JPH03128499A - 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 - Google Patents
放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
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- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超ＬＳＩ等
の回路パターンをＳｉウェハ等の被露光板状体に転写せ
しめる露光装置における放射光透過薄膜の製造方法及び
その方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射
光透過窓に関するものである。
の回路パターンをＳｉウェハ等の被露光板状体に転写せ
しめる露光装置における放射光透過薄膜の製造方法及び
その方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射
光透過窓に関するものである。
半導体（ＬＳＩ）の高集積化技術の進歩に伴い、マスク
上のパターンをレジストを付着したＳｉウェハの上に転
写する半導体リソグラフィ装置において、軟Ｘ線を含む
シンクロトロンの放射光の利用が注目されるようになっ
た。
上のパターンをレジストを付着したＳｉウェハの上に転
写する半導体リソグラフィ装置において、軟Ｘ線を含む
シンクロトロンの放射光の利用が注目されるようになっ
た。
この放射光は、第６図で示されるように、高真空の電子
線蓄積リング（１００）内で光速に近い速さの電子を偏
向磁石（１０１）の磁界により曲げた時に電子軌道の接
線方向に放射される電磁波であるが、平行性がよく、且
つ強い軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラ
スになる超ＬＳＩリソグラフィのＸａ源として期待され
ている。
線蓄積リング（１００）内で光速に近い速さの電子を偏
向磁石（１０１）の磁界により曲げた時に電子軌道の接
線方向に放射される電磁波であるが、平行性がよく、且
つ強い軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラ
スになる超ＬＳＩリソグラフィのＸａ源として期待され
ている。
シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置では、電
子蓄積リング（１００）から発生せられた放射光がビー
ムライン（１０２）を通って転写装置（１１０）内に導
かれ、その内部でＸ線マスク（図示なし）のパターンを
ウェハ酢動ステージ（図示なし）等を用いてウェハ上の
レジストに転写する構成となっている６ ビームライン（１０２）の内部は、電子蓄積リング（１
００）に悪影響を及ぼさないように高真空に保たれてお
り、一方、転写装置（１１０）は、マスクの温度上昇を
抑えるため、その周りをチャンバ（１１１）で囲んで内
部が大気や他のガス（Ｘ線吸収の少ないヘリウムガス等
）で満たされている。シンクロトロン放射光の光源側（
図では電子蓄積リング（１００）とビームライン（１０
２））と転写装置（１１０）との間には、前者の高真空
と後者の雰囲気とを隔て、且つ放射光の一部を透過可能
なベリリウム薄膜等で構成される放射光透過薄膜Ｘのあ
る放射光透過窓（２００）が設けられている。
子蓄積リング（１００）から発生せられた放射光がビー
ムライン（１０２）を通って転写装置（１１０）内に導
かれ、その内部でＸ線マスク（図示なし）のパターンを
ウェハ酢動ステージ（図示なし）等を用いてウェハ上の
レジストに転写する構成となっている６ ビームライン（１０２）の内部は、電子蓄積リング（１
００）に悪影響を及ぼさないように高真空に保たれてお
り、一方、転写装置（１１０）は、マスクの温度上昇を
抑えるため、その周りをチャンバ（１１１）で囲んで内
部が大気や他のガス（Ｘ線吸収の少ないヘリウムガス等
）で満たされている。シンクロトロン放射光の光源側（
図では電子蓄積リング（１００）とビームライン（１０
２））と転写装置（１１０）との間には、前者の高真空
と後者の雰囲気とを隔て、且つ放射光の一部を透過可能
なベリリウム薄膜等で構成される放射光透過薄膜Ｘのあ
る放射光透過窓（２００）が設けられている。
第７図は、このような放射光透過薄膜Ｘの取付けられた
放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に示す
ように、ビームライン（１０２）の真空フランジ（１０
３）に○リング（４０）を介して放射光透過薄膜Ｘの周
辺部が取付けられ、更にその上から止めフランジ（１０
４）をクランプ（１０５）によって圧着せしめている。
放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に示す
ように、ビームライン（１０２）の真空フランジ（１０
３）に○リング（４０）を介して放射光透過薄膜Ｘの周
辺部が取付けられ、更にその上から止めフランジ（１０
４）をクランプ（１０５）によって圧着せしめている。
放射光の照射によってマスクパターンの転写を行なう場
合に、実用的なスループットを得るためには、放射光透
過薄膜Ｘの膜厚を薄くして。
合に、実用的なスループットを得るためには、放射光透
過薄膜Ｘの膜厚を薄くして。
強い放射光を大きな面積にわたって照射することが重要
である。
である。
しかし、ビームライン（１０２）内と転写装置のチャン
バ（１１１）内界囲気との間にはかなりの圧力差がある
ため、放射光透過薄膜Ｘは撓み、図示したようにビーム
ライン（１０２）側に膨出することになる。その撓み量
は、膜厚が薄い程、また、膜面積が大きい程大きくなり
、上記放射光透過窓の構成では、膜層辺部はその半径方
向に引っ張られ、ずれることになる。その時０リング（
４０）による弱い締め付けでは放射光透過薄膜Ｘに皺を
生じるため、この皺を作る力によって０リング（４０）
が持ち上げられ、隙間を生じることになる。このためガ
ス漏れが発生し、電子蓄積リング（１００）内を高真空
状態に保っておくことができなくなり、稼動不可能にな
ることがある。
バ（１１１）内界囲気との間にはかなりの圧力差がある
ため、放射光透過薄膜Ｘは撓み、図示したようにビーム
ライン（１０２）側に膨出することになる。その撓み量
は、膜厚が薄い程、また、膜面積が大きい程大きくなり
、上記放射光透過窓の構成では、膜層辺部はその半径方
向に引っ張られ、ずれることになる。その時０リング（
４０）による弱い締め付けでは放射光透過薄膜Ｘに皺を
生じるため、この皺を作る力によって０リング（４０）
が持ち上げられ、隙間を生じることになる。このためガ
ス漏れが発生し、電子蓄積リング（１００）内を高真空
状態に保っておくことができなくなり、稼動不可能にな
ることがある。
また、締め付けの力が不均一な場合、当然のことながら
、皺の発生はより顕著となり、安定に動作する放射光透
過窓を、薄膜Ｘを用いて歩留りよく作成することは極め
て困難となる。
、皺の発生はより顕著となり、安定に動作する放射光透
過窓を、薄膜Ｘを用いて歩留りよく作成することは極め
て困難となる。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案された
もので、特定の構造を有する放射光透過薄膜の製造方法
を提供すると共に、その方法によって製造された放射光
透過薄膜を用い。
もので、特定の構造を有する放射光透過薄膜の製造方法
を提供すると共に、その方法によって製造された放射光
透過薄膜を用い。
取付は部での膜のずれの発生がなく、従って、隙間の生
じないような放射光透過窓を実現するものである。
じないような放射光透過窓を実現するものである。
従来技術での上記の問題点は、放射光透過薄膜ｘが０リ
ング（４０）を介して真空フランジ（１０３）と止めフ
ランジ（１０４）によって機械的に圧着されているにす
ぎず、取付は部は完全に不動構造ではなく、このために
強い応力が作用すると、ずれが発生することに起因する
。従って、薄膜Ｘを真空フランジ（１０３）もしくは止
めフランジ（１０４）のいずれか一方に完全な不動状態
で取付けることによって上記の問題点を解決することが
可能となる。
ング（４０）を介して真空フランジ（１０３）と止めフ
ランジ（１０４）によって機械的に圧着されているにす
ぎず、取付は部は完全に不動構造ではなく、このために
強い応力が作用すると、ずれが発生することに起因する
。従って、薄膜Ｘを真空フランジ（１０３）もしくは止
めフランジ（１０４）のいずれか一方に完全な不動状態
で取付けることによって上記の問題点を解決することが
可能となる。
本発明は、第１図（ａ）に示すように、ベリリウム金属
の薄膜（１）を平滑な基板（２）上に、真空蒸着法等の
物理的手法やめっき法等の化学的手法で、広い面積にわ
たり、強固に、均一に付着せしめつつ、成長させ、成長
後に該基板（２）をその周辺部を残してエツチング等の
手法で除去し、第１図（ｂ）に示すような、放射光透過
及び雰囲気隔離作用を有する薄膜（１）と該薄膜（１）
の取付けられた基板（２）の残存枠部（２ａ）の一体構
造体を作成することにより、薄膜（１）を不動状態とし
たことを特徴とし、これにより、薄膜（１）と枠部（２
ａ）間のずれに伴う隙間の発生が防止できる。
の薄膜（１）を平滑な基板（２）上に、真空蒸着法等の
物理的手法やめっき法等の化学的手法で、広い面積にわ
たり、強固に、均一に付着せしめつつ、成長させ、成長
後に該基板（２）をその周辺部を残してエツチング等の
手法で除去し、第１図（ｂ）に示すような、放射光透過
及び雰囲気隔離作用を有する薄膜（１）と該薄膜（１）
の取付けられた基板（２）の残存枠部（２ａ）の一体構
造体を作成することにより、薄膜（１）を不動状態とし
たことを特徴とし、これにより、薄膜（１）と枠部（２
ａ）間のずれに伴う隙間の発生が防止できる。
前記一体構造体の枠部（２ａ）は、第２図に示すように
Ｏリング（４）等を介してビームラインの真空フランジ
（３）に、通常の真空シールを行なう手法によりボルト
等で締め付けられ、放射光透過窓として完成される。
Ｏリング（４）等を介してビームラインの真空フランジ
（３）に、通常の真空シールを行なう手法によりボルト
等で締め付けられ、放射光透過窓として完成される。
添付図面に従い、本発明の具体的実施例を以下に説明す
る。
る。
第３図（ａ）に示すように、直径５０ｍｍで厚さが３ｍ
ｍあり、その中央に径３０ｍｍ、深さ２．７１Ｔｎの凹
みを持った無酸素銅製（純度９９．９９％）の基板（２
０）を準備し、その一部に、第３図（ｂ）に示すように
金ペースト（２１）を塗布し、乾燥後、銅板の平坦な面
上に真空蒸着により、ベリリウム（１０）を約２０μｍ
の厚みで製膜した。真空蒸着装置より取出し、銅に関し
ては可溶であり且つベリリウムと金は不溶な濃硝酸によ
って、露出した網部分をエツチングし、第３図（ｃ）に
示すような、窓作用をするベリリウム薄膜（１ｏ）と無
酸素銅の残存枠部（２０ａ）の一体構造体を作成した。
ｍあり、その中央に径３０ｍｍ、深さ２．７１Ｔｎの凹
みを持った無酸素銅製（純度９９．９９％）の基板（２
０）を準備し、その一部に、第３図（ｂ）に示すように
金ペースト（２１）を塗布し、乾燥後、銅板の平坦な面
上に真空蒸着により、ベリリウム（１０）を約２０μｍ
の厚みで製膜した。真空蒸着装置より取出し、銅に関し
ては可溶であり且つベリリウムと金は不溶な濃硝酸によ
って、露出した網部分をエツチングし、第３図（ｃ）に
示すような、窓作用をするベリリウム薄膜（１ｏ）と無
酸素銅の残存枠部（２０ａ）の一体構造体を作成した。
この一体構造体を、第４図（ａ）に示すように、口径３
０圃のビームライン（１０２ａ）の真空フランジ（３０
）に、フッ素ゴム製のＯリング（４ｏ）を介して取付け
、放射光透過窓とした。同図で、（１０４ａ）は転写装
置側のチャンバ、（５ｏ）はクリップである。該クリッ
プ本体の８箇所に穿設されたボルト孔（５１）にボルト
（５２）を貫通せしめ、第４図（ｂ）に示すように、８
本のボルト（５２）を真空フランジ（３０）のボルト螺
入孔（３１）に螺着せしめている。
０圃のビームライン（１０２ａ）の真空フランジ（３０
）に、フッ素ゴム製のＯリング（４ｏ）を介して取付け
、放射光透過窓とした。同図で、（１０４ａ）は転写装
置側のチャンバ、（５ｏ）はクリップである。該クリッ
プ本体の８箇所に穿設されたボルト孔（５１）にボルト
（５２）を貫通せしめ、第４図（ｂ）に示すように、８
本のボルト（５２）を真空フランジ（３０）のボルト螺
入孔（３１）に螺着せしめている。
上記の実施例では、Ｏリング（４０）とベリリウム薄膜
（１０）は接触状態にあるが、残存枠部（２０ａ）の一
部がベリリウム（１０）に覆われずに露出した状態にな
るようにこれらを形成せしめれば、第５図（ａ）に示す
ように、０リング（４０）とベリリウム薄膜（１０）を
接触させないようにすることも可能であり、これにより
、窓を組立てる際にベリリウム薄膜（ｌＯ）を破損する
危険性が除去されるため、さらに安定した放射光透過窓
の作成が可能となる。さらに、５図（ｂ）に示すように
、ナイフェツジ（３２）を有するフランジ（３０ａ）
（５０ａ）で枠部（２０ａ ）を締め付け、Ｏリングを
用いないで作成することも可能である。これらの図では
、金ペースト（２１）は示されていないが、ナイフェツ
ジ（３２）で締め付ける構造をとる場合には、締め付け
る前にラッピング等で除去するほうが望ましい。これら
の構造は、ベリリウム薄膜（１０）と枠部（２０ａ）が
一体構造になることによってのみ実現されるものである
。
（１０）は接触状態にあるが、残存枠部（２０ａ）の一
部がベリリウム（１０）に覆われずに露出した状態にな
るようにこれらを形成せしめれば、第５図（ａ）に示す
ように、０リング（４０）とベリリウム薄膜（１０）を
接触させないようにすることも可能であり、これにより
、窓を組立てる際にベリリウム薄膜（ｌＯ）を破損する
危険性が除去されるため、さらに安定した放射光透過窓
の作成が可能となる。さらに、５図（ｂ）に示すように
、ナイフェツジ（３２）を有するフランジ（３０ａ）
（５０ａ）で枠部（２０ａ ）を締め付け、Ｏリングを
用いないで作成することも可能である。これらの図では
、金ペースト（２１）は示されていないが、ナイフェツ
ジ（３２）で締め付ける構造をとる場合には、締め付け
る前にラッピング等で除去するほうが望ましい。これら
の構造は、ベリリウム薄膜（１０）と枠部（２０ａ）が
一体構造になることによってのみ実現されるものである
。
このようにして作成された放射光透過窓では、ビームラ
イン（１０２ａ）側と転写装置のチャンバ（１０４ａ）
側に大きな圧力差が存在し、これに伴う応力がベリリウ
ム薄膜（１０）に働いても、不動状態が実現されている
ため、薄膜（１０）の取付けられた残存枠部（２０ａ）
面上でのずれは、該薄膜（１ｏ）が破壊される程の大き
な応力が作用しない限り発生せず、ビームライン（１０
２ａ）の高真空状態は保持される。
イン（１０２ａ）側と転写装置のチャンバ（１０４ａ）
側に大きな圧力差が存在し、これに伴う応力がベリリウ
ム薄膜（１０）に働いても、不動状態が実現されている
ため、薄膜（１０）の取付けられた残存枠部（２０ａ）
面上でのずれは、該薄膜（１ｏ）が破壊される程の大き
な応力が作用しない限り発生せず、ビームライン（１０
２ａ）の高真空状態は保持される。
本実施例では、基板材料として無酸素銅、エツチング溶
液として濃硝酸を使用して説明したが、本発明の主旨は
、薄膜とこれを取付けた残存枠部の一体構造体を基本構
成要件として用いることにあり、それに使用される材料
がこれらに限定されるというものではない。また、ベリ
リウム薄膜の製膜法も、真空蒸着法に限定されるもので
はなく、基板との付着力を向上させるため、イオンブレ
ーティング等の方法を用いることも可能である。
液として濃硝酸を使用して説明したが、本発明の主旨は
、薄膜とこれを取付けた残存枠部の一体構造体を基本構
成要件として用いることにあり、それに使用される材料
がこれらに限定されるというものではない。また、ベリ
リウム薄膜の製膜法も、真空蒸着法に限定されるもので
はなく、基板との付着力を向上させるため、イオンブレ
ーティング等の方法を用いることも可能である。
以上詳述したように、本発明の放射光透過薄膜の製造方
法によれば、放射光源側の高真空と転写装置側の雰囲気
との間を隔て、且つ放射光を透過せしめる機能を持った
放射光透過薄膜の周辺取付は部を不動構造とすることが
できる。
法によれば、放射光源側の高真空と転写装置側の雰囲気
との間を隔て、且つ放射光を透過せしめる機能を持った
放射光透過薄膜の周辺取付は部を不動構造とすることが
できる。
又、第２発明は周辺取付は部が不動構造となった放射光
透過薄膜をビームラインに取付けているため、該取付は
部での隙間の発生がなく、従って、窓破損に伴うガス漏
れが著しく低減され。
透過薄膜をビームラインに取付けているため、該取付は
部での隙間の発生がなく、従って、窓破損に伴うガス漏
れが著しく低減され。
強い軟Ｘ線を用いつつ、安定したＸ線リソグラフィを可
能ならしめるという効果を示す。
能ならしめるという効果を示す。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の構成を示す説明図、第２
図はそれを取付けた第２発明に係る放射光透過窓の一例
を示す断面図、第３図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発明
の一実施例に係るベリリウム薄膜と残存枠部の形成方法
を示す説明図、第４図（ａ）は第２発明の実施例の構成
を示す断面図、同図（ｂ）は該実施例の窓右側面図、第
５図（ａ）（ｂ）は第２発明の他の実施例を示す断面図
、第６図はシンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装
置の構成の概略図、第７図は放射光透過窓の従来構造を
示す断面図である。 図中、（１）（ｔｏ）はベリリウム薄膜、（２） （２
０）は基板、 （２ａ）（２０ａ）は残存枠部、（３）
（３０） （３０ａ）はフランジ、（４） （４０）
は○リング、（５） （５０） （５０ａ）はクリップ
、（１０２） （１０２ａ）はビームライン、（１０３
）は真空フランジ、 （１０４）は止めフランジ、（１
１０）は転写装置、（１１１）はチャンバをそれぞれ示
す。 第 １ 図 第 １ 図 第 ３ 図 （ａ） ？０ 第 ２ 図 槍 ４ （ａ） 図 犯４ａ 第 図 第 図（ａ） 第 図 （ｂ）
図はそれを取付けた第２発明に係る放射光透過窓の一例
を示す断面図、第３図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発明
の一実施例に係るベリリウム薄膜と残存枠部の形成方法
を示す説明図、第４図（ａ）は第２発明の実施例の構成
を示す断面図、同図（ｂ）は該実施例の窓右側面図、第
５図（ａ）（ｂ）は第２発明の他の実施例を示す断面図
、第６図はシンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装
置の構成の概略図、第７図は放射光透過窓の従来構造を
示す断面図である。 図中、（１）（ｔｏ）はベリリウム薄膜、（２） （２
０）は基板、 （２ａ）（２０ａ）は残存枠部、（３）
（３０） （３０ａ）はフランジ、（４） （４０）
は○リング、（５） （５０） （５０ａ）はクリップ
、（１０２） （１０２ａ）はビームライン、（１０３
）は真空フランジ、 （１０４）は止めフランジ、（１
１０）は転写装置、（１１１）はチャンバをそれぞれ示
す。 第 １ 図 第 １ 図 第 ３ 図 （ａ） ？０ 第 ２ 図 槍 ４ （ａ） 図 犯４ａ 第 図 第 図（ａ） 第 図 （ｂ）
Claims (4)
- （１）基板上にベリリウムの薄膜を成長せしめた後に、
その反対側から、周辺の枠部を残しつつそれ以外の基板
部分を除去し、ベリリウム薄膜露出部及び残存枠部より
なる一体構造体とすることを特徴とする放射光透過薄膜
の製造方法。 - （２）基板が無酸素銅であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の放射光透過薄膜の製造方法。 - （３）ベリリウム薄膜を真空蒸着法によって成長せしめ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第２項記
載の放射光透過薄膜の製造方法。 - （４）シンクロトロン放射光を高真空のビームラインか
ら外部の雰囲気中に取り出す放射光透過窓において、特
許請求の範囲第１項乃至第３項記載の製造方法により一
体構造体として製造された放射光透過薄膜を、その残存
枠部をビームラインの真空フランジに圧着せしめてそこ
に取付けたことを特徴とする放射光透過窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265079A JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265079A JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128499A true JPH03128499A (ja) | 1991-05-31 |
| JPH0830760B2 JPH0830760B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17412308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265079A Expired - Lifetime JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830760B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4301146A1 (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JP2001307669A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Shimadzu Corp | 軟ｘ線発生装置及びｘ線検査装置 |
| JP2007253083A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ebara Corp | 攪拌曝気装置、汚水処理場 |
| JP2011033396A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 窓構造体、電子線出射装置及びｘ線出射装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353200A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1265079A patent/JPH0830760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353200A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4301146A1 (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US5317618A (en) * | 1992-01-17 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light transmission type vacuum separating window and soft X-ray transmitting window |
| DE4301146C2 (de) * | 1992-01-17 | 1998-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Strahlungsdurchlaß-Vakuumtrennfenster und seine Verwendung |
| JP2001307669A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Shimadzu Corp | 軟ｘ線発生装置及びｘ線検査装置 |
| JP2007253083A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ebara Corp | 攪拌曝気装置、汚水処理場 |
| JP2011033396A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 窓構造体、電子線出射装置及びｘ線出射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830760B2 (ja) | 1996-03-27 |
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