JPS63273371A - 超電導電気回路の製造方法 - Google Patents
超電導電気回路の製造方法Info
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- JPS63273371A JPS63273371A JP62108053A JP10805387A JPS63273371A JP S63273371 A JPS63273371 A JP S63273371A JP 62108053 A JP62108053 A JP 62108053A JP 10805387 A JP10805387 A JP 10805387A JP S63273371 A JPS63273371 A JP S63273371A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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-
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、基板上に酸化物系の超電導導体からなる回路
パターンを形成する超電導電気回路の製造方法に関する
ものである。
パターンを形成する超電導電気回路の製造方法に関する
ものである。
[従来の技術]
近時、常電導状態から超電導状態へ遷移する臨界温度(
Tc)がきわめて高いL a−B a−C u−0系、
Y−S r−C u−0系等のいわゆるA −B −C
u−0系(ただし、AはLa,Ce,Y,Yb,Sc
等のIIla族元素を示し、BはSr,Ba等のアルカ
リ土類金属元素を示す)の酸化物系超電導体が種々発見
されており、さらに、この酸化物系超電導体を基板上に
回路パターンとして形成した電気回路の製造も試みられ
ている。
Tc)がきわめて高いL a−B a−C u−0系、
Y−S r−C u−0系等のいわゆるA −B −C
u−0系(ただし、AはLa,Ce,Y,Yb,Sc
等のIIla族元素を示し、BはSr,Ba等のアルカ
リ土類金属元素を示す)の酸化物系超電導体が種々発見
されており、さらに、この酸化物系超電導体を基板上に
回路パターンとして形成した電気回路の製造も試みられ
ている。
このような酸化物系の超電導電気回路を製造するには、
基板上に上記酸化物系の超電導材料からなる超電導原料
層をスパッタ法等により均一に形成した後、この超電導
原料層の酸化混合物をドライエッヂングあるいはウェッ
トエツチングして所望の回路パターンを形成する方法が
現在のところ実施されている。
基板上に上記酸化物系の超電導材料からなる超電導原料
層をスパッタ法等により均一に形成した後、この超電導
原料層の酸化混合物をドライエッヂングあるいはウェッ
トエツチングして所望の回路パターンを形成する方法が
現在のところ実施されている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記A −B −C u−0系の酸化物
系超電導材料のA:lIla族、B:アルカリ土類等、
あるいはこれらの酸化物のうちにはエツチングの困雌な
元素も含まれているので回路パターンを形成できない場
合があり、このため、エツチングをすることな(確実に
酸化物系の超電導導体からなる回路パターンを形成し得
る電気回路の製造方法が必要とされているのが現状であ
る。
系超電導材料のA:lIla族、B:アルカリ土類等、
あるいはこれらの酸化物のうちにはエツチングの困雌な
元素も含まれているので回路パターンを形成できない場
合があり、このため、エツチングをすることな(確実に
酸化物系の超電導導体からなる回路パターンを形成し得
る電気回路の製造方法が必要とされているのが現状であ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、基板上に、酸化物系超電導材料からなる超電導原
料層を形成し、この超電導原料層に対して製造すべき7
I!流回路と同一軌跡を描くように加熱ビームを照射す
ることにより熱処理を施して回路パターンを形成するこ
とを特徴としており、前記加熱ビームとしてはたとえば
レーザビームを用いる方法とする。
って、基板上に、酸化物系超電導材料からなる超電導原
料層を形成し、この超電導原料層に対して製造すべき7
I!流回路と同一軌跡を描くように加熱ビームを照射す
ることにより熱処理を施して回路パターンを形成するこ
とを特徴としており、前記加熱ビームとしてはたとえば
レーザビームを用いる方法とする。
さらに本発明の詳細な説明するならば、まず、L a−
B a−Cu−0系等の酸化物系超電導材料を、各元素
が所定の組成比になるよう混合した後、これをAlto
s等からなる基板上に、スパッタ法等により所定厚さに
形成して超電導原料層を形成する。
B a−Cu−0系等の酸化物系超電導材料を、各元素
が所定の組成比になるよう混合した後、これをAlto
s等からなる基板上に、スパッタ法等により所定厚さに
形成して超電導原料層を形成する。
次に、この超電導原料層の上に、所望の回路パターンと
同一軌跡となり得るように、加熱ビーム(レーザビーム
、電子ビーム、集光ビーム等)を該加熱ビームあるいは
基板を移動さ仕ながら照射する。
同一軌跡となり得るように、加熱ビーム(レーザビーム
、電子ビーム、集光ビーム等)を該加熱ビームあるいは
基板を移動さ仕ながら照射する。
これにより超電導原料層の加熱ビームが照射された部分
は、熱処理が施されて超電導特性を発揮し得る特定の結
晶構造を有することになり、導体(回路パターン)とな
る。また、超電導原料層の加熱ビームが照射されなかっ
た部分は、導体とはなり得す絶縁体として機能する。
は、熱処理が施されて超電導特性を発揮し得る特定の結
晶構造を有することになり、導体(回路パターン)とな
る。また、超電導原料層の加熱ビームが照射されなかっ
た部分は、導体とはなり得す絶縁体として機能する。
以上により超電導導体が回路パターンとされた電気回路
を得る。
を得る。
ここで、上記酸化物系超電導材料としてL aの代わり
に、Y 、Sc、C:e、Pr、Nd、Pm、Eu、G
d、Tb。
に、Y 、Sc、C:e、Pr、Nd、Pm、Eu、G
d、Tb。
D y、 Ho、 E r、 T m、Yb、 L u
等のI[la族元素の1種以上、また、Baの代わりに
、Sr、Be、Mg、Ra等のアルカリ土類金属元素の
1種以上が用いられた酸化物系のものを適用してもよい
。
等のI[la族元素の1種以上、また、Baの代わりに
、Sr、Be、Mg、Ra等のアルカリ土類金属元素の
1種以上が用いられた酸化物系のものを適用してもよい
。
また、用いられる基板材料としては上記AI*Osの他
に、Ti5rOs、あるいはSi、GaAs等があげら
れる。
に、Ti5rOs、あるいはSi、GaAs等があげら
れる。
さらに、超電導原料層を形成する方法としては、上記ス
パッタ法の他に、原料粉末を加圧焼成する方法や、蒸着
法、MBE法、CVD法等によっても実施し得る。
パッタ法の他に、原料粉末を加圧焼成する方法や、蒸着
法、MBE法、CVD法等によっても実施し得る。
このような超電導電気回路の製造方法によれば、基板上
に超電導導体からなる回路パターンを形成するにあたり
、従来のようにエツチングを施す方法ではなく、基板上
に形成された超電導原料層に対し、加熱ビームを、製造
すべき回路パターンと同一軌跡を描くよう照射するだけ
なので、回路パターンを確実に形成し得、容易に超電導
電気回路を得ることができる。
に超電導導体からなる回路パターンを形成するにあたり
、従来のようにエツチングを施す方法ではなく、基板上
に形成された超電導原料層に対し、加熱ビームを、製造
すべき回路パターンと同一軌跡を描くよう照射するだけ
なので、回路パターンを確実に形成し得、容易に超電導
電気回路を得ることができる。
[実施例]
次に、本発明の一実施例を第1図ないし第3図を参照し
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
まず、SrO,YtO3、Cu1tの原料粉末の混合物
からなるターゲットを用い、スパッタ法によって、第1
図に示すように、径が2インチで所定厚さ寸法を有する
円板状のサファイア製基板lの上に、上記原料からなる
薄膜状の超電導原料層2を形成しウェハ3を得る。ここ
で成膜した超電導原料層2の組成は、B ao、aY
0.4Cuo aであり、膜厚は1μmであった。この
時点で、超電導原料層2の結晶構造は層状のペロブスカ
イト構造とはなっていない。
からなるターゲットを用い、スパッタ法によって、第1
図に示すように、径が2インチで所定厚さ寸法を有する
円板状のサファイア製基板lの上に、上記原料からなる
薄膜状の超電導原料層2を形成しウェハ3を得る。ここ
で成膜した超電導原料層2の組成は、B ao、aY
0.4Cuo aであり、膜厚は1μmであった。この
時点で、超電導原料層2の結晶構造は層状のペロブスカ
イト構造とはなっていない。
次に、第2図に示すビーム装置Aを用い、以下のように
超電導原料層2に対し回路パターンを形成する。
超電導原料層2に対し回路パターンを形成する。
まず、ウェハ3を、超電導原料層2を上にして石英製チ
ャンバ4内部にセットされたX−Y移動ステージ5の上
に置く。
ャンバ4内部にセットされたX−Y移動ステージ5の上
に置く。
次に、COtレーザを、COtレーザ源6からテレスコ
ープ7を通しGeミラー8に反射させ、さらに、石英チ
ャンバ4の天井に設けられたZn5eの窓9を通して超
電導原料層2に照射する。そして、製造すべき回路パタ
ーンが超電導原料層2の上に描かれるように、CO,レ
ーザの照射を断続的に行なうと同時に、X−Yステージ
5を適宜移動させる。なお、このときガス供給口lOよ
りAr+0.ガスを石英チャンバ4内に送り込み、石英
チャンバ4内部をA r+ O*ガス雰囲気としておく
。
ープ7を通しGeミラー8に反射させ、さらに、石英チ
ャンバ4の天井に設けられたZn5eの窓9を通して超
電導原料層2に照射する。そして、製造すべき回路パタ
ーンが超電導原料層2の上に描かれるように、CO,レ
ーザの照射を断続的に行なうと同時に、X−Yステージ
5を適宜移動させる。なお、このときガス供給口lOよ
りAr+0.ガスを石英チャンバ4内に送り込み、石英
チャンバ4内部をA r+ O*ガス雰囲気としておく
。
COtレーザ源らは出力が15Wで、図示しないCd
′r eの変調器によりその出力を調整することができ
、さらに、このCOt レーザ源6から照射されたCO
,レーザのスポットサイズは、テレスコープ7により2
0μm=1mmまで変化さけることができるようになっ
ている。そして、ここでは、出力8.3W、スポット4
0μmで、かつ超電導原料層2の表面温度が850°C
になる上うに温度調整して超電導層2に照射した。
′r eの変調器によりその出力を調整することができ
、さらに、このCOt レーザ源6から照射されたCO
,レーザのスポットサイズは、テレスコープ7により2
0μm=1mmまで変化さけることができるようになっ
ている。そして、ここでは、出力8.3W、スポット4
0μmで、かつ超電導原料層2の表面温度が850°C
になる上うに温度調整して超電導層2に照射した。
これによって、超電導原料R2のCO,レーザが照射さ
れた部分は、加熱されて結晶構造が層状ペロブスカイト
構造をなし、超電導導体となって回路パターンとなる。
れた部分は、加熱されて結晶構造が層状ペロブスカイト
構造をなし、超電導導体となって回路パターンとなる。
第3図は上記方法によって得られた電気回路を示し、1
1が回路パターンである。
1が回路パターンである。
この電気回路の回路パターンItの臨界温度(T c)
は、測定の結果95にであった。また、超電導原料層2
のCOtレーザが照射されなかった残りの部分は、超電
導特性を示さず、また電気抵抗値も高く絶縁体として機
能するものであった。
は、測定の結果95にであった。また、超電導原料層2
のCOtレーザが照射されなかった残りの部分は、超電
導特性を示さず、また電気抵抗値も高く絶縁体として機
能するものであった。
このように製造された上記電気回路は、ノヨセフソン素
子としてコンピュータの回路中へ設けられたり、あるい
はトランジスタのゲートとして用いられる。
子としてコンピュータの回路中へ設けられたり、あるい
はトランジスタのゲートとして用いられる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の超電導電気回路の製造方
法によれば、基板上に超電導導体からなる回路パターン
を形成するにあたり、従来のようにエツチングを施す方
法ではなく、基板上に超電導原料層を形成し、この超電
導原料層に対し、レーザビーム等の加熱ビームを製造す
べき回路パターンと同一軌跡を描くよう照射して熱処理
を施すだけなので、確実に回路パターンを形成すること
ができ、容易に超電導電気回路を得ることができるとい
う効果を奏する。
法によれば、基板上に超電導導体からなる回路パターン
を形成するにあたり、従来のようにエツチングを施す方
法ではなく、基板上に超電導原料層を形成し、この超電
導原料層に対し、レーザビーム等の加熱ビームを製造す
べき回路パターンと同一軌跡を描くよう照射して熱処理
を施すだけなので、確実に回路パターンを形成すること
ができ、容易に超電導電気回路を得ることができるとい
う効果を奏する。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例を示す図であり
、第1図は製造途中の電気回路の側面図、第2図はビー
ム装置の斜視図、第3図は実施例の方法によって得られ
た電気回路の斜視図である。 1・・・・・・基板、 2・・・・・超電導原料層、 ++・・・・・・回路パターン、 A・・・・・ビーム装置。
、第1図は製造途中の電気回路の側面図、第2図はビー
ム装置の斜視図、第3図は実施例の方法によって得られ
た電気回路の斜視図である。 1・・・・・・基板、 2・・・・・超電導原料層、 ++・・・・・・回路パターン、 A・・・・・ビーム装置。
Claims (2)
- (1)基板上に、酸化物系超電導材料からなる超電導原
料層を形成し、この超電導原料層に対して製造すべき電
流回路と同一軌跡を描くように加熱ビームを照射するこ
とにより熱処理を施して回路パターンを形成することを
特徴とする超電導電気回路の製造方法。 - (2)前記加熱ビームはレーザビームであることを特徴
とする前記特許請求の範囲第1項記載の超電導電気回路
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62108053A JPS63273371A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超電導電気回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62108053A JPS63273371A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超電導電気回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63273371A true JPS63273371A (ja) | 1988-11-10 |
Family
ID=14474722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62108053A Pending JPS63273371A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超電導電気回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63273371A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01144689A (ja) * | 1987-03-30 | 1989-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導回路の形成方法 |
JPH04134881A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH04134880A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子およびその作製方法 |
JPH04134886A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH04168781A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH07142777A (ja) * | 1991-04-01 | 1995-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物超電導材料の作製方法 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP62108053A patent/JPS63273371A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01144689A (ja) * | 1987-03-30 | 1989-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導回路の形成方法 |
JPH04134881A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH04134880A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子およびその作製方法 |
JPH04134886A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH04168781A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
JPH07142777A (ja) * | 1991-04-01 | 1995-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物超電導材料の作製方法 |
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