DE4212999A1

DE4212999A1 - Keramische Beschichtungen

Info

Publication number: DE4212999A1
Application number: DE4212999A
Authority: DE
Inventors: Loren Andrew Haluska; Keith Winton Michael
Original assignee: Dow Corning Corp
Current assignee: Dow Silicones Corp
Priority date: 1991-04-22
Filing date: 1992-04-21
Publication date: 1995-04-06
Anticipated expiration: 2012-04-22
Also published as: US5445894A; DE4212999C2; GB2319041A; CA2062833A1; FR2707799B1; GB9205337D0; JPH06322318A; FR2707799A1; JPH0832855B2; GB2319041B

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Auftragen von keramischen Beschichtungen auf Substrate. Das Verfahren umfaßt, daß man eine präkeramische Beschichtung, die Hydro gensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält und flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator umfaßt, aufträgt und anschließend die präkerami sche Beschichtung in einer Inertatmosphäre pyrolysiert. Die neuen keramischen Beschichtungen, die mit dem erfindungs gemäßen Verfahren gebildet werden, sind besonders wertvoll für elektronische Vorrichtungen.

Die Verwendung von keramischen Beschichtungen auf verschiedenen Substraten, einschließlich elektronischen Vorrichtungen, ist bekannt. Zum Beispiel offenbaren Haluska et al. in US-Patent Nr. 4 756 977 keramische Beschichtungen, die hergestellt werden, indem Lösungen von Hydrogensilses quioxanharz auf ein Substrat aufgebracht werden und dann durch Erhitzen auf Temperaturen von 200 bis 1000°C keramifi ziert werden. Es wird gelehrt, daß die entstehenden kerami schen Beschichtungen viele wünschenswerte Eigenschaften haben, die sie wertvoll machen als Schutz- und Isolier schichten auf elektronischen Vorrichtungen.

Haluska beschreibt in der EP-Schrift 0 427 395, ver öffentlicht am 15. Mai 1991, auch ein Verfahren zum Auf bringen von keramischen Beschichtungen auf Substrate, das umfaßt, daß man eine präkeramische Beschichtung aus Hydro gensilsesquioxanharz auf einem Substrat bildet und sie dann in Inertatmosphäre bei Temperaturen von 500 bis 1000°C pyrolysiert. Dieses Verfahren ist beschrieben als besonders wertvoll für das Aufbringen von keramischen Beschichtungen auf Substrate, die anfällig für Oxidation sind.

Die Erfinder haben nun unerwarteterweise gefunden, daß ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und ein Platin- oder Kupferkatalysa tor die Umwandlung von Hydrogensilsesquioxanharz zu neuen keramischen Beschichtungen fördern können.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer keramischen Beschichtung auf einem Substrat und die so beschichteten Substrate. Das Verfahren umfaßt, daß man eine präkeramische Schicht, die Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Pt- oder Cu-Katalysator auf dem Substrat abscheidet. Die präkeramische Beschichtung wird dann in einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von etwa 200 bis zu etwa 1000°C pyrolysiert.

Die vorliegende Erfindung betrifft auch eine Zusam mensetzung, die ein Lösungsmittel, Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Pt- oder Cu-Katalysator umfaßt.

Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß eine Mischung von Hydrogensilsesquioxanharz (H-Harz), einem Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einem Platin- oder Kupferkataly sator (Katalysator) verwendet werden kann, um neue keramische Beschichtungen auf verschiedenen Substraten zu bilden. Das Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Ver bindungen bildet, und der Katalysator fördern unerwarteter weise die Keramifizierung des H-Harzes durch Katalyse der Spaltung der SiH-Bindungen. Zusätzlich sind die entstehenden Beschichtungen insbesondere einmalig und vorteilhaft, da sie sowohl Si-O- als auch Si-Si-Bindungen enthalten, was zu der Flexibilität der Beschichtungen beiträgt.

Die hier gelehrten Beschichtungen sind nützlich für viele Zwecke wie zum Schutz und zur Isolierung. Zum Beispiel können diese Beschichtungen in üblichen Anwendungen für korrosions- und abriebfeste Materialien verwendet werden. Zusätzlich besitzen diese Beschichtungen jedoch Eigenschaf ten, die sie ideal geeignet machen zur Verwendung für elektrische Vorrichtungen. Zum Beispiel machen die einebnen den und dielektrischen Eigenschaften diese Beschichtungen ideal geeignet als Zwischendielektrika in mehrschichtigen Vorrichtungen. Ebenso machen die hohe Dichte und niedrige Fehlerrate diese Beschichtungen geeignet zum Schutz von Vorrichtungen vor Einflüssen der Umgebung wie Feuchtigkeit und ionische Verunreinigungen.

Trotz der hier angegebenen spezifischen Anwendungen wird jedoch davon ausgegangen, daß die hier beschriebenen Be schichtungen auf jedem Substrat verwendet werden können, das eine solche Beschichtung erfordert. Außerdem ist die Auswahl solcher Substrate und Vorrichtungen nur durch die Notwendig keit der thermischen und chemischen Stabilität des Substrats bei der für die vorliegende Erfindung verwendeten Temperatur und Atmosphäre begrenzt.

Der Ausdruck "Keramik", wie er in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, bezieht sich auf solche pyroly sierten Materialien, die Si-O- und Si-Si-Bindungen enthalten, die vollständig frei von restlichem Kohlenstoff und/oder Wasserstoff sein können oder nicht, die aber ansonsten von der Art her Keramiken sind; der Ausdruck "einebnende Be schichtung" bezieht sich auf eine Beschichtung, die eine Oberflächensperrschicht liefert, die weniger irregulär ist als die Oberfläche vor der Aufbringung der Beschichtung; und die Ausdrücke "elektronische Vorrichtung" oder "elektroni scher Schaltkreis" schließen Vorrichtungen auf Siliciumbasis, Vorrichtungen auf Galliumarsenidbasis, Brennebenenanord nungen, optoelektronische Vorrichtungen, Photoelemente und optische Vorrichtungen ein, sind aber nicht darauf be schränkt. Spezifische Beispiele solcher Vorrichtungen schließen transistorartige Vorrichtungen, Kondensatoren und kondensatorartige Vorrichtungen, mehrschichtige Vorrichtun gen, 3-D-Vorrichtungen, Siliciumfilme auf Isolatoren, Überstrukturvorrichtungen und dergleichen ein.

Die hier gelehrten keramischen Beschichtungen werden hergestellt mit einem Verfahren, das umfaßt, daß man eine präkeramische Beschichtung, die H-Harz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator umfaßt, aufträgt und dann die präkeramische Beschichtung in einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich zwischen etwa 200 und etwa 1000°C erhitzt. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die präkeramische Beschichtung aufgetragen mit einem Verfahren, das umfaßt, daß man das Substrat mit einer Lösung beschichtet, die ein Lösungsmittel, H-Harz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator umfaßt, und dann das Lösungs mittel verdampft.

Hydrogensilsesquioxanharz wird bei dieser Anwendung verwendet, um verschiedene Hydridosilanharze zu beschreiben (Harze, bei denen ein Wasserstoffatom an das Siliciumatom gebunden ist). Solche Harze werden im allgemeinen durch Hydrolyse und Kondensation von Silanen der Formel HSiX₃ hergestellt, wobei X eine hydrolysierbare Gruppe ist. Diese Harze können vollständig kondensiert sein (HSiO_3/2)_n oder die Hydrolyse kann an einem Punkt unterbrochen werden, so daß Teilhydrolysate und/oder Teilkondensate gebildet werden. Die letzteren Harze enthalten daher oft restliche SiOR- und/oder SiOH-Gruppen. Obwohl in dieser Struktur nicht dargestellt, können diese Harze weniger als die stöchiometrische Anzahl an SiH-Bindungen enthalten aufgrund verschiedener Faktoren bei ihrer Bildung oder Handhabung.

Praktisch vollständig kondensiertes H-Harz kann mit dem Verfahren von Collins et al., US-Patent Nr. 3 615 272, gebildet werden. Dieses Material hat Einheiten der Formel (HSiO_3/2)_n worin n im allgemeinen 8 bis 1000 ist. Das Harz hat ein zahlenmittleres durchschnittliches Molekulargewicht von etwa 800 bis 2900 und ein gewichtsmittleres durchschnitt liches Molekulargewicht von etwa 8000 bis 28000. US-PS 3 615 272 lehrt, daß solche Harze mit einem Verfahren gebildet werden, das umfaßt, daß man Trichlorsilan in Benzolsulfonsäu rehydrat als Hydrolysemedium hydrolysiert und dann das entstehende Harz mit Wasser oder wäßriger Schwefelsäure wäscht. Es ist anzumerken, daß diese Literaturstelle das Material als vollständig kondensiert beschreibt. Kürzlich durchgeführte Analysen haben jedoch bestätigt, daß bis zu 100 bis 300 ppm Silanol vorhanden sein können.

H-Harze, die nicht vollständig kondensiert sind (Polyme re, die Einheiten der Formel HSi(OH)_aO_(3-a)/2 enthalten, worin a 0 bis 2 ist), können mit dem Verfahren von Bank et al., US-Patent Nr. 5 010 159, oder dem Verfahren von Frye et al., US-Patent Nr. 4 999 397, hergestellt werden. Das in US-PS 5 010 159 beschriebene Verfahren umfaßt, daß man Hydridosilane in Arylsulfonsäurehydrat als Hydrolysemedium hydrolysiert unter Bildung eines Harzes, das dann mit einem neutralisie renden Mittel in Kontakt gebracht wird. Eine kürzlich durchgeführte Untersuchung hat gezeigt, daß ein speziell bevorzugtes H-Harz, das im wesentlichen rißfreie Beschichtun gen bildet, mit diesem Verfahren hergestellt werden kann, wenn das Säure/Silan-Verhältnis größer als etwa 2,67 : 1, vorzugsweise etwa 6/1, ist.

Das in US-PS 4 999 397 beschriebene Verfahren umfaßt, daß man Trichlorsilan in einem nicht Schwefel enthaltenden polaren organischen Lösungsmittel durch Zugabe von Wasser oder HCl und einem Metalloxid hydrolysiert. Das Metalloxid dient als HCl-Fänger und dient auch als kontinuierliche Quelle von Wasser.

H-Harze, die nicht vollständig hydrolysiert oder kondensiert sind (Polymere mit Einheiten der Formel HSi(OH)_x(OR)_yO_z/2 worin R unabhängig eine organische Gruppe ist, die, wenn sie an Silicium über ein Sauerstoffatom gebunden ist, einen hydrolysierbaren Substituenten bildet, x = 0 bis 2, y = 0 bis 2, z = 1 bis 3, x + y + z = 3 und der Durchschnittswert von y über alle Einheiten des Polymers größer als 0 ist), können mit dem Verfahren von Baney et al., EP-A-0 443 760, veröffentlicht am 28. Aug. 1991, hergestellt werden. Das darin beschriebene Verfahren umfaßt das Hydroly sieren eines Hydrocarbonoxyhydridosilans mit Wasser in einem angesäuerten Sauerstoff enthaltenden polaren organischen Lösungsmittel.

Das Material, das Si-Si-Bindungen enthält, kann irgend ein Material sein, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet. Insbesondere sollte das Material ein Material sein, das mit H-Harz reagiert, die Wasserstoffatome vom Silicium abzieht und aus dem System verdampft. Diese Materialien sind auf diesem Gebiet bekannt und können zum Beispiel einschließen Dodecamethylcyclohexasilan, Methyltris(trimethylsilyl)silan, Decamethylcyclopentasilan und Tris(trimethylsilyl)phenylsi lan. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt das Material Dodecamethylcyclohexasilan ((CH₃)₂Si)₆. Dieses Mittel kann mit irgendeinem bekannten Verfahren wie der Reaktion von Dimethyldichlorsilan mit Lithium hergestellt werden, wie von West et al. in Synthesis, Communications, Seiten 684-6 (1985) beschrieben.

Die Menge an Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, wie es hier verwendet wird, ist nicht kritisch und kann über einen weiten Bereich variieren. Im allgemeinen sollte jedoch genug von diesem Material vorhanden sein, um die Keramifizierung des H-Harzes zu fördern. Wenn Dodecamethylcyclohexasilan verwendet wird, wäre die stöchiometrische Menge etwa 1 Mol Cyclohexasilan pro 12 Mole Si-H-Einheiten. Obwohl ein stöchiometrischer Über schuß oft bevorzugt ist, würden auch substöchiometrische Mengen (zum Beispiel 1 Mol Cyclohexasilan pro 25 Mole Si-H-Einheiten) eine teilweise Entfernung der Si-H-Gruppen fördern.

Ein Platin- oder Kupferkatalysator ist auch in der präkeramischen Beschichtung enthalten, um die Geschwindigkeit und das Ausmaß der SiH-Entfernung zu erhöhen. Im allgemeinen ist jede Platin- oder Kupferverbindung oder jeder Platin- oder Kupferkomplex, die/der einheitlich in der präkeramischen Mischung verteilt werden kann, einsetzbar. Zum Beispiel liegt eine Organoplatinzusammensetzung wie Platinacetylacetonat oder eine Kupferverbindung wie Kupfer(II)naphthenat im Bereich der Erfindung. Solche Katalysatoren sind auf diesem Gebiet wohlbekannt und im Handel erhältlich. Diese Katalysa toren werden allgemein in einer Menge von etwa 10 bis etwa 1000 ppm Platin oder Kupfer, bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, verwendet.

Das oben beschriebene H-Harz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und der Katalysator werden dann auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden. Dies kann auf irgendeine Weise erreicht werden, aber ein bevorzugtes Verfahren betrifft das Auflösen der Inhaltsstoffe in einem Lösungsmittel unter Bildung einer Lösung, die auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen wird. Verschiedene Maßnahmen wie Rühren und/oder Erhitzen können verwendet werden, um die Auflösung zu fördern. Lösungsmittel, die verwendet werden können, schließen irgendein Mittel oder irgendeine Mischung von Mitteln ein, die die Inhaltsstoffe lösen unter Bildung einer homogenen Lösung, ohne die keramische Beschichtung zu beeinflussen. Diese Lösungsmittel schließen zum Beispiel aromatische Kohlenwasserstoffe wie Benzol oder Toluol, Alkane wie n-Heptan oder Dodecan, Ketone, Ester, Glykolether oder cyclische Dimethylpolysiloxane ein, in einer Menge, die ausreicht, um die obigen Materialien mit niedrigem Feststoff gehalt zu lösen. Im allgemeinen wird genug Lösungsmittel verwendet, um eine 0,1- bis 50gewichtsprozentige Lösung zu bilden.

Wenn ein Lösungsverfahren angewendet wird, wird die Lösung, die das H-Harz, Lösungsmittel, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und den Katalysator umfaßt, auf das Substrat aufge tragen. Das Beschichtungsverfahren kann eine Schleuder beschichtung, Tauchbeschichtung, Sprühbeschichtung oder Fließbeschichtung sein, ist aber nicht darauf beschränkt.

Andere äquivalente Mittel sollen ebenso im Schutzbereich liegen.

Das Lösungsmittel bei dem Lösungsverfahren wird dann verdampfen gelassen, was zu einer Abscheidung einer präkera mischen Beschichtung führt. Jedes geeignete Mittel zur Verdampfung kann verwendet werden. Verfahren wie einfaches Lufttrocknen durch Kontakt mit der Umgebung oder das Anlegen eines Vakuums oder geringe Hitze können angewendet werden. Es ist anzumerken, daß dann, wenn eine Schleuderbeschichtung verwendet wird, ein zusätzlicher Trocknungszeitraum nicht erforderlich sein kann, da das Schleudern das Lösungsmittel meist abtreibt.

Wenn die präkeramische Beschichtung einmal aufgebracht ist, wird sie keramifiziert, indem sie einer ausreichend hohen Temperatur in Gegenwart einer inerten Atmosphäre ausgesetzt wird. Im allgemeinen liegen die Temperaturen, die hier geeignet sind, im Bereich von etwa 300 bis etwa 1000°C. Höhere oder niedrigere Temperaturen sind jedoch auch in Betracht zu ziehen. Zum Beispiel können so niedrige Tempera turen wie etwa 200°C die präkeramische Beschichtung härten. Die Dichte einer solchen Keramik ist jedoch oft zu niedrig, um die notwendigen schützenden oder dielektrischen Wirkungen zu liefern. Ebenso können höhere Temperaturen bei dem Verfahren verwendet werden, aber Temperaturen von mehr als etwa 1000°C bringen wenig zusätzlichen Nutzen für die präkeramische Beschichtung.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird UV-Licht bei der Pyrolyse verwendet, um die Pyrolysetempera turen, die für die Keramifizierung notwendig sind, abzusen ken. Unter solchen Bedingungen sind Temperaturen im Bereich von mehr als etwa 150°C anwendbar.

Im allgemeinen werden die beschichteten Substrate einer Inertatmosphäre bei der gewünschten Temperatur über einen Zeitraum ausgesetzt, der für eine Keramifizierung ausreicht.

Zeiträume im Bereich von wenigen Minuten für sehr dünne Filme (zum Beispiel weniger als etwa 0,1 µm) bis mehrere Stunden für dickere Filme sind, abhängig von der Temperatur, im allgemeinen geeignet. Es ist insbesondere bevorzugt, die beschichteten Substrate bei einer Temperatur von etwa 400°C etwa 3 Stunden zu erhitzen.

Jede Inertgasatmosphäre wie Argon oder Helium kann für den obigen Keramifizierungsschritt verwendet werden. Der Ausschluß von Sauerstoff ist jedoch im allgemeinen notwendig, um die neue erfindungsgemäße Beschichtung herzustellen, da das Erhitzen in Gegenwart von Sauerstoff zur Umwandlung zu Siliciumoxid (SiO₂) führen würde.

Jedes Erhitzungsverfahren wie die Verwendung eines Konvektionsofens oder eines Strahlers oder Mikrowellenenergie ist im allgemeinen geeignet. Ebenso ist die Erhitzungs geschwindigkeit im allgemeinen kein kritischer Faktor, aber es ist am praktischsten und bevorzugt, das Substrat so schnell wie möglich zu erhitzen.

Bei einem typischen Keramifizierungsverfahren kann das beschichtete Substrat in einen Konvektionsofen gestellt werden und eine kontinierliche Strömung von Inertgas einge leitet werden. Die Temperatur im Ofen wird dann auf den ge wünschten Grad (zum Beispiel etwa 400°C) erhöht und über die gewünschte Zeit (zum Beispiel etwa 3 Stunden) aufrecht erhalten.

Obwohl die Erfinder nicht auf eine Theorie beschränkt werden wollen, wird angenommen, daß das Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und der Katalysator eine reaktive Umgebung erzeugen, die die Spaltung von SiH-Bindungen und die Keramifizierung der Beschichtung fördert. Wenn Dodecamethylcyclohexasilan verwendet wird, wird angenommen, daß Dimethylsilan ((CH₃)₂SiH₂) durch diese Spaltung freigesetzt wird, wobei sich eine Beschichtung ergibt, die amorphes Siliciumsuboxid enthält.

Mit dem obigen Verfahren wird eine dünne (weniger als 2 pm) keramische einebnende Beschichtung auf dem Substrat hergestellt. Die Beschichtung glättet die unregelmäßigen Oberflächen verschiedener Substrate und hat ausgezeichnete Hafteigenschaften. Außerdem kann die Beschichtung von anderen Beschichtungen wie zum Beispiel zusätzlichen SiO₂-Schichten, Silicium-enthaltenden Beschichtungen, Silicium-Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen, Silicium-Stickstoff-enthaltenden Beschichtungen, Silicium-Sauerstoff-Stickstoff-enthaltenden Beschichtungen und/oder Silicium-Stickstoff-Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen bedeckt werden. Solche Mehr fachbeschichtungen sind auf diesem Gebiet bekannt und viele sind in US-Patent Nr. 4 756 977 beschrieben.

Das folgende nicht-beschränkende Beispiel wird angefügt, damit der Fachmann die Erfindung leichter verstehen kann.

Infrarotanalysen wurden mit Siliciumscheiben (IR transparent), die im folgenden Beispiel beschichtet wurden, durchgeführt. Die Umwandlung zu keramischem Material zeigt sich durch die Entfernung der SiH-Gruppe, was durch das Verschwinden des IR-Peaks bei etwa 2245 cm^-1 sichtbar wird. Der Prozentanteil SiH, der nach Hydrolyse zurückbleibt, wurde berechnet, indem die Fläche des SiH-Peaks vor und nach Hydrolyse berechnet wurde. Der Brechungsindex wurde gemessen bei der in der Tabelle angegebenen Wellenlänge. Die Dicke wurde bestimmt mit dem Rudolph-Elipsometer.

Beispiel 1

Hydrogensilsesquioxanharz, hergestellt mit dem Verfahren von Bank et al., Dodecamethylcyclohexasilan und ein Katalysa tor (in den in Tabelle 1 angegebenen Mengen) wurden in Toluol gelöst durch Rühren in einem Kolben bei Raumtemperatur unter Bildung einer klaren, nicht-gelierten Lösung.

Siliciumscheiben mit 6,4 cm² wurden mit diesen Lösungen beschichtet und dann 35 Sekunden mit 3000 Upm geschleudert. Die Vorrichtungen wurden in einem 5 cm Lindberg-Ofen mit Stickstoffatmosphäre auf die Temperatur und über den Zeit raum, wie in der Tabelle angegeben, erhitzt. Falls UV-Licht verwendet wurde, wurde es in einem UV-Reaktor mit einer photochemischen Lampe mit 450 Watt Canrad-Hanovia-Medium unter Druck erzeugt. FTIR-Spektren wurden vor und nach der Pyrolyse aufgenommen und die Ergebnisse wurden verglichen, um die Menge an umgesetztem SiH zu bestimmen.

Die Beispiele 1 bis 6 zeigen die Wirkung bei Veränderung der Menge an Katalysator in der Lösung. Es ist anzumerken, daß ein Erhöhen der Katalysatormenge den Grad an SiH-Umwand lung erhöht. Die Beispiele 7 und 8 zeigen, daß das Erhöhen der Menge an Cyclohexasilan und Katalysator die SiH-Umwand lung verstärkt. Die Beispiele 9 bis 11 sind Vergleichsbei spiele und zeigen, daß das Weglassen von Cyclohexasilan (9) und Cyclohexasilan und Katalysator (11) die SiH-Umwandlung vermindert. Die Beispiele 12 und 13 zeigen, daß das Weglassen des Katalysators die SiH-Umwandlung vermindert. Die Beispiele 14 bis 17 zeigen, daß das Absenken der Temperatur die SiH-Umwandlung vermindert. Die Beispiele 18 bis 21 zeigen, daß die zusätzliche Bestrahlung mit UV-Licht bei der Pyrolyse die SiH-Umwandlung erhöht.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß man eine präkeramische Beschichtung, die Hydrogensilses quioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Platinkatalysatoren und Kupferkatalysatoren, umfaßt, abscheidet und die präkeramische Beschichtung in einer Inertatmosphäre bei einer Temperatur, die für eine Keramifizierung ausreicht, pyrolysiert.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung durch Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich von etwa 200 bis etwa 1000°C in Gegenwart von UV-Licht keramifiziert wird.

3. Substrat beschichtet mit dem Verfahren von Anspruch 1.

4. Homogene flüssige Zusammensetzung, umfassend ein Lö sungsmittel, Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Platinkatalysatoren und Kupferkatalysatoren.