DE3851248D1 - Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Schaltung. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Schaltung.

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0282360B1 (de) * 1987-03-12 1995-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Komponenten aus supraleitenden oxidkeramischen Materialien
EP0286106B1 (de) * 1987-04-08 1995-08-02 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Elements
EP0290271B1 (de) * 1987-05-08 1995-03-15 Fujitsu Limited Supraleitende Schaltungskarte und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2597578B2 (ja) * 1987-05-11 1997-04-09 株式会社東芝 超電導体の製造方法
JPH079905B2 (ja) * 1987-07-15 1995-02-01 シャープ株式会社 半導体装置の配線方法
DE3815185A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer hybridstruktur mit halbleitendem und supraleitendem material
JP2603482B2 (ja) * 1987-09-30 1997-04-23 株式会社豊田中央研究所 超伝導体の製造方法
AU595142B2 (en) * 1988-01-11 1990-03-22 American Telephone And Telegraph Company Method of making a body, and article comprising the body
GB2215548B (en) * 1988-02-26 1991-10-23 Gen Electric Co Plc A method of fabricating superconducting electronic devices
US5015618A (en) * 1989-10-19 1991-05-14 Gte Laboratories Incorporated Laser zone melted Bi--Sr--Ca--Cu--O thick films
US5173678A (en) * 1990-09-10 1992-12-22 Gte Laboratories Incorporated Formed-to-shape superconducting coil
FR2671424A1 (fr) * 1991-01-04 1992-07-10 Alsthom Cge Alcatel Element composite pour la connectique en electronique et procede de fabrication d'un tel element.
EP2015017A1 (de) 2007-07-12 2009-01-14 Hexion Specialty Chemicals Research Belgium S.A. Wärmetauscher
DE102010008319B4 (de) 2010-02-17 2014-05-08 Carbofibretec Gmbh Radnabe aus einem Faserverbundschlauch und Verfahren zum Herstellen einer Radnabe

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1263449A (en) * 1985-05-16 1989-11-28 Director, National Research Institute For Metals Method of manufacturing a superconductor compounds layer
JP2660280B2 (ja) * 1987-02-24 1997-10-08 株式会社 半導体エネルギー研究所 超電導体
JPH07114295B2 (ja) * 1987-11-11 1995-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 超伝導コイルの作製方法
JP2645489B2 (ja) * 1987-03-12 1997-08-25 株式会社 半導体エネルギー研究所 超電導体の作製方法
EP0282360B1 (de) * 1987-03-12 1995-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Komponenten aus supraleitenden oxidkeramischen Materialien
EP0286106B1 (de) * 1987-04-08 1995-08-02 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Elements
JPS63265475A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Agency Of Ind Science & Technol 超伝導電子回路の作成法
JPS63273371A (ja) * 1987-05-01 1988-11-10 Fujikura Ltd 超電導電気回路の製造方法
JPS63276812A (ja) * 1987-05-08 1988-11-15 Toshiba Corp 酸化物超電導体
JPS63310182A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Toshiba Corp 超電導配線の形成方法

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