DE4013923C2 - Siliciumnitridpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines Siliciumnitridpulvers - Google Patents
Siliciumnitridpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines SiliciumnitridpulversInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Siliciumnitridpulver, das leicht gesintert werden
kann unter Schaffung eines Sinterkörpers mit ausgezeichneter Hochtemperatur-
Biegefestigkeit und -Zähigkeit, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie die
Verwendung eines solchen Siliciumnitridpulvers zur Herstellung eines Siliciumnitrid-
Sinterkörpers. Bei dem Siliciumnitrid-Sinterkörper handelt es sich um ein Material mit
ausgezeichneten Eigenschaften hinsichtlich Hochtemperaturfestigkeit, Härte,
Korrosionsfestigkeit und Schlagfestigkeit, und man kann erwarten, daß es für die
verschiedensten Bauteile in weitem Umfang eingesetzt werden kann. Das Material
sollte beispielsweise brauchbar sein für Gasturbinenteile, Düsen oder Lager.
Zur Herstellung von Siliciumnitridpulver sind folgende
herkömmliche Methoden bekannt: (1) eine Methode der di
rekten Nitridierung von metallischem Silicium, (2) eine
Methode der Reduktion und Nitridierung von Siliciumdi
oxid (Silica) und (3) eine Siliciumhalogenid-Methode.
Die nach diesen Methoden hergestellten Pulver weisen
wesentliche Unterschiede auf hinsichtlich ihrer Sinter
fähigkeit oder hinsichtlich der Eigenschaften der nach
dem Sintern erhaltenen Sinterkörper, wie hinsichtlich
der Hochtemperatur-Biegefestigkeit. Die Unterschiede ha
ben ihre Ursache wahrscheinlich in den unterschiedli
chen Herstellungswegen und werden selbst dann beobach
tet, wenn die Mengen an metallischen Verunreinigungen,
die Mengen an Sauerstoff, die Teilchengrößen und die
spezifischen Oberflächen ähnlich sind.
Im allgemeinen ist das nach der Methode (1) erhaltene
Pulver leicht sinterbar, jedoch bei der Hochtemperatur-
Biegefestigkeit schlecht. Das nach der Methode (2) her
gestellte Pulver läßt sich nur schwierig sintern und
das nach der Methode (3) hergestellte Pulver zeigt ein
Verhalten zwischen den Extremen. Das Verhalten und die
Eigenschaften hängen in starkem Maße von dem Sauerstoff
gehalt ab, der in Form einer festen Lösung vorliegt und
etwa 60% der Gesamtmenge an Sauerstoff ausmacht.
Bei der Herstellung von Pulver nach der Methode (1) ist
eine Mahlstufe involviert. Daher übersteigt der Sauer
stoffgehalt in der Form einer festen Lösung im allge
meinen 2 Gew.-%, und in vielen Fällen ist mindestens
1,5 Gew.-% eines derartigen Sauerstoffs enthalten. Bei
der Methode (1) kann der Sauerstoffgehalt in Form einer
festen Lösung reduziert werden, indem man eine Verfah
rensstufe, wie eine Säurebehandlung zur Entfernung von
Verunreinigungen, durchführt. Selbst dann ist es jedoch
schwierig, den Sauerstoff auf ein Niveau von unter
1,0 Gew.-% zu bringen. Im Falle des gemäß der Methode
(2) hergestellten Pulvers verbleibt andererseits Sili
ciumdioxid (Silica), das aus dem als Ausgangsmaterial
eingesetzten Silicapulver herrührt. Gewöhnlich über
steigt der Sauerstoffgehalt in der Form einer festen
Lösung 2 Gew.-%.
Hinsichtlich der Kristallformen kennt man zwei Typen,
d. h. eine α-Phase und eine β-Phase. Man geht davon aus,
daß die Sinterfähigkeit umso besser wird, je höher der
Anteil der α-Phase ist. Ein allgemein akzep
tierter Sintermechanismus von Siliciumnitrid ist derart,
daß die α-Phase einmal in einer flüssigen Phase aufge
löst wird und anschließend übersättigt wird und als die
β-Phase präzipitiert. Das Wachstum von prismatischen
Kristallen während der Präzipitation der prismatischen
Kristalle als Folge des Übergangs der α-Phase in die β-
Phase ist jedoch nicht einförmig. Nachteiligerweise
wird eine Fein-Verdichtung durch abnormes Kristall
wachstum behindert.
Die oben erwähnten Pulver sind in etwa das, was derzeit
erhältlich ist. Selbstverständlich beeinflußt die Menge
an Sauerstoff in dem Pulver die Sinterfähigkeit der
Pulver und die Eigenschaften des Sinterkörpers. Ferner
sind verschiedene andere Pulvereigenschaften, wie
die spezifische Oberfläche, die Kristallinität, die
Teilchenform, die Granularität (Feinpulver), usw., in
volviert. Derzeit besteht noch kein klares Verständnis
darüber, welcher Zusammenhang zwischen den Pulvereigen
schaften und den oben erwähnten jeweiligen Herstellungs
methoden besteht.
In der US-A 4,284,432
ist die Beziehung zwischen der Menge an Sauerstoff
in dem Siliciumnitridpulver und der Hochtemperatur-
Biegefestigkeit beschrieben. Nach diesem Stand der Tech
nik wird vorgeschlagen, die Menge an Sauerstoff in dem
Siliciumnitridpulver zu reduzieren, um einen Sinterkör
per mit ausgezeichneter Hochtemperatur-Biegefestigkeit
zu erhalten. Es findet sich jedoch erstens keine klare
Beschreibung hinsichtlich verschiedener anderer Eigen
schaften als den Sauerstoffgehalt, z. B. der Menge an
Feinpulver, die bei der Methode des Mahlens eines Sili
ciumnitrids unvermeidbar ist, der metallischen Verunrei
nigungen und der spezifischen Oberfläche, und zwar wahr
scheinlich deshalb, weil eine Heißpreß(HP)-Sintermetho
de angewandt wird. Zweitens ist bei der Methode zur
Herstellung eines Pulvers mit niedrigem Sauerstoffge
halt eine spezielle Behandlung erforderlich, die hohe
Kosten verursacht und als Sintermethode wird das nicht
allgemein gebräuchliche HP-Verfahren angewendet. Drit
tens findet sich keine detaillierte Diskussion hinsicht
lich der Gründe, die dazu Anlaß geben, die Species der
Sinterungshilfsmittel zu spezifizieren, und hinsicht
lich der Struktur des Sinterkörpers, also der Faktoren,
die einen Beitrag zu dem Verhalten bei der Hochtempera
tur-Biegefestigkeit leisten können. Viertens ist die
Hochtemperatur-Biegefestigkeit bestenfalls bei einem
Niveau von 600 MPa und fünftens findet sich keine Be
schreibung dahingehend, welchen Einfluß der Sauerstoff
gehalt in der Form einer festen Lösung und der Sauer
stoffgehalt in der Form eines Hydroxids oder Oxids auf
die Hochtemperatur-Biegefestigkeit hat.
Andererseits ist in der US-A 4,920,085
eine Beziehung zwischen der Um
wandlungsrate in die β-Phase und der Teilchengröße in
nerhalb eines Bereichs des Gehalts der β-Phase von 30
bis 100% beschrieben. Bei dieser Methode ist jedoch der
Gesamtsauerstoffgehalt hoch und folglich findet der
Übergang von α zu β während des Sinterns selbst bei ei
ner niedrigen Temperatur leicht statt. Ferner ist ein
Problem dadurch auf getreten, daß die Menge der Korn
grenzphase, die durch die Sinterungshilfe aufgebaut
wird, groß wird, wodurch die Löslichkeit des Silicium
nitrids sich verändert und nur β-prismatische Kristal
le mit einem sehr kleinen Aspektverhältnis gebildet wer
den. Man beobachtet keine Verbesserung der Zähigkeit.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Herstellung
eines Siliciumnitridpulvers nach der oben erwähnten
Methode (1). Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Er
findung, einen Siliciumnitrid-Sinterkörper zu erhalten,
der eine Hochtemperatur-Biegefestigkeit von mindestens
700 MPa bei 1200°C aufweist, und zwar unter Verwendung
des nach der oben erwähnten Methode (1) hergestellten
Siliciumnitridpulvers.
Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen
Siliciumnitrid-Sinterkörper zu erhalten, der eine hohe
Zähigkeit, insbesondere eine Zähigkeit von mindestens
8,0 MPa.m1/2 aufweist, und zwar unter Verwendung des
nach der obigen Methode (1) hergestellten Silicium
nitridpulvers.
Von den Erfindern wurden verschiedene Studien durchge
führt, um die obigen Ziele zu erreichen. Dabei wurde
festgestellt, daß ein Siliciumnitridpulver hergestellt werden kann, dessen
Sauerstoffgehalt, spezifische Oberfläche, durchschnittliche Teilchengröße,
Feinpulvergehalt und metallische Verunreinigungen kontrolliert sind, indem man
metallisches Siliciumpulver unter einer speziellen Gasatmosphäre nitridiert.
Gleichzeitig haben die Erfinder eine Sinterhilfe gefunden, die eine ausgezeichnete
Kompatibilität mit dem Siliciumnitridpulver aufweist und eine Struktur, die zur
Entwicklung der Hochtemperatur-Biegefestigkeit und der hohen Zähigkeit des
Sinterkörpers beiträgt. Die Erfindung beruht auf diesen Untersuchungsergebnissen.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitridpulvers
geschaffen, umfassend die in Anspruch 1 definierten Schritte.
Erfindungsgemäß wird auch ein Siliciumnitridpulver geschaffen mit den Merkmalen
von Anspruch 2.
Erfindungsgemäß wird ferner ein Siliciumnitridpulver geschaffen, umfassend das
erwähnte Siliciumnitridpulver und eine Sinterhilfe.
Die Erfindung betrifft auch die Verwendungen nach Anspruch 5 und 6. Ferner wird ein
Siliciumnitrid-Sinterkörper geschaffen, umfassend β-prismatische Kristalle mit einem
Aspektverhältnis von 10 bis 25 und einem Durchmesser von weniger als 0,5 µm,
bestimmt durch Beobachtung mit dem rasternden Elektronenmikroskop (SEM), und β-
prismatische Kristalle mit einem Aspektverhältnis von 10 bis 17 und einem
Durchmesser von 0,5 bis 3,0 µm, bestimmt durch die SEM-Beobachtung. Dabei wird
ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers offenbart, umfassend
die Formung des obigen Siliciumnitridpulvers, gefolgt von Sintern in einer
Inertgasatmosphäre bei einer Temperatur von 1600 bis 1800°C während 2 bis 6
Stunden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen erläutert.
Bei der vorliegenden Erfindung wird unter den oben erwähnten drei Methoden (1) bis
(3) die Methode (1), d. h. die Methode der direkten Nitridierung von metallischem
Silicium, angewandt. Der Grund dafür ist, daß die Ausgangsmaterialien im Vergleich
zu den anderen Methoden
leicht erhältlich sind und diese Methode dennoch für
Massenproduktion geeignet ist.
Die erste Bedingung, die das Siliciumnitridpulver der
vorliegenden Erfindung erfüllen muß, ist, daß der Sauer
stoffgehalt in der Form einer festen Lösung (im folgen
den als "interner Sauerstoffgehalt" bezeichnet) höch
stens 0,5 Gew.-% beträgt.
Falls der interne Sauerstoffgehalt 0,5 Gew.-% über
steigt, verändert sich die Zusammensetzung der Korn
grenzphase, wenn die Siliciumnitridteilchen während der
Siliciumnitrid-Sinterstufe in der eine Sinterhilfe und
dergl. umfassenden Korngrenzphase aufgelöst werden. Da
durch wird eine Präzipitation und das Wachstum von β-
prismatischen Kristallen behindert, und es kann keine
adäquate Entwicklung der Sintereigenschaften, insbe
sondere der Hochtemperatur-Biegefestigkeit, erwartet
werden.
Ein bevorzugter interner Sauerstoffgehalt beträgt höch
stens 0,3 Gew.-%. Das Verfahren zur Messung des inter
nen Sauerstoffgehalts wird weiter unten beschrieben.
Die zweite Bedingung, die das Siliciumnitridpulver der
vorliegenden Erfindung erfüllen muß, ist, daß die spe
zifische Oberfläche von 6 bis 16 m2/g beträgt.
Erfindungsgemäß wurde die spezifische Oberfläche spezi
fiziert im Hinblick auf die Erreichung einer zweckent
sprechenden Handhabungseffizienz, Viskosität, usw. für
die verschiedenen Formgebungsverfahren, wie Preßformen,
Injektionsformen und Schlickergießen. Falls die spezi
fische Oberfläche kleiner als 6 m2/g ist, werden die
Körner grob und die Sinterfähigkeit wird demgemäß ge
ring. Falls die Oberfläche 16 m2/g übersteigt, wird
das Pulver voluminös, wodurch die Handhabungseffizienz
geringer wird, und die Viskosität, die für das Injek
tionsformen wichtig ist, wird hoch, was unerwünscht ist.
Genauer gesagt, werden bei einer spezifischen Oberflä
che von weniger als 6 m2/g die Teilchen groß, wodurch
die Sinterdichte nicht gesteigert werden kann und die
Hochtemperaturfestigkeit nicht verbessert werden kann.
Andererseits ist zur Erzielung einer spezifischen Ober
fläche, die 16 m2/g übersteigt, eine übermäßige Mahlar
beit erforderlich. Folglich kommt es zu einer Zunahme
des Feinpulvergehalts, wodurch die Bildung von β-prisma
tischen Kristallen mit einem hohen Aspektverhältnis er
schwert wird. Eine bemerkenswerte Verbesserung der Hoch
temperatur-Biegefestigkeit kann unter diesen Bedingun
gen nicht erwartet werden.
Die dritte Bedingung, die das erfindungsgemäße Silicium
nitridpulver erfüllen muß, ist, daß der Gehalt an Fein
pulver von höchstens 0,2 µm höchstens 7 Vol.-% ausmacht.
Die von den Erfindern durchgeführten Experimente zei
gen, daß selbst dann, wenn ein Siliciumnitridpulver die
oben erwähnten ersten und zweiten Bedingungen erfüllt,
keine adäquate Hochtemperatur-Biegefestigkeit erzielt
wird, falls es wesentliche Mengen von Feinpulver mit
höchstens 0,2 µm Teilchengröße enthält. In diesem Zu
sammenhang hat sich bei Untersuchungen der Beziehung
zwischen der Struktur des Sinterkörpers und dem Fein
pulvergehalt herausgestellt, daß das Aspektverhältnis
von β-prismatischen Kristallen in dem Sinterkörper mit
zunehmendem Feinpulvergehalt abnimmt. Es wird angenom
men, daß mit zunehmendem Feinpulvergehalt die Anzahl der
Kristallisationskeime während der Präzipitation aus der
Schmelze von α-Siliciumnitrid ansteigt, wodurch das
Aspektverhältnis von β-prismatischen Kristallen in dem
Sinterkörper abnimmt. Von den Erfindern wurde festge
stellt, daß das Aspektverhältnis von β-prismatischen
Kristallen eine wichtige Rolle bei der Entwicklung der
Hochtemperatur-Biegefestigkeit spielt und daß das Fein
pulver mit höchstens 0,2 µm Teilchengröße (von dem an
genommen wird, daß es Siliciumnitrid mit einem hohen
Sauerstoffgehalt ist) das Aspektverhältnis der β-prisma
tischen Kristalle beeinflußt.
Genauer gesagt, ist bei der vorliegenden Erfindung der
Gehalt des Feinpulvers mit höchstens 0,2 µm auf einen
Wert von höchstens 7 Vol.-% festgelegt, weil dann, wenn
der spezifizierte Grenzwert überschritten wird, das
Aspektverhältnis der β-prismatischen Kristalle gering
wird und die Hochtemperatur-Biegefestigkeit niedrig
wird. Je geringer der Feinpulvergehalt ist, umso besser
ist es. Vorzugsweise macht er höchstens 3 Vol.-% aus.
Die Teilchengröße wird erfindungsgemäß auf einen Wert
von höchstens 0,2 µm spezifiziert, und zwar einfach
deshalb, weil dies die Grenze der derzeit zur Verfügung
stehenden Meßmethode darstellt. Es liegt auf der Hand,
daß auch superfeine Pulverteilchen von höchstens 0,1 µm
Teilchengröße einen entsprechenden Einfluß haben.
Im folgenden werden weiter bevorzugte Charakteristika
des erfindungsgemäßen Siliciumnitridpulvers beschrie
ben.
Die Teilchengröße liegt vorzugsweise in einem Bereich von 0,3 bis 0,8 µm. Die
durchschnittliche Teilchengröße ist äußerst wichtig, insbesondere wenn ein druckloses
Sinterverfahren (PLS) angewandt wird. Falls die durchschnittliche Teilchengröße 0,8
µm übersteigt, wird die Löslichkeit des Siliciumnitrids in einem Composit-Oxid gering,
das durch die Umsetzung einer Sinterhilfe, wie Yttriumoxid (Y2O3), Magnesiumoxid
(MgO) oder Aluminiumoxid (Al2O3), mit dem im Siliciumnitridpulver enthaltenen
Sauerstoff gebildet wird. Unter diesen Bedingungen wird die Verdichtung
unzureichend. Falls andererseits die durchschnittliche Teilchengröße kleiner als 0,3
µm ist, nimmt die Löslichkeit in der durch die Sinterhilfe gebildeten Korngrenzphase
zu, wodurch die Anzahl der β-Kristallkeime ansteigt, die Verdichtung unzureichend
wird und es schwierig wird, mittels PLS einen Sinterkörper mit ausreichender
Beständigkeit bei hohen Temperaturen zu erhalten.
Bei der erfindungsgemäß verwendeten, durchschnittlichen Teilchengröße handelt es
sich um die 50%-Größe des Volumenprozents, gemessen mit CAPA-700, hergestellt
von Horiba Seisakusho K. K., wobei die Teilchengrößenverteilung gemessen wird
durch Messung einer Konzentrationsänderung dispergierter Teilchen an einem
bestimmten Ort als Funktion der Zeit.
Der Gehalt der α-Phase in dem Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung beträgt
vorzugsweise mindestens mehr als 70%, bevorzugter mindestens 80%.
Der Sintermechanismus von Siliciumnitrid ist grundsätzlich derart, daß
α-Siliciumnitrid einmal in einer flüssigen Phase aufgelöst und dann
übersättigt wird und schließlich als β-Siliciumnitrid ausfällt. Es wird
daher angestrebt, daß der α-Phasengehalt in dem Silici
umnitridpulver hoch ist. Genauer gesagt, beträgt der α-
Phasengehalt vorzugsweise mindestens mehr als 70%, wei
ter bevorzugt mindestens 80%. Falls der α-Phasengehalt
70% oder weniger ist, können β-prismatische Kristalle
mit einem hohen Aspektverhältnis kaum ausfallen, und
die Hochtemperatur-Biegefestigkeit wird kaum verbessert.
Der α-Phasengehalt wird erfindungsgemäß bestimmt durch
Ermittlung der Spitzenintensitäten Iα102 und Iα210 für
die α-Phase und Iβ101 und Iβ210 für die β-Phase durch
Röntgenbeugung und Berechnung des α-Phasengehalts nach
der folgenden Gleichung:
Ferner beträgt der Gehalt an metallischen Verunreinigun
gen in dem Siliciumnitridpulver, insbesondere die Ge
samtmenge an Fe, Al und Ca, vorzugsweise höchstens
1000 ppm, insbesondere bevorzugt höchstens 500 ppm.
Falls der Gehalt 1000 ppm übersteigt, kommt es zu einer
Verringerung der Kriechfestigkeit bei hohen Temperatu
ren, wenn das Produkt bei hohen Temperaturen während
langer Zeit verwendet wird.
Zur Verbesserung der Sinterfähigkeit und zur Erzielung
von Siliciumnitrid-Sinterkörpern mit überlegener Zähig
keit ist es bevorzugt, daß der α-Phasengehalt des Sili
ciumnitridpulvers bei der vorliegenden Erfindung höch
stens 70% beträgt und der β-Phasengehalt mindestens
30% beträgt.
Die Menge des in Form eines Hydroxids oder Oxids in dem
Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung vorlie
genden Sauerstoffgehalts (im folgenden als "Oberflächen
sauerstoffgehalt" bezeichnet) beträgt vorzugsweise 0,5
bis 2,0 Gew.-%, insbesondere bevorzugt 0,7 bis 1,2 Gew.-%.
Der Grund dafür ist wie folgt.
Das oben erwähnte Siliciumnitridpulver mit einem gerin
gen internen Sauerstoffgehalt bei einem Niveau von höch
stens 0,5 Gew.-% und einem hohen α-Phasengehalt hat ei
nen geringen Oberflächensauerstoffgehalt für die Ausbil
dung der Korngrenzphase durch die Reaktion mit der Sin
terhilfe. Daher erzielt man das hohe Niveau der Hoch
temperatur-Biegefestigkeit nur dann, wenn eine speziel
le Sinterhilfe, z. B. eine Sinterhilfe mit einer Funktion
zur Erleichterung der Diffusion, wie MgO oder MgO.Al2O3
(Spinell), eingesetzt wird. Andererseits ist ein Silici
umnitridpulver mit einem Oberflächensauerstoffgehalt
von 0,5 bis 2,5 Gew.-% und einem hohen α-Phasengehalt in
der Lage, die Korngrenzphase unabhängig von dem Typ der
Sinterhilfe zu bilden, und in der Lage, ein hohes Ni
veau bei der Hochtemperatur-Biegefestigkeit zu gewähr
leisten, obwohl der interne Sauerstoffgehalt so gering
wie höchstens 0,5% ist.
Der Oberflächensauerstoffgehalt und der interne Sauer
stoffgehalt im Sinne der vorliegenden Erfindung können
nach der folgenden Methode gemessen werden. Zunächst
wird der Gesamtsauerstoffgehalt in dem Siliciumnitrid
pulver gemessen durch ein Stickstoff/Sauerstoff-Bestim
mungsgerät (TC-136, hergestellt von LECO Corporation).
Dann wird eine 10 gew.-%ige Fluorwasserstoffsäure-wäßri
ge Lösung zu dem Siliciumnitridpulver gegeben und das
Gemisch in einem Konstanttemperatur-Wasserbad 20 Minu
ten gerührt. Unter Verwendung von Filterpapier Nr. 5C
(JIS P-3801) wird nichtzersetzter Rückstand von dieser
Lösung abfiltriert, und man erhält ein Filtrat. Ein
Teil dieses Filtrats wird analysiert mit einem Atomab
sorptionsanalysator, um die Menge des eluierten SiO2
zu bestimmen.
In diesem Fall kann eine teilweise Elution von Silici
umnitrid gemäß folgender Reaktion angenommen werden:
Si3N4 + 4H2O + 18HF → 3H2SiF6 + 4NH4OH.
Das Filtrat wird deshalb gesondert einer Dampfdestilla
tion unterworfen, woraufhin die Menge an durch
Indophenolblau-Absorptiometrie bestimmt wird. Der Ober
flächen-SiO2-Gehalt wird erhalten, indem man die Menge
an SiO2, die dem NH4 + entspricht, von der Menge der elu
ierten SiO2 subtrahiert. Auf diese Weise wird der Ober
flächensauerstoffgehalt berechnet. Der interne Sauer
stoffgehalt wird erhalten, indem man den Oberflächen
sauerstoffgehalt von dem Gesamtsauerstoffgehalt des Si
liciumnitridpulvers subtrahiert.
Um ein derartiges erfindungsgemäßes Siliciumnitridpul
ver zu erhalten, wird ein Siliciumnitridpulver mit ei
nem internen Sauerstoffgehalt von höchstens 0,5%, das
durch Nitridierung eines metallischen Siliciumpulvers
synthetisiert wurde, einer Hitzebehandlung unterworfen
bei einer Temperatur von 600 bis 1200°C in einer Atmo
sphäre von 0,051 bis 0,81 bar (0,05 bis 0,8 at) Partialdruck Sauerstoffgas
(PO2). Dazu wird beispielsweise ein Drehofen, ein
Schraubenofen oder ein Chargenofen verwendet. In diesem
Fall kann man das Siliciumnitridpulver mit einem inter
nen Sauerstoff gehalt von höchstens 0,5 Gew.-% erhalten,
indem man ein metallisches Siliciumpulver nitridiert,
während ein Halogenidgas eingespeist wird. Man erhält
einen Siliciumnitridblock, der anschließend gemahlen
wird, wie weiter unten beschrieben.
Das Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung
kann hergestellt werden nach einem Verfahren, umfassend
die Nitridierung eines metallischen Siliciumpulvers in
einer Atmosphäre, die Stickstoff und/oder Ammoniak ent
hält, um einen Siliciumnitridblock zu erhalten, der an
schließend gemahlen wird. Bei der Herstellung des Sili
ciumnitridblocks wird mindestens ein Halogenid, ausge
wählt aus der Gruppe, bestehend aus Alkalimetallhalo
geniden und Erdalkalimetallhalogeniden, in einem gas
förmigen Zustand kontinuierlich, intermittierend oder
auf ein Mal eingespeist und dann erfolgt der Mahlvor
gang.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren im
Detail erläutert.
Die Teilchengröße des metallischen Siliciumpulvers, das
bei der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, beträgt
vorzugsweise höchstens 88 µm. Der Grund dafür, daß me
tallisches Silicium mit einer derart relativ großen
Teilchengröße verwendet werden kann, hängt im wesentli
chen mit der Tatsache zusammen, daß, wie weiter unten
beschrieben, nicht die gesamte Reaktion des metalli
schen Siliciums mit der Stickstoffquelle als eine Fest
stoff-Gas-Reaktion abläuft; vielmehr verläuft die Ni
tridbildung, nachdem an der Oberfläche etwas Feststoff-
Gas-Reaktion stattgefunden hat, als eine Gas-Gas-Reak
tion. Bei der vorliegenden Erfindung findet nämlich
selbst bei einem metallischen Silicium mit einer Teil
chengröße so groß wie 88 µm ein Aufbrechen des metalli
schen Siliciums statt, sobald ein Teil der Oberfläche
in einer Feststoff-Gas-Reaktion nitridiert worden ist,
und zwar aufgrund der Unterschiede bei den Dichten von
metallischem Silicium und α-Siliciumnitrid. Es kommt so
zur Bildung von feinem, metallischem Silicium. Falls
jedoch die Teilchengröße 88 µm übersteigt, findet zwar
das gleiche Phänomen statt, die Temperatur, bei der die
Feststoff-Gas-Reaktion an der Oberfläche abläuft, wird
jedoch hoch und unter den gewöhnlichen Nitridbildungs
bedingungen bleibt freies Si zurück, was unerwünscht
ist. Hinsichtlich der unteren Grenze bestehen keine spe
ziellen Beschränkungen. Genauer gesagt, wird mit klei
ner werdender durchschnittlicher Teilchengröße des me
tallischen Siliciums die Bildung des unten erwähnten
SiO(G) erleichtert, wodurch die Gas-Gas-Reaktion geför
dert wird, und der gewünschte, granulierte α-Silicium
nitridblock wird leicht erhalten. Der Sauerstoffgehalt
in dem metallischen Siliciumpulver ist vorzugsweise so
gering wie möglich, insbesondere höchstens 0,2 Gew.-%.
Das Ausgangsmaterial der vorliegenden Erfindung kann
das oben erwähnte metallische Siliciumpulver allein sein
oder ein Pulvergemisch, bei dem bis zu 20 Gew.-Teile ei
nes Siliciumnitridpulvers, bezogen auf 100 Gew.-Teile
des oben erwähnten metallischen Siliciumpulvers, ein
verleibt sind.
Im folgenden wird die Umsetzung, mit der das erfindungs
gemäße Siliciumnitridpulver erhalten wird, näher er
läutert.
Die Erfinder haben festgestellt, daß die Umsetzung des
metallischen Siliciumpulvers mit Stickstoff beherrscht
wird durch eine Gas-Gas-Reaktion eines N2-NH3- oder
N2-H2-Systems, bei dem O2 involviert ist, und nicht so
sehr als eine Feststoff-Gas-Reaktion abläuft. Die Er
finder haben verschiedene Reaktionen zur Bildung von
Si3N4 untersucht, bei denen SiO(G) involviert ist. Ein
Beispiel ist unten angegeben. Wie von Kato berichtet
wurde [Akio Kato; Journal of Powder Engineering Associa
tion, Band 18, Nr. 1, Seiten 36-45 (1980)], beeinflußt
die Form des Feststoffs, die durch eine solche Gas-Gas-
Reaktion gebildet wird, wesentlich den Übersättigungs
grad, d. h. log kp. Genauer gesagt, ist in der folgenden
Formel (1) log kp bei 1300°C etwa 1,6, während in der
folgenden Formel (2) der Wert etwa 46 beträgt.
Hinsichtlich der Erscheinungsform des in diesen beiden
Reaktionen gebildeten Siliciumnitrids wird angenommen,
daß gemäß der Formel (1) Whiskers gebildet werden und
gemäß der Formel (2) granulatförmige Produkte entstehen.
3SiO(G) + 4NH3(G) = Si3N4(S) + 3/202(G) + 6H2(G) (1)
3Si(G) + 4NH3(G) = Si3N4(S) + 6H2(G) (2)
Die folgenden Formeln (3) bis (6) zeigen die Reaktionen
bis zur Bildung von Si(G) am Beispiel von CaF2(G) sowie
die Recyclisierungsreaktionen
desselben.
Si(S) + 1/202(G) → SiO(G) (3)
SiO(G) + CaF2(G) + H2(G) →
Si(G) + CaO(S) + 2HF(G) (4)
3Si(G) + 4NH3(G) → Si3N4(S) + 6H2(G) (5)
[CaO(S) + 2HF(G) → CaF2(G) + H2(G) + 1/202(G)] (6).
Ein ausreichender Effekt für die Granulierung wird
selbst dann beobachtet, wenn das Gas eines Halogenids
in einer Menge von nicht mehr als der äquivalenten Men
ge vorliegt. Man kann somit annehmen, daß die Menge des Sauer
stoffs [z. B. aus SiO(G)], die während der Nitridbildung
aufgenommen wird, gering ist und daß der interne Sauer
stoffgehalt demgemäß klein sein wird. Es wurden darauf
hin Untersuchungen durchgeführt nach gasförmigen Ver
bindungen, die eine stärkere Affinität für Sauerstoff
aufweisen als SiO(G). Dabei wurde festgestellt, daß
dann, wenn man ein Gas eines Halogenids von einem Alka
limetall oder einem Erdalkalimetall mit Absicht zusetzt,
wenn man das metallische Siliciumpulver unter Einspei
sung einer Gasatmosphäre, enthaltend Stickstoff und/oder
Ammoniak, nitridiert, das resultierende Siliciumnitrid
eher in Form von Granulaten als in Form von Whiskern
gebildet wird. Hinsichtlich der Konzentrationen der
Alkalimetall- und Erdalkalimetallhalogenide wird aus
den obigen Reaktionsformeln deutlich, daß 1 Mol Gas des
Erdalkalimetallhalogenids oder mindestens 2 Mol des
Alkalimetallhalogenids relativ zu 1 Mol Si(S) aus
reicht. Die Nitridbildung wird in einer einzigen Opera
tion nicht vollständig durchgeführt, und die Konzentra
tion kann daher unter praktischen Gesichtspunkten klei
ner sein als oben angegeben.
Hinsichtlich der Art und Weise der Einverleibung kann
das Alkalimetall oder Erdalkalimetallhalogenid bei
spielsweise einem gesonderten Ofen zugeführt und dann
erhitzt, sublimiert und zusammen mit Stickstoff in den
Ofen eingespeist werden, in den das Siliciumnitridpul
ver eingeführt wird, wobei man die Konzentration ein
stellt. Es ist auch möglich, daß in dem Ofen, in den
metallisches Siliciumpulver eingeführt wird, eine vor
bestimmte Menge des obigen Halogenids in der Nachbar
schaft des metallischen Siliciumpulvers placiert wird
und die Nitridbildung des metallischen Siliciumpulvers
und die Sublimation des Halogenids simultan durchge
führt werden.
Man kann entweder eine gesonderte Ein
führung oder eine simultane Einführung einer Mischung
anwenden.
Hinsichtlich des Zeitpunkts für die Zugabe kommt eine
kontinuierliche Einspeisung in Betracht oder eine inter
mittierende oder eine Einspeisung auf ein Mal bei der
Temperatur der Nitridbildung (d. h. bei einer Temperatur
im Bereich von 1150 bis 1450°C). Die intermittierende
Einspeisung oder die Einspeisung auf ein Mal kann er
folgen als zweckentsprechende Kombination der Operati
onen von Öffnen und Schließen der Zufuhrleitungen zu
den oben erwähnten Öfen, die für die Sublimation und
für die Nitridbildung vorgesehen sind. Eine solche in
termittierende Einspeisung oder eine Einspeisung auf
ein Mal beruht auf dem Gedanken, daß bei der mikrosko
pischen Kristallstelle das auf die oben beschriebene
Weise eingespeiste Halogenidgas im System im Kreislauf
geführt wird. Tatsächlich beobachtet man, daß dann,
wenn das obige Halogenid bei einer Temperatur von bis
zu 1350°C eingeführt wird und anschließend die Zufuhr
des Gases gestoppt wird, die Form des resultierenden
Siliciumnitrids nicht gegenüber der Form geändert ist,
die erhalten wird, wenn man die Einspeisung fortsetzt
bis zu 1450°C.
Die oben erwähnten Alkalimetall- und Erdalkalimetall
halogenide umfassen beispielsweise Fluoride, Chloride
und Bromide der Elemente Li, Na, K, Mg, Ca, Sr und Ba.
Speziell bevorzugt sind Fluoride von Ca, Mg und Li. Der
Grund dafür ist, daß ihre Affinität zu Sauerstoff stär
ker ist als die von Si unter Berücksichtigung der Be
ziehung zwischen der Standardenergie für die Bildung ei
nes Oxids und der Temperatur. Als Folge wird die oben
erwähnte Granulierung weiter erleichtert.
Die oben erwähnten Halogenide können jeweils allein
oder in Kombination als Mischung von zwei oder mehr
verschiedenen Typen verwendet werden.
Es bestehen keine speziellen Beschränkungen hinsichtlich
des für die Nitridierung verwendeten Ofens.
Beispielsweise kommt ein Chargenofen, ein Ofen mit
kontinuierlichem Schieber, ein kontinuierlicher Dreh
ofen, ein kontinuierlicher Schraubenofen oder ein
Fließbett in Frage.
Der granulatförmige Siliciumnitridblock der vorliegen
den Erfindung und der whiskerförmige Siliciumnitrid
block außerhalb der vorliegenden Erfindung sind in den
Fig. 1 bzw. 2 dargestellt. Ferner ist in Fig. 3 eine
typische Form gezeigt, die durch eine Feststoff-Gas-
Reaktion erhalten wird bei der Methode der direkten
Nitridierung von metallischem Silicium, d. h. Polymor
phismus. Die Fig. 1, 2 und 3 sind rasterelektronenmikro
skopische Photographien mit 3500facher Vergrößerung.
Aus diesen Photographien geht hervor, daß Fig. 1 Teil
chen zeigt, die wesentlich kleiner sind als das verwen
dete Siliciumpulver und mehr abgerundet sind als das
Siliciumpulver. Ferner wird deutlich, daß die Gas-Gas-
Reaktion stattgefunden hat. Ferner wird angenommen, daß
der interne Sauerstoffgehalt ebenfalls klein ist, da
das Produkt aus Si(G) anstatt aus SiO(G) gebildet wurde.
Fig. 2 deutet ebenfalls an, daß die in Fig. 2 zu erken
nenden Whiskers durch eine Gas-Gas-Reaktion gebildet
wurden. Es bildet sich jedoch eine Form aus, bei der
nadelartige Kristalle in wesentlicher Menge vorliegen,
und zwar wahrscheinlich aufgrund eines unzureichenden
Übersättigungsgrades von SiO(G). Fig. 3 zeigt deutlich,
daß zunächst ein Sintern des Si-Pulvers selbst stattge
funden hat und daß anschließend Stickstoff eindiffun
diert ist und die Nitridbildung abgelaufen ist.
Mit dem erfindungsgemäß erhaltenen, granulatförmigen
Siliciumnitridblock verläuft das Mahlverfahren derart,
daß die granulatförmigen Kristalle, die in Fig. 1 zu
sehen sind, voneinander getrennt werden. Dies steht im
Gegensatz zu dem Mahlen der Whisker oder nadelartigen
Kristalle, die in Fig. 2 zu sehen sind, wobei derartige
Whisker oder nadelartige Kristalle physikalisch zer
stört werden. Somit ist bei dem erfindungsgemäßen Pro
dukt die Bildung von Feinpulver als Folge des Mahlens
des Blocks gering. Folglich ist das resultierende Sili
ciumnitridpulvers ähnlich einem isometrischen Pulver,
das frei von Feinpulver ist und mit der Siliciumhalo
genidmethode erhältlich ist. Speziell handelt es sich
um einen Siliciumnitridblock, der, wenn er unter Ver
wendung herkömmlicher Schlag- und Mahlvorrichtungen zer
schlagen und gemahlen wird, Teilchen mit einer Teilchen
größe von höchstens 0,2 mm und einer spezifischen Ober
fläche von 2 bis 5 m2/g aufweist und einen internen
Sauerstoffgehalt von höchstens 0,5 Gew.-% hat.
Als die oben erwähnten Mahlvorrichtungen, die zur Bewer
tung des Mahlgrades des Siliciumnitridblocks verwendet
werden, kommen solche in Frage, die in Chemical
Engineering Handbook, 25. Oktober 1978, publiziert von
Maruzen Company Ltd., S. 1279-1283, beschrieben sind. Ge
nannt seien ein Brecher, wie ein Backenbrecher, oder
ein Brecher vom Jairetely-Typ und eine Mühle, wie ein
Walzenbrecher oder eine Walzenmühle oder ein Kanten
läufer.
Der auf die oben beschriebene Weise erhaltene Silicium
nitridblock der vorliegenden Erfindung kann nach dem
Zerbrechen und Mahlen in einem nassen System oder in
einem trockenen System weiter zerkleinert werden, und
zwar auf herkömmliche Weise mittels z. B. einer Kugelmühle,
einer Vibrationsmühle, einer Jetmühle, einer Reib
mühle oder einer Berlmühle.
Im folgenden wird ein Siliciumnitridpulver beschrieben, das verwendet werden kann,
um einen Sinterkörper aus Siliciumnitrid mit einem hohen Niveau an Hochtemperatur-
Biegefestigkeit zu erhalten.
Bei jedem der typischen Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung ist der interne
Sauerstoffgehalt so gering wie höchstens 0,5 Gew.-%. Folglich ist für die Herstellung
eines Sinterkörpers die Verwendung einer Sinterhilfe wichtig.
Die Sinterhilfe ist vorzugsweise eine solche vom Magnesia-Typ mit ausgezeichneter
Diffusionsfunktion, da Siliciumnitridpulver mit den physikalischen Eigenschaften (1) bis
(3) gemäß Anspruch 2 und mit einem α-Phasengehalt von mindestens 70% schwierig
zu sintern ist. Spezielle Beispiele derartiger Sinterhilfen umfassen einen MgO-Typ,
einen MgO-Al2O3-Typ, einen MgO-Seltenerdoxid-Typ, einen MgO-Al2O3-
Seltenerdelementoxid-Typ und einen MgO.Al2O3(Spinell)-Seltenerdelementoxid-Typ.
Von diesen ist ein MgO-Typ, d. h. Magnesiumoxid (MgO) und/oder sein Vorläufer,
bevorzugt. Als Vorläufersubstanz kommt Magnesiumnitrat [Mg(NO3)2],
Magnesiumcarbonat (MgCO3) oder Magnesiumhydroxid [Mg(OH)2] in Frage.
Andererseits haben Siliciumnitridpulver mit den physikalischen Eigenschaften (1) bis
(3) gemäß Anspruch 2 und mit einem α-Phasengehalt von höchstens 70% und
Siliciumnitridpulver mit den physikalischen Eigenschaften (1) bis (3) gemäß Anspruch
2 und mit einem Oberflächensauerstoffgehalt von 0,5 bis 2,0 Gew.-% eine bessere
Sinterfähigkeit als das Siliciumnitridpulver mit den physikalischen Eigenschaften (1) bis
(3) gemäß Anspruch 2 und mit einem α-Phasengehalt von mindestens 70%. Folglich
kommen zusätzlich zu den obigen Sinterhilfen ein Al2O3-Typ und ein Al2O3-
Seltenerdelementoxid-Typ ebenfalls in Frage. Die oben erwähnten
Seltenerdelementoxide umfassen z. B. Oxide von Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm und Eu.
Die Sinterhilfe bei der Siliciumnitridpulver-Zusammensetzung der vorliegenden
Erfindung macht vorzugsweise höchstens 12 Gew.-%, noch weiter bevorzugt höchstens
10 Gew.-%, aus. Ferner ist eine Magnesiumverbindung in der Sinterhilfe vorzugsweise
innerhalb 4 Gew.-%, berechnet als MgO, vertreten.
Ferner hat das Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung einen niedrigen internen
Sauerstoffgehalt, wodurch eine Sinterhilfe des Typs, der unabhängig eine flüssige
Phase bildet, oder des Typs, der eine flüssige Phase bei einem geringfügig niedrigeren
Temperaturbereich bildet, anstelle von oder zusätzlich zu den oben erwähnten
Sinterhilfen eingesetzt werden kann. Bei dem ersteren Fall kann es sich um Zinkoxid
oder Nickeloxid handeln, und bei dem letzteren Fall kann es sich um Y2O3-Al2O3
handeln, das reich an Al2O3 ist in einem Maß bis zu der YAG-Zusammensetzung. Die
Zugabemenge beträgt bis zu 12 Gew.-%, da bei einer großen Menge der Sinterhilfe die
Glasphase zunimmt, selbst wenn der Gesamtsauerstoffgehalt gering ist.
Im folgenden wird der aus dem erfindungsgemäßen Siliciumnitridpulver herstellbare
Sinterkörper aus Siliciumnitrid beschrieben. Die Struktur eines solchen Siliciumnitrid-
Sinterkörpers umfaßt β-prismatische Kristalle 1 und β-prismatische Kristalle 2. Die β-
prismatischen Kristalle 1 haben einen Durchmesser von weniger als 0,5 µm und ein
Aspektverhältnis von 10 bis 25. Falls der Durchmesser 0,5 µm übersteigt, wird die
Dichte des Sinterkörpers niedriger, und die Hochtemperatur-Biegefestigkeit wird nicht
verbessert.
Die β-prismatischen Kristalle 2 haben einen Durchmesser von 0,5 bis 3,0 µm und ein
Aspektverhältnis von 10 bis 17. Falls der Durchmesser geringer als 0,5 µm ist, steigt
die Zahl der β-prismatischen Kristalle an, wodurch β-prismatische Kristalle mit einem
hohen Aspektverhältnis sich kaum bilden.
Die Proportionen der β-prismatischen Kristalle 1 und
der β-prismatischen Kristalle 2 sind vorzugsweise
derart, daß in einem sichtbaren Feld des Sinterkörpers
bei der SEM-Beobachtung (30 µm × 25 µm) die Zahl der β-
prismatischen Kristalle 1 von 10 bis 25 beträgt, die
Zahl der β-prismatischen Kristalle 2 von 6 bis 15 be
trägt, wobei der Rest β-prismatische Kristalle und/oder
Teilchen mit einem Aspektverhältnis von weniger als 5
ist.
Die Mengenanteile der β-prismatischen Kristalle 1 und der β-prismatischen Kristalle 2
sind vorzugsweise derart, daß die β-prismatischen Kristalle 1 von 60 bis 75%
ausmachen, wobei der Rest β-prismatische Kristalle 2 ist.
Falls die oben angegebenen Grenzen überschritten werden, wird keine befriedigende
Dichte und/oder keine ausreichende Hochtemperatur-Biegefestigkeit erreicht.
Der Siliciumnitrid-Sinterkörper kann wie im folgenden beschrieben aus dem
Siliciumnitridpulver der vorliegenden Erfindung hergestellt werden. Er weist eine hohe
Festigkeit auf mit einer Biegefestigkeit bei Raumtemperatur von mindestens 900 MPa
und einer Biegefestigkeit bei hohen Temperaturen von 1200°C von mindestens 700
MPa und hat eine hohe Zähigkeit mit einer Zähigkeit von 8,0 MPa.m1/2.
Der Siliciumnitrid-Sinterkörper, der aus dem Siliciumnitridpulver der vorliegenden
Erfindung herstellbar ist, kann erhalten werden mit einem Verfahren, das die Zugabe
einer Sinterhilfe zu dem erfindungsgemäßen Siliciumnitridpulver umfaßt, ferner die
Zugabe eines Lösungsmittels, wie 1,1,1-Trichlorethan, Methanol, Ethanol, Vermischen
der Mischung in einer Kugelmühle während 1 bis 4 Stunden, anschließende
Trocknung der Mischung und Formgebung zu einer gewünschten Gestalt und Sintern
bei einer Temperatur von 1600 bis 1800°C während 2 bis 6 Stunden in einer
Inertgasatmosphäre, wie Argon, Neon oder Stickstoffgas-Atmosphäre. Für die
Formgebung kommt eine Formgebung in der Presse, Spritzformen oder
Schlickergießen in Frage. Hinsichtlich des Formdrucks oder der Kompaktierung
bestehen keine speziellen Beschränkungen.
Durch Verwendung des erfindungsgemäßen Siliciumnitridpulvers mit einem α-
Phasengehalt von mehr als 70%, vorzugsweise mindestens 80%, ist es möglich, einen
Siliciumnitrid-Sinterkörper mit ausgezeichneter Hochtemperatur-Biegefestigkeit zu
erhalten. In ähnlicher Weise gelingt es bei Einsatz des Siliciumnitridpulvers der
vorliegenden Erfindung mit einem α-Phasengehalt von höchstens 70% und einem β-
Phasengehalt von mindestens 30%, einen Siliciumnitrid-Sinterkörper mit hoher
Zähigkeit zu erhalten.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen und Vergleichsbeispielen
näher erläutert.
In jedem Beispiel werden verschiedene Eigenschaften nach
den folgenden Methoden gemessen.
- 1. Gesamtsauerstoff gehalt T-0 (Gew./): wie oben beschrieben.
- 2. Interner Sauerstoff gehalt I-0 (Gew.-%): wie oben beschrieben.
- 3. Oberflächensauerstoffgehalt S-0 (Gew.-%): wie oben beschrieben.
- 4. Spezifische Oberfläche (m2/g): durch BET 1 Punkt-Methode mittels eines Counter Sorb Jr, herge stellt von Yuasa Ionics K. K.
- 5. Durchschnittliche Teilchengröße (µm): durch CAPA-700, hergestellt von Horiba Seisakusho K. K.
- 6. α-Phasengehalt (%): durch Röntgenstrahlbeu gung mittels eines Guiger Flux RAD-IIB-Modells, herge stellt von Rigaku Denki K. K.
- 7. Gesamtmenge an Fe, Al und Ca (ppm): gemäß JIS G-1322.
- 8. Dichte eines Sinterkörpers (g/cm3): nach einer Archimedes-Methode.
- 9. Drei-Punkt-Biegefestigkeit (MPa): gemessen mit Autograph AG-2000A, hergestellt von Shimazu Corporation.
- 10. Zähigkeit (K1c) (MPa.m1/2): nach Indentation
Fracture Method (Einkerbungsbruch-Methode)
(K1c/Ha1/2)(H/E)2/5 = 0,129 (c/a)-3/2
wobei E = Young-Modul; H = Härte; a = Zahnlänge; c = Rißlänge, = 3, Belastung = 20 kg, Zeit der Lastbeauf schlagung = 15 sec.
2,5 kg eines Pulvergemisches, umfassend 100 Gew.-Teile
metallisches Siliciumpulver mit einer
Reinheit von 99,98 Gew.-% und 10 Gew.-Teile eines
Siliciumnitridpulvers mit einem α-Phasengehalt von 90%
und einer spezifischen Oberfläche von 20 m2/g, werden
kompaktiert, um eine Nitridierungsprobe von etwa 200 ×
300 × 50 mm mit einer Schüttdichte gemäß Tabelle 1 zu
erhalten. Die Probe wird in einen elektrischen Ofen
eingeführt und unter den in Tabelle 1 angegebenen Be
dingungen nitridiert. Zu dieser Zeit wird von einem
weiteren elektrischen Ofen, in dem 2720 g festes CaF2
eingefüllt und bei einer Temperatur von 1200°C gehal
ten wurden, CaF2(G) mit einer Rate von 18 bis 36 l/h
(25°C) zusammen mit Argongas eingespeist und die
Nitridierung (Nitridbildung) wird durchgeführt.
In den Vergleichsbeispielen 1 bis 7 erfolgt die Nitri
dierung unter Erhitzen bei den in Tabelle 1 angegebe
nen Bedingungen ohne Einführung von CaF2(G).
Die so erhaltenen Siliciumnitridblöcke werden mit SEM
beobachtet. Die Blöcke der Beispiele 1 bis 10 sind alle
granularförmig, wohingegen die Blöcke der Vergleichs
beispiele 1 bis 7 Whiskers oder Polymorphismus aufwei
sen. Als typische Vertreter sind die rasterelektronen
mikroskopischen Photographien der Blöcke von Beispiel 1
und Vergleichsbeispielen 1 und 3 in den Fig. 1, 2 bzw.
3 gezeigt.
Jeder der so erhaltenen Siliciumnitridblöcke wird zer
brochen und gemahlen (mit einem Backenbrechner und ei
nem top grinder) bis zu einer Teilchengröße von höch
stens 0,2 mm. Ferner wird in eine Kugelmühle mit einer
Innenkapazität von 1 l 50 g des gemahlenen, gebroche
nen und zerkleinerten Produkts mit einer Teilchengröße
von höchstens 0,2 mm eingefüllt sowie 0,5 l Eisenku
geln und 100 g Wasser. Ein nasses Mahlverfah
ren wird 20 h durchgeführt. Das gemahlene Produkt wird
einer Säurebehandlung mit Chlorwasserstoffsäure und
Fluorwasserstoffsäure unterworfen, anschließend wird
filtriert, getrocknet und desintegriert, um ein Silici
umnitridpulver als Sintermaterial zu erhalten. Bei dem
so erhaltenen Siliciumnitridpulver werden die Sauer
stoffgehalte [Gesamtsauerstoff (T-0), interner Sauer
stoff (I-0) und Oberflächensauerstoff (S-0)], die durch
schnittliche Teilchengröße, die spezifische Oberfläche,
der Gehalt an Feinpulvern von höchstens 0,2 µm, der Ge
halt an Fe + Al + Ca gemessen. Die Ergebnisse sind
in Tabelle 2 zusammengestellt.
Zu dem Siliciumnitridpulver mit den Pulvereigenschaften,
wie sie in Tabelle 2 angegebenen sind, gibt man Y2O3
mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1,2 µm,
Al2O3 mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von
1,4 µm und MgO mit einer durchschnittlichen Teilchen
größe von 1,2 µm in Anteilen von 5 Gew.-%, 2 Gew.-% und
3 Gew.-% zu. Ferner wird 1,1,1-Trichlorethan zugesetzt
und das Gemisch in einem nassen System in einer Kugel
mühle 4 h gemischt. Nach dem Trocknen wird das Gemisch
in einer Form unter einem Druck von 10 MPa (100 kg/cm2) geformt
zu einer Gestalt von 6 × 10 × 60 mm und dann einem kal
ten isostatischen Preßformverfahren (CIP) unter einem
Druck von 270 MPa (2700 kg/cm2) unterworfen.
Das Formprodukt wird gesintert bei einer Temperatur von
1700°C während 4 h in einer Stickstoffatmospähre unter
Normaldruck, wobei man einen Sinterkörper erhält.
Der so erhaltene Sinterkörper wird zerschnitten zu einer
Größe von 3 × 4 × 40 mm und die relative Dichte, die
Drei-Punkt-Biegefestigkeit und - aus der rasterelektro
nenmikroskopischen Beobachtung - die Durchmesser und
Aspektverhältnisse von β-prismatischen Kristallen und
die Anzahl der β-prismatischen Kristalle 1 und der β-
prismatischen Kristalle 2 werden gemessen. Die Ergeb
nisse sind in Tabelle 3 aufgeführt.
Ferner zeigen die Fig. 4 und 5 die SEM-Photographien
(3500fache Vergrößerung) der Kristallstrukturen von
Siliciumnitrid-Sinterkörpern, die in den Verwendungs-Beispielen 1
bzw. Verwendungs-Vergleichsbeispiel 5 erhalten wurden. Fig. 4 zeigt
eine heterogene Struktur, die eine Anzahl von β-prisma
tischen Kristallen mit einem Aspektverhältnis von min
destens 10 enthält, wohingegen Fig. 5 eine einförmige
Struktur zeigt mit einem relativ niedrigen Aspektver
hältnis (etwa 5).
Fußnote (1): "σR.T." und "σ1200°C" geben die Bie
gefestigkeit bei Raumtemperatur bzw. bei einer Tempera
tur von 1200°C an.
Fußnote (2): keines der Vergleichsbeispiele 1 bis 7 enthält β-prismatische Kristalle 1 und β-prismatische Kristalle 2, die die erfindungsgemäßen Bedingungen er füllen.
Fußnote (3): das Symbol * zeigt den Wert an, der erhalten wird aus einem Siliciumnitridpulver, das nicht erfindungsgemäß ist.
Fußnote (2): keines der Vergleichsbeispiele 1 bis 7 enthält β-prismatische Kristalle 1 und β-prismatische Kristalle 2, die die erfindungsgemäßen Bedingungen er füllen.
Fußnote (3): das Symbol * zeigt den Wert an, der erhalten wird aus einem Siliciumnitridpulver, das nicht erfindungsgemäß ist.
In diesen Beispielen wird der Typ des Halogengases ge
ändert. Die Nitrierung unter Erhitzen wird durchgeführt
unter den in Tabelle 4 angegebenen Nitridierungsbedin
gungen unter Verwendung des gleichen Materials, der
gleichen Nitridierungsprobe und der gleichen Ansatzmen
gen wie in Beispiel 1. Die Art und Weise der Einführung
des Halogengases ist die gleiche wie in Beispiel 1. In
Beispiel 11 beträgt die Einspeisungstemperatur des Halo
gengases von 1150 bis 1350°C. Ferner wird in Beispiel
16 das Halogengas nicht von einem gesonderten Ofen
eingespeist, sondern indem man festes CaF2 in die Nähe
der Nitridierungsprobe in den gleichen Ofen placiert
und die Nitridierung unter dessen Sublimation durchführt.
Das so erhaltene Siliciumnitrid wird in einem nassen
System auf gleiche Weise wie in Beispiel 1 gemahlen, um
ein Siliciumnitridpulver zu erhalten. Die Pulvereigen
schaften desselben sind in Tabelle 4 gezeigt.
Das so erhaltene Siliciumnitridpulver wird gemäß Verwendungs-Bei
spiel 1 gesintert, um einen Sinterkörper zu erhalten.
Die Bewertung des Sinterkörpers erfolgt auf gleiche
Weise wie in Verwendungs-Beispiel 1. Die Ergebnisse finden sich in
Tabelle 4.
Hinsichtlich der β-prismatischen Kristalle 1 und der β-
prismatischen Kristalle 2 der in den Beispielen 11 bis
16 erhaltenen Sinterkörper werden die SEM-Beobachtun
gen durchgeführt, und in jedem Fall sind die Ergebnisse
im wesentlichen gleich wie bei Beispiel 1.
In diesen Verwendungs-Beispielen werden der Typ und die Menge der
Sinterhilfe geändert. In den Verwendungs-Beispielen 17 bis 23 wer
den die Sinterkörper auf gleiche Weise wie in Verwendungs-Bei
spiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Sinter
hilfe gemäß Tabelle 5 geändert wird.
In diesen Beispielen wird der α-Phasengehalt des Silici
umnitridpulvers geändert.
10 Gew.-Teile eines Siliciumnitridpulvers mit einem α-
Phasengehalt von 10% und einer spezifischen Oberfläche
von 12 m2/g werden zu 100 Gew.-Teilen eines metallischen
Siliciumpulvers mit einer Teilchengröße von höchstens
88 µm und einer Siliciumreinheit von 99,98 Gew.-% gegeben
und damit vermischt. Unter Verwendung der Mischung wird
eine Nitridierungsprobe mit einer Schüttdichte gemäß Ta
belle 6, einer Größe von 150 × 150 mm und einer Dicke ge
mäß Tabelle 6 kompaktiert und in einem elektrischen
Ofen nitridiert. Die Nitridierungsbedingungen sind wie
in Tabelle 6 angegeben. Die Temperaturerhöhungsrate ist
der Wert innerhalb des Temperaturbereichs von 1100 bis
1450°C. Ferner wird CaF2(G) in den Nitridierungsofen
auf gleiche Weise wie in Beispiel 1 eingespeist.
Der erhaltene Siliciumnitridblock wird auf gleiche Weise
wie in Beispiel 1 zerkleinert, um ein Siliciumnitrid
pulver zu erhalten.
Anschließend werden 5 Gew.-Teile Y2O3 mit einer durch
schnittlichen Teilchengröße von 1,5/um und 2 Gew.-Teile
Al2O3 mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von
0,8 µm als Sinterhilfen zugesetzt zu 93 Gew.-Teilen die
ses Siliciumnitridpulvers. Ferner wird 1,1,1-Trichlor
ethan zugegeben. Das Gemisch wird 4 h in einem nassen
System in einer Kugelmühle vermischt. Nach dem Trock
nen wird die Mischung in einer Form unter einem Druck
von 100 kg/cm2 zu einer Gestalt von 6 × 10 × 60 mm ge
formt und dann dem CIP unter einem Druck von 2700 kg/cm2
unterzogen. Das geformte Produkt wird in einen Kohlen
stofftiegel gestellt und 4 h bei einer Temperatur von
1800°C in einer Stickstoffgasatmosphäre gesintert, wo
bei man einen Sinterkörper erhält. Die physikalischen
Eigenschaften des Sinterkörpers werden gemessen; die
Ergebnisse sind in Tabelle 6 aufgeführt.
In diesen Beispielen wird der Oberflächensauerstoffge
halt geändert. Die Siliciumnitridpulver, die in den
Beispielen 2 und 9 und Vergleichsbeispiel 1 gemäß Ta
belle 7 erhalten wurden, werden als Ausgangsmateriali
en eingesetzt und einer Hitzebehandlung unter den in
Tabelle 8 aufgeführten Bedingungen unterzogen. Man er
hält Siliciumnitridpulver mit den in Tabelle 8 angege
benen physikalischen Eigenschaften.
Dann werden die Sinterkörper auf gleiche Weise wie in
den Verwendungs-Beispielen 24 bis 26 hergestellt und hinsichtlich
der Qualität der erhaltenen Siliciumnitridpulver be
wertet.
Die physikalischen Eigenschaften der dabei erhaltenen
Sinterkörper werden gemessen; die Ergebnisse sind in
Tabelle 9 zusammengestellt.
In diesen Verwendungs-Beispielen werden die Sinterbedingungen geändert. Die
Sinterkörper werden auf gleiche Weise wie in Verwendungs-Beispiel 1 unter
Verwendung der gleichen Siliciumnitridpulver-Zusammensetzung, wie sie in
Verwendungs-Beispiel 1 verwendet wurde, hergestellt. Dabei erfolgt jedoch das
Sintern unter den in Tabelle 10 angegebenen Bedingungen. Die Ergebnisse sind in
Tabelle 10 aufgeführt.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitridpulvers mit folgenden Schritten:
- 1. Nitridieren eines metallischen Siliciumpulvers in einer Atmosphäre, die Stickstoff und/oder Ammoniak sowie ein gasförmiges Halogenid, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Alkalimetallhalogeniden und Erdalkalimetallhalogeniden, enthält,
- 2. Mahlen des so erhaltenen Siliciumnitridblocks,
- 3. Erhitzen des so erhaltenen Pulvers auf eine Temperatur von 600 bis 1200°C in einer Atmosphäre mit einem Sauerstoffpartialdruck (PO2) von 0.051 bis 0.81 bar (0,05 bis 0,8 at).
2. Siliciumnitridpulver, erhältlich nach dem Verfahren von Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
- 1. höchstens 0,5 Gew.-% Sauerstoff in Form einer festen Lösung,
- 2. eine spezifische Oberfläche von 6 bis 16 m2/g,
- 3. höchstens 7 Vol-% eines Gehalts an Feinpulver mit höchstens 0,2 µm, und
- 4. 0,1 bis 2,0 Gew.-% Sauerstoff in der Form eines Hydroxids oder Oxids.
3. Siliciumnitridpulver nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass es eine
Sinterhilfe enthält.
4. Siliciumnitridpulver nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die
Sinterhilfe mindestens ein Mitglied der Gruppe ist, bestehend aus Sinterhilfen
vom MgO-Typ, MgO-Al2O3-Typ, MgO-Seltenerdelementoxid-Typ, MgO-Al2O3-
Seltenerdelementoxid-Typ, MgO.Al2O3(Spinell)-Seltenerdelementoxid-Typ
und Al2O3-Seltenerdelementoxid-Typ.
5. Verwendung eines Siliciumnitridpulvers nach Anspruch 2 mit einer mittleren
Teilchengröße von 0,3 bis 0,8 µm zur Herstellung eines Siliciumnitrid-
Sinterkörpers.
6. Verwendung eines Siliciumnitridpulvers, das
- 1. höchstens 0,5 Gew.-% Sauerstoff in Form einer festen Lösung enthält,
- 2. eine spezifische Oberfläche von 6 bis 16 m2/g aufweist,
- 3. einen Gehalt von höchstens 7 Vol.-% an Feinpulver von höchstens 0,2 µm aufweist, und
- 4. 0,1 bis 2,0 Gew.-% Sauerstoff in der Form eines Hydroxids oder Oxids enthält,
zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers mit einer Biegefestigkeit bei
Raumtemperatur von mindestens 900 MPa, einer Biegefestigkeit bei 1200°C
von mindestens 700 MPa und einer Bruchzähigkeit von 8,0 MPa.m1/2.
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