DE4301146A1 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Licht durchlassendes
Vakuumtrennfenster, um einen Vakuumbereich in eine Mehrzahl
von Vakuumbereichen durch einen Film, eine Folie oder eine
Dünnschicht, der bzw. die das Licht eines Wellenlängenbe
reichs, wie eines Röntgenstrahlen- und eines Infrarotstrah
lenbereichs, durchläßt, zu trennen, und auch auf ein weiche
Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster.
Mit einem Fortschritt in der Hochintegrationstechnik von
elektronischen Vorrichtungen und Halbleitern besteht in den
letzten Jahren eine Forderung, Substanzeigenschaften und
physikalische Erscheinungen in Mikrobereichen durch Ausfüh
ren einer hyperfeinen Bearbeitung zu erforschen oder gründ
lich zu untersuchen. Zur Erforschung der Substanzeigenschaf
ten und physikalischen Erscheinungen in den Mikrobereichen
durch die hyperfeine Bearbeitung kommen Synchrotron-Strah
lenbündel und Laserstrahlen freier Elektronen zur prakti
schen Anwendung. Die Synchrotron-Strahlenbündel und die
Freielektronen-Laserstrahlen werden als elektromagnetische
Wellen definiert, die in einer Richtung einer Tangente einer
Flugbahn emittiert werden, wenn die Bewegungsrichtung der
Elektronen oder positiven Elektronen, die mit einer der
Lichtgeschwindigkeit angenäherten Geschwindigkeit wandern,
durch ein von einem Ablenkmagneten erzeugtes Magnetfeld ab
gelenkt werden. Es ist möglich, die elektromagnetischen Wel
len eines Röntgenstrahlenbereichs einschließlich einer wei
chen Röntgenstrahlung von einem Infrarotstrahlenbereich mit
einer hohen Intensität herauszuführen. Ferner ist es cha
rakteristisch, daß das Licht (die elektromagnetischen Wel
len), das bzw. die herausgeführt werden, abgelenkt werden.
Die Lichtintensität ist viel höher als diejenige irgendei
ner anderen Lichtquelle. Unter diesen Umständen ist man
dahingehend bemüht, daß die Synchrotron-Strahlenbündel und
die Freielektronen-Laserstrahlen, obgleich das im Stand der
Technik unmöglich ist, auf die hyperfeine Bearbeitungstech
nik und die Meßtechnik mit ultrahoher Empfindlichkeit ange
wendet werden. Darüber hinaus kann eine superpräzise Mes
sung, die bisher unmöglich war, unter Verwendung einer Pola
risation von Licht durchgeführt werden. Die Bemühungen, die
Synchrotron-Strahlenbündel und die Freielektronen-Laserstrah
len auf diese Gebiete anzuwenden, sind deshalb im Gange.
Normalerweise werden die Synchrotron-Strahlenbündel und die
Freielektronen-Laserstrahlen von einem Auslaßfenster aus
in die Atmosphäre eingeführt. Die Synchrotron-Strahlenbün
del und die Freielektronen-Laserstrahlen werden für die hy
perfeine Bearbeitungstechnik, die Meßtechnik mit ultrahoher
Empfindlichkeit und die superpräzise Messung zur Anwendung
gebracht. Bei der oben erwähnten hyperfeinen Bearbeitungs
technik, der Meßtechnik mit ultrahoher Empfindlichkeit und
der superpräzisen Messung, wobei die Synchrotron-Strahlen
bündel und die Freielektronen-Laserstrahlen angewendet wer
den, neigen die Punkte am Austritt zu einer Abschwächung der
Lichtintensität und einer Verzerrung von polarisiertem Licht
in einem Fenster, um die Synchrotron-Strahlenbündel und die
Freielektronen-Laserstrahlen herauszuführen. Insbesondere
wird die Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlenbereichs
mühelos durch ein Material dieses Fensters, wenn sie durch
dieses tritt, absorbiert. Insofern erhebt sich hier ein Pro
blem, daß die Lichtintensität deutlich sichtbar abgeschwächt
oder gedämpft wird. Wenn die superpräzise Messung bezüglich
von Substanzeigenschaften od. dgl. durchgeführt wird, lie
gen ferner die Probleme der Dämpfung der Lichtintensität
und der Verzerrung von polarisiertem Licht in den Licht
durchlassenden Fenstern einer Lichtquelle und eines Detektors
vor. Die Synchrotron-Strahlenbündel und die Freielektronen-
Laserstrahlen haben hohe Intensitäten. Das führt zu einem
Problem, daß nämlich die Neigung zur Beschädigung des Fen
sters zum Herausführen des Lichts durch die Strahlenbündel,
insbesondere durch die Wärme, besteht. Andererseits beschleu
nigt ein als eine Lichtquelle der Synchrotron-Strahlenbündel
und der Freielektronen-Laserstrahlen dienender Beschleuniger
die Elektronen und positiven Elektronen bis auf eine Geschwin
digkeit, die nahe an der Lichtgeschwindigkeit liegt. Es ist
deshalb erforderlich, daß die Flugbahn der Elektronen oder
der positiven Elektronen in einem ultrahohen Vakuum in der
Größenordnung von 1,33 · 10-7 Pa (10-9 Torr) oder darüber
liegt, um zu verhindern, daß die Elektronen und positiven
Elektronen mit Gaspartikeln kollidieren und hieraus resul
tierend verschwinden oder auf halbem Wege sich zerstreuen.
In einer Strahlstrecke zum Herausführen der weichen Röntgen
strahlen in einer Synchrotron-Strahlenbündelanlage wird insbe
sondere die Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlenbe
reichs leicht durch ein Gas in dem Vakuum absorbiert. Da
die Lichtintensität in hohem Maß gedämpft wird, ist es er
forderlich, daß ein weiche Röntgenstrahlen durchlassender
Bereich in einem ultrahohen Vakuum der Größenordnung von
1,33 · 10-5 Pa (10-7 Torr) oder darüber liegt. Dann wird
die weiche Röntgenstrahlung aus diesem ultrahohen Vakuumbe
reich durch Anwendung des weiche Röntgenstrahlen durchlas
senden Fensters mit einer Lithographie-Übertragungsvorrich
tung, die als eine Lichtquelle dient, herausgeführt. In die
ser Übertragungsvorrichtung wird eine Helium-Atmosphäre in
der Größenordnung von 1013,3 mb vorgesehen. Ein Temperatur
anstieg einer Maske, der aus einer Einstrahlung der Strahlen
bündel entsteht, wird verhindert, um keine Verzerrung der
Maske hervorzurufen. Auch ist man in der Helium-Atmosphäre
der Größenordnung von 1013,3 mb bemüht, den Druck des He
liums in der Vorrichtung wegen einer großen Dämpfung der
weichen Röntgenstrahlung zu reduzieren.
Ferner haben die elektromagnetischen Wellen der Synchrotron-
Strahlenbündel kontinuierliche Spektren sowie eine hohe In
tensität, weshalb sie auf eine physikochemische Analyse, wie
eine Struktur- und eine Zustandsanalyse, angewendet werden.
Eine Untersuchung, um Informationen zu erlangen, die bisher
nicht erhalten werden konnten, wird weitergeführt. In einem
Detektor für weiche Röntgenstrahlung, der für solche Analy
sen zur Anwendung kommt, ist ein weiche Röntgenstrahlen durch
lassendes Fenster, um einen ultrahohen Vakuumbereich von
einem Druckreduktionsbereich zu trennen, in einem Erfassungs
teil des Detektors, der ein Druckreduziergas, beispiels
weise einem Gasdurchflußdetektor, besitzt, notwendig.
Unter besonderer Berücksichtigung der Tatsache, daß das Syn
chrotron-Strahlenbündel eine hohe Intensität aufweist, ste
hen andere Studien dicht vor der Umsetzung in die Praxis,
wobei eine Filmbeschichtung und ein Substratätzen unter An
wendung einer photochemischen Reaktion zwischen den elektro
magnetischen Wellen des weichen Röntgenstrahlenbereichs und
einer Gassubstanz ausgeführt werden. Bei dieser Art einer
photochemischen Reaktionsvorrichtung werden das Beschichten
und Ätzen in den meisten Fällen unter Druckentlastung oder
-absenkung bewirkt. Das weiche Röntgenstrahlung durchlassen
de Fenster, das den ultrahohen Vakuumbereich vom Druckreduk
tionsgasbereich trennt, ist notwendig, wenn die weiche Rönt
genstrahlung in die Vorrichtung mittels der Strahlstrecke
eingeführt wird.
Wie beschrieben wurde, ist das die weiche Röntgenstrahlung
durchlassende Fenster erforderlich, um den ultrahohen Vaku
umbereich von dem Vakuumbereich, z. B. dem Druckreduktions
bereich, mit einer hoch leistungsfähigen Durchlässigkeit
der Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlenbereichs
ohne eine Dämpfung zu trennen, wobei eine Wärmebehandlung
oder thermische Trocknung durchführbar ist, die, um ein
weiteres ultrahohes Vakuum zu erlangen, notwendig ist.
(Im folgenden werden der Kürze halber Abkürzungen verwendet,
und zwar UHV für Ultrahochvakuum, HV für Hochvakuum, IR für
Infrarot und UV für Ultraviolett.)
Wie in einer Zeitschrift ("Applied Physics" Vol. 5, 1986,
S. 494) beschrieben ist, wird eine herkömmliche Fertigungs
vorrichtung folgendermaßen konstruiert. Eine als ein weiche
Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster (im folgenden als
Weichstrahlen-Durchlaßfenster bezeichnet) dienende und ein
Bauelement bildende Berylliumfolie wird mit einer Öffnung
eines UHV-Flansches durch Verfahren, wie einem Löten und
einer Elektronenstrahlschweißung, verbunden. Auf diese
Weise wird eine Luftdichtheit gewährleistet. Alternativ
wird nach einem Verbinden mit einem Fensterrahmen aus Kup
fer usw. durch dasselbe Verfahren, diese fest mit dem UHV-
Flansch verschweißt, um die Luftdichtheit aufrechtzuerhalten.
Das Metall Beryllium hat einen hohen Schmelzpunkt, es zeigt
jedoch schlechte Eigenschaften bezüglich der Duktilität oder
Dehnbarkeit und der Druck-Verformbarkeit. Insofern kann bei
dem Verfahren eines direkten Verschweißens der Berylliumfo
lie mit dem allgemein verwendeten rostfreien Stahl als
einem UHV-Material leicht in der Folie ein Schaden, wie
ein Riß, auftreten. Wie in der JP-Patent-OS Nr. 63-64 253
offenbart ist, wird ein mit einer Sauerstoffreien Kupfer
platte durch das Diffusionsübergangsverfahren verbundenes
Teil als eine Dichtung verwendet. Darüber hinaus wird, wie
in der JP-Patent-OS Nr. 63-2 73 100 beschrieben ist, das fol
gende Verfahren vorgeschlagen. Eine Berylliumfolie mit einer
Dicke von 200 µm wird luftdicht mit dem rostfreien Strahl
verlötet. Anschließend wird ein Reißen in der Berylliumfolie,
wenn sie verschweißt wird, durch Vermindern des weiche Rönt
genstrahlen übertragenden Bereichs durch einen physikochemi
schen Bearbeitungsprozeß verhindert.
Ferner wird durch die JP-Patent-OS Nr. 1-2 76 550 das folgende
Verfahren als ein solches zur Vermeidung der während eines
Schweißvorgangs erzeugten Spannung vorgeschlagen. Ein ela
stisches Metallbauteil, das in einer zu einer Öffnungsfläche
parallelen Richtung verformbar ist, wird an die Beryl
liumfolie und den rostfreien Stahl gelötet, wodurch die
Spannung vermieden wird. Die Haltbarkeit der Berylliumfolie
wird dadurch verbessert. Das Diffusionsübergangsverfahren,
das Elektronenstrahlschweißen und das Löten, die gemäß dem
Obigen zur Anwendung kommen, werfen jedoch solche Probleme
auf, daß das Beryllium mit einer ausreichenden Rekristalli
sierung beginnt, um die Stärke wegen eines Erhitzens des Be
rylliums auf 700°C oder darüber zu vermindern. Eine Güte
minderung und ein Reißen können beide leicht auftreten.
Des weiteren wurde ein Verfahren vorgeschlagen, um die
Luftdichtheit ohne ein Erhitzen der Berylliumfolie auf
rechtzuerhalten. Wie in der JP-Patent-OS Nr. 1-9 400 be
schrieben ist, wird die Luftdichtheit durch Verwendung
eines O-Ringes aus Fluorkautschuk als ein elastisches Va
kuumabdichtmittel gewährleistet. Bei diesem Verfahren ist
es jedoch notwendig, eine ausreichend große Kraft am elasti
schen Bauteil sowie der Berylliumfolie aufzubringen, um die
Luftdichtheit aufrechtzuerhalten. Es ist insofern schwierig,
eine Dicke der Berylliumfolie zu vermindern.
Wie in der JP-Patent-OS Nr. 2-2 72 399 und der JP-Patent-OS
Nr. 2-2 72 400 offenbart ist, werden Verfahren zur Aufrechter
haltung der Luftdichtheit unter Verwendung von Metallen
vorgeschlagen, die anstelle des O-Ringes zum Einsatz kom
men und eine vorbestimmte Konsistenz sowie Dampfdruckcha
rakteristik zeigen. Wegen der Steigerung der Luftdichtheit
durch Aufbringen der Kraft an der Berylliumfolie ist es
ebenfalls schwierig, die Dicke dieser Folie zu vermindern.
Es wurde auch noch das folgende Verfahren, das in der JP-
Patent-OS-Nr. 3-1 28 499 beschrieben ist, vorgeschlagen, wo
nach ein Berylliumfilm oder eine Berylliumschicht im Va
kuum auf sauerstoffreien Kupfer ohne die Verwendung der
Berylliumfolie niedergeschlagen wird. Anschließend wird
das sauerstoffreie Kupfer des Fensterbauteils unter Ver
wendung von konzentrierter Salpetersäure geätzt. Die Be
rylliumschicht von 20 µm wird auf diese Weise erhalten.
Die Luftdichtheit des derart gebildeten Weichstrahlen-
Durchlaßfenster-Bauteils wird durch Verwendung des O-Rin
ges aus Fluorkautschuk aufrechterhalten.
Wie vorstehend beschrieben wurde, sind eine große Vielzahl
von Röntgenstrahlen durchlassenden Fenstern vorgeschlagen
worden, wobei ein ultrahohes Vakuum durch Trennen des At
mosphärendruckbereichs vom UHV-Bereich aufrechterhalten
wird. Es ist jedoch hinsichtlich der Zuverlässigkeit schwierig,
die Dicke der Berylliumfolie oder der Berylliumschicht auf
20 µm oder darunter abzusenken, um den Atmosphärendruckbe
reich vom UHV-Bereich zu trennen. Hieraus rührt somit ein
Problem oder eine Schwierigkeit wegen einer großen Absorp
tion der weichen Röntgenstrahlen im Durchlaßfenster, die
weiche Röntgenstrahlung leistungsfähig zu übertragen.
Es ist zu bemerken, daß gegenwärtig gewisse Bemühungen unter
nommen werden, um die Dämpfung der Röntgenstrahlung oder
des weichen Röntgenstrahlungsbereichs unter Verendung einer
aus Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Bornitrid, Diamant usw.
bestehenden Dünnschicht zu verhindern. Ein Film oder eine
Schicht, die so dünn wie einige um bis 0,1 µm ist, kann ge
bildet werden. Beispielsweise zeigt im Fall einer Röntgen
strahlung mit einer Energie von 1 keV herkömmlich verwende
tes Beryllium mit einer Dicke von 20 µm einen Durchlaßgrad
von 11%. Im Gegensatz hierzu zeigt eine Bornitrid-Dünn
schicht mit einer Dicke von 1 um einen Durchlaßgrad von
65%. Eine Siliziumnitrid-Dünnschicht mit einer Dicke von
1 µm besitzt einen Durchlaßgrad von 51%. Ferner zeigt
im Fall einer Röntgenstrahlung mit einer Energie von
500 eV Beryllium mit einer Dicke von 20 µm einen Durchlaß
grad von 6 · 10-7%. Gegensätzlich hierzu hat eine Borni
trid-Dünnschicht mit 1 µm einen Durchlaßgrad von 7,8%.
Die Siliziumnitrid-Dünnschicht mit 1 µm weist einen Durch
laßgrad von 2,1% auf. Eine hoch leistungsfähige Durchläs
sigkeit der weichen Röntgenstrahlung wird erhalten. Es ist
somit möglich, die aus Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Bor
nitrid, Diamant usw. bestehenden Dünnschichten als ein wei
che Röntgenstrahlen durchlassendes Dünnschichtelement oder
-bauteil zu verwenden.
Die beigefügte Fig. 24 zeigt in einem lotrechten Schnitt den
Aufbau des oben erwähnten herkömmlichen, weiche Röntgenstrah
len durchlassenden Dünnschichtelements. Bei diesem wird eine
weiche Röntgenstrahlen durchlassende Dünnschicht 32 an
einer Trägersubstanz 31 gehalten. Für die Größen dieser
Bauteile gilt beispielsweise, daß die Trägersubstanz 31
einen Durchmesser von 40 mm hat, daß ein durchlassendes oder
übertragendes Teil einen Durchmesser von 20 mm besitzt und
daß die weiche Röntgenstrahlen durchlassende Dünnschicht
eine Dicke von 1 µm aufweist. Mit Blick auf eine einfache
Herstellung besteht im allgemeinen die Trägersubstanz 31
aus Silizium, während die weiche Röntgenstrahlen durchlas
sende Dünnschicht (die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht)
32 aus einer Siliziumnitrid-Dünnschicht gebildet ist. Das
auf diese Weise konstruierte Weichstrahlen-Durchlaßdünn
schicht-Bauelement wird mit einer UHV-Konstruktion aus
rostfreiem Stahl oder einer Aluminiumlegierung verbunden.
Das Löten oder das Elektronenstrahlschweißen für diesen
Zweck schließen eine Schwierigkeit ein. Deshalb sind Be
mühungen zur Verwendung eines Epoxidharzes im Gange.
Ferner ist in Verbindung mit einem Infrarotstrahlen-Durch
laßfenster, wie beispielsweise auf S. 372 von "Applied
Spectroscopy Hand Book", veröffentlicht 1984 durch Asakura
Shoten, gezeigt ist, ein IR-Detektor oder Strahlungsempfän
ger als Beispiel angeführt. Das IR-Durchlaßfenster hat eine
Dicke von einigen mm, um das Vakuum auf der Seite des IR-
Detektors von der Atmosphäre zu trennen. Materialien, die
für dieses IR-Durchlaßfenster benutzt werden, sind Kaliumbro
mid oder Zäsiumbromid, die eine Langwellengrenze haben, und
kommen in der Mehrzahl der Fälle zur Anwendung, wie in der
Zeitschrift "Applied Physics", Vol. 5, 1986, S. 492 be
schrieben ist.
Ferner ist es erforderlich, eine Substrattemperatur präzis
zu kontrollieren, wenn in dem Filmbildungsprozeß eines Halb
leiters od. dgl. der Film oder die Schicht gebildet wird.
Bezüglich dieser Notwendigkeit wird ein Strahlungsthermome
ter vorgeschlagen, bei welchem das IR-Strahlen-Durchlaßfen
ster die Verwendung von Zinkselenid (ZnSe) einschließt, wel
ches einen sehr großen Durchlaßbereich in der Filmbildungs-
oder -behandlungsvorrichtung besitzt. Dieser Filmbildungs
prozeß des Halbleiters macht die präzise Kontrolle der Film
dicke notwendig, wenn der Film gebildet wird. Deshalb wird
die Filmbildungsvorrichtung mit einem Polarimeter (Ellipso
meter) zum Messen der Dicke des gebildeten Films zusammen
montiert.
Darüber hinaus wird ein sichtbare Strahlung übertragendes
Fenster durch Schmelzen eines Fenstermaterials, wie einer
Glas-, einer Quarz-, einer Saphirplatte usw., an ein
Flanschbauteil konstruiert (siehe [UHV COMPONENTS technical
data] "UHV Viewports and Viewport Shutters", veröffentlicht
durch VACUUM Generators Co., Ltd.). Das herkömmliche Weich
strahlen-Durchlaßdünnschicht-Bauelement wird auf diese
Weise konstruiert, und somit unterliegt das als eine orga
nische Substanz eingestufte Epoxidharz ohne Schwierigkei
ten einer Verschlechterung in der Strahlung mit Bezug auf
die Röntgenstrahlung. Das übliche Weichstrahlen-Durchlaß
dünnschicht-Bauelement zeigt ein Problem in bezug auf eine
Langzeit-Zuverlässigkeit. Darüber hinaus neigt das Epoxid
harz leicht zu einer Zersetzung bei hoher Temperatur. Das
Epoxidharz wird während eines Wärmebehandlungs- oder ther
mischen Trocknungsvorgangs zersetzt, der durchgeführt wird,
um ein ultrahohes Vakuum zu erlangen, und das hat zum Er
gebnis, daß ein Gas entwickelt wird.
Darüber hinaus haftet dem herkömmlichen IR-Durchlaßfenster
ein Problem an. Die Substanzen, wie Kaliumbromid und Zäsium
bromid, sind schwach gegenüber einer Feuchtigkeit. Es ist
eine sorgfältige Behandlung notwendig für ein Befeuchten
od. dgl., das durch ein Kühlen des Detektors hervorgerufen
wird.
Ein weiteres Problem liegt darin, daß Zink (Zn) und Selen
(Se) des Zinkselenids, das für das Fenstermaterial verwen
det wird, einen hohen Dampfdruck haben, und diese Elemente
werden während der Herstellung eines Prüf- oder Probekörpers
(eines Objekts) als Verunreinigungen eingeführt werden.
Das herkömmliche IR-Durchlaßfenster unterliegt den oben be
schriebenen Problemen und Schwierigkeiten. Die Materialien
werden auf solche beschränkt, die einen hohen Durchlaßgrad
der IR-Strahlung haben. Deshalb ist eine sorgfältige Bear
beitung oder Behandlung notwendig. Zusätzlich werden, wenn
das IR-Durchlaßfenstermaterial Substanzen mit einem hohen
Dampfdruck enthält, diese Substanzen bei Herstellung des
Objekts als Verunreinigungen eingeführt.
Dem herkömmlichen, sichtbare Strahlung durchlassenden Fen
ster haften darüber hinaus die folgenden Probleme an. Dem
Fenstermaterial wird eine ausreichende Spannung vermittelt,
um eine Doppelbrechung hervorzurufen. Außerdem ist das Ver
fahren praktiziert worden, die Luftdichtheit des Fensterma
terials, z. B. der Glas-, Quarz- und Saphirplatte, durch den
O-Ring od. dgl. aufrechtzuerhalten. Jedoch ist es notwendig,
eine ausreichende Kraft aufzubringen, um die Luftdichtheit
am Fenstermaterial, wie der Glas-, Quarz und Saphirplatte,
zu gewährleisten. Die Spannung wirkt auf das Fenstermaterial
mit dem Ergebnis, daß die Doppelbrechung erzeugt wird.
Ferner ist bei dem üblichen Ellipsometer auch die präzise
Messung wegen eines solchen Mangels schwierig, daß die er
wähnte Doppelbrechung erzeugt wird.
Darüber hinaus wirft das Vakuum-UV-Durchlaßfenster ebenfalls
dieselben Probleme wie diejenigen des IR-Durchlaßfensters
und des sichtbare Strahlung durchlassenden Fensters auf.
Bei dem herkömmlichen Licht-Durchlaßfenster ist es mit Blick
auf die Zuverlässigkeit schwierig, die Dicke des Lichtdurch
laßfenster-Konstruktionsteils oder -Bauelements, das den At
mosphärendruckbereich vom Vakuumbereich trennt, mit 20 µm
oder darunter festzusetzen. Wegen der starken Absorption der
weichen Röntgenstrahlung und der IR-Strahlung im Durchlaß
fenster ist es somit schwierig, leistungsfähig die weiche
Röntgenstrahlung und die IR-Strahlung zu übertragen. Die
Absorption der IR-Strahlung usw. im Durchlaßfenster ist
groß. Hieraus rührt ein solches Problem, daß die Materia
lien für das Licht-Durchlaßfenster-Bauelement begrenzt sind.
Darüber hinaus werden die Verzerrung und Streuung von Licht
im Durchlaßfenster unter Schwierigkeiten vermindert.
Um das Fenstermaterial mit dem Flanschbauteil zu verbinden,
wird das Schmelzverfahren angewendet, und um die Luftdicht
heit zu gewährleisten, kommt der O-Ring zur Anwendung. Dar
aus rührt folglich das Problem, daß auf das Fenstermaterial
eine Spannung aufgebracht wird, die zur Erzeugung der Dop
pelbrechung ausreichend ist.
Ein weiteres Problem liegt darin, daß die Synchrotron-
Strahlenbündel und die Freielektronen-Laserstrahlen hohe
Intensitäten haben. Folglich unterliegt das dem Herausführen
des Lichts dienende Fenster leicht einem Schaden durch die
Strahlung, insbesondere durch die Hitze. Ferner neigt das
Fenster zu einer Beschädigung während des Wärmebehandlungs
vorgangs, um das ultrahohe Vakuum zu erhalten.
Im Hinblick auf die vorstehenden Ausführungen ist es die
primäre Aufgabe dieser Erfindung, die oben herausgestellten
Probleme zu vermeiden und ein Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfen
ster zur Abtrennung eines Vakuums unter Verwendung eines
Films oder einer Dünnschicht zu schaffen, wobei dieses Fen
ster leistungsfähig das Licht, wie eine Röntgenstrahlung, die
die Röntgenstrahlung eines Weichstrahlenbereichs einschließt,
und einer Infrarotstrahlung, durchläßt oder überträgt.
Ein Ziel dieser Erfindung ist darin zu sehen, ein Lichtdurch
laß-Vakuumtrennfenster zur Abtrennung eines Vakuums unter
Verwendung einer Dünnschicht, die eine dazu ausreichende
Dicke hat, um eine Verzerrung und Streuung des Lichts zu
vermindern, zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Ausbildung
eines Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfensters, um mittels einer
Dünnschicht, die ein Wärme- oder Hitzebeständigkeitsvermö
gen hat, das Vakuum abzutrennen.
Ferner ist es ein Ziel der Erfindung, ein Lichtdurchlaß-
Vakuumtrennfenster aufzuzeigen, bei dem wenigstens ein Va
kuum der voneinander getrennten ein ultrahohes Vakuum ist.
Darüber hinaus ist es ein Ziel dieser Erfindung, ein Licht
durchlaß-Vakuumtrennfenster zu schaffen, um das Vakuum un
ter Verwendung einer Dickschicht oder eines Dickschicht
elements abzutrennen, die bzw. das leistungsfähig das Licht,
wie z. B. eine Röntgenstrahlung, die Röntgenstrahlen eines
Weichstrahlenbereichs einschließt, und eine IR-Strahlung,
überträgt, wobei keine Doppelbrechung auftritt.
Ein weiteres Ziel dieser Erfindung liegt in der Ausbildung
eines weiche Röntgenstrahlung durchlassenden Fensters (Weich
strahlen-Durchlaßfensters), wobei eine hoch leistungsfähige
Durchlässigkeit eines Röntgenstrahlen- oder eines weichen
Röntgenstrahlenbereichs von hoher Leistungsfähigkeit erlangt
wird, eine Luftdichtheit zwischen einem UHV-Bereich und
einem Druckreduktionsbereich aufrechterhalten wird und dar
über hinaus ein thermisches Trocknen, das zur Erzeugung
eines ultrahohen Vakuums erforderlich ist, durchführbar ist.
Um die Aufgabe zu lösen und die Ziele zu erreichen, die oben
angegeben wurden, wird gemäß einem Gesichtspunkt dieser Er
findung ein Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster geschaffen,
das eine das Licht durchlassende Dünnschicht und eine Träger
substanz, die diese Dünnschicht trägt oder lagert, wodurch
eine Trennung in eine Mehrzahl von Vakuumbereichen bewirkt
wird, umfaßt.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt dieser Erfindung wird ein
Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster geschaffen, das eine das
Licht durchlassende Dickschicht, ein diese Dickschicht tra
gendes Trägerelement und ein Metall oder eine Legierung,
das/die zwischen der Dickschicht sowie dem Trägerelement
vorgesehen ist und in einem Temperaturbereich einer zur An
wendung kommenden Umgebung eine Flüssigkeit produziert,
wobei durch die Dickschicht eine Trennung in eine Mehrzahl
von Vakuumbereichen bewirkt wird, umfaßt.
Gemäß einem noch weiteren Gesichtspunkt dieser Erfindung
wird ein weiche Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster vor
gesehen, um eine weiche Röntgenstrahlung bei einem Druckre
duktionsbereich und einem UHV-Bereich, die in einer Vakuum
kammer abgetrennt sind, herauszuführen, wobei das Fenster
ein weiche Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster-Bauele
ment und ein eine Öffnung enthaltendes Trägerelement, das
das weiche Röntgenstrahlen durchlassende Fenster-Bauelement
lagert, umfaßt, wobei das weiche Röntgenstrahlen durchlassen
de Fenster-Bauelement mit dem Trägerelement unter Verwen
dung von Gallium oder einer Gallium enthaltenden Legierung
verbunden ist.
In dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gemäß der vorliegen
den Erfindung wird der Vakuumbereich in eine Mehrzahl von
Vakuumbereichen durch die Dünnschicht, die das Licht durchläßt,
aufgeteilt. Ein Durchlaßgrad des Lichts im Lichtdurch
laß-Vakuumtrennfenster wird größer. Ferner werden eine Ver
zerrung und Streuung des Lichts in der Dünnschicht herabge
setzt.
Der Vakuumbereich wird in mehrere Vakuumbereiche durch das
Dünnschicht-Bauelement, welches das Licht durchläßt oder
überträgt, unterteilt. Der Lichtdurchlaßgrad im Lichtdurch
laß-Vakuumtrennfenster erhöht sich. Darüber hinaus werden
die Verzerrung und Streuung des Lichts im Dünnschicht-Bau
element vermindert.
Ferner wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gemäß
dieser Erfindung eine Dicke der Dünnschicht mit 1 µm oder
darunter festgesetzt, wodurch der Lichtdurchlaßgrad erhöht
wird. Wenn man hier die Röntgenstrahlung des weichen Rönt
genstrahlenbereichs als Beispiel nimmt, kann die Licht
durchlässigkeit T ausgedrückt werden als:
T = exp (-α · d) (1)
worin α der Absorptionskoeffizient der Röntgenstrahlung und
d die Dicke der Dünnschicht sind. In Übereinstimmung mit
der Gleichung (1) ist ein Wert von d sehr klein, selbst
wenn ein Wert von α groß ist. Insofern erhöht sich der
Lichtdurchlaßgrad T.
Da der Lichtdurchlaßgrad größer wird, besteht darüber hinaus
keine Beschränkung für das für die Dünnschicht verwendete Ma
terial.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gemäß dieser Erfin
dung hat die Dünnschicht das Wärmebeständigkeitsvermögen
gegenüber 100°C oder mehr, so daß sie auch in einer Atmo
sphäre hoher Temperaturen zur Aufnahme der Hitze verwend
bar ist. Darüber hinaus ist das für das ultrahohe Vakuum
notwendige thermische Trocknen durchführbar.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung wird der Licht-Wellenlängen
bereich als ein Röntgenstrahlenbereich festgesetzt. Der
Durchlaßgrad der Röntgenstrahlung im Lichtdurchlaß-Vakuum
trennfenster wird dadurch gesteigert. Daneben werden die
Verzerrung und Streuung der Röntgenstrahlung in der Dünn
schicht vermindert.
Ferner wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster dieser
Erfindung der Röntgenstrahlenbereich als ein weicher Röntgen
strahlenbereich bestimmt. Der Durchlaßgrad der weichen Rönt
genstrahlung im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster wird da
durch erhöht. Zusätzlich werden die Verzerrung und Streu
ung der weichen Röntgenstrahlung in der Dünnschicht ver
mindert.
Des weiteren wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
gemäß dieser Erfindung der Licht-Wellenlängenbereich als ein
IR-Strahlungsbereich festgesetzt. Der Durchlaßgrad der IR-
Strahlung in diesem Lichtdurchlaßfenster wird dadurch ver
größert. Zusätzlich werden die Verzerrung und die Streuung
der Infrarotstrahlung in der Dünnschicht vermindert.
Darüber hinaus wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
gemäß dieser Erfindung der Licht-Wellenlängenbereich als ein
Bereich sichtbarer Strahlung festgesetzt. Der Durchlaßgrad
der sichtbaren Strahlung im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
wird dadurch vergrößert. Weiterhin werden die Verzerrung und
Streuung der sichtbaren Strahlung in der Dünnschicht herab
gesetzt.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster dieser Erfindung
wird darüber hinaus der Licht-Wellenlängenbereich als ein
UV-Strahlungsbereich bestimmt. Der Durchlaßgrad der UV-Strah
lung im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster wird dadurch er
höht. Ferner werden die Verzerrung und Streuung der UV-Strah
lung in der Dünnschicht vermindert.
Bei dem Lichtdurchlaß -Vakuumtrennfenster nach dieser Erfin
dung wird darüber hinaus der UV-Strahlungsbereich als ein
Vakuum-UV-Strahlungsbereich bestimmt. Dadurch wird der
Durchlaßgrad der Vakuum-UV-Strahlung im Lichtdurchlaß-Va
kuumtrennfenster gesteigert. Zusätzlich werden die Ver
zerrung und Streuung der Vakuum-UV-Strahlung in der Dünn
schicht herabgesetzt.
Des weiteren wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
gemäß dieser Erfindung die aus einem Metall oder einer Le
gierung, das/die eine Flüssigkeit in dem Bereich der Tem
peraturen der zur Anwendung gelangenden Umgebung produziert,
bestehende Schicht zwischen der Dünnschicht, die das Licht
durchläßt, und dem Trägerelement vorgesehen. Es ist möglich,
die auf die Dünnschicht aufgrund der mit der Volumenände
rung im Zusammenhang mit der Erstarrung hervorgerufene
und aufgebrachte Spannung zu verhindern. Es ist zu er
reichen, die auf die Dünnschicht einwirkende Spannung,
welche auf den Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten
zwischen dem Trägerelement und der Dünnschicht während der
thermischen Trocknung, welche für das ultrahohe Vakuum notwen
dig ist, zurückzuführen ist, zu unterbinden. Somit kann die
Dicke der Dünnschicht mit 1 µm oder weniger festgesetzt wer
den. Die Lichtdurchlaßgrade im weichen Röntgenstrahlenbereich
und im IR-Strahlenbereich werden in dem Lichtdurchlaß-Va
kuumtrennfenster erhöht. Ferner können die Verzerrung und
die Streuung in der Dünnschicht vermindert werden.
Darüber hinaus wird bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
gemäß dieser Erfindung die Schicht, die aus dem Metall oder
der Legierung besteht, welches/welche eine Flüssigkeit im
Bereich der Temperaturen der zur Anwendung kommenden Umge
bung produziert, zwischen dem Dünnschichtelement, das das
Licht durchläßt, und dem Trägerelement angeordnet. Es ist
möglich zu verhindern, daß die auf der mit der Erstarrung
einhergehenden Volumenänderung zurückzuführende Spannung
auf das Dünnschichtelement einwirkt. Es ist auch möglich
zu verhindern, daß die auf den Unterschied im Wärmedehnungs
koeffizienten zwischen dem Trägerelement und dem Dünnschicht
element während des für das ultrahohe Vakuum notwendigen
Trocknungsvorgangs zurückzuführende Spannung auf das Dünn
schichtelement einwirkt. Insofern kann die Dicke der Dünn
schicht mit 1 µm oder darunter festgesetzt werden. Die
Durchlaßgrade des Lichts im weichen Röntgenstrahlenbereich
und im IR-Strahlenbereich werden in dem Lichtdurchlaß-Va
kuumtrennfenster erhöht. Darüber hinaus können die Verzer
rung und Streuung in der Dünnschicht vermindert werden.
Des weiteren ist in dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
gemäß dieser Erfindung das Metall Gallium, während die Le
gierung eine Gallium enthaltende Legierung ist. Gallium
hat einen Schmelzpunkt von 29,8°C und wird deshalb während
des Wärmebehandlungs- oder Trocknungsvorgangs ohne weiteres
geschmolzen. Auf die Licht durchlassende Dünnschicht wird
keine Spannung aufgebracht, die auf den Unterschied im Wär
medehnungskoeffizienten zwischen dem Trägerelement und der
Dünnschicht oder dem Dünnschichtelement zurückzuführen ist.
Deshalb kann die Dicke der Licht durchlassenden Dünnschicht
soweit wie möglich vermindert werden. Es ist zu erreichen,
wirksam und leistungsfähig das Licht, wie die Röntgenstrahlung
des weichen Strahlungsbereichs und die IR-Strahlung,
zu übertragen. Ferner ist es auch möglich, merklich eine
Rate herabzusetzen, mit welcher das Licht der Verzerrung in
der Dünnschicht unterliegt. Darüber hinaus kann eine Größe
in der Lichtstreuung in der Dünnschicht herabgesetzt werden.
Ferner haben Gallium oder die Gallium enthaltende Legierung
eine gewisse Viskosität und Oberflächenspannung, wenn sie
geschmolzen werden. Folglich können die Vakuen getrennt
werden. Zusätzlich haben Gallium oder die Gallium enthalten
de Legierung einen niedrigen Dampfdruck selbst bei der Trock
nungstemperatur, so daß deshalb das ultrahohe Vakuum während
der Wärmebehandlung oder thermischen Trocknung nicht konta
miniert wird. Um das ultrahohe Vakuum zu erzielen, kann so
mit die notwendige Trocknung bewirkt werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
besteht eine Gallium enthaltende Legierung entweder aus
einer Gallium-Indium-Legierung oder einer Gallium-Zinn-Le
gierung. Wie aus den Zustandsdiagrammen der beigefügten
Fig. 25 und 26 bekannt und zu erkennen ist, zeigt bei Gal
lium-Indium-Legierungen eine solche mit einem Gewichtsanteil
an Indium, der kleiner als etwa 30% ist, einen Schmelz
punkt von 15,7-29,8°C. Ferner besitzt in Gallium-Zinn-
Legierungen eine solche mit einem Gewichtsanteil an Zinn,
der kleiner als etwa 15% ist, einen Schmelzpunkt von
20,5-29,8°C, also unter 29,8°C, d. h. dem Schmelzpunkt
von Gallium. Die Legierung wird bei einer Wärmebehandlung
geschmolzen. Auf die Dünnschicht wird keine Spannung aufge
bracht, die auf einen Unterschied im Wärmedehnungskoeffi
zienten zwischen der Dünnschicht oder dem Dünnschichtelement
und dem Trägerelement beruht. Deshalb kann eine Dicke der
Dünnschicht soweit wie möglich vermindert werden. Es ist
zu erreichen, die Röntgenstrahlen des weichen Röntgenstrah
lungsbereichs wie auch des IR-Bereichs leistungsfähig zu
übertragen. Darüber hinaus wird eine Rate, mit welcher das
Licht der Verzerrung in der Dünnschicht unterliegt, erheb
lich herabgesetzt. Auch wird die Größe einer Lichtstreuung
in der Dünnschicht vermindert.
Die Gallium-Indium-Legierung und die Gallium-Zinn-Legierung
haben bei ihrem Schmelzen eine Viskosität und Oberflächen
spannung. Somit werden die Vakuen getrennt. Ferner haben
die Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung auch bei
der Wärmebehandlungstemperatur einen niedrigen Dampfdruck,
so daß deshalb das ultrahohe Vakuum während des Wärmebehand
lungsvorgangs nicht kontaminiert wird. Das zum Erreichen des
ultrahohen Vakuums notwendige Trocknen ist durchführbar.
Es ist zu bemerken, daß die Fig. 25 und 26 einer Veröffentli
chung entnommen sind, und zwar "Metal Data Book", herausge
geben durch Nippon Metal Academic Society (Corporation),
veröffentlicht 1974 durch Maruzen.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster dieser Erfindung
ist die Gallium-Indium-Legierung eine solche, die 75,5 Gew.-%
an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium enthält. Der Schmelz
punkt wird deshalb auf 15,7°C abgesenkt. Somit liegt die
Legierung, wenn sie einmal bei der Wärmebehandlung verflüs
sigt worden ist, im verflüssigten Zustand aufgrund einer
Unterkühlungserscheinung vor, selbst wenn die Temperatur
den Schmelzpunkt oder einen unter diesem liegenden Punkt
erreicht, z. B. 10°C. Aus diesem Grund wird die Legierung
im verflüssigten Zustand in einer Einbaustelle einer übli
chen Versuchseinrichtung nicht verfestigt. Die Spannung,
die auf Volumenänderungen der Legierung zurückzuführen sind,
welche während des Erstarrens oder Verfestigens hervorgeru
fen werden, wird nicht auf die Dünnschicht aufgebracht. In
sofern kann die Dicke der Dünnschicht weiter vermindert wer
den. Es ist deshalb möglich, leistungsfähig das Licht, wie
die Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlenbereichs,
und die IR-Strahlung, zu übertragen. Ferner wird die Größen
ordnung, mit welcher das Licht einer Verzerrung in der Dünn
schicht unterliegt, vermindert. Der Wert der Lichtstreuung
in der Dünnschicht wird ebenfalls vermindert. Darüber hin
aus ist die Legierung in dem normalerweise zum Einsatz ge
langenden Laboratorium eine Flüssigkeit und kann deshalb
auf das Trägerelement ohne Erhitzen aufgetragen werden.
Darüber hinaus haben sowohl Gallium als auch Indium einen
niedrigen Dampfdruck, so daß sie folglich das ultrahohe
Vakuum nicht kontaminieren.
In dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster dieser Erfindung
wird wenigstens einer aus der Mehrzahl der Vakuumbereiche
als ein UHV-Bereich in der Größenordnung von 1,33 · 10-5 Pa
(10-7 Torr) oder darüber bestimmt. Der UHV-Bereich wird
somit vom Vakuumbereich getrennt. Der Durchlaßgrad von
Licht im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster wird ferner ver
größert. Somit ist das Lichtdurchlaßfenster mit einer ge
ringen Dämpfung der Intensität und einer kleinen Verzerrung
zu erlangen, wenn es Anwendung auf das weiche Röntgenstrah
len durchlassende Fenster findet, bei dem die Probleme die
Dämpfung der Lichtintensität und die Verzerrung im Licht
durchlaßfenster sind.
In dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster in Übereinstimmung
mit dieser Erfindung wird darüber hinaus die aus Metall
bestehende oder die Legierung, die eine Flüssigkeit
im Bereich der Temperaturen der zur Anwendung kommenden Um
gebung produziert, zwischen der das Licht übertragenden
Dickschicht und dem Trägerelement vorgesehen. Es besteht
keine Notwendigkeit, um die mit dem Schmelzen und Abdichten
am O-Ring verbundene Spannung auf die Dickschicht aufzubrin
gen. Eine Doppelbrechung tritt nicht auf. Ferner wird die
auf den Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen
dem Trägerelement und der Dickschicht während des Trocknungs
prozesses, der für das ultrahohe Vakuum notwendig ist, zu
rückzuführende Spannung an einem Einwirken auf die Dick
schicht gehindert. Auf diese Weise wird die Dickschicht
gegen eine Beschädigung geschützt.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster dieser Erfindung
ist das Metall Gallium und die Legierung eine Gallium enthal
tende Legierung. Die mit dem Schmelzen oder Abdichten am
O-Ring verbundene Spannung wird nicht auf die Dickschicht
oder das Dickschichtelement aufgebracht. Eine Doppelbrechung
wird nicht hervorgerufen. Darüber hinaus werden Gallium oder
die Gallium enthaltende Legierung ohne Schwierigkeiten wäh
rend des Wärmebehandlungsvorgangs geschmolzen. Es besteht
keine Möglichkeit, wobei die auf den Unterschied im Wärmedeh
nungskoeffizienten zwischen der Dickschicht oder dem Dick
schichtelement und dem Trägerelement zurückzuführende Span
nung auf die Licht durchlassende Dickschicht einwirkt. Des
halb wird diese Dickschicht nicht zerbrochen. Darüber hinaus
haben Gallium oder die Gallium enthaltende Legierung, wenn
sie geschmolzen werden, eine Viskosität und Oberflächenspan
nung. Somit werden die Vakuen getrennt. Ferner haben Gallium
oder die dieses enthaltende Legierung einen niedrigen Dampf
druck selbst bei der Wärmebehandlungs- oder Trocknungstem
peratur, so daß das ultrahohe Vakuum während der Wärmebe
handlung, die zum Erzielen des ultrahohen Vakuums erforder
lich und durchführbar ist, nicht kontaminiert wird.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gemäß dieser Er
findung ist die Gallium enthaltende Legierung entweder eine
Gallium-Indium- oder eine Gallium-Zinn-Legierung. Wie aus
den Zustandsdiagrammen der Fig. 25 und 26 zu entnehmen ist,
hat unter den Gallium-Indium-Legierungen eine solche mit
einem Gewichtsanteil an Indium, der kleiner als etwa 30%
ist, einen Schmelzpunkt von 15,7-29,8°C. Unter den Gal
lium-Zinn-Legierungen hat eine solche mit einem Gewichtsan
teil an Zinn unter etwa 15% einen Schmelzpunkt von
20,5-29,8°C, niedriger als 29,8°C, d. h. dem Schmelzpunkt von
Gallium. Die Legierungen werden, wenn sie einer Wärmebehand
lung unterworfen werden, geschmolzen. Die auf den Unterschied
im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen der Dickschicht oder
dem Dickschichtelement und dem Trägerelement zurückzuführende
Spannung wird nicht auf die Dickschicht aufgebracht. Der
Grad, mit welchem das Licht der Verzerrung in der Dick
schicht unterliegt, wird erheblich vermindert. Darüber hin
aus wird der Grad einer Lichtstreuung in der Dickschicht
herabgesetzt.
Die Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung haben,
wenn sie geschmolzen werden, eine gewisse Viskosität und
Oberflächenspannung. Insofern werden die Vakuen getrennt.
Darüber hinaus haben die Gallium-Indium- und die Gallium-
Zinn-Legierung einen niedrigen Dampfdruck selbst bei der
Trocknungstemperatur, so daß das ultrahohe Vakuum während
des Trocknungsvorgangs nicht kontaminiert wird. Ein Wärme
behandlungs- oder thermischer Trocknungsvorgang, der zum
Erreichen des ultrahohen Vakuums notwendig ist, ist durch
führbar.
Bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gemäß dieser Er
findung ist die Gallium-Indium-Legierung eine solche, die
75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium enthält.
Der Schmelzpunkt wird deshalb auf 15,7°C herabgesetzt.
Wenn die Legierung einmal während des Wärmebehandlungsvor
gangs verflüssigt worden ist, so liegt sie aufgrund der Un
terkühlungserscheinung im verflüssigten Zustand auch dann
vor, wenn die Temperatur den Schmelzpunkt oder einen tiefe
ren Punkt erreicht, z. B. 10°C. Aus diesem Grund wird die
Legierung in dem verflüssigten Zustand am Einbauort der üb
lichen Versuchseinrichtung nicht verfestigt. Die auf Volu
menänderungen der Legierung, welche während des Verfestigens
hervorgerufen werden, zurückzuführende Spannung wirkt nicht
auf die Dickschicht. Insofern tritt in der Dickschicht oder
dem Dickschichtelement eine Doppelbrechung nicht auf. Dar
über hinaus kann die Legierung auf das Trägerelement ohne
Erhitzen aufgetragen werden. Sowohl Gallium als auch Indium
haben darüber hinaus einen niedrigen Dampfdruck, so daß sie
das ultrahohe Vakuum insofern nicht kontaminieren.
Bei dem erfindungsgemäßen Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
wird wenigstens einer aus der Mehrzahl der Vakuumbereiche
als ein ultrahoher Vakuumbereich in der Größenordnung von
1,33 · 10-5 Pa (10-7 Torr) oder darüber festgesetzt. Der
UHV-Bereich wird somit vom Vakuumbereich getrennt. Der
Durchlaßgrad des Lichts im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
wird ferner gesteigert.
Bei dem erfindungsgemäßen, weiche Röntgenstrahlen durchlassen
den Fenster (Weichstrahlen-Durchlaßfenster) wird das Weich
strahlen-Durchlaßfenster-Bauelement mit dem Trägerelement
durch Gallium verbunden. Gallium hat einen Schmelzpunkt von
29,8°C und wird deshalb während des Trocknungsvorgangs ver
flüssigt. Die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizien
ten zwischen dem Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement
und dem Trägerelement beruhende Spannung wird nicht auf die
Weichstrahlen-Durchlaßschicht oder -folie übertragen. Inso
fern kann die Dicke der Weichstrahlen-Durchlaßschicht im
größtmöglichen Ausmaß vermindert werden. Es ist deshalb
möglich, die Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlen
bereichsleistungsfähig zu übertragen. Gallium hat im verflüs
sigten Zustand eine Viskosität und Oberflächenspannung. Die
Luftdichtheit zwischen dem Druckreduktionsbereich und dem
UHV-Bereich kann aufrechterhalten werden. Ferner hat Gallium
selbst bei der Trocknungstemperatur einen niedrigen Dampf
druck, so daß es während des Trocknungsvorgangs das ultra
hohe Vakuum nicht kontaminiert. Der Trocknungsvorgang oder
die thermische Wärmebehandlung, der bzw. die notwendig ist,
um das ultrahohe Vakuum zu erreichen, sind durchführbar.
Darüber hinaus wird das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bau
element mit dem Trägerelement durch die Gallium enthaltende
Legierung verbunden. Wie aus den Zustandsdiagrammen der bei
gefügten Fig. 25 und 26 erkennbar ist, hat bei dem Wärmebehandlungsvorgang
unter den Gallium enthaltenden Legie
rungen, d. h. den Gallium-Indium-Legierungen, eine solche
mit einem Indium-Gewichtsanteil, der kleiner als etwa 30%
ist, einen Schmelzpunkt von 15,7-29,8°C. Unter den Gal
lium-Zinn-Legierungen hat eine solche mit einem Zinn-Gewichts
anteil unter etwa 15% einen Schmelzpunkt von 20,5-29,8°C,
also unter 29,8°C, d. h. dem Schmelzpunkt von Gallium. Bei
der Wärmebehandlung werden die Legierungen verflüssigt.
Die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwi
schen dem Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement und dem
Trägerelement beruhende Spannung wird nicht auf die Weich
strahlen-Durchlaßschicht aufgebracht.
Insofern kann die Dicke der Weichstrahlen-Durchlaßschicht
bzw. des Weichstrahlen-Durchlaßfilms soweit wie möglich ver
mindert werden. Es ist deshalb möglich, die Röntgenstrah
lung des Weichstrahlenbereichs leistungsfähig zu übertra
gen. Ferner haben die Gallium enthaltenden Legierungen,
z. B. die Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung,
eine Viskosität und Oberflächenspannung im verflüssigten
Zustand. Die Luftdichtheit zwischen dem Druckreduktionsbe
reich und dem UHV-Bereich kann deshalb aufrechterhalten wer
den. Ferner besitzen die Gallium enthaltenden Legierungen,
z. B. die Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung,
einen niedrigen Dampfdruck selbst bei der Trocknungstempera
tur, so daß sie folglich während des Wärmebehandlungsvor
gangs das ultrahohe Vakuum nicht kontaminieren. Eine Wärme
behandlung, die notwendig ist, um das ultrahohe Vakuum zu
erlangen, ist durchführbar.
Bei dem Weichstrahlen-Durchlaßfenster gemäß dieser Erfin
dung wird eine Verbindung unter Verwendung der Legierung
bewirkt, die aus 75,5 Gew.-% Gallium und 24,5 Gew.-% Indium
besteht. Die einen Schmelzpunkt von 15,7°C aufweisende Le
gierung ist, wenn sie einmal verflüssigt worden ist, aufgrund
der Unterkühlungserscheinung im verflüssigten Zustand auch
dann vorhanden, wenn die Temperatur den Schmelzpunkt oder
einen niedrigeren Punkt erreicht, z. B. 10°C. Aus diesem
Grund wird die Legierung im verflüssigten Zustand am Ein
bauort der üblichen Versuchseinrichtung nicht verfestigt.
Die Spannung, die auf Volumenänderungen der Legierung, wel
che während der Verfestigung hervorgerufen werden, zurückzu
führen ist, wird nicht auf die weiche Röntgenstrahlen durch
lassende Schicht oder Folie aufgebracht. Deshalb kann die
Dicke dieser Schicht oder Folie weiter vermindert werden.
Es ist insofern möglich, leistungsfähig die Röntgenstrahlung
des Weichstrahlenbereichs zu übertragen.
Weitere Ziele wie auch die Merkmale und Vorteile der vorlie
genden Erfindung werden aus der folgenden, auf die Zeich
nungen Bezug nehmenden Beschreibung deutlich. In den Zeich
nungen zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines Weichstrahlen-Durch
laßfensters in einer ersten Ausführungsform dieser
Erfindung;
Fig. 2 eine Schnittdarstellung des Hauptteils eines Weich
strahlen-Durchlaßfensters in einer zweiten Ausfüh
rungsform;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das erfindungsgemäße Weichstrahlen-Durchlaß
fenster bei einer UHV-Behandlungsvorrichtung, die
mit einer Röntgenstrahlen-Meßvorrichtung zusammen
gebaut ist, zur Anwendung kommt;
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das Weichstrahlen-Durchlaßfenster bei einer
HV-Behandlungsvorrichtung, die mit der Röntgenstrah
len-Meßvorrichtung zusammengebaut ist, zur Anwen
dung kommt;
Fig. 5 eine Schnittdarstellung eines Weichstrahlen-Durchlaß
dünnschichtelements, das als ein Bauteil dieser Er
findung definiert ist;
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das erfindungsgemäße Weichstrahlen-Durchlaß
fenster bei einer Röntgenstrahlenquelle einer
Röntgenstrahlen-Photoelektronen-Spektrometrievor
richtung zur Anwendung kommt;
Fig. 7 eine Schnittdarstellung, die die Röntgenstrahlen
quelle der Fig. 6 im einzelnen zeigt;
Fig. 8 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das Weichstrahlen-Durchlaßfenster bei einer
Weichstrahlen verwendenden photochemischen Reak
tionsvorrichtung zur Anwendung kommt;
Fig. 9 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das Weichstrahlen-Durchlaßfenster gemäß der
Erfindung bei einer Röntgenstrahlen-Lithographievor
richtung zur Anwendung kommt;
Fig. 10 eine Schnittdarstellung eines IR-Strahlen-Durchlaß
fensters in einer weiteren Ausführungsform gemäß
der Erfindung;
Fig. 11 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform eines
IR-Strahlen-Durchlaßfenster-Bauelements, das als
ein Bauteil dieser Erfindung definiert ist;
Fig. 12 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das IR-Strahlen-Durchlaßfenster bei einer
Vakuumbehandlungsvorrichtung, die mit einer Strah
lungstemperatur-Meßvorrichtung zusammengebaut ist,
zur Anwendung kommt;
Fig. 13 eine Schnittdarstellung eines Sichtbarstrahlung-
Durchlaßfensters in einer weiteren Ausführungsform
dieser Erfindung;
Fig. 14 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform
eines Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster-Bauelements,
das als ein Bauteil dieser Erfindung definiert ist;
Fig. 15 eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungs
form, wobei das Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster
dieser Erfindung bei einer Vakuumbehandlungsvorrich
tung, die mit einer Feinkorn-Meßvorrichtung zusam
mengebaut ist, zur Anwendung kommt;
Fig. 16 eine Schnittdarstellung des Sichtbarstrahlung-Durch
laßfensters in einer weiteren erfindungsgemäßen
Ausführungsform;
Fig. 17 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform, wo
bei das Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster dieser
Erfindung bei einer mit einem Polarimeter (Ellipsome
ter) zusammengebauten HV-Vorrichtung angewendet wird;
Fig. 18 eine Schnittdarstellung eines Vakuum-UV-Durchlaß
fensters in einer Ausführungsform dieser Erfindung;
Fig. 19 eine Schnittdarstellung zum Aufbau eines Vakuum-
UV-Durchlaßfenster-Bauelements;
Fig. 20 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das erfindungsgemäße Vakuum-UV-Durchlaßfenster
bei einer photochemischen Reaktionsvorrichtung, die
eine Vakuum-UV-Plasmalichtquelle einschließt, zur
Anwendung kommt;
Fig. 21 eine Schnittdarstellung eines Weichstrahlen-Durchlaß
fensters in einer weiteren erfindungsgemäßen Ausfüh
rungsform;
Fig. 22 eine Schnittdarstellung des Weichstrahlen-Durchlaß
fensters in einer weiteren erfindungsgemäßen Ausfüh
rungsform;
Fig. 23 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform,
wobei das Weichstrahlen-Durchlaßfenster dieser Er
findung in Verbindung mit der Röntgenstrahlen-Meß
vorrichtung an der UHV-Behandlungsvorrichtung zur
Anwendung kommt;
Fig. 24 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform eines
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelements gemäß
dieser Erfindung und nach dem Stand der Technik;
Fig. 25 ein Zustandsdiagramm einer Gallium-Indium-Legierung;
Fig. 26 ein Zustandsdiagramm einer Gallium-Zinn-Legierung.
Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden anhand
von Beispielen und unter Bezugnahme auf die Zeichnungen be
schrieben.
Die Fig. 1 zeigt in einer Schnittdarstellung ein weiche
Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster (Weichstrahlen-
Durchlaßfenster) gemäß der Erfindung, wobei zu Bauteilen der
Fig. 24 gleiche Bauteile mit denselben Bezugszeichen bezeich
net sind und nicht näher erläutert werden.
Im Beispiel 1 der Fig. 1 bezeichnet A einen Druckreduktions
bereich in einer Vakuumkammer und B einen UHV-Bereich.
Ein Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement 1 ist aus einer
aus Silizium bestehenden Trägersubstanz 31 und einer aus
Siliziumnitrid bestehenden Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht
32 konstruiert. Ein eine Öffnung aufweisendes Trägerelement 2
lagert das Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement 1. Das
Trägerelement 2 besteht beispielsweise aus einer Ultrahoch
vakuumstruktur aus rostfreiem Stahl, Aluminiumlegierung und
dergleichen.
Der Druckreduktionsbereich A ist hier ein solcher, der ein
Vakuum in einer Größenordnung von einigen Pa (Torr) hat.
Der UHV-Bereich B ist ein solcher, der ein Vakuum in einer
Größenordnung von 1,33 · 10-5 Pa (10-7 Torr) oder darüber
hat.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung dieses Weich
strahlen-Durchlaßfensters und dessen Funktion erläutert.
Das Tragelement 2 wird, wenn es heißgemacht wird, mit Gal
lium 3 beschichtet. Das Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtele
ment 1 wird dann verbunden. Die Vakuumkammer wird normaler
weise bei 150°C thermisch getrocknet. Bei dem Trocknen
wird das Gallium 3 geschmolzen. Hier besteht keine Möglich
keit, wonach eine auf eine Differenz im Wärmedehnungsko
effizienten zwischen dem Durchlaßdünnschichtelement 1 und
dem Tragelement 2 zurückzuführende Spannung an der Weichstrah
len-Durchlaßdünnschicht 32 zur Wirkung gebracht wird, was an
sonsten zum Ergebnis hätte, daß die Dünnschicht 32 beschä
digt wird. Eine Viskosität von Gallium beträgt, wenn es ge
schmolzen ist, 1,4 mN·s/m2 bei 150°C. Seine Oberflä
chenspannung ist somit 706 mN/m. Beispielsweise wird diese
Art eines Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelements 1 mit
einem ICF152-Flansch aus rostfreiem Stahl (SUS304) unter
Verwendung von Gallium verbunden. Selbst bei einer Wärmebe
handlung mit 150°C fließt Gallium nicht aus, und dieses
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement 1 wird nicht ab
geschält oder abgeblättert. Das Vakuum des UHV-Bereichs B
kann von demjenigen des Druckreduktionsbereichs A getrennt
werden. Ferner ist ein Dampfdruck von Gallium
11,33 · 10-8 Pa (10-10 Torr) oder darunter bei 150°C. Deshalb wird
das ultrahohe Vakuum während einer Wärmebehandlung, die not
wendig ist, um das ultrahohe Vakuum zu erlangen, nicht kon
taminiert.
Die Fig. 2 zeigt das Hauptteil eines Weichstrahlen-Durchlaß
fensters in einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung,
wobei zu Fig. 1 gleiche Bauteile mit denselben Bezugszahlen
bezeichnet sind. Das Trägerelement 2 besteht aus sauerstoff
freiem Kupfer oder einer Aluminiumlegierung usw. und dient
als eine Dichtung.
Bei dieser Art eines Weichstrahlen-Durchlaßfensters können
dieselben Wirkungen wie diejenigen des Beispiels 1 erlangt
werden.
Bei den erörterten Beispielen ist das Trägerelement 2 mit
einem Aufnahmeteil ausgebildet, in welchem das Durchlaß
dünnschichtelement 1 aufgenommen wird, so daß dieses Element
1 nicht abgeschält oder heruntergezogen wird. Jedoch kann
das Dünnschichtelement 1 so angeordnet werden, daß es durch
eine Druckstange od. dgl. leicht angedrückt wird.
Bei jedem der bisher besprochenen Beispiele erfolgt eine
Verbindung des Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelements 1,
das die Trägersubstanz 31 aus Silizium und die Weichstrahlen-
Durchlaßdünnschicht 32 aus Siliziumnitrid umfaßt, mit dem
Trägerelement 2 mit Hilfe von Gallium 3. Die Trägersubstanz
31 ist jedoch nicht auf Silizium beschränkt. Ferner kann
die Durchlaßdünnschicht 32 aus einer Bornitrid-Siliziumkar
bid- und einer Diamant-Dünnschicht bestehen. Die Weichstrah
len-Durchlaßdünnschicht 32 ist nicht auf die Siliziumnitrid-
Dünnschicht eingegrenzt. Insbesondere zeigt die Diamant-
Dünnschicht, die einen guten Teil an Kohlenstoff mit einem
Atomgewicht von 13 enthält, eine hohe thermische Leitfähig
keit. Die Diamant-Dünnschicht ist imstande, leistungsfähig
Wärme zu diffundieren, die durch ein Einstrahlen von emit
tiertem Licht in die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht 32
erzeugt wird. Ferner werden dieselben Wirkungen erhalten,
wenn ein Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement, das aus
einer Trägersubstanz, die aus sauerstofffreiem Kupfer oder
Nickel besteht, und eine Beryllium-Dünnschicht unter Verwen
dung von Gallium verbunden werden. Selbstverständlich werden
die gleichen Wirkungen auch dann erzielt, wenn eine dünne
Berylliumfolie, die als ein Weichstrahlen-Durchlaßdünn
schichtelement dient, mit Hilfe von Gallium verbunden wird.
Es wird eine solche Behandlung bewirkt, daß Gallium 3 leicht
zu befeuchten ist und eine gute Haftfähigkeit zu den Anschluß
teilen des Trägerelements 2 und des Weichstrahlen-Durchlaß
dünnschichtelements 1 hat. Beispielsweise wird Nickel auf
die Oberfläche des Verbindungs- oder Anschlußteils des Trä
gerelements 2 plattiert. Durch Steigern des Verbindungs-
oder Haftvermögens kann somit eine Luftdichtheit erhöht
werden.
Bei dem Beispiel der Fig. 3 wird das Weichstrahlen-Durchlaß
fenster dieser Erfindung bei einer UHV-Behandlungsvorrichtung,
die mit einer Röntgenstrahlen-Meßvorrichtung zusammengebaut
ist, zur Anwendung gebracht. Die Fig. 3 zeigt einen Probe-
oder Prüfkörper 11, im folgenden als "Objekt" bezeichnet,
eine Objekt-Fertigungsvorrichtung 12, eine UHV-Vorrichtung
13, einen Exhaustor 14, einen Röntgenstrahlen-Anregungsmecha
nismus 15, Absperrschieber 16-21, einen Exhaustor 22,
einen Halbleiterdetektor 23, einen Vakuumbehälter 24,
einen Flüssigstickstoffbehälter 25 und ein Weichstrahlen-
Durchlaßfenster 41.
Im folgenden wird eine Erläuterung eines Falls gegeben, wo
bei die Röntgenstrahlen-Meßvorrichtung durch den Absperr
schieber 16 in einem solchen Zustand montiert wird, daß die
UHV-Vorrichtung 13 ein ultrahohes Vakuum in der derart auf
gebauten Vorrichtung erzeugt. Zuerst wird ein Röntgenspek
trum-Empfangs- oder Nachweissystem 100 am Absperrschieber 18
abgebaut. Dann werden die Absperrschieber 16 und 17 geschlos
sen, während die Absperrschieber 19 und 20 geöffnet werden.
Durch den Absperrschieber an beiden Seiten des Weichstrahlen-
Durchlaßfensters 41 begrenzte Lufträume Ia und Ib werden
gleichzeitig durch den Exhaustor 22 evakuiert, so daß kein
Differenzdruck am Durchlaßfenster 41 zur Wirkung gebracht
wird. Es ist möglich, nahezu keinen Differenzdruck auszu
üben, indem eine Absaugegeschwindigkeit erhöht wird, während
das Vakuum größer wird, solange wie die anfängliche Absauge
geschwindigkeit reduziert wird. Dann findet bezüglich des
Luftraums Ia, der durch das Durchlaßfenster 41 und die Ab
sperrschieber 16, 19 begrenzt ist, eine Wärmebehandlung oder
thermische Trocknung statt. Dadurch wird ein in diesem
Luftraum enthaltener Wasseranteil oder -gehalt reduziert.
Dieselben Wirkungen wie diejenigen der Beispiele 1 und 2
werden in diesem Fall wegen einer Verwendung des Weichstrah
len-Durchlaßfensters 41 gemäß dieser Erfindung erhalten.
Nach Beendigung des Trocknungsvorgangs wird das Röntgenspek
trum-Nachweissystem 100 durch den Absperrschieber 18 ange
baut. Die Absperrschieber 19 und 20 werden geschlossen,
während der Absperrschieber 21 geöffnet wird. Ein durch
die Absperrschieber 17, 18 und 21 begrenzter Luftraum
wird durch den Exhaustor 22 ausreichend evakuiert. Dann
wird der Absperrschieber 21 geschlossen, wogegen die Ab
sperrschieber 17, 20, 16 und 18 geöffnet werden. In diesem
Zustand wird der HV-Bereich auf der Seite des Nachweissy
stems 100 vom UHV-Bereich auf der Seite der UHV-Vorrichtung
13 durch das Weichstrahlen-Durchlaßfenster 41 abgetrennt.
Der im Vakuum auf der Seite des Nachweissystems 100 verblei
bende Wassergehalt verunreinigt nicht das Vakuum auf der
Seite der UHV-Vorrichtung. Es ist zu bemerken, daß das
Weichstrahlen-Durchlaßfenster 41 durch Evakuieren mittels
einer Schiebermanipulation derart, daß der Differenzdruck
nicht aufgebracht wird, wie oben beschrieben wurde, vermin
dert werden kann, daß es annähernd 100 nm dünn ist. Die
weichen Röntgenstrahlen können leistungsfähig gemessen
werden. Es besteht deshalb die Möglichkeit, die weichen
Röntgenstrahlen, die von Lichtelementen abgestrahlt wer
den, in der Größenordnung von 1 keV oder darunter zu mes
sen. Es ist darauf hinzuweisen, daß die Vorgänge des Öff
nens und Schließens der Absperrschieber 16-21 nicht auf
die oben erwähnten beschränkt sind.
Die Fig. 4 zeigt eine schematische Schnittdarstellung für
ein Beispiel der Anwendung des Weichstrahlen-Durchlaßfen
sters gemäß dieser Erfindung, wobei die Röntgenstrahlen-
Meßvorrichtung an der HV-Behandlungsvorrichtung zur Ausbil
dung einer Oxid-Dünnschicht montiert ist und ein oxidatives
Gas in diese Vorrichtung eingeführt wird.
Zu Fig. 3 gleiche Bauteile sind mit denselben Bezugszahlen
bezeichnet. Die Fig. 4 zeigt eine HV-Vorrichtung 26, eine
Oxidativgas-Einleitvorrichtung 27, einen Exhaustor 28,
eine Differential-Absaugedüse 29 und ein Weichstrahlen-Durch
laßfenster 42. Ferner zeigt die Fig. 5 in einem Schnitt ein
für das Weichstrahlen-Durchlaßfenster 42 verwendetes, wei
che Röntgenstrahlen durchlassendes Dünnschichtelement.
Hierbei besteht eine Trägersubstanz 43 aus Silizium. Eine
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht 44 ist als eine Silizium
nitrid-Dünnschicht ausgebildet. Eine Lichtabschirmfolie 45
besteht aus einer Aluminiumfolie und dient dem Abschirmen
von elektromagnetischen Wellen, die von Ultraviolettstrah
len zu fernen Infrarotstrahlen reichen. Hier wird das Sili
zium der Trägersubstanz 43 über das Gallium 3 mit dem rost
freien Stahl (SUS304) des eine Öffnung aufweisenden Träger
elements verbunden.
Ferner wird durch Mischgas zerstäubter Sauerstoff eines Sau
erstoffgases, von Sauerstoff und Ozon bevorzugterweise als
ein Oxidativgas verwendet.
Das folgende ist eine Beschreibung eines Falls, wobei die
Röntgenstrahlen-Meßvorrichtung durch den Absperrschieber 16
derart montiert wird, daß das hohe Vakuum durch die UHV-
Vorrichtung 26 in der derart aufgebauten Vorrichtung erzeugt
wird. Zuerst werden die Absperrschieber 16 und 18 geschlossen,
während die Absperrschieber 19 und 29 geöffnet werden. Die
auf beiden Seiten des Weichstrahlen-Durchlaßfensters 42
durch die Absperrschieber abgeteilten bzw. begrenzten Luft
räume IIa und IIb werden gleichzeitig durch den Exhaustor
22 evakuiert, so daß ein Differenzdruck am Weichstrahlen-
Durchlaßfenster 42 nicht zur Wirkung gebracht wird. Es ist
möglich, nahezu keinen Differenzdruck auszuüben, indem eine
Absaugegeschwindigkeit, wenn die Größenordnung oder der Grad
des Vakuums gesteigert wird, erhöht wird, während die anfäng
liche Absaugegeschwindigkeit abgesenkt wird. Dann wird der
Absperrschieber 19 geschlossen, während die Absperrschieber
16 und 18 geöffnet werden. In diesem Zustand ist der HV-Be
reich auf der Seite des Röntgenspektrum-Nachweissystems 100
vom Vakuumbereich auf der Seite der HV-Vorrichtung durch
das Durchlaßfenster 42 abgetrennt. Deshalb übt das oxidative
Gas keinen Einfluß auf das Röntgenspektrum-Nachweissystem
100 aus, selbst wenn eine Oxid-Dünnschicht durch Einführen
des Oxidativgases in der Größenordnung von 1,33 · 10-2 Pa
(10-4 Torr) gebildet wird.
Es ist zu bemerken, daß die Weichstrahlen-Durchlaßdünn
schicht 44 des Durchlaßfensters 42 durch Evakuieren
mit einer Schiebermanipulation, so daß der Differenz
druck nicht aufgebracht wird, wie oben beschrieben wur
de, vermindert werden kann, daß es so dünn wie annähernd
100 nm ist. Die weichen Röntgenstrahlen können leistungs
fähig gemessen werden. Es ist somit möglich, die wei
chen Röntgenstrahlen, die von Lichtelementen ausgesandt
werden, in der Größenordnung von 1 keV oder darunter
zu messen. Ferner wird auf der Weichstrahlen-Durchlaß
dünnschicht 44 durch das Ionenbüschel-Strahlverdamp
fungsverfahren usw. die Aluminiumfolie oder -schicht
45 bis zu 100-200 nm niedergeschlagen. Es ist somit
möglich, die von UV-Strahlen bis zu fernen IR-Strahlen
reichenden elektromagnetischen Wellen, die von der Ob
jekt-Fertigungsvorrichtung und der Substraterhitzung
herrühren, wenn die Oxid-Dünnschicht gebildet wird,
abzuschirmen. Ferner läßt diese Aluminiumfolie die wei
chen Röntgenstrahlen in der Größenordnung von 1 keV
oder darunter gut durch. Es ist deshalb möglich, die
von den Lichtelementen ausgestrahlten weichen Röntgen
strahlen zu messen. Darüber hinaus wird die Aluminium
folie 45 auf der Seite des Röntgenspektrum-Nachweis
systems 100 angeordnet, während die Siliziumnitrid-
Dünnschicht 44 auf der Seite der HV-Vorrichtung ange
bracht wird. Durch diese Anordnung kann eine Oxidation
der Aluminiumfolie 45 durch das oxidative Gas verhin
dert werden. Darüber hinaus wird die Nitridschicht,
z. B. eine Siliziumnitrid-Dünnschicht od. dgl., durch
das oxidative Gas nicht erheblich oder intensiv korro
diert.
Es ist darauf hinzuweisen, daß die Öffnungs- und Schließ
vorgänge der Absperrschieber 16, 18-20 nicht auf die
oben erwähnten begrenzt sind.
Ferner hat sich das Beispiel 4 mit dem Fall befaßt, wobei
die Oxid-Dünnschicht durch Einleiten des oxidativen Gases
gebildet wird. Das Beispiel 4 ist jedoch nicht auf diesen
Fall begrenzt. Beispielsweise können dieselben Wirkungen
in einem Fall erlangt werden, wobei eine III-V-Gruppen-
Verbund-Dünnschicht unter Verwendung eines organischen Me
tallgases usw. gebildet wird. Der HV-Bereich auf der Seite
des Röntgenspektrum-Nachweissystems 100 wird vom Vakuumbe
reich auf der Seite der HV-Vorrichtung durch das Weichstrah
len-Durchlaßfenster 42 getrennt. Deshalb wird die Aluminium
folie oder -schicht nicht durch das organische Metallgas
korrodiert.
Die Fig. 6 zeigt schematisch eine Ausführungsform, wobei
das erfindungsgemäße Weichstrahlen-Durchlaßfenster bei
einer Röntgenstrahlenquelle einer Röntgen-Photoelektronen-
Spektrometrievorrichtung zur Anwendung kommt. Die Fig. 7
zeigt in einer Schnittdarstellung Einzelheiten der Röntgen
strahlenquelle, wobei ein UHV-Behälter 51, ein Exhaustor
52, ein Objekt (Prüfkörper) 53, ein Manipulator 54, Ab
sperrschieber 55 und 56, ein Exhaustor 57, eine Objekt
Einführvorrichtung 58, ein Energieanalysator 59, eine
Röntgenstrahlenquelle 60, eine Elektronenstrahlquelle 61,
ein Zielobjekt 62, ein Kühlmechanismus 63, ein Weichstrah
len-Durchlaßfenster 64, ein Elektronenstrahl 65, Streuelek
tronen 66 und ein Röntgenstrahl 67 dargestellt sind.
Die Röntgen-Photoelektronen-Spektrometrie beruht auf einem
Oberflächenabtastverfahren und erfordert insofern ein ul
trahohes Vakuum in der Größenordnung 1,33 · 10-6 Pa
(10-8 Torr) oder darüber. In der derart konstruierten Vor
richtung unterliegt der UHV-Behälter 51 einem thermischen
Trocknen, während er durch den Exhaustor 57, z. B. einer
Turbo-Molekularpumpe od. dgl., in einem Zustand evakuiert
wird, wobei die Absperrschieber 55 und 56 geöffnet sind.
Bei einer Wärmebehandlung wird Gallium geschmolzen, und in
sofern sind dieselben Wirkungen wie diejenigen bei den Bei
spielen 1 und 2 zu erhalten. Nach Abschluß des thermischen
Trocknens wird der Absperrschieber 55 geschlossen und das
ultrahohe Vakuum durch den Exhaustor 52 erlangt. Das Objekt
53 wird unter Einsatz der Objekt-Einführvorrichtung 58 ein
gebracht. Das durch die Röntgenstrahlen der Röntgenstrahlen
quelle 60 bestrahlte Objekt erzeugt Photoelektronen, die
durch den Energieanalysator 59 analysiert werden.
In der Röntgenstrahlenquelle 60 wird das Zielobjekt 62 aus
Graphit od. dgl. durch den Elektronenstrahl 65 von der
Elektronenstrahlquelle 61, der auf bis zu 500 eV-5 keV
beschleunigt ist, bestrahlt. Hierdurch wird das Zielobjekt
62 angeregt, um den Röntgenstrahl 67 zu emittieren. Das
Weichstrahlen-Durchlaßfenster 64 läßt diesen Röntgenstrahl
67 durch, der wiederum auf das Objekt 53 einfällt. Die
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht des Durchlaßfensters 64
kann wegen der Konstruktion ohne die Anwendung eines Dif
ferentialdrucks so dünn wie annähernd 100 nm gemacht werden.
Es ist deshalb möglich, eine Kohlenstoff-Eigenstrahlung
des weichen Röntgenstrahlenbereichs als eine Röntgenstrah
lenquelle anzuwenden. Ferner wird den vom Zielobjekt zer
streuten Elektronen 66 keine Möglichkeit gegeben, die
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht zu durchdringen, und
insofern treffen sie nicht auf das Objekt 53. Es ist des
halb eine ausreichende Intensität zu erhalten, selbst wenn
die Eigenstrahlung des weichen Röntgenstrahlenbereichs als
eine Röntgenstrahlenquelle ohne Begrenzung auf den Kohlen
stoff verwendet wird. Störungen oder ein Rauschen, was
auf die Streuelektronen 66 zurückzuführen ist, können
ebenfalls vermindert werden.
Das oben erörterte Beispiel 5 bezieht sich darauf, daß das
Weichstrahlen-Durchlaßfenster gemäß der Erfindung bei einer
Röntgenstrahlenquelle der Röntgen-Photoelektronen-Spektro
metrievorrichtung zur Anwendung kommt. Die Erfindung ist
jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Selbstverständ
lich können die gleichen Wirkungen erhalten werden, wenn
das Weichstrahlen-Durchlaßfenster der Erfindung für andere
Röntgenstrahlenquellen verwendet wird, die auf der Elektro
nenstrahlanregung beruhen.
Die Fig. 8 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Bei
spiel, wonach das erfindungsgemäße Weichstrahlen-Durchlaß
fenster bei einer Weichstrahlen-Photoreaktion-Behandlungs
vorrichtung Anwendung findet. In Fig. 8 sind eine Synchro
tron-Strahlenbündelvorrichtung 71, Hochgeschwindigkeit-
Absperrschieber 72 und 73, ein Spiegel 74, ein Spektroskop
75, Exhaustoren 76-78, ein Absperrschieber 79, ein Prüf
körper oder Objekt 80, eine Gas-Einleitvorrichtung 81,
ein Vakuumbehälter 82 und ein Weichstrahlen-Durchlaßfen
ster 83 dargestellt.
Die Synchrotron-Strahlenbündelvorrichtung und die Strahl
strecke der weichen Röntgenstrahlen machen ein ultrahohes
Vakuum in der Größenordnung von 1,33·10-5 Pa (10-7 Torr)
oder darüber erforderlich. Ein thermisches Trocknen erfolgt
während eines Evakuierens durch die Exhaustoren 76 und 77.
Gallium wird bei dem Trocknungsvorgang geschmolzen, und in
sofern können dieselben Wirkungen wie in den Beispielen 1
und 2 erlangt werden. Nach Abschluß des Wärmebehandlungs
vorgangs wird der Absperrschieber 79 geöffnet, wodurch
eine Verbindung unter Vakuum mit dem Vakuumbehälter 72
hergestellt wird, indem Gas durch die Einleitvorrichtung
81 eingeführt wird. In diesem Fall werden die Vakuen durch
das Weichstrahlen-Durchlaßfenster 82 getrennt. Das einge
führte Gas fließt insofern nicht zur Synchrotron-Strahlen
bündelvorrichtung hin.
Die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht des Weichstrahlen-
Durchlaßfensters 83 kann aufgrund der Konstruktion, wobei
kein Differenzdruck auf das Durchlaßfenster 83 aufgebracht
wird, so dünn wie annähernd 100 nm gemacht werden. Es ist
möglich, die Röntgenstrahlung des Weichstrahlenbereichs
leistungsfähig zu übertragen. Deshalb erhöht sich eine Re
aktionsgeschwindigkeit des eingeführten Gases. Ein Durch
satz des hergestellten Objekts 80 wird verbessert. Ferner
kann der Differenzdruck in einem Vakuumbereich von
1,33·10-8 Pa-1,33·10-1 Pa (10-10 Torr-10-3 Torr)
gehalten werden. Die herkömmliche Differentialabsaugung
kann vereinfacht werden. Das führt zu Verbesserungen in
der Zuverlässigkeit wie auch der Wartungsfähigkeit, und an
Platz kann gespart werden.
Die Fig. 9 zeigt schematisch eine Ausführungsform, wonach
das Weichstrahlen-Durchlaßfenster dieser Erfindung bei
einer Röntgenstrahlen-Lithographievorrichtung angewendet
wird. Die Fig. 8 zeigt Exhaustoren 84 und 85, eine Röntgen
strahlenmaske 86, ein Objekt 87, einen Röntgenstrahlen-
Schrittantrieb 88, einen Heliumgas-Einleitmechanismus 89,
ein Weichstrahlen-Durchlaßfenster 90 und ein Röntgenstrah
len-Durchlaßfenster 91, das aus Beryllium od. dgl. gebildet
ist, jedoch die sichtbare Strahlung nicht durchläßt. Es
ist zu bemerken, daß mit den Bezugszahlen 71-77 und 83
zu Fig. 8 gleiche Bauteile bezeichnet sind.
Die Synchrotron-Strahlenbündelvorrichtung und die Strahl
strecke der weichen Röntgenstrahlen erfordern ein ultraho
hes Vakuum. Ein thermisches Trocknen wird während eines
Evakuierens durch die Exhaustoren 76 und 77 durchgeführt.
Bei der Wärmebehandlung wird Gallium geschmolzen, und inso
fern sind dieselben Wirkungen wie bei den Beispielen 1 und
2 zu erhalten. Die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht des
Weichstrahlen-Durchlaßfensters 83 kann aufgrund der Kon
struktion ohne die Anwendung eines Differenzdrucks am
Weichstrahlen-Durchlaßfenster 83 so dünn wie annähernd
100 nm gemacht werden. Es ist möglich, leistungsfähig die
Röntgenstrahlung des Weichstrahlenbereichs zu übertragen.
Ferner kann der Differenzdruck in einem Vakuumbereich
einer Größenordnung von 1,33·10-8-1,33·10-1 Pa (10-10
Torr-10-3 Torr) gehalten werden. Die übliche Differen
tialabsaugung kann vereinfacht werden. Das resultiert in
Verbesserungen bezüglich der Zuverlässigkeit wie auch der
Wartungsfähigkeit. An Platz kann gespart werden.
Darüber hinaus kann der Differenzdruck im Vakuumbereich von
1,33·10-1-133 Pa (10-3 Torr-10-1 Torr) gehalten werden,
indem das Weichstrahlen-Durchlaßfenster 90 verwendet wird,
das eine Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht besitzt, die
eine größere Dicke als diejenige der Weichstrahlen-Durchlaß
dünnschicht des Weichstrahlen-Durchlaßfensters 83 hat.
Letztlich kann der Vakuumzustand in der Größenordnung von
einigen Pa (einigen Torr) dadurch erlangt werden, daß das
Röntgenstrahlen-Durchlaßfenster 91 zur Anwendung kommt,
welches aus Beryllium od. dgl. besteht, jedoch die sicht
bare Strahlung nicht überträgt. Der Röntgenstrahlen-
Schrittantrieb 88 kann insofern im Vakuum der Größenordnung
von einigen Pa betrieben werden. Die durch den einstrahlen
den Strahl erzeugte Hitze kann unter Verwendung von Helium
diffundiert werden. Insofern wird die Röntgenstrahlenmaske
86 nicht thermisch verzogen. Ferner wird in den Weichstrah
len-Durchlaßfenstern 83 und 90 eine Intensität der für die
Lithographie verwendeten Röntgenstrahlen nicht wesentlich
gedämpft. Insofern ist eine hoch leistungsfähige Belichtung
praktisch durchführbar, und der Durchsatz wird ebenfalls
verbessert.
Es ist zu bemerken, daß dieselben Wirkungen wie in den je
weils oben erörterten Beispielen auch dann erzielt werden
können, wenn eine Gallium enthaltende Legierung anstelle
von Gallium, das bei den obigen Beispielen verwendet wird,
zur Anwendung kommt. Im folgenden wird ein Herstellungsver
fahren und eine Funktion in dem Fall erläutert, da eine
Legierung als Ersatz für das Gallium 3 im Beispiel 1 ver
wendet wird, die aus 75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-%
an Indium besteht und hier als Ga75,5-In-Legierung bezeich
net wird. Diese Ga75,5-In-Legierung hat einen Schmelzpunkt
von 15,7°C, und wenn sie einmal geschmolzen ist, so liegt
sie aufgrund einer Unterkühlungserscheinung im verflüssig
ten Zustand auch dann vor, wenn die Temperatur den Schmelz
punkt erreicht oder niedriger wird, z. B. 10°C.
Die Ga75,5-In-Legierung 3 wird auf das Trägerelement 2 auf
gebracht, so daß das Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht-Bau
element 1 verbunden wird. Die obige Legierung ist eine Flüs
sigkeit und deshalb kann das Trägerelement ohne ein Erhit
zen bei Raumtemperatur in einem gewöhnlichen Laboratorium
verbunden werden. Die Vakuumkammer unterliegt einer Wärme
behandlung normalerweise bei 150°C. Die Ga75,5-In-Legie
rung 3 nimmt während des Wärmebehandlungsvorgangs einen
flüssigen Zustand an. Insofern besteht keine Möglichkeit,
wonach die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizien
ten zwischen dem Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement
1 und dem Trägerelement 2 beruhende Span
nung an der Weichstrahlen-Dünnschicht 32 einwirkt, was an
sonsten in einer Beschädigung dieser Dünnschicht 32 resul
tieren würde. Ferner wird die genannte Legierung im ver
flüssigten Zustand an einem Einbauort in einer üblichen
Versuchseinrichtung nicht verfestigt. Deshalb wirkt eine
auf Volumenänderungen der Legierung zurückzuführende Span
nung, die während des Verfestigens hervorgerufen werden,
nicht auf die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht.
Ferner hat die Ga75,5-In-Legierung eine Viskosität und
Oberflächenspannung. Das Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht
element 1 wird mit dem ICF152-Flansch aus rostfreiem Stahl
(SUS304) unter Verwendung der Ga75,5-In-Legierung verbunden.
Die Legierung fließt selbst bei einer Wärmebehandlung mit
150°C nicht aus, und das Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht
element 1 wird nicht abgeschält. Das Vakuum des UHV-Bereichs
B kann vom Vakuum des Druckreduktionsbereichs A getrennt
werden. Darüber hinaus hat die Ga75,5-In-Legierung eine hö
here Viskosität als Gallium und paßt sich insofern gut dem
rostfreien Stahl (SUS304) an. Ferner beträgt ein Dampfdruck
von Gallium oder Indium 1,33·10-8 Pa (10-10 Torr) oder
weniger bei 150°C. Das ultrahohe Vakuum wird deshalb wäh
rend des Wärmebehandlungsvorgangs, der notwendig ist, um das
ultrahohe Vakuum zu erzielen, nicht kontaminiert.
Für den obigen Fall wurde davon ausgegangen, daß als eine
Gallium enthaltende Legierung die Ga75,5-In-Legierung ver
wendet wird, die den minimalen Schmelzpunkt von 15,7°C hat.
Die Legierung ist jedoch nicht auf diese plastische Legie
rung begrenzt. Wie aus den Zustandsdiagrammen beispielswei
se der Fig. 25 und 26 bekannt ist, weist unter den Gallium-
Indium-Legierungen eine solche mit einem Gewichtsanteil an
Indium, der kleiner als 30% ist, einen Schmelzpunkt von
15,7-29,8°C auf. Unter den Gallium-Zinn-Legierungen hat
eine Legierung mit einem Gewichtsanteil an Zinn, der kleiner
als etwa 15% ist, einen Schmelzpunkt von 20,5-29,8°C,
also niedriger als 29,8°C, d. h. der Schmelzpunkt von Gal
lium. Die Legierung wird bei einer Wärmebehandlung im Be
hälter geschmolzen. Auf die Weichstrahlen-Durchlaßdünn
schicht wird keine Spannung aufgebracht, die auf einem
Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen dem
Weichstrahlen-Durchlaßdünnschichtelement und dem Trägerele
ment beruht. Deshalb kann eine Dicke der Weichstrahlen-
Durchlaßdünnschicht soweit wie möglich herabgesetzt wer
den. Es ist eine wirksame und leistungsfähige Übertragung
der Röntgenstrahlung des Weichstrahlenbereichs zu errei
chen. Die Gallium-Indium-Legierung und die Gallium-Zinn-
Legierung haben, wenn sie geschmolzen werden, eine Viskosi
tät und Oberflächenspannung. Es ist deshalb möglich, das
Vakuum des Druckreduktionsbereichs vom Vakuum des UHV-Be
reichs zu trennen. Ferner haben die Gallium-Indium- und
die Gallium-Zinn-Legierung einen niedrigen Dampfdruck bei
einer Wärmebehandlungs- oder Trocknungstemperatur. Diese
Legierungen kontaminieren während des Wärmebehandlungsvor
gangs das ultrahohe Vakuum nicht. Ein Trocknungsvorgang, um
das ultrahohe Vakuum zu erreichen, ist insofern durchführ
bar.
Die Fig. 10 zeigt in einer Schnittdarstellung als ein wei
teres erfindungsgemäßes Beispiel ein IR-Strahlen-Durchlaß
fenster, wobei ein IR-Strahlen-Durchlaßfenster-Bauelement
101, ein Trägerelement 102, das das Bauelement 101 lagert,
und eine Legierung 103, die aus 75,5 Gew.-% an Gallium und
24,5 Gew.-% an Indium besteht (Ga75,5-In-Legierung), zum
Einsatz kommen. Das Trägerelement 102, das eine Öffnung
besitzt, besteht aus einem Vakuumstrukturmaterial, wie
z. B. rostfreiem Stahl mit einer niedrigen thermischen Leit
fähigkeit.
Die Fig. 11 zeigt in einem Schnitt die Konstruktion des
IR-Strahlendurchlaß-Bauelements 101, das eine Trägersub
stanz 104 und eine IR-Strahlen-Durchlaßdünnschicht 105 um
faßt. Der Durchmesser der Trägersubstanz ist beispielswei
se 15 mm. Ein durchlassendes Teil hat eine Kantenlänge von
5 mm. Die IR-Strahlen-Durchlaßdünnschicht ist 50 nm dick.
Normalerweise schließt die Trägersubstanz 104 die Verwen
dung von Silizium ein. Für die IR-Strahlen-Durchlaßdünn
schicht 105 kommt eine Siliziumnitrid-Dünnschicht von
extrem geringer Dicke zur Anwendung. An der Silizium-Träger
substanz 104 ist die Siliziumnitrid-Dünnschicht 105 ausge
bildet, die eine Zusammensetzung mit im wesentlichen demsel
ben Wärmedehnungskoeffizienten wie demjenigen des Siliziums
hat, wobei die Dünnschicht 105 durch chemisches Abscheiden
von Feststoffen aus der Gasphase (CVD-Verfahren) aufge
bracht wird. Die Silizium-Trägersubstanz 104 wird durch
Ätzen mit einer alkalischen Lösung, wie einer Kaliumhydro
xid-(KOH)-Lösung entfernt, so daß das durchlassende Teil
gebildet wird. Die Trägersubstanz 104 und die IR-Strahlen-
Durchlaßdünnschicht 105 sind jedoch nicht auf Silizium und
Siliziumnitrid eingeschränkt. Die Durchlaßdünnschicht 105
kann die Verwendung von beispielsweise einer diamantarti
gen Kohlenstoff-Dünnschicht einschließen. Ferner ist das
Ätzverfahren nicht auf das oben genannte begrenzt, bei
spielsweise kann ein Trockenätzen zur Anwendung kommen.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des IR-
Strahlen-Durchlaßfensters und dessen Funktion erläutert.
Die Ga75,5-In-Legierung 103 wird auf das Trägerelement 102
aufgetragen, wodurch das IR-Strahlen-Durchlaßfenster-Bau
element 101 verbunden wird. Die Ga75,5-In-Legierung hat
einen Schmelzpunkt von 15,7°C. Die genannte Legierung
ist, wenn sie einmal geschmolzen ist, aufgrund der Un
terkühlungserscheinung in einem verflüssigten Zustand auch
dann vorhanden, wenn die Temperatur den Schmelzpunkt oder
darunter erreicht, z. B. 10°C. Die erwähnte Legierung ist
eine Flüssigkeit, und insofern kann das Trägerelement ohne
eine Erhitzung bei Raumtemperatur in einem üblichen Labora
torium verbunden werden. Ferner wird die Legierung nicht
im verflüssigten Zustand an der Einbaustelle der üblichen
Versuchseinrichtung verfestigt. Deshalb wirkt die auf Vo
lumenänderungen der Legierung, die während der Verfestigung
hervorgerufen werden, beruhende Spannung nicht auf die IR-
Strahlen-Durchlaßdünnschicht. Aus diesem Grund kann eine
Dicke dieser Dünnschicht mit 50 nm oder darunter festge
setzt werden. Es ist möglich, einen Durchlaßgrad von 10%
oder mehr mit Bezug auf die IR-Strahlung zu erreichen, wel
che eine Wellenlänge hat, die durch die Siliziumnitrid-
Dünnschicht in einem IR-Strahlenbereich absorbiert wird.
Die Fig. 12 ist eine schematische Darstellung einer Ausfüh
rungsform, bei der das IR-Strahlen-Durchlaßfenster dieser
Erfindung zur Anwendung kommt. Eine Strahlungstemperatur-
Meßvorrichtung ist an die Vakuumbehandlungsvorrichtung an
gebaut. Die Fig. 12 zeigt einen Vakuumbehälter 106, einen
Exhaustor 107, einen Prüfkörper oder ein Objekt 108, eine
Heizvorrichtung 109, einen Gas-Einleitmechanismus 110 zur
Herstellung des Objekts, einen IR-Strahlungsempfänger 111,
einen Flüssigstickstoffbehälter 112, einen Flüssigheliumbe
hälter 113 und ein IR-Strahlen-Durchlaßfenster 114.
Bei der derart aufgebauten Vorrichtung wird der Vakuumbe
hälter 106 durch den Exhaustor 107 evakuiert. Das IR-Strah
len-Durchlaßfenster 114 kann in ein Vakuum eingebracht wer
den, ohne auf das Fenster einen Differenzdruck aufzubrin
gen. Die IR-Strahlen-Dünnschicht 105 des Durchlaßfensters
114 kann deshalb auf annähernd 50 nm vermindert werden.
Eine Langwellengrenze wird verbessert, und die IR-Strah
lung kann mit hoher Leistungsfähigkeit gemessen werden.
Selbst wenn die Nachbarschaft des IR-Strahlen-Durchlaßfen
sters 114 durch Strahlungshitze von der Heizvorrichtung
109 erhitzt wird, besteht keine Möglichkeit, wonach die
Spannung auf die IR-Strahlen-Durchlaßdünnschicht 105 aufge
bracht wird, welche auf einen Unterschied im Wärmedehnungs
koeffizienten zwischen dem IR-Strahlen-Durchlaßfenster-Bau
element 101 und dem Trägerelement 102 beruht, wodurch die
Dünnschicht 105 beschädigt werden könnte. Darüber hinaus
wird die erwähnte Legierung im verflüssigten Zustand in
der Einbaustelle der üblichen Versuchseinrichtung nicht
verfestigt. Die auf Volumenänderungen der Legierung, wel
che während des Erstarrens hervorgerufen werden, zurückzu
führende Spannung wirkt deshalb nicht auf die IR-Strahlen-
Durchlaßdünnschicht. Ferner ist ein Dampfdruck der Silizi
umnitrid-Dünnschicht der IR-Strahlen-Durchlaßdünnschicht
105 sehr niedrig. Die Dampfdrücke von Gallium und Indium
sind ebenfalls niedrig. Wenn das Objekt unter Verwendung
von hochreinem Gas gefertigt wird, werden folglich das
Konstruktionsmaterial des IR-Strahlen-Durchlaßfensters 114,
Gallium und Indium nicht als Verunreinigungen in das Objekt
eingebracht. Ferner ist die Siliziumnitrid-Dünnschicht der
IR-Strahlen-Durchlaßdünnschicht 105 standfest gegen Feuch
tigkeit und leicht zu behandeln.
Wenn bei der derart aufgebauten Vorrichtung eine Germanium-
Dickschicht und eine Silizium-Dickschicht, die jeweils
eine Dicke von 10 µm und einen Durchmesser von 2,54 cm ha
ben, als das IR-Strahlen-Durchlaßfenster 114 verwendet wer
den, erhöht sich der Durchlaßgrad im Vergleich mit dem
Fall, da ein IR-Strahlen-Durchlaßfenster aus Silizium
oder Germanium mit einer normalen Dicke von einigen mm zur
Anwendung kommt.
Die Gallium-Indium-Legierung ist darüber hinaus eine Flüs
sigkeit. Selbst wenn die Nachbarschaft des IR-Strahlen-
Durchlaßfensters 114 durch die Strahlungswärme von der Heiz
vorrichtung 109 erhitzt wird, gibt es keine Möglichkeit,
wonach die auf einem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizi
enten zwischen dem Trägerelement 102 und der Germanium-
oder Silizium-Dickschicht, die eine Dicke von 10 um und
den Durchmesser von 2,54 cm haben, beruhende Spannung auf
die Silizium- oder Germanium-Dickschicht einwirkt mit
dem Ergebnis, daß die Dickschicht beschädigt würde.
Die Fig. 13 zeigt in einer Schnittdarstellung ein Sicht
barstrahlung-Durchlaßfenster in einer weiteren Ausführungs
form dieser Erfindung, das ein Sichtbarstrahlung-Durchlaß
fenster-Bauelement 121, ein dieses Bauelement 121 lagerndes
Trägerelement 122 und eine Legierung 123, die aus 75,5 Gew.-%
an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium besteht (Ga75,5-In-
Legierung), hat. Das Trägerelement 122 besitzt eine Öffnung und
ist aus einem Vakuumstrukturmaterial, wie rostfreiem Stahl,
oder einer Aluminiumlegierung gefertigt.
Die Fig. 14 zeigt in einem Schnitt den Aufbau dieses Sicht
barstrahlung-Durchlaßfenster-Bauelements 121, das eine Trä
gersubstanz 124 und eine Sichtbarstrahlung-Durchlaßdünn
schicht 125 umfaßt. Beispielsweise hat die Trägersubstanz
einen Durchmesser von 40 mm. Ein durchlassendes Teil wird
mit 10 mm×30 mm bestimmt. Eine Dicke der Sichtbarstrah
lung-Durchlaßdünnschicht beträgt 300 nm. Die Trägersubstanz
124 schließt die Verwendung von Silizium ein. Für die Sicht
barstrahlung-Durchlaßdünnschicht 125 kommt eine Silizium
nitrid-Dünnschicht zur Anwendung, die eine Zusammensetzung
hat, welche im wesentlichen denselben Wärmedehnungskoeffi
zienten wie Silizium hat, wobei die Dünnschicht 125 an der
Trägersubstanz 124 durch das CVD-Verfahren niedergeschlagen
wird. Die Trägersubstanz 124 wird selektiv durch eine saure
Lösung, wie eine Fluorwasserstoffsäure-(HF)-Lösung usw.
geätzt. Auf diese Weise wird das durchlassende Teil gebil
det. Die Trägersubstanz 124 und die Sichtbarstrahlung-Durch
laßdünnschicht 125 sind jedoch nicht auf Silizium und Si
liziumnitrid beschränkt. Außerdem ist das Ätzverfahren nicht
auf das oben genannte begrenzt, vielmehr kann auch ein Troc
kenätzverfahren zur Anwendung kommen.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des Sicht
barstrahlung-Durchlaßfensters wie auch dessen Funktion
erläutert. Die Ga75,5-In-Legierung 123 wird auf das Träger
element 122 aufgetragen, wodurch das Sichtbarstrahlung-
Durchlaßfenster-Bauelement 121 verbunden wird. Die Ga75,5-
In-Legierung hat einen Schmelzpunkt von 15,7°C und liegt,
wenn sie einmal geschmolzen ist, aufgrund der Unterkühlungs
erscheinung auch dann im verflüssigten Zustand vor, wenn
die Temperatur den Schmelzpunkt erreicht oder unter diesen
gelangt, z. B. 10°C. Die genannte Legierung ist eine Flüs
sigkeit, weshalb das Trägerelement bei Raumtemperatur in
einem üblichen Laboratorium verbunden werden kann, ohne er
hitzt zu werden. Ferner wird die oben beschriebene Legie
rung im verflüssigten Zustand an ihrer Einbaustelle in der
üblichen Versuchseinrichtung nicht verfestigt. Deshalb
wirkt die auf Volumenänderungen der Legierung beruhende
Spannung, welche während des Erstarrens hervorgerufen wer
den, nicht auf die Sichtbarstrahlung-Durchlaßdünnschicht.
Aus diesem Grund kann für diese Dünnschicht eine Dicke von
annähernd 100 nm festgesetzt werden. Es ist möglich, eine
Streuung von Licht und eine optische Verzerrung in der
Siliziumnitrid-Dünnschicht herabzusetzen.
Die Fig. 15 ist eine schematische Draufsicht eines Bei
spiels, wobei das Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster dieser
Erfindung zum Einsatz kommt. An eine Vakuumbehandlungsvor
richtung ist eine Feinkorn-Meßvorrichtung angebaut. Die
Fig. 15 zeigt einen Vakuumbehälter 126, einen Exhaustor
127, einen Prüfkörper (Objekt) 128, eine Laserlichtquelle
129, einen Abtastspiegel 130, optische Bauelemente 131 und
132, einen Strahlungsempfänger 133, ein Lichttop 134 und
Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster 135 sowie 136.
Bei der derart aufgebauten Vorrichtung wird der Vakuumbe
hälter 126 durch den Exhaustor 127 evakuiert. Die Sichtbar
strahlung-Durchlaßfenster 135 und 136 können in ein Va
kuum ohne Aufbringen eines Differenzdrucks auf diese ein
gebracht werden. Die Sichtbarstrahlung-Durchlaßdünnschicht
125 eines jeden dieser Durchlaßfenster 135 und 136 kann des
halb so dünn wie annähernd 100 nm ge 43366 00070 552 001000280000000200012000285914325500040 0002004301146 00004 43247macht werden. Es ist
möglich, die Lichtstreuung und die optische Verzerrung in
der Siliziumnitrid-Dünnschicht zu vermindern. Insofern be
steht keine Möglichkeit, daß das Licht in der Sichtbarstrah
lung-Durchlaßdünnschicht 125 des Sichtbarstrahlung-Durchlaß
fensters 135 zerstreut wird, um einen Empfangs- oder Er
fassungshintergrund zu steigern bzw. zu vergrößern. Ferner
ist eine Änderung an der Polarisationsebene aufgrund der
optischen Verzerrung in der Sichtbarstrahlung-Durchlaßdünn
schicht eines jeden der Durchlaßfenster 135 und 136 sehr
klein. Folglich erhöht sich der Empfangshintergrund nicht.
Somit kann eine untere Nachweisbarkeitsgrenze des Feinkorns
verbessert werden.
Die Fig. 16 zeigt in einem Schnitt ein Sichtbarstrahlung-
Durchlaßfenster einer weiteren Ausführungsform gemäß der
Erfindung. Hierbei besteht eine Sichtbarstrahlung-Durchlaß
dickschicht 141 aus einer Quarzplatte mit einer Dicke von
einigen mm, wobei diese Dickschicht 141 von einem Träger
element 142 gehalten wird. Eine Legierung 143 besteht aus
75,5 Gew.-% Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium,sie ist somit
eine Ga75,5-In-Legierung. Das Trägerelement 142 hat eine
Öffnung und ist aus einem Vakuumstrukturmaterial, wie rost
freier Stahl, oder einer Aluminiumlegierung gefertigt.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des Sicht
barstrahlung-Durchlaßfensters wie auch dessen Funktion er
läutert. Die Ga75,5-In-Legierung 143 wird auf das Träger
element 142 zur Verbindung der Sichtbarstrahlung-Durchlaß
dickschicht 141 aufgebracht. Diese Legierung 143 hat einen
Schmelzpunkt von 15,7°C. Wenn die genannte Ga75,5-In-
Legierung einmal geschmolzen ist, so liegt sie im verflüs
sigten Zustand aufgrund der Unterkühlungserscheinung auch
dann vor, wenn die Temperatur den Schmelzpunkt oder einen
tieferen Punkt, z. B. 10°C, erreicht. Die genannte Legie
rung ist eine Flüssigkeit, weshalb das Trägerelement bei
Raumtemperatur in einem gewöhnlichen Laboratorium ohne ein
Erhitzen verbunden werden kann. Ferner wird die oben be
schriebene Legierung nicht im verflüssigten Zustand an der
Einbaustelle der gewöhnlichen Versuchseinrichtung verfe
stigt. Somit wirkt die auf Volumenänderungen in der Legie
rung, die während der Erstarrung hervorgerufen werden,
beruhende Spannung nicht auf die Sichtbarstrahlung-Durchlaß
dickschicht. Aus diesem Grund kann ein Doppelbrechungsindex
im wesentlichen zu Null gemacht werden, wobei dieser Dop
pelbrechungsindex erzeugt wird, wenn die Sichtbarstrahlung-
Durchlaßdickschicht direkt durch einen O-Ring angepreßt
oder die Dickschicht 141 an das Trägerelement 142 geschmol
zen wird. Die optische Verzerrung kann vermindert werden.
Die Fig. 17 ist eine schematische Darstellung einer Ausfüh
rungsform, wobei das Sichtbarstrahlung-Durchlaßfenster die
ser Erfindung zur Anwendung kommt. An der Vakuumbehandlungs
vorrichtung ist ein Ellipsometer angebracht. Die Fig. 17
zeigt einen Vakuumbehälter 144, einen Exhaustor 145, ein
Objekt 146, eine Objekt-Fertigungsvorrichtung 147, eine
Laserlichtquelle 148, optische Bauelemente 149 und 150,
einen Strahlungsempfänger 151 sowie Sichtbarstrahlung-
Durchlaßfenster 152 und 153.
Bei der derart aufgebauten Vorrichtung wird der Vakuumbe
hälter 144 durch den Exhaustor 145 evakuiert. Die Sicht
barstrahlung-Durchlaßfenster 152 und 153 können in ein
Vakuum eingebracht werden, ohne daß auf diese ein Dif
ferenzdruck einwirkt. Deshalb löst sich die Sichtbar
strahlung-Durchlaßdickschicht 141 eines jeden dieser Durch
laßfenster 152 und 153 nicht davon. Wie im Beispiel 12
kann der Doppelbrechungsindex in Übereinstimmung mit dieser
Ausführungsform im wesentlichen zu Null gemacht werden, wo
bei dieser Doppelbrechungsindex dadurch erzeugt wird, daß
die Sichtbarstrahlung-Durchlaßdickschicht 141 direkt durch
den O-Ring einem Druck unterliegt oder die Dickschicht 141
an das Trägerelement 142 geschmolzen wird. Die optische Ver
zerrung kann vermindert werden. Es ist insofern unnötig,
die durch die Sichtbarstrahlung-Durchlaßdickschicht 141
hervorgerufene Verzerrung zu kompensieren. Eine genaue Mes
sung ist durchführbar.
Die Fig. 18 zeigt ein einer Schnittdarstellung ein Vakuum-
UV-Durchlaßfenster in einer weiteren Ausführungsform dieser
Erfindung. Bei diesem Fenster sind ein Vakuum-UV-Durchlaß
fenster-Bauelement 161, ein dieses Element 161 lagerndes
Trägerelement 162, eine Ga75,5-In-Legierung 163, die aus
75,5 Gew.-% an Gallium sowie 24,5 Gew.-% an Indium besteht,
ein Geradführung-Einsetzmechanismus 166, ein Abdichtmate
rial 167 und ein Vakuumbehälter 168 vorhanden. Das Träger
element 162 besitzt ein Fenster und ist aus einem Vakuum
strukturmaterial, wie rostfreier Stahl, oder einer Alumi
niumlegierung gefertigt.
Die Fig. 19 zeigt eine Schnittdarstellung des Vakuum-UV-
Durchlaßfenster-Bauelements 161, das eine Trägersubstanz
164 und eine Vakuum-UV-Durchlaßdünnschicht 165 umfaßt.
Ein Durchmesser der Trägersubstanz beträgt beispielsweise
15 mm. Ein durchlassendes Teil hat einen Durchmesser von
5 mm. Eine Dicke der Vakuum-UV-Durchlaßdünnschicht beträgt
1 µm. Die Trägersubstanz schließt die Verwendung von Si
likon ein. Für die Vakuum-UV-Durchlaßdünnschicht 165 kommen
eine Kalziumfluoridfolie oder eine Saphirfolie zur Anwen
dung.
Im folgenden werden ein Herstellungsverfahren des Vakuum-
UV-Durchlaßfensters und dessen Funktion erläutert. Die Ga
75,5-In-Legierung 163 wird auf das Trägerelement 162 aufge
tragen, um dadurch das Vakuum-UV-Durchlaßfenster-Bauele
ment 161 zu verbinden. Diese Legierung hat einen Schmelz
punkt von 15,7°C. Wenn die Ga75,5-In-Legierung einmal ge
schmolzen worden ist, so liegt sie aufgrund der Unterküh
lungserscheinung in verflüssigtem Zustand auch dann vor,
wenn die Temperatur den Schmelzpunkt oder einen darunter
liegenden Punkt erreicht, z. B. 10°C. Die genannte Legie
rung ist eine Flüssigkeit, und deshalb kann das Trägerele
ment ohne dessen Erhitzen bei Raumtemperatur in einem ge
wöhnlichen Laboratorium verbunden werden. Ferner wird die
erwähnte Legierung nicht im verflüssigten Zustand an der
Einbaustelle der gewöhnlichen Versuchseinrichtung verfe
stigt. Insofern wirkt die auf Volumenänderungen der Legie
rung, die während des Erstarrens hervorgerufen werden,
beruhende Spannung nicht auf die Vakuum-UV-Durchlaßdünn
schicht. Des weiteren wird ein Evakuieren so bewirkt, daß
der Differenzdruck nicht auf die Vakuum-UV-Durchlaßdünn
schicht aufgebracht wird. Insofern wird das Trägerelement
162 durch den Geradführung-Einsetzmechanismus 166 ange
hoben. Die Lufträume IIIa und IIIb werden untereinander
verbunden, und in diesem Zustand beginnt das Evakuieren.
Nachdem die Lufträume IIIa und IIIb ausreichend evakuiert
worden sind, wird das Trägerelement 162 durch den Gerad
führung-Einsetzmechanismus 166 abgesenkt. Mittels des Ab
dichtmaterials 167 wird dann die vakuumdichte Ausbildung
hergestellt. Die Lufträume IIIa und IIIb können dadurch
unter Vakuum getrennt werden. Wenn das Evakuieren auf diese
Weise durchgeführt wird, wird kein Differenzdruck auf die
Vakuum-UV-Durchlaßdünnschicht ausgeübt. Folglich kann
eine Dicke dieser Dünnschicht mit annähernd 100 nm fest
gesetzt werden. Darüber hinaus kann eine Durchlaß-Wellen
längengrenze verkürzt werden.
Die Fig. 20 ist eine schematische Seitenansicht einer Aus
führungsform, wobei das erfindungsgemäße Vakuum-UV-Durchlaß
fenster bei einer Photoreaktion-Behandlungsvorrichtung, die
eine Vakuum-UV-Plasmalichtquelle einschließt, zur Anwen
dung gelangt. Die Fig. 20 zeigt einen Vakuumbehälter 169,
einen Exhaustor 170, einen Gas-Einleitmechanismus 171 zur
Herstellung eines Probenkörpers oder Objekts, einen Va
kuumbehälter 172, einen Exhaustor 173, einen Plasmaanregungs
mechanismus 174, eine Ladungsteilchen-Eliminiereinrichtung
175, eine Gas-Einleitvorrichtung 176, um das Plasma zu er
zeugen, und das Plasma 177. Hierbei ist der Vakuumbehälter
169 mit dem Vakuumbehälter 172 durch Anwendung des im
Beispiel 14 gezeigten Vakuum-UV-Durchlaßfensters (s. Fig. 18)
verbunden.
Bei der Vorrichtung mit diesem Aufbau wird wie im Beispiel
14 das Evakuieren durchgeführt, ohne einen Differenzdruck
zur Wirkung zu bringen. Anschließend kann das Vakuum des
Vakuumbehälters 169 von demjenigen des Vakuumbehälters 172
durch Anwendung des Vakuum-UV-Durchlaßfensters getrennt
werden. Das der Plasmaerzeugung dienende Gas wird durch
die Einleitvorrichtung 176 in den Behälter 172 eingeführt.
Das Plasma wird durch den Anregungsmechanismus 174 erzeugt,
beispielsweise durch Entladung oder einen Laser. Das Va
kuum-UV-Durchlaßfenster überträgt eine Vakuum-UV-Strahlung,
die vom Plasma 177 emittiert wird. Das durch den Einleit
mechanismus 171 eingeführte Gas wird zur Reaktion gebracht,
wodurch das Objekt hergestellt wird. Diese Vorrichtung ist
so konstruiert, daß das Evakuieren ohne Aufbringen eines
Differenzdrucks durchgeführt wird. Deshalb kann die Va
kuum-UV-Durchlaßdünnschicht 165 des UV-Durchlaßfensters
161 so dünn wie annähernd 100 nm gemacht werden. Die Durch
laß-Wellenlängengrenze kann weiter verkürzt werden. Eine
Intensität in der Nachbarschaft der Durchlaß-Wellenlängen
grenze wird erhöht. Auch wird eine Reaktionsgeschwindigkeit
größer. Der Durchsatz in der Herstellung des Objekts wird
gesteigert. Darüber hinaus wird ein Kristallwachstum von
Quecksilber-Kadmium-Tellur für das Objekt durchgeführt oder
wird das Plasma 177 durch eine Quecksilberentladung hervor
gerufen. In einem solchen Fall können anstelle der Ga75,5-
In-Legierung 163 Quecksilber und eine Quecksilber enthalten
de Legierung zur Anwendung kommen. Das bedeutet, daß das
oben genannte Metall und die erwähnte Legierung verwend
bar sind, wenn kein Einfluß auf den Prozeß auch dann ausge
übt wird, wenn die Dampfdrücke des Metalls und der Legie
rung, die für das Verbinden herangezogen werden, hoch sind.
Es ist zu bemerken, daß bei dem Lichtdurchlaß-Vakuumtrenn
fenster, um das Licht herauszuführen, das Lichtdurchlaß
fenster-Bauelement mit dem die Öffnung enthaltenden Träger
element zur Lagerung des Lichtdurchlaßfenster-Bauelements
verbunden ist. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese
Ausführungsform begrenzt, sondern auf einen Fall anwendbar,
wobei zwei Substanzen, die unterschiedliche Wärmedehnungsko
effizienten haben, verbunden werden. Die Anordnung kann
selbstverständlich so getroffen werden, daß keine Spannung
aufgebracht wird.
Eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Weich
strahlen-Durchlaßfensters ist im Schnitt in Fig. 21 darge
stellt, wobei das Fenster ein Weichstrahlen-Durchlaßfenster-
Bauelement 201, das in Fig. 24 gezeigt ist, und ein Trä
gerelement 202 mit einer Öffnung, das das Bauelement 201
lagert, umfaßt. In der Mehrzahl der Fälle besteht das Trä
gerelement 202 aus einem ultrahohen Vakuumstrukturmaterial,
wie rostfreiem Stahl, und einer Aluminiumlegierung. Die Be
zugszahl 203 bezeichnet Gallium. In einer Vakuumkammer
sind ein Druckreduktionsbereich A und ein UHV-Bereich B
vorhanden.
Im folgenden werden ein Herstellungsverfahren für das in
Fig. 21 gezeigte Weichstrahlen-Durchlaßfenster und dessen
Funktion erläutert. Das Trägerelement 202 wird, wenn es er
hitzt ist, mit Gallium 203 beschichtet. Dann wird das Weich
strahlen-Durchlaßfenster-Bauelement 201 verbunden. Die Va
kuumkammer wird normalerweise bei 150°C wärmebehandelt.
Bei der Wärmebehandlung wird das Gallium 203 verflüssigt.
Folglich besteht keine Möglichkeit, daß eine auf einen
Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen dem
Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement 201 und dem die
ses lagernden Trägerelements 202 beruhende Spannung auf
die Weichstrahlen-Durchlaßdünnschicht 32 aufgebracht wird,
wodurch ansonsten diese Schicht 32 beschädigt würde. Eine
Viskosität von Gallium im verflüssigten Zustand beträgt
1,4 mN·s/m2 bei 150°C, und seine Oberflächenspannung ist
706 mN/m. Beispielsweise wird diese Art eines Weichstrahlen-
Durchlaßfenster-Bauelements 201 unter Verwendung von Gal
lium mit einem ICF152-Flansch aus rostfreiem Stahl (SUS304)
verbunden. Selbst bei einer Wärmebehandlung mit 150°C
fließt Gallium nicht aus, und insofern wird das Durchlaß
fenster-Bauelement 201 nicht abgeschält oder abgezogen.
Die Luftdichtheit des UHV-Bereichs B und des Druckreduktions
bereichs A können aufrechterhalten werden. Ferner ist ein
Dampfdruck von Gallium 1,33·10-8 Pa (10-10 Torr) oder weni
ger bei 150°C. Deshalb wird das ultrahohe Vakuum während
der Wärmebehandlung, die notwendig ist, um das ultrahohe
Vakuum zu erreichen, nicht kontaminiert.
Die Fig. 22 zeigt in einer Schnittdarstellung das Hauptteil
des Weichstrahlen-Durchlaßfensters in einer anderen erfin
dungsgemäßen Ausführungsform, wobei mit den Bezugszahlen 201
und 203 dieselben Bauteile wie in Fig. 21 bezeichnet sind.
Ein Trägerelement 205 besitzt eine Öffnung und lagert das
Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement 201. Das aus
sauerstofffreiem Kupfer oder einer Aluminiumlegierung be
stehende Trägerelement 205 dient als eine Dichtung.
Bei dieser Art eines Weichstrahlen-Durchlaßfensters können
ebenfalls dieselben Wirkungen wie diejenigen im Beispiel
16 erlangt werden.
Übrigens ist das Trägerelement mit einem Aufnahmeteil aus
gebildet, um darin das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bau
element aufzunehmen, so daß dieses Bauelement 201 nicht
abgeschält oder abgezogen wird. Jedoch kann das Weichstrah
len-Durchlaßfenster-Bauelement 201 leicht durch einen An
druckstab oder eine Andruckleiste angedrückt werden.
Es ist zu bemerken, daß in der vorstehend gegebenen Beschrei
bung ein Beispiel einer Verbindung des Weichstrahlen-Durchlaß
fenster-Bauelements 201, das die aus Silizium bestehende Trä
gersubstanz und die aus einer Siliziumnitridschicht beste
hende Weichstrahlen-Durchlaßschicht 32 umfaßt, gezeigt ist.
Jedoch werden dieselben Wirkungen auch durch Verbinden eines
Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelements, das eine Träger
substanz aus sauerstofffreiem Kupfer enthält und aus einer
Beryllium-Dünnschicht besteht, unter Verwendung von Gal
lium erlangt. Ferner werden selbstverständlich die gleichen
Effekte auch dann erzielt, wenn ein Weichstrahlen-Durchlaß
fenster-Bauelement,das aus einer dünnen Berylliumfolie be
steht, unter Verwendung von Gallium verbunden wird.
Es wird eine solche Behandlung bewirkt, daß Gallium 203
leicht zu befeuchten ist und eine gute Haftfähigkeit zu den
zu verbindenden Teilen des Trägerelements 205 und des
Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelements 201 hat. Bei
spielsweise wird auf die Oberfläche des Verbindungsteils
des Trägerelements 205 Nickel plattiert. Durch Erhöhen
der Verbindungs- oder Hafteigenschaft kann die Luftdicht
heit somit gesteigert werden.
In Fig. 23 ist schematisch ein Beispiel gezeigt, wobei das
erfindungsgemäße Weichstrahlen-Durchlaßfenster für eine UHV-
Behandlungsvorrichtung bei einem Anbau an eine Röntgenstrah
len-Meßvorrichtung zur Anwendung kommt. Die Fig. 23 zeigt
ein Objekt 211, eine Objekt-Fertigungsvorrichtung 212, eine
UHV-Vorrichtung 213, einen Exhaustor 214, eine Röntgenstrah
len-Anregevorrichtung 215, Absperrschieber 216-221, einen
Exhaustor 222, einen Halbleiterdetektor 223, einen Vakuum
behälter 224, einen Flüssigstickstoffbehälter 225 und ein
Weichstrahlen-Durchlaßfenster 241.
Es wird davon ausgegangen, daß die Röntgen-Meßvorrichtung
durch den Absperrschieber 216 in einem solchen Zustand mon
tiert wird, daß die UHV-Vorrichtung 213 ein ultrahohes Va
kuum in der derart konstruierten Vorrichtung erzeugt. Zu
erst wird ein Röntgenspektrum-Nachweissystem 300 am Absperr
schieber 218 abgetrennt. Dann werden die Absperrschieber 216
und 217 geschlossen, während die Absperrschieber 219 und 220
geöffnet werden. Durch den Absperrschieber auf beiden Seiten
des Weichstrahlen-Durchlaßfensters 241 abgegrenzte Lufträume
Ia und Ib werden gleichzeitig durch den Exhaustor 222 eva
kuiert derart, daß am Weichstrahlen-Durchlaßfenster 241 kein
Differenzdruck zur Wirkung kommt. Dann erfolgt bezüglich
des vom Durchlaßfenster 241 sowie den Absperrschiebern 216
und 219 abgegrenzten Luftraums Ia eine Wärme- oder thermi
sche Trocknungsbehandlung. Auf diese Weise wird ein im
genannten Luftraum enthaltener Wasseranteil vermindert.
Aufgrund der Verwendung des Weichstrahlen-Durchlaßfensters
241 gemäß dieser Erfindung werden in diesem Fall dieselben
Wirkungen wie diejenigen bei den Beispielen 16 und 17 erhal
ten. Nach Abschluß der Wärmebehandlung wird durch den Ab
sperrschieber 218 das Röntgenspektrum-Nachweissystem 300
angeschlossen. Die Absperrschieber 219 und 220 werden ge
schlossen, während der Absperrschieber 221 geöffnet wird.
Ein durch die Absperrschieber 217, 218 und 221 bestimmter
Raum wird durch den Exhaustor 222 in ausreichender Weise
evakuiert. Dann wird der Absperrschieber 221 geschlossen,
während die Absperrschieber 217, 220, 216 und 218 geöffnet
werden. In diesem Zustand ist der HV-Bereich auf der Seite
des Röntgenspektrum-Nachweissystems 300 vom UHV-Bereich auf
der Seite der UHV-Vorrichtung 213 getrennt. Der im Vakuum
auf der Seite des Nachweissystems 300 verbleibende Wasser
gehalt kontaminiert nicht das Vakuum auf der Seite der
UHV-Vorrichtung 213. Durch eine Manipulation der Absperr
schieber, so daß der Differenzdruck nicht zur Wirkung ge
bracht wird, wie oben beschrieben wurde, kann das Weich
strahlen-Durchlaßfenster 241 auf ein Maß so dünn wie annä
hernd 1000 Å reduziert werden. Die weichen Röntgenstrahlen
können leistungsfähig gemessen werden. Es ist deshalb mög
lich, die weichen Röntgenstrahlen, die von den Lichtelemen
ten emittiert werden, in der Größenordnung von 1 keV oder
darunter zu messen. Die Vorgänge des Öffnens und Schließens
der Absperrschieber 216-221 sind nicht auf die oben er
wähnten begrenzt.
Es ist zu bemerken, daß dieselben Wirkungen wie in den je
weils oben besprochenen Beispielen auch bei Verwendung
einer Gallium enthaltenden Legierung anstelle von Gallium,
wie es in den Beispielen 16 und 18 angewendet wird, er
langt werden können. Es wird im folgenden ein Herstellungs
verfahren sowie eine Funktion im Fall der Verwendung einer
als Ersatz für das Gallium 203 im Beispiel 16 (s. Fig. 21)
zur Anwendung gelangenden Legierung gegeben, die aus 75,5
Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium besteht. Diese
Legierung mit den angegebenen Gewichtsanteilen hat einen
Schmelzpunkt von 15,7°C. Wenn die Legierung einmal ge
schmolzen worden ist, liegt sie aufgrund einer Unter
kühlungserscheinung auch dann im verflüssigten Zustand vor,
wenn der Schmelzpunkt oder ein tieferer Punkt, z. B. 10°C,
durch die Temperatur erreicht wird.
Die aus 75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium
bestehende Legierung 203 wird auf das Trägerelement 202 auf
getragen, um das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement
201 zu verbinden. Die genannte Legierung ist eine Flüssig
keit, weshalb das Trägerelement 202 bei Raumtemperatur in
einem gewöhnlichen Laboratorium ohne sein Erhitzen verbunden
werden kann. Die Vakuumkammer unterliegt einer Wärmebehand
lung normalerweise bei 150°C. Die aus 75,5 Gew.-% an Gal
lium und 24,5 Gew.-% an Indium bestehende Legierung 203
nimmt während des Wärmebehandlungsvorgangs einen flüssigen
Zustand an. Somit besteht keine Möglichkeit, wonach die
auf einem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwi
schen dem Durchlaßfenster-Bauelement 201 und dem dieses
Element 201 lagernden Trägerelement 202 beruhende Spannung
auf die Weichstrahlen-Durchlaßschicht 32 aufgebracht wird,
wodurch ansonsten diese Schicht beschädigt würde. Ferner
wird die genannte Legierung im verflüssigten Zustand in
einer Einbaustelle einer üblichen Versuchseinrichtung
nicht verfestigt. Deshalb wirkt die auf Volumenänderungen
der Legierung, die durch das Erstarren hervorgerufen werden,
zurückzuführende Spannung nicht auf die Weichstrahlen-Durch
laßschicht.
Ferner hat die aus 75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-%
an Indium bestehende Legierung eine Viskosität und Oberflä
chenspannung. Das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement
201 wird, wie beispielsweise in Fig. 24 gezeigt ist, mit
einem ICF152-Flansch aus rostfreiem Stahl (SUS304) unter
Verwendung der vorstehend definierten Legierung verbunden.
Diese Legierung mit den oben angegebenen Gewichtsanteilen an
Gallium und Indium fließt auch dann nicht aus, wenn sie
auf 150°C erwärmt wird, und deshalb wird das Durchlaßfen
ster-Bauelement 201 eindeutig festgehalten. Der UHV-Bereich
B und der Druckreduktionsbereich A können luftdicht gehalten
werden. Die aus 75,5 Gew.-% Gallium und 24,5 Gew.-% Indium
bestehende Legierung hat eine höhere Viskosität als Gallium
und ist insofern gut dem rostfreien Stahl (SUS304) angepaßt.
Zusätzlich liegt der Dampfdruck von Gallium oder Indium bei
1,33·10-8 Pa oder darunter bei 150°C. Das ultrahohe Vakuum
wird insofern während des Wärmebehandlungsprozesses, der not
wendig ist, um das ultrahohe Vakuum zu erreichen, nicht
kontaminiert.
Bei der oben gegebenen Beschreibung wurde der Fall der Ver
wendung der Legierung behandelt, die aus 75,5 Gew.-% an Gal
lium und 24,5 Gew.-% an Indium besteht und den minimalen
Schmelzpunkt von 15,7°C hat, wobei diese Legierung als
die Gallium enthaltende Legierung definiert wurde. Die Le
gierung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Wie den Zu
standsdiagrammen der beigefügten Fig. 25 und 26 zu entnehmen
ist, zeigt unter den Gallium-Indium-Legierungen eine sol
che mit einem Gewichtsanteil an Indium, der kleiner als etwa
30% ist, einen Schmelzpunkt von 15,7-29,8°C. Ferner
zeigt unter den Gallium-Zinn-Legierungen eine solche mit
einem Gewichtsanteil an Zinn, der kleiner als etwa 15% ist,
einen Schmelzpunkt von 20,5-29,8°C unter den 29,8°C, d. h.
dem Schmelzpunkt von Gallium. Bei einer Wärmebehandlung wird
die Legierung verflüssigt. Auf die Weichstrahlen-Durchlaß
schicht wird keine Spannung aufgebracht, die auf einem Un
terschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen dem Weich
strahlen-Durchlaßfenster-Bauelement und dem Trägerelement
beruht. Deshalb kann eine Dicke der Weichstrahlen-Durchlaß
schicht soweit wie möglich vermindert werden. Es ist auch
möglich, leistungsfähig die Röntgenstrahlung des Weichstrah
lenbereichs zu übertragen. Ferner zeigen die Gallium-Indium-
und die Gallium-Zinn-Legierung im verflüssigten Zustand eine
Viskosität und Oberflächenspannung. Es ist deshalb ein Auf
rechterhalten der Luftdichtheit des Druckreduktionsbereichs
und des UHV-Bereichs zu erreichen. Ferner haben die Gallium
enthaltenden Legierungen, d. h. die Gallium-Indium- und die
Gallium-Zinn-Legierung, einen niedrigen Dampfdruck bei einer
Wärmebehandlungs- oder thermischen Trocknungstemperatur.
Während des Wärmebehandlungsvorgangs kontaminieren diese Le
gierungen das ultrahohe Vakuum nicht. Deshalb ist eine Wär
mebehandlung, die zum Erreichen des ultrahohen Vakuum not
wendig ist, durchführbar.
Vorstehend wurde beispielhaft der Fall erörtert, wobei das
Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement mit dem eine Öff
nung aufweisenden Trägerelement verbunden wird, um das Durch
laßfenster-Bauelement im Weichstrahlen-Durchlaßfenster zum
Herausführen der weichen Röntgenstrahlen zu lagern. Die An
ordnung ist jedoch keineswegs hierauf beschränkt. Es ist
selbstverständlich möglich, in der Anwendung auf denjeni
gen Fall, wobei zwei Substanzen mit unterschiedlichen Wär
medehnungskoeffizienten verbunden werden, keine Spannung aus
zuüben.
Wie beschrieben wurde, werden erfindungsgemäß die Vakuumbe
reiche durch die Dünnschicht getrennt. Auf der Grundlage die
ser Konstruktion werden die folgenden Effekte hervorgerufen.
Der Durchlaßgrad von Licht im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfen
ster kann erhöht werden. Die Verzerrung und Streuung von
Licht in der Dünnschicht kann darüber hinaus vermindert
werden. Ferner sind die Vakuumbereiche durch das Dünn
schichtelement getrennt. Auf der Grundlage dieser Konstruk
tion werden diejenigen Wirkungen geboten, daß der Durchlaß
grad des Lichts im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster er
höht werden kann. Außerdem können die Verzerrung und Streu
ung im Dünnschichtelement vermindert werden.
Darüber hinaus wird die Dicke der Dünnschicht mit 1 µm oder
darunter festgesetzt. Durch diese Ausbildung werden die fol
genden Effekte erzielt, daß nämlich der Durchlaßgrad des
Lichts gesteigert werden kann und ferner das für die Dünn
schicht verwendete Material keiner Beschränkung unterliegt.
Des weiteren wird für die Dünnschicht ein Wärmebeständigkeits
vermögen gegen über Temperaturen, die gleich oder höher als
100°C sind, vorgesehen. Diese Ausbildung bringt die Wirkun
gen hervor, wonach die Dünnschicht ausgezeichnet auch in
einer Hochtemperaturatmosphäre zu verwenden ist, um Wärme
aufzunehmen, und darüber hinaus kann eine für das ultrahohe
Vakuum notwendige Wärmebehandlung durchgeführt werden.
Ferner wird der Wellenlängenbereich des Lichts so ausgelegt,
daß er ein Röntgenstrahlenbereich wird. Folglich werden Wir
kungen hervorgerufen, daß der Durchlaßgrad der Röntgenstrah
lung gesteigert und ferner die Verzerrung und Streuung der
Röntgenstrahlung in der Dünnschicht vermindert werden können.
Außerdem wird der Röntgenstrahlenbereich so projektiert, daß
er zum weichen Röntgenstrahlenbereich wird. Bei dieser Aus
bildung werden die Wirkungen geboten, wobei der Durchlaßgrad
der weichen Röntgenstrahlung erhöht wird. Ferner können die
Verzerrung und Streuung der weichen Röntgenstrahlung in der
Dünnschicht herabgesetzt werden.
Des weiteren wird der Licht-Wellenlängenbereich so ausgelegt,
daß er zum IR-Strahlenbereich wird. Durch diese Ausbildung
werden die folgenden Effekte erzielt. Der Durchlaßgrad der
IR-Strahlung kann erhöht werden. Darüber hinaus werden die
Verzerrung und Streuung der IR-Strahlung in der Dünn
schicht vermindert.
Darüber hinaus wird der Licht-Wellenlängenbereich so bestimmt,
daß er zum sichtbaren Strahlungsbereich wird. Auf der Grund
lage dieser Ausbildung werden die folgenden Wirkungen er
zielt. Der Durchlaßgrad der sichtbaren Strahlung kann gestei
gert werden. Außerdem können die Verzerrung und Streuung
der sichtbaren Strahlen vermindert werden.
Des weiteren wird der Licht-Wellenlängenbereich so projek
tiert, daß er zum UV-Strahlungsbereich wird. Durch diese
Konstruktion werden die Resultate erzielt, daß der Durchlaß
grad der UV-Strahlung erhöht werden kann, und darüber hinaus
können die Verzerrung und Streuung der UV-Strahlung in der
Dünnschicht herabgesetzt werden.
Außerdem wird der UV-Strahlenbereich so festgelegt, daß er
zum Vakuum-UV-Strahlenbereich wird. Diese Ausbildung führt
zu den folgenden Wirkungen. Der Durchlaßgrad der Vakuum-UV-
Strahlung kann erhöht werden. Weiterhin können die Verzer
rung und Streuung der Vakuum-UV-Strahlung in der Dünnschicht
vermindert werden.
Des weiteren ist die Schicht, die aus Metall oder einer Le
gierung besteht, die eine Flüssigkeit im Temperaturbereich
der zur Anwendung gelangenden Umgebung produzieren, zwischen
der Dünnschicht und dem Trägerelement vorgesehen. Durch diese
Konstruktion werden die folgenden Vorteile erzielt. Es ist
möglich, die auf der mit der Erstarrung einhergehenden Vo
lumenänderung beruhende Spannung an einer Einwirkung auf
die Dünnschicht zu hindern. Es ist auch zu erreichen, ein
Einwirken der Spannung auf die Dünnschicht zu verhindern,
die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwi
schen dem Trägerelement und der Dünnschicht beruht, und
zwar während der Wärmebehandlung, die für das ultrahohe Va
kuum notwendig ist. Insofern kann die Dicke der Dünn
schicht mit 1 um oder weniger festgesetzt werden. Die
Durchlaßgrade des Lichts im weichen Röntgenstrahlungsbereich
und IR-Strahlungsbereichs im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfen
ster werden erhöht. Ferner können die Verzerrung und Streu
ung in der Dünnschicht vermindert werden.
Auch wird die Schicht aus dem Metall oder der Legierung, die eine
Flüssigkeit im Bereich der Temperaturen der zur Anwendung
kommenden Umgebung produzieren, zwischen dem Dünnschicht
element und dem Trägerelement vorgesehen. Durch diesen Auf
bau werden die folgenden Effekte erzielt. Es ist möglich,
ein Einwirken der Spannung, die auf die mit der Erstarrung
einhergehenden Volumenänderung zurückzuführen ist, auf das
Dünnschichtelement zu verhindern. Es ist auch möglich zu
verhindern, daß die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoef
fizienten zwischen dem Trägerelement und dem Dünnschicht
element beruhende Spannung während des für das ultrahohe
Vakuum notwendige Wärmebehandlungsprozesses auf das Dünn
schichtelement einwirkt. Insofern kann die Dicke der Dünn
schicht mit 1 µm oder weniger bestimmt werden. Die Durch
laßgrade des Lichts im weichen Röntgenstrahlungsbereich und
IR-Strahlungsbereich im Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster wer
den gesteigert. Die Verzerrung und Streuung in der Dünn
schicht können außerdem vermindert werden.
Das Metall ist Gallium, während die Legierung eine solche
ist, die Gallium enthält. Durch diese Ausbildung werden die
folgenden Effekte erlangt. Während des Wärmebehandlungspro
zesses können diese ohne Schwierigkeiten geschmolzen werden.
Auf die Licht durchlassende Dünnschicht wird keine Spannung
aufgebracht, die auf den Unterschied im Wärmedehnungskoef
fizienten zwischen dem Trägerelement und der Dünnschicht
oder dem Dünnschichtelement zurückzuführen ist. Die Dicke
der Lichtdurchlaß-Dünnschicht kann soweit wie möglich redu
ziert werden. Es ist möglich, leistungsfähig das Licht,
wie die Röntgenstrahlung des weichen Röntgenstrahlungsbe
reichs und die IR-Strahlung, zu übertragen. Ferner ist es
auch zu erreichen, in bemerkenswerter Weise eine Rate, mit
welcher das Licht der Verzerrung in der Dünnschicht unter
liegt, herabzusetzen. Darüber hinaus kann ein Größenwert
in der Streuung des Lichts in der Dünnschicht verkleinert
werden. Ferner haben Gallium oder die Gallium enthaltende
Legierung im geschmolzenen Zustand eine Viskosität und Ober
flächenspannung. Folglich können die Vakuen getrennt werden.
Des weiteren haben Gallium oder die Gallium enthaltende Le
gierung einen niedrigen Dampfdruck selbst bei der Wärmebe
handlungstemperatur, so daß sie während der Wärmebehandlung
folglich das ultrahohe Vakuum nicht kontaminieren. Eine
Wärmebehandlung, die notwendig ist, um das ultrahohe Vakuum
zu erreichen, kann bewirkt werden.
Darüber hinaus besteht eine Gallium enthaltende Legierung
entweder aus einer Gallium-Indium- oder einer Gallium-Zinn-
Legierung. Die Legierung kann deshalb während des Wärmebe
handlungsvorgangs ohne Schwierigkeiten geschmolzen werden.
Es besteht keine Möglichkeit, daß die auf dem Unterschied
im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen dem Trägerelement und
der Dünnschicht oder dem Dünnschichtelement beruhende Span
nung auf die Dünnschicht aufgebracht wird. Die Dicke der Dünn
schicht kann soweit wie möglich reduziert werden. Es ist
deshalb möglich, das Licht, wie die Röntgenstrahlung des
weichen Strahlenbereichs und die Infrarotstrahlung, leistungs
fähig zu übertragen. Ferner ist auch eine erhebliche Vermin
derung in der Rate zu erreichen, mit welcher das Licht der
Verzerrung in der Dünnschicht unterliegt. Außerdem kann ein
Wert einer Lichtstreuung in der Dünnschicht vermindert wer
den. Des weiteren haben die Gallium-Indium- und die Gallium-
Zinn-Legierung, wenn sie geschmolzen werden, eine Viskosität
und Oberflächenspannung. Folglich können die Vakuen getrennt
werden. Darüber hinaus haben die Gallium-Indium- und die
Gallium-Zinn-Legierung auch bei der Wärmebehandlungstempe
ratur einen niedrigen Dampfdruck, so daß während der Wärme
behandlung, die notwendig ist, um das ultrahohe Vakuum zu
erreichen, dieses ultrahohe Vakuum nicht kontaminiert wird.
Die Gallium-Indium-Legierung ist ferner eine aus 75,5 Gew.-%
Gallium und 24,5 Gew.-% Indium bestehende Legierung. Auf
der Grundlage dieser Ausbildung werden die folgenden Effek
te erzielt. Der Schmelzpunkt kann bis auf 15,7°C vermindert
werden. Deshalb kann die Dicke der Lichtdurchlaß-Dünnschicht
weiter herabgesetzt werden. Es ist möglich, das Licht, wie
die Röntgenstrahlung des weichen Strahlungsbereichs und die
Infrarotstrahlung, mit einer viel höheren Leistungsfähigkeit
zu übertragen. Die Legierung ist eine Flüssigkeit in dem nor
malerweise benutzten Laboratorium und kann deshalb ohne ein
Erhitzen auf das Trägerelement aufgebracht werden. Sowohl
Gallium als auch Indium haben einen niedrigen Dampfdruck
und kontaminieren das ultrahohe Vakuum nicht.
Darüber hinaus ist wenigstens einer aus der Mehrzahl der
Vakuumbereiche so ausgelegt, daß er ein ultrahoher Vakuumbe
reich in der Größenordnung von 1,33·10-5 Pa wird. Durch
diese Auslegung werden die folgenden Effekte erzielt. Der
ultrahohe Vakuumbereich und der Vakuumbereich werden ge
trennt. Der Durchlaßgrad des Lichts kann darüber hinaus ge
steigert werden.
Die Schicht, die aus dem Metall oder der Legierung, welche
eine Flüssigkeit im Bereich der Temperaturen der angewende
ten Umgebung ist, besteht, wird zwischen der Dickschicht,
die das Licht überträgt, und dem Trägerelement vorgesehen.
Auf der Grundlage dieser Konstruktion werden die folgenden
Resultate erzielt. Es besteht keine Notwendigkeit, die
mit dem Schmelzen und Abdichten im O-Ring verbundene Span
nung auf die Dickschicht aufzubringen. Es wird keine Doppel
brechung hervorgerufen. Ferner kann verhindert werden, daß
die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten zwi
schen dem Trägerelement und der Dickschicht beruhende Span
nung während der für das ultrahohe Vakuum notwendigen Wärme
behandlung auf die Dickschicht einwirkt.
Darüber hinaus ist die Schicht, die aus Metall oder einer
Legierung besteht, welche im Temperaturbereich der zur An
wendung kommenden Umgebung eine Flüssigkeit sind, zwischen
dem Dickschichtelement, das das Licht überträgt, und
dem Trägerelement vorgesehen. Die folgenden Wirkungen beru
hen auf dieser Konstruktion. Es besteht kein Zwang, die
mit dem Schmelzen und Abdichten im O-Ring verbundene Span
nung auf das Dickschichtelement aufzubringen. Es wird
keine Doppelbrechung hervorgerufen. Ferner ist es möglich,
ein Einwirken der auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoef
fizienten zwischen dem Trägerelement und der Dickschicht
während der für das ultrahohe Vakuum notwendigen Wärmebehand
lung beruhenden Spannung auf das Dickschichtelement zu ver
hindern.
Ferner ist das Metall Gallium, während die Legierung eine sol
che ist, die Gallium enthält. Durch diese Ausbildung werden
die folgenden Wirkungen erzielt. Die mit dem Schmelzen- oder
Abdichten im O-Ring verbundene Spannung wird nicht auf die
Dickschicht oder das Dickschichtelement übertragen. Deshalb
tritt die Doppelbrechung nicht auf. Darüber hinaus sind
Gallium oder die Gallium enthaltende Legierung ohne weiteres
während des Wärmebehandlungsvorgangs zu schmelzen. Insofern
besteht keine Möglichkeit, wonach die Spannung, die aufgrund
des Unterschieds im Wärmedehnungskoeffizienten zwischen
der Dickschicht oder dem Dickschichtelement und dem Trä
gerelement besteht, auf die Licht durchlassende Dickschicht
aufgebracht wird. Die Lichtdurchlaß-Dickschicht wird nicht
beschädigt. Zusätzlich haben Gallium oder die Gallium ent
haltende Legierung im geschmolzenen Zustand eine gewisse
Viskosität und Oberflächenspannung. Deshalb können die Vakuen
getrennt werden. Ferner haben Gallium oder die Gallium ent
haltende Legierung selbst bei der Wärmebehandlungstemperatur
den niedrigen Dampfdruck, so daß deshalb während der Wärme
behandlung das ultrahohe Vakuum nicht kontaminiert wird.
Es ist möglich, die zum Erreichen des ultrahohen Vakuums
notwendige Wärmebehandlung zu bewirken.
Eine Gallium enthaltende Legierung besteht ferner aus ent
weder der Gallium-Indium- oder der Gallium-Zinn-Legierung.
Deshalb kann die Legierung während des Wärmebehandlungsvor
gangs geschmolzen werden. Es besteht keine Möglichkeit,
wonach die auf dem Unterschied im Wärmedehnungskoeffizienten
zwischen dem Trägerelement und der Dickschicht oder dem
Dickschichtelement beruhende Spannung auf die Dickschicht
aufgebracht wird. Die Verzerrung und Streuung von Licht in
der Dickschicht können vermindert werden. Ferner haben die
Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung im geschmol
zenen Zustand die Viskosität und Oberflächenspannung. Folg
lich können die Vakuen getrennt werden. Darüber hinaus
haben die Gallium-Indium- und die Gallium-Zinn-Legierung
auch bei der Wärmebehandlungstemperatur den niedrigen
Dampfdruck, so daß sie während einer Wärmebehandlung das
ultrahohe Vakuum nicht kontaminieren. Eine Wärmebehandlung,
die zum Erreichen von ultrahohem Vakuum notwendig ist, kann
bewirkt werden.
Die Gallium-Indium-Legierung ist außerdem eine solche, die
aus 75,5 Gew.-% Gallium und 24,5 Gew.-% Indium besteht.
Aufgrund dieser Ausbildung werden die folgenden Wirkungen
erzielt. Der Schmelzpunkt kann auf 15,7°C abgesenkt werden.
Beispielsweise wird die erwähnte Legierung im verflüssigten
Zustand an ihrer Verwendungsstelle in der üblichen Versuchs
einrichtung nicht verfestigt. Die Spannung, die auf Volumen
änderungen der Legierung, welche während des Erstarrens
hervorgerufen werden, beruht, wird nicht an der Dickschicht
zur Wirkung gebracht. Deshalb tritt in der Dickschicht oder
dem Dickschichtelement eine Doppelbrechung nicht auf. Dar
über hinaus kann die Legierung am Trägerelement ohne ein
Erhitzen aufgebracht werden. Ferner haben Gallium und Indium
einen niedrigen Dampfdruck, so daß sie das ultrahohe Vakuum
nicht kontaminieren.
Des weiteren ist wenigstens einer aus den mehreren Vakuum
bereichen so ausgelegt, daß er zu einem ultrahohen Vakuum
bereich in der Größenordnung von 1,33·10-5 Pa oder größer
wird. Folglich werden der ultrahohe Vakuumbereich und der
Vakuumbereich getrennt. Der Durchlaßgrad des Lichts wird
weiter gesteigert.
Darüber hinaus wird das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bau
element mit dem die Öffnung aufweisenden Trägerelement ver
bunden, um das Weichstrahlen-Durchlaßfenster-Bauelement
mittels Gallium oder der Gallium enthaltenden Legierung
zu lagern oder zu halten. Deshalb werden die folgenden Ef
fekte hervorgerufen. Es ist möglich, die Röntgenstrahlung des
weichen Strahlungsbereichs leistungsfähig zu übertragen und
die Luftdichtheit des Druckreduktions- sowie des ultrahohen
Vakuumbereichs aufrechtzuerhalten. Ferner ist eine Wärme
behandlung durchführbar, die notwendig ist, um das ultrahohe
Vakuum zu erlangen.
Außerdem ist die Gallium enthaltende Legierung eine solche,
die 75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium ent
hält. Deshalb ist der Schmelzpunkt so niedrig wie 15,7°C.
Die Dicke der Weichstrahl-Durchlaßschicht kann weiter
vermindert werden. Es ist eine Übertragung der Röntgen
strahlung des Weichstrahlungsbereichs mit einer viel hö
heren Leistungsfähigkeit zu erreichen.
Erfindungsgemäß wird ein Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster
offenbart, um einen Vakuumbereich in eine Mehrzahl von Va
kuumbereichen durch eine Schicht oder Folie zu trennen, die
das Licht eines Wellenlängenbereichs, wie eines Röntgen
strahlen- und eines IR-Strahlenbereichs, durchläßt. Dieses
Vakuumtrennfenster umfaßt eine Dünnschicht, die das Licht
überträgt. Der Vakuumbereich wird in eine Mehrzahl von Va
kuumbereichen durch diese Dünnschicht geteilt. Das Licht
ist eines aus einer Röntgen-, einer Infrarot-, einer sicht
baren und einer ultravioletten Strahlung. Ein Metall oder
eine Legierung, die in einem Temperaturbereich einer zur
Anwendung gelangenden Umgebung eine Flüssigkeit produzieren,
kann zwischen der Dünnschicht und dem Trägerelement, das
die Dünnschicht lagert, vorgesehen werden. Dieses Metall
ist vorzugsweise Gallium. Die Legierung enthält bevorzugter
weise Gallium und besteht in noch mehr bevorzugter Weise aus
75,5 Gew.-% Gallium sowie 24,5 Gew.-% Indium.
Wenngleich die erläuternden Ausführungsformen der vorlie
genden Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeich
nungen beschrieben wurden, so sollte klar sein, daß diese
Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen begrenzt ist.
Verschiedene Änderungen oder Abwandlungen können bei Kennt
nis der durch die Erfindung vermittelten Lehre vom Fachmann
auf dem einschlägigen Gebiet durchgeführt werden, ohne den
Rahmen der Erfindung zu verlassen.
Claims (23)
1. Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster, gekennzeichnet durch
- - eine das Licht durchlassende Dünnschicht und
- - eine Trägersubstanz, die diese Dünnschicht trägt, wo durch eine Trennung in eine Mehrzahl von Vakuumbereichen bewirkt wird.
2. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Dicke der Dünnschicht 1 um oder weniger beträgt.
3. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dünnschicht ein Hitzebeständigkeitsvermögen gegen
über Temperaturen von 100°C oder darüber besitzt.
4. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wellenlängenbereich des Lichts ein Röntgenstrah
lenbereich ist.
5. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Röntgenstrahlenbereich ein Bereich weicher Rönt
genstrahlen ist.
6. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wellenlängenbereich des Lichts ein Infrarotstrah
lenbereich ist.
7. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wellenlängenbereich ein Bereich sichtbarer Strah
len ist.
8. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wellenlängenbereich ein Bereich von Ultraviolett
strahlen ist.
9. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ultraviolettstrahlenbereich ein Vakuum-UV-Strah
lenbereich ist.
10. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Metall oder eine Legierung, das/die eine Flüssig
keit in einem Temperaturbereich einer zur Anwendung kom
menden Umgebung produziert, zwischen der Dünnschicht und
einem Trägerelement vorgesehen ist, um die Dünnschicht
zu lagern.
11. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Metall oder eine Legierung, das/die eine Flüssig
keit in einem Temperaturbereich einer zur Anwendung kom
menden Umgebung produziert, zwischen dem Dünnschichtele
ment und dem Trägerelement vorgesehen ist, um das Dünn
schichtelement zu lagern.
12. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß das Metall Gallium und die Legierung eine solche ist,
die Gallium enthält.
13. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gallium enthaltende Legierung entweder eine Gal
lium-Indium- oder eine Gallium-Zinn-Legierung ist.
14. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gallium-Indium-Legierung eine solche ist, die
75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an Indium enthält.
15. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens einer aus der Mehrzahl der Vakuumbereiche
ein Ultrahochvakuumbereich in der Größenordnung von
1,33·10-5 Pa (10-7 Torr) ist.
16. Lichtdurchlaß-Vakuumtrennfenster gekennzeichnet durch
- - eine das Licht durchlassende Dickschicht,
- - ein diese Dickschicht tragendes Trägerelement und
- - ein Metall oder eine Legierung, das/die zwischen der Dickschicht sowie dem Trägerelement vorgesehen ist und in einem Temperaturbereich einer zur Anwendung kommenden Um gebung eine Flüssigkeit produziert, wobei durch die Dick schicht eine Trennung in eine Mehrzahl von Vakuumbereichen bewirkt wird.
17. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dickschicht an einer Trägersubstanz gelagert ist.
18. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß das Metall Gallium und die Legierung eine Gallium ent
haltende Legierung ist.
19. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gallium enthaltende Legierung entweder eine Gallium-
Indium- oder eine Gallium-Zinn-Legierung ist.
20. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 19, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Gallium-Indium-Legierung eine solche
ist, die 75,5 Gew.-% an Gallium und 24,5 Gew.-% an In
dium enthält.
21. Vakuumtrennfenster nach Anspruch 16, dadurch gekenn
zeichnet, daß wenigstens einer aus der Mehrzahl der Va
kuumbereiche ein Ultrahochvakuumbereich in der Größen
ordnung von 1,33·10-5 Pa (10-7 Torr) ist.
22. Weiche Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster, um eine
weiche Röntgenstrahlung bei einem Druckreduktionsbereich
und einem Ultrahochvakuumbereich, die in einer Vakuum
kammer abgetrennt sind, herauszuführen, gekennzeichnet
durch
- - ein weiche Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster-Bau element und
- - ein eine Öffnung enthaltendes Trägerelement, das das weiche Röntgenstrahlen durchlassende Fenster-Bauele ment lagert, wobei das weiche Röntgenstrahlen durchlas sende Fenster-Bauelement mit dem Trägerelement unter Verwendung von Gallium oder einer Gallium enthaltenden Legierung verbunden ist.
23. Weiche Röntgenstrahlen durchlassendes Fenster nach
Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Gallium
enthaltende Legierung eine solche ist, die aus
75,5 Gew.-% Gallium und 24,5 Gew.-% Indium besteht.
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