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Die vorliegende Erfindung betrifft integrierte Schaltkreise
und insbesondere den Schutz dieser Schaltkreise gegen
Überspannungen, die in der Lage sind, ihr Funktionieren zu
beeinflussen oder sie zu zerstören.
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Die Erfindung wird konkreter mit Bezug auf einen
Schnittstellen-IC zwischen einer Telefonzentrale und einer
Fernsprechstelle eines Kunden beschrieben; die Erfindung ist
jedoch nicht auf diese Schaltkreise beschränkt.
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Ein solcher Schnittstellenschaltkreis, oder
Kunden-Anpassungsschaltung, der auch unter der Bezeichnung "SLIC"
(englisch: subscriber line interface circuit) bekannt ist,
ist zwischen der Telefonzentrale und zwei Leitern der
Telefonleitung L1 und L2 geschaltet (vgl. Fig. 1). Am
entgegengesetzten Ende der Leitung ist ein Fernsprechapparat des
Kunden (TEL) angeschlossen.
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Die Leiter der Leitung erstrecken sich über beträchtliche
Distanzen und sind daher Störungen unterworfen, die
Überspannungen in diesen Leitern erzeugen können.
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zum Beispiel kommen Überspannungen von Gewittern,
verschiedenen elektromagnetischen Induktionen, zufälligen Kontakten
mit elektrischen Energietransportleitungen und so weiter.
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In jedem dieser Fälle sind die Energieniveaus, die ins
Spiel kommen, beträchtlich und die Schaltkreise, die an den
Enden der Leitung angeordnet sind, müssen zum Gegenstand
umfangreicher Sicherheitsvarkehrungen gemacht werden.
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Die erste Maßnahme besteht darin, Überspannungsableiter
ECL1 und ECL2 zwischen jedem Leiter der Leitung und Erde zu
schalten.
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Die zweite Maßnahme besteht darin, einen Widerstand mit
positivem Temperaturkoeffizienten CTP1, CTP2 in Reihe mit
jedem Leiter der Leitung zu schalten, um die schädlichen
Stromüberlastungen zu unterdrücken: wenn eine
Stromüberlastung sich ausbildet, erwärmen sich diese Widerstände und
ihr Widerstand wächst beträchtlich (er steigt z.B. von 30 Ω
bis zu mehreren MΩ), so daß der Strom unterbrochen wird.
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Die dritte Maßnahme besteht darin, zwischen jedem Leiter
der Leitung und Erde elektronische Schutzelemente von der
Art einer Zener-Diode oder besser noch von der Art eines
Thyristors ohne Gate zu schalten. Diese Bauteile (TR1, TR2)
besitzen eine große Impedanz, solange die Spannung an ihren
Anschlüssen nicht eine bestimmte Schwell Vz überschreitet;
danach werden sie Leiter und leiten den Strom in die Erde
ab, wenn die Schwelle Vz überschritten ist. Die Spannung an
ihren Anschlüssen bleibt gleich Vz im Fall einer Zener-
Diode; sie fällt auf einen sehr niedrigen Wert im Fall
eines Thyristors ohne Gate. Die Bauteile TR1, TR2 werden
im allgemeinen zwischen einem Ausgangsanschluß A oder B des
integrierten Schaltkreises, der den SLIC bildet, und der
Erde geschaltet. Die Anschlüsse A und B sind mit den Leitern
der Leitung über Widerstände mit positiven
Temperaturkoeffizienten verbunden.
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Die Wahl des Werts der Schwelle Vz ist bei der betrachteten
Anwendung aus Gründen kritisch, die im folgenden ausgeführt
werden und die gleichzeitig mit der Art der
Energieversorgung des SLIC und der technischen Realisierung des
integrierten Schaltkreises zusammenhängen.
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Man muß zuvor bedenken, dar man auf jeden Fall vermeiden
will, dar die Anschlüsse A oder B ein Potential empfangen,
das oberhalb einer absoluten Schwelle der Widerstands
fähigkeit des integrierten Schaltkreises gegen Spannungen liegt;
diese Schwelle ist z.B. VMAX = 110 V (zulässige Schwelle
zwischen dem Anschluß A oder B und Erde). Jenseits dieser
Schwelle gibt es einen Durchschlag der internen Verbindungen
des integrierten Schaltkreises. Dementsprechend ist es
nötig, dar Vz kleiner als VNAX ist.
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Andererseits wird der SLIC durch eine Gleichspannung VBAT
versorgt, die negativ bezüglich der Masse ist, wobei diese
Spannung sich im übrigen manchmal bei normalem Betrieb des
Schaltkreises an den Anschlüssen A und B wiederfinden kann.
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Die Spannung VBAT hat einen Nominalwert von 48 V (in
Wahrheit handelt es sich um einen negativen Wert von -48 V, es
ist jedoch bis zu den Erklärungen bezüglich der Figur 2
einfacher, von Absolutwerten zu sprechen).
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Es ist jedoch festgelegt, dar die Versorgungsspannung
zwischen zwei Werten (Absolutwerte)
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VBATmin = 34 V
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und VBATmax = 72 V
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schwanken kann, ohne den Betrieb des Schaltkreises zu
beeinträchtigen. Es ist daher notwendig, dar die
Auslösespannung Vz der Schutzelemente mindestens gleich VBATmax ist;
ansonsten würden die Schutzelemente sich sogar in bestimmten
Fällen des Normalbetriebs des Schaltkreises auslösen, was
nicht akzeptabel ist.
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Man nun daher Elemente TR1 und TR2 mit einer Auslösespannung
Vz auswählen, die zwischen VBATmax und Vmax liegt, d.h.
bei dem betrachteten Beispiel zwischen 72 V und 110 V.
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Daraus entsteht nun die Möglichkeit eines Fehlbetriebs, der
zu der Zerstörung des integrierten Schaltkreises aus einem
Grund führen kann, der mit der Herstellungstechnik des
integrierten Schaltkreises verknüpft ist, was nun mit Bezug
auf Fig. 2 erklärt wird. Diese Figur stellt im Querschnitt
in vereinfachter Weise einen Teil der Struktur eines
integrierten Schaltkreises dar, wie man ihn in einem SLIC
antreffen kann.
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Mit Hinblick auf die relativ hohen Spannungen, die der
Schaltkreis aushalten können muß, wird er in Bipolartechnik
auf einem Siliciumsubstrat 10 des P-Typs realisiert, das von
einer Epitaxialschicht 12 des N-Typs bedeckt ist. Die
Epitaxialschicht ist in Kästen unterteilt, die voneinander
durch tiefe Diffusionen 14 von P-Typ isoliert sind, die von
der oberen Oberfläche der Schicht ausgehen und zu dem
Substrat führen. Überdeckte Schichten 16 vom N&spplus;-Typ können
auf dem Boden der Kästen zwischen der Epitaxialschicht 12
und dem Substrat vorgesehen sein und die überdeckten
Schichten können mit der oberen Oberfläche über tiefe
Diffusionen 18 vom N&spplus;-Typ verbunden sein.
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Individuelle Transistoren sind in den Kästen realisiert und
von benachbarten Transistoren oder anderen Elementen des
Schaltkreises durch Isolationsdiffusionen 14 vom P-Typ
isoliert.
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Als Beispiel wurde ein Ausgangstransistor des SLIC
dargestellt, dessen Kollektor aus einem metallischen Kontakt C1
an der Oberfläche einer Diffusion 18 vom N&spplus;-Typ besteht und
dessen Emitter und Basis zwei andere Oberflächenkontakte E1
und B1 über geeigneten Emitter- und Basisgebieten eines
ersten Kastens 20 sind. Ein weiterer, in der gleichen Weise
aufgebauter Transistor (E2, B2, C2) ist in einem anderen
Kasten 22 dargestellt.
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Zum Beispiel ist der Kollektor C1 mit dem Ausgangsanschluß
A des integrierten Schaltkreises (vgl. Fig. 1) verbunden,
der Kollektor C2 ist mit dem Anschluß B verbunden und die
Versorgungsspannung VBAT ist an einen Ausgangsanschluß D
angelegt. Konventionell ist der Anschluß D (im Inneren des
integrierten Schaltkreises) mit einen metallischen Kontakt
24 verbunden, der über einer tiefen Diffusion 14 vom P-Typ
ausgebildet ist, die auf das Substrat trifft, so daß die
negative Versorgungsspannung VBAT an dem Substrat anliegt.
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Das Anlegen des negativen Potentials an das Substrat ist
vollkommen konventionell für integrierte Schaltkreise, die
in einer Epitaxialschicht vom N-Typ auf einem Substrat vom
P-Typ realisiert sind. Tatsächlich ist man dadurch, dar man
das Substrat P auf das am meisten negative Potential legt,
sicher, dar die Potentiale aller anderen Teile des
integrierten Schaltkreises und insbesondere alle Bereiche vom
N-Typ, die an das Substrat oder an Isolationsiffusionen
angrenzen, größer als das Potential des Substrats und dieser
Diffusionen sind. Dies führt dazu, daß die
Isolationsdiffusionen bezüglich der Bereiche, die sie isolieren sollen,
negativ polarisiert sind; dies ist eine notwendige
Bedingung dafür, daß sie ihre Isolationsfunktion richtig
ausüben.
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Es besteht jedoch die Gefahr, daß diese Isolationsfunktion
im Fall von negativen Überspannungen nicht mehr
gewährleistet ist, die an den Anschlüssen A und B anliegen, wenn
der Absolutwert dieser Überspannungen das Potential VBAT
des Substrats überschreitet.
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Tatsächlich werden in diesen Fall die Isolationsdiffusionen
in Vorwärtsrichtung gepolt. Sie neigen dazu, parasitäre
Transistoren zwischen benachbarten Kästen leitend werden zu
lassen, und lassen auf diese Weise einen Strom fließen, der
die Zerstörung des Schaltkreises zur Folge haben kann.
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Es besteht die Gefahr, daß diese Situation sich einstellt,
wenn man ein Auslösepotential Vz zwischen VBATmax und VMAX
gewählt hat, wie es nach den obigen Ausführungen notwendig
ist. Wenn man z.B. Vz gleich oder ein wenig größer als
VBATmax wählt und wenn sich eine Überspannung kleiner als
VBATmax (72 V) einstellt, während die Batteriespannung
z.B. ihren Nominalwert VBAT hat, lösen die Schutzelemente
TR1 oder TR2 nicht aus und dennoch wird das Potential an
dem Anschluß A (zwischen VBAT und VBATmax) negativer sein,
als das Substratpotential (VBAT), was auf diese Weise die
im vorangehenden Absatz erwähnte Unzulänglichkeit
hervorruft.
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Es gibt daher eine Inkompatibilität zwischen den
verschiedenen Schutzanforderungen und der Tatsache, daß die
Versorgungsspannung innerhalb weiter Grenzen variieren kann.
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Um diesen Mangel zu beheben, schlägt die vorliegende
Erfindung einen gegen Überspannungen geschützten integrierten
Schaltkreis vor, wobei dieser Schaltkreis auf einem Substrat
eines ersten Leitungstyps realisiert ist, das durch eine
Epitaxialschicht des entgegengesetzten Typs bedeckt ist,
und mindestens einen Anschluß zur externen Versorgung,
interne Versorgungsleiter für den Schaltkreis, um eine
Versorgungsspannung zu verschiedenen Elementen des
Schaltkreises zu übertragen, und mindestens einen Ausgangsanschluß
enthält. Gemäß der Erfindung umfaßt der integrierte
Schaltkreis eine erste Diode, die zwischen den Substrat und
dem Anschluß zur externen Versorgung geschaltet ist, wobei
ihre Kathode an diesem Anschluß angeschlossen ist, wenn
das Substrat vom P-Typ ist, eine zweite Diode, die zwischen
den Leitern zur internen Versorgung und dem Anschluß zur
äußeren Versorgung geschaltet ist, wobei ihre Kathode mit
dem Anschluß zur äußeren Versorgung verbunden ist, wenn das
Substrat vom P-Typ ist, und eine dritte Diode, die zwischen
den Leitern zur internen Versorgung und dem Ausgangsanschluß
geschaltet ist und deren Kathode mit dem Ausgangsanschluß
verbunden ist, wenn das Substrat vom P-Typ ist, wobei diese
dritte Diode durch einen Störstellenübergang zwischen zwei
Bereichen mit entgegengesetzten Leitungstyp realisiert ist,
die beide elektrisch von den Substrat und der ersten und
zweiten Diode isoliert sind, die als Anode Bereiche vom P-
Typ besitzen, die vom Substrat isoliert sind.
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Unter Bereichen, die von Substrat isoliert sind, ist zu
verstehen, dar eine Isolation durch einen in Sperrichtung
polarisierten Störstellenübergang vorgesehen ist; bei
bestimmten Technologien kann man jedoch auch eine
dielektrische Isolation in Betracht ziehen, ohne den Bereich der
Erfindung zu verlassen.
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Es ist insbesondere wünschenswert, dar die erste und die
zweite Diode mit Hilfe von Störstellenübergängen zwischen
Bereichen realisiert sind, die von dem Substrat isoliert
sind.
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Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden beim
Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung deutlich,
die auf die beigefügten Zeichnungen Bezug nimmt, in denen
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Fig. 1 schon beschrieben ist und ein Beispiel eines
Anwendungsschenas darstellt, indem sich das
Problem des Schutzes eines integrierten
Schaltkreises stellt,
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Fig. 2 einen Schnitt durch eine konventionelle
Struktur
eines integrierten Schaltkreises darstellt,
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Fig. 3 ein Schaltkreisschema darstellt, welches das
gemäß der Erfindung verwendete Schutzprinzip
erklärt,
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Fig. 4 einen Schnitt einer Struktur eines integrierten
Schaltkreises darstellt, der diesen Schutz
benützt.
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Fig. 3 nimmt die wesentlichen Merkmale der Erfindung in
einer im folgenden erläuterten Anwendung eines SLIC auf. Die
übliche Versorgungsspannung VBAT wird an einen Ausgangs
anschlug D des integrierten Schaltkreises angelegt, aber
dieser Anschluß ist nicht direkt mit dem Substrat verbunden.
Er ist im Gegenteil mit dem Substrat über eine Diode D1
verbunden, deren Kathode mit dem Anschluß D verbunden ist
und deren Anode mit einem direkt mit dem Substrat
verbundenen Kontakt CS verbunden ist.
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Im folgenden wird davon ausgegangen, dar das Substrat von
P-Typ und die Epitaxialschicht vom N-Typ ist. Wenn dies
nicht der Fall ist, muß man die Bezeichnungen Anode und
Kathode vertauschen.
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Außerdem führt der Anschluß D die Versorgungsspannung VBAT
nicht direkt den verschiedenen Bauteilen zu, die den SLIC
bilden. Im Gegenteil wird die für alle diese Bauteile
gemeinsame Versorgungsspannung durch einen Leiter innerhalb
des integrierten Schaltkreises geliefert, der durch einen
Kontakt CA in der Fig. 3 dargestellt ist, und dieser Leiter
ist mit den Anschluß D über eine Diode D2 verbunden, deren
Anode mit dem inneren Leiter CA und deren Kathode mit dem
Anschluß D verbunden ist.
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Schließlich ist eine Diode D3 vorgesehen, deren Anode mit
dem Leiter CA und deren Kathode mit dem Ausgangsanschluß A
des integrierten Schaltkreises (Anschluß, der eine
Überspannung aufnehmen kann) verbunden ist. In gleicher Weise ist
die Anode einer Diode D'3 mit dem inneren Versorgungsleiter
CA verbunden und ihre Kathode ist mit den Ausgangsanschluß
B des integrierten Schaltkreises verbunden.
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Diese Gruppe von Dioden verhält sich wie eine Weiche, um an
dem inneren Versorgungsleiter und dem Substrat die am
meisten negative der drei folgenden Spannungen anzulegen:
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- externe Versorgungsspannung VBAT (welche z.B. zwischen
-34 V und -72 V variieren kann)
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- möglicherweise an den Anschluß A vorhandene Überspannung
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- möglicherweise an dem Anschluß B vorhandene Überspannung.
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In Abwesenheit einer Überspannung wird die
Versorgungsspannung VBAT, von dem Spannungsabfall in der Diode D1
abgesehen, auf das Substrat übertragen; sie wird außerdem, von
dem Spannungsabfall in der Diode D2 abgesehen, auf den
inneren Versorgungsleiter CA übertragen. Die Dioden D1 und
D2 sind folglich in Vorwärtsrichtung geschaltet. Es ist
jedoch vorgesehen, dar die Anode der Diode D1, obwohl sie
mit dem Substrat verbunden ist und vom P-Typ wie das
Substrat ist, weder durch einen Teil des Substrats noch durch
einen Bereich vom P-Typ, der direkt an das Substrat
angrenzt, gebildet wird. Im Gegenteil ist die Anode der Diode
D1 ein Bereich vom P-Typ, der in einem Kasten vom N-Typ
angeordnet ist, und die Kathode der Diode D1 wird nicht
durch diesen Kasten N, sondern durch einen Bereich vom
NTyp gebildet, der innerhalb des Bereichs vom P-Typ liegt,
der die Anode bildet.
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Auf diese Weise impliziert die Polung in Vorwärtsrichtung
der Diode D1 nicht eine unerwünschte Polung in
Vorwärtsrichtung zwischen dem Substrat und den verschiedenen
Isolationskästen
des integrierten Schaltkreises.
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In Gegenwart einer Überspannung (mit einen größeren
Absolutwert als VBAT) an einem der so geschützten
Ausgangsan-Schlüsse, z.B dem Anschluß A, Polarisieren sich die Dioden
D1 und D2 in Sperrichtung und die Dioden D3 und D4
polarisieren sich in Vorwärtsrichtung und legen so die
Überspannung (abgesehen von dem Spanungsabfall in der Diode D3) an
dem inneren Versorgungsleiter CA an. Der Leiter CA wird auf
diese Weise der Leiter mit dem am meisten negativen
Potential des Schaltkreises. Tatsächlich nimmt das Substrat
dasselbe Potential wie dieser Leiter CA über eine in Fig. 3
nicht dargestellte Diode an, die durch den Übergang Zwischen
dem Kasten N, auf dem der Ausgangskontakt A sitzt, und dem
Substrat gebildet wird. Es gibt also eine Unerwünschte
Polung in Vorwärtsrichtung eines Übergangs Zwischen einem
Kasten und dem Substrat, aber nur ein Schwacher Residual
Strom kann diesen Übergang durchqueren, denn der haupt
Sächliche Strom flieht Zwischen dem Leiter CA und dem
Anschlug A durch die Diode D3. Dieser Schwache Strom kann
nicht zu dem Übergang von parasitären Transistoren in den
leitenden Zustand führen und noch weniger zu einer
Zerstörung des Schaltkreises. Was die Diode D3 anbetrifft, so
ist Sie von dem Substrat isoliert, denn man richtet es so
ein, dar einerseits ihre Anode nicht einem Teil des
Sub-Strats benachbart ist und andererseits ihre Kathode nicht
einem N-Kasten in der Nachbarschaft des Substrats benachbart
ist. Wenn diese Diode durch einen bedeutenden Strom
durchflossen wird, löst Sie nicht den ungewollten Übergang in
den leitenden Zustand eines Übergangs Zwischen dem Substrat
und einem dem Substrat benachbarten Kasten aus.
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Die Fig. 4 stellt ein Beispiel einer Struktur eines
integrierten Schaltkreises dar, der dieses Schutzprinzip
verwendet, stets in der Anwendung für den 0benbeschriebenen SLIC.
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Die verwendeten Bezugszeichen sind für gleiche Bauteile
dieselben wie in den vorangehenden Figuren.
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Die Struktur ist auf einem Substrat 10 vom P-Typ realisiert,
die von einer Epitaxialschicht 12 vom N-Typ bedeckt wird.
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Isolierdiffusionen 14 vom P&spplus;-Typ erstrecken sich von der
oberen Oberfläche der Epitaxialschicht weg und führen zu dem
Substrat. Kästen von N-Typ werden durch diese
Isolierdiffusionen begrenzt und sind so vollständig voneinander
isoliert. Überdeckte Schichten 16 vom N&spplus;-Typ können wie in
Fig. 2 am Boden von bestimmten Kästen zwischen dem Kasten
und dem Substrat vorgesehen sein. Zugangsschächte 18 zu
diesen überdeckten Schichten können gleichfalls vorgesehen
sein.
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In Fig. 4 sind die Ausgangsanschlüsse A und B des
integrierten Schaltkreises in Form von Kontakten C1 und C2 mit
Bereichen von N&spplus;-Typ dargestellt, die die Kollektorbereiche
für die Ausgangstransistoren des Schaltkreises bilden.
Diese Transistoren sind in den Kästen 20 bzw. 22 angeordnet.
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Der externe Versorgungsanschluß D des integrierten
Schaltkreises ist in Form eines Kontakts 24 auf der oberen
Oberfläche des Schaltkreises dargestellt. Dieser Anschluß
empfängt die Spannung VBAT.
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Bis jetzt sind summarisch die Strukturelenente beschrieben
worden, die sich nicht von der Fig. 2 zu der Fig. 4 geändert
haben.
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Die spezifischen Elemente der Erfindung sind die folgenden.
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Eine Diode D1 ist in einem Kasten 26 ausgebildet, der von
den anderen Kästen isoliert ist.
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Die Anode dieser Diode wird durch einen Bereich 28 vom P-
Typ gebildet, der in das Innere des Kastens 26 diffundiert
ist. Dieser Anodenbereich 28 ist vollständig von den
Substrat durch den Kasten 26 isoliert, der ihn umgibt. Eine
direkte elektrische Verbindung ist zwischen dieser Anode
und dem Substrat z.B. über einen elektrischen Kontakt 30,
der auf der Oberfläche des Bereichs 28 Sitzt einen Kontakt
CS (vgl. Fig. 3), der auf der oberen Oberfläche einer
Isolierdiffusion 14 sitzt und eine metallische Verbindung
zwischen diesen beiden Kontakten realisiert.
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Die Kathode der Diode D1 besteht aus einer Diffusion 32 von
N-Typ, die im Inneren der Diffusion 28 vom P-Typ ausgebildet
ist. Ein Kontakt 34 sitzt auf der oberen Oberfläche des
Bereichs 32 und ist über einen metallischen Leiter mit dem
Anschluß D verbunden.
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Eine Diode D2 ist in einen Kasten 36 ausgebildet. Ihre Anode
besteht aus einer Diffusion 38 von P-Typ, die von den
Substrat und den Isolierdiffusionen durch den Kasten 36, der
sie umgibt, isoliert ist. Eine direkte leitende Verbindung
ist zwischen diesem Bereich 38 und einem inneren
Versorgungsleiter CA realisiert, der dem gesamten Schaltkreis die
für den Betrieb des Schaltkreises notwendige negative
Versorgungsspannung liefert.
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Die Kathode der Diode D2 besteht aus einem Bereich vom N-
Typ 40, der in das Innere des Bereichs 38 von P-Typ
diffundiert ist. Ein Kontakt (zum Beispiel 24) mit diesen
Kathodenbereich 40 gestattet das Verbinden der Anode der Diode
D2 mit den Anschluß D.
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Eine Diode D3 ist in einen Kasten 42 ausgebildet, der von
den anderen Kästen isoliert ist. Die Anode dieser Diode D3
besteht aus einem Bereich 44 vom P-Typ, der in das Innere
des Kastens 42 diffundiert ist. Ein Kontakt 46 gestattet
das Verbinden dieser Anode mit dem inneren Versorgungsleiter
CA.
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Die Kathode der Diode D3 ist durch eine Diffusion 48 vom
N-Typ realisiert, die im Inneren des Bereichs 44 vom P-Typ
ausgebildet ist, und ein Kontakt 50 sitzt auf der oberen
Oberfläche des Kathodenbereichs 48, wobei dieser Kontakt
über einen Leiter mit dem Ausgangsanschluß A verbunden ist.
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Schließlich ist, weil der Anschluß B in diesem
Anwendungsbeispiel auch geschützt sein soll, eine Diode D'3 in einem
Kasten 52 vorgesehen, die genau wie die Diode D3 aufgebaut
ist, wobei die Anode dieser Diode D'3 mit dem inneren
Versorgungsleiter CA und ihre Kathode mit dem Ausgangsanschluß
B verbunden ist.
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Diese Realisierung wurde nur als Beispiel vorgeführt und
man kann sich komplizierter- Strukturen für die Dioden D1,
D2, D3 und D'3 vorstellen. Zum Beispiel könnte die
Realisierung die folgende sein: eine überdeckte Schicht vom N-
Typ ist auf dem Boden eines Kastens vorgesehen. Sie wird
durch eine überdeckte Schicht vom P-Typ überstiegen, aber
nur auf einem Teil ihrer Länge. Ein Ring vom P-Typ ist
durch die obere Oberfläche bis zu der überdeckten Schicht
vom P-Typ diffundiert. Dieser Ring umgibt einen Bereich von
N-Typ, der die Kathode der Diode bildet und auf dem ein
Kathodenkontakt sitzen kann. Der Anodenkontakt kann auf dem
Ring von P-Typ sitzen, wobei dieser Ring die Anode bildet.