JPS63253633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Landscapes
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はｔ導体装置の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
第２図は、従来例の製造方法による半導体装置の側面断
面説明図、第３図は、従来例の製造方法によるＡ、−Ｓ
１金合金むら発生の状態をを示す裏面平面説明図である
。
面説明図、第３図は、従来例の製造方法によるＡ、−Ｓ
１金合金むら発生の状態をを示す裏面平面説明図である
。
図中、１は高濃度トナー、例えば不純物として砒素を含
むＮ１シリコン半導体基板（以下半導体基板という）、
２は半導体基板ｌ上に形成されたＮ−エピタキシャル層
、３は二酸化硅素層、４はＰ＋領域、５はアルミ電極、
６は金層である。
むＮ１シリコン半導体基板（以下半導体基板という）、
２は半導体基板ｌ上に形成されたＮ−エピタキシャル層
、３は二酸化硅素層、４はＰ＋領域、５はアルミ電極、
６は金層である。
次に、この従来例の半導体装置の製造方法の概略を第２
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
高濃度の不純物、例えば、砒素を含む直径４インチ、厚
さ３５０μの半導体基板ｌ上に、活性領域１ａを形成す
る。即ち、エビタキャル層２を形成し、通常の厚真製版
法、拡散蒸着法を用いてｐ−ｖ１域４のダイオードの活
性層と、アルミ電極５のカソード電極を多数個形成する
。
さ３５０μの半導体基板ｌ上に、活性領域１ａを形成す
る。即ち、エビタキャル層２を形成し、通常の厚真製版
法、拡散蒸着法を用いてｐ−ｖ１域４のダイオードの活
性層と、アルミ電極５のカソード電極を多数個形成する
。
その後、ダイス形成のための切断を容易にするため、前
記の処理を施した半導体基板の裏面を研磨し、例えば、
厚さ１７５μとした後、該裏面に金もしくは金と他の金
属の合金である金合金を蒸着した金層６を形成する。そ
の後、４００℃以上でシンター処理し、金層６と半導体
基板１でＡｕ−３，共晶合金をつくる。
記の処理を施した半導体基板の裏面を研磨し、例えば、
厚さ１７５μとした後、該裏面に金もしくは金と他の金
属の合金である金合金を蒸着した金層６を形成する。そ
の後、４００℃以上でシンター処理し、金層６と半導体
基板１でＡｕ−３，共晶合金をつくる。
このＡ、、−５，共晶合金は、後に、薄片に切断された
個々のダイスをパッケージに固着するハンダ層の役割を
もっている。又、前記のように、Ａ、−３，共晶合金を
ハンダ層として、高濃度のドーパント？有する半導体基
板ｌに形成した場合、非常にオーミック性をよくして、
直列抵抗の少いダイオードか形成されてきた。
個々のダイスをパッケージに固着するハンダ層の役割を
もっている。又、前記のように、Ａ、−３，共晶合金を
ハンダ層として、高濃度のドーパント？有する半導体基
板ｌに形成した場合、非常にオーミック性をよくして、
直列抵抗の少いダイオードか形成されてきた。
然し乍ら、半導体基板１の不純物濃度が８ Ｘ １０
”ａＬｏｍｓ／ ｃｒｎ”以上の場合、前記従来例の製
造方法によると、ドーパントの効果か、シリコン中の酸
素の効果かは不明であるが、特に半導体基板！の高不純
物の絹状領域等では、不純物濃度によりＡ、、−３，合
金化反応がばらつくために、均一・で充分なＡｕ−５，
合金化が行えず、例えば、第３図に示すように、Ａ、、
−５，合金のむらを生ずる。この半導体をパッケージに
組込んだ場合、オーミック不良となるため、製品歩留り
が低ドすることが多い等の欠点があった。
”ａＬｏｍｓ／ ｃｒｎ”以上の場合、前記従来例の製
造方法によると、ドーパントの効果か、シリコン中の酸
素の効果かは不明であるが、特に半導体基板！の高不純
物の絹状領域等では、不純物濃度によりＡ、、−３，合
金化反応がばらつくために、均一・で充分なＡｕ−５，
合金化が行えず、例えば、第３図に示すように、Ａ、、
−５，合金のむらを生ずる。この半導体をパッケージに
組込んだ場合、オーミック不良となるため、製品歩留り
が低ドすることが多い等の欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
以トにように、従来例におい一〇は、半導体、＋、ｔ、
板の不純物濃度が８ ｘ １０ ｌｌ’ａｔｏｍｓ／ら
♂以上の場合、充分なＡ、−５，合金化が行えず２オー
ミツク不良となり、製品歩留りが低下する問題点があっ
た。
板の不純物濃度が８ ｘ １０ ｌｌ’ａｔｏｍｓ／ら
♂以上の場合、充分なＡ、−５，合金化が行えず２オー
ミツク不良となり、製品歩留りが低下する問題点があっ
た。
この発明は、上記のような従来例の問題点を解消するた
めになされたもので、良好なＡ、−Ｓ＋合金層を形成す
るとともに、良好なオーミックコンタクトを得ることを
目的とする。
めになされたもので、良好なＡ、−Ｓ＋合金層を形成す
るとともに、良好なオーミックコンタクトを得ることを
目的とする。
このため、この発明においては、不純物濃度か８ ｘ
１０ ＩＡａｔｏｍｓ／ ｃゴ以上であるシリコン半導
体基板の表面に活性領域を形成し、前記を導体基板の裏
面に金層を形成する半導体装置の製造方法であって、１
１「エキ導体基板の金層を形成する＋ｉｉｒに、アモル
ファスシリコン薄膜層を付加形成することにより、前記
問題点を解決し、目的を達成しようとするものである。
１０ ＩＡａｔｏｍｓ／ ｃゴ以上であるシリコン半導
体基板の表面に活性領域を形成し、前記を導体基板の裏
面に金層を形成する半導体装置の製造方法であって、１
１「エキ導体基板の金層を形成する＋ｉｉｒに、アモル
ファスシリコン薄膜層を付加形成することにより、前記
問題点を解決し、目的を達成しようとするものである。
この発明における半導体基板界面での高濃度不純物は、
４００℃以上でシンターされた際、アモルファスシリコ
ンで希釈され、８易にＡ、、−Ｓ。
４００℃以上でシンターされた際、アモルファスシリコ
ンで希釈され、８易にＡ、、−Ｓ。
共晶合金を形成する。
（実施例）
以Ｆに、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１ＰＡは、この発明の一実施例の製造方法による半導
体装置の側面断面説明図である。
体装置の側面断面説明図である。
図中、ｌは高濃度不純物、例えば砒素を８ ｘ １０１
Ｂａｔｏａａｓ／ ｃｎ？以上含むＮ＋シリコン半導体
基板、７はアモルファスシリコン薄膜層（以ドアモルフ
ァスシリコン層という）である。
Ｂａｔｏａａｓ／ ｃｎ？以上含むＮ＋シリコン半導体
基板、７はアモルファスシリコン薄膜層（以ドアモルフ
ァスシリコン層という）である。
図中、ｎ前記従来例におけると同一または相当構成要素
は同一符号て表わし、重複説明は省略する。
は同一符号て表わし、重複説明は省略する。
次に、この発明による半導体装置の製造方法の一例を第
１図を用いて説明する。
１図を用いて説明する。
不純物濃度８ ｘ ｌ Ｏ１８ａｔｏｍｓ／ ｃｒｎ”
以上１例えばＩ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ ｃｎ？の
砒素を含む半導体基板１上に、１）η記従来例と同線に
、活性領Ｊｄｌａを形成する。即ち、前記半導体基板！
上にＮ−エビタキャル層２を形成し、通常の写真製版、
拡散蒸着を用いてＰ＋領域４のダイオードの活性２１層
およびアルミ電Ｎｉ５のカソード電極を多ｅ！Ｌ個形成
する。
以上１例えばＩ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ ｃｎ？の
砒素を含む半導体基板１上に、１）η記従来例と同線に
、活性領Ｊｄｌａを形成する。即ち、前記半導体基板！
上にＮ−エビタキャル層２を形成し、通常の写真製版、
拡散蒸着を用いてＰ＋領域４のダイオードの活性２１層
およびアルミ電Ｎｉ５のカソード電極を多ｅ！Ｌ個形成
する。
その後、裏面を研磨し＃裏面にスパッター蒸着を用いて
、高純度のアモルファスシリコン層７を、半導体装置の
劣化を招かない常温で厚さ約５００人形成する。
、高純度のアモルファスシリコン層７を、半導体装置の
劣化を招かない常温で厚さ約５００人形成する。
次に、金層６を蒸着法で厚さ約６０００人形成した後、
４００℃以上でシンター処理し、Ａｕ−５，合金化を行
う。
４００℃以上でシンター処理し、Ａｕ−５，合金化を行
う。
上記の製造方法、即ちアモルファスシリコン薄膜層７を
付加形成することにより、４００℃以上でシンターした
場合、まず金層における金は不純物を含まないアモルフ
ァスシリコン層のシリコンと容易に反応し、液状のＡｕ
−８ｌ化合物となる。
付加形成することにより、４００℃以上でシンターした
場合、まず金層における金は不純物を含まないアモルフ
ァスシリコン層のシリコンと容易に反応し、液状のＡｕ
−８ｌ化合物となる。
一方、高濃度不純物（Ｉ Ｘ １０１９ａｔｏａ＋ｓ／
ｃｒｆｆｌ）を含む半導体基板１の界面付近における
不純物はアモルファスシリコン薄膜層７のシリコンによ
り希釈され不純物量はＩ Ｘ １０ ”ａＬｏｍｓ／
ｃｒｎ’以下となる。従って、＋ｉｉ’ｒ記液状となっ
たＡｕ−３，化合物が、半導体基板１の界面で、前記希
釈されたシリコンと反応すれば、容易に均一で良好なＡ
、−Ｓ、共晶合金を形成する。
ｃｒｆｆｌ）を含む半導体基板１の界面付近における
不純物はアモルファスシリコン薄膜層７のシリコンによ
り希釈され不純物量はＩ Ｘ １０ ”ａＬｏｍｓ／
ｃｒｎ’以下となる。従って、＋ｉｉ’ｒ記液状となっ
たＡｕ−３，化合物が、半導体基板１の界面で、前記希
釈されたシリコンと反応すれば、容易に均一で良好なＡ
、−Ｓ、共晶合金を形成する。
尚、以Ｅ述べたこの発明の実施例では不純物として砒素
を例示したか、アンヂモン、リン、ボロン等の高濃度不
純物を含むシリコン半導体基板にも通用できる。
を例示したか、アンヂモン、リン、ボロン等の高濃度不
純物を含むシリコン半導体基板にも通用できる。
また、金Ｐ１１６には金に少量のアンチモン、ガリウム
等を含む金合金を用いてもよい。
等を含む金合金を用いてもよい。
以上のように、この発明によれば、高濃度不純物を含む
半導体基板１と金層６の間に高純度アモルファスシリコ
ン薄膜層を形成し、Ａ、−５，合金の初期反応を均一化
し、半導体基板１の裏面全面に均一良好なＡｕ−５，合
金層を形成でき、良好なオーミックコンタクトが得られ
るので、安価でバラツキの少い半導体装置の製造が可能
となる。
半導体基板１と金層６の間に高純度アモルファスシリコ
ン薄膜層を形成し、Ａ、−５，合金の初期反応を均一化
し、半導体基板１の裏面全面に均一良好なＡｕ−５，合
金層を形成でき、良好なオーミックコンタクトが得られ
るので、安価でバラツキの少い半導体装置の製造が可能
となる。
（発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、不純物濃度が
８ ｘ １０１Ｂ；ＩＬ（１０１８／ ｃｒｎ’以上で
あるシリコン半導体基板の表面に活性＠域を形成し、１
１「２半導体基板の裏面に金層を形成する半導体装置の
製造方法であって、前記金層を形成する前に、アモルフ
ァスシリコン・薄膜層を付加形成することにより、半導
体基板の裏面全面に均一良好なＡｕ−３，合金層を形成
できる効果がある。
８ ｘ １０１Ｂ；ＩＬ（１０１８／ ｃｒｎ’以上で
あるシリコン半導体基板の表面に活性＠域を形成し、１
１「２半導体基板の裏面に金層を形成する半導体装置の
製造方法であって、前記金層を形成する前に、アモルフ
ァスシリコン・薄膜層を付加形成することにより、半導
体基板の裏面全面に均一良好なＡｕ−３，合金層を形成
できる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例の製造方法による半導体
装置の側面断面説明図、第２図は従来例の製造方法によ
る半導体装置の側面断面説明図、′ｆＪ３図は、従来の
製造方法によるＡ、−Ｓ、合金のむら発生の状態を示す
裏面平面説明図。 １−−− ・−シリコン半導体基板 １ａ・−＝・活性領域 ２・・・・・・エピタキシャル層 ３・・・・・・二酸化硅素層 ４・・・・・・Ｐ０領域 ５・・・・・・アルミ電極 ６・・・・・・金層
装置の側面断面説明図、第２図は従来例の製造方法によ
る半導体装置の側面断面説明図、′ｆＪ３図は、従来の
製造方法によるＡ、−Ｓ、合金のむら発生の状態を示す
裏面平面説明図。 １−−− ・−シリコン半導体基板 １ａ・−＝・活性領域 ２・・・・・・エピタキシャル層 ３・・・・・・二酸化硅素層 ４・・・・・・Ｐ０領域 ５・・・・・・アルミ電極 ６・・・・・・金層
Claims (1)
- 不純物濃度が８×１０＾１＾８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３以
上であるシリコン半導体基板の表面に活性領域を形成し
、前記半導体基板の裏面に金もしくは金合金蒸着により
金層を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半
導体基板の裏面に金層を形成する前に、アモルファスシ
リコン薄膜層を付加形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8910887A JPS63253633A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8910887A JPS63253633A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253633A true JPS63253633A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13961694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8910887A Pending JPS63253633A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03236225A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7815711B2 (en) | 2003-10-01 | 2010-10-19 | Atlas Copco Airpower, Naamloze Vennootschap | Method for separating gases from a gas mixture and device for applying such a method |
| RU2570226C1 (ru) * | 2014-08-05 | 2015-12-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" | Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP8910887A patent/JPS63253633A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03236225A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5663096A (en) * | 1990-02-14 | 1997-09-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a vertical semiconductor device with ground surface providing a reduced ON resistance |
| US5689130A (en) * | 1990-02-14 | 1997-11-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Vertical semiconductor device with ground surface providing a reduced ON resistance |
| US5994187A (en) * | 1990-02-14 | 1999-11-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a vertical semiconductor device |
| US6498366B1 (en) | 1990-02-14 | 2002-12-24 | Denso Corporation | Semiconductor device that exhibits decreased contact resistance between substrate and drain electrode |
| US6649478B2 (en) | 1990-02-14 | 2003-11-18 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US6903417B2 (en) | 1990-02-14 | 2005-06-07 | Denso Corporation | Power semiconductor device |
| US6949434B2 (en) | 1990-02-14 | 2005-09-27 | Denso Corporation | Method of manufacturing a vertical semiconductor device |
| US7064033B2 (en) | 1990-02-14 | 2006-06-20 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US7815711B2 (en) | 2003-10-01 | 2010-10-19 | Atlas Copco Airpower, Naamloze Vennootschap | Method for separating gases from a gas mixture and device for applying such a method |
| RU2570226C1 (ru) * | 2014-08-05 | 2015-12-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" | Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность |
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