DE3534886A1 - Verfahren zum herstellen von aluminiumnitrid-keramik-platten - Google Patents
Verfahren zum herstellen von aluminiumnitrid-keramik-plattenInfo
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Description
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramik-Platten, insbesondere auf ein
Verfahren zum Herstellen einer dünnen Aluminiumnitrid-Keramik-Platte.
Aluminiuinnitrid-Keramiken sind Nichtoxid - Keramiken, die
eine hohe elektrische Isolierfähigkeit sowie hohe Wärmeleitfähigkeit besitzen. Es sind Untersuchungen im Gang,
die sich auf die Verwendbarkeit von Aluminiumnitrid-Keramiken als Stoffe für verschiedene Teile beziehen, z.B. für
Substrate von Leistungstransistor-Modulen.
Derzeit ist als Mittel zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramiken,
z.B. Keramiken in Form dünner Platten zur Verwendung als Substrate, ein Verfahren im Einsatz, bei dem
Aluminiumnitridpulver mit einem Sinterhilfsstoff und einem
Bindemittel gemischt, das sich ergebende Gemisch in Plattenform
von 0,3 bis 2,0 mm Dicke geformt, die geformten Platten aus dem Gemisch jeweils in eine von mehreren übereinanderliegenden
Keramik-Unterlagen gebracht und gebrannt werden.
Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß die geformten Platten sowie die Unterlagen aufgrund der Wärme- und Druckeinwirkung
während des Brennvorgangs die Neigung haben, aneinander haften zu bleiben, so daß die gesinterten Platten
Risse und Bruchstellen aufweisen können.
Ein weiterer Nachteil des herkömmlichen Verfahrens ist darin zu sehen, daß der Raumausnutzungsfaktor schlecht ist,
und zwar deshalb, weil die geformten Platten gebrannt werden, während sie jeweils auf einer Unterlage angeordnet
sind. Die Handhabbarkeit ist nicht gut, weil die Unterlagen einen ziemlich großen Anteil am Gesamtgewicht besitzen.
WSPSCTID
353488
Der Warmewirkungsgrad ist schlecht, weil die zugeführte
Hitze teilweise beim Erhöhen der Temperatur der Unterlagen verloren geht. Insbesondere haben die geformten Gemischteile,
wenn sie nur eine geringe Dicke im Bereich von 0,3 bis 1,0 mm besitzen, wie es bei Substraten für Leistungstransistor-Modulen
der Fall ist, die Eigenschaft, daß sie leicht wellig werden und sich verziehen. Deshalb
ist man dazu übergegangen, mehrere gesinterte Platten nach dem Brennen übereinander zu legen und sie auf eine erhöhte
Temperatur zu bringen, damit sie ihre verformte Gestalt durch ihr Eigengewicht oder durch ein separat aufgebrachtes
Gewicht wieder verlieren.
Auch in diesen Fällen haben die gesinterten Teile die Neigung, bei den erhöhten Temperaturen häufig fest aneinander
haften zu bleiben, so daß sie Risse und Bruchstellen aufweisen können. Speziell dann, wenn die gesinterten Teile
die Form dünner Platten haben und deshalb leicht zu Riß- und Bruchbildungen neigen, ist das oben erwähnte
Nachbesserungsverfahren unwirtschaftlich, da die gesinterten
Teile einzeln nachgebessert werden müssen.
Werden dünne Plättchen aus gesintertem Aluminiumnitrid
als Substrate eingesetzt, so kann auch dann, wenn Verziehungen und Welligkeiten beseitigt worden sind, noch die
Möglichkeit bestehen, daß die dünnen Plättchen sehr rauhe Oberflächen besitzen, so daß diese rauhen Oberflächen ein
nur unzureichendes Haftvermögen für dünne Metallschichten oder -folien besitzen, die auf der Substratoberfläche
aufgebracht werden, um ein Leitermuster zu bilden. Die aufgebrachte Metallschicht oder -folie blättert teilweise
ab und beeinträchtigt so die elektrischen Eigenschaften
oder beeinträchtigt das feine Linienmuster des fertigen Bauteils.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
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Verfahren zum Herstellen von gesinterten Aluminiumnitrid-Platten zu schaffen, bei dem mehrere Platten aus Aluminiumnitrid-Keramiken
ohne Verwendung besonderer Unterlagen übereinander gestapelt und gebrannt werden können. Bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren soll es möglich sein, mehrere
gesinterte Aluminiumnitrid-Platten übereinander zu legen, ohne daß die Platten aneinander haften und mühsam nachbehandelt
werden müssen.
Die Erfindung schafft außerdem ein Verfahren zum Herstellen von gesinterten Aluminiumnitrid-Platten, bei dem das
starke Haftvermögen einer Leiterfolie oder einer Leiterschicht an der Plattenoberfläche der als Substrate eingesetzten
Platten verbessert wird, und hierzu werden die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten einer Oberflächenbehandlung
unterzogen, die geeignet ist, die Oberflächenrauhigkeit in einen vorbestimmten Bereich abzusenken.
Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.
Erfindungsgemäß wird ein keramisches Pulver, das aus mindestens
95%, vorzugsweise 96-99%, Aluminiumnitrid-Pulver und nicht mehr als 5%, vorzugsweise 1-4%, eines Sinterhilf
sstof fs besteht, mit einem Bindemittel, wie z.B. Paraffin und Allylharz und wahlweise mit einem organischen
Lösungsmittel kombiniert. Das sich ergebende Gemisch wird zu Platten geformt, die nicht mehr als 2 mm dick sind,
insbesondere 0,3 - 1 mm dick sind. Dies geschieht nach dem Pressformverfahren, nach dem Gleitgieß-Verfahren (slip
casting), nach dem Rakel-Blatt-Verfahren oder nach irgendeinem anderen bekannten Formverfahren.
ORIGINAL
Beispiele für das oben erwähnte Sinterhilfsinittel sind
Oxide von seltenen Erden wie z.B. Yttriumoxid, Oxide von Aluminium, Magnesium, Kalzium, Strontium und Barium.
Nicht mehr als 20 derartiger aus dem Gemisch geformter Platten werden auf einer Keramikunterlage ubereinandergelegt,
wobei zwischen die Unterlage und die unterste Platte sowie zwischen die einzelnen Platten ein Keramikpulver mit einem
mittleren Teilchendurchmesser von 1 bis 50 um gebracht
wird.
Beispiele für das erwähnte Keramikpulver sind Bornitrid-Pulver, Aluminiumnitrid-Pulver und Aluminiumoxid-Pulver.
Unter den anderen oben erwähnten Keramikpulvern erweist sich das Bornitrid-Pulver als besonders günstig. Damit
das Keramikpulver seinen Zweck in vorteilhafter Weise erfüllen kann, soll dessen Korngröße im Bereich zwischen
1 und 50 um liegen, vorzugsweise im Bereich zwischen 1 und
20 μΐη. Dieses Keramikpulver kann auf die Oberfläche der
Unterlage und auf die Oberfläche der einzelnen Gemisch-Platten dadurch aufgebracht werden, daß es in einem organischen
Lösungsmittel wie z.B. Azeton, Alkohol oder dergleichen suspendiert wird, wobei die sich ergebende Suspension
dann direkt auf die Oberfläche aufgebracht wird, z.B.
durch Sprühen, mit Hilfe einer Bürste oder einer Rolle oder dadurch, daß die Oberfläche in die Suspension eingetaucht
wird. Man kann die Suspension auch auf die Oberflächen aufspritzen. Das Auftragen des Keramikpulvers auf
die geformten Platten kann auf beide Seiten oder nur auf eine Seite erfolgen. Die auf die Plattenoberfläche aufgebrachte
Keramikpulverschicht soll eine Dicke von nicht weniger als 1 ]im besitzen.
Mehrere aus dem Gemisch geformte Platten werden in eine
Atmosphäre eingebracht, die aus einem oder mehreren nicht oxydierenden Gasen, wie z.B. N und Ar oder aus einer Va-
kuum-Atmosphäre besteht, und die Platten werden bei einer
Temperatur im Bereich von 1.600° bis 1.850° C, vorzugsweise 1.700° bis 1.800° C in einer Zeitspanne von 1 bis 3 Stunden
gebrannt, wobei entweder kein Druck aufgebracht wird, oder die Belastung nicht mehr als 400 kg/cm2 beträgt.
Die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten wiesen praktisch
keine Risse oder Brüche auf, weil die übereinanderliegenden Gemisch-Platten wirksam an einem gegenseitigen Verschmelzen
durch das während des Brennvorgangs dazwischenliegende Keramikpulver gehindert wurden.
Die in oben beschriebener Weise erhaltenen gesinterten Aluminiumnitrid-Platten
erfahren zur Beseitigung von Verziehungen und Welligkeiten folgende Korrekturbehandlung:
Fünf bis zehn gesinterte Aluminiumnitrid-Platten werden auf einer Unterlage übereinandergelegt, wobei eine andere
Unterlage als Gewicht auf die oberste Platte gelegt wird.
Wahlweise werden mehrere Sätze von übereinanderliegenden Platten gestapelt, und es wird ein Gewicht aufgelegt.
Die übereinanderliegenden gesinterten Platten werden in eine Atmosphäre eingebracht, die aus einem oder mehreren
nicht oxydierenden Gasen, wie z.B. N2 und Ar oder aus einer
Vakuum-Atmosphäre besteht, und dort 10 Minuten bis 3 Stunden lang aufgeheizt, wobei entweder kein Druck aufgebracht
wird oder eine Belastung von nicht mehr als 400 kg/cm2 herrscht. Um zu verhindern, daß die gesinterten
Platten miteinander verschmelzen, und um die Körner an einem weiteren Wachstum zu hindern, soll die Aufheizung
bei einer Temperatur erfolgen, die um 50 bis 100° C niedriger
ist als die Temperatur, bei der die Platten aus Aluminiumoxidnitrid gebrannt wurden. Speziell soll die Temperatur
in den Bereich von 1.500° bis 1.800° C fallen.
Das zum Separieren der gesinterten Platten verwendete Kera-
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mikpulver ist das gleich, wie es zum Separieren der geform·1·
ten Platten verwendet wurde. Außerdem ist das Verfahren, nach dem das Keramikpulver zwischen die einander gegenüberliegenden
Flächen der Platten gebracht wird, das gleiche wie bei den geformten Aluminiumnitrid-Platten. Damit das
Keramikpulver seinen Zweck vorteilhaft erfüllen kann, soll es nicht weniger als 1 um dick sein.
Die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten werden mit Alundum-Teilchen
(ein Schmirgelmaterial) einer Maschen-Korngröße von 100 bis 1.000 gehont oder mit Diamant-Teilchen einer
Maschen-Korngröße von 100 bis 600 geschliffen, um das Keramikpulver
zu beseitigen, welches an der Fläche haftet. Die Behandlung geschieht so lange, bis die Oberflächenrauhigkeit
auf unterhalb von 10 um (ausgedrückt in der maximalen
Höhe Rmax) herabgesetzt ist.
Die nach dem oben beschriebenen Verfahren behandelten gesinterten Aluminiumnitrid-Platten erhalten wahlweise eine
oxydierte Oberfläche, die mit einer stabilen Tonerde-Schicht von 1 bis 10 um Dicke überzogen wird, damit die
Haftfähigkeit einer Leiterfolie oder einer Leiterschicht an der Fläche verbessert wird. Die Tonerdeschicht kann
dadurch gebildet werden, daß die Flache in Luft oder einer anderen oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur im
Bereich von 1.000° bis 1.400° C 0,5 bis 10 Stunden lang erwärmt wird.
Die Oberflächenrauhigkeit, die die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten
haben müssen, schwankt in Abhängigkeit davon, für welche Verwendung die Platten vorgesehen sind.
Dementsprechend beträgt die Oberflächenrauhigkeit nicht mehr als 5 um, wenn die Platten Substrate für Dickschichten
aus Au, Ag/Pd, Cu oder Glas oder für Wiederstände sind. Die Oberflächenrauhigkeit beträgt nicht mehr als 2 um,
wenn die Platten Substrate für Dünnschichten aus Cu, Tl,
Ag und Au sind. Sie beträgt nicht mehr als 6 um, wenn die
Platten Substrate sind, mit denen direkt Kupfermuster verbunden werden sollen. Die Oberflächenrauhigkeit beträgt
nicht mehr als 10 um, wenn die Platten Substrate für Struktüren sind. Bei Substraten für Dickschichten soll die Oberflächenrauhigkeit
nicht weniger als 2 um betragen, weil zu starke Glätte zu einer Beeinträchtigung des Haftungsvermögens
von Schichten führt.
im folgenden werden Beispiele der Erfindung erläutert.
Beispiel 1:
Es wurde ein Gemisch geschaffen durch Kombinieren von 3 Gew.-% Yttriumoxid enthaltendem Aluminiumnitrid-Pulver
mit 7 Gew.-% Acrylharz als Bindemittel unter weiterer Zugabe eines organischen Lösungsmittels. Das Gemisch wurde
nach dem Rakel-Blatt-Verfahren zu einer 1 mm dünnen Platte geformt. Aus dem dünnen Blatt wurden 80 χ 40 mm große
rechtwinklige Stücke gestanzt und in einer Stickstoffatmosphäre
eine Stunde lang bei 7 00° C entfettet. Getrennt davon wurden 10 g Bornitrid-Pulver mit einem mittleren
Teilchendurchmesser von 3 um in 100 cm2 Azeton suspendiert.
Mit einer Bürste wurde die Suspension auf die Oberfläche einer aus Aluminiumnitrid bestehenden Unterlage
und auf die Oberfläche der erwähnten rechteckigen Aluminiumnitrid-Stücke aufgetragen, um dort eine 15 um dicke
Bornitrid-Pulver-Schicht zu bilden.
Dann wurden auf die Unterlage, auf die das Bornitrid-Pulver aufgetragen worden war, 10 zehn der rechteckigen Stücke
des Aluminiumnitrid-Keramikgemisches übereinander gelegt, wobei das gleiche Bornitrid-Pulver zwischen die übereinander
gelegten rechteckigen Stücke gebracht wurde. Die übereinanderliegenden rechteckigen Stücke wurden in einen aus
Tonerde bestehenden Behälter gegeben und in einem unter
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atmosphärischem Druck stehenden N^-Gas zwei Stunden lang
bei 1.800° C gebrannt.
Die dadurch erhaltenen gesinterten rechteckigen Stücke waren nicht mit der Unterlage oder miteinander verschmolzen,
und das Bornitrid-Pulver ließ sich leicht von den gesinterten Stücken entfernen. Die Stücke besaßen eine gute
Oberflächenform und zeigten keine erkennbaren Anzeichen von Rissen oder Verziehungen.
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Ein Gemisch, welches durch Kombinieren von 3 Gew.-% Yttriumoxid enthaltendem Aluminiumnitrid-Pulver mit 7 Gew,-%
Acrylharz als Bindemittel erhalten wurde, wurde wie im Beispiel 1 verarbeitet, um rechteckige Stücke mit den Abmessungen
80 mm χ 40 mm χ 0,8 mm zu erhalten. Diese rechteckigen Stücke wurden, ähnlich wie im Beispiel 1 entfettet,
dann wurden 20 solche Stücke wie im Beispiel 1 übereinander gelegt und in einer Stickstoffgas-Atmosphäre
zwei Stunden lang bei 1.800° C gebrannt. Ein Teil der gesinterten rechteckigen Stücke war in Längenrichtung bis zu
maximal 2 mm verzogen. Die verzogenen Stücke wurden gesammelt. Separat wurden 10 g Bornitrid-Pulver mit einer Maschenkorngröße
von 400 in 100 cm2 Azeton suspendiert.
Die Suspension wurde auf die Oberfläche der aus Aluminiumnitrid bestehenden Unterlagen und auf die Oberfläche der
gesinterten rechteckigen Aluminiumnitrid-Stücke aufgetragen, um eine 1 - 10 μΐη dicke Schicht aus Bornitrid-Pulver
zu bilden.
Dann wurden auf der Keramikunterlagen, auf der das Borpulver aufgetragen worden war, 10 gesinterte rechteckige
Stücke aus Aluminiumnitrid übereinander gelegt, und zwar jeweils in einer Gesamtheit von fünf Sätzen, wobei in
ähnlicher Weise wie oben Bornitrid-Pulver zwischen die
einander gegenüberliegenden Flächen gebracht wurde und an jedem der Sätze übereinanderliegender gesinterter Stücke
Unterlagen angebracht wurden. Die übereinanderliegenden rechteckigen Stücke auf der Unterlage (etwa 0,5 kg) wurden
in einem aus Tonerde bestehenden Behälter gebracht und in Stickstoffgas eine Stunde lang bei 1.700° C gewärmt, um
die Verformung zu korrigieren. Die gesinterten rechteckigen Stücke hatten nach dieser Warmbehandlung eine ausgebesserte
Verziehung mit einer Flachheit von nicht mehr als 80 um. Die korrigierten gesinterten Stücke waren nicht mit
der Unterlage oder miteinander verschmolzen. Das Bornitrid-Pulver konnte von den gesinterten Stücken einfach
entfernt werden.
Eine Mischung, die erhalten wurde durch Kombinieren von einen Teilchendurchmesser von 1 - 2 um aufweisendem und
3% Yttriumoxid enthaltendem Aluminiumnitrid-Pulver mit 7% Acrylharz als Bindemittel unter Zugabe eines organischen
Lösungsmittels, wurde zu einer Platte geformt, in Stickstoffgas bei etwa 700° C eine Stunde lang (wie in
Beispiel 1) entfettet, unter atmosphärischen Druck gebrannt, gehont, um das Keramikpulver von der Oberfläche
zu entfernen, und dann in Luft eine Stunde lang bei etwa
1.200° C warmbehandelt, um ein flaches Keramiksubstrat aus Aluminiumoxidnitrid zu erhalten, welches eine etwa
8 um starke stabilisierte Aluminiumoxidschicht auf der
Oberfläche besaß und eine Oberflächenrauhigkeit von 5 um
(Rmax) enthielt.
Auf das Substrat wurde eine dünne, 0,3 mm starke Kupferschicht aufgebracht und damit bei 1.065 - 1.080° C unter
Zufuhr von Wärme verbunden, um das Substrat hinsichtlich des Haftvermögens der dünnen Kupferschicht an dem Substrat
wie der elektrischen Eigenschaften zu testen. Als Haft-
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stärke für das Kupfermaterial ergab sich ein Wert von etwa 2,5 kg/mm2, und der elektrische Widerstand betrug etwa
2,0-il-cm.
Ein dem Beispiel 1 entsprechendes Substrat wurde gebildet,
wobei Aluminiumnitrid-Pulver mit Teilchendurchmessern von 2,5 bis 4 um und mit 3% Yttriumoxid verwendet wurde.
Das erhaltene Substrat besaß eine Oberflächenrauhigkeit
von 13 ]±m (Rmax) . Dieses Substrat wurde mit einem Abriebstoff
einer Maschenkorngröße von 600 gehont, um die Oberflächenrauhigkeit
auf 8 um (Rmax) herabzusetzen. Als mit diesem Substrat ein dünnes Kupferblatt wie im Beispiel 3
verbunden wurde, zeigten sich in ähnlicher Weise zufriedenstellende Ergebnisse.
Vergleichsbeispiel
Als ein dünnes Kupferblatt in ähnlicher Weise wie im Beispiel 3 mit dem (oxydierten) Substrat einer Oberflächenrauhigkeit
von 13 um (Rmax) gemäß Beispiel 4 verbunden wurde, erfolgte die Verbindung nicht gleichmäßig über
die gesamte Oberfläche. Das Kupferblatt blätterte teilweise von dem Substrat ab.
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Claims (16)
- PatentansprücheVerfahren zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramiken, gekennzeichnet durch die Schritte: ein Keramikpulver, das aus nicht mehr als 5% eines Sinterhilfsstoffs und dem Restanteil von 100% Aluminiumnitridpulver besteht, wird zu Platten geformt, geformte Platten aus Aluminiumnitrid werden auf einer Unterlage übereinander gelegt, wobei zwischen der Unterlage und den geformten Platten aus Aluminiumnitrid sowie zwischen den übereinanderliegenden geformten Platten aus Aluminiumnitrid Keramikpulver liegt, und Brennen der übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten in nichtoxydierende Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 1.600° bis 1.850° C.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikpulver, das zwischen die Unterlage und die übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten sowie zwi-sehen den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten anzuordnen ist, einen mittleren Teilchendurchmesser im Bereich von 1 bis 50 um besitzt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zwischen der Unterlage und den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten liegende Keramikpulver ein Bornitrid-Pulver, Aluminiumnitrid-Pulver oder Aluminium-Oxid-Pulver ist.
10 - 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterhilfsstoff einer von mindestens zwei Stoffen aus der Gruppe Yttriumoxid, Kalziumoxid, Bariumoxid, Strontiumoxid und Kalziumfluorid ist.15
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterhilfsstoff in einer Menge von 3 Gew.-% vorhanden ist.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die geformten Aluminiumnitrid-Platten als Substrate vorgesehene Keramikplatten sind.
- 7. Verfahren zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramiken, gekennzeichnet durch die Schritte: Stapeln mehrerer verzogener und gewellter Platten aus Aluminiumnitrid, die geformt sind aus nicht mehr als 5% eines Sinterhilfsstoffs und dem Restanteil auf 100 % aus Aluminiumnitrid-Pulver, auf einer Unterlage, wobei zwischen die Unterlage und die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten sowie zwischen die gesinterten Aluminiumnitrid-Platten Keramikpulver gebracht wird, und Aussetzen der übereinanderliegenden gesinterten Aluminiumnitrid-Platten einer Korrektur-Wärmebehandlung in einer nicht-oxydierenden Atmosphäre bei 1.500° bis 1.800° C bei einer Belastung von nicht mehr als 400 kg/cm2, um Verziehungen und Welligkeiten zu beseitigen.3534386
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikpulver, das zwischen die Unterlage und die übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten sowie zwischen den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten anzuordnen ist, einen mittleren Teilchendurchmesser im Bereich von 1 bis 50 um besitzt.
- 9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zwischen der Unterlage und den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten liegende Keramikpulver ein Bornitrid-Pulver, Aluminiumnitrid-Pulver oder Aluminium-Oxid-Pulver ist.
- 10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,daß der Sinterhilfsstoff einer von mindestens zwei Stoffen aus der Gruppe Yttriumoxid, Kalziumoxid, Bariumoxid, Strontiumoxid und Kalziumfluorid ist. \
- 11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterhilfsstoff in einer Menge von 3 Gew.-% vorhanden ist.
- 12. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die geformten Aluminiumnitrid-Platten als Substrate vorgesehene Keramikplatten sind.
- 13. Verfahren zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramiken, dadurch gekennzeichnet, daß gesinterte Aluminiumnitrid-Platten, die aus nicht mehr als als 5% eines Sinterhilfsstoffes und dem Restanteil auf 100 % aus Aluminiumnitridpulver geformt sind, einer Oberflächenbehandlung ausgesetzt werden, mit der die Oberflächenrauhigkeit der gesinterten Platten auf oder unter 10 um der Größe Rmax zu reduzieren.
- 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikpulver, das zwischen die Unterlage und die übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten sowie zwischen den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten anzuordnen ist, einen mittleren Teilchendurchmesser im Bereich von 1 bis 50 um besitzt.9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zwischen der Unterlage und den übereinanderliegenden Aluminiumnitrid-Platten liegende Keramikpulver ein Bornitrid-Pulver, Aluminiumnitrid-Pulver oder Aluminium-Oxid-Pulver ist.10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,daß der Sinterhilfsstoff einer von mindestens zwei Stoffen aus der Gruppe Yttriumoxid, Kalziumoxid, Bariumoxid, Stron tiumoxid und Kalziumfluorid ist.11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterhilfsstoff in einer Menge von 3 Gew.-% vorhanden ist.12. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die geformten Aluminiumnitrid-Platten als Substrate vorgesehene Keramikplatten sind.13. Verfahren zum Herstellen von Aluminiumnitrid-Keramiken, dadurch gekennzeichnet, daß gesinterte Aluminiumnitrid-Platten, die aus nicht mehr als als 5% eines Sinterhilfsstoffes und dem Restanteil auf 100 % aus Aluminiumnitridpulver geformt sind, einer Oberflächenbehandlung ausgesetzt werden, mit der die Oberflächenrauhigkeit der gesinterten Platten auf oder unter 10 um der Größe Rmax zu reduzieren.14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,OfHQINAL l^SPaC13/141 daß der Sinterhilfsstoff Yttriumoxid ist.
- 15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterhilfsstoff in einer Menge von 3 Gew.-% vor-5 handen ist.
- 16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die geformten Aluminiumnitrid-Platten als Substrate vorgesehene Keramikplatten sind.
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