JPS6399535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6399535A JPS6399535A JP24570686A JP24570686A JPS6399535A JP S6399535 A JPS6399535 A JP S6399535A JP 24570686 A JP24570686 A JP 24570686A JP 24570686 A JP24570686 A JP 24570686A JP S6399535 A JPS6399535 A JP S6399535A
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- etching
- plasma treatment
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、具体的には半導
体表面に付着した堆積物を、半導体表面に変形を与えず
に除去することが出来る半導体装置の製造方法に関する
。
体表面に付着した堆積物を、半導体表面に変形を与えず
に除去することが出来る半導体装置の製造方法に関する
。
従来の技術
周知のように、半導体装置の製造方法に用いられる食刻
方法として、プラズマエツチング、高周波スパッタエツ
チングが行われるようになった。
方法として、プラズマエツチング、高周波スパッタエツ
チングが行われるようになった。
プラズマエツチングはＣＦ４．Ｃ（Ｊ４酸素などのガ２
ペー／ スを数１０〜０．０１ ｔｏｒｒ の圧力下で反応室
内においてプラズマ化し、このプラズマと半導体基板を
接触させて、プラズマ化したガスとの反応によってエツ
チングするものである。
ペー／ スを数１０〜０．０１ ｔｏｒｒ の圧力下で反応室
内においてプラズマ化し、このプラズマと半導体基板を
接触させて、プラズマ化したガスとの反応によってエツ
チングするものである。
またスパッタエツチングは、Ａｒなどの不活性ガスを約
０．１〜１０ ｔｏｒｒ の圧力下でプラズマ化した
ものを加速して半導体基板表面に衝突させ、その際のイ
オン衝撃によって食刻を行なう方法である。このスパッ
タエツチングにおいて上記ＣＦ４やＣＣｌ４などの反応
性ガスを使用すればイオン衝撃と化学反応の両者によっ
て食刻が行われる。
０．１〜１０ ｔｏｒｒ の圧力下でプラズマ化した
ものを加速して半導体基板表面に衝突させ、その際のイ
オン衝撃によって食刻を行なう方法である。このスパッ
タエツチングにおいて上記ＣＦ４やＣＣｌ４などの反応
性ガスを使用すればイオン衝撃と化学反応の両者によっ
て食刻が行われる。
しかるに上記ＣＦ やＣＣｌ４などの炭素とハロゲン
元素からなるガスを用いたプラズマエツチングやスパッ
タエツチングではハロゲンと炭素が分離し炭素がシリコ
ン表面に堆積する。
元素からなるガスを用いたプラズマエツチングやスパッ
タエツチングではハロゲンと炭素が分離し炭素がシリコ
ン表面に堆積する。
発明が解決しようとする問題点
上記エツチングにより発生した堆積物は液体を用いる洗
浄はもちろん酸素プラズマによるアッシングでも除去し
切れないという問題点があった。
浄はもちろん酸素プラズマによるアッシングでも除去し
切れないという問題点があった。
問題点を解決するための手段
３ペー／
上記問題点を解決するために本発明では、プラズマある
いはスパッタエツチングの後、ＣＨＦ３等水素を含む分
子ガスによるプラズマ処理により堆積物を水素を含む物
質とし、その後アッシングをするものである。
いはスパッタエツチングの後、ＣＨＦ３等水素を含む分
子ガスによるプラズマ処理により堆積物を水素を含む物
質とし、その後アッシングをするものである。
作 用
本発明によれば、水束を含む堆積物はアッシングにより
容易に除去できるためこの堆積物を除去できる。すなわ
ち、本発明によれば、ＣＨＦ３等のプラズマ処理により
堆積物を水素含有する堆積物に変質させる。この変質し
た堆積物はＨ原子を含有しアッシングにより容易に除去
できる性質を持つ。そこでアッシングを行なうことによ
り堆積物が除去される。
容易に除去できるためこの堆積物を除去できる。すなわ
ち、本発明によれば、ＣＨＦ３等のプラズマ処理により
堆積物を水素含有する堆積物に変質させる。この変質し
た堆積物はＨ原子を含有しアッシングにより容易に除去
できる性質を持つ。そこでアッシングを行なうことによ
り堆積物が除去される。
実施例
シリコン基板に溝堀りエツチングを行った時の堆積物を
除去した例を示す。第１図はエツチングガスとして、Ｃ
Ｃｌ４と０２を用いてシリコン酸化膜１をマスクにエツ
チングし、シリコン基板２に溝を形成した時の断面図で
ある。溝３の開口部には上記エツチング時に堆積物４が
形成されこれにより開口部は狭くなっている。この試料
に本発明にがかるＣＨＦ３によるプラズマ処理３分、そ
の後酸素プラズマ処理１０分間のアッシング工程を行な
ったものの断面図を第２図に示す。第１図から第２図の
変化でわかる通り溝底形状の変化なしに開口部に付着し
た堆積物３が除去されている。々お本発明にかかるプラ
ズマ処理に用いるガスはフルオロホルム（ＣＨＦ３）の
他にフッ化メチル（ＣＨ３Ｆ ） 、 ）リフルオロエ
チレン（Ｃ２ＨＦ３）。
除去した例を示す。第１図はエツチングガスとして、Ｃ
Ｃｌ４と０２を用いてシリコン酸化膜１をマスクにエツ
チングし、シリコン基板２に溝を形成した時の断面図で
ある。溝３の開口部には上記エツチング時に堆積物４が
形成されこれにより開口部は狭くなっている。この試料
に本発明にがかるＣＨＦ３によるプラズマ処理３分、そ
の後酸素プラズマ処理１０分間のアッシング工程を行な
ったものの断面図を第２図に示す。第１図から第２図の
変化でわかる通り溝底形状の変化なしに開口部に付着し
た堆積物３が除去されている。々お本発明にかかるプラ
ズマ処理に用いるガスはフルオロホルム（ＣＨＦ３）の
他にフッ化メチル（ＣＨ３Ｆ ） 、 ）リフルオロエ
チレン（Ｃ２ＨＦ３）。
フン化ビニル（Ｃ２Ｈ３Ｆ） ｙフッ化エチル（Ｃ２Ｈ
６Ｆ） 。
６Ｆ） 。
２７ソ化メチル（ＣＨ２Ｆ２）もしくはジフロオロエタ
ン（Ｃ２Ｈ４Ｆ２）を含有するガスを用いることが出来
る。
ン（Ｃ２Ｈ４Ｆ２）を含有するガスを用いることが出来
る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、水束を含む堆積物はアッ
シングにより容易に除去できるためこの堆積物を除去で
きる。すなわち１本発明によれば。
シングにより容易に除去できるためこの堆積物を除去で
きる。すなわち１本発明によれば。
ＣＨＦ３等のプラズマ処理により堆積物を水素含有する
堆積物に変質させる。この変質した堆積物は５ ′・−
／ Ｈ原子を含有しアッシングにより容易に除去できる性質
を持つ。そこでアッシングを行なうことにより堆積物が
除去される。
堆積物に変質させる。この変質した堆積物は５ ′・−
／ Ｈ原子を含有しアッシングにより容易に除去できる性質
を持つ。そこでアッシングを行なうことにより堆積物が
除去される。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の堆積物除去前の断面図、第２図は堆積物除去後の断
面図である。 １・・・・・・シリコン？［ｌ［，２・川・シリコン、
３・・・・・・堆積物。
法の堆積物除去前の断面図、第２図は堆積物除去後の断
面図である。 １・・・・・・シリコン？［ｌ［，２・川・シリコン、
３・・・・・・堆積物。
Claims (1)
- 半導体基板に、プラズマあるいはスパッタエッチングを
施した後、このエッチングで生じた堆積物を、水素を含
有するガスを用いたプラズマ処理とその後のアッシング
工程により除去するようにした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24570686A JPS6399535A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24570686A JPS6399535A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399535A true JPS6399535A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=17137594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24570686A Pending JPS6399535A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399535A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4107329A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren und geraet zum reinigen von halbleitereinrichtungen |
| KR100839063B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2008-06-19 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 1,1-디플루오로에탄의 정제방법 |
| US10217681B1 (en) | 2014-08-06 | 2019-02-26 | American Air Liquide, Inc. | Gases for low damage selective silicon nitride etching |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24570686A patent/JPS6399535A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4107329A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren und geraet zum reinigen von halbleitereinrichtungen |
| KR100839063B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2008-06-19 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 1,1-디플루오로에탄의 정제방법 |
| US7696392B2 (en) | 2003-11-10 | 2010-04-13 | Showa Denko K.K. | Purification method of 1,1-difluoroethane |
| US10217681B1 (en) | 2014-08-06 | 2019-02-26 | American Air Liquide, Inc. | Gases for low damage selective silicon nitride etching |
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