DE3701343A1

DE3701343A1 - Verfahren zur montage eines lsi- bzw. ic-bausteins auf einer verdrahtungsunterlage

Info

Publication number: DE3701343A1
Application number: DE19873701343
Authority: DE
Inventors: Ichirou Kohara; Kazuhito Ozawa
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1986-01-22
Filing date: 1987-01-19
Publication date: 1987-07-23
Also published as: US4779338A; JPS62169434A; JPH0455334B2; DE3701343C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage eines LSI- Schaltkreises (großintegrierten Schaltkreises) bzw. IC-Bau steins auf einer Verdrahtungsunterlage durch Warmpressen.

Ein herkömmliches Verfahren zur Montage eines LSI-Bausteins auf einer Verdrahtungsunterlage, beispielsweise auf einer Unterlage mit einer Schichtschaltung oder einer gedruckten Schaltung enthält, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, einen Verfahrensschritt, bei welchem die Anschlüsse des LSI-Bau steins "b" auf der Verdrahtungsunterlage "a", auf welcher ein Schaltungsmuster gebildet ist, aufgebracht werden, einen weiteren Verfahrensschritt, bei welchem die Anschlüsse mit einem Filmstreifen "d" der mit einer Wärmeversiegelung "c" versehen ist, abgedeckt werden und einen abschließenden Ver fahrensschritt, bei welchem der Filmstreifen "d" warmgepreßt wird. Bei einem anderen herkömmlichen Verfahren werden die Anschlüsse des LSI-Bausteins "b" an der Verdrahtungsunter lage "a" mit einem Harz "e" gebunden, wie es in Fig. 6 dar gestellt ist.

Bei den bekannten Verfahren wird folgendes in Kauf genommen. Beim Warmpressen besteht die Gefahr, daß das Wärmeversiege lungsmittel "c" auf dem Filmstreifen "d" in die Verbindungs stelle zwischen dem LSI-Baustein "b" und dem Leitungsmuster auf der Unterlage "a" fließt, wodurch eine Beeinträchtigung des Isolationsverhaltens sich ergeben kann. Ferner erfordert dieses Verfahren hohe Materialkosten aufgrund der Verwendung des Filmstreifens "d", der mit dem Wärmeversiegelungsmittel "c" versehen ist. Das zweite Verfahren ist dadurch beein trächtigt, daß zur Aushärtung des Harzes "e" eine relativ lange Zeit erforderlich ist und daß das Harz einen relativ großen Raumbedarf hat, wodurch eine Montage mit hoher Dichte behindert ist.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Monta ge eines LSI- bzw. IC-Bausteins zu schaffen, bei dem eine Ver ringerung des Materialaufwands und der damit verbundenen Kosten und der Bearbeitungszeit erreicht wird. Es werden ein Wärme versiegelungsmittel und Anschlüsse eines LSI-Bausteins auf dem Leitungsmuster einer Verdrahtungsunterlage angeordnet und durch einen Filmstreifen, der das Wärmeversiegelungsmittel und die Anschlüsse überdeckt, warmgepreßt.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merk male gelöst.

Weitere Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Die im folgenden beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele dienen ledig lich zur Erläuterung der Erfindung. Im Rahmen des Erfindungs gedankens sind verschiedene Ausführungsformen und Modi fikationen möglich, wie auch aus der folgenden Beschreibung hervorgeht.

Zur Lösung obiger Aufgabe werden bei der Montage des Bau steins auf einer Verdrahtungsunterlage durch Warmpressen erfindungsgemäß die Anschlüsse des LSI- bzw. IC-Bausteins auf ein Wärmeversiegelungsmittel aufgelegt, das über das Leitungs muster auf die Verdrahtungsunterlage gedruckt ist, anschlie ßend ein Filmstreifen über die gesamte oder einen Teil der Oberfläche des LSI-Bausteins gelegt, wobei die Anschlüsse erfaßt sind und schließlich ein Warmpreßvorgang über dem Filmstreifen durchgeführt wird.

Die Erfindung wird im einzelnen in der folgenden Beschreibung anhand der beiliegenden Figuren, welche zur Erläuterung die nen, noch näher beschrieben. Es zeigt:

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines Ausfüh rungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 2 in einer schnittbildlichen Darstellung von vorne ein Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 3 in einer schnittbildlichen Darstellung eine Anwendungsform der Erfindung;

Fig. 4 eine weitere Anwendungsform der Erfindung und

Fig. 5 und 6 schnittbildliche Darstellungen herkömmlicher Anordnungen.

In der Fig. 1 ist ein Verfahren zur Montage eines LSI-Schalt kreises bzw. -bausteins (großintegrierter Schaltkreis) als Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Eine Verdrah tungsunterlage 1 besitzt ein Leitungsmuster 3 aus Kohle fadenkitt, das auf einem Polyesterfilm 2 aufgedruckt ist. Ferner wird auf die Verdrahtungsunterlage ein Wärmeversiege lungsmittel 4 aus einer anisotropen leitfähigen Paste in einem bestimmten Muster aufgedruckt, das das Leitungsmuster 3 bedeckt. Bei der Montage des LSI-Schaltkreises wird ein LSI-Baustein 5 auf die Verdrahtungsunterlage 1 aufgesetzt, so daß die Anschlüsse 6 des LSI-Bausteins 5 in einer be stimmten Stellung auf dem Wärmeversiegelungsmittel 4 angeord net sind. Anschließend wird ein Filmstreifen 7 aus einem Polyestermaterial über den LSI-Baustein 5 gelegt, wobei die Anschlüsse 6 auf der Verdrahtungsunterlage 1 erfaßt sind. Dann wird ein Warmpreßvorgang am Filmstreifen 7 durchgeführt, wobei, wie in Fig. 2 dargestellt ist, eine Warmpreßvorrich tung 8 verwendet wird. Dabei wird eine Verbindung der An schlüsse 6 des LSI-Bausteins 5 mit der Verdrahtungsunterlage 1 gleichzeitig mit dem dichten Einbau des LSI-Bausteins 5 durch den Filmstreifen 7 erreicht. Der Filmstreifen 7 schützt nicht nur die Verbindung zwischen den Anschlüssen 6 des LSI- Bausteins und der Verdrahtungsunterlage 1, sondern verhindert auch, daß das Wärmeversiegelungsmittel 4 am Siliciumkopf der Warmpreßvorrichtung 8 festklebt.

Die Fig. 3 zeigt eine schnittbildliche Darstellung des LSI- Bausteins, der mit dem oben beschriebenen Verfahren an der Verdrahtungsunterlage montiert worden ist. Der Filmstreifen besitzt eine Öffnung und bedeckt lediglich am Umfang des LSI-Bausteins 5 einen Randbereich sowie die Anschlüsse 6.

Der Filmstreifen kann jedoch auch über die gesamte Oberfläche des LSI-Bausteins, einschließlich der Anschlüsse, vor dem Warmpressen gelegt sein.

Die Fig. 4 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel, bei welchem die Verdrahtungsfilmunterlage für die Verwendung bei einer Tastenfeldschaltung gefaltet ist. Bei diesem Ausführungs beispiel wird die Unterlage so gefaltet, daß eine Verdrah tungsfilmunterlage 12 über einer Unterlage 11, an welcher der LSI-Baustein 5 befestigt ist, liegt. Der Teil der Unterlage 12, welcher kein gedrucktes Leitungsmuster aufweist, wird zum dichten Verpacken des LSI-Bausteins 5 verwendet. Die Un terlage 12 wird über die Unterlage 11 gefaltet, so daß der Teil 13 der Unterlage 12 das Wärmeversiegelungsmittel 4 und die Anschlüsse 6 des LSI-Bausteins auf der Unterlage 11 über deckt. Am Teil 13 der als Substratfilm ausgebildeten Unterla ge 12 wird der Warmpreßvorgang durchgeführt. Hierdurch wird der Bearbeitungsvorgang verbessert und Material eingespart.

Der LSI-Schaltkreis (großintegrierter Schaltkreis) kann auch einen IC-Schaltkreis (integrierten Schaltkreis) mitumfassen.

Aus der obigen Erläuterung ergibt sich, daß das Wärmeversie gelungsmittel und die Anschlüsse des LSI-Bausteins auf dem Schaltungsmuster der Verdrahtungsunterlage durch einen Film streifen bedeckt sind und durch den Filmstreifen warmgepreßt sind, so daß Materialkosten und Arbeitszeit verringert wer den. Ferner wird bei der Erfindung verhindert, daß das Wärme versiegelungsmittel während des Warmpreßvorgangs fließt. Man erreicht eine hohe Montagedichte.

Claims

Verfahren zur Montage eines LSI- bzw. IC-Bausteins auf einer Verdrahtungsunterlage durch Warmpressen, dadurch ge kennzeichnet, daß die Anschlüsse des LSI- bzw. IC-Bausteins auf ein Wärmeversiegelungsmittel, das auf das Leitungs muster der Verdrahtungsunterlage aufgedruckt ist, aufgelegt werden, daß die gesamte Oberfläche oder ein Teil der Ober fläche des LSI- bzw. IC-Bausteins einschließlich seiner An schlüsse mit einem Filmstreifen abgedeckt werden und daß auf den Filmstreifen der Wärmpreßvorgang zur Anwendung gebracht wird.