander verbunden, und die Transistoren und die Kondensatoren sind mit der ersten Stromleitung VGL, der zweiten Stromleitung VGH, der ersten Taktsignalleitung ECK und der zweiten Taktsignalleitung ECB verbunden.
  • Hinsichtlich der Anordnungen der Verbindungsstruktur zum Verbinden der Transistoren und der Kondensatoren der Schieberegistereinheit 105 und der zweiten Stromleitung VGH, der ersten Stromleitung VGL, der Vielzahl von Taktsignalleitungen sowie der Verbindungsdrähte u die Transferverbindungselektroden, kann Beschreibungen in Bezug auf 2-8 Bezug genommen werden, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Es sollte angemerkt werden, dass in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Prozesse des Herstellungsverfahrens des Anzeigesubstrats mehr oder weniger Operationen umfassen können, und diese Operationen sequentiell oder parallel durchgeführt werden können. Obwohl die Prozesse des oben beschriebenen Herstellungsverfahrens eine Vielzahl von Operationen in einer bestimmten Reihenfolge umfassen, sollte klar verstanden werden, dass die Reihenfolge der Vielzahl von Operationen nicht beschränkt ist. Das oben beschriebene Herstellungsverfahren kann einmal ausgeführt werden oder kann gemäß einer vorbestimmten Einstellung eine Vielzahl von Male ausgeführt werden.
  • Für den technischen Effekt des Herstellungsverfahrens des Anzeigesubstrats, das durch die oben erwähnte Ausführungsform bereitgestellt wird, kann auf die technische Wirkung des Anzeigesubstrats, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, Bezug genommen werden, und es werden hier keine weiteren Beschreibungen gegeben.
  • Folgendes sollte beachtet werden:
    • (1) Nur die Strukturen, die in die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung involviert sind, sind in den Zeichnungen der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt, und andere Strukturen können sich auf übliche Designs beziehen.
    • (2) Die Ausführungsformen und Merkmale in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können im Falle eines Konflikts kombiniert werden, um neue Ausführungsformen zu erhalten.
  • Was oben beschrieben wurde, sind lediglich beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und nicht dazu bestimmt, den Umfang der vorliegenden Offenbarung zu definieren, und der Umfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die beigefügten Ansprüche bestimmt.

Claims (35)

  1. Anzeigesubstrat, umfassend: ein Basissubstrat, das einen Anzeigebereich und einen Peripheriebereich umfasst, der sich auf mindestens einer Seite des Anzeigebereichs befindet; und eine Schieberegistereinheit, eine erste Stromleitung und eine zweite Stromleitung, die auf dem Peripheriebereich des Basissubstrats vorgesehen sind, wobei die erste Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine erste Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen, und die zweite Stromleitung dazu konfiguriert ist, eine zweite Spannung an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; die Schieberegistereinheit eine Eingangsschaltung, eine erste Knotensteuerschaltung, eine zweite Knotensteuerschaltung, eine dritte Knotensteuerschaltung, eine vierte Knotensteuerschaltung und eine Ausgangssteuerschaltung umfasst; die Eingangsschaltung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal als Reaktion auf ein erstes Taktsignal in einen ersten Knoten einzugeben; die zweite Knotensteuerschaltung mit der ersten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der ersten Stromleitung bereitgestellte erste Spannung oder das erste Taktsignal unter Steuerung des ersten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des ersten Knotens in den zweiten Knoten einzugeben, um einen elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die erste Knotensteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung des zweiten Taktsignals und eines elektrischen Pegels des zweiten Knotens in den ersten Knoten einzugeben, um eine Rauschunterdrückung des ersten Knotens durchzuführen; die dritte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, einen elektrischen Pegel des dritten Knotens als Reaktion auf den elektrischen Pegel des zweiten Knotens zu steuern; die vierte Knotensteuerschaltung dazu konfiguriert ist, den elektrischen Pegel des dritten Knotens unter der Steuerung des zweiten Taktsignals in den vierten Knoten einzugeben; die Ausgangssteuerschaltung mit der zweiten Stromleitung und einem Ausgangsanschluss verbunden ist und dazu konfiguriert ist, die von der zweiten Stromleitung bereitgestellte zweite Spannung unter Steuerung eines elektrischen Pegels des vierten Knotens als ein Ausgangssignal an den Ausgangsanschluss auszugeben; wobei sich eine orthographische Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite einer orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet, eine orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet, die orthographische Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat sich zwischen der orthographischen Projektion der ersten Stromleitung auf dem Basissubstrat und der Orthographie Projektion der zweiten Stromleitung auf das Basissubstrat befindet.
  2. Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, ferner umfassend eine erste Taktsignalleitung und eine zweite Taktsignalleitung, die dazu konfiguriert sind, jeweils das erste Taktsignal oder das zweite Taktsignal an die Schieberegistereinheit bereitzustellen; wobei die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung, die erste Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung sich auf dem Basissubstrat entlang einer ersten Richtung erstrecken; die orthographische Projektion der zweiten Stromleitung auf dem Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Schieberegistereinheit auf dem Basissubstrat befindet.
  3. Anzeigesubstrat nach Anspruch 2, wobei die zweite Knotensteuerschaltung einen ersten Steuertransistor und einen zweiten Steuertransistor umfasst, eine aktive Schicht des ersten Steuertransistors und eine aktive Schicht des zweiten Steuertransistors sich entlang der ersten Richtung erstrecken, eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet.
  4. Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, ferner umfassend eine erste Transferverbindungselektrode, wobei die erste Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang einer zweiten Richtung erstreckt, die sich von der ersten Richtung unterscheidet, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Abschnitt integriert ausgebildet ist, und sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthographische Projektion des zweiten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind, und die orthographische Projektion des zweiten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat sich an einer entlang der ersten Richtung liegenden imaginären Linie der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet, eine erste Elektrode des ersten Steuertransistors mit dem ersten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode verbunden ist, und eine erste Elektrode des zweiten Steuertransistors mit dem zweiten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode verbunden ist.
  5. Anzeigesubstrat nach Anspruch 4, wobei die Eingangsschaltung einen Eingangstransistor umfasst, eine aktive Schicht des Eingangstransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors auf dem Basissubstrat auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet; die orthographische Projektion der aktiven Schicht des Eingangstransistors auf das Basissubstrat und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf das Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind.
  6. Anzeigesubstrat nach Anspruch 5, ferner umfassend einen ersten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der erste Verbindungsdraht einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt umfasst, der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts mit einer Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und einer Gate-Elektrode des Eingangstransistors verbunden ist, und der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts sowie der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors integriert ausgebildet sind; der zweite Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors verbunden und integriert ausgebildet sind; der zweite Abschnitt des ersten Verbindungsdrahts ferner mit der ersten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet.
  7. Anzeigesubstrat nach Anspruch 6, ferner umfassend eine zweite Transferverbindungselektrode, wobei eine zweite Elektrode des ersten Steuertransistors mit der zweiten Transferverbindungselektrode verbunden ist; und der erste Abschnitt des ersten Verbindungsdrahtes mit der zweiten Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt, wodurch es veranlasst wird, dass die zweite Elektrode des ersten Steuertransistors mit der Gate-Elektrode des zweiten Steuertransistors und der Gate-Elektrode des Eingangstransistors, die sich in einer anderen Schicht befinden, verbunden ist.
  8. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die erste Knotensteuerschaltung einen ersten Rauschunterdrückungstransistor und einen zweiten Rauschunterdrückungstransistor umfasst, eine aktive Schicht des ersten Rauschunterdrückungstransistors und eine aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors sich in der einen durchgehenden ersten Halbleiterschicht befinden und sich die erste Halbleiterschicht entlang der ersten Richtung erstreckt, eine Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors und eine Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors sich entlang der zweiten Richtung erstrecken und nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  9. Anzeigesubstrat nach Anspruch 8, wobei sich die erste Halbleiterschicht an einer sich entlang der ersten Richtung erstreckenen imaginären Linie der aktiven Schicht des Eingangstransistors und auf einer von der aktiven Schicht des Eingangstransistors entfernten Seite der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors befindet, die Gate-Elektrode des Eingangstransistors, die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  10. Anzeigesubstrat nach Anspruch 8 oder 9, ferner umfassend eine dritte Transferverbindungselektrode, wobei sich die dritte Transferverbindungselektrode entlang der ersten Richtung erstreckt; der erste Steuertransistor eine erste Gate-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode umfasst, die nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; erste Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode mit der dritten Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden sind, das durch eine Isolierschicht durchdringt; eine erste Elektrode des Eingangstransistors mit einem ersten Ende der dritten Transferverbindungselektrode verbunden ist; und eine erste Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors mit einem zweiten Ende der dritten Transferverbindungselektrode verbunden ist.
  11. Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei die zweite Stromleitung einen ersten Vorsprungsabschnitt umfasst, der in der zweiten Richtung zu dem Anzeigebereich vorsteht; der erste Vorsprungsabschnitt in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat mit der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors in der ersten Halbleiterschicht überlappt und durch ein Durchgangsloch mit dieser verbunden ist; und eine erste Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors und der erste Vorsprungsabschnitt verbunden und integriert ausgebildet sind, um die zweite Spannung zu empfangen.
  12. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die dritte Knotensteuerschaltung einen dritten Steuertransistor und einen ersten Kondensator umfasst; eine aktive Schicht des dritten Steuertransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt; die aktive Schicht des dritten Steuertransistors und die aktive Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; und eine orthographische Projektion des ersten Kondensators auf das Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des zweiten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet.
  13. Anzeigesubstrat nach Anspruch 12, wobei die erste Transferverbindungselektrode ferner einen dritten Abschnitt umfasst, der mit den ersten Abschnitt der ersten Transferverbindungselektrode integriert ausgebildet ist und sich entlang der ersten Richtung erstreckt, eine orthografische Projektion des dritten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode auf dem Basissubstrat sich an einer entlang der ersten Richtung liegenden imaginären Linie der orthografischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet; ein Ende des dritten Abschnitts der ersten Transferverbindungselektrode mit der Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors, einer Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors und einer ersten Elektrode des ersten Kondensators verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden; und die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors, die Gate-Elektrode des dritten Steuertransistors und die erste Elektrode des ersten Kondensators integriert ausgebildet sind.
  14. Anzeigesubstrat nach Anspruch 13, wobei die Schieberegistereinheit ferner eine Ausgangsschaltung umfasst; wobei die Ausgangsschaltung mit der ersten Stromleitung und dem Ausgangsanschluss verbunden und dazu konfiguriert ist, den Ausgangsanschluss unter der Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens zurückzusetzen; die Ausgangsschaltung einen Ausgangstransistor und einen zweiten Kondensator umfasst; eine orthographische Projektion einer aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf dem Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf das Basissubstrat sich zwischen einer orthographischen Projektion der aktiven Schicht des ersten Steuertransistors und der aktiven Schicht des zweiten Steuertransistors auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf dem Basissubstrat befindet; und die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf das Basissubstrat sich auf einer sich entlang der ersten Richtung erstreckenden imaginären Linie der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet.
  15. Anzeigesubstrat nach Anspruch 14, wobei eine erste Elektrode des zweiten Kondensators mit zweiten Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors verbunden ist, und der ersten Elektrode des zweiten Kondensators und der zweiten Enden der ersten Gate-Elektrode und der zweiten Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors integriert ausgebildet sind; die erste Elektrode des zweiten Kondensators ferner mit einer Gate-Elektrode des Ausgangstransistors verbunden ist, und die erste Elektrode des zweiten Kondensators und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors integriert ausgebildet sind; und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors eine Vielzahl von Teil-Gate-Elektroden umfasst, die nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind.
  16. Anzeigesubstrat nach Anspruch 14 oder 15, ferner umfassend eine vierte Transferverbindungselektrode, wobei eine orthographische Projektion der vierten Transferverbindungselektrode auf das Basissubstrat zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion der aktiven Schicht des Ausgangstransistors auf das Basissubstrat überlappt; und ein erstes Ende der vierten Transferverbindungselektrode und eine zweite Elektrode des zweiten Steuertransistors verbunden und integriert ausgebildet sind, ein zweites Ende der vierten Transferverbindungselektrode und eine erste Elektrode des Ausgangstransistors verbunden und integriert ausgebildet sind, und ein drittes Ende der vierten Transferverbindungselektrode und die erste Stromleitung verbunden und integriert ausgebildet sind.
  17. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 14 bis 16, ferner umfassend eine fünfte Transferverbindungselektrode, wobei die fünfte Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst; eine erste Elektrode des dritten Steuertransistors und ein zweites Ende des ersten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode verbunden und integriert ausgebildet sind; die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors mit einem Ende des zweiten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode und der zweiten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden; eine zweite Elektrode des zweiten Kondensators mit einem ersten Ende des ersten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode verbunden ist, das sich in einer anderen Schicht befindet.
  18. Anzeigesubstrat nach Anspruch 17, ferner umfassend einen zweiten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der zweite Verbindungsdraht und die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors integriert ausgebildet sind; und ein erstes Ende des zweiten Verbindungsdrahts mit dem Ende des zweiten Abschnitts der fünften Transferverbindungselektrode durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt, und ein zweites Ende des zweiten Verbindungsdrahts mit dem zweiten Taktsignalleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch die Isolierschicht durchdringt ist.
  19. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 8 bis 18, wobei die vierte Knotensteuerschaltung einen vierten Steuertransistor umfasst, eine aktive Schicht des vierten Steuertransistors sich entlang der ersten Richtung erstreckt und sich auf einer von der aktiven Schicht des Eingangstransistors entfernten Seite der ersten Halbleiterschicht befindet; eine Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors sowie die Gate-Elektrode des ersten Rauschunterdrückungstransistors, die Gate-Elektrode des zweiten Rauschunterdrückungstransistors und die Gate-Elektrode des Eingangstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; und die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors mit der zweiten Taktsignalleitung verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet.
  20. Anzeigesubstrat nach Anspruch 19, ferner umfassend eine sechste Transferverbindungselektrode, wobei die sechste Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, einen zweiten Abschnitt, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und einen dritten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst; der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode parallel zueinander sind, und der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode und der zweite Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode integriert ausgebildet sind; ein Ende des ersten Abschnitts der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer ersten Elektrode des vierten Steuertransistors verbunden ist; der zweite Abschnitt der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des ersten Kondensators verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befindet; und ein Ende des dritten Abschnitts der sechsten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des dritten Steuertransistors verbunden ist.
  21. Anzeigesubstrat nach Anspruch 19 oder 20, ferner umfassend einen dritten Verbindungsdraht, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei der dritte Verbindungsdraht und die Gate-Elektrode des vierten Steuertransistors integriert ausgebildet sind; und ein Ende des dritten Verbindungsdrahts mit der zweiten Taktsignalleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  22. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 14 bis 21, ferner umfassend eine vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung, wobei die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung mit der ersten Stromleitung, dem ersten Knoten und dem vierten Knoten verbunden ist und dazu konfiguriert ist, unter Steuerung des elektrischen Pegels des ersten Knotens eine Rauschunterdrückung des vierten Knoten durchzuführen; die vierte Knotenrauschunterdrückungsschaltung einen dritten Rauschunterdrückungstransistor umfasst; eine aktive Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors sich entlang der zweiten Richtung erstreckt; und eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des zweiten Kondensators auf dem Basissubstrat nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind, und die orthographische Projektion der aktiven Schicht des dritten Rauschunterdrückungstransistors auf dem Basissubstrat sich auf einer in der Nähe des Anzeigebereich liegenden Seite des ersten Kondensators befindet, und sich auf einer Seite der orthogonalen Projektion der aktiven Schicht des dritten Steuertransistors auf dem Basissubstrat befindet, welche Seite von der orthogonalen Projektion des zweiten Kondensator auf dem Basissubstrat entfernt ist.
  23. Anzeigesubstrat nach Anspruch 22, wobei sich eine Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors entlang der ersten Richtung erstreckt und mit der ersten Elektrode des zweiten Kondensators, der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors und den Gate-Elektroden des ersten Steuertransistors verbunden ist; und die Gate-Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors sowie die erste Elektrode des zweiten Kondensators, die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors und die Gate-Elektrode des ersten Steuertransistors integriert ausgebildet sind.
  24. Anzeigesubstrat nach Anspruch 22 oder 23, wobei die Ausgangssteuerschaltung einen Ausgangssteuertransistor und einen dritten Kondensator umfasst; eine aktive Schicht des Ausgangssteuertransistors und die aktive Schicht des Ausgangstransistors sich in der einen kontinuierlichen zweiten Halbleiterschicht befinden und sich die zweite Halbleiterschicht entlang der ersten Richtung erstreckt; eine orthographische Projektion der aktiven Schicht des Ausgangssteuertransistors auf das Basissubstrat und eine orthographische Projektion des ersten Kondensators und des dritten Kondensators auf das Basissubstrat nebeneinander in der zweiten Richtung vorgesehen sind; der dritte Kondensator sich auf einer von dem zweiten Kondensator entfernten Seite des ersten Kondensators befindet; die orthografische Projektion einer zweiten Elektrode des dritten Kondensators auf dem Basissubstrat sich entlang der zweiten Richtung erstreckt; eine erste Elektrode des dritten Kondensators und eine Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors verbunden und integriert ausgebildet sind; die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors und die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind; und die Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors eine Vielzahl von Sub-Gate-Elektroden umfasst, die nebeneinander in der ersten Richtung vorgesehen sind.
  25. Anzeigesubstrat nach Anspruch 24, wobei die zweite Stromleitung ferner einen zweiten Vorsprungsabschnitt umfasst, der in der zweiten Richtung zu dem Anzeigebereich vorsteht; der dritte Kondensator die zweite Stromleitung und den zweiten Vorsprungsabschnitt der zweiten Stromleitung in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat überlappt; und die zweite Elektrode des dritten Kondensators mit der zweiten Stromleitung und dem zweiten Vorsprungsabschnitt der zweiten Stromleitung durch ein Durchgangsloch verbunden ist, das durch eine Isolierschicht durchdringt.
  26. Anzeigesubstrat nach Anspruch 24 oder 25, ferner umfassend eine siebte Transferverbindungselektrode, wobei die siebte Transferverbindungselektrode einen ersten Abschnitt, der sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt; ein erstes Ende des ersten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des vierten Steuertransistors verbunden ist; ein Ende des zweiten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit einer ersten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors verbunden ist; und ein zweites Ende des ersten Abschnitts der siebten Transferverbindungselektrode mit der ersten Elektrode des dritten Kondensators und der Gate-Elektrode des Ausgangssteuertransistors verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinden.
  27. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 24 bis 26, ferner umfassend eine achte Transferverbindungselektrode, wobei die achte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des dritten Rauschunterdrückungstransistors, einer ersten Elektrode des Ausgangssteuertransistors und der zweiten Elektrode des dritten Kondensators verbunden ist.
  28. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 24 bis 27, ferner umfassend eine neunte Transferverbindungselektrode, wobei die neunte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des Ausgangssteuertransistors und einer zweiten Elektrode eines Eingangstransistors einer Schieberegistereinheit der nächsten Stufe verbunden ist.
  29. Anzeigesubstrat nach Anspruch 28, ferner umfassend eine zehnte Transferverbindungselektrode und einen vierten Verbindungsdraht, wobei die zehnte Transferverbindungselektrode mit einer zweiten Elektrode des Ausgangstransistors verbunden ist, und mit dem vierten Verbindungsdraht verbunden ist, der sich in einer anderen Schicht befindet, der vierte Verbindungsdraht ferner mit der neunten Transferverbindungselektrode verbunden ist, die sich in einer anderen Schicht befinde, und der vierte Verbindungsdraht mit mindestens einer Gate-Leitung verbunden ist, um das Ausgangssignal am Ausgangsanschluss an eine Lichtemissions-Steuerschaltung einer Pixeleinheit vom Anzeigebereich auszugeben.
  30. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 29, ferner umfassend eine Triggersignalleitung, wobei eine Vielzahl von Schieberegistereinheiten, die kaskadiert sind, eine Gate-Treiberschaltung bilden; die Triggersignalleitung dazu konfiguriert ist, ein Triggersignal an die Gate-Treiberschaltung bereitzustellen; eine orthographische Projektion der Triggersignalleitung auf dem Basissubstrat sich auf einer vom Anzeigebereich entfernten Seite der orthographischen Projektion der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat befindet; und die Triggersignalleitung mit einer zweiten Elektrode eines Eingangstransistors einer Schieberegistereinheit der ersten Stufe der Gate-Treiberschaltung verbunden ist, um das Triggersignal bereitzustellen.
  31. Anzeigevorrichtung, umfassend ein Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 30.
  32. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Anzeigevorrichtung eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung ist.
  33. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 31 oder 32, ferner umfassend Pixeleinheiten, die in einem Array angeordnet sind, wobei ein Ausgangssignal, das von der Ausgangssteuerschaltung der Schieberegistereinheit ausgegeben wird, an die Pixeleinheiten als Lichtemissionssteuersignal ausgegeben wird, um die Pixeleinheiten zum Emittieren des Licht anzutreiben.
  34. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 33, wobei ein Ausgangssignal, das von einer Ausgangssteuerschaltung der einen Schieberegistereinheit ausgegeben wird, entsprechend an zwei Reihen von den Pixeleinheiten ausgegeben wird.
  35. Herstellungsverfahren des Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 30, umfassend: Bereitstellen des Basissubstrats; Bilden der Schieberegistereinheit, der ersten Stromleitung, der zweiten Stromleitung, der ersten Taktsignalleitung und der zweiten Taktsignalleitung auf dem Basissubstrat, wobei das Bilden der Schieberegistereinheit umfasst: sequentielles Bilden einer Halbleiterschicht, einer ersten Isolierschicht, einer ersten leitenden Schicht, einer zweiten Isolierschicht, einer zweiten leitenden Schicht, einer dritten Isolierschicht und einer dritten leitenden Schicht in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat; wobei aktive Schichten jeweiliger Transistoren sich in der Halbleiterschicht befinden, Gate-Elektroden der jeweiligen Transistoren und erste Elektroden jeweiliger Kondensatoren sich in der ersten leitenden Schicht befinden, zweite Elektroden der jeweiligen Kondensatoren sich in der zweiten leitenden Schicht befinden, und die erste Stromleitung, die zweite Stromleitung, die erste Taktsignalleitung, die zweite Taktsignalleitung und erste Elektroden und zweite Elektroden der jeweiligen Transistoren sich in der dritten leitenden Schicht befinden; und durch Durchgangslöcher, die durch die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht oder die dritte Isolierschicht durchdringen, die jeweiligen Transistoren und die jeweiligen Kondensatoren miteinander verbunden sind, und mit der ersten Stromleitung, der zweiten Stromleitung, der ersten Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung verbunden sind.
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