JPH0475335A - 原子加工法 - Google Patents
原子加工法Info
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- JPH0475335A JPH0475335A JP18968790A JP18968790A JPH0475335A JP H0475335 A JPH0475335 A JP H0475335A JP 18968790 A JP18968790 A JP 18968790A JP 18968790 A JP18968790 A JP 18968790A JP H0475335 A JPH0475335 A JP H0475335A
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- atoms
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳｉウェーハの新しいエツチング加工法に関す
る。
る。
従来、Ｓｉウェーハのエツチングは、ｓｉウェーハ表面
にホト・レジスト膜を塗布し、該ホト・レジスト膜を図
形状に露光・現象後、残存レジスト膜をマスクとしてＨ
Ｆ＋ＨＮＯ３エッチ液やＫＯＨ液あるいはフレオン−ブ
ラスマに晒してエツチングするのが通例であった。
にホト・レジスト膜を塗布し、該ホト・レジスト膜を図
形状に露光・現象後、残存レジスト膜をマスクとしてＨ
Ｆ＋ＨＮＯ３エッチ液やＫＯＨ液あるいはフレオン−ブ
ラスマに晒してエツチングするのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、エツチングｌ＋や深さ
が大きく、量子効果素子の製作には向かないと云う課題
や、レジスト膜形成・処理工程を要する等の課題もあっ
た。
が大きく、量子効果素子の製作には向かないと云う課題
や、レジスト膜形成・処理工程を要する等の課題もあっ
た。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、レジスト膜
形成・処理工程を要せず、且つ量子効果素子の製作に適
した新しいＳｉウェーハのエツチング法を提供する事を
目的とする。
形成・処理工程を要せず、且つ量子効果素子の製作に適
した新しいＳｉウェーハのエツチング法を提供する事を
目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、原子加工法に関
し、シリコン単結晶ウェーハ表面に弗素又は塩素原子を
ターミネイトさせ、該ターミネイトされた弗素原子に電
子線を照射して、下地Ｓ１原子を１個づつエツチングす
る手段を取る。
し、シリコン単結晶ウェーハ表面に弗素又は塩素原子を
ターミネイトさせ、該ターミネイトされた弗素原子に電
子線を照射して、下地Ｓ１原子を１個づつエツチングす
る手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示すＳｉ単結晶基板の原
子エツチングの工程順の模式図を示したものである。す
なわち、（ａ）、Ｓｉ結晶格子から成る基板表面にＦを
ターミネイトさせる。Ｆのターミネイトの方法はＳｉ基
板をＨＦに晒すかＦに晒すことにより行なわれる。次で
（ｂ）特定のＦ原子の表面から電子線Ｅ−Ｂを走査型電
子顕微鏡又は走査型トンネル顕微鏡により照射し、５ｉ
−Ｆの結合を強めて、ＳｉＦガスとなして飛散させる。
子エツチングの工程順の模式図を示したものである。す
なわち、（ａ）、Ｓｉ結晶格子から成る基板表面にＦを
ターミネイトさせる。Ｆのターミネイトの方法はＳｉ基
板をＨＦに晒すかＦに晒すことにより行なわれる。次で
（ｂ）特定のＦ原子の表面から電子線Ｅ−Ｂを走査型電
子顕微鏡又は走査型トンネル顕微鏡により照射し、５ｉ
−Ｆの結合を強めて、ＳｉＦガスとなして飛散させる。
次で（Ｃ）他のＳｉにターミネイトされたＦ原子を超高
真空にするか、洗浄液やガスに晒して除去すると、Ｓｉ
基板からＳｉ原子が表面から１個づつ取れて凹部を形成
することとなる。
真空にするか、洗浄液やガスに晒して除去すると、Ｓｉ
基板からＳｉ原子が表面から１個づつ取れて凹部を形成
することとなる。
尚本発明は、ＳｉのみならずＧａＡｓ等化合物半導体の
単結晶基板の原子エツチング加工にも適用することがで
きる。
単結晶基板の原子エツチング加工にも適用することがで
きる。
本発明により、レジスト膜形成・処理工程を要せず、且
つ量子効果素子の製作に適した半導体ウェーハのエツチ
ング法を提供する事が出来る効果がある。
つ量子効果素子の製作に適した半導体ウェーハのエツチ
ング法を提供する事が出来る効果がある。
第１−図は本発明の一実施例を示すＳｉ単結晶基板の原
子エツチング工程順の模式図である。 Ｓｉ ・ ・ Ｆ 目 Ｅ、 Ｂ。 ・シリコン原子 ・フッソ原子 ・電子線 ・フッ化シリコン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
子エツチング工程順の模式図である。 Ｓｉ ・ ・ Ｆ 目 Ｅ、 Ｂ。 ・シリコン原子 ・フッソ原子 ・電子線 ・フッ化シリコン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- シリコン単結晶ウェーハ表面には弗素原子をターミネ
イトさせ、該ターミネイトされた弗素又は塩素原子に電
子線を照射して、下地Ｓｉ原子を１個づつエッチングす
る事を特徴とする原子加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18968790A JPH0475335A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 原子加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18968790A JPH0475335A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 原子加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475335A true JPH0475335A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16245502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18968790A Pending JPH0475335A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 原子加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130710A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 微細パターン形成方法とその装置 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP18968790A patent/JPH0475335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130710A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 微細パターン形成方法とその装置 |
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