JPS592380A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS592380A JPS592380A JP57111209A JP11120982A JPS592380A JP S592380 A JPS592380 A JP S592380A JP 57111209 A JP57111209 A JP 57111209A JP 11120982 A JP11120982 A JP 11120982A JP S592380 A JPS592380 A JP S592380A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＮ型ＧＩｌ、−ｘＡ、＃）；ＡＢ単結晶上にオ
ーミック電極を形成する半導体発光装置の製造方法に関
するものであり、特にＸ＞０．４０なる高いＡＡＡ、混
晶比を有する単結晶上への電極形成（１適するものであ
る。
ーミック電極を形成する半導体発光装置の製造方法に関
するものであり、特にＸ＞０．４０なる高いＡＡＡ、混
晶比を有する単結晶上への電極形成（１適するものであ
る。
最近ｓ Ｇａ ＡＳ （基板）−ＧｕＡｊｌＡ、系結晶
を用いた半導体レーザ、発光ダイオードの開発が盛んに
なってきている。しかしながら従来は、Ｇ、１Ａ７Ａ、
層へ直接電極を形成することなく、コンタクト用のＧａ
Ａｓ ＠を形成し、その上（二電極を形成していた。
を用いた半導体レーザ、発光ダイオードの開発が盛んに
なってきている。しかしながら従来は、Ｇ、１Ａ７Ａ、
層へ直接電極を形成することなく、コンタクト用のＧａ
Ａｓ ＠を形成し、その上（二電極を形成していた。
しかる（二最近になって、Ｐ型Ｇａ ｒ −ｙ Ａ ｌ
ｙ Ａ ｓを活性層とし、その上にＮ型””５−ｘＡ
ｊｘ”ｓ （Ｙ”：０．３５゜Ｘχ０．６０））Ｉを形
成し、Ｎ型’ ３１１ ＝Ｘ Ａ−ｅＸ Ａ １層表向
より光を収り出す形式の発光ダイオードの開発が盛んに
なってきた。この場合、Ｎ型Ｇａ１− ｘ Ａ Ｊ Ｘ
Ａ ＠ ｊ−上にＮ型Ｇ、Ａ、：１７ンタ−タト層を
形成することは、工程を複雑≦二するのみでなく、Ｎ型
Ｇａ Ａｓ ｌ−が光の吸収ｊ輌として働くという不都
合が起こり、特にＸの大なるＧａＡ７Ａ、混晶上（二直
接オーミック接触電極を形成する技術が望まれていた。
ｙ Ａ ｓを活性層とし、その上にＮ型””５−ｘＡ
ｊｘ”ｓ （Ｙ”：０．３５゜Ｘχ０．６０））Ｉを形
成し、Ｎ型’ ３１１ ＝Ｘ Ａ−ｅＸ Ａ １層表向
より光を収り出す形式の発光ダイオードの開発が盛んに
なってきた。この場合、Ｎ型Ｇａ１− ｘ Ａ Ｊ Ｘ
Ａ ＠ ｊ−上にＮ型Ｇ、Ａ、：１７ンタ−タト層を
形成することは、工程を複雑≦二するのみでなく、Ｎ型
Ｇａ Ａｓ ｌ−が光の吸収ｊ輌として働くという不都
合が起こり、特にＸの大なるＧａＡ７Ａ、混晶上（二直
接オーミック接触電極を形成する技術が望まれていた。
この要求（二対して、既ＣＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ系を用いた
オーミック接触形成技術が提案されている（特開昭５６
−１１６６１９号）。
オーミック接触形成技術が提案されている（特開昭５６
−１１６６１９号）。
しかるに上記Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ糸電極は。
Ｎｉ電極を）１自次、別個（１具空蒸着することが必要
であり、更にＡｕ中のＧｅの含量が１０９６程度と大き
く、後Ｃニオ−ミック接触電極形成のだめに打なう熱処
理の際（二、電極表向にＯｅが偏析し、単結晶表面の荒
れ、後の素子加工工程に不都合をもたらすという欠陥が
あった。
であり、更にＡｕ中のＧｅの含量が１０９６程度と大き
く、後Ｃニオ−ミック接触電極形成のだめに打なう熱処
理の際（二、電極表向にＯｅが偏析し、単結晶表面の荒
れ、後の素子加工工程に不都合をもたらすという欠陥が
あった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、Ａｕ−Ｇｅ
合金よＩ）なる電極を用い、これをＧａ＋−ｘＡ＃ｘＡ
ｓ（＃＞Ｘ＞０．４ ）単結晶上に良好にオーミック接
触させ得る半導体発光装置の製造方法を提供しようとす
るものである。
合金よＩ）なる電極を用い、これをＧａ＋−ｘＡ＃ｘＡ
ｓ（＃＞Ｘ＞０．４ ）単結晶上に良好にオーミック接
触させ得る半導体発光装置の製造方法を提供しようとす
るものである。
本発明は、”、ｌ−ｘ Ａ＃ ｘ Ａａ （ｊ／ ＞
Ｘ＞ ０．４ ）なるＮ型半導体単結晶表面に、Ａｕを
上体として０．１〜５．ＯＳのＧｅを含んだ合金を真空
蒸着法等により形成し、４４０〜５２０℃なる温度で熱
処理を行なうことにより、良好なオーミック接触を得よ
うとするものである。
Ｘ＞ ０．４ ）なるＮ型半導体単結晶表面に、Ａｕを
上体として０．１〜５．ＯＳのＧｅを含んだ合金を真空
蒸着法等により形成し、４４０〜５２０℃なる温度で熱
処理を行なうことにより、良好なオーミック接触を得よ
うとするものである。
以下図面Ｖ＃照して本発明の詳細な説明する。第１図（
１示される如く本発明の装ｗは、Ｚｎ添加のＰ型Ｇ４Ａ
ｓ＆板１上（′ｌ−１ｚｏ添加のＰ型ＧＭ 、 −ｙ
Ａ Ａ ｙ Ａｓ ＩＷｒ ２ 、 Ｔｅ添加のＮ型Ｇ
ａ Ｉ−ｘ Ａ Ａ ｘ Ａｓ層３を順次ＬＰＥ（／ｌ
ｌｊ相成長）法Ｃ二より形成する。オーミック接触電極
４は。
１示される如く本発明の装ｗは、Ｚｎ添加のＰ型Ｇ４Ａ
ｓ＆板１上（′ｌ−１ｚｏ添加のＰ型ＧＭ 、 −ｙ
Ａ Ａ ｙ Ａｓ ＩＷｒ ２ 、 Ｔｅ添加のＮ型Ｇ
ａ Ｉ−ｘ Ａ Ａ ｘ Ａｓ層３を順次ＬＰＥ（／ｌ
ｌｊ相成長）法Ｃ二より形成する。オーミック接触電極
４は。
Ｐ型Ｇ、Ａ、基板１面に、Ａｕ及びＢｅよりなる合金膜
を真空蒸着することによって形成し。
を真空蒸着することによって形成し。
Ｎ型Ｇａｔ−ＸＡ７’ｘＡｓＪｌｉｉｉＪのＬＰＥ面の
オーミック接触電極５は、Ａｕ及びＧｅよりなる合金膜
を同じく輿空島養すること（二よつ”〔形成し。
オーミック接触電極５は、Ａｕ及びＧｅよりなる合金膜
を同じく輿空島養すること（二よつ”〔形成し。
その後にアルゴンガス雰囲気中で４８０℃で１０分間の
熱処理を施こ−にとによって得た。
熱処理を施こ−にとによって得た。
ここで上記Ａｕ及びＯｅよりなる合金膜５のゲルマニウ
ム含有量は０５％とした。またＮ型Ｇｊ、−ｘＡ ＃ｘ
Ａ 、層３の表面のＡＨＡ、混晶比Ｘは０７であった。
ム含有量は０５％とした。またＮ型Ｇｊ、−ｘＡ ＃ｘ
Ａ 、層３の表面のＡＨＡ、混晶比Ｘは０７であった。
その後オーミック接触電極５の形成されたＮ型０５−ｘ
ＡｅｘＡｓ表面上に。
ＡｅｘＡｓ表面上に。
更に純Ａｕ膜を真空蒸着法（二より形成した。この純Ａ
ｕＭは、素子をワイヤボンディングにより例えばリード
フレームと導通させる際、ボンディングワイヤの接着強
度を充分なものとするために必要なものである。なお上
記純Ａｕ膜の形成（二先立ち、純Ａｕ膜と合金膜（電極
）４との密着性を充分なものとするため、リン酸、過酸
化水素水及び水よりなるエツチング液にてエツチングす
ること（二より、合金膜表面の酸化膜を除去した。その
後フォトエツチング（二より。
ｕＭは、素子をワイヤボンディングにより例えばリード
フレームと導通させる際、ボンディングワイヤの接着強
度を充分なものとするために必要なものである。なお上
記純Ａｕ膜の形成（二先立ち、純Ａｕ膜と合金膜（電極
）４との密着性を充分なものとするため、リン酸、過酸
化水素水及び水よりなるエツチング液にてエツチングす
ること（二より、合金膜表面の酸化膜を除去した。その
後フォトエツチング（二より。
Ｎ型面上の合金膜５及びその上の純Ａｕ膜を所望の形状
（二加工し、ダイシングにより各素子に昼離した。
（二加工し、ダイシングにより各素子に昼離した。
第２因（＝、ＡＪＡ、混晶比が０．６０なるＴｅ添加の
Ｎ型０８□−ｘＡＪｌｒｚｋ＠層（不純物濃度Ｎｐ＝＝
２ＸｌＯ”ｃｍ″″ｓ）３に、Ｇｅ組成比０．５優なる
ＡｕとＧ。の合金膜５を形成し、４００℃〜５５０℃間
の各温度で熱処理を行なった場合における。隣接チップ
領域の各電極間抵抗を示す。ここで′電極５は１４０μ
φであり、隣接チップ領域の省電極間の間隔は２００μ
である。
Ｎ型０８□−ｘＡＪｌｒｚｋ＠層（不純物濃度Ｎｐ＝＝
２ＸｌＯ”ｃｍ″″ｓ）３に、Ｇｅ組成比０．５優なる
ＡｕとＧ。の合金膜５を形成し、４００℃〜５５０℃間
の各温度で熱処理を行なった場合における。隣接チップ
領域の各電極間抵抗を示す。ここで′電極５は１４０μ
φであり、隣接チップ領域の省電極間の間隔は２００μ
である。
また第２図において黒丸印１よオーミック接触を、白丸
印は非オーミツク接触を示″ｆ（これは第２図以降にお
いても同様である）、このよう≦二４４０〜５２０°Ｃ
で良好なオーミック接触が得られた。
印は非オーミツク接触を示″ｆ（これは第２図以降にお
いても同様である）、このよう≦二４４０〜５２０°Ｃ
で良好なオーミック接触が得られた。
第３図１：ｎ、Ａ７Ａ＠混晶比が０，６０なるＴ。
添加のＮ型Ｇ 、、 −ｘ Ａ ｌ／ｚ Ａ ６層（Ｎ
Ｄ＝２Ｘ１０ ｃｍ）Ｊの表面（＝、０８組成比を０
．Ｏ１〜１０饅まで変化させたＡｕ合金膜５を形成し。
Ｄ＝２Ｘ１０ ｃｍ）Ｊの表面（＝、０８組成比を０
．Ｏ１〜１０饅まで変化させたＡｕ合金膜５を形成し。
４８０℃で１０分間熱処理した場合の電極間抵抗を示す
。このよう（−１Ｏｅ組成比が０．１以上でオーミック
接触が得られた。
。このよう（−１Ｏｅ組成比が０．１以上でオーミック
接触が得られた。
第４図５−１ＡＨＡ、混成比を０から０．９０１で変化
させたＴ ｅ ７６加のＮ型Ｇｄ ｘＡ！ｘＡ。
させたＴ ｅ ７６加のＮ型Ｇｄ ｘＡ！ｘＡ。
鳳 一
層（Ｎ Ｄ ＝ ２ Ｘ １０１１０ｌ７”） ３に、
Ｏｅ＋１１１１成比が０．５％なるＡｕとの合金膜を形
成し、４８０℃で熱処理を１０分間打なった場合の電極
間抵抗を示す。ここに示したように、ＡＡＡ［ｌ混成比
が０〜０．９０の全領域で良好なオーミック特性を示し
た。
Ｏｅ＋１１１１成比が０．５％なるＡｕとの合金膜を形
成し、４８０℃で熱処理を１０分間打なった場合の電極
間抵抗を示す。ここに示したように、ＡＡＡ［ｌ混成比
が０〜０．９０の全領域で良好なオーミック特性を示し
た。
以上のよう１．−４４０〜５２０℃の温度で、広い範囲
のＡＡＡ 、混晶比の結晶に対し、Ｇｅ組成比０．１％
以上のＡｕ合金を用いて良好なオーミック接触が得られ
た。しかしＧｅ組成比が５優以上の場合には、熱処理後
に合金膜表面にＧｅの粒が生じ、前記純Ａｕ膜形成のた
めの真空蒸着的処理の際に粒界からエツチング液が浸透
し、ＡｕとＧｅの合金膜がはがれる場合があった。この
ような現象は、従来例で述べたλＵ−Ｇｅ−Ｎｉ糸の場
合も同様であった。従って本発明のＡ１１合金膜（電極
）中のＧ。組成比は５チ以下が望ましい。
のＡＡＡ 、混晶比の結晶に対し、Ｇｅ組成比０．１％
以上のＡｕ合金を用いて良好なオーミック接触が得られ
た。しかしＧｅ組成比が５優以上の場合には、熱処理後
に合金膜表面にＧｅの粒が生じ、前記純Ａｕ膜形成のた
めの真空蒸着的処理の際に粒界からエツチング液が浸透
し、ＡｕとＧｅの合金膜がはがれる場合があった。この
ような現象は、従来例で述べたλＵ−Ｇｅ−Ｎｉ糸の場
合も同様であった。従って本発明のＡ１１合金膜（電極
）中のＧ。組成比は５チ以下が望ましい。
以上説明した如く本発明によれば、Ａｕ−Ｇｅ電極を用
いるため該電極形成のための真空蒸着工程数が減り、ま
た上記Ａｕ中のＧｅの含有量が５チ以下と低いため歩留
が向上し、良好なオーミック接触電極が得られる利点を
有した半導体発光装置の製造方法が提供できるものであ
る。
いるため該電極形成のための真空蒸着工程数が減り、ま
た上記Ａｕ中のＧｅの含有量が５チ以下と低いため歩留
が向上し、良好なオーミック接触電極が得られる利点を
有した半導体発光装置の製造方法が提供できるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を説明するための菓子構成図
、第２図ないし第４図は同実施例の説明に用いる特性図
である。 １°＝ｐ型ＧｄＡｓ基板、２−Ｐ型 ０□−ｙ”ｙＡｉＪｉｉ、３−Ｎ型（］、、−、Ａ７ａ
、Ａ。 層、４ ・−Ａ ｕ −Ｂ ｅ電極、５− Ａ ｕ −
Ｇ ｅ合金膜（電極）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 該第１図 第３図 Ｇｅ綴底九（’！、） 第４図 ０ １０ＡＲＡＳ７足晶
ヤし
、第２図ないし第４図は同実施例の説明に用いる特性図
である。 １°＝ｐ型ＧｄＡｓ基板、２−Ｐ型 ０□−ｙ”ｙＡｉＪｉｉ、３−Ｎ型（］、、−、Ａ７ａ
、Ａ。 層、４ ・−Ａ ｕ −Ｂ ｅ電極、５− Ａ ｕ −
Ｇ ｅ合金膜（電極）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 該第１図 第３図 Ｇｅ綴底九（’！、） 第４図 ０ １０ＡＲＡＳ７足晶
ヤし
Claims (3)
- （１）Ｎ型” Ｉ−ｘ ＡＡｘＡｓ’ （０，４＜ Ｘ
＜１ ）単結晶−ヒにオーミック接触電極を有した半導
体発光装置を形成するに当り、前記Ｎ型 ”、−ｘＡ７ｘＡ、単結晶上へのオーミック接触電極を
、金及びゲルマニウムよりなる合金を熱処理することに
よって得ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法
。 - （２） 前記オーミック接触電極を形成する合金が、
０．１〜５％のゲルマニウムを含んだものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項６二記戦の半導体発光
装置の製造方法。 - （３） 前記熱処理が、４４０℃ないし５２０℃の間
の温度で行なわれたものであること′を特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項に記載の半導体発光装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111209A JPS592380A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111209A JPS592380A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592380A true JPS592380A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14555284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111209A Pending JPS592380A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121353A (ja) * | 1991-04-29 | 1993-05-18 | Telefunken Electronic Gmbh | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体のｎ−ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法 |
| US5832019A (en) * | 1994-11-28 | 1998-11-03 | Xerox Corporation | Index guided semiconductor laser biode with shallow selective IILD |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111209A patent/JPS592380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121353A (ja) * | 1991-04-29 | 1993-05-18 | Telefunken Electronic Gmbh | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体のｎ−ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法 |
| US5832019A (en) * | 1994-11-28 | 1998-11-03 | Xerox Corporation | Index guided semiconductor laser biode with shallow selective IILD |
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