JP2603482B2 - 超伝導体の製造方法 - Google Patents
超伝導体の製造方法Info
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- JP2603482B2 JP2603482B2 JP62247013A JP24701387A JP2603482B2 JP 2603482 B2 JP2603482 B2 JP 2603482B2 JP 62247013 A JP62247013 A JP 62247013A JP 24701387 A JP24701387 A JP 24701387A JP 2603482 B2 JP2603482 B2 JP 2603482B2
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- laser
- raw material
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/56—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds
- C07C45/57—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds with oxygen as the only heteroatom
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超伝導体の製造方法に関し、更に詳しく
は、レーザビームの照射による酸化物系超伝導体の製造
方法に関するものである。
は、レーザビームの照射による酸化物系超伝導体の製造
方法に関するものである。
超伝導体は、ある一定温度（臨界温度）以下になると
その電気抵抗が０となるものであり、その性質を利用し
て核磁気共鳴断層診断装置や粒子加速器等に使用されて
いる。
その電気抵抗が０となるものであり、その性質を利用し
て核磁気共鳴断層診断装置や粒子加速器等に使用されて
いる。
従来より、この超伝導体の材料としては、ニオブチタ
ン（Nb−Ti）、ニオブジルコニウム（Nb−Zr）等の合
金、ニオブスズ（Nb3Sn）等の金属間化合物が知られて
いる。しかし、これら材料からなる超伝導体は、電気抵
抗が０となる臨界温度が20K（絶対温度）以下であり、
核磁気共鳴断層診断装置や粒子加速器等の実用化には、
臨界温度がそれ以上のものが望まれていた。
ン（Nb−Ti）、ニオブジルコニウム（Nb−Zr）等の合
金、ニオブスズ（Nb3Sn）等の金属間化合物が知られて
いる。しかし、これら材料からなる超伝導体は、電気抵
抗が０となる臨界温度が20K（絶対温度）以下であり、
核磁気共鳴断層診断装置や粒子加速器等の実用化には、
臨界温度がそれ以上のものが望まれていた。
その後、電気抵抗が０となる臨界温度が20K以上の材
料として、ランタン−バリウム−銅−酸素（La−Ba−Cu
−Ｏ）系、またイットリウム−バリウム−銅−酸素（Ｙ
−Ba−Cu−Ｏ）系等の酸化物超伝導体が発見され、上記
臨界温度が30K〜90Kに上昇し、更には該臨界温度が室温
以上の超伝導体が発見されるまでに至っており、これに
より超伝導レベルが液体窒素温度レベル（窒素の沸点:7
7K）以上になり、該超伝導体の応用範囲が拡がった。
料として、ランタン−バリウム−銅−酸素（La−Ba−Cu
−Ｏ）系、またイットリウム−バリウム−銅−酸素（Ｙ
−Ba−Cu−Ｏ）系等の酸化物超伝導体が発見され、上記
臨界温度が30K〜90Kに上昇し、更には該臨界温度が室温
以上の超伝導体が発見されるまでに至っており、これに
より超伝導レベルが液体窒素温度レベル（窒素の沸点:7
7K）以上になり、該超伝導体の応用範囲が拡がった。
この酸化物系超伝導体の一つとして、Ｌ−Ｍ−Cu−Ｏ
系超伝導体（Ｌはイットリウム、ランタノイド元素、Ｍ
は周期律表第IIa族元素）がある。このＬ−Ｍ−Cu−Ｏ
系超伝導体の製造方法としては、一般に、Ｌの酸化物、
Cuの酸化物およびＭの炭酸塩を原料とし、これら原料粉
を炉内で仮焼、焼結して酸化物焼結体としている。
系超伝導体（Ｌはイットリウム、ランタノイド元素、Ｍ
は周期律表第IIa族元素）がある。このＬ−Ｍ−Cu−Ｏ
系超伝導体の製造方法としては、一般に、Ｌの酸化物、
Cuの酸化物およびＭの炭酸塩を原料とし、これら原料粉
を炉内で仮焼、焼結して酸化物焼結体としている。
しかしながら、この酸化物系超伝導体の製造方法で
は、仮焼および焼結の段階において、Ｍの炭酸塩の分
解、酸化物の焼結には、それぞれ数時間ないし十数時間
を必要とするため、コスト的に問題があり、ライン生産
には不向きである。また、仮焼および焼結では炉中で被
処理材全体を加熱処理するため、加熱不要部や加熱して
はいけない部分までも加熱処理せざるを得ず、所望部位
のみの超伝導体には問題があり、例えば、IC部品等への
応用には制限があった。
は、仮焼および焼結の段階において、Ｍの炭酸塩の分
解、酸化物の焼結には、それぞれ数時間ないし十数時間
を必要とするため、コスト的に問題があり、ライン生産
には不向きである。また、仮焼および焼結では炉中で被
処理材全体を加熱処理するため、加熱不要部や加熱して
はいけない部分までも加熱処理せざるを得ず、所望部位
のみの超伝導体には問題があり、例えば、IC部品等への
応用には制限があった。
そこで、本発明者等は、上述の従来技術の問題点を解
決すべく鋭意研究し、各種の系統的実験を重ねた結果、
本発明を成すに至ったものである。
決すべく鋭意研究し、各種の系統的実験を重ねた結果、
本発明を成すに至ったものである。
本発明の目的は、短時間で超伝導体を製造する方法を
提供するにある。
提供するにある。
また、発明の他の目的は、所望の部位のみの超伝導化
を実現することにある。
を実現することにある。
発明の構成 本発明の超伝導体の製造方法は、Ｌ−Ｍ−Cu−Ｏ系超
伝導体（Ｌはイットリウム、ランタノイド元素のうち一
種または二種以上、Ｍは周期律表第IIa族元素のうちの
一種または二種以上）を構成する原料の成形体に、酸化
性雰囲気中にエネルギー密度が0.24ないし0.8W/mm2のレ
ーザビームを40秒ないし30分間照射することよりなるこ
とを特徴とするものである。
伝導体（Ｌはイットリウム、ランタノイド元素のうち一
種または二種以上、Ｍは周期律表第IIa族元素のうちの
一種または二種以上）を構成する原料の成形体に、酸化
性雰囲気中にエネルギー密度が0.24ないし0.8W/mm2のレ
ーザビームを40秒ないし30分間照射することよりなるこ
とを特徴とするものである。
発明の作用および効果 本発明の製造方法により、超伝導体を短時間で製造す
ることができる。これにより、ラインでの生産を可能に
するとともに、製造コストを低減することができる。
ることができる。これにより、ラインでの生産を可能に
するとともに、製造コストを低減することができる。
また、被処理材の所望の部位のみの超伝導化を図るこ
とができる。
とができる。
このように、本発明の超伝導体の製造方法により上述
の効果が得られるメカニズムについては、未だ必ずしも
明らかではないが、次のように考えられる。
の効果が得られるメカニズムについては、未だ必ずしも
明らかではないが、次のように考えられる。
すなわち、超伝導体原料の成形体にレーザビームが照
射されると、該原料成形体表面でレーザービームが吸収
され、急激に温度が上昇すると同時に成形体内部に熱が
伝わり、レーザビーム照射時間内に成形体の内部領域ま
でが焼結温度に加熱され、超伝導体原料の分解反応、焼
結反応および周囲を取り巻く雰囲気からの酸素の成形体
内への拡散が促進され、超伝導特性を有する物質を形成
し、短時間で超伝導体が形成されるものと思われる。
射されると、該原料成形体表面でレーザービームが吸収
され、急激に温度が上昇すると同時に成形体内部に熱が
伝わり、レーザビーム照射時間内に成形体の内部領域ま
でが焼結温度に加熱され、超伝導体原料の分解反応、焼
結反応および周囲を取り巻く雰囲気からの酸素の成形体
内への拡散が促進され、超伝導特性を有する物質を形成
し、短時間で超伝導体が形成されるものと思われる。
また、レーザビームの照射により加熱処理を行うの
で、局部を急速加熱することができ、所望部位の超伝導
化を図ることができるものと思われる。
で、局部を急速加熱することができ、所望部位の超伝導
化を図ることができるものと思われる。
本発明の超伝導体の製造方法は、以下の実施態様を採
りうる。
りうる。
本発明において、Ｌ−Ｍ−Cu−Ｏ系超伝導体を構成す
る原料は、Ｌの酸化物、Cuは酸化物およびＭの炭酸塩か
らなるものであることが好ましい。また、この原料から
なる成形体は、原料の粉末をアルコール中で数時間混合
し、乾燥したものを圧粉成形して得られるものであるこ
とが好ましい。
る原料は、Ｌの酸化物、Cuは酸化物およびＭの炭酸塩か
らなるものであることが好ましい。また、この原料から
なる成形体は、原料の粉末をアルコール中で数時間混合
し、乾燥したものを圧粉成形して得られるものであるこ
とが好ましい。
また、超伝導体を構成する原料の成形体に照射するレ
ーザビームとしては、炭酸ガス（CO2）レーザ、YAGレー
ザ等の加工用レーザが適している。
ーザビームとしては、炭酸ガス（CO2）レーザ、YAGレー
ザ等の加工用レーザが適している。
また、超伝導体原料に照射するレーザビームのエネル
ギー密度は、0.24〜0.8W/mm2である。これは、該エネル
ギー密度が0.24W/mm2未満の場合には、超伝導体原料の
分解反応、焼結反応に長時間を要するか、若しくは超伝
導体原料の分解反応、焼結反応が進行しないからであ
る。また、該エネルギ密度が0.8W/mm2を越える場合に
は、超伝導体原料の温度が急速に上昇するため材料に熱
衝撃による割れを生じたり、超伝導体原料の分解反応、
焼結反応の急速な反応により超伝導特性を示すLM2Cu3Ox
（Ｘ＝6.5〜７）をも分解し、レーザ加熱処理して得ら
れた焼結体が超伝導特性を示さないからである。
ギー密度は、0.24〜0.8W/mm2である。これは、該エネル
ギー密度が0.24W/mm2未満の場合には、超伝導体原料の
分解反応、焼結反応に長時間を要するか、若しくは超伝
導体原料の分解反応、焼結反応が進行しないからであ
る。また、該エネルギ密度が0.8W/mm2を越える場合に
は、超伝導体原料の温度が急速に上昇するため材料に熱
衝撃による割れを生じたり、超伝導体原料の分解反応、
焼結反応の急速な反応により超伝導特性を示すLM2Cu3Ox
（Ｘ＝6.5〜７）をも分解し、レーザ加熱処理して得ら
れた焼結体が超伝導特性を示さないからである。
このレーザビームの照射時間は、レーザビームのエネ
ルギー密度と関連しており、エネルギー密度が比較的高
い場合には照射時間は比較的短くてよい。なお、他の条
件によっても異なるが、概ねこのエネルギー密度が0.8W
/mm2程度の場合には約40秒以上の照射時間で加熱処理が
でき、また、エネルギー密度が0.4W/mm2程度の場合には
約80秒以上の照射時間が適している。また、エネルギー
密度が0.24W/mm2程度の場合には、照射時間が20分〜30
分であることが好ましい。この照射時間が60分以上にな
ると、超伝導特性を示すLM2Cu3Ox（Ｘ＝6.5〜７）が分
解し、レーザ加熱処理して得られた焼結体が超伝導特性
を示さないからである。
ルギー密度と関連しており、エネルギー密度が比較的高
い場合には照射時間は比較的短くてよい。なお、他の条
件によっても異なるが、概ねこのエネルギー密度が0.8W
/mm2程度の場合には約40秒以上の照射時間で加熱処理が
でき、また、エネルギー密度が0.4W/mm2程度の場合には
約80秒以上の照射時間が適している。また、エネルギー
密度が0.24W/mm2程度の場合には、照射時間が20分〜30
分であることが好ましい。この照射時間が60分以上にな
ると、超伝導特性を示すLM2Cu3Ox（Ｘ＝6.5〜７）が分
解し、レーザ加熱処理して得られた焼結体が超伝導特性
を示さないからである。
また、レーザ加熱処理の雰囲気としては、酸化性雰囲
気で行う。従って、レーザノズルからシールドガスとし
て酸素を含有するガスを超伝導体原料に吹きつけるか、
酸素を含むガスが充満した容器内で加熱処理を行うこと
が好ましい。
気で行う。従って、レーザノズルからシールドガスとし
て酸素を含有するガスを超伝導体原料に吹きつけるか、
酸素を含むガスが充満した容器内で加熱処理を行うこと
が好ましい。
また、超伝導体を構成する原料の成形体に照射するレ
ーザビームのエネルギー密度が比較的高い場合、例えば
該エネルギー深度が0.8W/mm2程度の場合には、原料成形
体を予め100〜600℃に加熱しておくことが好ましい。こ
れは、予熱することにより、レーザビームの照射時に原
料成形体の割れを防ぐことができるからである。また、
レーザビームによる加熱処理を施す場合、原料成形体は
耐熱レンガ等の比較適断熱性の高い材料におくことによ
り、割れを防ぎ均一な加熱処理を施すことができる。
ーザビームのエネルギー密度が比較的高い場合、例えば
該エネルギー深度が0.8W/mm2程度の場合には、原料成形
体を予め100〜600℃に加熱しておくことが好ましい。こ
れは、予熱することにより、レーザビームの照射時に原
料成形体の割れを防ぐことができるからである。また、
レーザビームによる加熱処理を施す場合、原料成形体は
耐熱レンガ等の比較適断熱性の高い材料におくことによ
り、割れを防ぎ均一な加熱処理を施すことができる。
また、超伝導体を構成する原料の成形体に、レーザビ
ームを照射する際、パターン状に走査することにより、
若しくはレーザビームを透過しないマスクを使用してレ
ーザビームをパターン状に照射することにより、超伝導
体をパターン状に製造することができる。
ームを照射する際、パターン状に走査することにより、
若しくはレーザビームを透過しないマスクを使用してレ
ーザビームをパターン状に照射することにより、超伝導
体をパターン状に製造することができる。
以下に、本発明および実施態様の内容を、具体的に説
明する。
明する。
実施例 先ず、焼成後の組成がYBa2Cu3O6.5となるように超伝
導体原料Y2O3、Ba2CO3、CuOの粉末を用意した。次い
で、この原料粉末をエタノール中で混合し、乾燥した後
に粉砕して粉末状とし、この粉末を直径20mm×厚さ3mm
のペレット状に500kg/cm2の圧力で成形して、原料成形
体を得た。
導体原料Y2O3、Ba2CO3、CuOの粉末を用意した。次い
で、この原料粉末をエタノール中で混合し、乾燥した後
に粉砕して粉末状とし、この粉末を直径20mm×厚さ3mm
のペレット状に500kg/cm2の圧力で成形して、原料成形
体を得た。
次に、この原料成形体（ワーク）に、第１表に示すレ
ーザエネルギー密度、照射時間でCO2レーザを照射して
本実施例の焼結体を得た。この際、使用したレーザのビ
ーム径は直径30mmまたは40mm、シールドガスとしては酸
素を用い、レーザトーチからのガスの流量は25l/min、
サイドシールドノズルからのガスの流量は０、10または
25l/min（第１表に示す）で行った。また、レーザビー
ムのエネルギー密度を0.8W/mm2とした場合には、ワーク
を予め300℃に加熱した。この時の、レーザビームによ
る加熱処理について、第１図を用いて説明する。先ず、
レーザ発振装置１で発生したレーザビーム４は、レーザ
トーチ３内の集光レンズ２により絞られ、ワーク台６上
に置かれたワーク５に照射される。この時、レーザビー
ム４の照射と同時にレーザトーチよりシールドガス７を
吹きつけ、ワーク５の酸素の拡散を促進する。更に、そ
れと同時にサイドシールドノズル９によりサイドシール
ドガス８として酸素をワーク５上に吹きつけ、ワーク５
への酸素の拡散を促進する。この際、ワーク台６は、ワ
ークの急激な温度降下を防止するために耐火レンガを使
用した。
ーザエネルギー密度、照射時間でCO2レーザを照射して
本実施例の焼結体を得た。この際、使用したレーザのビ
ーム径は直径30mmまたは40mm、シールドガスとしては酸
素を用い、レーザトーチからのガスの流量は25l/min、
サイドシールドノズルからのガスの流量は０、10または
25l/min（第１表に示す）で行った。また、レーザビー
ムのエネルギー密度を0.8W/mm2とした場合には、ワーク
を予め300℃に加熱した。この時の、レーザビームによ
る加熱処理について、第１図を用いて説明する。先ず、
レーザ発振装置１で発生したレーザビーム４は、レーザ
トーチ３内の集光レンズ２により絞られ、ワーク台６上
に置かれたワーク５に照射される。この時、レーザビー
ム４の照射と同時にレーザトーチよりシールドガス７を
吹きつけ、ワーク５の酸素の拡散を促進する。更に、そ
れと同時にサイドシールドノズル９によりサイドシール
ドガス８として酸素をワーク５上に吹きつけ、ワーク５
への酸素の拡散を促進する。この際、ワーク台６は、ワ
ークの急激な温度降下を防止するために耐火レンガを使
用した。
得られた焼結体の評価試験を行った。先ず、焼結体の
レーザビーム照射面の電気抵抗値（10mm間隔）をテスタ
にて測定した。この場合、超伝導特性を示すYBa2Cu3Ox
（Ｘ＝6.5〜7.0）は常温でも電気抵抗値が低いので、常
温での抵抗値を測定することにより超伝導体が生成して
いるかどうかが凡そ判定できる。得られた結果を、第１
表に示す。
レーザビーム照射面の電気抵抗値（10mm間隔）をテスタ
にて測定した。この場合、超伝導特性を示すYBa2Cu3Ox
（Ｘ＝6.5〜7.0）は常温でも電気抵抗値が低いので、常
温での抵抗値を測定することにより超伝導体が生成して
いるかどうかが凡そ判定できる。得られた結果を、第１
表に示す。
次に、この焼結体の物質同定を、Ｘ線回折により行っ
た。その結果、第１表に示す。表中、YBa2Cu3Ox（Ｘ＝
6.5〜7.0）の存在が確認されたものを○で、確認されな
かったものを×で示す。
た。その結果、第１表に示す。表中、YBa2Cu3Ox（Ｘ＝
6.5〜7.0）の存在が確認されたものを○で、確認されな
かったものを×で示す。
次に、試験番号８および16について、更に焼結体を長
さ10mm×幅5mm×厚さ1mmに切出し、４端子法で電気抵抗
と温度との関係を測定した。その結果を、第２図に示
す。図中、「Ａ」は試験番号８の結果を、「Ｂ」は試験
番号16の結果をそれぞれ示す。
さ10mm×幅5mm×厚さ1mmに切出し、４端子法で電気抵抗
と温度との関係を測定した。その結果を、第２図に示
す。図中、「Ａ」は試験番号８の結果を、「Ｂ」は試験
番号16の結果をそれぞれ示す。
なお、比較のために、レーザビームのエネルギー密度
または／および照射時間が本発明外のものについて、第
２表に示す条件で同様にして比較用焼結体を作成し、同
様の比較試験を行った。なお、電気抵抗と温度との関係
の測定試験は、試験番号C4およびC11について行った。
その結果を、第２表および第２図に併せて示す。「C4」
は試験番号C4の結果を、「C11」は試験番号C11の結果を
それぞれ示す。
または／および照射時間が本発明外のものについて、第
２表に示す条件で同様にして比較用焼結体を作成し、同
様の比較試験を行った。なお、電気抵抗と温度との関係
の測定試験は、試験番号C4およびC11について行った。
その結果を、第２表および第２図に併せて示す。「C4」
は試験番号C4の結果を、「C11」は試験番号C11の結果を
それぞれ示す。
第１表，第２表および第２図から明らかのごとく、本
実施例にかかる場合には、短時間のレーザ加熱処理によ
り超伝導体が得られることが分かる。
実施例にかかる場合には、短時間のレーザ加熱処理によ
り超伝導体が得られることが分かる。
特に、パワー密度が0.8W/mm2の場合は照射時間が40秒
以上で、パワー密度が0.42W/mm2、パワー密度が0.40W/m
m2の場合は照射時間が80秒以上で、パワー密度が0.24W/
mm2の場合は照射時間320秒以上で超伝導物質が生成して
いることが分かる。また、サイドシールドガスの流量が
異なるときの電気抵抗値を見ると、本実施例における最
大流量の25l/minの時が最も電気抵抗値を下げており、
この条件で行うことが好ましいようである。
以上で、パワー密度が0.42W/mm2、パワー密度が0.40W/m
m2の場合は照射時間が80秒以上で、パワー密度が0.24W/
mm2の場合は照射時間320秒以上で超伝導物質が生成して
いることが分かる。また、サイドシールドガスの流量が
異なるときの電気抵抗値を見ると、本実施例における最
大流量の25l/minの時が最も電気抵抗値を下げており、
この条件で行うことが好ましいようである。
図は、本発明および実施態様の実施例を示し、第１図は
実施例で用いたレーザ加熱処理装置の模式図、第２図は
得られた焼結体の電気抵抗と温度との関係示す線図であ
る。 １…レーザ発振装置、２…集光レンズ ３…レーザトーチ、４…レーザビーム ５…ワーク、６…ワーク台 Ａ…試験番号８ Ｂ…試験番号16 C4…試験番号C4 C11…試験番号C11
実施例で用いたレーザ加熱処理装置の模式図、第２図は
得られた焼結体の電気抵抗と温度との関係示す線図であ
る。 １…レーザ発振装置、２…集光レンズ ３…レーザトーチ、４…レーザビーム ５…ワーク、６…ワーク台 Ａ…試験番号８ Ｂ…試験番号16 C4…試験番号C4 C11…試験番号C11
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−276812（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−292530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−56359（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Ｌ−Ｍ−Cu−Ｏ系超伝導体（Ｌはイットリ
ウム、ランタノイド元素のうち一種または二種以上、Ｍ
は周期律表第IIa族元素のうちの一種または二種以上）
を構成する原料の成形体に、酸化性雰囲気中でエネルギ
ー密度が0.24ないし0.8W/mm2のレーザビームを40秒ない
し30分間照射することよりなり、短時間で超伝導体を製
造することを特徴とする超伝導体の製造方法。 - 【請求項２】Ｌ−Ｍ−Cu−Ｏ系超伝導体を構成する原料
の成形体が、予め800ないし950℃の温度範囲内で仮焼し
たものであることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247013A JP2603482B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247013A JP2603482B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 超伝導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6487547A JPS6487547A (en) | 1989-03-31 |
| JP2603482B2 true JP2603482B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=17157096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62247013A Expired - Lifetime JP2603482B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603482B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2855614B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1999-02-10 | 住友電気工業株式会社 | 超電導回路の形成方法 |
| JPS63276812A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体 |
| JP2590103B2 (ja) * | 1987-05-26 | 1997-03-12 | 株式会社東芝 | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPH0816024B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1996-02-21 | 住友電気工業株式会社 | 超電導材料の製造方法 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP62247013A patent/JP2603482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6487547A (en) | 1989-03-31 |
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