DE4212999C2 - Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung und eine homogene flüssige Zusammensetzung hierfür - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung und eine homogene flüssige Zusammensetzung hierfürInfo
- Publication number
- DE4212999C2 DE4212999C2 DE4212999A DE4212999A DE4212999C2 DE 4212999 C2 DE4212999 C2 DE 4212999C2 DE 4212999 A DE4212999 A DE 4212999A DE 4212999 A DE4212999 A DE 4212999A DE 4212999 C2 DE4212999 C2 DE 4212999C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coating
- sih
- catalyst
- liquid composition
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
- Y10T428/1209—Plural particulate metal components
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer kera
mischen Beschichtung auf einem Substrat und eine homogene flüssige
Zusammensetzung hierfür.
Die Anwendung von keramischen Beschichtungen auf den verschieden
sten Substraten, wie elektronischen Vorrichtungen, ist bereits
bekannt. Gemäß US-A 4 756 977 werden solche keramischen Beschich
tungen beispielsweise dadurch hergestellt, daß Lösungen von Hydro
gensilsesquioxanharz auf ein Substrat aufgebracht und diese dann
durch Erhitzen auf Temperaturen von 200 bis 1000°C keramifiziert
werden. Die so erhaltenen keramischen Beschichtungen zeigen viele
wünschenswerte Eigenschaften und eignen sich beispielsweise als
Schutz- und Isolierschichten auf elektronischen Vorrichtungen. Ein
entsprechendes Verfahren ist auch aus EP-A 0 427 395 bekannt.
Hiernach wird eine präkeramische Beschichtung aus Hydrogensil
sesquioxanharz auf einem Substrat gebildet und dann in Inert
atmosphäre bei Temperaturen von 500 bis 1000°C pyrolysiert, und
dieses Verfahren eignet sich besonders zum Aufbringen von kera
mischen Beschichtungen auf oxidationsempfindliche Substrate.
Die bekannten Verfahren und die dabei verwendeten Zusammen
setzungen ergeben zwar für viele Anwendungszwecke ausreichende
keramische Beschichtungen auf den unterschiedlichsten Substraten,
sind aber nicht immer voll befriedigend.
Aufgabe der Erfindung ist
daher die Bereitstellung eines neuen Verfahrens und einer hierbei
zu verwendenden neuen präkeramischen Beschichtung in Form einer
homogenen flüssigen Zusammensetzung, um so zu neuen keramischen
Beschichtungen mit in verschiedener Hinsicht verbesserten Eigen
schaften zu gelangen.
Diese Aufgabe wird beim eingangs genannten Verfahren erfindungs
gemäß dadurch gelöst, daß man eine präkeramische Beschichtung, die
ein Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen
enthält und das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen
Katalysator bestehend aus Platinkatalysatoren und/oder Kupferkata
lysatoren umfaßt, abscheidet und diese präkeramische Beschichtung
in einer Inertatmosphäre bei einer Temperatur, die für die Kerami
fizierung ausreicht, pyrolysiert. Vorzugsweise erfolgt die Kerami
fizierung der Beschichtung dabei durch Erhitzen auf eine Tempera
tur im Bereich von 200 bis 1000°C in Gegenwart von UV-Licht.
Die bei diesem Verfahren anzuwendende präkeramische Beschichtung
gehört ebenfalls zur Erfindung. Sie betrifft eine neue homogene
flüssige Zusammensetzung umfassend ein Lösungsmittel, ein Hydro
gensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen enthält
und das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Katalysator
bestehend aus Platinkatalysatoren und/oder Kupferkatalysatoren.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß sich durch Verwendung
der besonderen präkeramischen Beschichtung neue keramische Be
schichtungen auf den verschiedensten Substraten dadurch bilden
lassen, daß der Katalysator überraschenderweise die Keramifizie
rung des Hydrogensilsesquioxanharzes durch Spaltung der SiH-Bin
dungen fördert, wobei die hierdurch entstehenden Beschichtungen
auch insofern einmalig und vorteilhaft sind, da sie sowohl Si-O-
als auch Si-Si-Bindungen enthalten, was zur Flexibilität der
Beschichtungen beiträgt.
Die erfindungsgemäß erhältlichen Beschichtungen eignen sich für
viele Anwendungszwecke, wie zum Schutz und zur Isolierung. Sie
können beispielsweise bei üblichen Anwendungen für korrosionsfeste
und abriebfeste Materialien verwendet werden. Weiter besitzen
diese Beschichtungen auch Eigenschaften, wodurch sie vor allem für
elektrische Vorrichtungen geeignet sind. Durch ihre besonderen
einebnenden und dielektrischen Eigenschaften sind diese Beschich
tungen beispielsweise ideal geeignet als Zwischendielektrika in
mehrschichtigen Vorrichtungen. Die hohe Dichte und niedrige Feh
lerrate macht diese Beschichtungen auch besonders geeignet zum
Schutz von Vorrichtungen vor Einflüssen der Umgebung, wie Feuch
tigkeit und ionische Verunreinigungen.
Unter Hydrogensilsesquioxanharzen (H-Harze) werden verschiedene
Hydridosilanharze verstanden, bei denen ein Wasserstoffatom an das
Siliciumatom gebunden ist. Solche Harze werden im allgemeinen
durch Hydrolyse und Kondensation von Silanen der Formel HSiX3
hergestellt, worin X eine hydrolysierbare Gruppe ist. Diese Harze
können entweder vollständig kondensierte Produkte der Formel
(HSiO3/2)n oder Teilhydrolysate und/oder Teilkondensate hiervon
sein. Die letzteren Harze enthalten daher oft restliche SiOR-
und/oder SiOH-Gruppen. Aufgrund verschiedener Faktoren bei ihrer
Bildung oder Handhabung können diese Harze auch weniger als die
stöchiometrische Anzahl an SiH-Bindungen enthalten.
Ein praktisch vollständig kondensiertes H-Harz kann beispielsweise
gemäß US-A 3 615 272 hergestellt werden. Dieses Material hat Ein
heiten der Formel (HSiO3/2)n, worin n im allgemeinen für 8 bis
1000 steht. Das Harz hat ein zahlenmittleres durchschnittliches
Molekulargewicht von etwa 800 bis 2900 und ein gewichtsmittleres
durchschnittliches Molekulargewicht von etwa 8000 bis 28000. Gemäß
US-A 3 615 272 lassen sich solche Harze beispielsweise herstellen
durch Hydrolyse von Trichlorsilan in Benzolsulfonsäurehydrat als
Hydrolysemedium und anschließendes Waschen des entstehenden Harzes
mit Wasser oder wäßriger Schwefelsäure. Neuere Analysen der danach
erhältlichen Harze haben gezeigt, daß diese bis zu 100 bis 300 ppm
Silanol enthalten können.
Nicht vollständig kondensierte H-Harze, nämlich Polymere, die
Einheiten der Formel HSi(OH)aO(3-a)/2 enthalten, worin a für 0 bis
2 steht, können beispielsweise nach den in US-A 5 010 159 oder
US-A 4 999 397 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Gemäß
US-A 5 010 159 werden Hydridosilane in Arylsulfonsäurehydrat als
Hydrolysemedium hydrolysiert, und das erhaltene Harz wird dann mit
einem Neutralisationsmittel in Kontakt gebracht. Dabei hat eine
neuere Untersuchung gezeigt, daß ein speziell bevorzugtes H-Harz,
das im wesentlichen rißfreie Beschichtungen bildet, dadurch herge
stellt werden kann, wenn das Säure:Silan-Verhältnis größer als
etwa 2,67 : 1 ist und vorzugsweise etwa 6 : 1 beträgt. Gemäß US-A 4
999 397 wird Trichlorsilan in einem keinen Schwefel enthaltenden
polaren organischen Lösungsmittel durch Zugabe von Wasser oder HCl
und einem Metalloxid hydrolysiert, wobei das Metalloxid als
HCl-Fänger und als kontinuierliche Quelle für Wasser dient.
Nicht vollständig hydrolysierte oder kondensierte H-Harze, nämlich
Polymere mit Einheiten der Formel HSi(OH)x(OR)yOz/2, worin R un
abhängig eine organische Gruppe ist, die, falls sie an Silicium
über ein Sauerstoffatom gebunden ist, einen hydrolysierbaren
Substituenten bildet, x für 0 bis 2, y für 0 bis 2, z für 1 bis 3,
x + y + z für 3 steht und der Durchschnittswert von y über alle
Einheiten des Polymers größer als 0 ist, können gemäß EP-A
0 443 760 durch Hydrolyse eines Hydrocarbonoxyhydridosilans mit
Wasser in einem angesäuerten und Sauerstoff enthaltenden polaren
organischen Lösungsmittel hergestellt werden.
Das Si-Si-Bindungen enthaltende Material kann irgendein Material
sein, das flüchtige SiH-Verbindungen bildet. Es soll insbesondere
ein Material sein, das mit H-Harz reagiert, die Wasserstoffatome
vom Silicium abzieht und aus dem System verdampft. Hierbei handelt
es sich um bekannte Materialien, wie Dodecamethylcyclohexasilan,
Methyltris(trimethylsilyl)silan, Decamethylcyclopentasilan und
Tris(trimethylsilyl)phenylsilan. Dodecamethylcyclohexasilan der
Formel ((CH3)2Si)6, ist hiervon bevorzugt. Diese Verbindung kann in
üblicher Weise hergestellt werden, wie durch Umsetzung von
Dimethyldichlorsilan mit Lithium gemäß West et al., Synthesis
Communications, Seiten 684 bis 686 (1985).
Die Menge an erfindungsgemäß zu verwendendem, Si-Si-Bindungen
enthaltendem und flüchtige SiH-Verbindungen bildendem Material ist
nicht kritisch und kann über einen breiten Bereich schwanken. Im
allgemeinen sollte dieses Material jedoch in einer solchen Menge
vorhanden sein, daß die Keramifizierung des H-Harzes gefördert
wird. Bei Anwendung von Dodecamethylcyclohexasilan beträgt die
stöchiometrische Menge etwa 1 Mol Cyclohexasilan auf 12 Mol
Si-H-Einheiten. Ein stöchiometrischer Überschuß ist zwar häufig
bevorzugt, doch fördern auch substöchiometrische Mengen (zum Bei
spiel 1 Mol Cyclohexasilan auf 25 Mol Si-H-Einheiten) eine teil
weise Entfernung der SiH-Gruppen.
Der in der erfindungsgemäßen präkeramischen Beschichtung enthal
tene Platinkatalysator und/oder Kupferkatalysator dient zur Er
höhung der Geschwindigkeit und des Ausmaßes der SiH-Entfernung. Im
allgemeinen ist jede Verbindung von Platin oder Kupfer oder jeder
Komplex von Platin oder Kupfer verwendbar, sofern sich der jewei
lige Katalysator in der präkeramischen Zusammensetzung homogen
verteilen läßt. Geeignete Beispiele hierfür sind Organoplatinzu
sammensetzungen, wie Platinacetylacetonat, oder Kupferverbindun
gen, wie Kupfer(II)naphthenat. Hierbei handelt es sich um auf
diesem Gebiet wohlbekannte und im Handel erhältliche Katalysa
toren. Diese Katalysatoren werden allgemein in Mengen von etwa 10
bis 1000 ppm Platin oder Kupfer, bezogen auf das Gewicht des
H-Harzes, verwendet.
Die erfindungsgemäß zu verwendende präkeramische Zusammensetzung
kann in jeder geeigneten Weise auf der Oberfläche des Substrats
abgeschieden werden. Bevorzugt ist jedoch ein Lösen der einzelnen
Bestandteile in einem Lösungsmittel unter Bildung einer Lösung,
die dann auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen wird. Hier
für eignen sich alle Lösungsmittel, die die Bestandteile unter
Bildung einer homogenen Lösung lösen, ohne die keramische Be
schichtung zu beeinflussen. Zu solchen Lösungsmitteln gehören
beispielsweise aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Benzol oder
Toluol, Alkane, wie n-Heptan oder Dodecan, und Ketone, Ester,
Glykolether oder Cyclodimethylpolysiloxane. Im allgemeinen wird
soviel Lösungsmittel verwendet, daß sich eine 0,1- bis
50-gewichtsprozentige Lösung ergibt.
Bei Anwendung eines Lösungsverfahrens wird die jeweilige Lösung
auf das Substrat aufgetragen. Das Beschichtungsverfahren kann
beispielsweise eine Schleuderbeschichtung, Tauchbeschichtung,
Sprühbeschichtung oder Fließbeschichtung sein.
Nach Auftrag der Lösung auf das jeweilige Substrat wird das Lö
sungsmittel verdampft und so eine präkeramische Beschichtung
gebildet. Dies kann in jeder geeigneten Weise erfolgen, wie durch
einfaches Lufttrocknen, Kontakt mit der Umgebung, Anlegen eines
Vakuums oder geringe Erwärmung. Bei Anwendung einer Schleuder
beschichtung ist natürlich kein zusätzlicher Trocknungszeitraum
erforderlich, da hier das Lösungsmittel ja großteils abgetrieben
wird.
Nach erfolgter Abscheidung wird die präkeramische Beschichtung in
einer Inertatmosphäre bei einer Temperatur pyrolysiert, die für
eine Keramifizierung ausreicht. Die hierfür geeigneten Tempera
turen liegen im allgemeinen im Bereich von 300 bis 1000°C, können
aber auch höher oder niedriger sein, wie beispielsweise nur etwa
200°C. Die Dichte einer solchen Keramik ist jedoch häufig so
niedrig, daß sich die notwendigen schützenden oder dielektrischen
Eigenschaften nicht ergeben. Temperaturen von über 1000°C können
zwar angewandt werden, bringen für die präkeramische Beschichtung
normalerweise aber nur einen geringen zusätzlichen Nutzen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt die
Pyrolyse in Gegenwart von UV-Licht, da sich hierdurch die für die
Keramifizierung notwendigen Pyrolysetemperaturen absenken lassen.
Unter solchen Bedingungen sind. Temperaturen im Bereich von mehr
als etwa 150°C anwendbar.
Die Zeitdauer, die für eine Keramifizierung ausreicht, kann in
Abhängigkeit von der Temperatur im Bereich von wenigen Minuten für
sehr dünne Filme (beispielsweise von unter etwa 0,1 µm) bis zu
mehreren Stunden für dickere Filme liegen. Besonders bevorzugt ist
eine Erhitzung der beschichteten Substrate auf eine Temperatur von
etwa 400°C während etwa 3 Stunden.
Während der Keramifizierung kann jede Inertgasatmosphäre angewandt
werden, wie Argon oder Helium. Im allgemeinen ist jedoch ein
Ausschluß von Sauerstoff notwendig, da eine Erhitzung in Gegenwart
von Sauerstoff zur Bildung von Siliciumoxid (SiO2) führen würde
und somit nicht zu der erfindungsgemäßen keramischen Beschichtung.
Im allgemeinen ist erfindungsgemäß irgendein Erhitzungsverfahren
geeignet, wie die Anwendung eines Konvektionsofens, eines
Strahlers oder von Mikrowellen. Auch die Erhitzungsgeschwindigkeit
ist im allgemeinen kein kritischer Faktor. Aus praktischen Gründen
soll das Substrat aber vorzugsweise möglichst schnell erhitzt
werden.
Bei einem typischen Keramifizierungsverfahren wird das beschich
tete Substrat in einen Konvektionsofen gegeben, der mit einem
kontinuierlichen Inertgasstrom gespeist wird. Hierauf wird der
Ofen auf die gewünschte Temperatur, beispielsweise etwa 400°C,
gebracht und über die gewünschte Zeit, beispielsweise etwa 3 Stun
den, auf dieser Temperatur gehalten.
Der beim erfindungsgemäßen Verfahren ablaufende Mechanismus dürfte
darauf beruhen, daß das Material, das Si-Si-Bindungen enthält und
das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und der jeweilige Katalysa
tor eine reaktive Umgebung erzeugen, welche die Spaltung von
SiH-Bindungen und die Keramifizierung der Beschichtung fördert.
Bei Verwendung von Dodecamethylcyclohexasilan dürfte durch diese
Spaltung Dimethylsilan der Formel (CH3)2SiH2 freigesetzt und
hierdurch eine Beschichtung gebildet werden, die amorphes Sili
ciumsuboxid enthält.
Nach den obigen Verfahren wird eine dünne (weniger als 2 µm) kera
mische einebnende Beschichtung auf dem Substrat gebildet. Diese
Beschichtung glättet die unregelmäßigen Oberflächen verschiedener
Substrate und hat ausgezeichnete Hafteigenschaften. Außerdem kann
sie mit zusätzlichen Beschichtungen überdeckt werden, wie
Schichten aus oder auf Basis von SiO2, Silicium, Silicium-Kohlen
stoff, Silicium-Stickstoff, Silicium-Sauerstoff-Stickstoff
und/oder Silicium-Stickstoff-Kohlenstoff. Solche Mehrfachbeschich
tungen sind auf diesem Gebiet bekannt und werden beispielsweise in
US-A 4 756 977 beschrieben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Beispiels
erläutert.
Die Infrarotanalysen werden mit Siliciumscheiben (IR transparent),
die in diesem Beispiel beschichtet werden, durchgeführt. Die
Umwandlung zu einem keramischen Material äußert sich durch die
Entfernung der SiH-Gruppe, was durch das Verschwinden des IR-Peaks
bei etwa 2245 cm-1 sichtbar wird. Der prozentuale Anteil an SiH,
der nach der Hydrolyse zurückbleibt, wird dadurch ermittelt, daß
die Fläche des SiH-Peaks vor und nach der Hydrolyse berechnet
wird. Der Brechungsindex (RI) wird bei der in der Tabelle ange
gebenen Wellenlänge gemessen. Die Dicke der jeweiligen keramischen
Beschichtungen wird mit einem hierfür üblichen mikroprozessorge
steuerten automatischen Elipsometer bestimmt.
Man löst Hydrogensilsesquioxanharz, hergestellt gemäß US-A
5 010 159, Dodecamethylcyclohexasilan und einen Katalysator (in
den in Tabelle 1 angegebenen Mengen) in Toluol durch Rühren in
einem Kolben bei Raumtemperatur unter Bildung einer klaren und
nichtgelierten Lösung.
Mit diesen Lösungen werden Siliciumscheiben mit 6,4 cm2 beschich
tet und dann 35 Sekunden bei 3000 Upm geschleudert. Die so behan
delten Scheiben werden dann in einen auf dem Gebiet der Keramik
üblichen, horizontal liegenden Rohrofen gegeben, dessen
Innendurchmesser 5 cm und dessen Länge 45 cm beträgt, und darin
unter einer Stickstoffatmosphäre auf die Temperatur und über den
Zeitraum erhitzt, wie dies in der Tabelle 1 angegeben ist. Bei
Anwendung von UV-Licht wird dieses in einem UV-Reaktor mittels
einer 450 Watt starken photochemischen Lampe erzeugt, bei der es
sich um eine übliche Mitteldruck-Quecksilberdampf-Lampe aus Quarz
glas handelt. Die FTIR-Spektren werden vor und
nach der Pyrolyse aufgenommen, und die Ergebnisse werden ver
glichen, um die Menge an umgesetztem SiH zu bestimmen.
Die Beispiele 1 bis 6 zeigen die Wirkung bei Veränderung der Menge
an Katalysator in der Lösung, wobei sich durch Erhöhung der Kata
lysatormenge auch der Grad der SiH-Umwandlung erhöht. Die Bei
spiele 7 und 8 zeigen, daß die Erhöhung der Menge an Cyclohexa
silan und Katalysator die SiH-Umwandlung verbessert. Die Beispiele
9 bis 11 sind Vergleichsbeispiele und zeigen, daß die Weglassung
von Cyclohexasilan (9) und von Cyclohexasilan und Katalysator (11)
die SiH-Umwandlung erniedrigt. Die Beispiele 12 und 13 zeigen, daß
die Weglassung des Katalysators die SiH-Umwandlung herabsetzt. Die
Beispiele 14 bis 17 zeigen, daß die Erniedrigung der Temperatur
die SiH-Umwandlung vermindert. Die Beispiele 18 bis 21 zeigen, daß
die zusätzliche Bestrahlung mit UV-Licht bei der Pyrolyse die
SiH-Umwandlung erhöht.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung auf
einem Substrat,
dadurch gekennzeichnet, daß man eine präkeramische Beschichtung, die
ein Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen
enthält und das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Kata
lysator bestehend aus Platinkatalysatoren und/oder Kupferkatalysato
ren umfaßt, abscheidet und die präkeramische Beschichtung in einer
Inertatmosphäre bei einer Temperatur, die für eine Keramifizierung
ausreicht, pyrolysiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung durch Erhitzen auf eine
Temperatur im Bereich von 200 bis 1000°C in Gegenwart von UV-Licht
keramifiziert wird.
3. Homogene flüssige Zusammensetzung, umfassend ein Lösungsmittel,
ein Hydrogensilsesquioxanharz, ein Material, das Si-Si-Bindungen
enthält und das flüchtige SiH-Verbindungen bildet, und einen Kataly
sator bestehend aus Platinkatalysatoren und/oder Kupferkatalysa
toren.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/688,233 US5445894A (en) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Ceramic coatings |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4212999A1 DE4212999A1 (de) | 1995-04-06 |
DE4212999C2 true DE4212999C2 (de) | 1998-07-02 |
Family
ID=24763641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4212999A Expired - Fee Related DE4212999C2 (de) | 1991-04-22 | 1992-04-21 | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung und eine homogene flüssige Zusammensetzung hierfür |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5445894A (de) |
JP (1) | JPH0832855B2 (de) |
CA (1) | CA2062833A1 (de) |
DE (1) | DE4212999C2 (de) |
FR (1) | FR2707799B1 (de) |
GB (1) | GB2319041B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6423651B1 (en) | 1993-12-27 | 2002-07-23 | Kawasaki Steel Corporation | Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film |
DE4409736A1 (de) * | 1994-03-22 | 1995-09-28 | Braun Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Pflege von in einem Gerät fest eingebauten Akkus |
US5738818A (en) * | 1996-08-28 | 1998-04-14 | Northrop Grumman Corporation | Compression/injection molding of polymer-derived fiber reinforced ceramic matrix composite materials |
DE19649652C2 (de) * | 1996-11-29 | 2000-03-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen wenigstens einer Schutzschicht auf einem Halbleiterchip oder Wafer |
US6143855A (en) | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
US6218497B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6015457A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-18 | Alliedsignal Inc. | Stable inorganic polymers |
US6743856B1 (en) | 1997-04-21 | 2004-06-01 | Honeywell International Inc. | Synthesis of siloxane resins |
US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
US6517911B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-11 | Jsr Corporation | Process for the formation of silicon oxide films |
US6440550B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
US8968820B2 (en) * | 2008-04-25 | 2015-03-03 | Nanotek Instruments, Inc. | Process for producing hybrid nano-filament electrodes for lithium batteries |
US20140124877A1 (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | Qualcomm Incorporated | Conductive interconnect including an inorganic collar |
KR101442559B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2014-09-22 | 한국세라믹기술원 | 코팅액 조성물 및 이를 이용한 고품질 세라믹 코팅층의 형성방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0427395A1 (de) * | 1989-10-18 | 1991-05-15 | Dow Corning Corporation | Hermetische Substratschichten in einer Inertgas-Atmosphäre |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4756977A (en) * | 1986-12-03 | 1988-07-12 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
US4898907A (en) * | 1986-12-03 | 1990-02-06 | Dow Corning Corporation | Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin |
US4822697A (en) * | 1986-12-03 | 1989-04-18 | Dow Corning Corporation | Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics |
US4911992A (en) * | 1986-12-04 | 1990-03-27 | Dow Corning Corporation | Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides |
US4847162A (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia |
US5008204A (en) * | 1988-02-02 | 1991-04-16 | Exxon Chemical Patents Inc. | Method for determining the compositional distribution of a crystalline copolymer |
US4973526A (en) * | 1990-02-15 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | Method of forming ceramic coatings and resulting articles |
CA2035367A1 (en) * | 1990-02-22 | 1991-08-23 | Ronald H. Baney | Precursor polymer for ceramic coatings |
US5116637A (en) * | 1990-06-04 | 1992-05-26 | Dow Corning Corporation | Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica |
US5059448A (en) * | 1990-06-18 | 1991-10-22 | Dow Corning Corporation | Rapid thermal process for obtaining silica coatings |
US5091162A (en) * | 1990-10-01 | 1992-02-25 | Dow Corning Corporation | Perhydrosiloxane copolymers and their use as coating materials |
US5118530A (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-02 | Dow Corning Corporation | Use of hydrogen silsesquioxane resin fractions as coating materials |
US5063267A (en) * | 1990-11-28 | 1991-11-05 | Dow Corning Corporation | Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials |
US5145723A (en) * | 1991-06-05 | 1992-09-08 | Dow Corning Corporation | Process for coating a substrate with silica |
-
1991
- 1991-04-22 US US07/688,233 patent/US5445894A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-12 CA CA002062833A patent/CA2062833A1/en not_active Abandoned
- 1992-03-12 GB GB9205337A patent/GB2319041B/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-21 FR FR9204836A patent/FR2707799B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-21 DE DE4212999A patent/DE4212999C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-22 JP JP4800008A patent/JPH0832855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0427395A1 (de) * | 1989-10-18 | 1991-05-15 | Dow Corning Corporation | Hermetische Substratschichten in einer Inertgas-Atmosphäre |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5445894A (en) | 1995-08-29 |
DE4212999A1 (de) | 1995-04-06 |
GB2319041A (en) | 1998-05-13 |
GB9205337D0 (en) | 1997-04-09 |
GB2319041B (en) | 1998-09-02 |
FR2707799B1 (fr) | 1995-11-24 |
CA2062833A1 (en) | 1992-10-23 |
JPH0832855B2 (ja) | 1996-03-29 |
FR2707799A1 (fr) | 1995-01-20 |
JPH06322318A (ja) | 1994-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4212999C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Beschichtung und eine homogene flüssige Zusammensetzung hierfür | |
EP0587667B1 (de) | Beschichtungszusammensetzungen auf der basis von fluorhaltigen anorganischen polykondensaten, deren herstellung und deren verwendung | |
DE3213247C2 (de) | ||
DE60014694T2 (de) | Poröser silikatischer film mit niedriger durchlässigkeit, halbleiterelement mit solchem film, und beschichtungszusammensetzung den film bildend | |
DE4035218C2 (de) | Verfahren zur Herstellung keramikartiger Beschichtungen auf Substraten und dessen Anwendung | |
KR100760405B1 (ko) | 중합체 분해로부터 획득가능한 저 유전성 나노-다공성 물질 | |
EP1137729B1 (de) | Pulverlackierte Haushaltsgeräte mit einer epoxysilanbasierten Deckschicht | |
DE3811567A1 (de) | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen | |
EP0011738A1 (de) | Verfahren zur Herabsetzung der Porosität und der Oberflächenrauhigkeit einer keramischen Unterlage und Beschichtungsmasse dafür | |
DE2747233A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mit (meth) acrylsaeureestern modifizierten organopolysiloxanen | |
JPH09175810A (ja) | 電子ビームによる水素シルセスキオキサン樹脂の硬化 | |
DE2519890A1 (de) | Keramik-schichtpuder sowie verfahren zur elektrostatischen beschichtung | |
DE602004001097T2 (de) | Siloxanhaltige Harze und isolierender Film daraus für Halbleiter-Zwischenschicht | |
DE19857316A1 (de) | Pulverlackierte Substrate mit einem Decklack auf Basis epoxidgruppenhaltiger Silane | |
DE4020828A1 (de) | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen | |
EP0291699B1 (de) | Lackbindemittel, ihre Verwendung in Beschichtungsmitteln und ein Verfahren zur Herstellung von Drahtlackierungen | |
WO2001028948A1 (de) | Beschichtungszusammensetzung auf basis organisch modifizierter anorganischer kondensate | |
DE3103932C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von insbesondere als Elektroisolierharze verwendbaren hitzehärtbaren Organosiloxanharzen | |
DE1253847B (de) | Bindemittel fuer Einbrennlack | |
DE69930908T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Sinterbeschichtung unter Verwendung einer Organopolysiloxanzusammensetzung | |
DE112004001135B4 (de) | Neuartiges Polymer und Herstellung von Nanoporösem, niedrig dielektrischem Polymerverbundfilm unter Verwendung desselben | |
DE4445377A1 (de) | Abrasionsfeste Oxidationsschutzschicht für SiC-Körper | |
DE3790151C2 (de) | ||
DE10162443A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von dielektrischen Schichten unter Verwendung multifunktioneller Carbosilane | |
EP1468976B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Schutzüberzügen auf kohlenstoffhaltigen Substraten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |