DE3538652C2

DE3538652C2 -

Info

Publication number: DE3538652C2
Application number: DE3538652A
Authority: DE
Inventors: David C. Baldwin N.Y. Us Frisch; Wilhelm Hicksville N.Y. Us Weber
Original assignee: Kollmorgen Technologies Corp
Current assignee: AMP Akzo Corp
Priority date: 1984-10-29
Filing date: 1985-10-28
Publication date: 1988-06-16
Also published as: IN164801B; EP0183060A2; IL75797A0; JPH0533554B2; KR930002907B1; AU4876685A; EP0183060A3; IL75797A; JPS61113295A; EP0183060B1; CA1265698A; DE3538652A1; US4594311A; KR860003751A; AU576128B2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines mit einem Metallmuster versehenen Isolier substrates, insbesondere gedruckte Schaltungen, in Voll-Additiv-Technik nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Ein solches Verfahren ist bereits bekannt aus der US-PS 42 62 085. Bei nach dem "Additiv"-Verfahren hergestellten Metallmustern auf Trägern aus Isolier stoff unterscheidet man als Stand der Technik zwei verschiedene Verfahrensgruppen: Zum einen die Herstellung des Metallmusters unter Verwendung einer Negativ-Abdeckmaske und zum anderen jene Verfahren, bei denen das Muster als Positiv direkt auf den Träger aufgebracht wird, und zwar meistens in Form eines auf die nachfolgende Metallabscheidung aus stromlos Metall abscheidenden Bädern katalytisch wirkenden Keimbildes.

Die nach dem vorliegenden Verfahren als gedruckte Schaltungen herstellbaren Metallmuster können sowohl nach dem Negativ-Masken- als auch nach dem Positiv-Verfahren hergestellt werden. Bei dem Negativ-Masken-Verfahren wird ganz allgemein ein Leiterzugmuster durch stromlose Metallabscheidung auf einer mittels eines Haftverbesserungs-Verfahrens vorbehandelten Oberfläche durch ein Maskendruck verfahren hergestellt. Vor oder nach der Behandlung zur Haftverbesserung wird eine Widerstands-Abdeck maske in den nicht zu metallisierenden Bezirken aufgedruckt.

Zur Haftverbesserung wird die Oberfläche des Träger materials hydrophil und mikroporös gemacht, entweder durch Plasmabehandlung oder durch mechanische Einwirkung. Es ist im oben genannten Zusammenhang auch bekannt, die Oberfläche mit einem starken Oxidationsmittel oder einer oxidierenden Säure zu behandeln, nachdem zuvor mit einem Quellmittel be handelt wurde. Dadurch wird die vorbehandelte Oberfläche hydrophil und mikroporös. Vor oder nach der Behandlung zur Haftverbesserung wird die dem gewünschten Muster entsprechende Abdeckmaske auf gedruckt, deren Oberfläche hydrophob ist.

Bei dem genannten Positiv-Verfahren ohne Maske wird additiv ein leitfähiges Abbild des gewünschten Musters aus Metallkeimen auf der Oberfläche angebracht für die katalytische, stromlose Metallabscheidung. Die Oberfläche ist im stromlosen Metallisierungs bad hydrophil und mikroporös. Derartige hydrophile Oberflächen neigen zu unkontrollierbaren, außerhalb des gewünschten Metallmusters sich abscheidenden Metallbelägen, die als sogenannter "Cu-Wildwuchs" in der einschlägigen Technik bekannt sind. Es müssen daher beim Verfahren ohne Maske sehr stabile Metallisierungsbäder verwendet werden und/oder es muß die unerwünschte Metallabscheidung durch periodisches Ätzen entfernt werden.

Bei dem gattungsgemäßen Verfahren gemäß US-PS 42 62 085 werden nach dem Anbringen eines Musters aus Kupferkeimen auf die Oberfläche des Basismaterials die Kupferkeime gegen Palladium ausgetauscht und stromlos eine dünne Schicht abgeschieden, die anschließend zu stromlos metallischem Kupfer verstärkt wird. Das dafür verwendete Kupferbad enthält einen Zusatz von Kaliumselenzyanat als Stabilisator. Beim Übergang zur Massenfertigung erwies sich dieses Verfahren jedoch als instabil: es traten fehlerhafte Muster sowie auch Kupferab scheidungen außerhalb des gewünschten Musters auf.

Bei einem weiteren bekannten Verfahren zum Her stellen gedruckter Schaltungen (DE-OS 28 10 315) wird ein Plattierungsresist auf einem negativen Schal tungsmuster auf einem Substrat mit einem Abdeckmaterial hergestellt, das so wirkt, daß die Abscheidung und das Haften eines Initiators der stromlosen Metallplattierung reduziert wird und der Initiator auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden und der Initiator dann auf dem Resist entfernt wird, um nachfolgend die stromlose Metall abscheidung durchführen zu können.

Dieses Verfahren kennzeichnet sich dadurch, daß für die Herstellung des Plattierungsresist als Abdeckmaterial wärmehärtbares Harz ver wendet wird, das eine Feststofflösung von Oxyden des Titans, Nickels und Antimons enthält, und daß zum Entfernen des Indikators auf dem Resist das Substrat mit einer sauren Ammoniumpersulfat lösung in Kontakt gebracht wird.

In der US-PS 35 62 005 wird ein Verfahren be schrieben, bei dem keine Maskenschicht verwendet wird und bei welchem nach der Behandlung zur Haftverbesserung die Oberfläche mit einer Zinn(II)chlorid- Lösung behandelt wird. Das zu metallisierende Muster entsteht durch Bestrahlen der Oberfläche durch ein Photopositiv des Musters mit harter UV-Strahlung. Dadurch wird das SnCl₂ in eine SnCl₄ Verbindung umgewandelt und bei einer nachfolgenden Behandlung mit PdCl₂ werden nur die nicht oxidierten Bezirke, also die unbestrahlten, für die stromlose Metall abscheidung katalytisch aktiv. Hiernach können sehr feine Konturen erzielt werden. Trotzdem treten auch bei dieser Verfahrensweise viele Fehlerstellen durch außerhalb des Musters abgeschiedenes Kupfer auf.

Nach weiteren in den US-PSen 36 74 485, 44 51 505 und 40 85 285 beschriebenen Verfahren ohne Masken schicht wird die Oberfläche mit Titandioxid behandelt. Die so vorbehandelte Oberfläche wird durch ein Photonegativ bestrahlt. Die bestrahlten Bezirke laden sich auf und bei einer nachfolgenden Behandlung mit PdCl₂ entsteht eine auf die Metallabscheidung aus stromlosen Bädern katalytisch wirkende Schicht.

Auch hier zeigt die praktische Anwendung zu viele Fehlerstellen durch außerhalb des Leiterzugmusters abgeschiedenes Metall.

Nach noch weiteren in den US-PSen 37 72 078, 39 30 963, 39 59 547 und 39 94 727 beschriebenen Verfahrensweisen, die ebenfalls ohne Abdeckmaske arbeiten, wird die Oberfläche nach der Behandlung zur Haftverbesserung mit einer Kupfersalzlösung beaufschlagt, die einen Zusatz von 2,6-Anthraquinon und Polyol enthält. Nach dem Antrocknen wird die Schicht durch ein Photonegativ belichtet und es entsteht ein dem gewünschten Muster entsprechendes Metallkeimbild, das katalytisch auf das aus strom losen Bädern abgeschiedene Metall wirkt. Cu-Wildwuchs ist auch bei diesem Verfahren nicht auszuschließen. Zusätzlich entstehen hier auch federartige Abschei dungen auf den Leiterzügen.

Es ist Aufgabe der Erfindung, metallisches Muster einschließlich Schaltungsmuster auf Isolierkunststoff unterlagen ohne Verwendung einer Maske nach dem Additivverfahren herzustellen, bei denen keine unerwünschten Metallabscheidungen außerhalb des gewünschten Musters auftreten.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Nach dem Verfahren der Erfindung werden die Ober flächen von kunstharzhaltigen Isolierstoffplatten entweder hydrophob gemacht oder deren hydrophober Zustand wieder hergestellt.

Weiterhin werden durch die erfindungsgemäße Ober flächenbehandlung die durch das Haftverbesserungs verfahren entstandenen Mikroporen nach dem Her stellen des Metallmusters und vor der Metallab scheidung im stromlos arbeitenden Bad wieder ge schlossen und damit gleichzeitig wieder eine hydrophobe Oberfläche hergestellt, um so zu ver meiden, daß bei der stromlosen Metallabscheidung sich Metall außerhalb des gewünschten Musters niederschlägt.

Das Verfahren nach der Erfindung kann auch vorteil haft für die Herstellung von Metallkernplatten nach einem verbesserten Verfahren sowie zur Ver meidung unerwünschter Metallabscheidungen beim stromlosen Metallisieren von thermoplastischen Trägern mit einer Formbeständigkeits-Temperatur von 170°C angewendet werden.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Aufgabenlösung ergeben sich aus den Unter ansprüchen.

In der Beschreibung werden unter dem Begriff "aromatische Polyätherpolymere" solche verstanden, die periodisch wiederkehrende aromatische- und Äthergruppen in der Kette enthalten. Beispiel haft, aber nicht ausschließlich bezieht sich der Ausdruck auf Polysulfone, Polyätherimide und Polyätherketone.

Als "Sulfonpolymer" gilt ein thermoplastisches Polymer mit der periodisch wiederkehrenden O=S=O Gruppe einschließlich der folgenden Polymere:
Polysulfone, Polyäthersulfone, Polyarylsulfone und Polyphenylsulfone. Als "Hochtemperatur-Thermoplast- Polymere" werden solche Polymere bezeichnet, die ein aromatisches Grundgerüst enthalten, das sich bei Temperaturen um 245°C innerhalb von 5 Sekunden weder zersetzt noch verflüssigt. Das Polymer hat eine Formbeständigkeitstemperatur von 170°C.

Als "Solvatisieren" wird die Adsorption einer Flüssigkeit an der Oberflächenschicht eines Polymers bezeichnet, die mit dem Quellen der Oberfläche ver bunden sein kann. Nach dem vorliegenden Verfahren kann die Oberfläche einer harzhaltigen Trägerplatte geglättet werden, nachdem sie durch die Behandlung zur Haftverbesserung mikroporös und hydrophil ge macht worden ist. Das Material der Trägerplatte kann beispielsweise ein Epoxid getränktes Glasfaser gewebe oder eine mit einer Kunstharzschicht ver sehene Metallplatte oder ein thermoplastisches oder wärmeaushärtbares Polymer oder ein Laminat sein, das mit einem hochtemperaturbeständigen thermo plastischen Polymer beschichtet ist. Vor dem Auf bringen des zu metallisierenden Musters wird die Oberfläche des Trägers mikroporös und hydrophil gemacht, um eine sichere Verankerung der später darauf abzuscheidenden Metallschicht zu gewähr leisten. Es konnte festgestellt werden, daß hydrophile und mikroporöse Oberflächen wieder geglättet und hydrophob gemacht werden können, wenn sie mit einem geeigneten Lösungsmittel in flüssiger Form oder als Dampf behandelt werden. Dadurch wird die Ober fläche angelöst. Bei Auswahl der richtigen Be handlungsdauer mit dem Lösungsmittel wird vermieden, daß sich die Oberflächenschicht verflüssigt und über den Metallbelag fließt bzw. daß es zum Auftreten von Spannungsrissen kommt. Vielmehr wird die Kunststoffoberfläche solvatisiert und dadurch glatt und hydrophob. Unmittelbar danach wird die Oberfläche bei einer Temperatur getrocknet, bei der sich das Lösungsmittel schnell verflüchtigt.

Erläuterungen und Ausführungsbeispiele zur Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.

Es zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Flußdiagramm des Verfahrens, und

Fig. 2A bis 2I die Seitenansicht eines Oberflächen bereiches eines polymeren Trägers im Querschnitt während der einzelnen Verfahrensschritte.

In einer bevorzugten Ausführungsform dient die vorliegende Verfahrensweise zum Herstellen eines Metallmusters auf einem nichtleitenden und mit einem Kunstharz überzogenen Trägermaterial. Die folgenden Verfahrensschritte sind kennzeichnend: Zunächst wird die Oberfläche des nichtleitenden Trägermaterials hydrophil und mikroporös gemacht, um die Hafteigenschaften des darauf abzuscheidenden Metalles zu verbessern. Dann wird auf der so vor behandelten Oberfläche ein katalytisch auf die stromlose Metallabscheidung wirkendes Abbild des gewünschten Musters hergestellt und auf diesem Metall aus einem stromlos arbeitenden Bad abgeschieden.

Im Anschluß an den stromlosen Metallisierungsschritt wird die harzreiche Oberfläche mit einem Lösungs mittel behandelt, in dem sie zumindest teilweise löslich ist, für einen Zeit raum, der ausreicht, um die nicht mit der Metallschicht versehenen Oberflächenbezirke zu solvatisieren und so zu bewirken, daß das Harzgemisch bis an die Kanten des me tallischen Musters fließt und dessen Stirnflächen be deckt, der aber nicht ausreicht, um das Gemisch so weit zu verflüssigen, daß es über die Kanten hinaus auf das metallische Muster fließt. Anschließend wird die Platte bei einer Temperatur getrocknet, bei der sich das Lösungs mittel schnell verflüchtigt, so daß der Fluß schnell ge stoppt wird und die Kanten des Metallmusters von dem Kunststoff bedeckt bleiben.

Das beschriebene und beanspruchte Verfahren wird erfolg reich bei der Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten angewendet.

In einer Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfin dung wird ein nicht-leitendes, mit einer Metallschicht ver sehenes Trägermaterial behandelt. Die Oberfläche des poly meren Basismaterials wird zur Haftverbesserung nach einem der bekannten Verfahren, entweder chemisch mit hoch oxidierenden Lösungen oder mit Plasma, behandelt, um die Oberfläche hydrophil zu machen. Die so vorbehandelte Ober fläche weist Keimstellen auf, die zur chemischen oder me chanischen Verbindung mit einer Metallschicht geeignet sind.

Auf der so vorbehandelten Oberfläche wird ein Metallmuster nach bekannten Verfahren aufgebracht, beispielsweise nach einem der hier zuvor beschriebenen Verfahren ohne Abdeck maske, vorzugsweise durch Aufbringen eines auf die strom lose Metallabscheidung katalytisch wirkenden Keimbildes. Entsprechend der Erfindung wird das Musterbild durch strom lose Metallabscheidung bis auf eine Dicke von 0,5 bis 5 µm verstärkt.

Nach dem Abscheiden des Metalles werden die nicht mit Me tall bedeckten Oberflächenbereiche in einem nachfolgenden Verfahrensschritt wieder glatt, praktisch porenfrei und hydrophob und damit widerstandsfähig gegen unerwünschte Metallabscheidungen auf diesen gemacht. Hierzu wird die Oberfläche in ein Lösungsmittel gebracht, das geeignet ist, die Oberflächenschicht mindestens teilweise anzu lösen, und zwar für einen Zeitraum, der ausreicht, um die Oberflächenschicht anzulösen, der aber nicht aus reicht, um diese so weit zu verflüssigen, daß das Harz gemisch über die Kanten des Metallbelages bis auf die Metallschicht fließt und Spannungsrisse erzeugt werden. Der Behandlungszeitraum kann zwischen 1 Sekunde und einer Minute betragen, je nach Art des Lösungsmittels und des Harzgemisches. Für das Anlösen eignen sich in der Regel starke Lösungsmittel, die mit geeigneten Mitteln ver dünnt werden, wie z. B. aliphatischen Kohlenwasserstoffen, Alkoholen und Wasser. Sofort nach der Behandlung mit dem Lösungsmittel wird die Oberfläche bei einer Temperatur getrocknet, bei der das Lösungsmittel schnell ver dampft. Geeignete Temperaturen liegen zwischen Zimmer temperatur und 200°C, vorzugsweise zwischen Zimmertemperatur und 125°C.

Die Oberfläche kann entweder mit der flüssigen oder mit der dampfförmigen Phase eines geeigneten Lösungsmittels behandelt werden. Als Lösungsmittel eignen sich besonders Ketone, Ester, aromatische und aprotische Lösungsmittel sowie halogenierte Kohlenwasserstoffe, deren Siedepunkt unterhalb der Formbeständigkeits-Temperatur des Basis materials liegt.

Geeignete, nicht-leitende Trägermaterialien sind wärmeaus härtbare Harze wie z. B. Epoxyd-Harze und mit thermoplasti schen oder wärmeaushärtbaren Harzen beschichtete Metall platten, wärmeaushärtbare Laminate mit einem Überzug aus thermoplastischem Polymer, harzreiche Laminate sowie glas faserverstärktes Epoxylaminat mit einer Oberflächen schicht aus Epoxyharz nicht zu geringer Schichtdicke. Vor zugsweise werden für die Oberflächenschicht Epoxyharze mit einer Beimengung von beispielsweise Bisphenol A ver wendet.

Für Metallkernplatten kommen sowohl Stahl- als auch Alu miniumbleche infrage, die auch bereits mit einem Loch muster versehen sein können und durch einen Kunstharz überzug isoliert sind. Als Überzugsmasse eignen sich Epoxy harze und Hochtemperatur-beständige Polymere. Die Metall platte kann nach verschiedenen Verfahren mit dem Überzug versehen werden; dazu gehören Beschichtungen in der Pulver technik, Pulversprühverfahren, elektrostatische Pulver beschichtung sowie Wirbelsintern.

Geeignete thermoplastische Polymere sind Polysulfone, Poly ätherimide und Polyphenylensulfide sowie Polyätherketone. Es wird angenommen, daß sich auch Niedrig-Temperatur- Thermoplaste wie Polyäthylen und Akrylnitrilbutadien styren (ABS) eignen.

Unter den Polysulfonen sind besonders die Polyäthersulfone zu nennen.

Die hochtemperaturbeständigen, thermoplastischen Poly mere, in Formen gegossen und als Platten gepreßt oder in der Form von Stäben oder als Film, weisen ursprünglich eine hydrophobe Oberfläche auf und sind entweder durchsich tig oder durchscheinend. Erst durch die bekannten Verfah ren zur Haftverbesserung wird die Oberfläche hydrophil und mikroporös und damit bereit zur Aufnahme festhaftender Metallschichten.

Im folgenden wird das Verfahren nach der Erfindung am Beispiel einer hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Trägerplatte beschrieben. Gegossen oder gepreßt, weisen diese Thermoplaste immer eine glänzende und glatte Oberfläche auf, die hydrophob ist. Für die nachfolgende Metallisierung wird die Plattenoberfläche nach einem bekannten Verfahren zur Haftverbesserung behandelt bzw. geätzt; dadurch wird die Oberfläche mikroporös und hydrophil und gleichzeitig milchig-undurchsichtig.

Im allgemeinen wird ein Thermoplast zum Entspannen 8 bis 12 Stunden getempert oder die Entspannung erfolgt durch Be handlung mit Strahlung. Anschließend werden, falls ge wünscht, Löcher gebohrt oder gestanzt. Die Löcher können auch gleich beim Gießen der Trägerplatte vorgesehen wer den. Nach dem Anbringen der Löcher wird das Material er neut entspannt, wie oben beschrieben, und für 0,5 bis 3 Minuten mit einer Dimethylformamid-Lösung vorbehan delt. Anschließend folgt der bereits mehrfach beschrie bene Schritt zur Haftverbesserung. Durch diese Behandlung verändert sich die Oberfläche: sie verliert den Glanz und ihre hydrophoben Eigenschaften und weist ein milchig- trübes Aussehen auf. In diesem Zustand ist die Ober fläche mikroporös und hydrophil und weißt Poren auf, in denen sich die anschließend abzuscheidenden Metallatome verankern können.

Die so vorbereitete Trägerplatte wird mit einer strahlungs empfindlichen Mischung überzogen, deren Zusammensetzung aus dem Stand der Technik bekannt ist. Dieser Überzug wird sowohl auf der gesamten Oberfläche der Platte als auch auf den Lochinnenwandungen angetrocknet. Danach wird die Platte durch eine Schablone mit UV bestrahlt und so ohne Abdeckmaske ein dem gewünschten Muster entsprechendes Abbild, bestehend aus Metallkeimen, auf der Oberfläche erzeugt. Von den unbestrahlten Bezirken wird in einem an schließenden Verfahrensschritt die strahlungsempfindliche Schicht entfernt. Das entstandene Abbild wird mit einer beispielsweise alkalischen Reduktionsmittel-Lösung fixiert und die Platte anschließend gespült.

Auf der, wie oben beschrieben, vorbereiteten Trägerplatte wird aus stromlos arbeitenden Metallisierungsbädern nach dem Stand der Technik stromlos Metall abgeschieden. Die hierfür üblichen Badlösungen enthalten ein wasserlösliches Salz des abzuscheidenden Metalles, einen Komplexbildner für dieses Metall und ein Reduktionsmittel für die Metallionen. Es werden stromlose Kupfer-, Nickel-, Kobalt-, Silber- und Goldbadlösungen verwendet.

Verkupferungslösungen enthalten üblicherweise eine Quelle für Kupfer(II)ionen, wie CuSO₄, ein Reduktionsmittel für die Kupfer(II)ionen, einen Komplexbildner wie beispiels weise Äthylendiamintetraessigsaures Natrium, ein Mittel zum Einstellen des pH-Wertes, beispielsweise NaOH, und einen Stabilisator sowie eine Verbindung zum Erzielen aus reichender Duktilität der abgeschiedenen Kupferschicht. Nickelbäder, wie sie üblicherweise und auch bei dem Ver fahren nach der Erfindung verwendet werden, enthalten in wäßriger Lösung ein wasserlösliches Nickelsalz wie Nickelchlorid, ein aktives chemisches Reduktionsmittel für das Nickelsalz wie Hypophosphit-Ionen, einen Komplex bildner wie z. B. Karboxylsäure oder ein Salz dieser Säure, sowie einen Stabilisator.

Für die Erfindung geeignete, stromlos Gold abscheidende Badlösungen enthalten in wäßriger Lösung ein wasser lösliches Goldsalz, Borhydrid oder Aminboran als Re duktionsmittel, einen Komplexbildner für Goldionen sowie eine geringe Menge einer Cyanidverbindung (zwischen 5 Mikrogramm und 500 Milligramm). Der pH-Wert des Goldbades liegt zwischen 10 und 14.

Geeignete Kobalt-Badlösungen sind allgemein bekannt und vielfach in der Literatur beschrieben.

Eine geeignete Kupferlösung hat die folgende Zusammen setzung:

Kupfersulfat0,04 mol/l N,N.N¹,N¹-tetrakis (2-hydropyropyläthylendiamin)0,06 mol/l Natriumcyanid30 mg/l Formaldehyd0,07 mol/l Natrium-2-merkaptobenzothiazol0,075 mg/l Kaliumsulfid0,6 mg/l Nonylphenoxypolyäthoxyphosphat (Benetzer)0,14 g/l pH bei 25°C12,7 Temperatur58°C

Vor der Metallisierung aus stromlos arbeitenden Bädern kann das Keimbild durch einen dünnen, 0,3 bis 5 µm star ken Metallniederschlag verstärkt werden; vorzugsweise beträgt die Schichtdicke 0,5 bis 2,5 µm.

Nachdem die bildfreien Bezirke der Plattenoberfläche wieder in ihren ursprünglichen Zustand gebracht worden sind, also porenfrei, glatt und hydrophob, kann die dünne Metallschicht durch stromlose Abscheidung weiter verstärkt werden, bis die gewünschte Schichtdicke er reicht ist.

In Fig. 1 ist in Form eines Flußdiagramms die erfindungs gemäße Verfahrensfolge dargestellt, wobei die bekannten Zwischenschritte wie z. B. Spülen, weggelassen wurden. Im Schritt 1 wird eine Trägerplatte von Oberflächenver schmutzungen befreit. Das verwendete Trägermaterial ist ein Hochtemperatur-beständiges, thermoplastisches Polymer. Selbstverständlich können auch andere, geeignete Trägermaterialien verwendet werden, wie z. B. glasfaser verstärktes Epoxymaterial mit einer kunstharzreichen Oberflächenschicht oder eine mit einer Harzschicht über zogene Metallplatte. Die Kunstharzschicht kann nach ver schiedenen Verfahren, wie z. B. Wirbelsintern, aufgebracht sein.

Im Schritt 2 wird das thermoplastische Trägermaterial ent spannt, entweder durch IR- oder Mikrowellen-Bestrahlung oder durch Tempern im Ofen.

Im Schritt 3 wird die Oberfläche des Trägermaterials zur Verbesserung der Haftfestigkeit einem dafür geeigneten Ver fahren unterzogen. Für die meisten Trägermaterialien ist das "Quell- und Ätz"-Verfahren besonders geeignet. Hierzu wird die Oberfläche mit einem Lösungsmittel in Kontakt ge bracht und so zum Quellen gebracht. Anschließend wird mit einer oxidierenden Lösung, wie z. B. Oxalsäure, geätzt. Danach wird die Oberfläche in einer Natriumbisulfit-Lösung neutralisiert und anschließend in Wasser gespült.

Im Schritt 4 wird die Oberfläche mit einer strahlungs empfindlichen, katalytischen Schicht überzogen. Eine ge eignete Katalysierungslösung enthält Kupfersalze und Anthraquinondisulfonsäure als Photoinitiator.

Nach dem Behandeln in der Katalysierungslösung wird die Platte schnell getrocknet, um Wasserreste zu entfernen und eine nicht-klebende Schicht zu erhalten. Für diesen in Schritt 5 beschriebenen Verfahrensschritt kann ent weder ein Warmluftstrom, ein solcher in Verbindung mit IR-Strahlung oder ein Mikrowellen-Ofen verwendet werden. Im Schritt 6 wird die Oberfläche durch ein Photonegativ mit UV bestrahlt. Dabei werden nur die Bereiche des ge wünschten, später zu metallisierenden Muster einschließ lich zu metallisierender Lochwandungen, bestrahlt. Die UV-Frequenz richtet sich nach der Zusammensetzung der Katalysierungslösung. Bei einer 2,6-anthraquinon ent haltenden Katalysierungslösung liegt die Spitze des Strahlungsbandes bei 326 nm, während die Bandbreite bis 355 nm oder 400 nm reicht.

Im Schritt 7 werden die nicht bestrahlten Bezirke der mit dem Katalysator versehenen Oberfläche entfernt und das Keimbild fixiert.

Im Schritt 8 wird das Keimbild verstärkt durch stromlos darauf abgeschiedenes Metall, dessen Schichtdicke 0,5 bis 5 µm betragen kann.

Nach dem Spülen und Trocknen wird im Schritt 9 die ur sprüngliche Oberfläche wieder hergestellt. Dabei werden die Mikroporen geschlossen und die Oberfläche glatt und hydrophob gemacht, wodurch die Gefahr von unerwünschten Kupferabscheidungen vermieden wird. Hierzu wird die Ober fläche mit einem Lösungsmittel behandelt entsprechend der vorliegenden Erfindung.

Die Zusammensetzung des Lösungsmittel richtet sich nach dem Oberflächenmaterial der Trägerplatte. Für hochtempe raturbeständige Thermoplaste wird eine Mischung aus Iso propylalkohol und Dimethylformamid verwendet, wobei das Verhältnis von Dimethylformaid zu Isopropylalkohol von dem verwendeten Thermoplasten abhängt. Für Polysulfone beträgt der Dimethylformamidanteil 80%, im allgemeinen liegt er bei 50 bis 90%. Für harzreiche Epoxylaminate wird unverdünntes Dimethylformamid verwendet. Das Lösungs mittel wird im allgemeinen bei Raumtemperatur angewendet; in manchen Fällen, wie z. B. bei Oberflächen aus Poly ätherimid, kann es notwendig sein, es auf 35°C bis 65°C zu erwärmen.

Die Einwirkungszeit des Lösungsmittels muß genau über wacht werden. Ist sie zu kurz, so wird die Oberfläche nicht völlig geglättet und keine ausreichenden hydro phoben Eigenschaften erreicht. Ist die Einwirkungszeit zu lang, können Spannungsrisse auftreten, oder die Harz mischung wird zu weich und fließt über die metallisier ten Bereiche. In der Regel reicht eine Einwirkungszeit von 1 bis 10 Sekunden aus, um die Oberfläche zu solva tisieren. Einwirkungszeiten von mehr als 1 Minute führen in der Regel zu keinen guten Ergebnissen. Selbst bei sehr schwachen Lösungsmittel-Konzentrationen treten dann Streifen auf der behandelten Oberfläche auf und das Harz beginnt zu fließen.

Die besten Ergebnisse werden bei Einwirkungszeiten von weniger als 30 Sekunden erzielt, und vorzugsweise von weniger als 20 Sekunden.

Sofort nach der Behandlung mit dem Lösungsmittel muß die Oberfläche getrocknet werden, wozu entweder ein Warmluft strom-Ofen oder ein Warmluftstrom/Infrarot-Ofen benutzt werden kann. Durch das Solvatisieren der Oberfläche be ginnen die hydrophilen Oberflächenbereiche des thermo plastischen Trägermaterials zu fließen: die Poren schließen sich und die Oberfläche wird glatt und hydrophob. Die Verwendung von Wärme zum Trocknen der solvatisierten Oberfläche verbessert den Fluß, wobei die Temperaturen vorzugsweise zwischen 60 und 200°C liegen.

Eine Verzögerung des Trocknungsprozesses nach dem Solva tisieren führt zu Schleierbildung auf der Oberfläche und damit zur Gefahr unerwünschter Metallabscheidungen.

Richtig behandelte Oberflächen sind glatt und durchsichtig oder zumindest durchscheinend, wenn es sich um pigment freie Thermoplasten handelt, die auch vor der Behandlung zur Haftverbesserung durchsichtig bzw. durchscheinend waren. Ähnlich wird auch bei pigment-haltigen Thermo plasten die ursprüngliche Farbe wieder hergestellt.

An Stelle des flüssigen Lösungsmittels kann auch Lösungs mitteldampf zum Solvatisieren verwendet werden. Als be sonders geeignet hat sich Methylenchlorid-Dampf erwiesen, mit dessen Hilfe die Oberflächen vieler Thermoplaste glatt und hydrophob gemacht werden können, ohne daß eine zusätzliche Erwärmung erforderlich ist. Vorzugsweise wird die Trägerplatte anschließend im Ofen ausgeheizt, um sicherzustellen, daß keine Lösungsmittelreste auf der Platte verbleiben und daß gebundenes Wasser verdampft. Gleichzeitig wird das Material auch entspannt. Weiters eignen sich die Dämpfe der folgenden Lösungsmittel für das Verfahren nach der Erfindung: Trichloräthan, Trifluor trichloräthan und deren Mischungen mit Methylenchlorid. Eine anschließend an diesen Verfahrensschritt durchge führte mikroskopische Untersuchung der Oberfläche bei 1000facher Vergrößerung ergab, daß sie keinerlei Poren mehr aufwies, und daß sie ihren ursprünglichen Zustand und ihre Hydrophobizität wieder erlangt hatte.

Nach der Behandlung der mit dem verstärkten Musterbild versehenen Oberfläche wird diese auf elektrische Eigen schaften wie Kurzschlüsse oder Leiterunterbrechungen unter sucht und zur späteren weiteren Verwendung gelagert.

Die entsprechend den Verfahrensschritten 1 bis 9 behan delten Platten können anschließend oder zu einem späteren Zeitpunkt in einem stromlos Metall abscheidenden Bad mit einer Kupfer- oder Nickelschicht gewünschter Schichtdicke versehen werden. Vorzugsweise liegt die Schichtdicke bei 35 µm. Eine unerwünschte Metallabscheidung auf Bereichen außerhalb des vorliegenden Musters tritt dabei in der Regel nicht auf, da die Oberflächenbereiche außerhalb des Musters glatt und hydrophob sind (Schritt 10).

Im Schritt 11 werden die fertigen Platten im Ofen ausge heizt, wobei die Temperatur von der Zusammensetzung des Thermoplasten der Trägerplatte abhängt; üblicherweise be trägt sie 60°C bis 200°C.

Die Fig. 2A bis 2I zeigen einen Querschnitt eines Be reiches des Trägermaterials 200 in den verschiedenen Schrit ten entsprechend dem Verfahren nach der Erfindung.

Fig. 2A stellt die hydrophobe und glatte Oberfläche 202 eines Thermoplast-Trägers vor der Behandlung dar.

Fig. 2B stellt die hydrophile und mit Mikroporen ver sehene Oberfläche 203 nach der Behandlung zur Haftver besserung dar.

In Fig. 2C ist die Oberfläche 204 mit einer strahlungs empfindlichen Katalysatorschicht versehen 206.

In Fig. 2D ist das durch Strahlungseinwirkung im Ober flächenbereich 208 erzeugte Metallkeimbild dargestellt. Die nicht bestrahlten Bezirke sind mit 212 bezeichnet. In den Bezirken 208 ist die strahlungsempfindliche Schicht in ein Metallkeimbild 210 umgewandelt. In den Bezirken 212 verbleibt die strahlungsempfindliche Schicht 206.

Fig. 2E zeigt die Oberfläche 202 nach dem Fixieren des Bildes 214; gleichzeitig wurde die strahlungsempfind liche Schicht 206 in den Bereichen 212 entfernt.

Fig. 2F zeigt den Oberflächenbereich 202 nach dem Ver stärken des Keimbildes 214 durch eine dünne, stromlos abgeschiedene Metallschicht 216.

Fig. 2G zeigt den wiederhergestellten Oberflächenbereich 218 in den Bezirken 212.

Fig. 2H zeigt den Oberflächenbereich 202 nach dem strom losen Abscheiden einer Metallschicht 220 gewünschter Schichtdicke.

Fig. 2I zeigt den Oberflächenbereich 202 nach dem Solva tisieren der freiliegenden Oberfläche und dem Trocken. Diese beiden Verfahrensschritte werden wiederholt ange wendet, bis die polymeren Oberflächenbereiche 218 zu fließen beginnen und den Bereich an den Kanten 224 des Metallmusters 220 ausfüllen, so daß die Stirnflächen 222 mit Harzmaterial bedeckt sind.

Beispiel I

Eine mit einem isolierenden Kunststoff überzogene Metall kern-Trägerplatte wird vor dem Aufbringen des isolie renden Überzuges mit einem dem Lochmuster der fertigen Schaltungsplatte entsprechenden Lochmuster versehen. An schließend werden die Oberflächen mit einem blau-pigmen tierten Epoxydharz überzogen, und zwar nach dem Pulver beschichtungs-Verfahren. Das so hergestellte Trägermaterial wird dem nachstehend beschriebenen Verfahren zur Ver besserung der Haftfestigkeit unterzogen:

A. Behandlung zur Haftverbesserung

1. Tauchen für 2 Min. in ein Dimethylformamid enthaltendes Lösungsmittel;
2. Spülen mit Wasser;
3. Tauchen für 5 Min. in eine wäßrige Ätz lösung, die 900 g Chromtrioxyd pro Liter enthält und eine Temperatur von 55°C aufweist;
4. Spülen mit Wasser;
5. Neutralisieren und Entfernen aller Reste der Chromverbindungen für 5 Minuten in einer ersten wäßrigen Lösung, die 1,4% H₂O₂ und 1,8% Schwefelsäure ent hält;
6. Wiederholen von Schritt 5 in einer zweiten Neutralisierungslösung der gleichen Zusammensetzung;
7. Spülen mit Wasser.

Durch diese Behandlung hat sich die Oberfläche des Trägers verändert: die ursprünglich klare blaue Farbe ist nun milchig-blau bzw. blauweißlich.

Nach der Behandlung zur Haftverbesserung wird ein kata lytisches Keimbild des gewünschten Schaltungsmusters auf gebracht. Das Verfahren hierzu beinhaltet die folgenden Schritte:

B. Herstellung des Keimbildes

1. Das vorbehandelte Trägermaterial wird für 5 Min. bei 50°C in eine wäßrige Lösung einer strahlungsempfind lichen Mischung der folgenden Zusammensetzung getaucht: Sorbit220 g/l 2,6-Anthraquinondisulfonsaures Natriumsalz 16 g/l Kupferazetat 8 g/l Kupferbromid 0,5 g/l Nonylphenoxypolyäthoxyäthanol 2 g/l Fluorborsäure zum Einstellen des pH-Wertes auf 3,75
2. Trocknen bei 50°C für 5 Minuten; es hat sich ein strahlungsempfindlicher Überzug gebildet;
3. Bestrahlen durch ein Negativ zum Herstellen eines dem zu metallisierenden Muster entsprechenden Keim bildes;
4. Eintauchen und Bewegen der Trägerplatte für 5 Minuten in eine wäßrige Lösung, pH 12,5, die 1,3 Mol/l Formaldehyd und 0,1 Mol/Äthylendinitrilotetraazetat ent hält;
5. Wiederholen von Schritt 4 in einer zweiten Lösung gleicher Zusammensetzung mit dem Unterschied, daß diese nur 0,13 Mol/l Formaldehyd enthält;
6. Spülen mit Wasser.
Auf der Oberfläche des Trägers entsteht ein dunkles Kupfer keimbild des gewünschten Leitermusters, das durch strom loses Abscheiden einer 2 µm starken Kupferschicht ver stärkt wird. Das verwendete Kupferbad hat die folgende Zusammensetzung und wird bei 52°C verwendet: Kupfer0,05 Mol/l Äthylendiamintetra-2-propanol0,08 Mol/l Formaldehyd0,05 Mol/l Alkylphenoxyglycidolphosphatester0,0009 Mol/l Natriumcyanid0,0002 Mol/l Kaliumselencyanat0,007 Mol/l Alkalimetallhydroxid zum Einstellen des pH auf12,8 bei 25°C

Die Oberfläche mit dem verstärkten Kupferbild wird für 30 Sekunden in Dimethylformamid eingetaucht und umgehend bei 125°C über 15 Minuten getrocknet. Hierdurch werden das Haftvermögen des Untergrundes bei nichtporösen wasserabstoßenden Bedingungen gefördert und das Aussehen des Epoxyüberzuges hinsichtlich der ursprünglichen Blaufärbung wiederhergestellt. Das Basismaterial mit dem verstärkten gedruckten Leitermuster, wird in die oben beschriebene kupferabscheidende Badlösung zurückgegeben, bis Kupfer in einer Dicke von 35 µm abgeschieden ist.

Beispiel II

Ein durch Extrusion aus Polysulfon hergestelltes Basismaterial einer Dicke von 1,6 mm wird in Platten geschnitten und für 2 Minuten einer Mikrowellenbehandlung ausgesetzt, um vorhandene Spannungen innerhalb des Plattenmaterials zu beseitigen. Anschließend werden die erforderlichen Löcher gebohrt und nachfolgend die Polysulfonplatten mechanisch durch Bürsten gereinigt und erneut durch Mikrowellenbestrahlung behandelt. Die erforderlichen Hafteigenschaften werden folgendermaßen vorgegeben:

1. Eintauchen in eine Lösung von 90% Dimethylformamid und 10% Wasser für 1 Minute.
2. Eintauchen über eine Zeit von 1 Minute in eine wäßrige Lösung von 0,4 g/l Alkylphenoxyglycidolphosphatester bei einer Temperatur von 60°C.
3. Eintauchen in eine wäßrige 48%ige Schwefelsäure bei 60°C für eine Minute.
4. Ätzen für zwei Minuten bei 60°C in einer wäßrigen Lösung mit folgender Zusammensetzung: Chromtrioxid400 g/l Schwefelsäure450 g/l Perfluoralkylsulfonat0,5 g/l
5. Spülen in einer Waschlösung
6. Neutralisierung des restlichen Chroms durch fünfminütiges Einbringen in eine Lösung aus 1,8%iger Schwefelsäure und 1,4%igem Wasserstoffperoxid.
7. Wiederholung des sechsten Schrittes in einer anderen Neutralisierungslösung gleicher Zusammensetzung;
8. Spülen mit Wasser für 2 Min.
Die Polysulfon-Platte wird dann nach dem in Beispiel I beschriebenen Verfahren mit einem Abbild des gewünschten Schaltungsmusters versehen, und das katalytische Abbild auf 1 µm Schichtdicke verstärkt unter Verwendung der stromlosen Verkupferungsbadlösung wie aus Beispiel I. Durch Eintauchen der Polysulfon-Platte in eine Lösung von 80% Dimethylformamid und 20% Isopropanol für 2 Sek. wird die nicht vom Metallmuster bedeckte Oberfläche in ihren ursprünglichen glatten, hydrophoben Zustand zurück versetzt. Sofort anschließend wird die Platte bei 65°C im Ofen getrocknet. Das metallische Leitungsmuster wird stromlos auf 35 µm verstärkt; hierzu wird das in Beispiel I beschriebene Verkupferungsbad verwendet.
Die so hergestellte Leiterplatte war frei von uner wünschten Kupferabscheidungen außerhalb des Leiterzug musters. Die Platte wurde dann bei 125°C für 60 Min. im Ofen ausgeheizt.

Beispiel III

Aus einem einen Mineralfüllstoff enthaltenden Polysulfon wurde eine Isolierstoffplatte hergestellt und zuge schnitten. Die Oberfläche wurde einem Verfahren zur Haft verbesserung unterzogen und mit einem Abbild des Schal tungsmusters versehen. Das katalytisch wirksame Abbild wurde, wie in Beispiel II beschrieben, verstärkt.

Um die Oberfläche wieder hydrophob und glatt zu machen, wurde sie in eine Lösung aus 72% Dimethylformamid und 28% Isopropanol getaucht und anschließend sofort für 30 Sek. bei einer Durchlaufgeschwindigkeit von 3 m/Min. in einem Durchlauf-Ofen getrocknet. Der Durchlauf-Ofen konnte sowohl mit Warmluft als auch mit Infrarot beheizt werden. Als maximale Oberflächentemperatur werden 60°C ange nommen. Vor dieser Behandlung war die Oberfläche der Platte weißlich und undurchsichtig, nachher war sie klar und durchsichtig.

Die Platte wurde in 4 molare Salzsäure getaucht zum Ent fernen der Oxidschicht auf der das Keimbild verstärkenden metallisierten Oberfläche und sodann in dem stromlosen Kupferbad aus Beispiel I mit einer 35 µm starken Kupfer schicht versehen. Zum Trocknen wurde die Platte bei 65°C für 1 Stunde in einem Ofen belassen.

Die Haftfestigkeit des abgeschiedenen Kupfers wurde an einem Kupferstreifen von 0,76 mm Breite ermittelt. Zur Erhöhung der Haftfestigkeit wurde die Platte noch einmal in eine 72%ige Dimethylformamid-Lösung getaucht und in einem Durchlauf-Ofen schnell getrocknet. Auf Grund dieser Behandlung war das Kunstharz der Oberflächenschicht bis an die Kanten des Metallmusters geflossen, so daß deren Stirnflächen mit Kunststoff bedeckt waren. Die Platte wurde erneut für 1 Stunde bei 65°C ausgeheizt, abgekühlt und die Haftfestigkeit an einem 0,76 mm breiten Kupfer streifen ermittelt.

Das gleiche Verfahren wurde mit einer zweiten Platte wiederholt, die aus einem Polysulfon-Harzgemisch be stehend aus 50% mit Mineralstoff und 50% mit Glasfaser gefülltem Polysulfon hergestellt war; die zum Solvati sieren verwendete Lösung bestand aus 60% Dimethylformamid und 40% Isopropanol und hatte eine Temperatur von 40°C. Das gleiche Verfahren wurde mit einer dritten Platte wiederholt, die aus einem Mineral- und Glasfaser-gefülltes Polysulfonätherharz bestand; die zum Solvatisieren ver wendete Lösung enthielt 55% Dimethylformamid.

Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle zusammen gestellt:

Tabelle

Beispiel IV

Eine im Spritzguß-Verfahren hergestellte und dabei mit Löchern versehene Platte aus Polysulfonharz wurde durch Bestrahlung mit Mikrowellen entspannt und einem Ver fahren zur Haftverbesserung unterzogen. Ein Keimbild des gewünschten Schaltungsmusters wurde hergestellt und durch stromlose Kupferabscheidung auf 0,5 µm verstärkt, wie in Beispiel II beschrieben.

Durch Eintauchen in eine Lösung aus 80% Dimethylformamid und 20% Isopropanol für 10 Sek. anschließendes Verdampfen des Lösungsmittels in einem Konvektions-Ofen bei 120°C wurde die Oberfläche wieder in ihren ursprünglichen Zu stand zurückgebracht.

Die Platte wurde sodann in ein stromlos Kupfer abschei dendes Bad gebracht und darin belassen, bis sich Kupfer in einer Stärke von 35 µm abgeschieden hatte. Auf den glatten, hydrophoben Bereichen der Oberfläche hatte sich kein unerwünschtes Kupfer abgeschieden.

Beispiel V

Das Verfahren nach Beispiel IV wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß die glatte, hydrophobe Oberfläche durch die Einwirkung von Dichlormethan-Dampf für 3 Sekunden erzielt wurde. Anschließend wurde das Lösungsmittel in einem Ofen bei 65°C für 10 Min. verdampft.

Beispiel VI

Das Verfahren nach Beispiel V wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß im Anschluß an die stromlose Verkupferung bis 35 µm die Platte erneut mit Dichlormethan-Dampf in Kontakt gebracht wurde und anschließend für 30 Min. im Ofen bei 65°C getrocknet, zur Verbesserung der Haft festigkeit.

Beispiel VII

Das Verfahren nach Beispiel II wird wiederholt mit dem Unterschied, das das Dimethylformamid mit 50% Wasser verdünnt und die Platte entsprechend Beispiel III getrocknet wurde.

Beispiel VIII

Das Verfahren nach Beispiel II wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß anstatt des Dimethylformamid N-Methyl pyrrolidon verwendet wurde.

Beispiel IX

Das Verfahren nach Beispiel I wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß anstatt des Dimethylformamid Dimethyl sulfoxid verwendet wurde.

Beispiel X

Das Verfahren nach Beispiel IV wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß anstatt des Dichlormethan eine Mischung von Dichlormethan und 1,1,2-trichlor-1,2,2-trifluoräthan verwendet wurde.

Beispiel XI

Eine Platte aus einem Polyphenylensulfid-Harz wird zur Verbesserung der Haftfestigkeit für 3 Min. bei 60°C in 30% Salpetersäure, für 3 Min. in 100% Salpetersäure und für 1 Min. in 46% Fluorborsäure getaucht. Wie im Beispiel II beschrieben, wird auf der Oberfläche ein Abbild eines Schaltungsmusters aufgebracht. Nachdem es stromlos auf 2,5 µm verstärkt wurde, wird die Oberfläche in den nicht metallisierten Bezirken durch Eintauchen in eine Dimethyl formamid-Lösung für 15 Sek. wieder glatt und hydrophob gemacht. Dann wird in dem in Beispiel II beschriebenen Conveyor-Ofen bei einer Durchlaufgeschwindigkeit von 1,5 m/Min. das Lösungsmittel verdampft. Wegen der lang sameren Durchlaufgeschwindigkeit war die Oberflächentemperatur der Platten beim Verlassen des Ofens ent sprechend höher; es wird angenommen, daß sie bei 80°C lag.

Das Metallmuster wurde dann, wie üblich, bis zu einer Schichtdicke von 35 µm stromlos aufplattiert, und an schließend das Solvatisieren und Trocknen wiederholt, um die Haftfestigkeit der abgeschiedenen Kupferschicht auf der Polyphenylen-Unterlage zu verbessern. Nach dem Ausheizen der Platte für 1 Stunde bei 120°C wurde die Haftfestigkeit gemessen. Sie betrug bei einem 0,3 mm breiten Leiterzug nur 0,05 kg/mm, jedoch nach einer Lagerzeit der Platte von 5 Tagen auf 0,12 kg/mm an.

Beispiel XII

Zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung und Radiostrahlen abschirmenden Gehäuses wurde ein thermo plastisches Polykarbonat einem Verfahren zur Haftver besserung unterzogen, wie in Beispiel II beschrieben. Anschließend wurde das Gehäuse mit einer Keimschicht versehen, wie in Beispiel I unter B. beschrieben mit dem Unterschied, daß kein Fotonegativ verwendet wurde, da die gesamte Innenfläche des Gehäuses metallisiert werden sollte. Nach dem Verstärken der Keimschicht wurde die Außenfläche des Gehäuses, die unbeschichtet blieb, durch eine 3 Sekunden dauernde Behandlung mit Dichlormethan- Dampf in einem Dampf-Entfetter wieder geglättet und hydrophob gemacht. Durch diese Behandlung erhielt das Gehäuse ein ansehnliches Äußeres. Die Innenfläche wurde stromlos auf 35 µm aufplattiert, wie in Beispiel I be schrieben.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines mit einem Metallmuster versehenen Isoliersubstrates, insbesondere ge druckte Schaltungen, in Voll-Additiv-Technik bei dem

a) die Oberfläche des Substrates in üblicher Weise hydrophil und mikroporös ausgebildet wird,
b) eine übliche photoempfindliche Sensibilisierungs lösung auf die gesamte Oberfläche des Substrats aufgebracht wird,
c) das Substrat entsprechend dem gewünschten Muster einer Strahlungsquelle ausgesetzt wird,
d) die Metallkeime durch eine stromlose Metalli sierung verstärkt werden und
e) mittels eines chemischen Cu-Bades das Metallmuster in gewünschter Dicke abgeschieden wird,

dadurch gekennzeichnet, daß nach Schritt d) die Oberfläche des Substrates mit einem Lösungsmittel solange behandelt wird, bis die nicht mit dem Metallmuster bedeckten Bereiche angelöst werden, ohne daß jedoch Kunststoff auf das Metallmuster fließt bzw. Spannungsrisse auf treten, und anschließend das Lösungsmittel entfernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die mit dem Abbild versehene Oberfläche für einen solchen Zeitraum einem stromlos Metall abscheidenden Bad ausgesetzt wird, daß das Abbild sich hierbei verstärkt, und daß dann die Oberfläche mit einem das Träger material wenigstens teilweise anlösenden Lösungsmittel behandelt wird für einen Zeitraum, der ausreicht, die nicht mit dem verstärkten Abbild bedeckten Oberflächenbereiche zu solvatisieren, ohne daß das Trägermaterial auf das Abbild fließt oder Spannungsrisse auftreten, daß unmittelbar anschließend diese Oberfläche bei sich schnell verflüchtigendem Lösungsmittel getrocknet wird und daß nachfolgend das Muster aus Metall, wie an sich bekannt, stromlos aufgebaut wird.

3. Verfahren nach den Ansprüchem 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeitraum für das Ein wirken des Lösungsmittels und jener zwischen dem Solvatisieren und dem Entfernen des Lösungs mittels derart gewählt wird, daß die Kanten des Metallbelages an den Stirnflächen von Kunststoff bedeckt werden.

4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial mit dem Lösungsmittel durch Einbringen in dessen Dampfphase in Kontakt gebracht wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß das Lösungsmittel ein halogenierter Kohlenwasserstoff mit einem Siedepunkt ist, der unterhalb der Formbeständigkeits-Temperatur des Isolierkunststoffes liegt.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Einwirkungszeit des Lösungs mittels bis zu 15 Sekunden beträgt.

7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß das Lösungsmittel Methylenchlorid ist und die Einwirkungszeit bis zu 5 Sekunden beträgt.

8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial mit dem Lösungsmittel in flüssiger Form in Kontakt gebracht wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß das Lösungsmittel aus Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und N-Methylpyrrolidon ausge wählt ist.

10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß dem Lösungsmittel ein Verdünner zugesetzt ist.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn zeichnet, daß der Verdünner Wasser oder ein Alkohol ist.

12. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktzeit zwischen 1 Sekunde und 1 Minute beträgt.

13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn zeichnet, daß das Trägermaterial mit Dimethylformamid, das zwischen 0 und 50% Isopropylalkohol als Verdünner enthält, in Kontakt gebracht wird.

14. Verfahren nach den Ansprüchen 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssige Lösungsmittel bei einer Temperatur von zwischen 35°C und 65°C verwendet wird.

15. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Trocknung bei einer Temperatur zwischen Zimmertemperatur und 200°C erfolgt.

16. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die Trocknung bei einer Temperatur zwischen 60°C und 200°C erfolgt.