DE4415211A1 - Verfahren zur Abscheidung von Palladiumschichten - Google Patents

Verfahren zur Abscheidung von Palladiumschichten

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Pal­ ladiumschichten auf Oberflächen aus Nickel, Kobalt und deren Legierungen untereinander und/oder mit Phosphor oder Bor so­ wie die Verwendung des Verfahrens.
Unedle Metalle können vor dem Angriff aggressiver Gase oder Flüssigkeiten durch widerstandsfähige Metallauflagen, deren Art im wesentlichen durch den Verwendungszweck bestimmt ist, geschützt werden. So wird Eisen/Stahl vor dem Anrosten durch dünne Kupferschichten geschützt, beispielsweise Schweißdraht. In der Elektronikindustrie verwendet man überwiegend Gold zum Schutz zu bondender oder zu lötender Flächen und von Kontakt­ flächen. Silber wird wegen der Migrationsneigung im allgemei­ nen nicht als Korrosionsschutz eingesetzt.
Auch Nickelschichten können als Korrosionsschutz, beispiels­ weise von Kupfer oder Kupferlegierungen, verwendet werden. Hierzu werden die Oberflächen zunächst oberflächlich akti­ viert. Anschließend wird die zu beschichtende Ware in eine saure Palladiumlösung getaucht, so daß feinste Palladiumpar­ tikel gebildet werden, an denen die Abscheidung des Nickels startet. Der Palladiumüberzug ist dabei nicht geschlossen und sehr fein verteilt. Die Oberflächen sehen grau aus. Der an­ schließende Nickelaufbau verschließt die Oberfläche vollstän­ dig. Allerdings sind die gebildeten Nickelschichten nicht oxidationsbeständig, daher nach Lagerung auch nicht löt- und bondbar und für den Einsatz als Korrosionsschutz in der Lei­ terplattentechnik nicht geeignet.
Für Anwendungszwecke, bei denen die Korrosionsschutzschicht auch als löt- und bondbare Endschicht verwendet werden soll, werden überwiegend Edelmetalle als Korrosionsschutzschicht eingesetzt. Palladium wird wegen dessen relativ niedriger Edelmetallkosten bevorzugt. Für die chemische Abscheidung von Palladiumschichten ist eine Vielzahl von verschiedenen Bädern bekannt (US-PS 4,424,241, US-PS 3,418,143, US-PS 3,754,939, DE-OS 42 01 129, GB-PS 1,164,776, DE-OS 30 00 526, US-PS 4,341,846, US-PS 4,255,194, DE-OS 28 41 584, EP-0 423 005 A1).
Innerhalb der US-Patentschrift 4,424,241 wird ein Verfahren zur chemischen Abscheidung von Palladium beschrieben, das bei einem kleineren pH-Wert als 2 arbeitet und in dem unter ande­ rem Methansäure als Reduktionsmittel verwendet wird. Als Kom­ plexbildner werden neben Carbonsäuren auch Amine angegeben, jedoch werden keine Angaben über die Art der verwendbaren Amine gemacht. Aus Vergleichsversuchen geht hervor, daß die aus diesen Bädern abgeschiedenen Palladiumschichten schwarz sind, nur ungenügend auf dem Substrat haften und sich die Bäder sehr schnell zersetzen. Es wird angegeben, daß die Ge­ fahr spontaner Selbstzersetzung des Bades besteht, wenn die Konzentration des Reduktionsmittels zu hoch eingestellt wird.
In US-PS 3,285,754 wird ein zementatives Bad zur Abscheidung von Palladium auf Kupfer und Kupferlegierungen und anderen Substraten beschrieben, das Nitrito-Palladium-Komplexe ent­ hält und im pH-Bereich zwischen 2 und 5 arbeitet. Der Palla­ diumkomplex enthält zudem komplexgebundene Säureanionen, bei­ spielsweise Sulfat, Acetat und Chlorid. Die mit den beschrie­ benen Bädern herstellbaren Schichten sind außerordentlich dünn und enthalten Poren.
Innerhalb der deutschen Offenlegungsschrift 42 01 129 wird ein Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte durch stromlose Palladiumplattierung auf den Kupferteilen der Plat­ te beschrieben. Als Palladiumbäder werden bekannte Palladi­ umbeschichtungslösungen verwendet, die als Reduktionsmittel beispielsweise unterphosphorige Säure, phosphorige Säure oder hydrierte Borverbindungen, nicht jedoch Methansäure enthal­ ten. Nachteilig ist hierbei, daß die Beschichtungslösungen mit durch die Oxidation der angegebenen Reduktionsmittel ent­ stehenden Reaktionsprodukten, beispielsweise Phosphit, Phosphat oder Borat, angereichert werden, so daß die Abschei­ dungsbedingungen schlechter werden, beispielsweise durch ge­ ringere Stabilität des Bades gegen Selbstzersetzung.
Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zu­ grunde, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und ein geeignetes kurzes Verfahren zur Abscheidung vorzüg­ lich haftender, glanzerhaltender, porenarmer Palladiumschich­ ten auf Oberflächen aus Nickel, Kobalt und deren Legierungen untereinander und/oder mit Phosphor oder Bor zu finden. Auf den palladinierten Oberflächen sollen sich weiterhin bei Tem­ peraturen bis 280°C und Verweilzeiten von einigen Stunden keine oxidierenden Verbindungen bilden, so daß diese nach einer Lagerung an Luft von mindestens 2-4 Wochen Dauer noch einwandfrei lötbar sind.
Gelöst wird das Problem durch die Patentansprüche 1 und 3. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind im Unteran­ spruch angegeben.
Es hat sich gezeigt, daß Palladiumschichten mit den beschrie­ benen Vorteilen aus einem formaldehydfreien chemischen Pal­ ladiumbad abgeschieden werden können. Die Beschichtung ge­ lingt bereits mit einem kurzen Beschichtungsverfahren. Ins­ besondere ist es nicht erforderlich, die Oberflächen aus Nickel, Kobalt sowie deren Legierungen vor der Palladiumab­ scheidung in dem formaldehydfreien chemischen Bad in einem zementativen Palladiumbad zu aktivieren.
Die Verwendung von Methansäure oder Methansäurederivaten als Reduktionsmittel im Verfahren ist vorteilhaft, da diese Ver­ bindungen im Gegensatz zu Formaldehyd nicht gesundheitsschäd­ lich sind und da bei deren Oxidation während der Palladiumab­ scheidung keine schädlichen Nebenprodukte, sondern lediglich Wasserstoff und Kohlendioxid entstehen. Kohlendioxid reichert sich bei Verwendung eines sauren formaldehydfreien chemischen Bades in der Lösung nicht an, und Wasserstoff entweicht spon­ tan aus dem Bad.
Bevorzugte Anwendungsbereiche für die chemische Palladiumab­ scheidung sind die Leiterplattentechnik, ferner die Herstel­ lung von elektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Hy­ bridschaltungen und Trägern für integrierte Schaltkreise, bei denen die Palladiumschichten im allgemeinen auf die mit den angegebenen Metallen beschichteten Kupferflächen aufgebracht werden, und die Herstellung von Mikroelektrodenarrays. Wei­ terhin können derartige Palladiumschichten auch als Korro­ sions- und Lötschutzschichten eingesetzt werden.
Bei Anwendung des Verfahrens in der Leiterplattentechnik wer­ den die aus Kupfer bestehenden Substratoberflächen vor der Palladiumabscheidung zunächst gereinigt. Hierzu dienen übli­ cherweise eine Ätzreinigung in oxidierenden, sauren Lösungen, wie beispielsweise einer schwefelsauren Wasserstoffperoxid- Lösung, und anschließend nochmals eine Reinigung in einer sauren Lösung, wie einer Schwefelsäure-Lösung. Danach werden die Oberflächen mit einer Palladiumionen enthaltenden Lösung, beispielsweise einer salzsauren Palladiumchlorid-Lösung, ak­ tiviert und anschließend mit handelsüblichen chemischen Nickelbädern vernickelt. Im allgemeinen werden in diesem Fall Nickel/Phosphor-Schichten abgeschieden, indem zur Abscheidung Lösungen verwendet werden, die Natriumhypophosphit oder hypo­ phosphorige Säure als Reduktionsmittel enthalten. Jedoch kön­ nen auch Nickel/Bor-Schichten oder reine Nickelschichten ab­ geschieden werden. Anstelle von Nickel können auch Kobalt oder dessen Legierungen mit Phosphor oder Bor oder Nickel/Kobalt-Legierungen oder deren Legierungen mit Phosphor oder Bor abgeschieden werden.
Danach können die Oberflächen entweder getrocknet und an­ schließend ohne weitere Behandlung, beispielsweise in einem zementativen Palladiumbad, mit dem formaldehydfreien chemi­ schen Palladiumbad behandelt werden, oder die Oberflächen werden lediglich gespült und anschließend ohne weitere Trocken- und andere Vorbehandlungsschritte mit Palladium be­ schichtet.
Technisch brauchbare Schichten, die die eingangs erwähnten Eigenschaften aufweisen, werden in nur 5 Minuten langer Tauchzeit in dem formaldehydfreien chemischen Bad abgeschie­ den. Die Dicke der abgeschiedenen Schicht beträgt in diesem Fall ca. 0,2 µm.
Das Bad enthält im wesentlichen ein Palladiumsalz, einen oder mehrere stickstoffhaltige Komplexbildner und Methansäure oder Methansäurederivate. Der pH-Wert der Lösung liegt oberhalb von 4, vorzugsweise im Bereich von 5 bis 6.
Als Palladiumsalze können beliebige Palladiumverbindungen einsetzt werden, beispielsweise Palladiumchlorid, Palladium­ sulfat, Palladiumnitrat oder Palladiumacetat. Als Reduktions­ mittel eignet sich nicht nur die Methansäure selbst. Auch deren Derivate, beispielsweise die niederen Ester dieser Säu­ re, die niederen substituierten und unsubstituierten Amide, die Salze der Methansäure und deren Derivate und Additions­ verbindungen können verwendet werden. Als Kationen der Me­ thansäuresalze (Formiate) sind beispielsweise die Elemente der ersten, zweiten und dritten Hauptgruppe, insbesondere Lithium, Natrium, Kalium, Magnesium, Calcium und Aluminium einsetzbar. Darüber hinaus sind solche Formiate einsetzbar, bei denen als Kation Ammonium oder quaternäre Ammoniumverbin­ dungen enthalten sind.
Als Reduktionsmittel eignen sich insbesondere die Methansäure selbst und deren Salze, wie beispielsweise Natriumformiat, sowie als Methansäurederivate Formamid, N,N-Dimethylformamid und Methansäureethylester.
Als stickstoffhaltige Komplexbildner werden beispielsweise Ethylendiamin, 1,3-Diaminopropan, 1,2-Bis(3-aminopropylami­ no)-ethan, 2-Diethylaminoethylamin und Diethylentriamin ver­ wendet.
Weiterhin lassen sich Diethylentriaminpentaessigsäure, Nitro­ essigsäure, N-(2-Hydroxyethyl)-ethylendiamin, Ethylendiamin- N,N-diessigsäure, 2-(Dimethylamino)-ethylamin, 1,2-Diamino­ propylamin, 1,3-Diaminopropylamin, 3-(Methylamino)-propyl­ amin, 3-(Dimethylamino)-propylamin, 3-(Diethylamino)-propyl­ amin, Bis(3-aminopropyl)-amin, 1,2-Bis(3-aminopropyl)-alkyl­ amin, Diethylentriamin, Triethylentetramin, Tetraethylenpen­ tamin, Pentaethylenhexamin und beliebige Gemische dieser stickstoffhaltigen Komplexbildner verwenden.
Der Gehalt der Komplexbildner im Bad hängt vom Palladiumge­ halt ab. Typischerweise werden Molverhältnisse des Komplex­ bildners zu Palladium von 5 bis 50 zu 1 verwendet.
Der pH-Wert der Beschichtungslösung liegt oberhalb von 4. Bei pH-Werten unter 4 wird die Lösung instabil und neigt unter Wasserstoff-Entwicklung zur Selbstzersetzung. Während auf den Metalloberflächen bei geringer Unterschreitung des pH-Wertes von 4 vor allem schlechthaftende und dunkle Palladiumschich­ ten erhalten werden, fällt bei pH-Werten unterhalb von etwa 2 Palladium aus der Lösung sogar aus. In diesem Falle werden schwarze und ungenügend auf der Unterlage haftende Nieder­ schläge erhalten.
Der bevorzugte pH-Wert der Beschichtungslösung liegt im Be­ reich von 4 bis 7. Bei pH-Werten oberhalb von 7 steigt die Neigung des Bades, daß sich Palladium zementativ, d. h. nicht hellglänzend und auf der Unterlage festhaftend, auf den Me­ talloberflächen ablagert. Ferner greifen alkalische Beschich­ tungslösungen die auf den Leiterplatten aufgebrachten organi­ schen Resistfilme, beispielsweise Lötstopmasken, an.
Bei Bädern mit hoher Abscheidungsrate, die mit einer Palladi­ umkonzentration von über 2 g/Liter und höherer Badtemperatur, beispielsweise über 50°C, oder einer Badbeladung (Warenflä­ che pro Badvolumen) oberhalb von 2 dm²/Liter erreicht wird, ist es zweckmäßig, Stabilisatoren in einer Konzentration von 0,1-100 Milligramm/Liter zuzugeben. Solche Stabilisatoren sind Verbindungen der Elemente Schwefel, Selen, Tellur, Kup­ fer, Nickel, Eisen und Chrom, beispielsweise Mercaptobenz­ thiazol, Kaliumselenocyanat, Thioharnstoff und Kaliumferro­ cyanat.
Es konnte ferner festgestellt werden, daß die Stabilität der Bäder mittels Durchleiten von inerten Gasen, beispielsweise Luft oder Stickstoff, erhöht werden konnte.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich hochreine, duktile Palladiumüberzüge mit einer Geschwindigkeit bis zu 5 µm/Stunde abscheiden. Während der Palladium-Abscheidung wächst die Schichtdicke linear mit der Zeit. Daher lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Bad auch dicke Palladium­ schichten abscheiden.
Die Abscheidung wird vorzugsweise in herkömmlichen Tauchanla­ gen durchgeführt, bei denen die zu behandelnden Substrate in im wesentlichen in senkrechter Richtung in die in Behältern befindlichen Badlösungen eingetaucht werden. Es ist jedoch auch denkbar, daß die Substrate in horizontaler Richtung durch eine Behandlungsanlage hindurchbewegt werden und dabei zumindest teilweise mit den Badlösungen in Kontakt kommen, wie beispielsweise in einer Metallisierungsanlage zur selek­ tiven Metallisierung von Kontaktflächen auf Leiterplatten.
Die nachfolgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfin­ dung.
Beispiel 1
Ein Kupferblech wurde in üblicher Weise mit einer chemischen Nickel/Phosphor-Schicht überzogen und danach getrocknet. Das trockene Blech wurde in einem Bad mit der folgenden Zusammen­ setzung mit Palladium beschichtet:
Palladiumacetat
0,05 Mol/Liter
Ethylendiamin 0,1 Mol/Liter
Natriumformiat 0,2 Mol/Liter
Bernsteinsäure 0,15 Mol/Liter
pH-Einstellung mit Methansäure auf 5,5 @ Temperatur: 67°C.
Nach einer halben Stunde wies die Palladiumschicht eine Dicke von 1,7 µm auf. Die Porenfreiheit des Überzuges wurde mit dem zur Bestimmung der Korrosionsbeständigkeit von Überzügen üb­ licherweise verwendeten Salzsprühtest bewiesen.
Beispiel 2
Ein Kupferblech wurde in üblicher Weise mit einer galvani­ schen Mattnickelschicht überzogen und danach getrocknet. Das trockene Blech wurde in einem Bad mit der folgenden Zusammen­ setzung mit Palladium überzogen:
Palladiumsulfat
0,01 Mol/Liter
Ethylendiamin 0,2 Mol/Liter
Natriumformiat 0,3 Mol/Liter
Kaliumdihydrogenphosphat 0,2 Mol/Liter
pH-Einstellung mit Methansäure auf 5,8 @ Temperatur: 63°C.
Nach einer Expositionszeit von einer Stunde betrug die Palla­ diumschichtdicke 3,8 µm. Poren konnten mit dem Salzsprühtest nicht nachgewiesen werden.
Beispiel 3
Ein Kupferblech wurde in üblicher Weise mit einer galvani­ schen Glanznickelschicht überzogen und danach getrocknet. Das trockene Blech wurde in einem Bad mit der folgenden Zusammen­ setzung mit Palladium überzogen:
Palladiumacetat
0,05 Mol/Liter
1,2-Bis(3-aminopropylamino)-ethan 0,1 Mol/Liter
Natriumformiat 0,3 Mol/Liter
Bernsteinsäure 0,1 Mol/Liter
pH-Einstellung mit Methansäure auf 5,9 @ Temperatur: 59°C.
Es wurde eine 1 µm dicke glänzende Schicht erhalten; Poren waren nicht mehr nachweisbar.
Beispiel 4
Eine verkupferte Leiterplatte wurde in üblicher Weise mit einer chemischen Nickel/Bor-Schicht überzogen und danach ge­ trocknet. Die noch nasse Leiterplatte wurde in einem Bad mit der folgenden Zusammensetzung mit Palladium überzogen:
Palladiumdichlorid
0,5 Mol/Liter
2-Diethylaminoethylamin 0,6 Mol/Liter
Methansäureethylester 0,3 Mol/Liter
Kaliumdihydrogenphosphat 0,2 Mol/Liter
pH-Einstellung mit Methansäure auf 6,0 @ Temperatur: 70°C.
Die Palladiumabscheidung wurde nach 10 Minuten abgebrochen, die Platte gespült und getrocknet. Ein Löttest mit dieser Platte zeigte ein hervorragendes Ergebnis.
Beispiel 5
Beispiel 1 wurde wiederholt. Auf dem Kupferblech wurde zu­ nächst anstelle einer chemischen Nickel/Phosphor-Schicht eine chemische Kobalt/Phosphor-Schicht abgeschieden. Diese wurde anschließend mit der Palladiumschicht überzogen.
Es wurde ein hellglänzender, porenfreier Palladiumüberzug er­ halten.
Beispiel 6
Ein nach Beispiel 1 hergestelltes Substrat wurde in einem Bad der folgenden Zusammensetzung beschichtet:
Palladiumdichlorid
0,01 Mol/Liter
1,3-Diaminopropan 0,025 Mol/Liter
Formamid 0,05 Mol/Liter
Natriumcitrat 0,1 Mol/Liter
pH-Einstellung mit verdünnter Salzsäure auf 7,0 @ Temperatur: 80°C.
Es wurde ebenfalls ein hellglänzender, porenfreier Palladium­ überzug erhalten.
Vergleichsversuch
Der Versuch nach Beispiel 1 wurde wiederholt. Jedoch wurde der pH-Wert der Palladiumlösung auf 1,0 eingestellt.
Das Bad war nicht stabil, sondern zersetzte sich unter Was­ serstoff-Entwicklung und Palladium-Ausfällung. Auf dem Blech schlug sich ein schwarzer, matter Überzug nieder.

Claims (3)

1. Verfahren zur Abscheidung von Palladiumschichten auf Ober­ flächen aus Nickel, Kobalt und deren Legierungen untereinan­ der und/oder mit Phosphor oder Bor aus einem formaldehyd­ freien chemischen Bad, enthaltend ein Palladiumsalz, einen oder mehrere stickstoffhaltige Komplexbildner und Methansäure oder Methansäurederivate bei einem pH-Wert oberhalb von 4.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pH-Wert des formaldehydfreien, chemischen Bades im Bereich von 5 bis 6 liegt.
3. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 zur Herstellung von Leiterplatten, elektronischen Bauelementen, Korrosions­ schutzschichten, Lötschutzschichten und/oder Mikroelektroden­ arrays.
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ES94915040T ES2102224T3 (es) 1993-05-13 1994-05-13 Procedimiento para la deposicion de capas de paladio.
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DE59402540T DE59402540D1 (de) 1993-05-13 1994-05-13 Verfahren zur abscheidung von palladiumschichten
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EP94915040A EP0698130B1 (de) 1993-05-13 1994-05-13 Verfahren zur abscheidung von palladiumschichten
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19631565A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Palladiumkontaktbumps auf Halbleiterschaltungsträgern
FR2799337A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-06 St Microelectronics Sa Procede de realisation de connexions electriques sur la surface d'un boitier semi-conducteur a gouttes de connexion electrique
DE102004033979A1 (de) * 2004-07-14 2006-02-09 Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG Verfahren zur Verbesserung der Lötfähigkeit von Nickelüberzügen
DE102004046258A1 (de) * 2004-09-23 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Bad und Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Palladium
EP2177646A1 (de) * 2008-10-17 2010-04-21 Atotech Deutschland Gmbh Spannungsreduzierte Ni-P/Pd-Stapel für Waferoberfläche
DE102011082537A1 (de) * 2011-09-12 2013-03-14 Robert Bosch Gmbh Leiterplatte und elektrische Bauteile zum Einsatz in aggressiver Umgebung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Leiterplatte

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9425031D0 (en) 1994-12-09 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Printed circuit board manufacture
GB9425030D0 (en) 1994-12-09 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Silver plating
US6544397B2 (en) 1996-03-22 2003-04-08 Ronald Redline Method for enhancing the solderability of a surface
US6905587B2 (en) 1996-03-22 2005-06-14 Ronald Redline Method for enhancing the solderability of a surface
USRE45842E1 (en) 1999-02-17 2016-01-12 Ronald Redline Method for enhancing the solderability of a surface
US8349393B2 (en) 2004-07-29 2013-01-08 Enthone Inc. Silver plating in electronics manufacture
JP5526440B2 (ja) * 2007-01-17 2014-06-18 奥野製薬工業株式会社 パラジウム皮膜用還元析出型無電解金めっき液を用いて形成されたプリント配線板
WO2008105104A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Kojima Chemicals Co., Ltd. 無電解純パラジウムめっき液
JP4117016B1 (ja) 2007-08-15 2008-07-09 小島化学薬品株式会社 無電解パラジウムめっき液
DE102010011269B4 (de) 2009-11-10 2014-02-13 Ami Doduco Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer für das Drahtbonden geeigneten Palladiumschicht auf Leiterbahnen einer Schaltungsträgerplatte und Verwendung eines Palladiumbades in dem Verfahren
EP2535929A1 (de) * 2011-06-14 2012-12-19 Atotech Deutschland GmbH Mit Draht verbindbare Oberfläche für mikroelektronische Vorrichtungen
EP2581470B1 (de) * 2011-10-12 2016-09-28 ATOTECH Deutschland GmbH Stromlose palladiumplattierungsbadzusammensetzung
CN103290399B (zh) * 2013-06-19 2015-09-30 广东东硕科技有限公司 一种使用复合稳定剂的化学镀钯液
WO2015155173A1 (en) * 2014-04-10 2015-10-15 Atotech Deutschland Gmbh Plating bath composition and method for electroless plating of palladium
MY181612A (en) * 2014-12-17 2020-12-29 Atotech Deutschland Gmbh Plating bath composition and method for electroless plating of palladium
MY181601A (en) * 2014-12-17 2020-12-29 Atotech Deutschland Gmbh Plating bath composition and method for electroless plating of palladium
SG11202103872PA (en) 2018-11-06 2021-05-28 Atotech Deutschland Gmbh Electroless nickel plating solution
JP7407644B2 (ja) * 2020-04-03 2024-01-04 上村工業株式会社 パラジウムめっき液及びめっき方法
EP3960898A1 (de) 2020-08-31 2022-03-02 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Zusammensetzung zur abscheidung einer palladiumbeschichtung auf einem substrat
EP4215642A1 (de) 2022-01-25 2023-07-26 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum aufbringen einer palladiumbeschichtung auf ein mit aktiviertem kupfer beschichtetes substrat

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3790128C2 (de) * 1986-03-04 1995-07-27 Ishihara Chemical Co Ltd Wässrige Lösung zur stromlosen Beschichtung auf Palladium-Basis
US5203911A (en) * 1991-06-24 1993-04-20 Shipley Company Inc. Controlled electroless plating

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19631565A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Palladiumkontaktbumps auf Halbleiterschaltungsträgern
FR2799337A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-06 St Microelectronics Sa Procede de realisation de connexions electriques sur la surface d'un boitier semi-conducteur a gouttes de connexion electrique
EP1091627A1 (de) * 1999-10-05 2001-04-11 STMicroelectronics SA Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen auf der Oberfläche einer Halbleiterpackung mit elektrischen Verbindungshöckern
US6399475B1 (en) 1999-10-05 2002-06-04 Stmicroelectronics S.A. Process for producing electrical connections on the surface of a semiconductor package with electrical-connection drops
DE102004033979A1 (de) * 2004-07-14 2006-02-09 Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG Verfahren zur Verbesserung der Lötfähigkeit von Nickelüberzügen
DE102004033979B4 (de) * 2004-07-14 2008-04-24 Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG Verfahren zur Verbesserung der Lötbarkeit von Nickelüberzügen
DE102004046258A1 (de) * 2004-09-23 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Bad und Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Palladium
EP2177646A1 (de) * 2008-10-17 2010-04-21 Atotech Deutschland Gmbh Spannungsreduzierte Ni-P/Pd-Stapel für Waferoberfläche
US20110200842A1 (en) * 2008-10-17 2011-08-18 Atotech Deutschland Gmbh Stress-reduced ni-p/pd stacks for bondable wafer surfaces
US8986789B2 (en) * 2008-10-17 2015-03-24 Atotech Deutschland Gmbh Stress-reduced Ni-P/Pd stacks for bondable wafer surfaces
DE102011082537A1 (de) * 2011-09-12 2013-03-14 Robert Bosch Gmbh Leiterplatte und elektrische Bauteile zum Einsatz in aggressiver Umgebung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Leiterplatte

Also Published As

Publication number Publication date
DE59402540D1 (de) 1997-05-28
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ATE152188T1 (de) 1997-05-15
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JP2918339B2 (ja) 1999-07-12

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