JPH0234922A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0234922A JPH0234922A JP18368988A JP18368988A JPH0234922A JP H0234922 A JPH0234922 A JP H0234922A JP 18368988 A JP18368988 A JP 18368988A JP 18368988 A JP18368988 A JP 18368988A JP H0234922 A JPH0234922 A JP H0234922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiated
- charged particle
- semiconductor substrate
- area
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 16
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005267 GaCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジスト・マスクを適用することなくエツチングを行っ
て半導体装置を製造する方法に関し、荷電粒子ビームを
用いたエツチングを行って、しかも、高いスルー・プツ
トが得られるようにすることを目的とし、 半導体基板（或いはＮ）に選択的に荷電粒子ビームを照
射する工程と、次いで、該半導体基板をハロゲン系ガス
雰囲気中に配置して光を照射し前記荷電粒子ビームの照
射領域以外の部分をエツチングする工程と、次いで、該
半導体基板を熱処理して前記荷電粒子ビームの照射領域
に於ける損傷を解消させる工程とを含んでなるよう構成
する。
て半導体装置を製造する方法に関し、荷電粒子ビームを
用いたエツチングを行って、しかも、高いスルー・プツ
トが得られるようにすることを目的とし、 半導体基板（或いはＮ）に選択的に荷電粒子ビームを照
射する工程と、次いで、該半導体基板をハロゲン系ガス
雰囲気中に配置して光を照射し前記荷電粒子ビームの照
射領域以外の部分をエツチングする工程と、次いで、該
半導体基板を熱処理して前記荷電粒子ビームの照射領域
に於ける損傷を解消させる工程とを含んでなるよう構成
する。
本発明は、レジスト・マスクを適用することなくエツチ
ングを行って半導体装置を製造する方法に関する。
ングを行って半導体装置を製造する方法に関する。
一般に、半導体装置を製造する場合、半導体基板に選択
的に不純物をドーピングして例えば活性層を形成したり
、また、エツチングをして素子間分離や闇値電圧Ｖいを
制御する為の膜厚制御を行ったり、更にまた、蒸着され
た電極材料膜をパターニングして電極・配線を形成して
いるが、何れの場合もレジスト・マスクを適用している
ので、工程が多くなるにつれて位置合わせなどの問題か
ら製造歩留りが低下するので、レジスト・マスクを用い
ない、所謂、マスクレス・プロセスが必要になってくる
。尚、本明細書でマスクレスとはレジスト・マスクを用
いない旨の意味である。
的に不純物をドーピングして例えば活性層を形成したり
、また、エツチングをして素子間分離や闇値電圧Ｖいを
制御する為の膜厚制御を行ったり、更にまた、蒸着され
た電極材料膜をパターニングして電極・配線を形成して
いるが、何れの場合もレジスト・マスクを適用している
ので、工程が多くなるにつれて位置合わせなどの問題か
ら製造歩留りが低下するので、レジスト・マスクを用い
ない、所謂、マスクレス・プロセスが必要になってくる
。尚、本明細書でマスクレスとはレジスト・マスクを用
いない旨の意味である。
近年、マスクレスでエツチングを行う技術としてイオン
・ビームを用いることが知られている。
・ビームを用いることが知られている。
これは、例えばＣ１２ガス中で半導体基板に集束イオン
・ビームを照射してエツチングする技術であって、それ
に必要な照射量としては１ＱＩ４〜１０１６（イオン／
ｃｍ” ）以上である。
・ビームを照射してエツチングする技術であって、それ
に必要な照射量としては１ＱＩ４〜１０１６（イオン／
ｃｍ” ）以上である。
また、半導体基板に例えば１０１４〜１０１６（イオン
／ｃ＋＋＋”）程度の集束イオン・ビームを照射して注
入損傷でアモルファス化した部分を生成させ、それをＨ
Ｃｌで除去することに依ってエツチングすることも行わ
れている。
／ｃ＋＋＋”）程度の集束イオン・ビームを照射して注
入損傷でアモルファス化した部分を生成させ、それをＨ
Ｃｌで除去することに依ってエツチングすることも行わ
れている。
前記した集束イオン・ビームを用いる技術は、何れもレ
ジスト・マスクを用いないマスクレス・プロセスではあ
るが、多量のイオンを照射する必要があり、そのスルー
・プツトは小さい。また、多量のイオン照射を受けた領
域は熱処理を施しても元の結晶状態には戻し難い。
ジスト・マスクを用いないマスクレス・プロセスではあ
るが、多量のイオンを照射する必要があり、そのスルー
・プツトは小さい。また、多量のイオン照射を受けた領
域は熱処理を施しても元の結晶状態には戻し難い。
本発明は、レジスト・マスクを用いることなくエツチン
グを行って、しかも、高いスルー・プツトが得られるよ
うにする。
グを行って、しかも、高いスルー・プツトが得られるよ
うにする。
〔課題を解決するための手段］
一般に、濃度を適切に選択したハロゲン系ガス雰囲気中
で半導体基板を成る温度条件に設定し、且つ、光を照射
して電子・正孔対を発生させた場合、過剰な電子・正孔
対の存在に依り、雰囲気ガスと半導体構成原子との化学
結合、即ち、酸化が起こり、半導体基板の温度、生成物
質の蒸気圧、雰囲気ガスの圧力の如何に依り、該生成物
質が半導体基板から離脱してエツチングが行われる。
で半導体基板を成る温度条件に設定し、且つ、光を照射
して電子・正孔対を発生させた場合、過剰な電子・正孔
対の存在に依り、雰囲気ガスと半導体構成原子との化学
結合、即ち、酸化が起こり、半導体基板の温度、生成物
質の蒸気圧、雰囲気ガスの圧力の如何に依り、該生成物
質が半導体基板から離脱してエツチングが行われる。
ところで、半導体基板に荷電粒子ビームを照射すると、
その部分には電子・正孔の再結合センタが数多く生成さ
れる。そのような処理を施した半導体基板に光を照射す
ると電子・正孔対に分布を生ずる。即ち、荷電粒子ビー
ムを照射した部分では再結合センタの数が多いことから
電子・正孔対が再結合し易く、従って、その数は少ない
状態にあり、反対に、荷電粒子ビームが照射されなかっ
た部分では再結合センタの数が少ないから電子・正孔対
のライフ・タイムは長いので、電子・正札対は豊富に存
在する。このような状態にある半導体基板に前記したよ
うなエツチングを施すと、荷電粒子ビームを照射した部
分では電子・正孔対の数が少ないのでエツチングされ難
いが、それ以外の部分ではエツチングが進行する。即ち
、荷電粒子ビームを照射された部分のみが残り、非照射
部分が選択的にエツチングされることになる。
その部分には電子・正孔の再結合センタが数多く生成さ
れる。そのような処理を施した半導体基板に光を照射す
ると電子・正孔対に分布を生ずる。即ち、荷電粒子ビー
ムを照射した部分では再結合センタの数が多いことから
電子・正孔対が再結合し易く、従って、その数は少ない
状態にあり、反対に、荷電粒子ビームが照射されなかっ
た部分では再結合センタの数が少ないから電子・正孔対
のライフ・タイムは長いので、電子・正札対は豊富に存
在する。このような状態にある半導体基板に前記したよ
うなエツチングを施すと、荷電粒子ビームを照射した部
分では電子・正孔対の数が少ないのでエツチングされ難
いが、それ以外の部分ではエツチングが進行する。即ち
、荷電粒子ビームを照射された部分のみが残り、非照射
部分が選択的にエツチングされることになる。
この場合、荷電粒子ビーム照射部分と非照射部分とのエ
ツチング選択比を充分に採る為に必要な照射量は例えば
ｌＸ１０１３（イオン／ａｍ”）程度であり、また、こ
の際、電子・正孔対を発生させる為の光としては、当該
半導体に於けるエネルギ・ハンド・ギャップよりも大き
いエネルギをもつ光、即ち、波長が短い光、或いは、そ
のような光を成分として含む光を用いると良い。
ツチング選択比を充分に採る為に必要な照射量は例えば
ｌＸ１０１３（イオン／ａｍ”）程度であり、また、こ
の際、電子・正孔対を発生させる為の光としては、当該
半導体に於けるエネルギ・ハンド・ギャップよりも大き
いエネルギをもつ光、即ち、波長が短い光、或いは、そ
のような光を成分として含む光を用いると良い。
このようなことから、本発明に依る半導体装置の製造方
法に於いては、半導体基板或いは層（例えばＧａＡｓ基
板１）に選択的に荷電粒子ビーム（例えばイオン・ビー
ム）を照射する工程と、次いで、該半導体基板をハロゲ
ン系ガス（例えばＨＣ１ガス）雰囲気中に配置して光（
例えば高圧水銀ランプ１１の光）を照射し前記荷電粒子
ビームの照射領域（例えばイオン注入ダメージ領域２）
以外の部分をエツチングする工程と、次いで、該半導体
基板を熱処理して前記荷電粒子ビームの照射領域に於け
る損傷を解消させる工程とを含んでなるよう構成する。
法に於いては、半導体基板或いは層（例えばＧａＡｓ基
板１）に選択的に荷電粒子ビーム（例えばイオン・ビー
ム）を照射する工程と、次いで、該半導体基板をハロゲ
ン系ガス（例えばＨＣ１ガス）雰囲気中に配置して光（
例えば高圧水銀ランプ１１の光）を照射し前記荷電粒子
ビームの照射領域（例えばイオン注入ダメージ領域２）
以外の部分をエツチングする工程と、次いで、該半導体
基板を熱処理して前記荷電粒子ビームの照射領域に於け
る損傷を解消させる工程とを含んでなるよう構成する。
前記手段を採ることに依り、荷電粒子ビームを利用した
マスクレス・プロセスに依るエツチングでありながら、
高いスルー・プツトが得られるものである。
マスクレス・プロセスに依るエツチングでありながら、
高いスルー・プツトが得られるものである。
第１図及び第２図と第４図乃至第６図は本発明一実施例
を解説する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断
側面図、また、第３図は工程中に用いるエツチング装置
の要部説明図をそれぞれ表し、以下、これ等の図を参照
しつつ説明する。
を解説する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断
側面図、また、第３図は工程中に用いるエツチング装置
の要部説明図をそれぞれ表し、以下、これ等の図を参照
しつつ説明する。
第１図及び第２図参照
＋１１ 例えばＧａＡｓ基板１に選択的にイオン・ビ
ームを照射してイオン注入ダメージ領域２を形成する。
ームを照射してイオン注入ダメージ領域２を形成する。
尚、基板ｌはｎ型、ｐ型、半絶縁性など何れでも良い。
イオン・ビームの照射方法としては、第１図に見られる
ように、メタル・マスク３を介して平行イオン・ビーム
４で照射したり、第２図に見られるように、集束イオン
・ビーム５でパターンを描画するようにして照射しても
良い。
ように、メタル・マスク３を介して平行イオン・ビーム
４で照射したり、第２図に見られるように、集束イオン
・ビーム５でパターンを描画するようにして照射しても
良い。
この場合のドーズ量は、例えばｌＸ１０１２〜１０１３
（イオン／ａｍ２３程度、加速エネルギは例えば２００
（ＫｅＶ）程度として良く、そして、イオンとしてはＧ
ａ、Ａｓ、Ａｕなどの外に不純物の導入を兼ねてＳｉ、
Ｂｅなど適宜のものを採用して良い。尚、基板１がシリ
コンであれば、ＳｉＯ外に不純物の導入を兼ねてＢ９Ａ
ｓ、Ｐなども採用することができる。
（イオン／ａｍ２３程度、加速エネルギは例えば２００
（ＫｅＶ）程度として良く、そして、イオンとしてはＧ
ａ、Ａｓ、Ａｕなどの外に不純物の導入を兼ねてＳｉ、
Ｂｅなど適宜のものを採用して良い。尚、基板１がシリ
コンであれば、ＳｉＯ外に不純物の導入を兼ねてＢ９Ａ
ｓ、Ｐなども採用することができる。
前・記のようにすると、イオン注入ダメージ領域２には
多数の再結合センタが生成される。
多数の再結合センタが生成される。
第３図、第４図、第５図参照
（２） 基板ｌはエツチング装置内にセントし、エツ
チングを行う。
チングを行う。
第３図に見られるエツチング装置では、６は反応室、７
はエツチング・ガス送入管、８は排気管、９は光透過窓
、１０はサセプタ、１１は例えば１ （ＫＷ）の高圧
水銀ランプ、１２は高圧水銀ランプ１１から放射される
光をそれぞれ示している。
はエツチング・ガス送入管、８は排気管、９は光透過窓
、１０はサセプタ、１１は例えば１ （ＫＷ）の高圧
水銀ランプ、１２は高圧水銀ランプ１１から放射される
光をそれぞれ示している。
ここで、反応室６には、エツチング・ガス送入管７から
ＨＣｌガスが送り込まれ、且つ、適切に排気されて内部
は例えば１０（Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。尚、こ
の場合、基板１は室温に保たれているが、その基板１の
温度が光照射を行わずにエツチングが進行する温度以下
であれば加熱して良い。
ＨＣｌガスが送り込まれ、且つ、適切に排気されて内部
は例えば１０（Ｔｏｒｒ）の圧力に維持される。尚、こ
の場合、基板１は室温に保たれているが、その基板１の
温度が光照射を行わずにエツチングが進行する温度以下
であれば加熱して良い。
（３）光１２が照射されると、第４図に見られるように
、電子・正孔対が発生するのであるが、工程（１）に於
いて、イオン・ビームが照射されて生成されたダメージ
領域２では電子・正孔対が殆ど存在せず、そこにＨＣｌ
ガス、従って、ＨやＣ１が在っても何も起きないが、イ
オン・ビームで照射されなかった領域では多数の電子・
正札対が発生しているので、そこでは、Ａ ｓ Ｃｌ
３或いはＧａＣｌ３が生成されて気散する。この場合、
光１２はＨＣｌガスの分解或いはＣβがＧａやＡｓと反
応するのを促進する働きをしている。
、電子・正孔対が発生するのであるが、工程（１）に於
いて、イオン・ビームが照射されて生成されたダメージ
領域２では電子・正孔対が殆ど存在せず、そこにＨＣｌ
ガス、従って、ＨやＣ１が在っても何も起きないが、イ
オン・ビームで照射されなかった領域では多数の電子・
正札対が発生しているので、そこでは、Ａ ｓ Ｃｌ
３或いはＧａＣｌ３が生成されて気散する。この場合、
光１２はＨＣｌガスの分解或いはＣβがＧａやＡｓと反
応するのを促進する働きをしている。
（４）第５図は前記のようにしてエツチングされた後の
基板１を示している。
基板１を示している。
図から判るように、イオン・ビームで照射されることに
依って生成された領域、即ち、ダメージ領域２のみが残
り、他の領域はエツチングされている。
依って生成された領域、即ち、ダメージ領域２のみが残
り、他の領域はエツチングされている。
第６図参照
（５）Ｈｚ或いはＮＺ雰囲気中で温度４５０（’Ｃ）、
時間３０〜６０〔分〕の熱処理を施すと、ダメージ領域
２は解消され、容易に良好な結晶状態に戻すことができ
る。これは、ダメージ領域２を生成させる為のイオン・
ビーム照射が軽微であることに起因する。また、温度６
００（’Ｃ）以上の高温で熱処理を行う場合、基板１に
５ｔ０２などからなるキャンプを施したり、真空中で熱
処理を行う場合には、ＡＳ４ガスを１０−４〜１０−’
（Ｔｏ ｒ ｒ）程度とした圧力下で行うことが好ま
しい。
時間３０〜６０〔分〕の熱処理を施すと、ダメージ領域
２は解消され、容易に良好な結晶状態に戻すことができ
る。これは、ダメージ領域２を生成させる為のイオン・
ビーム照射が軽微であることに起因する。また、温度６
００（’Ｃ）以上の高温で熱処理を行う場合、基板１に
５ｔ０２などからなるキャンプを施したり、真空中で熱
処理を行う場合には、ＡＳ４ガスを１０−４〜１０−’
（Ｔｏ ｒ ｒ）程度とした圧力下で行うことが好ま
しい。
前記したところから判るように、このエツチングを実施
するには、レジスト・マスクは用いていないから、他の
工程、例えば結晶成長、不純物のドーピング、電極・配
線の形成などと共に一連の真空系のなかで一貫した加工
を行う場合に有効である。
するには、レジスト・マスクは用いていないから、他の
工程、例えば結晶成長、不純物のドーピング、電極・配
線の形成などと共に一連の真空系のなかで一貫した加工
を行う場合に有効である。
本発明では、前記実施例の外に多くの改変を実施するこ
とができ、例えば、エツチングを行う場合、基板１に正
電圧を印加することはエツチング速度を向上するのに有
効である。また、ＨＣＩ！ガスは、他のガス、例えばＣ
ｊ’２．ＨＢｒ、Ｂｒ２などに代替することができ、特
に、Ｃ１２ガスに代替した場合には温度を室温以下、そ
して、ガス圧を例えば１０−４〜１０−’ ［Ｔｏ ｒ
ｒ）程度にすると良い。更にまた、半導体としては、
ＧａＡＳ系の外、ＩｎＰ系などにも適用することができ
る。
とができ、例えば、エツチングを行う場合、基板１に正
電圧を印加することはエツチング速度を向上するのに有
効である。また、ＨＣＩ！ガスは、他のガス、例えばＣ
ｊ’２．ＨＢｒ、Ｂｒ２などに代替することができ、特
に、Ｃ１２ガスに代替した場合には温度を室温以下、そ
して、ガス圧を例えば１０−４〜１０−’ ［Ｔｏ ｒ
ｒ）程度にすると良い。更にまた、半導体としては、
ＧａＡＳ系の外、ＩｎＰ系などにも適用することができ
る。
本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、半導体
基板（或いは層）に選択的に荷電粒子ビームを照射し、
ハロゲン系ガス雰囲気中にて光を照射して前記荷電粒子
ビームの照射領域以外の部分をエツチングし、熱処理で
前記荷電粒子ビームの照射領域に於ける損傷を解消させ
るようにしている。
基板（或いは層）に選択的に荷電粒子ビームを照射し、
ハロゲン系ガス雰囲気中にて光を照射して前記荷電粒子
ビームの照射領域以外の部分をエツチングし、熱処理で
前記荷電粒子ビームの照射領域に於ける損傷を解消させ
るようにしている。
前記構成を採ることに依り、荷電粒子ビームを利用した
マスクレス・プロセスに依るエツチングでありながら、
高いスルー・プツトが得られるものである。
マスクレス・プロセスに依るエツチングでありながら、
高いスルー・プツトが得られるものである。
第１図及び第２図と第４図乃至第６図は本発明一実施例
を解説する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断
側面図、また、第３図は工程中に用いるエツチング装置
の要部説明図をそれぞれ表している。 図に於いて、■はＧａＡｓ基板、２はイ、オン注入ダメ
ージ領域、３はメタル・マスク、４は平行イオン・ビー
ム、５は集束イオン・ビーム、６は反応室、７はエツチ
ング・ガス送入管、８は排気管、９は光透過窓、１０は
サセプタ、１１は高圧水銀ランプ、１２は光をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − エツチング装置の要部説明図 第３図 第２図
を解説する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断
側面図、また、第３図は工程中に用いるエツチング装置
の要部説明図をそれぞれ表している。 図に於いて、■はＧａＡｓ基板、２はイ、オン注入ダメ
ージ領域、３はメタル・マスク、４は平行イオン・ビー
ム、５は集束イオン・ビーム、６は反応室、７はエツチ
ング・ガス送入管、８は排気管、９は光透過窓、１０は
サセプタ、１１は高圧水銀ランプ、１２は光をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − エツチング装置の要部説明図 第３図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（或いは層）に選択的に荷電粒子ビームを照
射する工程と、 次いで、該半導体基板をハロゲン系ガス雰囲気中に配置
して光を照射し前記荷電粒子ビームの照射領域以外の部
分をエッチングする工程と、次いで、該半導体基板を熱
処理して前記荷電粒子ビームの照射領域に於ける損傷を
解消させる工程と を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18368988A JPH0234922A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18368988A JPH0234922A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234922A true JPH0234922A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16140213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18368988A Pending JPH0234922A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056611A3 (de) * | 2001-12-21 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Resistloses lithographieverfahren zur herstellung feiner strukturen |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18368988A patent/JPH0234922A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056611A3 (de) * | 2001-12-21 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Resistloses lithographieverfahren zur herstellung feiner strukturen |
| US7318993B2 (en) | 2001-12-21 | 2008-01-15 | Infineon Technologies Ag | Resistless lithography method for fabricating fine structures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4880493A (en) | Electronic-carrier-controlled photochemical etching process in semiconductor device fabrication | |
| US5725677A (en) | Dry cleaning process for cleaning a surface | |
| US5092957A (en) | Carrier-lifetime-controlled selective etching process for semiconductors using photochemical etching | |
| JPH0234922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5851906A (en) | Impurity doping method | |
| JP2694625B2 (ja) | 化合物半導体基体のエッチング方法および製造方法 | |
| JPH04133325A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3211227B2 (ja) | ＧａＡｓ層の表面安定化方法、ＧａＡｓ半導体装置の製造方法および半導体層の形成方法 | |
| JP3157911B2 (ja) | 化合物半導体基板の熱処理方法及びその熱処理装置 | |
| JP2858095B2 (ja) | 化合物半導体の微細埋込構造の形成方法 | |
| JPH06342777A (ja) | 化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| JPH05251378A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0421335B2 (ja) | ||
| JP2883918B2 (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JPH08279475A (ja) | 化合物半導体における能動層の形成方法 | |
| JP2826972B2 (ja) | 化合物半導体の極微細パターン形成方法 | |
| JP2830666B2 (ja) | 半導体に発光層を作製する方法 | |
| JP2717165B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JP2003188110A (ja) | ドーピング方法およびイオン注入装置 | |
| JPS61163635A (ja) | 半導体不純物添加装置 | |
| JPS60216555A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03248419A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04107918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02288333A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JPS5925396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |