DE2514466B2 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

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DE2514466B2 DE19752514466 DE2514466A DE2514466B2 DE 2514466 B2 DE2514466 B2 DE 2514466B2 DE 19752514466 DE19752514466 DE 19752514466 DE 2514466 A DE2514466 A DE 2514466A DE 2514466 B2 DE2514466 B2 DE 2514466B2
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Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiteraltung, die eine durch Isolationszonen in Bereiche erteilte, aktive und passive Halbleiterschaltungselente enthaltende Halbleiterschicht eines ersten tungstyps auf einem Substrat des entgegengesetzten citen Leitungstyps aufweist und an die ein Bezugspotial, eine Substratspannung und mindestens eine ischen diesen beiden liegende Versorgungsspannung ;elegt ist.
Derartige aufgebaute integrierte Halbleiterschaltuni entsprechen dem derzeitigen Stand derTechnik und erscheiden sich im wesentlichen nur noch durch die den isolierten Bereichen integrierten speziellen
Schaltungen und deren monolithische Struktur.
Bei der Wahl der anzulegenden Betriebsspannungei
ist man an mindestens zwei Bedingungen gebunden. Dii eine Bedingung ist selbstverständlich, uämiich dii
S Betriebsspannung so zu wählen, daß die Schaltungei ordnungsgemäß funktionieren. Die andere Bedingung ist von kaum geringerer Bedeutung und ergibt sich au:
dem Erfordernis, daß die vorzusehende Isolatioi zwischen den einzelnen Schaltungen in jedem Betriebs
ίο zustand gewährleistet sein muß und keine unzulässiger Substratströme fließen dürfen.
Unter spezieller Berücksichtigung dieser Gesichts punkte sei die übliche Anordnung näher betrachtet, be der auf ein beispißlsweise P-Ieitendes Substrat ein« N-leitende Epitaxieschicht, in der die eigentlicher Schaltungen verwirklicht werden, aufgebracht ist »nc bei der die Isolation aus hochdotierten P+-leitenden, dit Epitaxieschicht bis in das Substrat durchdringender Zonen besteht Die Isolation der einzelnen Bereiche dei Epitaxieschicht erfolgt also lateral durch die durch die P+-leitenden Isolationszonen mit der N-leitender Epitaxieschicht gebildeten PN-Übergänge und vertikal also nach unten, durch den zwischen der N-leitenden Epitaxieschicht und dem P-leitenden Substrat gebildeten PN-Übergang. Für das ordnungsgemäße Funktionieren der Isolation ist es erforderlich, daß die entsprechenden PN-Übergänge in Sperrichtung vorgespannt sind. Im betrachteten Beispiel ist also eine gegenüber dem Bezugspotential — vorzugsweise Massepotential — negative Substratspannung, die also auch an dem P+-Ieitenden Isolationszonen liegt, vorzusehen. Als Versorgungsspannung für die Schaltung selbst ist dann eine zwischen Massepotential und dieser Substratspannung liegende Spannung zu verwenden. Im betrachtete - Beispiel liegt also am Substrat bzw. an der Isolationszone eine negativere Spannung als die Versorgungsspannung. Auf diese Weise wird sichergestellt rtaß die isolierenden PN-Übergänge in Sperrichtung betrieben werden, also als Isolationszonen wirken.
Damit scheinen, was die angestrebte Isolation der einzelnen, die Schaltungen oder Schaltungselemente enthaltenden Bereiche der Epitaxieschicht, die auch Isolationswannen genannt werden, betrifft, keinerlei Probleme vorhanden zu sein. In Wirklichkeit treten jedoch ernsthafte Probleme auf, die einer Lösung bedürfen. Dabei ist der Einschaltvorgang, bei dem die integrierte Halbleiterschaltung an die Betriebsspannung angeschlossen wird, und der auf den Einschaltvorgang folgende Normalbetrieb gesondert zu betrachten.
so Während des Einschaltvorganges laufen die Betriebsspannungen, also die Versorgungsspannung und die Substratspannung, unterschiedlich schnell hoch; dabei besteht die Möglichkeit, daß die Versorgungsspannung bereits ihren Endwert erreicht hat, während sich die Substratspannung noch auf einem Wert befindet der noch keine Sperrung der Isolationsdioden gewährleistet. Die Isolationsdioden sind in diesem Zustand also in Durchlaßrichtung betrieben und verursachen einen Kurzschluß. Der dadurch fließende Kurzschlußstrom kann zur Zerstörung der Halbleiterschaltung führen.
Zur Verhinderung dieser Schwierigkeit ist man bereits dazu übergegangen, die Versorgungsspannung erst anzulegen, wenn die Substratspannung ihren Endwert, erreicht hat und die Sperrung der Isolations-
6S dioden gewährleistet ist. Dieses zeitlich versetzte Zuschalten der einzelnen Betriebsspannungen erfordert außerordentlich aufwendige Maßnahmen in der Stromversorgungseinheit.
'i
Bei bestimmten Schaltungen ist es möglich, diesen Aufwand dadurch zu vermeiden, daß das Substrat über einen Schutzwiderstand an die Substratspannung angelegt wird. Dieser Schutzwiderstand begrenzt die auftretenden Kurzschlußströme auf ein erträgliches Maß. Eine entsprechende Maßnahme ist beispielsweise der Veröffentlichung »IBM Technical Disclosure Bulletin,« VoLiI, Nr. 7, Dezember 1968, Seite 866 zu entnehmen.
Die letztgenannte, einfache Lösung des Problems ist bei vielen modernen Halbleiterschaltungen nicht anwendbar. Vielfach bestehen diese Halbleiterschaltungen aus komplizierten Strukturen mit lateralen PNP-Transistoren und vertikalen, gesättigten NPN-Transistoren, um unter anderem den Platzbedarf zu verringern und damit die Packungsdichte der Schaltungen bei möglichst einfacher Struktur zu erhöhen. Gerade die genannten Halbleiterschaltungen haben jedoch die Eigenschaft, daß auch im Normalbetrieb Substratströme fließen, die durch parasitäre Transistoren hervorgerufen werden, μ Da diese Substratströme in ihrer Stärke außerordentlich schwanken, würden eingefügte Schutzwiderstände unkontrollierbare Spannungsabfälle hervorrufen, die die Funktionstüchtigkeit der Schaltung in Frage stellen könnten. Bei diesen genannten Halbleiterschaltungen müßte man also wieder zu der aufwendigen Lösung mit zeitlich versetztem Zuschalten der Betriebsspannungen übergehen.
Aus der DT-AS 17 64 274 ist bereits eine integrierte Halbleiterschaltung, beispielsweise ein Transistor in Emitterschaltung mit integriertem Kollektorwiderstand, bekannt, bei der zur Vereinfachung der Betriebsspannungszuführung geeignete hochdotierte P- und N-leitende Bereiche vorgesehen sind, die die Schaltungselemente umgeben. Maßnahmen zur Vermeidung der aufgezeigten, während und nach dem Einschaltvorgang auftretenden Probleme sind jedoch nicht angesprochen.
Die Anordnung eines ohmscheri Widerstandes in einer integrierten Halbleiterschaltung ist beispielsweise auch der DT-AS 16 14 373 zu entnehmen; dabei dienen die Isolationszonen zwischen den einzelnen Schaltungselementen ebenfalls zugleich als Verbindungsleiter für die Potentialzuführung.
Es ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, für die genannten Halbleiterschaltungen eine Maßnahme anzugeben, die während des Einschaltvorganges das Fließen von Kurzschlußströmen verhindert und die während des Normalbetriebes, obwohl stirk schwankende Substratströme fließen, keine unkontrollierten Schwankungen des Substratpotentials zuläßt.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe für eine integrierte Halbleiterschaltung, die eine durch Isolationszonen in Bereiche unterteilte, aktive und passive Halbleiterschaltungselemente enthaltende Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps auf einem Substrat des entgegengesetzten zweiten Leitungstyps aufweist und an die ein Bezugspotential, eine Substratspannung und mindestens eine zwischen diesen beiden liegende Versorgungsspannung angelegt ist, dadurch gelöst, daß in einem der Bereiche der Halbleiterschicht ein zusätzlicher, der Spannungsversorgung für die gesamte Halbleiterschaltung dienender Transistor mit einer durch diesen Bereich gebildeten Kollektorzone und mit einer darin angeordneten Basis- und Emitterzone vorgesehen ist, an dessen Basiszone über einen integrierten ohmschen Widerstand (R)d\e Versorgungsspannung angelegt ist, über dessen Emitterzone die Zufuhr der Substratspannung erfolgt und de>se Kollektorzone mit der den betreffenden Bereich ableitenden Isolationszone und/oder dem Substrat leitend verbunden ist
Die Erfindung gewährleistet, daß im Normalbetrieb das Substratpotential trotz eines stark schwankenden Substratstromes nicht angehoben, sondern auf die — im betrachteten Ausführungsbeispiel — tiefste Spannung, nämlich die Substratspannung, festgelegt wird. Damit ist eine einwandfreie Sperrung aller Isolationsdioden gewährleistet Gleichzeitig wird während des Einschaltvorganges, also dem Zuschalten der Betriebsspannungen, das Fließen eines Kurzschlußstromes verhindert. Die dafür erforderliche Anordnung ist außerordentlich einfach und für jedes Halbleiterplättchen nur einmal vorzusehen.
Vorteilhafte Ausführungsbeispiele sind in den Unteransprüchen niedergelegt
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigen
Fig. IA und IB zwei bekannte Transistorstrukturen innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung, bei denen das der Erfindung zugrunde liegende Problem auftritt,
Fig.2A und 2B die erfindungsgemäße integrierte Halbleiterschaltung,
Fig.3 das Ersatzschaltbild der erfindungsgemäßen Schaltung und
Fig.4 die Verläufe der wesentlichen Betriebsspannungen während des Einschaltvorganges und im Normalbetrieb.
Zunächst sei die Fig. IA betrachtet. Dargestellt ist eine in der modernen, hochintegrierten Technik übliche, isolierte, vertikale Transistorstruktur, an der das beim Einschaltvorgang, also beim Zuschalten der Betriebsspannungen, auftretende Problem erkenntlich wird. Auf ein P--leitendes Halbleitersubstrat 1 ist eine epitaktische Halbleiterschicht 2 aufgebracht, in der die aktiven und passiven Schaltungselemente der Halbleiterschaltung verwirklicht sind. Die Transistorstruktur ist in einem durch die P+-leitende Isolationszone 3 und das P -leitende Substrat 1 begrenzten Bereich der Halbleiterschicht 2 angeordnet. Dieser Bereich der Halbleiterschicht 2 bildet dabei die Kollektorzone 21. Der Kollektoranschluß C ist über eine N+ -leitende Kollektoranschlußzone 5 zugeführt. Zwischen dem P--leitenden Substrat 1 und der Kollektorzone 21 ist eine N + -leitende Subkollektorzone 4 angeordnet. Innerhalb der Kollektorzone 21 liegt die P-leitende Basiszone 6 mit dem Basisanschluß B. In der Basiszone 6 befindet sich die N+ -leitende Emitterzone 7 mit dem Emitteranschluß E Die P+-leitende Isolationszone 3, die bis in das P--leitende Substrat 1 reicht, also mit dem Substrat verbunden ist, ist mit einem Substratkontakt S versehen. Bei den im betrachteten Beispiel angenommenen Polaritäten (NPN-Transistor) ist an den Substratanschluß S, der für die gesamte Halbleiterschaltung gemeinsam ist, die negativste Spannung, die Substratspannung VS, und an den Kollektoranschluß C die zwischen dem Bezugspotential und der Substratspannung VS liegende Versorgungs-.pannung VN anzulegen.
Im normalen Betriebszustand liegt also beispielsweise am KollektoraPM hluß C .lic Versorgungsspannung VN = -2 VoI und am Nubstratanschluß S die Substratspannuin 1'S= 5 V ,It Fs ist offensichtlich, daß beim Vorliegen eser Verk-Itnisse, die tischen der P + -Ieitenden Is ■ tionszone t Hzw. dem Γ -leitenden Substrat 1 und .1er N -IciKiulen Halbleiterschichi 2 gebildeten Isolationsdioden in Spetrichtung betrieben
werden und somit die angestrebte Isolation der Transistorstruktur bewirken. Steigen jedoch, wie aus F i g. 4 zu ersehen ist, die Betriebsspannungen während des Einschaltvorganges unterschiedlich schnell auf ihre Endwerte an, so kann der Zustand eintreten, daß die Substratspannung VS noch Null ist, während die Versorgungsspannung VN bereits den Wert von —2 Volt erreicht hat. Dieser Zustand ist in F i g. 4 zu Beginn des Einschaltvorganges angenommen und in der Struktur nach Fig. IA durch Angabe der entsprechenden Spannungswerte festgehalten. Zweifellos sind dabei die Isolationsdioden in Durchlaßrichtung gepolt und es fließt ein Kurzschlußstrom IK über die Isolationszone 3 bzw. das Substrat 1 zum Kollektoranschluß C Dieser während des Einschaltvorganges kurzzeitig fließende Kurzschlußstrom IK kann zur Zerstörung der Halbleiterschaltung führen. Das Fließen dieses Kurzschlußstromes ist entsprechend dem Stand der Technik nur durch zeitlich versetztes Zuschalten der Betriebsspannungen, also der Substratspannung VS vor der Versorgungsspannung VW, oder durch Einbau eines Schutzwiderstandes zu vermeiden.
Der Einbau eines Schutzwiderstandes ist aber, wie aus der Struktur nach Fig. IB zu ersehen ist, dann nicht möglich, wenn in der integrierten Halbleiterschaltung Strukturen verwendet werden, bei denen auch im normalen Betriebszustand Substratströme fließen, die abhängig von den Betriebsbedingungen stark schwankend sind.
Der in F i g. 1B gezeigte Transistor ist im Gegensatz zu dem der Fig. IA nicht ein vertikaler NPN-Transistor, sondern ein lateraler PNP-Transistor. Bei diesem Transistor dient der durch die Isolationszone 3 isolierte Bereich der epitaktischen Halbleiterschicht 2 als Basiszone 22 mit N + -Basisanschlußzone 8 und Basisanschluß B. Die Emitterzone 9 und die Kollektorzone 10 sind zwei P-Ieitende, lateral zueinander in der Basiszone angeordnete Halbleiterzonen mit entsprechendem Emitter- und Kollektorkontakt E und C Im übrigen entspricht die Struktur der der Fig. IA. Im eingeschalteten Zustand liegt die Substratspannung VS = - 5 Volt am Substratanschluß S, Massepotential über einen Widerstand ÄEam Emitteranschluß £ und beispielsweise VN = -2 Volt am Basisanschluß R Der Transistor zieht seinem Normalbetriebszustand entsprechende Ströme, nämlich den Emitterstrom IE, den Kollektorstrom IC und den Basisstrom IB. Durch den Aufbau sowie die geringen Abstände der einzelnen Zonen läßt es sich bei dieser Struktur nicht verhindern, daß auch im Normalbetrieb die vorhandenen parasitären Transistoren Substratströme IS ziehen. Ein parasitärer Transistor ist im Bereich der Pfeile angedeutet Die Emitterzone 9 injiziert Ladungsträger in die Basiszone 22. Die Isolationszone 3 bzw. das Substrat 1 wirkt als Kollektor. Ober den Substratanschluß S fließt also ein Substratstrom IS. Ein entsprechender Substratstrom ist auch bei gesättigten, vertikalen Transistorstrukturen festzustellen.
Die Lösung des geschilderten, während des Einschaltens auftretenden Problems mittels eines Schutzwiderstandes in der Zuleitung zum Substratanschluß Sist hier nicht durchführbar, da der schwankende Substratstrom /5Spannungsabfälle und damit Undefinierte Substratpotentiale hervorrufen wurde.
Die erfindungsgemäße integrierte Halbleiterschaltung, bei der im Normalbetrieb das Substratpotential trotz stark schwankendem Substratstrom /5 nicht verändert und während des Einschaltvorganges das Fließen eines Kurzschlußstromes IK verhindert wird, ergibt sich aus den Fig.2A und 2B. Beide Figuren zeigen das gleiche Ausführungsbeispiel, in F i g. 2A jedoch mit den während des kritischen Einschaltvorgan ges anliegenden und in Fig.2B mit den im Normalbe trieb anliegenden Betriebsspannungen. Zunächst ist im linken Bereich der beiden Figuren als Teil einer integrierten Gesamtschaltung jeweils die bereits in Verbindung mit F i g. IA beschriebene vertikale Transi storstruktur vorhanden. Da gleiche Bezugszeichen verwendet sind, erübrigt sich eine nochmalige Beschreibung dieser Struktur.
Die auf einem Halbleiterplättchen zusätzlich zu der eigentlichen Nutzschaltung einmal unterzubringende
ij erfindungsgemäße Schaltung besteht aus einem integrierten Widerstand R und im betrachteten Beispiel aus einem N PN-Transistor TX
Der Widerstand R und der Transistor TX sind ebenfalls wieder in durch die Isolationszone 3
ίο getrennten Bereichen der epitaktischen, N--leitenden Halbleiterschicht 2 verwirklicht Der Aufbau des Transistors TX entspricht dem vertikalen N PN-Transistor mit der N+ -leitenden Subkollektorzone 4, der N--leitenden Kollektorzone 23, der P--leitenden Basiszone 15 und der N+-leitenden Emitterzone 16. Außerdem ist ein Basiskontakt BX, ein Emitterkontakt EXwna an einer N+-leitenden Kollektorkontaktzone 17 ein Kollektorkontakt CX vorgesehen. Der Widerstand R besteht aus einer der Basiszone entsprechenden P-leitenden Zone 11 innerhalb des isolierten Bereiches 24 der epitaktischen, N--leitenden Halbleiterschicht 2. Die Widerstandszone 11 ist mit den Anschlüssen des Widerstandes R bildenden Kontakten Ri und R 2 versehen. Der isolierte N--leitende Bereich 24 ist über eine N+ -leitende Kontaktzone 12 an Massepotential gelegt. An den einen Kontakt R1 der Widerstandszone 11 ist die Versorgungsspannung VN angelegt Der andere Kontakt R 2 ist über eine Leitung 13 mit dem Basiskontakt BX des Transistors TX verbunden. An den Emitterkontakt EXist die Substratspannung VSgeführt Der Kollektorkontakt CX ist über eine Leitung 14 mit dem Substratkontakt 5 verbunden.
Das Ersatzschaltbild der erfindungsgemäßen Schaltung ist aus F i g. 3 zu ersehen. Die Versorgungsspan- nung VN ist über dem Widerstand R an die Basis des Transistors TX gelegt Am Emitter des Transistors liegt die Substratspannung VX Der Kollektor des Transistors ist mit der Isolationszone 3 und damit mit dem Substrat 1 verbundea Die vom Widerstand R nach Masse gestrichelt eingezeichneten Dioden entsprechen dem in
Sperrichtung betriebenen Obergang zwischen der P-leitenden Widerstandszone 11 und dem N--leitenden Bereich 24 der Halbleiterschicht 2. Die Wirkung der erfindungsgemäßen Schaltung sei
SS nun zunächst wieder während des kritischen Einschaltvorganges und dann im Normalbetrieb untersucht Während des Einschaltvorganges liege also der kritische Fall vor, daß die Versorgungsspannung VN bereits ihren Endwert von —2 Volt erreicht hat während die Substratspannung VS noch den Wert Null aufweist Offensichtlich ist der Transistor TX in diesem Betriebszustand gesperrt Da die Substratspannung VS über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors TX dem Substrat 1 zugeführt wird, diese Strecke jedoch 6s gesperrt ist kann kein Kurzschlußstrom IK Hießen. Genereller betrachtet ist festzustellen, daß während des Zuschaltens der Betriebsspannungen der Transistor TX automatisch in beiden Richtungen gesperrt ist solange
die Substratspannung VS positiver als die Differenz zwischen der Versorgungsspannung VN und der Basis-Emitter-Spannung Vöffürden leitenden Transistor TX'ist, also im betrachtenden Beispiel positivier als etwa-2,7 Volt.
Solange während des Einschalten die Versorgungsspannung VN die negativste Spannung ist, kann auch das Substrat kein negativeres Potential einnehmen. Hiermit ist automatisch gewährleistet, daß die Spannungsdifferenz zwischen der Versorgungsspannung VW und dem Substratpotential nie größer Null wird, womit auch der Kollektor-Basis-Übergang des Transistors gesperrt ist. Es kann kein Kurzschlußstrom IK fließen.
Im Normalbetrieb herrschen die in Fig.2B angegebenen Betriebsverhältnisse. Die Versorgungsspannung ist VW = -2 Volt, die Substiratspannung ist VS = -5 Volt.
Durch die Pfeile in der zur eigentlichen Nutzschaltung gehörenden NPN-Transistorstruktur ist angedeutet, daß hier im Normalbetrieb über parasitäre Transistoren unterschiedliche Substratströme IS fließen. Die erfindungsgemäße Schaltung mit dem bereits beschriebenen Widerstand R und dem Transistor TX bewirkt nun, daß das Substratpotential trotz der. fließenden Substratstromes /Sauf einem festen Wert gehalten wird.
Diese Wirkung wird dadurch erreicht, daß nunmehr der Transistor TX, der seinen Basisstrom von der Versorgungsspannung VN über den Widerstand R erhält, in Sättigung leitend ist. Die an seinen Emitteranschluß EX angelegte Substratspannung VS liegt lediglich um die Restspannung des Transistors TX erhöht über den Kollektoranschluß CX, die Leitung 14 und den Substratanschluß San der Isolationszone 3 und damit am Substrat 1. Damit liegt das Substratpotentia um eine Restspannung höher als die Substratspannung VS und ist unabhängig von der Größe des Substratstro mes IS. Es ist sichergestellt, daß sämtliche Isolationsdio den eindeutigt gesperrt sind.
Die Steuerung der Schaltung erfolgt somit automa tisch durch die Versorgungsspannung VN und di« Substratspannung VS. Eine zusätzliche Kontrollschal tung ist nicht erforderlich.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen Ke 516/:

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Integrierte Halbleiterschaltung, die eine durch Isolationszonen in Bereiche unterteilte, aktive und passive Halbleiterschaltungselemente enthaltende Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps auf einem Substrat des entgegengesetzten zweiten Leitungstyps aufweist und an die ein Bezugspotential, eine Substratspannung und mindestens eine zwischen diesen beiden liegende Versorgungsspannung angelegt ist, dadurch gekennzeichnet, daß in einem der Bereiche der Halbleiterschicht (2) ein zusätzlicher, dar Spannungsversorgung für die gesamte Halbleiterschaltung dienender Transistor (TX) mit einer durch diesen Bereich gebildeten Kollektorzone (23) und mit einer darin angeordneten Basis- und Emitterzone (15, 16) vorgesehen ist, an dessen Basiszone (15) über einen integrierten ohmschen Widerstand (R) die Versorgungsspannung (VN) angelegt ist, über dessen Emitterzone (16) die Zufuhr der Substratspannung (VS) erfolgt und dessen Kollektorzone (17, 23) mit der den betreffenden Bereich abteilenden Isolationszone (3) und/oder dem Substrat (1) leitend verbunden ist
2. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ohmsche Widerstand (R) innerhalb eines weiteren, durch eine Isolationszone (3) abgeteilten Bereiches (24) der Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist
3. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der ohmsche Widerstand (R) durch eine der Basiszone des Transistors (TX) entsprechende Zone (1Ϊ) innerhalb des dafür vorgesehenen abgeteilten Bereiches (24) der Halbleiterschicht (2) gebildet ist, der an das Bezugspotential angeschlossen ist.
4. Halbleiterschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationszonen (3) aus die Halbleiterschicht (2) bis zum Substrat (1) durchdringenden dielektrischen Zonen bestehen.
5. Halbleiterschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationszonen (3) aus die Halbleiterschicht bis zum Substrat (1) durchdringenden, hochdotierten Zonen des zweiten Leitungstyps bestehen, und daß die Kollektorzone (17,23) des Transistors (TX) über diese Isolationszonen (3) mit dem Substrat (1) verbunden ist
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