DE60018873T2 - Verbindungsmaterial für anisotrope elektrisch leitende Verbindung - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren, welches ein Verbindungsmaterial für anisotrop elektrisch leitende Verbindungen zum Kleben und Verbinden eines Halbleiterelements mit einer Vielzahl an Elektroden, die von der Außenseite der Passivierungsschicht zurückliegend angeordnet sind, mit einer Substratleiterplatte mit einer Vielzahl an Elektroden, die den Elektroden des Halbleiterelements entsprechend gegenüber stehen, verwendet.
  • Beschreibung der verwandten Techniken
  • Um ein Halbleiterelement, wie z.B. einen Nacktchip oder dergleichen, auf einer Substratleiterplatte aufzubringen, kann die elektrische Verbindung und die mechanische Verbindung dieser unter Verwendung eines anisotrop elektrisch leitenden Verbindungsmaterials erzielt werden (nachfolgend manchmal als ACM bezeichnet [engl.: Anisotropically Connecting Material]). Hierbei werden das Halbleiterelement und die Leiterplatte in eine solche Lage gebracht, dass die Elektroden oder Anschlüsse, die auf dem Halbleiterelement angeordnet sind und jene auf der Leiterplatte miteinander in einer entsprechend gegenübergestellten Beziehung stehen, woraufhin das ACM zwischen diesen eingefügt wird. Dann wird die resultierende Anordnung einem Heißpressen unterzogen, um eine mechanische, stabile Verbindung beider und gleichzeitig eine sichere, elektrisch leitende Verbindung zwischen den entsprechend gegenüberstehenden Elektroden zu erzielen, während die elektrische Isolierung zwischen benachbarten Elektroden erhalten bleibt. Die durch solche vorherigen Verbindungsverfahren zu verbindenden Halbleiterelemente sind darüber mit vorstehenden Elektroden als so genannte Kontakthöcker ausgestattet. Die Anschlüsse oder Elektroden auf der Substratleiterplatte haben ebenfalls die Form einer herausragenden Struktur. Daher wurde das frühere Verfahren zum Verkleben und Verbinden von dem Halbleiterelement mit der Substratleiterplatte erfunden, um derart hervorstehende Elektroden miteinander zu verbinden.
  • Die jüngste Entwicklung, elektrische und elektronische Baugruppen mit engerem Elektrodenabstand zu gestalten, machte es schwierig, die Elektroden als Kontakthöcker auszubilden, so dass ein Verfahren vorgeschlagen wurde, ein Halbleiterelement mit Elektroden, die nicht aus der Oberfläche des Halbleiterelements herausragen, also unähnlich dem Kontakthöcker, direkt auf einer Substratleiterplatte zu montieren. Da solch ein kontakthöckerloses Halbleiterelement mit Elektroden versehen ist, die von der Außenseite der Passivierungsschicht des Elements zurückweichen, ist es erforderlich, ein anisotrop elektrisch leitendes Verbindungsmaterial zu erfinden, das eine sichere Verbindung der entsprechend gegenüberstehenden Elektroden miteinander unter einer derartigen Bedingung herzustellen erlaubt.
  • Um eine solche Anforderung zu erfüllen, wurde ein anisotrop elektrisch leitendes Verbindungsmaterial, bestehend aus elektrisch leitenden Partikeln, mit einer Härte niedriger als die der Passivierungsschicht, jedoch höher als die der Elektroden im japanischen Patent Kokai Hei 4-30542 vorgeschlagen, in welchem Nickelpartikel als die elektrisch leitenden Partikel verwendet werden. Indes ist das Material der Passivierungsschicht härter als Nickel dadurch eingeschränkt und dieses Verbindungsmaterial gemäß dem Stand der Technik kann nicht dazu verwendet werden, ein Halbleiterelement mit einer Passivierungsschicht aus Harz, wie zum Beispiel Polyimid, zu verbinden.
  • In US 5804882 ist ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindungsanordnung beschrieben, in dem ein Halbleiterelement mit einer Vielzahl an Elektroden, die in der Außenseite einer auf dem Halbleiterelement ausgebildeten Isolierungsschicht ausgespart sind, mit einer Substratleiterplatte verklebt und elektrisch leitend verbunden sind, indem ein anisotrop elektrisch leitendes Verbindungsmaterial verwendet wird. Das Verbindungsmaterial weist elektrisch leitende Partikel auf. Ein Beispiel geeigneter Partikel ist ein Harzkernpartikel, das mit einem Metallüberzug, zum Beispiel Nickel, beschichtet ist. Ein Material für die Isolierungsschicht ist Polyimid und das als Beispiel dienende Material dieser Schicht ist Siliciumnitrid.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, in dem ein Verbindungsmaterial für anisotrop elektrisch leitende Verbindungen zum Kleben und Verbinden eines Halbleiterelements, versehen mit einer Passivierungsschicht und einer Vielzahl an Elektroden, die von der Außenseite der auf dem Halbleiterelement ausgebildeten Passivierungsschicht zurückliegend angeordnet sind, auf der einen Seite mit einer Substratleiterplatte mit einer Vielzahl an Elektroden auf der anderen Seite, verwendet wird, worin besagtes Verbindungsmaterial gleichzeitig eine zuverlässige, mechanische Verbindung und eine sichere elektrisch leitende Verbindung zwischen den entsprechend gegenüberstehenden Elektroden ohne Beschädigung der Passivierungsschicht erreicht, selbst in dem Fall eines Halbleiterelements mit einer Passivierungsschicht aus einem Harz, während die elektrische Isolierung zwischen den benachbarten Elektroden erhalten bleibt.
  • Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindungsanordnung, bei der ein Halbleiterelement mit einer Vielzahl an Elektroden, die in der Außenseite einer auf dem Halbleiterelement ausgebildeten Passivierungsschicht ausgespart sind, mit einer Substratleiterplatte, die eine Vielzahl an Elektroden in einer entsprechend gegenüberstehenden Beziehung zu den Elektroden des Halbleiterelements aufweist, unter Verwendung eines anisotrop elektrisch leitenden Verbindungsmaterials verklebt und elektrisch leitend verbunden wird und umfasst folgende Schritte:
    Einbringen eines Verbindungsmaterials bestehend aus einer isolierenden Klebstoffkomponente, die ein wärmehärtendes Harz und elektrisch leitende Partikel enthält, zwischen Halbleiterelement und Substratleiterplatte und
    Aushärten des anisotrop elektrisch leitenden Verbindungsmaterials während des Heißpressens des Halbleiterelements und der Substratleiterplatte aufeinander,
    worin jedes der elektrisch leitenden Partikel aus einem Harzkernpartikel besteht, das mit einem Metallüberzug beschichtet ist und ferner mit einer Schicht eines elektrisch isolierenden Harzüberzugs versehen ist, worin das isolierende Harz in der Klebstoffkomponente unlöslich oder schwer löslich ist und während des genannten Heißpressens geschmolzen oder zerstört wird und die durchschnittliche Partikelgröße der elektrisch leitenden Partikel mindestens das 1,5-fache der ausgesparten Tiefe der Elektroden von der Außenseite der Passivierungsschicht des Halbleiterelements beträgt und im Bereich des 0,01- bis 0,5-fachen des Abstands (d0) zwischen benachbarten Elektroden liegt, die Härte (K-Wert) des elektrisch leitenden Partikels im Bereich von 500 bis 10.000 N/mm2 liegt und die Mohs-Härte der Metallummantelungsschicht der elektrisch leitenden Partikel im Bereich 1 bis 6 liegt und die Passivierungsschicht aus Polyimidharz, Polybenzocyclobuten oder Polytetrafluorethylen besteht.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 stellt eine elektrisch leitende Verbindungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung in einer erläuternden Schnittansicht dar.
  • 2 enthält eine Kurve, die das Verhältnis zwischen der Längenänderung durch Pressen und der Druckkräfte für elektrisch leitende Partikel darstellt.
  • 3 enthält eine Kurve, die das Verhältnis zwischen dem K-Wert und der Verformung durch Pressen für elektrisch leitende Partikel darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Eines der Elemente, das unter Verwendung des Verbindungsmaterials für anisotrop elektrisch leitende Verbindungen entsprechend der vorliegenden Erfindung zu verbinden ist, ist ein Halbleiterelement mit einer Vielzahl an Elektroden, eine die Elektroden einfassende Passivierungsschicht, in welcher die Elektroden von der Außenseite der Passivierungsschicht zurückliegend angeordnet sind. Die Passivierungsschicht ist aus einem Harz hergestellt, z.B. Polyimid, Polybenzocyclobuten oder Polyfluorethylen (TEFLON). Die Elektrode auf dem Halbleiterelement ist gewöhnlich aus Aluminium, Kupfer oder dergleichen gefertigt. Falls die Elektrode aus Aluminium hergestellt ist, ist auf der Oberfläche eine dünne Oxidschicht gebildet. Als Halbleiterelemente können freiliegende Chips, so genannte Nacktchips, verwendet werden, die mit ihrer Oberfläche nach unten mit einer Substratleiterplatte verbunden werden.
  • Das andere Element, das mit dem Halbleiterelement verbunden ist, ist eine Substratleiterplatte, die eine elektronische Schaltkreisstruktur hat und darauf mit einer Vielzahl an Elektroden versehen ist, die in einer entsprechend gegenüberstehenden Beziehung zu den Elektroden des Halbleiterelements angeordnet sind. Die Substratleiterplatte kann eine Glas- oder Harzplatte oder ein Verbundwerkstoff sein, wie z.B. Glas/Epoxid, oder eine aus Harz, z.B. Polyimidharz oder dergleichen, hergestellte, flexible Platte, auf der Elektroden aus einem gewöhnlich verwendeten, elektrischen Leiter, wie z.B. Kupfer, Silber, Aluminium oder dergleichen, angeordnet sind.
  • Das Verbindungsmaterial für eine anisotrop elektrisch leitende Verbindung zum Verkleben und Verbinden des Halbleiterelements mit der Substratleiterplatte umfasst eine isolierende Klebstoffkomponente, die ein wärmehärtendes Harz und elektrisch leitende Partikel enthält. Das Verbindungsmaterial wird zwischen die Elemente, die miteinander zu verbinden sind, gebracht, und die Elemente werden von beiden Seiten aufeinander gepresst, so dass die Elektroden, die gegenüberliegend auf der entgegenstehenden Außenseite jedes Elements angeordnet sind, mit den elektrisch leitenden Partikeln, die eine Brücke zwischen den Elementen bilden, in Kontakt gebracht werden, während das wärmehärtende Harz mit den darin verteilten elektrisch leitenden Partikeln zwischen benachbarten Elektroden gehalten wird.
  • Für das Hauptharz des wärmehärtenden Harzes, das in der isolierenden Klebstoffkomponente des Verbindungsmaterials entsprechend der vorliegenden Erfindung enthalten ist, kann ohne Einschränkung eine beliebige Art eines Harzes verwendet werden, das durch Erhitzen oder durch Strahlungseinwirkung, wie z.B. durch UV-Strahlung, härtbar ist unter gleichzeitiger Verwendung eines Härtungsmittels, z.B. Epoxidharze, Urethanharze, Phenolharze, Hydroxylgruppe beinhaltende Polyesterharze und Hydroxylgruppe beinhaltende Acrylharze, wobei den Epoxidharzen im Hinblick auf die Ausgewogenheit zwischen Härtungszeit, Härtungstemperatur, Haltbarkeit und so weiter ein besonders bevorzugt werden. Als Epoxidharze können zum Beispiel Bisphenol-Typ Epoxidharze, Epoxidnovolakharze und Harze, die auf Epoxidverbindungen mit zwei oder mehr Oxirangruppen im Molekül basieren, angeführt werden. Harze, die auf radikalischer Polymerisation basieren, können ebenfalls als wärmehärtendes Harz verwendet werden. Handelsübliche Erzeugnisse können ebenso wie jene dafür eingesetzt werden.
  • Das Hauptharz des oben angeführten, wärmehärtenden Harzes kann der Härtungsreaktion für gewöhnlich bei gleichzeitiger Verwendung eines Härtungsmittels ausgesetzt sein, wogegen auf die Verwendung eines Härtungsmittels verzichtet werden kann, falls funktionelle Gruppen, die am Härtungsprozess beteiligt sind, im Molekül des Hauptharzes vorhanden sind. Als Härtungsmittel können solche eingesetzt werden, die mit dem Hauptharz derart reagieren können, dass sie die Härtung durch Erhitzen, Lichteinstrahlung oder so weiter bewirken, zum Beispiel Imidazol, Amine, Säureanhydride, Hydrazide und Dicyandiamid ebenso wie abgewandelte Erzeugnisse von diesen. Handelsübliche Erzeugnisse können eingesetzt werden. Für ein derartiges Härtungsmittel wird der Vorrang einem latenten Härtungsmittel gegeben.
  • Ein latentes Härtungsmittel löst keine Härtungsreaktion während der Verarbeitungsvorgänge und Lagerung bei normaler Temperatur und während des Trocknungsvorgangs bei relativ geringeren Temperaturen (40 – 80 °C) aus, unterliegt jedoch einer Härtungsreaktion unter Druck mit Erhitzen bei der Härtungstemperatur (Heißpressen) oder durch Lichteinwirkung, wie z.B. UV-Strahlung. Für ein derartiges Härtungsmittel wird ein besonderer Vorzug jenem Erzeugnis gegeben, bei dem das oben erwähnte Härtungsmittel, wie Imidazol oder ein Amin, in Mikrokapseln eingeschlossen ist, für die handelsübliche Erzeugnisse verwendet werden können. Im Fall der Hitzaktivierung können jene günstig verwendet werden, die eine Härtungsstarttemperatur von 80 – 150 °C aufweisen.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung kann die Klebstoffkomponente des Verbindungsmaterials ein thermoplastisches Polymermaterial enthalten, um dem Verbindungsmaterial die Fähigkeit zu geben, auf einem Substrat aufgetragen zu werden oder schichtbildend zu sein. Für derartige thermoplastische Polymermaterialien können z.B. Phenoxyharze, Polyesterharze, Acrylharze, NBR und SBR eingesetzt werden.
  • Die Klebstoffkomponente des Verbindungsmaterials kann gemäß der vorliegenden Erfindung weiterhin andere Zusatzstoffe enthalten, wie z.B. oberflächenaktive Mittel, Haftmittel, Antioxidationsmittel und so weiter.
  • Der Anteil dieser Zusatzstoffe, die der Klebstoffkomponente hinzugefügt werden, kann 0 bis 40 % sein, vorzugsweise 1 bis 30 %, für das thermoplastische Polymermaterial basierend auf dem Gewicht des wärmehärtenden Harzes, und 0 bis 10 %, vorzugsweise 1 bis 5 %, für andere Zusatzstoffe basierend auf dem Gesamtgewicht der harzhaltigen Bestandteile.
  • Die elektrisch leitenden Partikel, die zusammen mit der Klebstoffkomponente im Verbindungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung vermischt werden, sind Partikel, die mit einem elektrischen Leiter beschichtet sind, wobei Harzkernpartikel durch Galvanisieren oder ähnliches mit einem elektrisch leitenden Material überzogen werden. Die elektrisch leitenden Partikel sind mit einer isolierenden Harzschicht ummantelt. Die elektrisch leitenden Partikel können mit einem Anteil von 2 – 40 %, vorzugsweise 5 – 25 %, basierend auf dem Volumen der Klebstoffkomponente im Verbindungsmaterial enthalten sein.
  • Für die Harzkernpartikel, die die elektrisch leitenden Partikel bilden, können eingesetzte Partikel zum Beispiel aus Kunstharzen wie Epoxidharzen, Styrolharzen, Siliconharzen, Acrylharzen, Acryl-Styrolharzen (Copolymerharze eines Acrylats und eines Styrols), Polyolefinharzen, Melaminharz und Benzoguanaminharz, Divinylbenzol-vernetzten Harzen; synthetischen Kautschuken wie beispielsweise NBR und SBR und Gemischen von diesen sein. Unter diesen ist der Vorzug den Styrolharzen, Acrylharzen, Acryl/Styrolharzen, Benzoguanaminharz und Divinylbenzol-vernetzten Harzen gegeben. Die Härte und der Elastizitätsmodul des Polymerharzkernpartikels sind nicht besonders eingeschränkt und können für jeden speziellen Fall angemessen ausgewählt werden.
  • Für die Metallbeschichtung, die die Harzkernpartikel umschließt, können ein oder mehrere Metalle aus Nickel, Gold, Kupfer, Silber und so weiter eingesetzt werden, wobei dem Nickel der Vorzug gegeben ist. Ein derartiges Metall wird auf das Polymerharzkernpartikel günstigerweise durch stromlose Abscheidung oder Galvanisieren in einer Schicht aufgebracht. Die aufgebrachte Metallschicht hat günstigerweise eine Dicke im Bereich von 5 bis 300 nm, vorzugsweise von 10 bis 200 nm. Ein besonderer Vorzug ist einer Metallbeschichtung gegeben, bei der Gold auf eine Nickelbasisschicht aufgetragen wird, wobei die Dicke der Nickelbasisschicht im Bereich von 10 bis 300 nm liegen kann, vorzugsweise von 30 bis 200 nm, und die Dicke der Goldbeschichtung im Bereich von 5 bis 100 nm, vorzugsweise von 10 bis 30 nm.
  • Das isolierende Harz sollte in der Klebstoffkomponente des Verbindungsmaterials unlöslich oder schwer löslich sein und geschmolzen oder zerstört werden, sobald das Verbindungsmaterial dem Heißpressen unterworfen ist, um zu ermöglichen, dass sich ein reibschlüssiger Direktkontakt der aufgetragenen Metallschicht mit den entsprechend gegenüberstehenden Elektroden aufbaut. Obwohl jedes isolierende Harz, das eine solche Bedingung erfüllt, dafür ohne eine Einschränkung verwendet werden kann, ist die Verwendung eines Acrylharzes, Styrolharzes oder Acryl/Styrolharzes bevorzugt.
  • Das isolierende Harz umschließt vorzugsweise die metallbeschichtete Partikeloberfläche, um eine isolierende Schicht zu bilden, wobei ein besonderer Vorzug einer Isolierschicht gegeben ist, die aus einem vernetzten Acrylharz, einem vernetzten Styrolharz oder einem vernetzten Acrylstyrolharz hergestellt ist.
  • Die Dicke der isolierenden Harzbeschichtung liegt günstigerweise im Bereich von 0,05 bis 2 μm, vorzugsweise von 0,1 bis 0,5 μm.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung sollten die oben beschriebenen elektrisch leitenden Partikel die Bedingung erfüllen, dass die durchschnittliche Partikelgröße (d) mindestens das 1,5-fache, vorzugsweise das 1,5- bis 5-fache der Rückzugstiefe (h) der Elektroden von der Außenseite der Passivierungsschicht des Halbleiterelements ist. Die elektrisch leitenden Partikel, die gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden, weisen wegen des Aufbaus des Partikels, das aus einem federnden Harzkern und einer darauf aufgebrachten Metallbeschichtung zusammengesetzt ist, eine Elastizität auf, die es zulässt, sie zu verformen, sobald sie zwischen den gegenüberliegenden Elektroden zusammengepresst werden. Daher kann eine Deformation zum Aufbau eines hinreichenden elektrisch leitenden Kontakts mit den Elektroden erzielt werden, wenn die durchschnittliche Partikelgröße, d.h. der Partikeldurchmesser, mindestens das 1,5-fache der Rückzugstiefe (h) der Elektroden von der Außenseite der Passivierungsschicht des Halbleiterelements ist, wohingegen ein ausreichender elektrisch leitender Kontakt nicht erreicht werden kann, wenn die durchschnittliche Partikelgröße lediglich ein wenig größer als die Rückzugstiefe (h) der Elektroden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die durchschnittliche Partikelgröße (d) der elektrisch leitenden Partikel nicht größer als das 0,5-fache, vorzugsweise vom 0,01- bis 0,5-fachen, des Abstands zwischen den benachbarten Elektroden. Im Zwischenraum zwischen zwei benachbarten Elektroden kann ein möglicher Kontakt der elektrisch leitenden Partikel in seitlicher Richtung beim Heißpressen die Möglichkeit eines Kurzschlusses zwischen den Elektroden hervorbringen, im Fall, dass die Partikelgröße beträchtlich ist. Durch die Beschränkung der durchschnittlichen Partikelgröße wie oben, wird die obige Kurzschlussgefahr vermieden.
  • Die elektrisch leitenden Partikel gemäß der vorliegenden Erfindung haben eine Härte (K-Wert) im Bereich von 500 bis 10.000 N/mm2, vorzugsweise von 1.000 bis 8.000 N/mm2. Durch Anpassen der Härte (K-Wert) der elektrisch leitenden Partikel auf einen Wert in der oben festgesetzten Spanne, ist einer möglichen, durch die Partikel verursachten Beschädigung der Passivierungsschicht, die aus einem Harz, zum Beispiel einem Polyimidharz, gebildet ist, das dazu neigt, durch Metallpartikel beschädigt zu werden, auf dem Halbleiterelement vorgebeugt.
  • Im Folgenden ist die Definition des K-Werts erläutert:
    Gemäß der „Theory of Elasticity" im Theoretical Physics Curriculum von Landau-Lifshitz, herausgegeben von Tokyo Tosho 1972, werden auf Seite 42 Problemstellungen des Kontakts zwischen zwei elastischen, kugelförmigen Körpern mit einem Radius von je R und R' mit folgenden Gleichungen behandelt: h = F2/3[D2{(1/R) + (1/R')}]1/3 (1) D = (3/4)[{1 – σ2)/E} + {(1 – σ'2)/E'}] (2)
  • In den obigen Gleichungen bezeichnet h die Differenz zwischen dem Abstand (R + R') und dem Abstand zwischen den Zentren der zwei Kugeln, F stellt die Druckkraft dar, E und E' stellen jeweils die Elastizität jeder elastischen Kugel dar und σ und σ' stellen jeweils die Poisson-Zahl jeder elastischen Kugel dar.
  • Eine Annäherung an den Fall eines Kontakts zwischen einem kugelförmigen Körper und einer Platte durch Pressen der Kugel auf die Plattenoberfläche ist möglich, indem die obige theoretische Behandlung mit der Annahme angesetzt wird, dass R' → ∞ and E >> E', wodurch die folgende Näherungsgleichung erhalten wird: F = (21/2/3)·(S1/2)·(E·R1/2)·(1 - σ2) (3)in der S den Betrag der Verformung durch Pressen darstellt.
  • Der K-Wert ist durch die Gleichung festgelegt K = E/(1 – σ2) (4)
  • Es folgt aus den Gleichungen (3) und (4) K = (3/√2)·F·S–3/2·R–1/2 (5)
  • Demnach stellt der K-Wert die Härte eines kugelförmigen Körpers in einem allgemeinen und quantitativen Ausdruck dar. Daher kann die Härte eines Mikropartikels eindeutig und quantitative dargestellt werden, indem der K-Wert verwendet wird.
  • Der K-Wert eines elastischen, kugelförmigen Körpers kann auf die folgende Weise ermittelt werden:
    Eine partikuläre Substanz, die untersucht werden soll und aus kugelförmigen Partikeln besteht, wird über eine Stahlplatte verstreut und ein Partikel wird als Zielprobe unter denen ausgewählt, die über die Oberfläche der Stahlplatte verstreut sind. Das Probepartikel wird mit dem Planende eines dünnen Diamantstabs mit einem Durchmesser von 50 μm auf einem Pulverkompressionsprüfgerät (z.B. Modell PCT-200 von Shimadzu Corporation) auf die Oberfläche der Stahlplatte gepresst. Die Druckkraft wird erfasst, indem sie in ein elektromagnetisches Signal konvertiert wird und die durch das Pressen hervorgerufene Längenänderung wird erfasst, indem sie durch Verwendung eines Differentialübertragers in ein elektrisches Signal konvertiert wird. Auf diese Weise wird eine Beziehung zwischen der Druckkraft und der Längenänderung durch Pressen erhalten, wie in 2 anschaulich dargestellt ist. Aus dieser Kurve, wie in 2 dargestellt, kann die Kraft bei 10 Druckverformung und die Drucklängenänderung für das Probepartikel bestimmt werden.
  • Aus diesen beobachteten Werfen lässt sich in Kombination mit Gleichung (5) die Beziehung zwischen dem K-Wert und die Druckverformung ableiten, die in 3 anschaulich dargestellt ist. Hierbei ist der Wert für die Verformung durch Pressen der Quotient aus der Längenänderung durch den Durchmesser des Probepartikels ausgedrückt in Prozent. Die Bedingungen für diese Bestimmung sind:
    Pressgeschwindigkeit: Die Kraft wird mit einer konstanten Belastungsgeschwindigkeit von 2,7 mN pro Sekunde erhöht.
    Testkraft: Maximal 100 mN
    Testtemperatur: 20°C
  • Wenn ein Elektrodenmaterial, wie beispielsweise Aluminium, das einen isolierenden Belag, wie zum Beispiel einen Oxidbelag, auf der Oberfläche bildet, für die Elektrode des Halbleiterelements verwendet wird, kann eine fehlerhafte elektrisch leitende Verbindung durch die auf der Elektrode gebildete isolierende Schicht auftreten. Solch eine Fehlstelle kann vermieden werden, indem elektrisch leitende Partikel verwendet werden, die mit einer Metallschicht ummantelt sind, deren Härte höher ist, als jene, die erforderlich ist, um die Isolierschicht zu zerstören. Hierbei sollte die Metallschicht die Passivierungsschicht auf dem Halbleiterelement nicht beschädigen. Deshalb sollte die Metallbeschichtung auf den elektrisch leitenden Partikeln gemäß der vorliegenden Erfindung eine Mohs-Härte von 1 bis 6, vorzugsweise von 2 bis 4, haben.
  • Das Verbindungsmaterial kann gemäß der vorliegenden Erfindung als Erzeugnis in Form einer Paste oder einer Folie zur Verfügung stehen. Das Verbindungsmaterial in Form einer Paste kann ohne Verwendung eines Lösungsmittels durch Auswahl adäquater Bestandteile aus jenen, wie vorher beschrieben, hergestellt werden, obwohl es allgemein praktikabel ist, die Komponenten in einem geeigneten Lösungsmittel aufzulösen oder zu dispergieren, um eine Paste zu bilden. Als Lösungsmittel können Alkohole, Ketone, Ester, Ether, Phenole, Acetal und Stickstoff enthaltende Kohlenwasserstoffe, unter denen Toluol, MEK, Ethylacetat und Cellosolve-Acetat als Beispiel dienen können, eingesetzt werden. Die Menge des zu verwendenden Lösungsmittels liegt allgemein im Bereich von ungefähr 20 bis 40 %, basierend auf dem Gewicht der harzhaltigen Inhaltsstoffe des Verbindungsmaterials.
  • Zur Herstellung des Verbindungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung in Form einer Folie, wird die wie oben hergestellte Paste auf einer abblätternden Folie in einer Schicht aufgetragen, woraufhin das Lösungsmittel verdunstet wird, um eine Folie des Verbindungsmaterials zu bilden.
  • Das Verbindungsmaterial, das in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, wird zwischen die Substratleiterplatte und dem Halbleiterelement gebracht, die beide auf den gegenüberliegenden Oberflächen mit einer Vielzahl an Elektroden in einer entsprechend gegenübergestellten Beziehung ausgestattet sind, woraufhin die resultierende Anordnung heißgepresst wird, indem die Anordnung von beiden Seiten mit Erwärmen gepresst wird. Im Fall des Verbindungsmaterials als Paste werden das Halbleiterelement und die Leiterplatte mit dieser Paste in dem Bereich, der miteinander verbunden wird, einschließlich der Elektroden bestrichen und beide werden nach dem Trocknen oder ohne Trocknung zusammengefügt, woraufhin die resultierende Anordnung heißgepresst wird, um zu bewirken, dass das Material thermofixiert wird. Im Fall des Verbindungsmaterials als Folie wird sie zwischen der Leiterplatte und dem Halbleiterelement gebracht und die resultierende Anordnung wird heißgepresst, um zu bewirken, dass das Verbindungsmaterial aushärtet. Das Aushärten des Verbindungsmaterials kann ebenfalls durch Bestrahlung, wie zum Beispiel mit UV-Strahlen, herbeigeführt werden.
  • In dem Verbindungsverfahrensschritt wie oben beschrieben wird das Verbindungsmaterial zwischen die Leiterplatte und dem Halbleiterelement gebracht und die resultierende Anordnung wird beim Pressen erhitzt, um zu erreichen, dass die harzhaltigen Bestandteile des Verbindungsmaterials zuerst geschmolzen und seitwärts herausgetrieben werden, um den freien Raum zwischen den benachbarten Elektroden aufzufüllen, während die zwischen den gegenüberstehenden Elektroden zurückgehaltenen, elektrisch leitenden Partikel durch diese Elektroden, die sie zusammenpressen, festgeklemmt werden, um elektrisch leitend zwischen diesen zu überbrücken, bevor das wärmehärtende Harz im Verbindungsmaterial thermofixiert ist, um einen stabil verbundenen Zusammenbau zu bilden. Auf diese Weise werden die elektrische Verbindung zwischen den gegenüberstehenden Elektroden und die mechanische Verbindung der Substratleiterplatte mit dem Halbleiterelement zeitgleich erzielt, während die elektrische Isolierung zwischen den benachbarten Elektroden erhalten bleibt. Durch die Verwendung des Verbindungsmaterials in der vorliegenden Erfindung kann die mechanische Verbindung und die elektrische Verbindung richtig verwirklicht werden, selbst wenn ein Halbleiterelement mit Elektroden, die von der Außenseite der Passivierungsschicht zurückliegend angeordnet sind, mit einer Substratleiterplatte verbunden wird.
  • Der resultierende verbundene Aufbau einer Substratleiterplatte und eines Halbleiterelements ist nicht anfällig für eine Beschädigung der Passivierungsschicht, selbst wenn sie aus Harz hergestellt ist und kann es ermöglichen, eine Elektrode, die von der Außenseite der Passivierungsschicht zurückliegend angeordnet ist, mit der gegenüberliegenden Elektrode auf der Substratleiterplatte auf sichere Art und Weise elektrisch leitend zu verbinden. Auf diese Weise werden eine bessere mechanische Verbindung und eine zuverlässige elektrisch leitende Verbindung erreicht, die den Ausschluss des Auftretens einer fehlerhaften elektrischen Verbindung zwischen den Elektroden für einen langen Zeitraum zulassen.
  • Wie oben beschrieben kann ein verbundener Aufbau mit besserer Bindungsfestigkeit, besserer Zuverlässigkeit des elektrisch leitenden Anschlusses und besserem Schutz der elektrischen Isolierung bei Verwendung des Verbindungsmaterials in der vorliegenden Erfindung hergestellt werden, da das Verbindungsmaterial auf der einen Seite eine Klebstoffkomponente, die ein wärmehärtendes Harz enthält, und auf der anderen Seite elektrisch leitende Partikel umfasst, die aus mit einer Metallschicht überzogenen Polymerharzkernpartikeln hergestellt sind, worin die durchschnittliche Partikelgröße der elektrisch leitenden Partikel mit mindestens dem 1,5-fachen der Rücksprungtiefe der Elektroden von der Außenseite der Passivierungsschicht des Halbleiterelements gewählt wird.
  • Ein mögliches Auftreten einer fehlerhaften elektrischen Verbindung auf Grund von Kurzschließen zwischen benachbarten Elektroden wird ausgeschlossen, indem die durchschnittliche Partikelgröße der elektrisch leitenden Partikel höchstens das 0,5-fache des Abstands zwischen den benachbarten Elektroden ist. Dies wird weiterhin durch die technische Maßnahme unterstützt, die Metalloberfläche des elektrisch leitenden Partikels mit einem isolierenden Harz zu überziehen. Eine mögliche Beschädigung der Passivierungsschicht auf dem Halbleiterelement kann effizient verhindert werden, indem die elektrisch leitenden Partikel mit einer bestimmten K-Wert-Härte ausgewählt werden. Eine bessere elektrisch leitende Verbindung zwischen den gegenüberliegenden Elektroden wird erreicht, selbst wenn auf der Elektrodenoberfläche eine Isolierschicht entstanden ist, indem elektrisch leitende Partikel, die mit einer Metallschicht überzogen sind, mit einer bestimmten Mohs-Härte verwendet werden.
  • Beste Ausführungsform der Erfindung
  • Nachfolgend ist die vorliegende Erfindung durch eine Ausführungsform mit Bezug zu den beigefügten Figuren beschrieben.
  • 1 ist eine erklärende Veranschaulichung, die das Prinzip des Verbindens eines Halbleiterelements mit einer Substratleiterplatte unter Verbindung der entsprechend gegenüberliegenden Elektroden durch das Verbindungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung in einer schematischen Schnittzeichnung zeigt, in der lediglich wenige elektrisch leitende Partikel 8 in einer vergrößerten Darstellung um der Leichtigkeit des Verständnisses willen abgebildet sind.
  • In 1 ist eine Substratleiterplatte 1 mit einer Vielzahl an Elektroden 2 mit einem Halbleiterelement 3, wie zum Beispiel ein IC-Baustein, mit einer Vielzahl an Elektroden 4 und ausgestattet mit einer die Elektroden einfassenden Passivierungsschicht 5, die aus einem Polyimidharz hergestellt ist, verbunden, indem eine Folie des Verbindungsmaterials 6 dazwischen gebracht ist. Die Elektrode 4 ist von der Außenseite der Passivierungsschicht 5 zurückliegend mit einer Rücksprungtiefe h angeordnet. Die Elektroden 2 und die Elektroden 4 stehen in einer entsprechend gegenübergestellten Beziehung unter Einfügung des als Folie hergestellten Verbindungsmaterials 6 zwischen diesen. Das Verbindungsmaterial 6 ist aus einer isolierenden Klebstoffkomponente 7, die ein wärmehärtendes Harz enthält, und elektrisch leitenden Partikeln 8 zusammengesetzt. Wenn das Verbindungsmaterial in Form einer Paste verwendet wird, wird es auf der Substratleiterplatte 1 aufgehäuft. Das elektrisch leitende Partikel 8 hat einen Aufbau, bei dem ein Harzkernpartikel 8a mit einer Metallschicht 8b überzogen ist. Die durchschnittliche Partikelgröße d der elektrisch leitenden Partikel 8 ist mindestens das 1,5-fache der Rücksprungtiefe h der Elektroden 4 von der Außenseite der Passivierungsschicht 5 und höchstens das 0,5-fache des Abstands zwischen den benachbarten Elektroden 4.
  • Um die Verbindung des Halbleiterelements mit der Substratleiterplatte durchzuführen, wird das Verbindungsmaterial 6 auf die Substratleiterplatte 1 gebracht, so dass der zu verbindende Bereich bedeckt ist, worauf das Halbleiterelement 3 derart platziert wird, dass jede der Elektroden von dieser der entsprechenden Gegenelektrode der Substratleiterplatte 1 gegenübersteht. Der resultierende Zusammenbau wird dann heißgepresst, indem der Aufbau wie durch die Pfeile X und Y angedeutet von beiden Seiten zusammengedrückt wird, während das Verbindungsmaterial 6 erhitzt wird. Die Klebstoffkomponente 7 des Verbindungsmaterials 6 wird zuerst geschmolzen und seitwärts herausgetrieben, um den elektrodenfreien Raum zwischen der Substratleiterplatte und dem Halbleiterelement aufzufüllen, bevor das wärmehärtende Harz der Klebstoffkomponente thermofixiert ist, um die mechanische Verbindung zwischen diesen herzustellen, um einen stabilen Zusammenbau 10 aufzubauen. Die elektrisch leitenden Partikel 8 werden unter Druck zwischen den entsprechend gegenüberstehenden Elektroden 2 und 4 verklemmt, um sie elektrisch leitend zu überbrücken, um einen sicheren elektrischen Anschluss zwischen diesen aufzubauen, während zwischen den benachbarten Elektroden (2 und 2 oder 4 und 4) eine zuverlässige elektrische Isolierung erhalten wird.
  • Hierbei kann eine Beschädigung der Passivierungsschicht 5 durch die elektrisch leitenden Partikel 8 verhindert werden, da die elektrisch leitenden Partikel 8 eine K-Wert-Härte in dem oben erwähnten Bereich haben. Eine sichere elektrisch leitende Verbindung zwischen den gegenüberliegenden Elektroden 2 und 4 wird durch einen zuverlässigen Reibungspresskontakt auf Grund von Druckverformung der zwischen diesen überbrückenden, elektrisch leitenden Partikel erreicht, da die durchschnittliche Partikelgröße d mindestens das 1,5-fache der Rücksprungtiefe h der Elektrode 4 von der Außenseite der Passivierungsschicht 5 ist. Wenn die Elektroden (2, 4) aus einem Elektrodenmaterial hergestellt sind, das zur Bildung einer Isolierschicht, wie zum Beispiel eine Oxidschicht, neigt, kann eine elektrisch leitende Verbindung durch Zerstören einer solchen Isolierschicht erreicht werden, indem man die elektrisch leitenden Partikel mit einer Mohs-Härte im oben definierten Bereich auf die Elektroden presst. Die Elektroden (2, 4) bleiben zwischen benachbarten Elektroden (2 und 2 oder 4 und 4) isoliert, da die elektrisch leitenden Partikel 8 jeweils isoliert in der Klebstoffkomponente 7 des Verbindungsmaterials und im Zwischenraum zwischen den benachbarten Elektroden unter Ausschluss eines direkten seitlichen Kontakts der Partikel miteinander wegen der Beschränkung der durchschnittlichen Partikelgröße d auf höchstens das 0,5-fache des Abstands s zwischen den benachbarten Elektroden fein verteilt sind.
  • BEISPIELE
  • Die Beispiele veranschaulichen die Materialien und die Verfahrensschritte der vorliegenden Erfindung. Die in den Beispielen 1 bis 6 verwendeten elektrisch leitenden Partikel sind nur veranschaulichend. Die in Beispiel 7 verwendeten Partikel sind jene, die im Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
  • Beispiel 1
  • Zu einem wärmehärtenden Gemisch einer isolierenden Klebstoffkomponente, erhalten durch Mischen von 50 Gewichtsteilen eines Epoxidharzes (ein Erzeugnis der Yuka-Shell Epoxy K.K. mit der Handelsbezeichnung Epikote 1009) und 45 Gewichtsteilen eines latenten Härtungsmittels (ein Erzeugnis der Asahi-Dow K.K. mit der Handelsbezeichnung HX 3721) wurden 5 Gewichtsteile elektrisch leitender Partikel (ein Erzeugnis der Nippon Chemical Industrial Co., Ltd., mit einer durchschnittlichen Partikelgröße d = 5 μm und einer K-Wert-Härte von 7,490 N/mm2), jedes hergestellt aus einem Harzkernpartikel aus einem Benzoguanaminharz beschichtet mit Nickel, beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie mit einer Dicke von 20 μm eines anisotrop elektrisch leitenden Verbindungsmaterials verarbeitet wurde.
  • Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein, ausgestattet darauf mit Elektroden mit einer Aluminiumoberfläche und einer Dicke von 1 μm (mit einer Flächengröße von 6,3 mm2, h = 1,4 μm, s = 100 μm) und eine Substratleiterplatte aus Glasepoxidharz (mit Elektroden einer Dicke von 18 μm, hergestellt aus Kupfer, beschichtet mit Nickel-Gold) gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau bei 180 °C und einer Presskraft von 150 N 20 Sekunden lang heißgepresst wurde. Es wurde eine bessere elektrisch leitende Verbindung erreicht, worin der unmittelbar nach dem Aufbau der Verbindung durch Heißpressen ermittelte Durchgangswiderstand 5 – 10 mΩ pro einem Anschluss war mit einem Isolationswiderstand zwischen benachbarten Elektroden von nicht weniger als 108 Ω.
  • Beispiel 2
  • Zu dem in Beispiel 1 verwendeten, wärmehärtenden Gemisch der isolierenden Klebstoffkomponente wurden 5 Gewichtsteile elektrisch leitender Partikel mit dem selben Partikelaufbau wie in Beispiel 1, jedoch mit einer anderen durchschnittlichen Partikelgröße (ein Erzeugnis der Nippon Chemical Industrial Co., Ltd., mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 3 μm) beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie eines Verbindungsmaterials mit einer Dicke von 20 μm verarbeitet wurde. Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein und eine Substratleiterplatte mit den selben technischen Daten wie jene, die in Beispiel 1 verwendet wurden, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau unter der selben Bedingung wie in Beispiel 1 heißgepresst wurde. Es wurde eine bessere elektrisch leitende Verbindung erreicht, wobei der unmittelbar nach dem Aufbau der Verbindung durch Heißpressen ermittelte Durchgangswiderstand 5 – 10 mΩ pro einem Anschluss mit einem Isolationswiderstand zwischen benachbarten Elektroden von nicht weniger als 108Ω betrug.
  • Beispiel 3
  • Zu dem in Beispiel 1 verwendeten, wärmehärtenden Gemisch der isolierenden Klebstoffkomponente wurden 5 Gewichtsteile elektrisch leitender Partikel mit dem selben Partikelaufbau wie in Beispiel 1, jedoch mit einer anderen durchschnittlichen Partikelgröße (ein Erzeugnis der Nippon Chemical Industrial Co., Ltd., mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 10 μm) beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie eines Verbindungsmaterials mit einer Dicke von 20 μm verarbeitet wurde. Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein und eine Substratleiterplatte mit den selben technischen Daten wie jene, die in Beispiel 1 verwendet wurden, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau unter der selben Bedingung heißgepresst wurde wie in Beispiel 1. Es wurde eine bessere elektrisch leitende Verbindung erreicht, wobei der unmittelbar nach dem Aufbau der Verbindung durch Heißpressen ermittelte Durchgangswiderstand 5 – 10 mΩ pro einem Anschluss mit einem Isolationswiderstand zwischen benachbarten Elektroden von nicht weniger als 108Ω betrug.
  • Beispiel 4
  • Zu dem in Beispiel 1 verwendeten, wärmehärtenden Gemisch der isolierenden Klebstoffkomponente wurden 5 Gewichtsteile elektrisch leitender Partikel mit dem selben Partikelaufbau wie in Beispiel 1, jedoch mit einer anderen durchschnittlichen Partikelgröße (ein Erzeugnis der Nippon Chemical Industrial Co., Ltd., mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 20 μm) beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie eines Verbindungsmaterials mit einer Dicke von 20 μm verarbeitet wurde. Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein und eine Substratleiterplatte mit den selben technischen Daten wie jene, die in Beispiel 1 verwendet wurden, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau unter der selben Bedingung heißgepresst wurde wie in Beispiel 1. Es wurde eine bessere elektrisch leitende Verbindung erreicht, wobei der unmittelbar nach dem Aufbau der Verbindung durch Heißpressen ermittelte Durchgangswiderstand 5 – 10 mΩ pro einem Anschluss mit einem Isolationswiderstand zwischen benachbarten Elektroden von nicht weniger als 108Ω betrug.
  • Beispiel 5
  • Die Folie eines in Beispiel 1 hergestellten, anisotrop elektrisch leitenden Verbindungsmaterials wurde zwischen ein IC-Baustein, ausgestattet darauf mit Elektroden mit einer Goldoberfläche und einer Dicke von 1 μm (mit einer Flächengröße von 6,3 mm2, h = 1,4 μm, s = 100 μm) und eine Substratleiterplatte aus Glasepoxidharz, die mit aus Kupfer hergestellten und mit Nickel-Gold beschichteten Elektroden einer Dicke von 18 μm ausgestattet ist, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau bei 180 °C 20 Sekunden lang heißgepresst wurde, während mit 150 N gepresst wurde. Es wurde eine bessere, elektrisch leitende Verbindung erreicht, wobei der unmittelbar nach dem Aufbau der Verbindung durch Heißpressen ermittelte Durchgangswiderstand 3 – 8 mΩ pro einem Anschluss mit einem Isolationswiderstand zwischen benachbarten Elektroden von nicht weniger als 108Ω war.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Zu dem in Beispiel 1 verwendeten, wärmehärtenden Gemisch der isolierenden Klebstoffkomponente wurden 5 Gewichtsteile Nickelpartikel unbestimmter Form (ein Erzeugnis der Firma Inko mit Partikelgrößen nicht größer als 5 μm und einer K-Wert-Härte von 40.000 N/mm2) beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie eines Verbindungsmaterials mit einer Dicke von 20 μm verarbeitet wurde. Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein und eine Substratleiterplatte mit den selben technischen Daten wie jene, die in Beispiel 1 verwendet wurden, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau unter der selben Bedingung heißgepresst wurde wie in Beispiel 1. Es trat ein Unterbrechungsfehler aufgrund der Zerstörung des Schaltkreises des IC-Bausteins durch die Nickelpartikel, die die Passivierungsschicht durchbohrten, auf. Es wurde keine bessere elektrisch leitende Verbindung erzielt, wobei der beobachtete Durchgangswiderstand instabil war und signifikant im Bereich 5 bis 1.000 mΩ schwankte.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Zu dem in Beispiel 1 verwendeten wärmehärtenden Gemisch der isolierenden Klebstoffkomponente wurden 5 Gewichtsteile Metallpartikel einer Gradientenlegierung (ein Erzeugnis der Asahi Chemical Industry Co., Ltd. mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 5 μm und einer K-Wert-Härte von 20.000 N/mm2) beigemischt und darin gleichmäßig fein verteilt, woraufhin das Gemisch zu einer Folie eines Verbindungsmaterials mit einer Dicke von 20 μm verarbeitet wurde. Diese Folie wurde zwischen ein IC-Baustein und eine Substratleiterplatte mit den selben technischen Daten wie jene, die in Beispiel 1 verwendet wurden, gebracht, woraufhin der resultierende Zusammenbau unter der selben Bedingung heißgepresst wurde wie in Beispiel 1. Es trat ein Unterbrechungsfehler aufgrund der Zerstörung des Schaltkreises des IC-Bausteins durch die Partikel der Gradientenlegierung, die die Passivierungsschicht durchbohrten, auf. Es wurde keine bessere elektrisch leitende Verbindung erzielt, wobei es möglich war, den Durchgangswiderstand im Bereich von 5 bis 1.000 mΩ zu erfassen, obwohl es unmöglich war, ihn für die meisten Anschlüsse zu bestimmen.
  • Den Ergebnissen der obigen Beispiele und der vergleichenden Beispiele kann entnommen werden, dass der IC-Baustein und die Substratleiterplatte mit besserer mechanischer Verbindung und besserer elektrisch leitender Verbindung durch Verwendung elektrisch leitender Partikel eines Partikelaufbaus, bei dem ein mit einer Metallschicht überzogener Harzkernpartikel mit einer durchschnittlichen Partikelgröße d von mindestens dem 1,5-fachen der Rücksprungtiefe h der Elektrode von der Außenseite der Passivierungsschicht auf dem IC-Baustein, wie in den erfinderischen Beispielen 1 bis 5, verbunden werden können, wohingegen keine bessere elektrisch leitende Verbindung durch Verwendung von Metallpartikeln, wie in den Vergleichsbeispielen 1 und 2, aufgrund der Zerstörung der Passivierungsschicht erzielt werden kann.
  • Beispiel 6
  • Eine Glassubstratleiterplatte, die mit einer Vielzahl an Elektroden aus Indium-Zinn-Oxid (ITO), die in einer Reihe angeordnet sind, ausgestattet ist und ein IC-Baustein mit einer Vielzahl an Elektroden, ausgebildet als Kontakthöcker und ebenfalls in einer Reihe angeordnet (50 μm × 150 μm an Größe; bei einem 80 μm Zwischenraum; 90 Kontakthöcker) wurden in Gegenüberstellung gehalten, so dass ihre entsprechenden Elektroden jeweils unter Einfügung des in Beispiel 1 hergestellten Verbindungsmaterials für anisotrop elektrisch leitende Verbindungen zwischen diesen gegenüberstanden. Durch Veränderung der relativen Position der gegenüberstehenden Elektroden in die Richtung der Elektrodenreihe wurde der Abstand zwischen der ITO-Elektrode der Leiterplatte und dem Kontakthöcker des IC-Bausteins, der diese benachbart und der der genannten ITO-Elektrode gegenüberliegt, variiert. Auf diese Weise wurde eine Serie verbundener Anordnungen, in der der obige Abstand variiert wird, durch Heißpressen unter derselben Bedingung wie in Beispiel 1 hergestellt. Eine elektrische Spannung von 20 V wurde zwischen den benachbarten Elektroden des Zusammenbaus angelegt, um das Auftreten eines Kurzschlusses zu ermitteln, um die Beziehung zwischen Häufigkeit eines Kurzschlusses und der Änderung des Abstands zwischen dem Kontakthöcker und der benachbarten ITO-Elektrode zu beurteilen. Wenn der ermittelte elektrische Widerstand unterhalb von 108Ω liegt, wurde angenommen, dass ein Kurzschluss auftrat. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • Tabelle 1
    Figure 00190001
  • Beispiel 7
  • Die Verfahren des Beispiels 6 wurden mit der Ausnahme wiederholt, dass die elektrisch leitenden Partikel, wie in Beispiel 1 verwendet, mit einem thermoplastischen Harz basierend auf Acrylharz überzogen waren. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt.
  • Tabelle 2
    Figure 00200001
  • Den Ergebnissen der Beispiele 6 und 7 kann entnommen werden, dass der Anteil der Häufigkeit eines Kurzschlusses unterhalb einer durchschnittlichen Partikelgröße der elektrisch leitenden Partikel des 0,5-fachen, insbesondere im Bereich des 0,2- bis 0,5-fachen, des Abstands zwischen dem Kontakthöcker und der ITO-Elektrode, die diesen benachbart und die dem genannten Kontakthöcker gegenüberliegt, kleiner wird.

Claims (1)

  1. Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindungsanordnung, bei der ein Halbleiterelement (3) mit einer Vielzahl von Elektroden (4), die in der Außenseite einer Passivierungsschicht, die auf dem Halbleiterelement ausgebildet ist, ausgespart sind, mit einer Substratleiterplatte, die eine Vielzahl von Elektroden (2) in einer korrespondierend gegenüberstehenden Beziehung zu den Elektroden des Halbleiterelements aufweist, verklebt und elektrisch leitend verbunden wird unter Verwendung eines elektrisch anisotrop leitenden Verbindungsmaterials (6), umfassend die folgenden Schritte: Anordnen eines Verbindungsmaterials, umfassend eine isolierende Klebstoffkomponente, die ein wärmehärtbares Harz enthält, und elektrisch leitende Partikel, zwischen dem Halbleiterelement und der Substratleiterplatte und Härten des Verbindungsmaterials während des Heißpressens des Halbleiterelements und der Substratleiterplatte aufeinander, wobei jedes der elektrisch leitenden Partikel ein Harzkern-Partikel mit einer Metallschicht beinhaltet, die zusätzlich mit einer Schicht eines elektrisch isolierenden Harzes beschichtet ist, wobei das isolierende Harz in der Klebstoffkomponente des Verbindungsmaterials unlöslich oder schwer löslich ist und während dem genannten Heißpressen geschmolzen oder zerstört wird, und wobei die durchschnittliche Partikelgröße der elektrisch leitenden Partikel wenigstens das 1,5-fache der Aussparungstiefe der Elektroden an der Außenseite der Passivierungsschicht des Halbleiterelements beträgt und im Bereich des 0,01 bis 0,5-fachen des Abstandes zwischen benachbarten Elektroden liegt, die Härte (K-Wert) der elektrisch leitenden Partikel im Bereich von 500 bis 10.000 N/mm2 und die Mohs-Härte der Metallbeschichtung der elektrisch leitenden Partikel im Bereich von 1 bis 6 liegt und wobei die Passivierungsschicht aus Polyimidharz, Polybenzocyclobuten oder Polytetrafluoroethylen hergestellt ist.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574215B1 (ko) * 1997-04-17 2006-04-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 미립자
JP3417354B2 (ja) * 1999-08-19 2003-06-16 ソニーケミカル株式会社 接着材料及び回路接続方法
JP3738655B2 (ja) * 2000-03-31 2006-01-25 ソニーケミカル株式会社 異方性導電接着材料及び接続方法
DE10059765A1 (de) * 2000-11-30 2002-06-06 Koninkl Philips Electronics Nv Baugruppe mit Verbindungsstruktur
CN100380741C (zh) * 2003-06-25 2008-04-09 日立化成工业株式会社 电路连接材料、电路构件的连接结构及其制造方法
US8932632B2 (en) * 2003-10-21 2015-01-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Adhesives and sealants nanotechnology
JP2005251654A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Jst Mfg Co Ltd 異方導電性シート及びその製造方法
DE102004029589A1 (de) * 2004-06-18 2005-12-29 Tesa Ag Elektrisch anisotrop leitfähiger Schmelzkleber zur Implantierung von elektrischen Modulen in einen Kartenkörper
TWI323901B (en) * 2004-11-26 2010-04-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Anisotropic conductive material
KR101134168B1 (ko) * 2005-08-24 2012-04-09 삼성전자주식회사 반도체 칩 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 표시 패널 및그 제조 방법
KR100920612B1 (ko) * 2007-11-08 2009-10-08 제일모직주식회사 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 이방 전도성필름
DE102009037627A1 (de) * 2009-08-14 2011-02-17 Giesecke & Devrient Gmbh Portabler Datenträger
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101952844B1 (ko) * 2011-09-14 2019-02-28 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
TWI467718B (zh) 2011-12-30 2015-01-01 Ind Tech Res Inst 凸塊結構以及電子封裝接點結構及其製造方法
JP6085031B2 (ja) * 2014-07-22 2017-02-22 積水化学工業株式会社 接続構造体の製造方法
FR3029530B1 (fr) * 2014-12-05 2018-11-09 Scapa Group Plc. Ruban adhesif conducteur d'electricite
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
JP6945276B2 (ja) * 2016-03-31 2021-10-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接続構造体
JP7046351B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7160302B2 (ja) * 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
TWI671921B (zh) 2018-09-14 2019-09-11 頎邦科技股份有限公司 晶片封裝構造及其晶片
KR102091938B1 (ko) * 2018-10-01 2020-03-20 전자부품연구원 반도체소자 실장재 및 제조방법
GB2584106B (en) * 2019-05-21 2024-03-27 Pragmatic Printing Ltd Flexible electronic structure
CN116190337B (zh) * 2023-04-23 2023-07-14 深圳平创半导体有限公司 电子器件及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2911927B2 (ja) 1989-11-29 1999-06-28 株式会社町田製作所 可撓管の製造方法
JP2835145B2 (ja) * 1990-05-28 1998-12-14 株式会社東芝 電子装置
DE69232886T2 (de) 1991-10-24 2005-03-10 Fujitsu Ltd., Kawasaki Leitender Klebstoff und Verfahren zur Erzeugung eines leitenden Füllstoffes vom Mikrokapseltyp für den leitenden Klebstoff
DE69618458T2 (de) * 1995-05-22 2002-11-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. Halbleiterteil mit einem zu einem verdrahtungsträger elektrisch verbundenem chip
TW459032B (en) * 1998-03-18 2001-10-11 Sumitomo Bakelite Co An anisotropic conductive adhesive and method for preparation thereof and an electronic apparatus using said adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
EP1093160B1 (de) 2005-03-23
KR100861757B1 (ko) 2008-10-06
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KR20010050963A (ko) 2001-06-25
TW525252B (en) 2003-03-21
US6451875B1 (en) 2002-09-17
EP1093160A2 (de) 2001-04-18
EP1093160A3 (de) 2001-12-05

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