DE4113969A1 - Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter - Google Patents

Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter

Info

Publication number
DE4113969A1
DE4113969A1 DE4113969A DE4113969A DE4113969A1 DE 4113969 A1 DE4113969 A1 DE 4113969A1 DE 4113969 A DE4113969 A DE 4113969A DE 4113969 A DE4113969 A DE 4113969A DE 4113969 A1 DE4113969 A1 DE 4113969A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal layer
layer
contact
auge
contacts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4113969A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4113969C2 (de
Inventor
Jochen Dipl Phys Gerner
Werner Dr Schairer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vishay Semiconductor GmbH
Original Assignee
Telefunken Electronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Electronic GmbH filed Critical Telefunken Electronic GmbH
Priority to DE4113969A priority Critical patent/DE4113969A1/de
Priority to US07/866,861 priority patent/US5250466A/en
Priority to JP10726792A priority patent/JP2550257B2/ja
Priority to KR1019920007208A priority patent/KR0164226B1/ko
Publication of DE4113969A1 publication Critical patent/DE4113969A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4113969C2 publication Critical patent/DE4113969C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten auf einer N-dotierten Halb­ leiterschicht eines III-V-Verbindungshalbleiters.
N-Typ-Verbindungshalbleiterkristalle, insbesondere GaAs, AlGaAs und GaP, werden in großem Umfang als Sub­ stratmaterial für Halbleiter-Lumineszenzdioden verwen­ det, die sichtbares Licht oder Licht im nahen Infrarot emittieren. Das aktive, lichterzeugende Gebiet der Dioden wird auf dem Substratmaterial hergestellt. Die Substratrückseite wird normalerweise mit einem ohmschen Kontakt versehen. Die meisten bekannten ohmschen Kon­ takte für N-Typ III-V-Verbindungshalbleiterkristalle werden mit Hilfe eines sogenannten Legierprozesses her­ gestellt. Der für das Legieren charakteristische Vor­ gang ist das Aufschmelzen eines Metallfilms auf der Halbleiteroberfläche. Der Metallfilm besteht bei Kon­ takten auf N-Gebiet III-V-Verbindungshalbleiter im all­ gemeinen aus einer eutektischen AuGe- oder AuGeNi- Legierung. Gemäß einer heute allgemein akzeptierten Er­ klärung für das ohmsche Verhalten der legierten Kon­ takte wird während des Legiervorgangs ein Teil des III-V-Ver­ bindungshalbleiterkristalls in der Metallschmelze gelöst, um dann während des Abkühlens auszukristalli­ sieren und epitaktisch auf dem III-V-Verbindungshalb­ leiterkristall wieder aufzuwachsen. In der auf diese Weise neu entstehenden Schicht ist genügend Germanium enthalten, um den III-V-Verbindungshalbleiterkristall so hoch N-Typ zu dotieren, daß an der Potentialschwelle zwischen Kontaktmetall und Halbleiterkristall die Feldemission dominiert. Um das gute ohmsche Verhalten der Kontakte zu erreichen, das bei legierten AuGe- und AuGeNi-Kontakten beobachtet wird, ist eine Dotierungs- Konzentration von mindestens 5.1019 cm-3 erforderlich. Ein typischer Nachteil der legierten Kontakte ist deren Inhomogenität sowohl in der lateralen als auch in der vertikalen Richtung bezüglich der Halbleiteroberfläche. Durch den Legierungsprozeß entsteht im allgemeinen eine rauhe, inhomogene Grenzfläche, die von einer Vielzahl verschieden großer, Germanium enthaltender, tröpfchen­ förmiger oder mikrokristalliner Erhebungen gebildet wird.
Abhängig von der Größe der Energielücke zwischen Leitungs- und Valenzband des Substratmaterials und von der Energie der Strahlung, die die Halbleiter- Lumineszenzdiode erzeugt, ist das Substratmaterial zumindest teilweise transparent für die erzeugte Strahlung. Die hoch Germanium-dotierten Bereiche jedoch, die durch das Legieren des AuGe- oder AuGeNi- Kontakts auf der Rückseite des Substratmaterials entstehen, absorbieren das auf sie auffallende Licht und verursachen so erhebliche Absorptionsverluste. Sowohl die Qualität als auch die Reproduzierbarkeit ei­ nes legierten Kontaktes bleibt häufig unbefriedigend. Das gilt insbesondere hinsichtlich der elektrischen und optischen Eigenschaften und der Morphologie der legier­ ten Kontakte.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten auf einer N-do­ tierten Halbleiterschicht eines III-V-Verbindungshalb­ leiters anzugeben, wobei die Kontakte einen niedrigen Kontaktwiderstand und ein hohes Reflexionsvermögen für Strahlung im sichtbaren Spektralbereich und im nahen Infrarot besitzen.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruch 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Da das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines ohmschen Kontakts anstatt des Legierprozesses einen Temperprozeß oder alternativ einen Ausheilprozeß durch Rapid-Thermal-Annealing enthält, kommt es während der Herstellung des Kontaktes nicht zum Verflüssigen und Rekristallisieren des AuGe- bzw. AuGeNi-Films. Die so hergestellten Kontakte sind daher frei von den In­ homogenitäten, die beim Legierprozeß entstehen und ha­ ben zudem überwiegend ebene Grenzflächen zwischen Me­ tallisierung und Verbindungshalbleiterkristall. Durch die Verwendung des erfindungsgemäßen, reflektierenden ohmschen Rückseitenkontakts bei Halbleiterlumineszenz­ dioden läßt sich die Kontaktabsorption reduzieren und eine Verbesserung des optischen Wirkungsgrads errei­ chen.
Kurze Beschreibung der Abbildungen
Fig. 1 zeigt ein Flußdiagramm des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch die Schichten­ folge des Kontakts vor der Temperaturbehandlung.
Die Fig. 3a bis 3d zeigen die Prozeßschritte zur Herstellung eines erfindungsgemäßen ohmschen Kontakts.
Das Diagramm von Fig. 4 zeigt die Abhängigkeit des spezifischen Kontaktwiderstands eines erfindungsgemäßen Kontakts von der Substratdotierung für verschiedene Temperprozesse.
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch eine Halblei­ terlumineszenzdiode mit einem erfindungsgemäßen Rück­ seitenkontakt.
Das Diagramm von Fig. 6 zeigt die Abhängigkeit des Re­ flexionsvermögens von der Wellenlänge für GaAs und zwei verschiedene Kontaktmetalle.
Das Diagramm der Fig. 7 zeigt die Abhängigkeit der op­ tischen Ausgangsleistung einer Infrarotdiode von der Germaniumkonzentration des erfindungsgemäßen Rücksei­ tenkontakts für zwei verschiedene Temperbedingungen.
Die Fig. 1 zeigt ein Flußdiagramm des erfindungs­ gemäßen Verfahrens, zur Herstellung von re­ flektierenden, ohmsche Kontakten auf einer N-dotierten Halbleiterschicht eines III-V-Verbindungshalbleiters.
Das Verfahren umfaßt je einen Schritt zur Herstellung einer ersten und einer zweiten Metallschicht auf der Rückseite eines N-Typ III-V-Verbin­ dungshalbleiterkristalls und einem Temper- bzw. Ausheilschritt, um den ohmschen Kontakt zu erzeugen. Im ersten Schritt des Verfahrens wird die AuGe-Schicht 2 durch thermische Verdampfung aus einer AuGe-Quelle, die durch einen Elektronenstrahl beheizt wird, auf dem III- V-Verbindungshalbleiterkristall 1 gebildet (Fig. 3b). Im zweiten Schritt des Verfahrens wird die Au-Schicht 3 anhand der gleichen Methode auf der AuGe-Schicht 2 ge­ bildet (Fig. 3c). Das Aufdampfen erfolgt bei einem Druck von ca. 2·10-7 mbar. Die Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls beträgt 10 kV. Fig. 2 zeigt die Schichtenfolge des ohmschen Kontakts vor der Temperaturbehandlung. Der Metall-Halbleiterkontakt be­ steht aus zwei Schichten, einer AuGe-Schicht 2 und ei­ ner Au-Schicht 3. Die AuGe-Schicht 2 befindet sich di­ rekt auf dem N-Typ III-V-Verbindungshalbleiterkristall 1 und hat eine Dicke zwischen 5 und 50 nm. Die Germaniumkonzentration in der AuGe-Schicht 2 beträgt typisch 0,5 Gewichts-% und sollte 1 Gewichts-% nicht übersteigen, um das Reflexionsvermögen der Kontakt­ schicht nicht zu beeinträchtigen. Auf der AuGe-Schicht 2 befindet sich die Au-Schicht 3 mit einer Dicke zwi­ schen 200 und 600 nm.
Bei dem sich nun anschließenden Temperschritt werden die in den vorangegangenen Prozeßschritten gebildeten AuGe- und Au-Schichten 2, 3 bei einer Temperatur zwischen 360 und 390°C getempert, um eine homogene Kontaktschicht 4 zu erzeugen. Die Temperzeit beträgt zwischen 40 Minuten und 3 Stunden. Die Temperung wird in einer inerten Atmosphäre von z. B. N2- oder Ar-Gas durchgeführt. Der Temperprozeß kann jedoch auch in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt werden.
Während des Temperprozesses wird die reflektierende, ohmsche Kontaktschicht 4 gebildet. Durch die Festlegung von Temperzeit und Tempertemperatur werden die Eigen­ schaften des Metall-Halbleiterkontakts bestimmt. Ein hohes Reflexionsvermögen wird durch eine kurze Temper­ zeit und eine niedrige Tempertemperatur erreicht. Ein niedriger Kontaktwiderstand wird dagegen durch eine lange Temperzeit und eine hohe Tempertemperatur er­ zielt. Es wird daher im Einzelfall von den geforderten Eigenschaften der Lumineszenzdiode abhängen, wie die Parameter des Temperprozesses festzulegen sind.
Alternativ zum Temperschritt ist ein Kurzzeit-Ausheil­ schritt durchführbar, der in einem Rapid-Thermal- Annealing-Gerät durchgeführt wird. In diesem Fall liegt die Ausheiltemperatur zwischen 430 und 480°C bei einer Zeitdauer von 5-20 Sekunden. Der Ausheilprozeß findet in der inerten Atmosphäre eines inaktiven Gases wie z. B. N2 oder Ar statt. Der ohmsche Kontakt entsteht durch Diffusion der Germaniumatome aus der AuGe-Schicht 2 in die Oberfläche des N-Typ III-V-Verbindungshalblei­ ters 1. Beispiele für N-Typ III-V-Verbindungshalbleiter auf denen ein ohmscher Kontakt durch das erfin­ dungsgemäße Verfahren herstellbar ist, sind z. B. GaAs, AlGaAs, GaP, InP und verwandte Halbleiterkristalle.
Fig. 4 zeigt die Abhängigkeit des spezifischen Kon­ taktwiderstands von der Ladungsträgerkonzentration im Substrat. Substratmaterial ist in diesem Beispiel 100-n-GaAs. Der Metallhalbleiterkontakt besteht aus ei­ ner 10 nm dicken AuGe-Schicht mit 0,5 Gewichts-% Ger­ manium und einer 240 nm dicken Au-Schicht. Nach erfolg­ tem Temperprozeß enthält die getemperte Metallschicht Germanium in einer mittleren Konzentration von 0,02 Gewichts-%. Durch einen zwei Stunden dauernden Temperprozeß bei 380°C wird ein spezifischer Kontakt­ widerstand von 1·10-5Ω cm2 bei einer Substratdotierung von 5·1017 cm-3 erreicht. Ein ganzflächiger Rückseitenkontakt mit einem in dieser Größenordnung liegenden Kontaktwiderstand hat keinen signifikanten Einfluß mehr auf die elektrische Flußspannung einer normalen Halbleiterlumineszenzdiode.
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch eine Halblei­ terlumineszenzdiode mit einem Rückseitenkontakt 4 nach der Erfindung. Es handelt sich um eine GaAs-Mesa-Diode für den infraroten Spektralbereich. Mögliche Lichtwege sind symbolisch durch Pfeile dargestellt. Das Infrarot­ licht entsteht in der durch den pn-Übergang 9 definierten Ebene. Ein Teil des Lichts verläßt die Lumineszenzdiode auf dem direkten Weg über die freien Bereiche der Chip-Oberfläche. Ein anderer Teil des Lichts trifft jedoch auf den Rückseitenkontakt 4. Ein legierter AuGe- oder AuGeNi-Kontakt absorbiert den größten Teil der Strahlung im Germanium-dotierten Gebiet an der Rückseitenoberfläche. Bei einem Rückseitenkontakt, der gemäß der Erfindung hergestellt wurde, wird jedoch der größte Teil der Strahlung von der Substrat-Kontaktgrenzfläche reflektiert und kann somit an der Chip-Oberfläche austreten. Dadurch wird eine Verbesserung der optischen Ausgangsleistung erzielt.
Fig. 6 zeigt die Abhängigkeit des Reflexionsvermögens von der Wellenlänge für GaAs und für zwei verschiedene Kontaktmetalle bei gleichen Temperbedingungen. Die obere Kurve gilt für AuGe mit 0,02 Gewichts-% Germanium, der untere Kurvenverlauf entspricht AuGe mit 3 Gewichts-% Germanium. Für legierte Kontakte wird üb­ licherweise AuGe mit 3 bzw. 12 Gewichts-% Germanium verwendet. Wie der Kurvenverlauf zeigt, steigt das Re­ flexionsvermögen des getemperten AuGe-Kontakts mit ab­ nehmender Germaniumkonzentration an und erreicht das Reflexionsvermögen von reinem Gold bei Germaniumkon­ zentrationen von unter 0,1 Gewichts-%.
Fig. 7 zeigt die optische Ausgangsleistung einer In­ frarotdiode mit einem erfindungsgemäßen Rückseiten­ kontakt in Abhängigkeit vom Germaniumgehalt des getem­ perten Rückseitenkontakts. Die Emissionswellenlänge der Infrarotdiode beträgt ca. 940 nm. Der Rückseitenkontakt besteht aus einer 10 nm dicken AuGe-Schicht mit 0,5 Gewichts-% Ge und einer darüberliegenden 240 nm dicken Au-Schicht. Die höchste Strahlungsleistung wird bei einer Ge-Konzentration von 0,1 Gewichts-%, bei ei­ ner Tempertemperatur von 360°C und einer Temperzeit von 40 Minuten erreicht. Eine etwas höhere Tempertempe­ ratur von ca. 380°C in Verbindung mit einer längeren Temperzeit von 2 Stunden hat eine Erniedrigung der Strahlungsleistung um ca. 6% zur Folge.
Wegen des niedrigen ohmschen Kontaktwiderstands und des hohen Reflexionsvermögens für Strahlung im nahen in­ fraroten und sichtbaren Wellenlängenbereich eignet sich der Kontakt insbesondere als ganzflächiger Rückseiten­ kontakt für Halbleiterlumineszenzdioden, die infrarotes oder sichtbares Licht emittieren.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten auf einer N-dotierten Halbleiterschicht (1) eines III-V-Ver­ bindungshalbleiters gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
Abscheidung einer ersten Metallschicht (2) bestehend aus AuGe auf der Halbleiterschicht (1), wobei der Ge- Anteil der ersten Metallschicht (2) 1 Gewichts-% nicht überschreitet,
Abscheidung einer zweiten Metallschicht (3) bestehend aus Au auf der ersten Metallschicht (2),
Temperung der Schichtenfolge bei 360-390°C für eine Zeitdauer von 40-180 Minuten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt der Temperung ersetzt wird durch einen Kurzzeit-Ausheilprozeß-Schritt bei einer Temperatur von 430-480°C und einer Zeitdauer von 5-20 Sekunden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der über die beiden Metallschichten (2, 3) gemittelte Germaniumanteil 0,02-0,1 Gewichts-% beträgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (2) eine Dicke im Bereich von 5-50 nm und daß die zweite Me­ tallschicht (3) eine Dicke im Bereich von 200-600 nm aufweist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung bzw. der Kurzzeit- Ausheil-Schritt in einer inerten Atmosphäre erfolgt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung in einer reduzierenden Atmosphäre erfolgt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß der III-V-Verbindungshalbleiter GaAs des N-Leitungstyps in 100- oder 111-Orientierung ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht (2) 0,5 Gewichtsprozent Germanium enthält und 10 nm dick ist und daß die zweite Metallschicht (3) 240 nm dick ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtenfolge ca. 120 Minuten bei einer Tempe­ ratur von ca. 380°C getempert wird.
DE4113969A 1991-04-29 1991-04-29 Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter Granted DE4113969A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4113969A DE4113969A1 (de) 1991-04-29 1991-04-29 Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter
US07/866,861 US5250466A (en) 1991-04-29 1992-04-10 Method for manufacturing ohmic contacts for compound semiconductors
JP10726792A JP2550257B2 (ja) 1991-04-29 1992-04-27 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体のｎ−ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法
KR1019920007208A KR0164226B1 (ko) 1991-04-29 1992-04-29 화합물 반도체용 옴접촉부 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4113969A DE4113969A1 (de) 1991-04-29 1991-04-29 Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4113969A1 true DE4113969A1 (de) 1992-11-05
DE4113969C2 DE4113969C2 (de) 1993-02-11

Family

ID=6430597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4113969A Granted DE4113969A1 (de) 1991-04-29 1991-04-29 Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5250466A (de)
JP (1) JP2550257B2 (de)
KR (1) KR0164226B1 (de)
DE (1) DE4113969A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0766324A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
US5731224A (en) * 1994-02-23 1998-03-24 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Method for manufacturing ohmic contacts for compound semiconductors
WO2001047038A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices
US7242034B2 (en) 2003-01-31 2007-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for fabricating a component having an electrical contact region, and component having an electrical contact region

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5422307A (en) * 1992-03-03 1995-06-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of making an ohmic electrode using a TiW layer and an Au layer
DE4305296C3 (de) * 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
US5665639A (en) * 1994-02-23 1997-09-09 Cypress Semiconductor Corp. Process for manufacturing a semiconductor device bump electrode using a rapid thermal anneal
DE50010046D1 (de) * 1999-01-04 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Verfahren und vorrichtung zur formgebung von halbleiteroberflächen
US6955978B1 (en) * 2001-12-20 2005-10-18 Fairchild Semiconductor Corporation Uniform contact
DE102004004780B9 (de) * 2003-01-31 2019-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich
DE10329515B9 (de) * 2003-06-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10308322B4 (de) * 2003-01-31 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich
DE10334634B3 (de) * 2003-07-29 2005-01-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum seitlichen Kontaktieren eines Halbleiterchips
US7795064B2 (en) 2007-11-14 2010-09-14 Jds Uniphase Corporation Front-illuminated avalanche photodiode
ES2471568B1 (es) * 2012-11-22 2015-08-21 Abengoa Solar New Technologies S.A. Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos así creados
TWI693642B (zh) * 2017-12-22 2020-05-11 美商雷森公司 用於控制具有將由設置在半導體上的結構所吸收的預定波長之輻射量的方法
CN108550666A (zh) * 2018-05-02 2018-09-18 天津三安光电有限公司 倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4248675A (en) * 1980-02-25 1981-02-03 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming electrical contact and antireflection layer on solar cells
JPS5874084A (ja) * 1981-10-29 1983-05-04 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS592380A (ja) * 1982-06-28 1984-01-07 Toshiba Corp 半導体発光装置の製造方法
JPS59124126A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd オ−ミツク接触の形成方法
US4757030A (en) * 1985-06-20 1988-07-12 Cornell Research Foundation, Inc. Method of making group IV single crystal layers on group III-V substrates using solid phase epitaxial growth
JPS6279618A (ja) * 1985-10-02 1987-04-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0195564A (ja) * 1987-10-08 1989-04-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0748474B2 (ja) * 1987-12-29 1995-05-24 日本電気株式会社 半導体結晶の構造
JP2758611B2 (ja) * 1988-09-16 1998-05-28 日本電信電話株式会社 バイポーラトランジスタ素子

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUNG, D.D.L.:The effects of germaniumconcentration on the compound formation and morphology of gold-based contacts to gallium arse-nide. In: J.Vac.Scl.Technol.B4,(3), May/Jun. 1986,S.762-768 *
et.al.: OHMIC CONTACTS ON SELECTIVELY DOPED AllnAs/GaInAs HETEROSTRUCTURES USING Ni, AuGe AND Au. In: Solid-State Electronics, Vol.30, No.12, 1987, S.1345-1349 *
JP 54-39573 A., In: Patents Abstracts of Japan, E-113, May 26, 1979, Vol.3/No.61 *
KAMADA, M. *
KIM, Taeil *
KULKARNI, A.K. *
LUKOWSKI, J.T.:Effect of annealingprocess parameters on the properties of AuGe ohmiccontacts to GaAs. In: J.Appl. Phys. 59, (8), 15. April 1986, S.2901-2904 *
PATRICK, W.: Low-temperature annealed contacts to very thin GaAs epilayers. In: Appl.Phys. Letters 48, (15), 14. April 1986, S.986-988 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731224A (en) * 1994-02-23 1998-03-24 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Method for manufacturing ohmic contacts for compound semiconductors
EP0766324A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
US5923053A (en) * 1995-09-29 1999-07-13 Siemens Aktiengesellschaft Light-emitting diode having a curved side surface for coupling out light
US6025251A (en) * 1995-09-29 2000-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a plurality of semiconductor components
WO2001047038A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices
US6992334B1 (en) 1999-12-22 2006-01-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices
US7242034B2 (en) 2003-01-31 2007-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for fabricating a component having an electrical contact region, and component having an electrical contact region
US7435605B2 (en) 2003-01-31 2008-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for fabricating a component having an electrical contact region

Also Published As

Publication number Publication date
DE4113969C2 (de) 1993-02-11
JP2550257B2 (ja) 1996-11-06
JPH05121353A (ja) 1993-05-18
KR0164226B1 (ko) 1998-12-15
KR920020771A (ko) 1992-11-21
US5250466A (en) 1993-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4113969C2 (de)
DE69937565T2 (de) P-dotierte zinkoxidschichten und herstellungsverfahren
DE19511415C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines p-leitenden Schichtbereiches für Halbleiterleuchtelemente aus Gruppe III-Nitrid
DE69227170T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Verbundhalbleitern des P-Typs
DE69305928T2 (de) Halbleiterlaser
DE2131391C2 (de) Elektroluminierende Galliumphosphid-Diode
DE2225824A1 (de) Halbleiterbauelement mit einem isolierenden substrat und einer monokristallinen halbleiterschicht und verfahren zur herstellung eines solchen halbleiterbauelements
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE4205584A1 (de) Lichtemittierendes galliumnitrid-halbleiter-bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102005006766A1 (de) Niedrig dotierte Schicht für ein nitrid-basiertes Halbleiterbauelement
DE69501511T2 (de) Vorrichtung mit II-VI-Halbleiterverbindung und Herstellungsverfahren
DE69028964T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1084381B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE68910906T2 (de) Leuchtende Vorrichtung.
DE19615179B4 (de) Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Halbleiterbauelemente mit verbesserter Stabilität
EP1794816B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
DE2735937C2 (de) Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen
DE3104082C2 (de)
DE2927454C3 (de) Epitaxiale Scheibe zur Herstellung von Licht emittierenden Dioden
DE102011114670A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
EP0584599A1 (de) Leuchtdiode
EP0479307B1 (de) Infrarotes Licht emittierende Diode
DE19622704A1 (de) Epitaxialwafer und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112007002539T5 (de) ZnO-Schicht und lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE1909720A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergang

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBR

8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: VISHAY SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE

R071 Expiry of right