DE3634760A1 - Dynamische direktzugriffspeichervorrichtung - Google Patents
Dynamische direktzugriffspeichervorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine dynamische Direktzugriffspeichervorrichtung
nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1
und 3.
Eine Lösung zur Steigerung der Betriebsgeschwindigkeit
einer dynamischen Direktzugriffspeichervorrichtung (nachstehend
DRAM genannt) ist ein DRAM mit statischen Spalten
("static column DRAM"), wie er in der japanischen Zeitschrift
Nikkei Electronics, 1983, Band 9, Nr. 12, Seiten
153 bis 174, beschrieben ist.
Sobald bei einem derartigen DRAM mit statischen Spalten
die Zeilenadresse einmal in dem Chip mittels eines Zeilenadressen-
Abtastsignals (nachstehend -Signal genannt)
gespeichert ist, ist ein Zugriff mit hoher Geschwindigkeit
zu derjenigen Zeile (deren Zeilenadresse in den Adressenspeicher
eingegeben wurde) mit hoher Geschwindigkeit wie
bei einem statischen RAM in Abhängigkeit von einer Zeilenadresse
möglich, und der DRAM mit statischer Spalte benötigt
kein Spaltenadressen-Abtastsignal (nachstehend -
Signal genannt), wie es ein herkömmlicher DRAM benötigt.
Die Spaltenkreise des DRAM mit statischen Spalten werden
daher automatisch nach Abschluß der Zeilenkreisoperation
aktiviert (eingeschaltet), die durch den Abfall bzw. Übergang
des -Signals auf "0" ausgelöst wurde. Um zeitliche
Einschränkungen während des Betriebs zu vermeiden, ist
im allgemeinen dafür gesorgt, daß nach Auslösung einer
Folge von Operationen in einem Speicherzyklus durch den
Abfalls des -Signals auf "0" die Speicheroperationen
erst am Ende unterbrochen werden, selbst wenn das -Signal
in der Mitte der Operationen auf "1" ansteigt. Ein
Beispiel eines bekannten DRAM mit statischen Spalten ist
in Fig. 1 dargestellt. Er hat eine Speicherzellenanordnung
1 aus mehreren Speicherzellen MC, die in Zeilen und Spalten
in Form einer Matrix angeordnet sind, einen Zeilendecodierer 2
zum Anwählen der Wortleitungen WL, einen Zeilenadressenpuffer
3, eine Reihe von Leseverstärkern 4,
die die aus den Speicherzellen auf die jeweiligen Bitleitungen
BL ausgelesenen Informationen verstärken, ein Eingabe/
Ausgabe-Tor 5, einen Spaltendecodierer 6, einen Spaltenadressenpuffer
7, einen Datenausgabepuffer 8, einen
Dateneingabepuffer 9, eine Zeilenzeitgebersteuerschaltung
10, eine Schreibsteuerschaltung 11, eine Ausgabesteuerschaltung
12, eine Umkehrstufe 21 (NICHT-Glied) und ein
ODER-Glied 22.
Mit ist das -Signal bezeichnet. Mit und ist
jeweils ein Schreibsignal und ein Chipwählsignal bezeichnet.
Diese Steuersignale werden von außen zugeführt. Φ RAS
bezeichnet ein internes RAS-(row address strobe = Zeilenadressenabtastsignal)-
Taktsignal. Φ RA bezeichnet ein Taktsignal
zum Verriegeln bzw. Speichern der Zeilenadresse
in dem Zeilenadressenpuffer 3. Φ WL bezeichnet ein Taktsignal
zum Aktivieren (Einschalten) der Wortleitung, die
durch den Zeilendecodierer 2 gewählt wurde. Φ SA ist ein
Taktsignal zum Aktivieren der Leseverstärker 4. Φ REF bezeichnet
ein Taktsignal, das anzeigt, das gerade eine Auffrischungsoperation
durchgeführt wird. Φ CE bezeichnet ein
Taktsignal zur Aktivierung der Spaltenkreise. Φ WR bezeichnet
ein Taktsignal zur Schreibsteuerung. Φ WC bezeichnet
ein Taktsignal, das anzeigt, daß gerade eine Schreiboperation
durchgeführt wird. Φ OE ist ein Taktsignal zur Ausgabesteuerung.
Nachstehend werden die Operationen des in Fig. 1 dargestellten
Speichers anhand von Fig. 2 beschrieben. Im Zeitpunkt
t 1 fällt das -Signal auf "0" ab. Das Taktsignal
Φ RAS und dann die TaktsignaleΦ REF und Φ RA steigen auf
"1" an. Die Zeilenadresse wird im Zeilenadressenpuffer 3
gesspeichert, und dann erfolgt die Decodierung durch den
Zeilendecodierer 2. Nach Durchführung der Decodierung
steigt das Taktsignal Φ WL an, und die durch die Zeilenadresse
bestimmte Wortleitung wird aktiviert. Die in den
mit der gewählten Wortleitung verbundenen Speicherzellen
gespeicherte Information wird auf die Bitleitungen BL ausgelesen,
wonach das Taktsignal Φ SA auf "1" ansteigt, so
daß die Leseverstärker 4 mit der Auffrischung der Information
beginnen.
Im Zeitpunkt t 2 ist die Auffrischung beendet. Dann fällt
das Taktsignal Φ REF auf "0" ab, und das Taktsignal Φ CE
steigt gleichzeitig auf "1" an. Wie Fig. 1 zeigt, ist das
Taktsignal Φ RAS die logische Summe (ODER-Verknüpfung) der
Umkehrung des -Signals und der Taktsignale Φ REF und
Φ WC. Infolgedessen wird durch den Anstieg des Taktsignals
Φ REF auf "1" (da das -Signal "0" ist) die Auffrischungsoperation
selbst dann beendet, wenn das -Signal
vor dem Zeitpunkt t 2 auf "1" ansteigt, wie es durch die
ausgezogenen Linien in Fig. 2 dargestellt ist. Wenn das
-Signal bis zum Zeitpunkt t 3 auf "0" gehalten wird,
d. h. nach t 2, wie es durch die gestrichelten Linien in
Fig. 2 dargestellt ist, wird die Zuführung des -Signals
und des -Signals aufrechterhalten, so daß Lese/Schreib-
Operationen durchgeführt werden können (was nicht dargestellt
ist).
Bei dem bekannten Speicher wird das Taktsignal Φ CE zur
Aktivierung der Spaltenkreise durch den das Ende der Auffrischungsoperation
anzeigenden Abfall des Taktsignals
Φ REF ausgelöst. Während eines -Nur-Auffrischungszyklus,
in dem nur die Auffrischung erforderlich ist und die Spaltenkreise
nicht in Betrieb zu sein brauchen, tritt daher
eine Zeitspanne (Periode) auf, in der das Taktsignal Φ CE
"1" ist. Während dieser Zeitspanne wird in den Spaltenkreisen
unnötig Energie verbraucht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Direktzugriffspeichervorrichtung
der gattungsgemäßen Art anzugeben,
bei der der unnötige Energieverbrauch in -Nur-Auffrischungszyklen
vermieden wird, so daß sich eine DRAM-
Vorrichtung mit geringerem Energieverbrauch ergibt.
Lösungen dieser Aufgabe sind in den Ansprüchen 1 und 3
gekennzeichnet.
Insbesondere ist eine Zeitgebersteuerschaltung vorgesehen,
die ein RS-Flipflop aufweist, das durch eine logische Verknüpfung
(UND) des Taktsignals, das das Ende eines Auffrischungszyklus
darstellt, und des -Signals oder seiner
Umkehrung gesetzt wird, und die ein Taktsignal zur
Aktivierung der Spaltenkreise erzeugt.
Da das Taktsignal zur Aktivierung der Spaltenkreise durch
ein RAS-Flipflop erzeugt wird, das durch die logische Verknüpfung
des das Ende des Auffrischungszyklus darstellenden
Signals und des -Signals oder seiner Umkehrung ausgelöst
wird, werden die Spaltenkreise nicht während eines
-NUR-Auffrischungszyklus aktiviert, wenn das -Signal
vor dem Ende der Auffrischungsoperation auf "1" ansteigt
und dadurch anzeigt, daß es sich um den -NUR-Auffrischungszyklus
handelt.
Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines bekannten DRAM mit statischen
Spalten,
Fig. 2 ein Zeitdiagramm, das die Operationen des DRAM nach
Fig. 1 darstellt,
Fig. 3 ein Blockschaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
eines erfindungsgemäßen DRAM mit statischen
Spalten und
Fig. 4 ein Zeitdiagramm, das die Operationen des DRAM nach
Fig. 3 zeigt.
Die Erfindung und ihre Weiterbildungen werden nachstehend
anhand der Fig. 3 und 4 näher beschrieben.
In Fig. 3 bezeichnen die Bezugszahlen 1 bis 12, 21 und
22 gleiche oder ähnliche Bauteile wie die in Fig. 1 dargestellten.
In ähnlicher Weise bezeichnen die Bezugszeichen
an den Signalen und Taktsignalen die gleichen oder
ähnlichen Signale oder Taktsignale wie die in Fig. 1.
Erfindungsgemäß ist ein RS-Flipflop 13 vorgesehen und mit
seinem Setzeingang am Ausgang eines UND-Gliedes 23 angeschlossen,
dem die Umkehrung (RAS) des -Signals und
des das Ende der Auffrischungsoperation darstellenden
Taktsignals Φ ER zugeführt werden. Mit anderen Worten, das
RS-Flipflop 13 wird durch die logische Verknüpfung der
Umkehrung des -Signals und des Taktsignals Φ ER gesetzt.
Der Rücksetzeingang des RS-Flipflop 13 ist mit dem Ausgang
einer Umkehrstufe 24 verbunden, der das Taktsignal
Φ RAS zugeführt wird, so daß das RS-Flipflop 13 durch die
Umkehrung des Taktsignals Φ RAS zurückgesetzt wird. Die
Schaltungen 10-13 und 21-24 bilden zusammen eine Zeitgebersteuerschaltung
20, die die Zeilenkreise und die
Spaltenkreise derart steuert, daß die Speicheroperationen
beendet werden, wenn das Zeilenadressenabtastsignal vor
dem Ende der Auffrischungsoperation verschwindet, und daß
die Speicheroperationen fortgesetzt werden, wenn das Zeilenadressenabtastsignal
am Ende der Auffrischungsoperation
weiterhin zugeführt wird.
Fig. 4 zeigt Operationen des Speichers nach Fig. 3. Die
Operationen vom Zeitpunkt t 1, wenn das -Signal auf "0"
abfällt, bis zu dem Zeitpunkt, in dem das Taktsignal Φ SA
zur Aktivierung der Leseverstärker 4 auf "1" ansteigt,
sind denen des bekannten Speichers nach Fig. 1 ähnlich.
Wenn die Leseverstärker 4 die Auffrischung im Zeitpunkt
t 2 beenden, steigt das Taktsignal Φ ER auf "1" an, so daß
das Taktsignal Φ REF auf "0" abfällt.
Wenn das -Signal vor dem Zeitpunkt t 2, d. h. vor dem
Anstieg des Taktsignals Φ ER, auf "1" ansteigt, wie es in
Fig. 4 durch die ausgezogene Linie dargestellt ist, wird
das Ausgangssignal des UND-Gliedes 23 (das Setzsignal für
das RS-Flipflop 13) nicht erzeugt, so daß das Taktsignal
Φ CE auf "0" gehalten wird und die Speicheroperationen abgeschlossen
werden, während die Spaltenkreise inaktiv gehalten
werden.
In einem -NUR-Auffrischungszyklus steigt daher das -
Signal vor dem Zeitpunkt t 2 auf "1" an, so daß der Zyklus
beendet wird, ohne daß die Spaltenkreise aktiviert werden.
Wenn das -Signal nach dem Zeitpunkt t 2 bis zum Zeitpunkt
t 3 auf "0" gehalten wird, wie es durch die gestrichelte
Linie in Fig. 4 dargestellt ist, steigt das Ausgangssignal
des UND-Gliedes 23 auf "1" an, wenn das Taktsignal
Φ ER auf "1" ansteigt. Das RS-Flipflop 13 wird daher
(etwa zum Zeitpunkt t 2) gesetzt, so daß das Taktsignal
Φ CE auf "1" ansteigt. Die Lese/Schreib-Operationen können
während der Zeit von t 2 bis t 3 durchgeführt werden. Das
RS-Flipflop 13 wird zurückgesetzt, wenn das Taktsignal
Φ RAS auf "0" abfällt.
Erfindungsgemäß werden daher, wenn das Zeilenadressen-
Abtastsignal vor dem Ende der Auffrischungsoperation weggenommen
wird bzw. verschwindet, die Speicheroperationen
beendet und die Spaltenkreise nicht aktiviert. Der Energieverlust,
der bei dem bekannten Speicher im Auffrischungszyklus
auftritt, wird daher vermieden.
Claims (7)
1. Dynamische Direktzugriffspeichervorrichtung mit statischen
Spalten, bei der Speicheroperationen, einschließlich
einer Auffrischungsoperation, in Abhängigkeit von einem
Zeilenadressen-Abtastsignal ausgelöst werden und die Auffrischungsoperation
zur Verstärkung und erneuten Einschreibung
der Information der ausgewählten Speicherzelle
nicht eher unterbrochen wird, als bis sie beendet ist,
nachdem sie durch die Zuführung des Zeilenadressen-Abtastsignals
ausgelöst wurde, selbst wenn das Zeilenadressen-
Abtastsignal danach weggenommen wird,
gekennzeichnet durch
eine Zeitgeberschaltung, die Taktsignale zum Steuern der
Zeilenkreise und der Spaltenkreise erzeugt, um die Speicheroperationen
zu beenden, wenn das Zeilenadressen-Abtastsignal
vor dem Ende der Auffrischungsoperation weggenommen
wurde, und um die Fortsetzung der Lese/Schreib-
Speicheroperationen zu veranlassen, wenn das Zeilenadressen-
Abtastsignal am Ende der Auffrischungsoperation weiterhin
zugeführt wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zeitgeberschaltung aufweist:
eine Zeilenzeitgeberschaltung, die ein Taktsignal zur Aktivierung der Reihenkreise und ein das Ende der Auffrischungsoperation darstellendes Signal erzeugt, und
ein RS-Flipflop, das durch ein Signal ausgelöst wird, das die logische Verknüpfung des das Ende der Auffrischungsoperation darstellenden Signals mit dem Zeilenadressen- Abtastsignal oder seiner Umkehrung darstellt, um ein Taktsignal zur Aktivierung der Spaltenkreise zu erzeugen.
eine Zeilenzeitgeberschaltung, die ein Taktsignal zur Aktivierung der Reihenkreise und ein das Ende der Auffrischungsoperation darstellendes Signal erzeugt, und
ein RS-Flipflop, das durch ein Signal ausgelöst wird, das die logische Verknüpfung des das Ende der Auffrischungsoperation darstellenden Signals mit dem Zeilenadressen- Abtastsignal oder seiner Umkehrung darstellt, um ein Taktsignal zur Aktivierung der Spaltenkreise zu erzeugen.
3. Dynamische Direktzugriffspeichervorrichtung mit statischen
Spalten, die aufweist:
mehrere Speicherzellen, die in Zeilen und Spalten in Form einer Matrix angeordnet sind, wobei die Zeilen aus Speicherzellen bestehen, die mit den jeweiligen Wortleitungen gekoppelt sind, und die Spalten aus Speicherzellen bestehen, die mit den jeweiligen Bitleitungen gekoppelt sind,
mit den Wortleitungen gekoppelte Zeilenkreise,
mit den Bitzeilen gekoppelte Spaltenkreise,
eine Zeitgebersteuerschaltung, die in Abhängigkeit von einem Zeilenadressen-Abtastsignal Taktsignale zur Steuerung der Zeilenkreise und der Spaltenkreise zum Auslösen von Speicheroperationen, einschließlich einer Auffrischungsoperation und einer Lese/Schreib-Operation, erzeugt, wobei die Zeitgebersteuerschaltung die Fortsetzung der Auffrischungsoperation bis zu ihrem Ende bewirkt, nachdem sie durch das Zeilenadressen-Abtastsignal einmal ausgelöst worden ist, selbst wenn es danach weggenommen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitgeberschaltung auch Taktsignale zur Steuerung der Spaltenkreise und des statische Spalten aufweisenden dynamischen Direktzugriffspeichers erzeugt, um die Beendigung der Speicheroperationen zu bewirken, wenn das Zeilenadressen- Abtastsignal vor dem Ende der Auffrischungsoperation weggenommen wurde, und um die Fortsetzung der Lese/ Schreib-Speicheroperationen zu bewirken, wenn das Zeilenadressen- Abtastsignal am Ende der Auffrischungsoperation weiterhin vorhanden ist.
mehrere Speicherzellen, die in Zeilen und Spalten in Form einer Matrix angeordnet sind, wobei die Zeilen aus Speicherzellen bestehen, die mit den jeweiligen Wortleitungen gekoppelt sind, und die Spalten aus Speicherzellen bestehen, die mit den jeweiligen Bitleitungen gekoppelt sind,
mit den Wortleitungen gekoppelte Zeilenkreise,
mit den Bitzeilen gekoppelte Spaltenkreise,
eine Zeitgebersteuerschaltung, die in Abhängigkeit von einem Zeilenadressen-Abtastsignal Taktsignale zur Steuerung der Zeilenkreise und der Spaltenkreise zum Auslösen von Speicheroperationen, einschließlich einer Auffrischungsoperation und einer Lese/Schreib-Operation, erzeugt, wobei die Zeitgebersteuerschaltung die Fortsetzung der Auffrischungsoperation bis zu ihrem Ende bewirkt, nachdem sie durch das Zeilenadressen-Abtastsignal einmal ausgelöst worden ist, selbst wenn es danach weggenommen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitgeberschaltung auch Taktsignale zur Steuerung der Spaltenkreise und des statische Spalten aufweisenden dynamischen Direktzugriffspeichers erzeugt, um die Beendigung der Speicheroperationen zu bewirken, wenn das Zeilenadressen- Abtastsignal vor dem Ende der Auffrischungsoperation weggenommen wurde, und um die Fortsetzung der Lese/ Schreib-Speicheroperationen zu bewirken, wenn das Zeilenadressen- Abtastsignal am Ende der Auffrischungsoperation weiterhin vorhanden ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zeitgebersteuerschaltung ein Mittel aufweist, das
in Abhängigkeit von dem Zeilenadressen-Abtastsignal die
Zeilenkreise mit einem Zeilenadressen-Abtasttaktsignal
beaufschlagt, das von der Zuführung des Zeilenadressen-
Abtastsignals an bis wenigstens zum Ende der Auffrischungsoperation
aufrecht erhalten wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Zeilenadressen-Abtasttaktsignalerzeugungsmittel
ferner ein Auffrischungsendesignal erzeugt, das das Ende
der Auffrischungsoperation darstellt, und daß die Zeitgebersteuerschaltung
ferner aufweist: ein Mittel zum Erzeugen
eines logischen Verknüpfungssignals, das die logische
Verknüpfung des Auffrischungsendesignals und des Zeilenadressen-
Abtastsignals oder seiner Umkehrung darstellt,
und ein RS-Flipflop, dessen Setzeingang das logische Verknüpfungssignal
zugeführt wird, um ein Taktsignal zur Aktivierung
der Spaltenkreise zu erzeugen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das RS-Flipflop zurückgesetzt wird, wenn die Speicheroperationen
abgeschlossen sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zeitgebersteuerschaltung ferner aufweist: Mittel
zum Erzeugen eines Auffrischungsendesignals, das das Ende
der Auffrischungsoperation darstellt, und Mittel zum Erzeugen
eines logischen Verknüpfungssignals, daß die logische
Verknüpfung des Auffrischungsendesignals und des Zeilenadressen-
Abtastsignals oder seiner Umkehrung darstellt,
und ein RS-Flipflop, dem das logische Verknüpfungssignal
zugeführt wird, um ein Taktsignal zur Aktivierung der
Spaltenkreise zu erzeugen.
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Date | Code | Title | Description |
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OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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