DE4035218C2 - Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung

Info

Publication number
DE4035218C2
DE4035218C2 DE4035218A DE4035218A DE4035218C2 DE 4035218 C2 DE4035218 C2 DE 4035218C2 DE 4035218 A DE4035218 A DE 4035218A DE 4035218 A DE4035218 A DE 4035218A DE 4035218 C2 DE4035218 C2 DE 4035218C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
coating
silicon
coatings
ceramic
preceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4035218A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4035218A1 (de
Inventor
Loren Andrew Haluska
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of DE4035218A1 publication Critical patent/DE4035218A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4035218C2 publication Critical patent/DE4035218C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/46—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with organic materials
    • C04B41/49—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes
    • C04B41/4905—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes containing silicon
    • C04B41/4922—Compounds having one or more carbon-to-metal or carbon-to-silicon linkages ; Organo-clay compounds; Organo-silicates, i.e. ortho- or polysilicic acid esters ; Organo-phosphorus compounds; Organo-inorganic complexes containing silicon applied to the substrate as monomers, i.e. as organosilanes RnSiX4-n, e.g. alkyltrialkoxysilane, dialkyldialkoxysilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
    • Y10T428/12049—Nonmetal component
    • Y10T428/12056—Entirely inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer keramikartigen Beschichtung auf Substraten, wie elektroni­ schen Vorrichtungen, durch Aufbringen von keramikartigen Be­ schichtungen aus Materialien wie amorphem Siliciumdioxid, Sili­ cium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid und Siliciumcarbonitrid auf die Oberfläche dieser Substrate.
Die US-A 4 874 462 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Films aus einer anorganischen Metallverbindung auf einem Substrat, indem darauf ein Siliciumalkoxidsol aufgebracht und hydrolysiert wird, wodurch ein Gelfilm gebildet wird. Dieser Film wird bei einer Temperatur von weniger als 300°C gehärtet.
Die US-A 4 849 296 beschreibt, daß Gemische aus einem Wasserstoffsilsesquioxanharz und einem Metalloxidvorläufer auf ein Substrat aufgebracht und dann bei einer Temperatur im Bereich von 200°C bis 400°C in der Gegenwart von Ammoniak keramifiziert werden.
Die US-A 4 814 017 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Organoalkoxysilan/Metalloxid-Sol-GelZusammensetzung, die luftge­ trocknet und dann bei 40°C bis 130°C erwärmt wird, um den Überzug zu härten.
Die EP-A 0 212 691 beschreibt ein Verfahren zur chemischen Dampfphasenabscheidung eines auf SiO2 basierenden Films auf einer Halbleiterstruktur, wobei spezielle Alkoxysilane verwendet werden und Ozon bei einer Temperatur im Bereich von 300°C bis 500°C in die Reaktionskammer eingeführt wird.
Die JP-A 62-274 078 beschreibt die Bildung eines dünnen metallischen oder metalloxidischen Films auf einem Substrat, indem das Substrat mit einer ein Metall enthaltenden organischen Substanz beschichtet und dann eine Plasmabehandlung mit Sauerstoff bei einer relativ niedrigen Temperatur durchgeführt wird.
Die US-A 4 346 131 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines eine Oxidbeschichtung aufweisenden Substrats durch Aufbringen einer Si(OR)4-Lösung und anschließende Verdampfung des Lösungs­ mittels bei 300°C bis 600°C, wodurch ein anorganisches Metall­ oxidpolymer gebildet wird.
Es wurde gefunden, daß eine keramikartige Beschichtung, die sich von einer präkeramischen Lösung von Siliciumalkoxiden und gegebenenfalls keramikartigen Oxidvorläufern ableitet, leicht auf verschiedene Substrate bei Temperaturen von nur 200°C aufgebracht werden kann, wenn die Keramifizierung in einer Ozonumgebung in Gegenwart von Wasserdampf durchgeführt wird.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein schnelles, bei niedriger Temperatur durchzuführendes Verfahren zur Bildung einer keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat. Sie umfaßt die Beschichtung des Substrats mit einer Lösung, die ein Lösungsmittel und ein oder mehrere hydrolysierte oder teilweise hydrolysierte präkeramikartige Siliciumalkoxide der Formel RxSi(OR')4-x umfaßt, worin R und R' gleich oder verschieden sein können und Alkylgruppen mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, Arylgruppen, Alkenylgruppen oder Alkinylgruppen sind und x 0 bis 2 ist. Das Lösungsmittel wird verdampft und eine präkeramikartige Beschichtung wird dadurch auf dem Substrat abgelagert. Das beschichtete Substrat wird dann auf eine Temperatur zwischen 200 und 400°C in Gegenwart von Ozon und Wasserdampf erhitzt, um die präkeramikartige Beschichtung zu keramifizieren.
Das Verfahren der Erfindung ist nützlich zur Bildung von Schutzüberzügen auf jeglichem temperaturempfindlichen Mate­ rial. Insbesondere jedoch ist das Verfahren vorteilhaft zum Abdichten elektronischer Vorrichtungen vor verschiedenen Umweltbelastungen, wie Feuchtigkeit, Hitze und Abrieb. Weiterhin wurde gefunden, daß Siliciumalkoxide der obigen Formel besonders geeignet sind, um Beschichtungen auf Indiumzinnoxidsubstrate aufzubringen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf die Bildung zusätzlicher keramischer oder keramikartiger Beschichtungen auf der oben gebildeten Beschichtung. In einem Doppelschicht­ system kann die zweite Passivierungsschicht Silcium enthal­ tende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoff enthaltende Be­ schichtungen, Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltende Beschichtungen oder eine zusätzliche Siliciumdioxid- und keramische Oxidbeschich­ tung umfassen. In einem Dreischichtsystem kann die zweite Passivierungsschicht Siliciumkohlenstoff enthaltende Be­ schichtungen, Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltende Beschichtungen oder eine zusätzliche Siliciumdioxid- und keramische Oxidbeschich­ tung umfassen und die dritte Sperrschicht kann Siliciumbe­ schichtungen, Siliciumkohlenstoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtungen und Silicium­ kohlenstoffstickstoff enthaltende Beschichtungen umfassen.
Die oben beschriebenen zusätzlichen Beschichtungsschichten können unter Verwendung einer Anzahl von Techniken aufge­ bracht werden, einschließlich chemische Damphasenabscheidung, Plasma-CVD-Verfahren, oder durch Metalle unterstützte CVD- Verfahren oder durch Keramifizierung eines präkeramischen Polymers.
Erfindungsgemäß wurde gefunden, daß die Umwandlung von Siliciumalkoxiden und gegebenenfalls keramischen Oxidvor­ läufern zu keramischen oder keramikartigen Beschichtungen schnell bei niedrigen Temperaturen durch Keramifizierung in Gegenwart von Ozon und Wasserdampf auftreten kann. Die Erfindung betrifft auch das Verfahren zur Beschichtung der obigen keramikartigen Beschichtungen mit zusätzlichen passivierenden und/oder Sperrbeschichtungen, die Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Siliciumcarbonitrid oder Silicium­ dioxid/keramikartige Oxid-Beschichtungen, die wie oben gebildet wurden, umfassen.
Die Einzel- und Vielschichtbeschichtungen, die hier gelehrt werden, sind insbesondere geeignet, um eine Vielzahl von temperaturempfindlichen Substraten, wie elektronische Vor­ richtungen, elektronische Stromkreise oder Kunststoffe, ein­ schließlich zum Beispiel Polyimide, Epoxide, Polytetrafluor­ ethylene und Copolymere davon, Polycarbonate, Acrylate und Polyester mit einer Schutzschicht zu versehen. Die Silicium­ alkoxide der Erfindung erwiesen sich auch als besonders geeignet zum Aufbringen von Beschichtungen auf Indiumzinnoxidsubstrate. Die Auswahl der Substrate und Vorrichtungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtet werden sollen, ist jedoch nur durch die Notwendigkeit von thermischer und chemischer Stabilität des Substrates bei der Temperatur und Atmosphäre, die gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, beschränkt. Die hier beschriebenen Beschichtungen können auch als dielektrische Schichten, dotierte dielektrische Schichten zur Herstellung von transistorartigen Vorrichtungen, mit Pigment beladenen Binde­ mittelsystemen, die Silicium enthalten, zur Herstellung von Kondensatoren und kondensatorähnlichen Vorrichtungen, mehr­ schichtigen Vorrichtungen, 3D-Vorrichtungen, Siliciumfilmen auf Isolatoren, Halbleitervorrichtungen und dergleichen dienen.
Der Ausdruck "keramikartig", wie er in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, bezieht sich auf pyrolysierte Materialien, die nicht vollständig frei sind von restlichem Kohlenstoff und/oder Wasserstoff, die aber ansonsten einen keramikartigen Charakter haben; der Ausdruck "Planarbeschichtung" bezieht sich auf eine Beschichtung, die eine Oberflächensperrschicht liefert, die weniger irregulär ist als die Oberfläche vor dem Aufbringen der Beschichtung; die Ausdrücke "elektronische Vorrichtung" oder "elektronischer Stromkreis" schließen Vorrichtungen auf Siliciumbasis, Vorrichtungen auf Galliumarsenidbasis, Brennflächenbereiche, optoelektronische Vorrichtungen, Photoelemente und optische Vorrichtungen ein, sind aber nicht darauf beschränkt und der Ausdruck "hydrolysiert oder teilweise hydrolysiert" wird verwendet, um ein Siliciumalkoxid oder eine Mischung von Siliciumalkoxiden zu bezeichnen, die unter wäßrigen, basischen oder sauren Bedingungen behandelt wurden, so daß ent­ weder alle oder ein Teil der hydrolysierbaren Substituenten an dem Siliciumalkoxid hydrolysiert wurden.
In der vorliegenden Erfindung kann die keramikartige Beschichtung auf dem Substrat gebildet werden mit einem Verfahren, das das Beschichten des Substrats mit einer Lösung, die ein Lösungsmittel und ein oder mehrere hydrolysierte oder teilweise hydrolysierte präkeramische Siliciumalkoxide enthält, umfaßt. Das Lösungsmittel wird verdampft, wobei eine präkeramische Beschichtung, die auf dem Substrat abgelagert ist, zurückbleibt. Das beschichtete Substrat wird dann auf eine Temperatur zwischen 200 und 400°C in Gegenwart von Ozon und Wasserdampf erhitzt unter Bildung der keramikartigen Beschichtung.
Gegebenenfalls kann die keramikartige Beschichtung gebildet werden mit einem Verfahren, das das Beschichten des Substrats mit einer Lösung, die ein Lösungsmittel und eine präkeramische Mischung von einem oder mehreren hydrolysierten oder teilweise hydrolysierten Siliciumalkoxiden und einen keramikartigen Oxidvorläufer enthält, umfaßt. Das Lösungsmittel wird verdampft, wobei eine präkeramische Beschichtung, die auf dem Substrat abgeschieden ist, zurückbleibt. Das beschichtete Substrat wird dann auf eine Temperatur zwischen 200 und 400°C erhitzt in Gegenwart von Ozon und Wasserdampf unter Bildung der keramikartigen Beschichtung.
Die Siliciumalkoxide, die für die Erfindung geeignet sind, schließen eine oder mehrere Verbindungen der Formel RxSi(OR')4-x ein, worin R und R' gleich oder verschieden sein können und eine Alkylgruppe mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, wie eine Methyl-, Ethyl-, Propylgruppe etc., eine Arylgruppe, wie eine Phenylgruppe, eine Alkenylgruppe, wie eine Vinyl- oder Allylgruppe, oder eine Alkinylgruppe, wie eine Ethinylgruppe, bedeuten und x 0 bis 2 ist. Diese Verbindungen werden, wenn sie hydrolysiert und kondensiert werden, hauptsächlich zu SiO2- enthaltenden Materialien umgewandelt. Beispiele spezieller Verbindungen, die hier eingeschlossen sind, schließen Monomethyltriethyloxysilan, Monophenyltriethoxysilan, Diethyldiethoxysilan, Monovinyltrimethoxysilan, Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Tetrapropoxysilan und Tetrabutoxysilan ein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Wenn die obigen Verbindungen, worin x = 2 ist, hydrolysiert und kondensiert werden, werden normalerweise cyclische Strukturen erzeugt. Da cyclische Verbindungen im allgemeinen für die Filmbildung nicht wirksam sind, werden sie normalerweise nicht als einzige präkeramische Verbindung verwendet. Diese Verbindungen können jedoch mit anderen präkeramischen Verbin­ dungen cohydrolysiert werden unter Bildung geeigneter Be­ schichtungsmittel.
Zusätzliche präkeramische Materialien, von denen angenommen wird, daß sie in gleicher Weise wirken, schließen kondensierte Ester der Formel (RO)3SiOSi(OR)3, Disilane der Formel (RO)xRySiOSiRy(OR)x, Verbindungen die Struktureinheiten wie SiOC enthalten, worin die Kohlenstoff enthaltende Gruppe unter den thermischen Bedingungen hydrolysierbar ist, oder jede andere Quelle für SiOR ein.
Die obigen Siliciumalkoxide sind insbesondere vorteilhaft deswegen, weil sie nicht die Reduktionswirkung von SiH ent­ haltenden SiO2 Vorläufern besitzen. Als solche sind diese Verbindungen geeignet zum Aufbringen von Beschichtungen auf Substrate wie auf Indiumzinnoxid, das durch Reduktion ange­ griffen werden könnte.
Wenn keramische Oxidvorläufer erfindungsgemäß enthalten sein sollen, können sie zum Beispiel Zusammensetzungen verschiedener Metalle wie Zirkonium, Titan, Aluminium, Tantal, Niob und/oder Vanadium ebenso wie verschiedene nicht- metallische Kompositionen sein, wie solche von Bor oder Phos­ phor. Der Ausdruck "keramische Oxidvorläufer" soll daher solche metallischen und nicht-metallischen Zusammensetzungen mit einer oder mehrerern hydrolysierbaren Gruppen, die an das obige Metall oder Nichtmetall gebunden sind, einschließen. Beispiele von hydrolysierbaren Gruppen schließen Alkoxygrup­ pen, wie Methoxy-, Ethoxy-, Propoxygruppen etc., Acyloxy­ gruppen, wie Acetoxygruppen oder andere organische Gruppen, die an das Metall oder Nichtmetall über einen Sauerstoff gebunden sind, ein, sind aber nicht darauf beschränkt. Diese Zusammensetzungen müssen bei niedrigen Temperaturen und mit relativ schnellen Reaktionsgeschwindigkeiten in Gegenwart von Ozon zu keramischen Oxidbeschichtungen hydrolysiert und an­ schließend pyrolysiert werden können. Der keramische Oxid­ vorläufer ist im allgemeinen in einer solchen Menge vorhan­ den, daß die entstehende keramische Beschichtung 0,1 bis 30% keramisches Oxid enthält.
Im Fall von hochreaktiven keramischen Oxidvorläufern, wie Propoxiden, Isopropoxiden, Butoxiden, Isobutoxiden oder Acetylacetonaten können die keramischen Oxidvorläufer und Siliciumalkoxide vorgemischt werden und in Ethanol am Rück­ fluß 24 Stunden erhitzt werden, um eine homogene Reaktions­ mischung zu liefern, die einheitlich und mit einer kontrol­ lierten Geschwindigkeit hydrolysiert werden kann. Das Kochen am Rückfluß erzeugt eine Kondensationsreaktion, deren Pro­ dukt einheitlich hydrolysiert werden kann. Jedoch führen Versuche, eine Mischung der oben erwähnten hochreaktiven keramischen Oxidvorläufer und eines Siliciumalkoxids zu prähydrolysieren ohne die Kondensationsreaktion zu einer gegenüber dem Siliciumalkoxid bevorzugten und schnellen Hydrolyse des keramischen Oxidvorläufers, was zu einer schnellen, nicht homogenen Gelierung der Reaktionsmischung führt.
Das Lösungsmittel, das gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann irgendein Mittel oder eine Mischung von Mitteln sein, die das Siliciumalkoxid und den keramischen Oxidvorläufer, falls vorhanden, lösen, ohne die dabei her­ gestellte keramische Beschichtung zu verändern. Diese Lö­ sungsmittel können zum Beispiel Alkohole, wie Ethyl- oder Isopropylalkohol, aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Benzol oder Toluol, Alkane, wie n-Heptan oder Dodecan, Ketone, Ester oder Glykolether einschließen in einer Menge, die ausreicht, um die obigen Materialien mit niedrigem Feststoffgehalt zu lösen. Zum Beispiel kann so viel von dem obigen Lösungsmittel eingesetzt werden, daß eine 0,1 bis 35 gewichtsprozentige Lösung sich bildet.
Die präkeramische Lösung der Siliciumalkoxide und gegebenen­ falls keramischen Oxidvorläufer wird auf das Substrat aufge­ bracht. Das Beschichtungsverfahren kann eine Schleuderbeschich­ tung, Tauchbeschichtung, Sprühbeschichtung oder Fließbe­ schichtung sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Das Lösungsmittel in der Lösung läßt man verdampfen und dadurch wird eine präkeramische Beschichtung abgelagert. Jedes geeignete Mittel zur Verdampfung kann verwendet werden, wie zum Beispiel einfaches Lufttrocknen oder die Anwendung eines Vakuums oder milder Wärme. Es ist anzumerken, daß dann, wenn eine Schleuderbeschichtung angewendet wird, ein zusätzliches Trocknen im allgemeinen nicht notwendig ist, da beim Schleudern das Lösungsmittel abgetrieben wird.
Die Beschichtung wird keramifiziert durch Erhitzen des be­ schichteten Substrats auf eine Temperatur zwischen 200 und 400°C in Gegenwart von Ozon und Wassserdampf.
Jedes Verfahren der Erhitzung wie die Verwendung des Kon­ vektionsofens oder von Strahlungswärme oder Mikrowellenenergie ist im allgemeinen hier anwendbar. Die Erwärmungsgeschwindigkeit ist ebenso nicht kritisch, aber es ist am praktischsten und auch bevorzugt, das Substrat so schnell wie möglich zu erhitzen.
In einem typischen Keramifizierungsverfahren kann das be­ schichtete Substrat in einen Konvektionsofen gebracht werden und ein kontinuierlicher Ozonstrom eingeführt werden. Die Temperatur im Ofen wird dann auf den gewünschten Grad erhöht (wie zum Beispiel etwa 200°C) und für den gewünschten Zeitraum (wie zum Beispiel etwa 0,5 bis 8 Stunden) aufrechterhalten.
Die erfindungsgemäße Ozonkonzentration ist jede Menge an Ozon, die ausreichend ist, um die Keramifizierung zu verbessern. Im allgemeinen sind Konzentrationen von mehr als 0,01 Gewichtsprozent wirksam, wobei größere Mengen bessere Ergebnisse liefern.
Das oben verwendete Ozon kann durch übliche Mittel erzeugt werden, wie zum Beispiel dadurch, daß man Sauerstoff einfach einer Quelle für UV-Licht aussetzt. Das UV-Licht kann von irgendeiner Quelle, die Licht einer Wellenlänge im Bereich von etwa 185 bis etwa 200 nm emittieren kann, kommen, wie zum Beispiel einer Quarzquecksilberlampe. Die Sauerstoffquelle kann einfach die Umgebungsatmosphäre sein, aber es hat sich erwiesen, daß eine mit Sauerstoff angereicherte Atmosphäre oder eine Atmosphäre von reinem Sauerstoff die Geschwindigkeit der Keramifizierung erhöhen kann.
Alternativ kann das Ozon erzeugt werden, indem man eine Sauerstoffquelle durch einen Ozongenerator leitet. Verschiedene Generatoren sind in der Technik wohl bekannt und viele sind im Handel erhältlich. Das Verfahren unter Verwendung eines Ozongenerators ist insbesondere vorteilhaft, da eine größere Menge an Ozon hergestellt werden kann. Zum Beispiel kann ein Ozongenerator Ozonkonzentrationen bis zu etwa 10 Gewichtsprozent erzeugen, wo hingegen das UV-Licht-Verfahren nur Konzentrationen bis zu etwa 0,1 Gewichtsprozent erzeugen kann.
Der Mechanismus, durch den Ozon die Temperatur, die für die Keramifizierung notwendig ist, absenkt, wurde noch nicht vollständig untersucht, aber es wird angenommen, daß Ozon die Oxidation des Siliciumalkoxids und des keramikartigen Oxid­ vorläufers, falls vorhanden, verbessert, unter Bildung der keramikartigen Beschichtung.
Zusätzlich zu Ozon ist bei dem Pyrolyseverfahren Wasserdampf zugegen. Es erwies sich, daß der Einschluß von Wasserdampf die Geschwindigkeit der Ozonoxidation weiter verbessert.
Durch die obigen Verfahren wird eine dünne (weniger als 2 µm) keramikartige Planarbeschichtung auf dem Substrat erzeugt. Die Beschichtung glättet die irregulären Oberflächen verschiedener Substrate und hat ausgezeichnete Hafteigenschaften. Außerdem kann die Beschichtung durch weitere Beschichtungen wie weitere SiO2/Keramikoxidschichten, Silicium enthaltende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtungen und/oder Siliciumstickstoffkohlenstoff enthaltende Beschichtungen bedeckt werden.
In einem Zweischichtsystem kann die zweite Passivierungs­ schicht Silicium enthaltende Beschichtungen, Siliciumkohlen­ stoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumstickstoff enthal­ tende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoffstickstoff enthal­ tende Beschichtungen oder eine zusätzliche Siliciumdioxid- und Keramikoxidbeschichtung umfassen. In einem Dreischicht­ system kann die zweite Passivierungsschicht Siliciumkohlen­ stoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumstickstoff enthal­ tende Beschichtungen, Siliciumkohlenstoffstickstoff enthal­ tende Beschichtungen oder eine zusätzliche Siliciumdioxid- und Keramikoxidbeschichtung umfassen und die dritte Sperr­ schicht kann Siliciumbeschichtungen, Siliciumkohlenstoff enthaltende Beschichtungen, Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtungen und Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltende Beschichtungen umfassen.
Die oben beschriebene Silicium enthaltende Beschichtung wird aufgetragen mit einem Verfahren, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus (a) chemischer Dampfphasenabscheidung eines Silans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpoly­ silans oder einer Mischung davon, (b) chemische Plasmadampf­ phasenabscheidung eines Silans, Halogensilans, Halogendi­ silans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon oder (c) durch Metall unterstützte chemische Dampfphasenabscheidung eines Silans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpoly­ silans oder einer Mischung davon. Die Siliciumkohlenstoff­ beschichtung wird aufgetragen mit einem Verfahren ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (1) chemischer Dampfphasenab­ scheidung eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halo­ gendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans, (2) chemischer Plasmadampfphasen­ abscheidung eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoff­ atomen oder eines Alkylsilans oder (3) einer chemischen Plasmadampfphasenabscheidung eines Silacyclobutans oder Disilacyclobutans. Die Siliciumstick­ stoff enthaltende Beschichtung wird abgeschieden mit Hilfe eines Verfahrens ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (A) chemischer Dampfphasenabscheidung eines Silans, Halo­ gensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart von Ammoniak, (B) einer chemi­ schen Plasmadampfphasenabscheidung eines Silans, Halogen­ silans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mi­ schung davon in Gegenwart von Ammoniak oder (C) einer Kera­ mifizierung eines Silicium und Stickstoff enthaltenden prä­ keramischen Polymers. Die Siliciumkohlenstoffstickstoff ent­ haltende Beschichtung wird abgeschieden mit Hilfe eines Ver­ fahrens ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (i) chemi­ scher Dampfphasenabscheidung eines Hexamethyldisilazans, (ii) einer chemischen Plasmadampfphasenabscheidung von Hexa­ methyldisilazan, (iii) der chemischen Dampfphasenabscheidung von Silan, Alkylsilan, Halogensilan, Halogendisilan, Halogen­ polysilan oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans und weiterhin in Gegenwart von Ammoniak, (iv) einer chemischen Plasmadampfphasenabscheidung eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlen­ stoffatomen oder eines Alkylsilans und weiterhin in Gegenwart von Ammoniak und (v) der Keramifizierung einer präkeramischen Lösung, die ein mit Kohlenstoff substituiertes Polysilazan, Polysilacyclobutasilazan oder Polycarbosilan umfaßt, in Ge­ genwart von Ammoniak. Die Siliciumdioxid- und Keramikoxid­ beschichtung wird aufgebracht durch die Keramifizierung einer präkeramischen Mischung, die einen Siliciumdioxidvorläufer und einen Keramikoxidvorläufer umfaßt, wie in der Anfangsbe­ schichtung.
Mit der vorliegenden Erfindung hergestellte Beschichtungen haben eine niedrige Fehlerdichte und sind geeignet für elektronische Vorrichtungen, als Schutzüberzüge, als korrosionsresistente und abriebresistente Beschichtungen, als temperatur- und feuchtigkeitsresistente Beschichtungen, als dielektrische Schichten und als Diffusionssperrschichten gegen ionische Verunreinigungen wie Natrium und Chlorid.
Die folgenden, nicht beschränkenden Beispiele sind beigefügt, um die Erfindung näher zu erläutern.
Infrarotanalysen wurden durchgeführt mit Siliciumplättchen (IR transparent), die in den folgenden Beispielen beschichtet wurden. Die Umwandlung in keramisches Material wird angezeigt durch Entfernung der organischen hydrolysierbaren Gruppen und ebenso der Hydroxysubstituenten. Die Entfernung von Hydroxy­ gruppen wird sichtbar gemacht durch das Verschwinden des Peaks bei etwa 920 cm-1 und die Entfernung von Methoxy- und Ethoxysubstituenten wird sichtbar gemacht durch Verschwinden der Peaks bei etwa 1100 cm-1 bzw. etwa 1075 bis 1100 cm-1. Die Entfernung der organischen Substituenten (ein­ schließlich hydrolysierbarer Gruppen, die oben nicht aufge­ listet sind) wurde sichtbar durch das Verschwinden von Peaks bei mehr als 1062 cm-1.
Beispiel 1
Eine Mischung von 0,313 g Si(OCH2CH3)4 (Tetraethyl­ orthosilikat (TEOS)) und 0,040 g Zr(O2C5H7)4 (Zir­ koniumtetra-2,4-pentandionat) wurde in 9,648 g Ethanol ge­ löst und 24 Stunden am Rückfluß erhitzt. Die Lösung wurde auf Raumtemperatur gekühlt und 0,114 g Wasser und 0,15 g 2,5% wäßriges HCl wurden zugegeben. Diese Lösung wurde auf 60 bis 70°C 30 Minuten erwärmt unter Bildung einer klaren hydroly­ sierten präkeramischen Mischung. 7 Tropfen dieser Mischung wurden auf ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen fließbeschichtet und das Lösungsmittel wurde abdampfen ge­ lassen unter Bildung einer präkeramischen Beschichtung. Die Beschichtung wurde in zwei Stufen keramifiziert: In der ersten Stufe wurde das Plättchen 2 Stunden auf 200°C erhitzt in einem 5,08 cm Lindburg-Ofen, der etwa 0,04 Gewichtsprozent strömendes Ozon (erzeugt in einer BHK Inc. Analamp Vorrich­ tung mit einer Wellenlänge von 185 bis 579 nm) und Wasser­ dampf enthielt. In der zweiten Stufe wurde das Plättchen in Ozon (wie oben) bei 200°C eine weitere Stunde erhitzt, aber der Wasserdampf wurde unterbrochen. Eine keramische Beschich­ tung, die ungefähr 150 nm dick war, wurde dabei herge­ stellt. FTIR-Spektren bestätigten die Entfernung im wesent­ lichen aller Alkoxygruppen und der meisten Hydroxysubstituen­ ten.
Beispiel 2
Eine Mischung von 8,03 g Si(OCH2CH3)4 6,78 g Ethanol, 2,8 g Wasser und 0,02 g von 5-prozentigem wäßrigem HCl wurde 30 Minuten auf 60 bis 70°C erhitzt und dann mit 47,34 g Ethanol verdünnt. 1,8 g dieser Mischung wurden mit 5,2 g Ethanol und 0,068 g Ti(OBu)2(O2C5H7)2 (Titan(di­ butoxy)bis(2,4-pentandionat)) vermischt unter Bildung einer klaren hydrolysierten präkeramischen Mischung. 7 Tropfen der hydrolysierten präkeramischen Mischung wurden auf ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen fließbeschichtet. Die Mischung wurde trocknen gelassen unter Bildung einer prä­ keramischen Beschichtung. Die präkeramische Beschichtung wurde auf dieselbe Art wie in Beispiel 1 keramifiziert. Eine keramische Beschichtung mit einer Dicke von etwa 150 nm wurde dadurch hergestellt. FTIR-Spektren bestätigten die Ent­ fernung aller Alkoxygruppen und der meisten Hydroxysubstitu­ enten.
Beispiel 3
Eine Mischung von 4,7 g Si(OCH2CH3)4, 3,98 g Ethanol, 9,92 g Wasser und drei Tropfen 5-prozentiger wäßriger HCL wurden 30 Minuten auf 60 bis 70°C erhitzt und dann mit 47,34 g Ethanol verdünnt. 10 g dieser Mischung wurden mit 26,2 g Ethanol und 0,235 g Al(O2C5H7)3 (Aluminium-tris-2,4- pentandionat) vermischt unter Bildung einer klaren hydroly­ sierten präkeramischen Mischung. 7 Tropfen der hydrolysierten präkeramischen Mischung wurden auf ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen fließbeschichtet. Die Mischung wur­ de trocknen gelassen unter Bildung einer präkeramischen Be­ schichtung. Die präkeramische Beschichtung wurde auf dieselbe Art wie in Beispiel 1 keramifiziert, wobei sich eine kerami­ sche Beschichtung mit einer Dicke von etwa 150 nm bildete. FTIR-Spektren bestätigten die Entfernung aller Alkoxygruppen und der meisten Hydroxysubstituenten.
Beispiel 4
Eine Mischung von 0,729 g Si(OCH2CH3)4, 0,119 g Zr(O2C5H7)4, 0,180 g Al(O2C5H7)3, 0,098 g Ti(OBu)2(O2C5H7)2 und 28,9 g Ethanol wurde 24 Stun­ den am Rückfluß gekocht. Die Lösung wurde auf Raumtemperatur gekühlt und 0,12 g Wasser und ein Tropfen 5-prozentiges wäßriges HCl wurden zugegeben. Diese Lösung wurde 30 Minuten auf 60 bis 70°C erwärmt unter Bildung einer klaren hydroly­ sierten präkeramischen Mischung. 7 Tropfen der hydrolysierten präkeramischen Mischung wurden auf ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen fließbeschichtet. Die Mischung wur­ de trocknen gelassen unter Bildung einer präkeramischen Be­ schichtung. Die präkeramische Beschichtung wurde auf dieselbe Art wie in Beispiel 1 keramifiziert, wobei sich eine kerami­ sche Beschichtung einer Dicke von etwa 150 nm bildete. FTIR-Spektren bestätigten die Entfernung aller Alkoxygruppen und der meisten Hydroxysubstituenten.
Beispiel 5
Eine Mischung von 4,7 g Si(OCH2CH3)4, 3,98 g Ethanol, 9,92 g Wasser und 3 Tropfen 5-prozentiger wäßriger HCl wurden 30 Minuten auf 60 bis 70°C erhitzt und dann mit 47,34 g Ethanol verdünnt. 3 g dieser Mischung wurden mit 7 g Ethanol vermischt unter Bildung einer klaren hydrolysierten prä­ kermischen Mischung. 7 Tropfen der hydrolysierten präkerami­ schen Mischung wurden auf ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Sili­ ciumplättchen fließbeschichtet. Die Mischung wurde trocknen gelassen unter Bildung einer präkeramischen Beschichtung. Die präkeramische Beschichtung wurde auf dieselbe Art wie in Bei­ spiel 1 keramifiziert, wobei sich eine keramische Beschich­ tung einer Dicke von etwa 150 nm bildete. FTIR-Spektren bestätigten die Bildung von SiO2 und die Entfernung aller Alkoxygruppen und der meisten Hydroxysubstituenten.
Beispiele 6 bis 10 (fallen nicht unter den Umfang der Erfindung)
Zum Vergleich wurden präkeramische Beschichtungen auf 2,54 cm × 2,54 cm große Siliciumplättchen auf dieselbe Art wie in den Beispielen 1 bis 5 aufgebracht. Die keramischen Beschichtun­ gen wurden keramifiziert durch Erhitzen in zwei Stufen: In der ersten Stufe wurde das Plättchen zwei Stunden auf 214°C erhitzt in einem 5,08 cm Lindburg-Ofen, der Wasserdampf (kein Ozon) enthielt. In der zweiten Stufe wurde das Plättchen eine weitere Stunde auf 216°C erhitzt (wie oben), aber der Wasser­ dampf wurde weggelassen. Die FTIR-Spektren zeigten ganz klar, daß mehr restliche Hydroxy- und Alkoxysubstituenten in diesen Beschichtungen vorhanden waren als sie in den gemäß den Bei­ spielen 1 bis 5 gebildeten Beschichtungen mit Verwendung von Ozon beobachtet wurden.
Beispiel 11 (fällt nicht unter den Umfang der Erfindung)
Eine Mischung von 3,75 g CH2=CHSi(OCH3)3, 1,37 g Was­ ser, 2 Tropfen wäßriger 5-prozentiger HCl, 11,57 g Isopropyl­ alkohol (IPA), 2,0 g Butylalkohol und 2,0 g Dowanol EB (Monobutylether von Ethylenglykol) wurde 2 Stunden auf 60 bis 70°C erhitzt. Ein 2,54 cm × 2,54 cm großes mit Indium­ zinnoxid beschichtetes Quarzplättchen und ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen wurden mit der Lösung be­ schichtet und dann mit 3000 RPM 35 Sekunden geschleudert, um eine präkeramische Beschichtung abzuscheiden. Die präkera­ mische Beschichtung wurde dann keramifiziert, indem das be­ schichtete Plättchen in einen Reaktor aus rostfreiem Stahl mit einer 30,5 cm hohen Kreiskuppel gebracht wurde, wobei 3,1 Gewichtsprozent Ozon, die in einem Ozongenerator (herge­ stellt von PCI) erzeugt wurden, über das Plättchen strömen gelassen wurden, die Temperatur auf 215°C erhöht wurde und 2,5 Stunden diese Temperatur aufrechterhalten wurde. Eine klare Beschichtung wurde dabei auf jedem Plättchen erzeugt. FTIR-Sepktren zeigten die Umwandlung zu SiO2, wobei im wesentlichen keine Vinylsubstituenten übrig blieben.
Beispiel 12 (fällt nicht unter den Umfang der Erfindung)
Eine Mischung von 4,5 g CH3Si(OCH3)3, 2,5 g Wasser, 0,4 g Essigsäure und 4,0 g IPA wurde 30 Minuten auf 60 bis 74°C erhitzt. Die entstehende Lösung wurde dann auf einen Feststoffgehalt von 10% mit IPA verdünnt. Ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen wurde mit der Lösung be­ schichtet und dann mit 3000 RPM 35 Sekunden geschleudert, um eine präkeramische Beschichtung abzuscheiden. Die präkerami­ sche Beschichtung wurde dann keramifiziert, indem das be­ schichtete Plättchen in einen Reaktor aus rostfreiem Stahl mit einer 30,5 cm hohen Kreiskuppel gebracht wurde, wobei über das Plättchen 3,1 Gewichtsprozent Ozon, die in einem Ozongenerator erzeugt wurden, strömen gelassen wurden, die Temperatur auf 215°C erhöht wurde und 2,5 Stunden gehalten wurde. Auf diese Weise wurde eine klare Beschichtung herge­ stellt. FTIR-Spektren zeigten die Umwandlung zu SiO2, wobei im wesentlichen keine Methylgruppen und nur geringe Mengen an Hydroxylsubstituenten übrig blieben.
Beispiel 13 (fällt nicht unter den Umfang der Erfindung)
Eine Mischung von 4,5 g C6H5Si(OCH3)3, 2,5 g Wasser, 0,4 g Essigsäure und 4,0 g IPA wurden 30 Minuten auf 60 bis 74°C erhitzt. Die entstehende Lösung wurde dann auf 10% Feststoffgehalt mit IPA verdünnt. Ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplättchen wurde mit der Lösung beschichtet und bei 3000 RPM 35 Sekunden geschleudert, um eine präkera­ mische Beschichtung abzuscheiden. Die präkeramische Beschich­ tung wurde dann keramifiziert, indem das beschichtete Plätt­ chen in einen Reaktor aus rostfreiem Stahl mit einer 30,5 cm hohen Kreiskuppel gebracht wurde, wobei über das Plättchen 3,1 Gewichtsprozent Ozon, das in einem Ozongenerator erzeugt wurde, strömen gelassen wurden, die Temperatur auf 215°C angehoben wurde und 2,5 Stunden gehalten wurde. Eine klare Beschichtung wurde dadurch hergestellt. FTIR-Spektren zeigten die Umwandlung zu SiO2, wobei im wesentlichen keine Phenyl­ gruppen und nur geringe Mengen an Hydroxylsubstituenten übrig blieben.
Beispiel 14 (fällt nicht unter den Umfang der Erfindung)
Eine Mischung von 1,562 g Si(OCH2CH3)4, 2,92 g IPA, 0,417 g Wasser und 2 Tropfen 5-prozentiger wäßriger HCl wur­ den 50 Minuten auf 60 bis 75°C erhitzt. Diese Mischung wurde mit 0,25 g t-Butanol und 0,133 g VO(OCH2CH2CH3)3 ver­ mischt unter Bildung einer klaren hydrolysierten präkerami­ schen Mischung. Ein 2,54 cm × 2,54 cm großes Siliciumplätt­ chen wurde mit der präkeramischen Mischung beschichtet und bei 3000 rpm 35 Sekunden geschleudert. Das beschichtete Sub­ strat wurde keramifiziert, indem es in einen Reaktor aus rostfreiem Stahl mit einer 30,5 cm hohen Kreuzkuppel gebracht wurde, wobei 3,1 Gewichtsprozent Ozon strömten, die Tempera­ tur auf 200°C erhöht wurde und 5 Stunden gehalten wurde. Eine klare Beschichtung mit einer Dicke von etwa 252,4 nm wurde dadurch auf dem Plättchen erzeugt. FTIR-Spektren zeig­ ten die Entfernung aller Alkoxygruppen und der meisten Hy­ droxysubstituenten.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung einer keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat, gekennzeichnet durch:
Beschichten des Substrats mit einer Lösung, die ein Lö­ sungsmittel und ein oder mehrere hydrolysierte oder teilweise hydrolysierte präkeramische Siliciumalkoxide der Formel RxSi(OR')4-x umfaßt, worin R und R' gleich oder verschieden sein können und Alkylgruppen mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, Arylgruppen, Alkenylgruppen oder Alkinylgruppen sind und x 0 bis 2 ist;
Verdampfen des Lösungsmittels, wodurch eine präkeramische Beschichtung auf dem Substrat abgeschieden wird; und
Keramifizieren dieser präkeramikartigen Beschichtung durch Erhitzen des beschichteten Substrats auf eine Temperatur zwischen 200°C und 400°C in Gegenwart von Ozon und Wasserdampf.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Aufbringen einer Passivierungsbeschichtung auf die keramikartige Beschichtung, wobei die Passivierungsbeschichtung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus (i) Silicium enthaltenden Beschichtungen, (ii) Siliciumkohlenstoff enthaltenden Beschichtungen, (iii) Siliciumstickstoff enthaltenden Beschichtungen, (iv) Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltenden Beschichtungen und (v) einer zusätzlichen Siliciumdioxid- und keramischen Oxidbeschichtung, wobei die Silicium enthaltende Beschichtung auf die keramikartige Beschichtung aufgebracht wird mit einem Verfahren aus chemischer Dampfphasenabscheidung eines Silans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon ggf. im Plasma bzw. durch Metall unterstützt; und wobei die Siliciumkohlenstoffbeschichtung durch ein Verfahren aufgebracht wird ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (1) einer chemischen Dampfphasenabscheidung eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans, ggf. im Plasma oder (2) einer chemischen Plasmadampfphasenabscheidung eines Silacyclobutans oder Disilacyclobutans, und wobei die Siliciumstickstoff enthaltende Beschichtung abgeschieden wird mit Hilfe eines Verfahrens ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (A) einer chemischen Dampfphasenabscheidung eines Silans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart von Ammoniak, ggf. im Plasma; oder (B) Keramifizierung eines Silicium und Stickstoff enthaltenden präkeramischen Polymers, und wobei die Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltende Beschichtung abgeschieden wird mit Hilfe eines Verfahrens ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus (i) einer chemischen Dampfphasenabscheidung von Hexamethyldisilazan, ggf. im Plasma; (ii) einer chemischen Dampfphasenabscheidung eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder einer Mischung davon in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans und in Gegenwart von Ammoniak, ggf. im Plasma; und (iii) der Keramifizierung einer präkeramischen Lösung, die ein mit Kohlenstoff substituiertes Polysilazan, Polysila­ cyclobutasilazan oder Polycarbosilan umfaßt, in Gegenwart von Ammoniak, und wobei die Siliciumdioxid- und keramische Oxidbeschichtung aufgebracht wird durch Keramifizierung einer präkeramischen Mischung, die einen Siliciumdioxidvorläufer und einen Vorläufer keramischer Oxide umfaßt, um eine Silicium enthaltende Passivierungsbeschichtung herzustellen, wobei eine doppelschichtige, keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erhalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, des weiteren umfassend das Aufbringen einer zusätzlichen Silicium enthaltenden Sperrschicht auf die Passivierungsschicht, wobei die Passivierungsbeschichtung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus (i) Siliciumkohlenstoff enthaltenden Beschichtungen, (ii) Siliciumstickstoff enthaltenden Beschichtungen, (iii) Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltenden Beschichtungen und (iv) einer zusätzlichen Siliciumdioxid und Beschichtung keramischer Oxide, und wobei die Silicium enthaltende Sperrschicht ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus (i) Silicium enthaltenden Beschichtungen, (ii) Siliciumkohlenstoff enthaltenden Beschichtungen, (iii) Siliciumstickstoff enthaltenden Beschichtungen und (iv) Siliciumkohlenstoffstickstoff enthaltenden Beschichtungen, und wobei die Silicium enthaltende Sperrschicht auf die Passivierungsschicht aufgebracht wird mit Hilfe eines in Anspruch 2 beschriebenen Verfahrens, wobei eine mehrschichtige, keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erhalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vorläufer keramischer Oxide zusätzlich in der Lösung vorhanden ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorläufer keramischer Oxide eine Zusammensetzung ist, die ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Titan, Zirconium, Aluminium, Tantal, Vanadium, Niob, Bor und Phosphor umfaßt, und mindestens einen hydrolysierbaren Substituenten aufweist.
6. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1, wobei das Substrat eine elektronische Vorrichtung ist.
DE4035218A 1989-11-06 1990-11-06 Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung Expired - Fee Related DE4035218C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/432,119 US5318857A (en) 1989-11-06 1989-11-06 Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings
FR9100565A FR2697852B1 (fr) 1989-11-06 1991-01-18 Procédé de formation d'un revêtement céramique sur un substrat en présence d'ozone.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4035218A1 DE4035218A1 (de) 1994-06-01
DE4035218C2 true DE4035218C2 (de) 2001-05-03

Family

ID=26228465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4035218A Expired - Fee Related DE4035218C2 (de) 1989-11-06 1990-11-06 Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5318857A (de)
AU (1) AU646629B1 (de)
CA (1) CA2028696A1 (de)
DE (1) DE4035218C2 (de)
FR (1) FR2697852B1 (de)
GB (1) GB2271782B (de)
NL (1) NL9002408A (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510147A (en) * 1995-03-03 1996-04-23 International Paper Company Sol gel barrier films
EP0748775A3 (de) * 1995-05-30 1998-11-25 Central Glass Company, Limited Wasserabweisende Glasscheibe mit fein aufgerauhter Metalloxidbasisschicht
US5922411A (en) * 1995-07-13 1999-07-13 Tonen Corporation Composition for forming ceramic material and process for producing ceramic material
US5661092A (en) * 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
US7763327B2 (en) * 1996-04-22 2010-07-27 Micron Technology, Inc. Methods using ozone for CVD deposited films
DE19736925A1 (de) * 1996-08-26 1998-03-05 Central Glass Co Ltd Hydrophiler Film und Verfahren zur Erzeugung desselben auf einem Substrat
US5935638A (en) * 1998-08-06 1999-08-10 Dow Corning Corporation Silicon dioxide containing coating
US6593653B2 (en) * 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
DE10034885A1 (de) * 2000-07-18 2002-02-07 Epcos Ag Verfahren zum Entkohlen keramischer Formkörper
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
JP3913638B2 (ja) * 2001-09-03 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
US7909929B2 (en) * 2002-11-13 2011-03-22 Nippon Soda Co., Ltd. Dispersoid having metal-oxygen bonds, metal oxide film, and monomolecular film
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
DE10355038B4 (de) 2003-04-02 2022-09-08 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Beschichtung einer Oberfläche
US7521378B2 (en) * 2004-07-01 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Low temperature process for polysilazane oxidation/densification
WO2007015550A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Ibiden Co., Ltd. 炭化珪素質焼成用治具及び多孔質炭化珪素体の製造方法
US20100255289A1 (en) * 2006-01-25 2010-10-07 Charles Lewinsohn Aluminosilicate-Based Oxide Composite Coating and Bond Coat for Silicon-Based Ceramic Substrates
WO2007087423A2 (en) * 2006-01-25 2007-08-02 Ceramatec, Inc. Environmental and thermal barrier coating to provide protection in various environments
US20080026248A1 (en) * 2006-01-27 2008-01-31 Shekar Balagopal Environmental and Thermal Barrier Coating to Provide Protection in Various Environments
JP5052071B2 (ja) * 2006-08-25 2012-10-17 株式会社明電舎 酸化膜形成方法とその装置
CN102511031B (zh) * 2009-09-24 2015-11-25 国际商业机器公司 使用位图的数据存储
US9256367B2 (en) 2009-09-25 2016-02-09 International Business Machines Corporation Data storage and moving of relatively infrequently accessed data among storage of different types
EP2420532B1 (de) 2010-08-18 2013-07-10 Armacell Enterprise GmbH Selbsthärtendes flexibles Isoliermaterial mit ausgezeichneter Wärme- und Flammenbeständigkeit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0212691A1 (de) * 1985-06-14 1987-03-04 Focus Semiconductor Systems, Inc. Chemisches Niederschlagen von SiO2-Filmen aus der Dampfphase bei niedriger Temperatur
JPS62274078A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 薄膜形成方法
US4814017A (en) * 1986-10-03 1989-03-21 Ppg Industries, Inc. Aqueous organoalkoxysilane/metal oxide sol-gel compositions
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia
US4874462A (en) * 1987-12-09 1989-10-17 Central Glass Company, Limited Method of forming patterned film on substrate surface by using metal alkoxide sol

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346131A (en) * 1979-08-10 1982-08-24 Westinghouse Electric Corp. Polymerized solutions for depositing optical oxide coatings
JPH0614552B2 (ja) * 1983-02-02 1994-02-23 富士ゼロックス株式会社 光電変換素子の製造方法
JPS59143362A (ja) * 1983-02-03 1984-08-16 Fuji Xerox Co Ltd パツシベ−シヨン膜
US4749631B1 (en) * 1986-12-04 1993-03-23 Multilayer ceramics from silicate esters
US4753856A (en) * 1987-01-02 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from silicate esters and metal oxides
JP2624254B2 (ja) * 1987-05-22 1997-06-25 東京応化工業株式会社 シリカ系被膜の膜質改善方法
JP2632879B2 (ja) * 1987-11-17 1997-07-23 東京応化工業株式会社 シリコーン系被膜の形成方法
US5164003A (en) * 1990-03-28 1992-11-17 Ceram Tech International, Ltd. Room temperature curable surface coating and methods of producing and applying same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0212691A1 (de) * 1985-06-14 1987-03-04 Focus Semiconductor Systems, Inc. Chemisches Niederschlagen von SiO2-Filmen aus der Dampfphase bei niedriger Temperatur
JPS62274078A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 薄膜形成方法
US4814017A (en) * 1986-10-03 1989-03-21 Ppg Industries, Inc. Aqueous organoalkoxysilane/metal oxide sol-gel compositions
US4874462A (en) * 1987-12-09 1989-10-17 Central Glass Company, Limited Method of forming patterned film on substrate surface by using metal alkoxide sol
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 61-117362 A in: Pat. Abstr., of Japan, Sect. C, Vol. 12, 1988,Nr. 165, (C-496) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4035218A1 (de) 1994-06-01
FR2697852B1 (fr) 1996-11-15
FR2697852A1 (fr) 1994-05-13
GB2271782A (en) 1994-04-27
CA2028696A1 (en) 1994-05-27
GB2271782B (en) 1994-12-07
AU646629B1 (en) 1994-03-03
GB9024044D0 (en) 1993-11-24
US5318857A (en) 1994-06-07
NL9002408A (nl) 1994-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4035218C2 (de) Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung
DE69100467T2 (de) Umwandlung bei niedrigen Temperaturen von Kieselvorproduktion in Kieselerden.
DE69026469T2 (de) Hermetische Substratschichten in einer Inertgas-Atmosphäre
DE69123269T2 (de) Überzugsschicht für mikroelektronische Anordnungen und Substrate
DE69102021T2 (de) Amin-Katalysatoren für die Umwandlung von Kieselsäure-Vorprodukten zu Kieselsäure bei niedriger Temperatur.
DE69637166T2 (de) Verfahren zur Härtung eines Wasserstoff-Silsesquioxanharzes mittels Elektronenstrahlen zur Umwandlung in eine Silika enthaltende Keramikbeschichtung
DE3888506T2 (de) Keramischer Mehrschichtüberzug aus in Ammoniak behandelte Metalloxide und Wasserstoff Silsesquioxan-Harz.
US5387480A (en) High dielectric constant coatings
DE3787446T2 (de) Mehrschicht-Keramik ausgehend von Silikatestern.
US5547703A (en) Method of forming si-o containing coatings
DE3784645T2 (de) Mehrlagige keramische Beschichtungen aus Wasserstoff-Silsesquioxanharz und Metalloxiden, katalysiert durch Platin und Rhodium.
DE3789438T2 (de) Mehrschichtige keramische Überzüge aus Silicatestern und Metalloxiden.
DE68902261T2 (de) Keramische ueberzuege durch pyrolyse von gemischen von kieselsaeureestern und anderen metalloxidischen edukten.
US5399441A (en) Method of applying opaque coatings
US5436029A (en) Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide
DE68918124T2 (de) Beschichtungsflüssigkeit zur Herstellung einer Oxidschicht.
DE69100715T2 (de) Perhydrosiloxancopolymere und ihre Verwendung als Beschichtungsmaterialien.
DE69112797T2 (de) Pyrolyseverfahren in umgekehrter Richtung.
DE4212999A1 (de) Keramische Beschichtungen
US5820923A (en) Curing silica precursors by exposure to nitrous oxide
KR19990006687A (ko) 수소 실세스퀴옥산 수지로부터 균열없는 두꺼운 피막을 제조하는 방법
DE3782623T2 (de) Sin enthaltende bedeckungen fuer elektronische schaltungen.
EP0724000A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer unlöslichen Beschichtung auf einem Substrat
DE10162443A1 (de) Verfahren zur Herstellung von dielektrischen Schichten unter Verwendung multifunktioneller Carbosilane
JP3244697B2 (ja) セラミックコーティング方法

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee