DE3632995A1 - Verfahren zur reinigung von gasen fuer edelgashalogenidexcimerenlaser - Google Patents

Verfahren zur reinigung von gasen fuer edelgashalogenidexcimerenlaser

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung eines Mischgases, das in einem Edelgashalogenidexcimerlaser verwendet wird, durch aufeinanderfolgende Behandlungen des Mischgases mit speziell ausgewählten reaktionsfähigen und adsorbierenden Mitteln.
Excimerlaser, bei denen Edelgashalogenide, beispielsweise ArF, KrF, XeF und XeCl, verwendet werden, haben zunehmend ansteigendes Interesse als UV-Laser mit hoher Ausgangsleistung gefunden, welche wichtige Anwendungen bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen, bei photochemischen Reaktionen und auf zahlreichen anderen Gebieten besitzen.
Edelgashalogenidexcimerlaser bedienen sich eines Mischgases, welches aus einem ausgewählten Edelgas wie Ar, Kr oder Xe, einem Quellmaterial für aktives Halogen wie F2, NF3 oder HCl und einem inerten Verdünnungsgas wie He oder Ne besteht. Das Halogenquellenmaterial ist ein hochreaktionsfähiges Gas, welches sehr leicht mit umgebenden Materialien wie den Lasergehäusematerialien reagiert. Daher ist es unerläßlich, daß während des Betriebes eines Edelgashalogenidexcimerlasers das Halogenquellenmaterial in dem Lasergas teilweise in nicht erwünschten Reaktionen verbraucht wird, welche Anlaß zur Bildung von verunreinigenden Verbindungen und einer Verminderung der Konzentration des Halogenquellenmaterials geben Im allgemeinen sind die während des Betriebs des Excimerenlasers gebildeten Verunreinigungsverbindungen Halogenverbindungen wie CF4, C2F6, SiF4, HF, SF6, CCl4, CClF3, CCl2F2 und/oder CCl3F, obwohl die Besonderheiten in Abhängigkeit von der Zusammensetzung des eingesetzten Lasergases verschieden sind. Wenn das Lasergas in einer solchen Weise zerstört wird, erniedrigt sich die Ausgangsleistung des Excimerenlasers beträchtlich, so daß der Excimerenlaser nicht kontinuierlich für eine lange Zeitspanne betrieben werden kann, falls keine Gegenmaßnahme getroffen wird.
Bei industriellen Anwendungen irgendeines Typs eines Edelgashalogenidexcimerenlasers ist es nicht praktikabel, das zerstörte Lasergas einfach abzulassen und es durch ein frisches Lasergas zu ersetzen, da sehr kostspielige Edelgase verwendet werden.
Daher wurden bereits mehrere Methoden zur Entfernung von Verunreinigungen aus einem Excimerenlasergas vorgeschlagen. Die Vorschläge umfassen eine Kondensationsmethode unter Verwendung einer Kältefalle, in welcher das Lasergas bis zur Kondensation von verunreinigenden Verbindungen mit relativ hohen Siedepunkten abgekühlt wird. Jedoch ist diese Methode zur Entfernung von verunreinigenden Verbindungen mit relativ niedrigen Siedpunkten wie CF4 nicht effektiv, und diese Methode ist nicht bei Excimerenlasern anwendbar, die ein Edelgas mit einem relativ hohen Siedepunkt wie Kr oder Xe verwenden, da bei der Anwendung der Methode das Edelgas ebenfalls eine Kondensation in der Kältefalle erfährt. Ferner wurde bereits vorgeschlagen, das zerstörte Lasergas mit erhitztem metallischen Calcium zu kontaktieren, um hierdurch die gasförmigen Verunreinigungsverbindungen in feste Calciumverbindungen umzuwandeln. Jedoch kann diese Methode nicht industriell günstig wegen der Schwierigkeiten bei der Handhabung von metallischem Calcium und des Haltens des metallischen Calciums auf einer sehr hohen Temperatur wie z. B. 650°C und auch wegen der nicht vorhandenen Reaktionsfähigkeit von einigen Verunreinigungsverbindungen mit metallischem Calcium angesehen werden. Ein weiterer Vorschlag war eine Adsorptionsmethode unter Verwendung von entweder Aktivkohle oder einem geeigneten Gettermaterial wie einer Ti-Zr-Legierung. Jedoch können nach dieser Methode nur begrenzte Arten von verunreinigenden Verbindungen aus dem zerstörten Excimerenlasergas entfernt werden, während viel mehr Arten von verunreinigenden Verbindungen in demselben Gas enthalten bleiben.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur wirksamen Entfernung von praktisch allen Arten von Verunreinigungsverbindungen aus einem Mischgas, das in einem beliebigen Typ eines Edelgashalogenidexcimerenlasers eingesetzt wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe dient das Verfahren zur Reinigung eines Lasergases, das in einem Edelgashalogenidexcimerenlaser eingesetzt wird und wenigstens ein Edelgas, eine gasförmige Halogenquelle und Verunreinigungen enthält, wobei es dadurch gekennzeichnet ist, daß es folgende Stufen umfaßt:
(a) Inkontakbringen des Lasergases mit wenigstens einer festen, alkalischen Verbindung, ausgewählt aus Alkalimetallverbindungen und Erdalkalimetallverbindungen, um in dem Lasergas enthaltene, aktive und saure Substanzen in feste Metallverbindungen umzuwandeln; und
(b) Inkontaktbringen des restlichen Anteiles des Lasergases nach der Stufe (a) mit Zeolith, um hierdurch verbleibende Verunreinigungen durch Adsorption zu entfernen.
Wenn das Lasergas einen stark oxidierenden Fluorbestandteil enthält, wird es vorgezogen, daß das zuvor beschriebene Reinigungsverfahren weiterhin die Stufe des Inkontaktbringen des Lasergases mit einem reaktionsfähigen Metall vor der Durchführung der Stufe (a) umfaßt, um hierdurch den oxidierenden Fluorbestandteil in wenigstens ein Metallhalogenid umzuwandeln.
Gemäß der Erfindung wird Zeolith als wirksames Adsorbens für die meisten der in den Excimerenlasergasen enthaltenen, verunreinigenden Verbindungen eingesetzt. Zeolith ist ein Aluminosilikat, das durch die folgende allgemeine Formel wiedergegeben wird:
aM2/ n O·Al2O3 bSiO2·cH2O,
worin M ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall, n die Wertigkeit und a, b, c Koeffizienten bedeuten. Zeolith ist ein poröses Material mit einer sehr hohen Adsorptionskraft für Gase. Derzeit sind synthetische Zeolithe unterschiedlicher Klassen, die sich in der Porengröße unterscheiden, unter der Bezeichnung "Molekularsiebe" erhältlich. Die Vorteile der Verwendung von Zeolithen oder Molekularsieben als industrielle Adsorbentien umfaßt die Anwendbarkeit bei der Adsorption zur Entfernung fast aller Arten von gasförmigen Substanzen durch angemessene Auswahl der Porengröße und die Möglichkeit der wiederholten erneuten Verwendung der Adsorbentien durch Desorption der adsorbierten Gase.
Wenn jedoch Zeolith zur Reinigung eines Excimerenlasergases eingesetzt wird, tritt ein schwerwiegendes Problem dadurch auf, daß der Zeolith eine chemische Reaktion mit dem aktiven und sauren Halogenquellenmaterial, z. B. F2 oder HCl, die in dem Lasergas als essentieller Bestandteil vorliegen, und auch mit sauren Verunreinigungen, beispielsweise HF, erfährt, so daß der für den Reinigungszweck eingesetzte Zeolith in einer sehr kurzen Zeitspanne inaktiv wird und nicht regeneriert werden kann. Beispielsweise verliert Zeolith rasch seine Adsorptionskraft, selbst wenn der Gehalt an F2 in dem behandelten Gas nur etwa 0,01% beträgt.
Gemäß der Erfindung wird dieses Problem dadurch gelöst, daß das Lasergas zuerst in Kontakt mit einer festen, alkalischen Verbindung wie z. B. CaO,Ca(OH)2, Natronkalk, NaOH, KOH, MgO oder Mg(OH)2, vorzugsweise bei einer mäßig erhöhten Temperatur, gebracht wird. Durch diese Behandlung treten Reaktionen zwischen der alkalischen Verbindung und dem Halogenquellengas wie F2 oder HCl, welche in dem Lasergas enthalten sind, und auch sauren, verunreinigenden Gasen wie HF, SiF4 und CO2 auf. Die Hauptprodukte der Reaktionen sind feste Metallverbindungen, welche sich rasch aus dem behandelten Gas abtrennen. Der verbleibende Anteil des Lasergases wird mit dem Zeolith in Kontakt gebracht. Die verbleibenden Verunreinigungen werden dann alle von dem Zeolith adsorbiert. Da die aktiven und sauren Halogenbestandteile bereits entfernt worden sind, behält der Zeolith für lange Zeiten seine Adsorptionskraft bei, so daß die adsorptive Entfernung der Verunreinigungen effizient und kontinuierlich erreicht werden kann. Wenn die Adsorptionsmenge ihre Sättigung erreicht, kann die Desorption der adsorbierten Verunreinigungen leicht dadurch erreicht werden, daß der Zeolith eine Entgasungsbehandlung unter vermindertem Druck bei einer erhöhten Temperatur unterzogen wird, so daß der Zeolith wiederholt erneut eingesetzt werden kann.
Durch die Kombination der Behandlung mit einer alkalischen Verbindung ung der Adsorption durch Zeolith werden alle Verunreinigungen aus dem Lasergas entfernt, während kostspieliges Edelgas wie Kr oder Xe und auch das als Verdünnungsmittel eingesetzte Edelgas wie He oder Ne nur mit sehr geringen Verlustmengen wiedergewonnen werden. Daher können die Edelgase kontinuierlich rückgeführt werde, obwohl die Notwendigkeit des Ersatzes der geringen Verluste besteht. Jedoch ist es erforderlich, das Halogenquellengas wie F2 oder HCl zu den gereinigten und rückgeführten Edelgasen zuzuführen, da das Halogenquellengas ebenfalls während des Reinigungsprozesses des Lasergases entfernt wird. Wie im folgenden noch beschrieben wird, umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren eine modifizierte Reinigungsmethode, nach welcher das Halogenquellengas ebenfalls in einfacher Weise wiedergewonnen und rückgeführt werden kann.
Wenn das Halogenquellengas bzw. die gasförmige Halogenquelle in dem Lasergas eine starke bzw. hoch oxidierende Substanz wie F2, NF3, ClF3 oder ClF ist, wird bevorzugt zunächst das Lasergas mit einem aktiven Metall wie z. B. Si oder Fe aus folgenden Gründen behandelt:
Wenn das ein stark oxidierendes Halogenquellengas enthaltende Lasergas direkt in Kontakt mit der alkalischen Verbindung gebracht wird, reagiert das Halogenquellengas mit der alkalischen Verbindung unter Freisetzung von Sauerstoffgas, z. B.:
F2 + Ca(OH)2 → CaF2 + 1/2 O2 + H2O.
In dem Excimerenlaser wird O2 in dem rückgeführten Gas in O3 (Ozon) durch die durch Entladung erzeugte Anregungsenergie oder in anderer Weise umgewandelt. Ozon besitzt eine starke Lichtadsorption in einem breiten Bereich mit einer Spitze bei etwa 300 nm. Daher adsorbiert das in dem Excimerenlaser gebildete Ozon die Laserenergie in demselben Wellenlängenbereich und bewirkt eine beträchtliche Erniedrigung der Laserausgangsleistung. Daher ist es erforderlich, einen Gehalt an O2 in dem gereinigten und rückgeführten Lasergas zu vermeiden.
Als Adsorbens gemäß der Erfindung eingesetzter Zeolith adsorbiert nicht in effizienter Weise O2, das eine sehr geringe Polarität besitzt, und das adsorbierte O2 wird leicht bei geringen Druck- und/oder Temperaturänderungen desorbiert. Falls eine sehr große Menge an Zeolith zur Erhöhung der Adsorptionskapazität für O2 eingesetzt wird, ist das Ergebnis üblicherweise eine Steigerung der O2-Konzentration in dem gereinigten Gas, da beträchtliche Mengen an kostspieligen Edelgasen wie Kr und Ne durch die erhöhte Zeolithmenge adsorbiert werden. Es wäre vorstellbar, das durch die Behandlung des Lasergases mit der alkalischen Verbindung gebildete O2 mit einem bestimmten Reaktionsteilnehmer reagieren zu lassen, um O2 in ein festes Oxid, z. B. CuO, umzuwandeln, das leicht entfernt werden könnte, oder um es in ein gasförmiges Oxid, z. B. SO2, umzuwandeln, das leicht von Zeolith adsorbiert werden könnte. Jedoch ist dies unvorteilhaft, da sehr kostspielige und aufwendige Hochtemperaturreaktionsapparaturen und zwangsläufig Kühlapparaturen für die Reaktion des O2, das eine eher schwache Reaktionsaktivität besitzt, erforderlich wären.
Erfindungsgemäß konnte nun das Einschleppen von O2 in das gereinigte Lasergas dadurch verhindert werden, daß zunächst das ein stark oxidierendes Halogenquellengas enthaltende Lasergas mit einem reaktionsfähigen Metall umgesetzt wurde. Das reaktionsfähige Metall kann aus verschiedenen Metallen ausgewählt werden, welche leicht mit irgendeinem der zuvorgenannten, stark oxidierenden Halogenquellengase wie F2, NF3, ClF3 und ClF unter Bildung von Metallhalogeniden reagieren. Wenn das reaktionsfähige Metall aus Si, Ge, P, Sb, S, Se, Te, W, Mo und V ausgewählt wird, ergibt die Reaktion gasförmige Fluoride, als Beispiele seien SiF4 und GeF4 genannt, und solche gasförmigen Fluoride können aus dem behandelten Lasergas durch die nachfolgende Behandlung mit der alkalischen Verbindung oder durch Adsorption durch den Zeolith entfernt werden. Wenn das reaktionsfähige Metall unter Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Ti, Zr, Sn und Pb ausgewählt wird, ergibt die Reaktion feste Fluoride, als Beispiele hierfür seien FeF3 und MnF4 genannt, und solche festen Fluoride trennen sich in natürlicher Weise von dem behandelten Lasergas ab. Üblicherweise wird die Behandlung mit dem reaktionsfähigen Metall bei einer angemessen erhöhten Temperatur durchgeführt.
Zur Durchführung der Reinigung des Lasergases nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ohne Verlust des größten Teiles des Halogenquellengases wie F2, HF3 oder HCl, ist die Kühlung des Lasergases vor seinem Kontakt mit der alkalischen Verbindung bis auf einen solchen Wert, wirksam, das sich das Lasergas in ein Mischkondensat einer Gruppe von Komponenten, welche relativ hohe Siedepunkte besitzen, und eine Gasphase, bestehend aus einer weiteren Gruppe von Bestandteilen, welche relativ niedrige Siedepunkte besitzen, trennt. In dem Lasergas besitzen das hauptsächliche Edelgas wie Kr oder Xe und die meisten der verunreinigten Verbindungen relativ hohe Siedepunkte, während das Halogenquellengas bzw. die gasförmige Halogenquelle, wie F2, NF3 oder HCl, und das als Verdünnungsmittel eingesetzte Edelgas wie He oder Ne niedrigere Siedepunkte besitzen. Daher bewirkt die Kondensationsbehandlung bei niedriger Temperatur, daß das Halogenquellengas und das Verdünnungsgas in der Gasphase verbleiben. Wenn das Hauptedelgas Ar ist, bleibt dieses Edelgas ebenfalls in der Gasphase. Nach Abtrennung des Kondensates kann das Mischgas, welches das Halogenquellengas enthält, ohne weitere Behandlung rückgeführt werden. Das Kondensat wird mit der zuvorgenannten alkalischen Verbindung in Kontakt gebracht, um saure verunreinigende Verbindungen in feste Metallverbindungen umzuwandeln, und dann wird das verbleibende Gas in Kontakt mit Zeolith gebracht. Wenn das Lasergas zu Beginn eine stark oxidierende Substanz wie F2 oder NF3 enthält, wird es bevorzugt, das Kondensat mit dem zuvorgenannten reaktionsfähigen Metall vor der Behandlung mit der alkalischen Verbindung zu behandeln, da das Kondensat eine geringe Menge der stark oxidierenden Substanz enthalten kann.
Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es in der Praxis möglich, sämtliche Verunreinigungsverbindungen aus einem beliebigen Gastyp für Edelgashalogenidexcimerenlaser vollständig zu entfernen, und die Reinigung und die Rückführung des Lasergases können in kontinuierlicher Weise durchgeführt werden, so daß der Laser kontinuierlich für eine lange Zeitspanne ohne den Nachteil der Erniedrigung der Laserausgangsleistung betrieben werden kann. Unter industriellen bzw. technischen Gesichtspunkten ist ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens, daß die wesentlichen Bestandteile des Lasergases in sehr effizienter Weise wiedergewonnen und rückgeführt werden können, so daß die Betriebskosten des Lasersystems herabgesetzt werde.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert; in der Zeichnung sind:
Fig. 1 ein Blockdiagramm, welches den hauptsächlichen Aufbau eines Reinigungssystems für ein Excimerenlasergas zur Durchführung des erfindungsgemäßen Reinigungsverfahrens zeigt;
Fig. 2 ein Blockdiagramm, welches den zusätzlichen Einbau einer wahlweisen Kältefalle in das Gasreinigungssystem von Fig. 1 darstellt;
Fig. 3 ein Blockdiagramm, welches den zusätzlichen Einbau einer gepackten Säule eines reaktionsfähigen Metalles in das Gasreinigungssystem von Fig. 1 zeigt, um das Reinigungsverfahren gemäß der Erfindung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform durchzuführen; und
Fig. 4 ein Blockdiagramm, welches den zusätzlichen Einbau der zuvorgenannten Säule mit aktivem Metall in das Gasreinigungssystem gemäß Fig. 2 wiedergibt.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen näher erläutert:
Fig. 1 zeigt ein Gasreinigungssystem zur Reinigung eines Lasergases, das aus einer Excimerenlaservorrichtung 10 abgezogen wurde, wobei ein Edelgashalogenidexcimeres wie z. B. ArF, KrF oder XeCl, eingesetzt wurde und das gereinigte Lasergas zu der Excimerenlaservorrichtung 10 rückgeführt wird. Das aus der Excimerenlaservorrichtung 10 abgezogene Gas ist hauptsächlich eine Mischung eines Edelgases wie Ar, Kr oder Xe, eines Quellenmaterials für aktives Halogen wie F2 oder HCl, und eines inerten Verdünnungsgases wie He oder Ne, und dieses Gas enthält verschiedene Verunreinigungen, die zuvor genannt wurden.
Das Lasergas wird über die Leitung 12 in eine Reaktionssäule 14 eingeführt, die mit einer festen alkalischen Verbindung gefüllt ist, welche mit dem Quellenmaterial für aktives Halogen, wie F2 oder HCl, und auch mit einigen sauren Verunreinigungsverbindungen, wie HF und SiF4, reagiert. Dies bedeutet, daß das Quellenmaterial für aktives Halogen und die sauren Verunreinigungen aus dem behandelten Lasergas entfernt werden, wie dies durch das Feld 15 in Fig. 1 angezeigt wird. Der restliche Anteil des Lasergases wird über die Leitung 16 zu einer Säule 18 geführt, welche mit Zeolith gepackt ist, wobei dies ein Adsorbens für die verbleibenden Verunreinigungen wie C2F6, CCl4, CCl2F2, CClF3 und CCl3F ist, die im Feld 19 angezeigt sind. Daher ist das Gas, welches durch die Zeolithsäule 18 durchgetreten ist, eine reine Mischung eines Hauptedelgases wie Ar, Kr oder Xe, und des Verdünnungsgases wie He oder Ne. Über die Leitung 20 wird das Edelgasgemisch in die Ecximerenlaservorrichtung 10 rückgeführt. Um die Entfernung des Quellenmaterials für aktives Halogen in der Säule mit alkalischer Verbindung 14 und praktisch unvermeidbaren Verlust einer geringen Menge der Edelgase auszugleichen, werden angemessene Mengen des Quellenmaterials für aktives Halogen wie F2 oder HCl und Edelgase wie Ar, Kr oder Xe sowie He oder Ne, wie dies mit 21 bezeichnet ist, zu der durch die Leitung 20 durchtretenden Edelgasmischung zugeliefert.
Die feste alkalische Verbindung in der Säule 14 wird üblicherweise unter CaO, Ca(OH)2, Natronkalk, NaOH, KOH, MgO und Mg(OH)2 ausgewählt. Die alkalische Verbindung ist granuliert oder pelletiert, so daß ein guter Kontakt mit dem in die Säule 14 eingeführten Lasergas erfolgt und sie nicht durch die Strömung des Lasergases herausgetragen und verbreitet wird. Die Behandlung des Lasergases mit der alkalischen Verbindung kann bei einer beliebigen Temperatur zwischen Zimmertemperatur und etwa 500°C durchgeführt werden. In der Praxis ist es jedoch vorteilhaft, die Säule 14 mit der alkalischen Verbindung bei einer Temperatur im Bereich von etwa 80°C bis etwa 200°C wohl unter Berücksichtigung der Reaktivität als auch der Einfachheit des Betriebes zu betreiben.
Der Zeolith in der Säule 18 wird aus konventionellen synthetischen Zeolithen unter besonderer Berücksichtigung der Größe der Mikroporen in dem Zeolith entsprechend der Zusammensetzung des der Behandlung unterzogenen Mischgases ausgewählt. Im allgemeinen ist der geeignetste Zeolith zu Reinigung eines Lasergases, das in Edelgashalogenidexcimerenlasern eingesetzt wird, Molekularsieb 5 A (Produkt von Linde Co., USA). Ebenfalls ist es möglich, Zeolith einer unterschiedlichen Klasse oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten von Zeolithen mit unterschiedlichen Porengrößen einzusetzen. In der Zeolithsäule 18 nimmt die Adsorption an verunreinigenden Verbindungen zu, wenn die Temperatur niedriger liegt und der Druck höher ist. In der Praxis wird die Zeolithsäule 18 bei einer Temperatur zwischen etwa -180°C und etwa 100°C und bei einem willkürlich gewählten Druck innerhalb der Druckgrenzwerte der Apparatur betrieben. Wenn die Adsorption des Zeolithes in der Säule 18 ihre Sättigung erreicht, können die adsorbierten verunreinigenden Verbindungen leicht durch eine Entgasungsbehandlung des Zeolithes unter Erhitzen desorbiert werden, so daß die Adsorptionskraft des Zeolithes wieder hergestellt werden kann.
Die Fig. 2 zeigt eine vorteilhafte Ausführungsform unter Zwischenschaltung einer Kältefalle 24 zwischen der Excimerenlaservorrichtung 10 und der Säule 14 für die alkalische Verbindung. Das Kühlmedium für die Kältefalle 24 ist flüssiger Stickstoff, flüssiges Argon, flüssiger Sauerstoff oder flüssige Luft und die Kältefalle 24 wird auf einer geeigneten Temperatur zwischen etwa -200°C und etwa -120°C gehalten. In der Kältefalle 24 wird das Lasergas derart abgekühlt, daß das Hauptedelgas Kr oder Xe, das einen hohen Siedepunkt besitzt, und die Verunreinigungen mit relativ hohen Siedepunkten wie HF, C2F6, SiF4, SF6, CCl4, CClF3, CCl2F2 und CCl3F, eine Kondensation erfahren. Das Mischkondensat trennt sich von einer Gasphase, die mit 25 bezeichnet ist, ab, wobei diese aus dem Halogenquellenmaterial mit niedrigem Siedepunkt wie F2 oder HCl und Verdünnungsgas wie He oder Ne besteht. Wenn das Hauptedelgas im Lasergas Ar ist, bleibt dieses ebenfalls in der Gasphase 25 zurück. Die unkondensierte bzw. nicht kondensierte Gasphase 25 wird zu der Excimerenlaservorrichtung 10 über die Leitung 20 ohne weitere Behandlung rückgeführt.
Über die Leitung 12 a wird das Kondensat aus der Kältefalle 24 in die Säule 14 mit alkalischer Verbindung eingeführt, wobei letztere bei einer erhöhten Temperatur, wie dies unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben wurde, betrieben wird. Von den in der Säule 14 mit alkalischer Verbindung eingeführten Verunreinigungen werden saure Bestandteile wie HF und SiF4 entfernt, wie dies bei 15 A gezeigt ist, und zwar durch Reaktion mit der alkalischen Verbindung. Das verbleibende, gasförmige Gemisch wird in die Zeolithsäule 18, welche bereits bei Fig. 1 beschrieben wurde, überführt. In der Zeolithsäule 18 werden verbleibende Verunreinigungen 19 wie C2F6, SF6, CCl4, CCl2F2, CClF3 und CCl3F durch Adsorption aus dem Hauptedelgas, z. B. Kr oder Xe, entfernt.
Wenn die Kältefalle 24 in der zuvor beschriebenen Weise eingesetzt wird, gibt es die Möglichkeit, daß einige Arten an Verunreinigungsverbindungen mit relativ hohen Siedepunkten wie CF4 zusammen mit der Gasphase 25 der wesentlichen Bestandteile rückgeführt werden und sich allmählich in der Excimerenlaservorrichtung 10 akkumulieren. Falls die Laserausgangsleistung durch den Einfluß solcher Verunreinigungen mit niedrigem Siedepunkt abnimmt, wird die Kältefalle 24 in Fig. 2 zeitweilig unter Einschaltung eines Bypasses 28 umgangen, um hierdurch eine Reinigung des Lasergases in der Weise, wie sie unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben wurde, durchzuführen. Dann werden die Verunreinigungen mit niedrigem Siedepunkt ebenfalls in der Zeolithsäule 18 abgetrennt.
Wenn das Halogenquellenmaterial in dem Lasergas F2 oder NF3 ist, die eine sehr hohe Oxidationskraft besitzen, wird das Lasergas bevorzugt mit einem reaktionsfähigen Metall als Anfangsstufe des Gasreinigungsverfahrens in Kontakt gebracht. In Fig. 3 ist eine mit einem reaktionsfähigen Metall gepackte Reaktionssäule 30 zwischen der Excimerenlaservorrichtung 10 und der Säule 14 mit alkalischer Verbindung, die unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben wurden, zwischengeschaltet. Das reaktionsfähige Metall kann unter Si, Ge, P, Sb, S, Se, Te, W, Mo, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Ti, Zr, Sn und Pb ausgewählt werden. Eine Mischung von zwei oder mehreren Arten dieser Metalle können gewünschtenfalls verwendet werden. In der Praxis werden aus wirtschaftlichen Gründen Si oder Fe oft mit Vorteil verwendet. Vorteilhaft ist es, wenn das aktive Metall in der Säule 30 in Form von Granulen oder Pellets mit einem Durchmesser von etwa 1-5 mm vorliegt, damit wirksame Kontaktreaktionen ohne Aufbau eines übermäßigen Widerstandes für die Lasergasströmung erreicht werden.
Die Behandlung des Lasergases mit dem aktiven Material kann bei einer willkürlichen Temperatur zwischen Zimmertemperatur und etwa 500°C durchgeführt werden, wobei eine geeignete Temperatur von der Art des eingesetzten aktiven Metalls abhängig ist. Obwohl die Effiziens der Reaktionen des aktiven Metalls mit den oxidierenden Substanzen in dem Lasergas durch Erhöhung der Temperatur gefördert werden, bringt die Anwendung einer sehr hohen Temperatur eine beträchtliche Erhöhung hinsichtlich der Kosten für Ausrüstung und Betrieb. Wenn Si, W, Mo oder S als aktives Metall bzw. aktives Element eingesetzt werden, laufen die beabsichtigten Reaktionen mit hohen Geschwindigkeiten selbst bei Zimmertemperatur ab. Selbst bei Verwendung eines anderen Metalls bzw. eines anderen Elementes sind rasche Reaktionen dadurch sichergestellt, daß die Säule 30 mit aktivem Metall bzw. aktivem Element bei einer Temperatur im Bereich von etwa 100°C bis etwa 500°C betrieben wird.
Wenn z. B. Fe in der Reaktionssäule 30 enthalten ist, reagieren stark oxidierende Fluorbestandteile, die in dem Lasergas enthalten sind wie F2 oder NF3, mit Fe zu festen Fluoriden, beispielshaft wiedergegeben durch FeF3. Wie mit 31 in Fig. 3 angegeben ist, werden die festen Fluoride als Verunreinigungen aus dem Lasergas abgetrennt. Wenn Si in der Reaktionsssäule 30 enthalten ist, werden stark oxidierende Fluorbestandteile in dem Lasergas zu gasförmigen Fluoriden, bespielhaft wiedergegeben durch SiF4, umgewandelt. In diesem Fall verbleiben die in dem Reaktionsrohr 30 gebildeten gasförmigen Fluoride in dem Lasergas, welches über die Leitung 12 b zu der Säule 14 mit alkalischer Verbindung, wie sie unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben wurde, geführt wird. In dem Reaktionsrohr 14 werden saure und aktive, verunreinigende Verbindungen wie SiF4 und CO2 durch Reaktion mit der alkalischen Verbindung entfernt. Die verbleibenden Verunreinigungen werden in der Zeolithsäule 18 durch Adsorption entfernt, und die gereinigten Edelgase werden zu der Excimerenlaservorrichtung 10 rückgeführt.
In dem Gasreinigungssystem von Fig. 3 hat die anfängliche Reinigung des Lasergases mit dem aktiven Metall bzw. dem aktiven Element in der Reaktionssäule 30 den Effekt, daß die Freisetzung von O2 in der nachgeschalteten Reaktionssäule 14 durch Reaktion zwischen alkalischer Verbindung und Fluor verhindert wird.
Vorzugsweise wird die zuvor unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschriebene Kältefalle 24 auch in dem Gasreinigungssystem der Fig. 3, das die Säule 30 mit aktivem Metall bzw. aktivem Element einschließt, eingesetzt. Dies ist in Fig. 4 gezeigt, wo die Kältefalle 24 zwischen der Excimerenlaservorrichtung 10 und der mit dem reaktionsfähigen Metall bzw. dem reaktionsfähigen Element gepackten Reaktionssäule 30 angeordnet ist. Wenn das Lasergas zuerst in der Kältefalle 24 abgekühlt wird, verbleiben Fluorbestandteile, F2 oder NF3, mit niedrigem Siedepunkt in der Gasphase 25 zusammen mit dem Verdünnungsgas wie He oder Ne. Jedoch ist ein sehr kleiner Anteil an F2 oder NF3 in dem Mischkondensat der Substanzen mit hohem Siedepunkt enthalten. In dem mit einem ausgewählten aktiven Metall bzw. aktiven Element gepackten Reaktionssäule 30 wird in dem Kondensat enthaltenes F2 oder NF3 in entweder feste Fluoride, beispielhaft FeF3, wobei diese wie bei 31 angezeigt ist, abgetrennt werden, oder in gasförmige Fluoride, bespielhaft SiF4, welche zu der Säule 14 mit alkalischer Verbindung zusammen mit anderen gasförmigen Substanzen geführt werden, umgewandelt. Die Funktionen der Säule 14 mit alkalischer Verbindung und der Zeolithsäule 18 wurden bereits zuvor beschrieben. Der Bypaß 28 in Fig. 4 dient dazu, zeitweilig die Kältefalle 24 abzuschalten, wenn die Konzentrationen an Verunreinigungen mit niedrigem Siedepunkt, beispielhaft CF4, ansteigen, wie dies bereits mit Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert wurde.
Die Lasergasreinigungssysteme der Fig. 1-4 können kontinuierlich betrieben werden. Jedoch ist es ebenfalls möglich, irgendeines dieser Gasreinigungssysteme intermittierend zu betreiben, d. h. die Lasergasreinigungsvorgänge können abgeschaltet bleiben, bis sich die Laserausgangsleistung auf einen vorbestimmten Wert durch Anstieg der Konzentrationen an Verunreinigungen in dem Lasergas erniedrigt hat.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher erläutert.
Vergleichsversuch A
Ein KrF-Edelgashalogendexcimerenlaser vom Entladungsanregungstyp, bei welchem F2 als Halogenquellengas verwendet wurde, wurde kontinuierlich so betrieben, daß Laseroszillationen mit einer Rate von 5 Pulsen/sec auftraten. Das Lasergas wurde überhaupt keiner Reinigungsbehandlung während des Betriebs des Excimerenlasers unterzogen. Innerhalb von 3 h nahm die Laserausgangsleistung auf 40% des Wertes der Anfangsausgangsleistung ab.
Zu Beginn bestand das in den Laser eingeführte Mischgas aus 5 Nl (Normalliter) (5%) an Kr, 0,3 Nl (0,3%) an F2 und 94,7 Nl (94,7%) an He. Nach Betrieb des Lasers während 3 h betrug die Konzentration an F2 im Lasergas etwa 0,2 Vol.-%, und die Existenz von SiF4, HF, CF4, H2O, CO2, O2 und N2 als Verunreinigungen wurde bestätigt.
Beispiel 1
Es wurde das Gasreinigungssystem gemäß Fig. 1 zur Reinigung des im Vergleichsversuch A erwähnten, verunreinigten Lasergases, d. h. nach Betrieb des Excimerenlasers während 3 h, eingesetzt. Die Reaktionssäule 14 hatte einen inneren Durchmesser von 50 mm und eine Länge von 1000 m, und das Säulenmaterial bestand aus rostfreiem Stahl (SUS 304). Die Säule 14 wurde mit 1 kg an Natronkalkpellets von 2 mm Durchmesser und 5 mm Länge gefüllt. Die Adsorptionssäule 18 hatte einen Innendurchmesser von 12 mm und eine Länge von 1000 mm und war mit 20 g Molekularsieb 5 A gepackt. Zuvor wurde der gesamte Raum im Reinigungssystem mit Heliumgas gefüllt. Die Reaktionssäule 14 wurde bei 100°C und die Adsorptionssäule 18 bei Zimmertemperatur betrieben.
Die Reinigung des Kontaminierten Lasergases war von einem Verlust von 0,1 Nl an Kr begleitet. Daher wurden 0,1 Nl Kr zu dem gereinigten Lasergas zusammen mit 0,3 Nl F2 zugesetzt. Bei Verwendung des erhaltenen Mischgases wurde der Excimerenlaser des Vergleichsversuches A erneut betrieben. Die Laserausgangsleistung betrug etwa 90% des anfänglichen Ausgangsleistungswertes, d. h. bei Beginn des Laserbetriebes von Vergleichsversuch A, und das Vorhandensein einer geringen Menge von O2 wurde nachgewiesen. Der Betrieb des Lasers wurde für 3 h ohne Wiederholung der Gasreinigungsvorgänge fortgeführt. Danach wurde das kontaminierte Lasergas nach der zu Beginn des Beispiels 1 beschriebenen Verfahrensweise gereinigt, hieran schlossen sich die Zugabe von Kr und F2 zu dem gereinigten Lasergas an. Bei der Verwendung des erhaltenen Mischgases beim Betrieb desselben Lasers betrug die Ausgangsleistung des Lasers etwa 80% des anfänglichen Ausgangsleistungswertes und die Existenz einer erhöhten O2-Menge wurde gefunden.
Beispiel 2
Das Gasreinigungssystem gemäß Fig. 3 wurde zur Reinigung des im Vergleichsversuch A genannten, kontaminierten Lasergases, d. h. nach Betrieb des Excimerenlasers während 3 h, eingesetzt. Die Reaktionssäule 30 besaß einen Innendurchmesser von 25 mm und eine Länge von 1000 mm und das Material in der Säule war Nickel. Die Säule 30 wurde mit 300 g metallischem Si in Form von Granulen mit Durchmessern von 1-5 mm gefüllt. Sowohl die mit Natronkalkpellets gepackte Reaktionssäule 14 als auch die mit Molekularsieb 5 A gepackte Adsorptionssäule 18 waren mit den in Beispiel 1 eingesetzten identisch. Zuvor wurde der gesamte Raum in dem Reinigungssystem mit Heliumgas gefüllt. Die das Si als aktives Metall bzw. aktives Element enthaltende Reaktionssäule 30 wurde bei 200°C betrieben. Die den Natronkalk enthaltende Reaktionssäule 14 wurde bei 100°C und die Adsorptionssäule 18 bei Zimmertemperatur betrieben.
Die Reinigung des kontaminierten Lasergases war von einem Verlust von 0,1 Nl an Kr begleitet. Daher wurden 0,1 Nl an Kr zu dem gereinigten Gas zusammen mit 0,3 Nl F2 zugesetzt. Unter Verwendung des erhaltenen Mischgases wurde der Excimerenlaser von Vergleichsversuch A erneut betrieben. Die Laserausgangsleistung erreichte 100% des Anfangswertes der Ausgangsleistung. In diesem Falle konnte O2 in dem gereinigten Lasergas nicht nachgewiesen werden.
Beispiel 3
Das in Beispiel 2 verwendete Gasreinigungssystem gemäß Fig. 3 wurde an den Excimerenlaser von Vergleichsversuch A angeschlossen, um den Laser in kontinuierlicher Weise zu betreiben. Während des Laserbetriebes wurde das Lasergas kontinuierlich mit einer Rate von 2,5 l/min gereinigt und rückgeführt, wobei 0,0025 l/min an Kr und 0,01 l/min an F2 kontinuierlich zu dem gereinigten Gas zugeführt wurden, wie dies bei 21 in Fig. 3 gezeigt ist. Der Laser wurde jeden Tag kontinuierlich während 5 h betrieben, und dieser Betrieb wurde für 30 Tage fortgeführt. Jeden Tag wurde die mit Molekularsieb 5 A gepackte Adsorptionssäule 18 einer Desorptionsbehandlung in einem Vakuum bei 300°C unterzogen, während der Laserbetrieb unterbrochen war. Während 30 Tagen wurde keine Verminderung der Laserausgangsleistung beobachtet.
Danach wurden die Si-Granulen in der Reaktionssäule 30 und die Natronkalkpellets in der Säule 14 jeweils durch frisches Material ersetzt. Dann wurden der Excimerenlaser und das Gasreinigungssystem erneut in der zuvor beschriebenen Weise für weitere 30 Tage betrieben. Bei der Laserausgangsleistung konnte dennoch keine Abnahme beobachtet werden.
Beispiel 4
Das in den Beispielen 2 und 3 eingesetzte Gasreinigungssystem wurde zu dem System gemäß Fig. 4 durch Zuschaltung der Kältefalle 24 und des Bypasses 28 modifiziert. Die Kältefalle 24 bestand aus rostfreiem Stahl (SUS 304) und besaß eine Kapazität von 1 l. Das Kühlmedium für die Kältefalle 24 war flüssiger Stickstoff.
Der KrF-Excimerenlaser von Vergleichsversuch A wurde koninuierlich währen 30 Tagen in derselben Weise wie in Beispiel 3 betrieben. Während des Laserbetriebs wurde das Lasergas kontinuierlich mit einer Rate von 2,5 l/min gereinigt und rückgeführt, während 0,025 l/min an Kr und 0,001 l/min an F2 kontinuierlich zu dem gereinigten Gas zugesetzt wurden. Beim Betrieb des Gasreinigungssystems wurde die Kältefalle 24 immer eingesetzt. In 30 Tagen ergab sich keine Verminderung der Laserausgangsleistung. Wenn jedoch der Betrieb des Lasers und die Reinigung des Lasergases noch weiter fortgeführt wurden, nahm die Ausgangsleistung des Lasers allmählich ab. Nach Ablauf von 40 Tagen seit dem Beginn des Versuches erniedrigte sich die Laserausgangsleistung auf etwa 85% des Anfangswertes der Ausgangsleistung. Der Grund war die Ansammlung von Verunreinigungen mit niedrigem Siedepunkt, beispielsweise CF4, während der wiederholten Rückführung von F2-Gas ohne Kontakt mit Zeolith. Daher wurde der Bypaß 28 eingeschaltet, um das zu reinigende Lasergas direkt in die Si enthaltende Reaktionssäule 30 einzuführen. In diesem Zustand wurde der Betrieb des Excimerenlasers und die Reinigung und Rückführung des Lasergases währen 3 h durchgeführt. Das Ergebnis war, daß die Verunreinigungen mit niedrigem Siedepunkt vollständig durch Adsorption in der Zeolithsäule 18 entfernt wurden, und daß die Laserausgangsleistung 100% des Anfangswertes wieder erreichte. Danach wurde der Bypaß 28 geschlossen, um Kältefalle 24 wieder zu benutzen, und der Laser 10 und das Gasreinigungssystem wurden während 30 Tagen in derselben Weise wie beim ersten Versuch in Beispiel 4 betrieben. Es wurde keine Abnahme der Laserausgangsleistung beobachtet.
Zum Vergleich wurde die Si enthaltende Reaktionssäule 30 aus dem in Beispiel 4 benutzten Gasreinigungssystem ausgeschaltet, und der erste Versuch von Beispiel 4 wurde wiederholt. In diesem Fall betrug die Laserausgangsleistung etwa 30% des Anfangswertes nach einem Ablauf von 40 Tagen seit Beginn des Versuchs. Dann wurde der Bypaß 28 benutzt, um die Reinigung des Lasergases während 3 h ohne Benutztung der Kältefalle 24 durchzuführen. Das Ergebnis war, daß die Ausgangsleistung des Lasers etwa 60% des Anfangswertes erreichte. Dieses experimentelle Ergebnis ist ein Anzeichen für eine Ansammlung von O2 in dem rückgeführten Lasergas.
Beispiel 5
Das in Beispiel 1 benutzte Lasergasreinigungssystem gemäß Fig. 1 wurde auf einen XeCl-Excimerenlaser angewandt. Das Chlorquellenmaterial war HCl-Gas. Als kleinere Modifikation wurde die Adsorptionssäule 18 mit 10 g Molekularsieb 5 A und 10 g Molekularsieb 10 X gepackt, so daß Abschnitte von zwei Zeolithen in der Säule 18 gebildet wurden.
Der Laser wurde jeden Tag kontinuierlich während 5 h betrieben. Während des Laserbetriebes wurde das Lasergas kontinuierlich mit der Rate von 1 l/min gereinigt und rückgeführt, während 0,002 l/min an Xe und 0,01 l/min an HCl kontinuierlich zu dem gereinigten Gas zugesetzt wurden. Die Zeolithsäule 18 wurde jeden Tag einer Desorptionsbehandlung im Vakuum bei 300°C unterzogen, während der Laserbetrieb abgeschaltet war. Der Betrieb wurde während 30 Tagen fortgeführt, es wurde jedoch keine Abnahme der Laserausgangsleistung beobachtet.

Claims (14)

1. Verfahren zur Reinigung eines Lasergases, welches in einem Edelgashalogenidexcimerenlaser verwendet wird und ein Edelgas, ein Gas einer Halogenquelle und Verunreinigungen umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß es folgende Stufen umfaßt:
(a) Inkontaktbringen des Lasergases mit wenigstens einer festen, alkalischen Verbindung, ausgewählt aus Alkalimetallverbindungen und Erdalkalimetallverbindungen, um in dem Lasergas enthaltene, aktive und saure Substanzen in feste Metallverbindungen umzuwandeln; und
(b) Inkontaktbringen des restlichen Anteiles des Lasergases nach der Stufe (a) mit Zeolith, um hierdurch verbleibende Verunreinigungen durch Adsorption zu entfernen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenzeichnet, daß als alkalische Verbindung oder alkalische Verbindungen CaO, Ca(OH)2, Natronkalk, NaOH, KOH, MgO und/oder Mg(OH)2 verwendet wird/werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die alkalische Verbindung oder die alkalischen Verbindungen auf eine Temperatur im Bereich von etwa 80°C bis etwa 200°C erhitzt gehalten werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Gas für die Halogenquelle ein Gas verwendet wird, welches ein hochoxidierendes Gas enthält, und daß das Verfahren weiterhin die Stufe des Inkontaktbringens des Lasergases mit wenigstens einem reaktionsfähigen Metall vor Durchführung der Stufe (a) umfaßt, um hierdurch das hochoxidierende Gas in wenigstens ein Metallhalogenid umzuwandeln.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als reaktionsfähiges Metall oder reaktionsfähige Metalle Si, Ge, P, Sb, S, Se, Te, W, Mo, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Ti, Zr, Sn und/oder Pb verwendet wird/werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktionsfähige Metall oder die reaktionsfähigen Metalle auf einer Temperatur im Bereich von Zimmertemperatur bis etwa 500°C gehalten werden.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das als Halogenquelle verwendete Gas wenigstens eines der Gase F2, NF3, ClF3 und/oder ClF umfaßt.
8. Verfahren zur Reinigung eines Lasergases, welches in einem Edelgashalogenidexcimerenlaser verwendet wird und ein Edelgas, ein Gas einer Halogenquelle und Verunreinigungen umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß es folgende Stufen umfaßt:
(a) Abkühlen des Lasergases zur Herbeiführung der Kondensation einer Gruppe von gasförmigen Bestandteilen mit relativ hohen Siedepunkten und Gewinnung einer weiteren Gruppe von gasförmigen, unkondensiert verbleibenden Bestandteilen mit relativ niedrigen Siedepunkten, wobei diese andere Gruppe von gasförmigen Bestandteilen die gasförmige Halogenquelle umfaßt;
(b) Inkontaktbringen des Kondensates aus Stufe (a) mit wenigstens einer festen, alkalischen Verbindung in Form von Alkalimetallverbindungen und/oder Erdalkalimetallverbindungen zur Umwandlung von sauren, verunreinigenden Verbindungen in dem Kondensat in feste Metallverbindungen; und
(c) Inkontaktbringen des verbleibenden Anteiles des Lasergases nach Durchführung der Stufe (b) mit Zeolith zur Entfernung von verbliebenen Verunreinigungen durch Adsorption.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als alkalische Verbindung oder alkalische Verbindungen CaO, Ca(OH)2, Natronkalk, NaOH, KOH, MgO und/oder Mg(OH)2 verwendet wird/werden.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die alkalische Verbindung oder die alkalischen Verbindungen auf eine Temperatur im Bereich von etwa 80°C bis etwa 200°C erhitzt gehalten werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Gas für die Halogenquelle ein Gas verwendet wird, welches ein hochoxidierendes Gas enthält, und daß das Verfahren weiterhin die Stufe des Inkontaktbringens des Kondensates aus Stufe (a) mit wenigstens einem reaktionsfähigen Metall vor Durchführung der Stufe (b) umfaßt, um irgendwelche stark oxidierenden Bestandteile, welche in dem Kondensat enthalten sein können, in wenigstens ein Metallhalogenid umzuwandeln.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß als reaktionsfähiges Metall oder reaktionsfähige Metalle Si, Ge, P, Sb, S, Se, Te, W, Mo, V, Fe, Cr, Mn, Co, Zn, Ti, Zr, Sn und/oder Pb verwendet wird/werden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktionsfähige Metall oder die reaktionsfähigen Metalle auf einer Temperatur im Bereich von Zimmertemperatur bis etwa 500°C gehalten wird/werden.
14. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin die Stufen der Rückführung der weiteren Gruppe von Bestandteilen aus der Stufe (a) zu dem Excimerlaser und das zeitweilige Auslassen der Stufe (a) umfaßt, um das Lasergas in unkondensiertem Zustand in Kontakt mit der alkalischen Verbindung oder den alkalischen Verbindungen zu bringen, wenn sich verunreinigende Verbindungen mit relativ niedrigen Siedepunkten in der rückgeführten Gasphase anreichern.
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