DE4117004A1 - Verfahren zur herstellung einer schaltungsplatte - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Schaltungsplatte, bei der ein Kupferteil direkt an ein aus
keramischen Materialien bestehendes Substrat gebunden ist.
In der veröffentlichten ungeprüften japanischen Patentan
meldung Nr. 60-32 343 wird ein Verfahren zur Herstellung
einer Schaltungsplatte beschrieben, bei der ein Kupferteil
direkt an ein Substrat aus keramischen Materialien, z. B.
an einen Aluminiumnitrid (AlN)-Sinterkörper, gebunden ist.
Bei diesem Verfahren wird eine Paste oder Folie aus Ti
oder Zr als aktives Metall zwischen das Substrat und das
Kupferteil eingefügt, worauf das Substrat und das Kupfer
teil zur Verbindung miteinander in einer Vakuumatmosphäre
erwärmt werden. Bei diesem Verfahren muß jedoch die Paste
aufgetragen oder die Folie in Stücke einer Größe entspre
chend dem Substrat und dem Kupferteil zurechtgeschnitten
werden. Da darüber hinaus das Substrat und das Kupferteil
zu ihrer Verbindung in einer Vakuumatmosphäre erwärmt werden
müssen, muß ein chargenweise arbeitender Heizofen benutzt
werden. Aus diesem Grunde ist das Verfahren nicht für eine
Massenproduktion geeignet.
In der veröffentlichten ungeprüften japanischen Patentan
meldung Nr. 59-3077 wird ein Verfahren zur Herstellung
einer Schaltungsplatte beschrieben, bei der ein Kupferteil
direkt an ein Substrat aus einem AlN-Sinterkörper gebunden
ist. Bei diesem Verfahren wird das Substrat oberflächlich
oxidiert, worauf ein Kupferteil mit 100-2000 ppm Sauer
stoff mit der auf dem Substrat gebildeten Oxidschicht in
Berührung gebracht wird. Danach wird das erhaltene Gebilde
in einer Inertgasatmosphäre, z. B. unter gasförmigem
Stickstoff oder gasförmigem Argon erwärmt, wobei zur
Herstellung einer Schaltungsplatte das Kupferteil direkt
an das Substrat gebunden wird. Da bei diesem Verfahren
das Erwärmen in einer Inertgasatmosphäre erfolgt, kommt
es - obwohl das Kupferteil Sauerstoff enthält - zu einer
teilweisen Zersetzung einer hypoeutektischen Legierungs
flüssigphase an der Verbindungsgrenzfläche unter Verminde
rung des Sauerstoffanteils in der Zusammensetzung. Der
Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck einer Reaktion
2Cu2O⇄4Cu + O2 bei einer Temperatur von 1065°C beträgt
1,5 × 10-6 Atm, so daß zu erwarten ist, daß die Reaktion
in der hypoeutektischen Legierungsflüssigphase abläuft.
Die hypoeutektische Legierungsflüssigphase erfährt nämlich
eine teilweise Zersetzung durch das Erwärmen in dem Inert
gas. Da darüber hinaus die Erwärmungstemperatur bei der
Verbindung des Kupferteils mit dem Substrat über einer
Temperatur entsprechend einer eutektischen Linie in einem
hypoeutektischen Bereich liegt, steigt der Gleichgewichts-
Sauerstoffpartialdruck bei dieser Temperatur (noch) weiter.
Dies führt dazu, daß eine in dem Kupferteil durch (die)
Reduktion, die die Reaktion nach rechts verschiebt, ge
bildete eutektische Legierungsflüssigphase abnimmt. Folg
lich entsteht an der Verbindungsgrenzfläche lediglich eine
sehr geringe Menge an eutektischer Legierungsflüssigphase,
so daß diese nicht zum Verbinden des Kupferteils mit dem
Substrat benutzt werden kann. Dies führt zur Entstehung
eines Teils, an welchem das Kupferteil nicht mikroskopisch
an das Substrat gebunden ist oder in höchst nachteiliger
Weise zu einer Verschlechterung der Bindefestigkeit einer
Schaltungsplatte.
In der veröffentlichten nicht geprüften japanischen Patent
anmeldung Nr. 59-3077 wird ein Verfahren beschrieben, bei
welchem ein Teil aus keinen Sauerstoff enthaltendem Kupfer,
d. h. sauerstofffreiem Kupfer, benutzt wird. Bei diesem
Verfahren werden ein Substrat aus einem AlN-Sinterkörper
und das sauerstofffreie Kupferteil in einer reaktions
fähigen Gasatmosphäre mit 0,03-0,1 Vol.-% Sauerstoff zur
Verbindung miteinander erwärmt. Auch bei diesem Verfahren
tritt jedoch folgendes Problem auf. Da der Sauerstoffge
halt in der Heizatmosphäre groß, nämlich 0,03-0,1 Vol.-%,
ist, läßt sich die Oxidation kaum in geeigneter Weise
steuern, so daß die Oberfläche des Kupferteils übermäßig
oxidiert wird. Somit muß die Oxidschicht auf der Oberfläche
des Kupferteils nach dem Verbinden von der Oberfläche des
Kupferteils durch Ätzen o. dgl. entfernt werden, oder aber
die Oxidschicht muß durch Reduktion in einer Wasserstoff
atmosphäre entfernt werden. Durch Einfügung dieser Stufen
erhöht sich die Anzahl der Stufen, was für eine Massen
produktion schädlich ist. Darüber hinaus wird die Ober
fläche des Kupferteils rauh.
Aus der GB-PS 7 61 045 ist ein Verfahren zur Herstellung
einer Schaltungsplatte bekannt, bei dem ein Kupferteil
an ein Substrat aus einem Aluminiumoxid (Al2O3)-Sinter
körper gebunden ist. Bei diesem Verfahren wird das
Kupferteil zunächst oxidiert, worauf die auf dem Kupfer
teil gebildete Oxidschicht auf das Substrat aus dem
Aluminiumoxid-Sinterkörper gelegt und das erhaltene Ge
bilde auf eine Temperatur über der Schmelztemperatur von
Kupfer (1083°C) und unter dem Schmelzpunkt von Kupfer(I)
oxid (etwa 1200°C) erwärmt wird. Letztere Literaturstelle
beschreibt, daß bei dem Erwärmen das Kupfer, jedoch nicht
das Kupfer(I)-oxid erschmilzt. Folglich werden das Substrat
und das Kupferteil (lediglich) in dem Bereich mit einem
Sauerstoffgehalt über demjenigen eines eutektischen Punktes
(d. h. eines Punktes mit 3900 ppm Sauerstoff) in dem Cu/Cu2O-
Phasendiagramm aneinander gebunden. Da das Kupferteil un
vermeidlich oxidiert wird, wenn es auf eine Schaltungsplatte
appliziert wird, muß die Oxidschicht von dem Kupferteil
unter Aufrauhung seiner Oberfläche entfernt werden.
In der US-PS 37 44 120 wird folgendes Verfahren beschrieben:.
Ein Kupferteil wird auf einem Substrat aus einem Aluminium
oxid-Sinterkörper angeordnet, worauf das Kupferteil und
das Substrat zur wechselseitigen Verbindung in einer
reaktionsfähigen Gasatmosphäre mit 0,01-0,5 Vol.-%
Sauerstoff erwärmt werden. Da jedoch bei diesem Verfahren
das Erwärmen in der reaktionsfähigen Gasatmosphäre mit
0,01-0,5 Vol.-% Sauerstoff erfolgt, bildet sich auf
der Oberfläche des Kupferteils eine Oxidschicht. Folglich
muß die Oxidschicht in einer eigenen mühsam durchzuführen
den Stufe unter Aufrauhung der Kupferteiloberfläche ent
fernt werden.
In der veröffentlichten geprüften japanischen Patentan
meldung Nr. 60-4154 ist ein weiteres Verfahren zum Ver
binden eines Kupferteils mit einem Substrat aus einem
Aluminiumoxid-Sinterkörper beschrieben. Nachdem bei diesem
Verfahren die Oberfläche des Kupferteils oxidiert worden
ist, wird eine Oxidschicht des Kupferteils auf dem Substrat
angeordnet, worauf das Kupferteil und das Substrat zur
wechselseitigen Verbindung in einem Inertgas erwärmt
werden. Bei diesem Verfahren wird wie bei dem aus der
veröffentlichten nicht geprüften japanischen Patentan
meldung Nr. 59-3077 beschriebenen Verfahren eine als
Sintermittel dienende eutektische Legierungsflüssigphase
bei der Verbindungstemperatur (etwa 1070°C) zersetzt,
wobei die eutektische Legierungsflüssigphase durch Re
duktion abnimmt. Dies führt dazu, daß die eutektische
Legierungsflüssigphase bei der Verbindungstemperatur nicht
der gesamten Oberfläche des aus dem Aluminiumoxid-Sinter
körper bestehenden Substrats zugeführt wird und in einem
Teil das Kupferteil und das Substrat nicht mikroskopisch
miteinander verbunden sind.
Aus der veröffentlichten geprüften japanischen Patentan
meldung Nr. 60-4154 ist ein Verfahren bekannt, bei dem
neben der Oxidation der Kupferoberfläche zusätzlich auch
noch ein Bindemittel eingesetzt wird. Hierbei können auf
die Verbindungsfläche des Kupferteils eine teilchenförmige
Bindemittelverbindung und Kupfer appliziert werden. Wenn
jedoch die teilchenförmige Verbindung zwischen Substrat
und Kupferteil eingefügt wird, erfolgt von Natur aus eine
Reduktion, da das Substrat und das Kupferteil in einem
Inertgas bei einem Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck
miteinander verbunden werden. Da darüber hinaus ein
Bindemittel mitverwendet werden muß, gestaltet sich die
Verbindung des Kupferteils mit dem Substrats mühsam.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Herstellung einer Schaltungsplatte zu schaffen, bei dem
ein Kupferteil an ein Keramiksubstrat mit einer Abzieh
festigkeit von 5 kgf/cm oder mehr gebunden wird. Der
Ausdruck "Abziehfestigkeit" bedeutet die Mindestkraft,
die in rechtem Winkel vom Substrat weg angewandt werden
muß, um das Kupferteil von dem Substrat abzuziehen.
Der Erfindung lag ferner die Aufgabe zugrunde, ein Ver
fahren zur Herstellung einer Schaltungsplatte anzugeben,
bei dem ein Kupferteil bei weitestgehender Oxidations
freiheit seiner Oberfläche an ein Keramiksubstrat gebunden
wird und bei welchem die Enden elektronischer Teile, z. B.
von Halbleiterelementen, Widerständen und Kondensatoren
in akzeptabler Weise an das Kupferteil angeschlossen und
montiert werden können.
Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren zur Her
stellung einer Schaltungsplatte durch
Inberührungbringen eines Kupferteils mit 100-1000 ppm
Sauerstoff mit einer auf einer Oberfläche eines Substrats
aus einem Aluminiumnitrid-Sinterkörper gebildeten Oxid
schicht;
Erwärmen des Substrats in einer inerten Gasatmosphäre mit
1-100 ppm Sauerstoff auf eine Temperatur nicht über
einer Temperatur entsprechend einem Liquidusbereich bzw. einer Liquiduslinie, der bzw.
die einen reinen Kupferschmelzpunkt eines hypoeutektischen
Bereichs eines Zweikomponentenphasendiagramms von Cu/Cu2O
einschließt und nicht unter einer Temperatur entsprechend
einer eutektischen Linie, die durch Verbinden einer Linie
entsprechend Kupfer und einer Linie entsprechend einer
Kupfer(I)-oxid-Zusammensetzung erhalten wurde, und
direktes Verbinden des Kupferteils mit dem Substrat.
Der AlN-Sinterkörper läßt sich nach einem der folgenden
drei Alternativverfahren herstellen. Beim ersten Verfahren
wird AlN-Pulver mit einem Sinterhilfsmittel versetzt, das
erhaltene Pulvergemisch ausgeformt und schließlich der
erhaltene Formling unter Atmosphärendruck gesintert. Beim
zweiten Verfahren wird AlN-Pulver mit einem Sinterhilfs
mittel versetzt, um eine Aufschlämmung mit dem erhaltenen
Pulvergemisch zuzubereiten. Danach werden aus der Auf
schlämmung mit Hilfe einer Rakel folienartige Grünlinge
hergestellt. Diese werden dann unter Atmosphärendruck ge
sintert. Bei dem dritten Verfahren wird AlN-Pulver heiß
gepreßt.
Als Sinterhilfsmittel können die verschiedensten pulver
förmigen Erdalkalimetallverbindungen und/oder Seltenerde
verbindungen verwendet werden. Als pulverförmige Erdalkali
metallverbindungen eignen sich die Oxide, Carbide, Fluoride,
Carbonate, Oxalate, Nitrate, Alkoxide und dergleichen von
Ca, Ba und Sr. Als Seltenerdeverbindungen eignen sich die
Oxide, Carbide, Fluoride, Carbonate, Oxalate, Nitrate,
Alkoxide und dergleichen von Y, La, Ce, Nd, Dy und Pr.
Vorzugsweise gelangt eine Verbindung aus Y, La und Ce zum
Einsatz.
Als auf der Oberfläche des AlN-Sinterkörpers gebildete
Oxidschicht dient eine α-Al2O3-Schicht oder eine Aluminium
oxynitridschicht. Die Oxidschicht entsteht durch thermi
sche Oxidation, nach dem Sol-Gel-Verfahren oder nach dem
Alkoxy-Verfahren. Der Dicke der Oxidschicht sind aus
folgenden Gründen Grenzen gesetzt. Wenn die Dicke der
Oxidschicht unter 0,1 µm liegt, entsteht durch teilweises
Freiliegen des AlN-Sinterkörpers keine gleichmäßige Oxid
schicht auf der gesamten Oberfläche des AlN-Sinterkörpers,
wobei das Kupferteil teilweise in direkte Berührung mit
dem Substrat aus dem AlN-Sinterkörper gelangt. Folglich
wird die eutektische Legierungsflüssigphase beim Erwärmen
durch den AlN-Sinterkörper reduziert, so daß sich die ge
wünschte Bindefestigkeit nicht erreichen läßt. Wenn
andererseits die Dicke der Oxidschicht über 5 µm liegt,
erhöht sich der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten
zwischen dem AlN-Sinterkörper und der Oxidschicht mit einem
Wärmeausdehnungskoeffizienten über demjenigen des AlN-
Sinterkörpers, so daß die gewünschte Bindefestigkeit nicht
erreicht wird.
Das Kupferteil ist plattenförmig oder von ähnlicher Form
wie das Schaltungsmuster.
Das Kupferteil enthält Sauerstoff, der für die Verbindung
des Kupferteils und des Substrats von wesentlicher Bedeu
tung ist. Wenn Sauerstoff beim Verbinden des Substrats
mit dem Kupferteil aus einer Atmosphäre zugeführt wird,
wird die Oberfläche des Kupferteils unter Aufrauhung radikal
oxidiert. Erfindungsgemäß wird folglich der Bindungsgrenz
fläche zwischen Substrat und Kupferteil Sauerstoff nicht
aus der Atmosphäre zugeführt. Vielmehr trägt der Sauerstoff
im Kupferteil zur Verbindung desselben mit dem Substrat
bei. Es ist wichtig, daß die Menge des im Kupferteil ent
haltenen Sauerstoffs groß genug ist, um im Verbindungs
bereich zwischen Kupferteil und der auf der Oberfläche
des Substrats gebildeten Oxidschicht eine eutektische
Legierungsflüssigphase zu bilden. Die Sauerstoffmenge be
trägt 100 ppm oder mehr. Wenn die Sauerstoffmenge im
Kupferteil unter 100 ppm liegt, werden das Substrat und
das Kupferteil nur teilweise mikroskopisch aneinander
gebunden, da an der Verbindungsgrenzfläche zwischen Kupfer
teil und Substrat eine ausreichende Menge an eutektischer
Legierungsflüssigphase entsteht. Folglich erhält man auch
keine Schaltungsplatte ausreichender Abziehfestigkeit.
Wenn andererseits die in dem Kupferteil enthaltene Sauer
stoffmenge 1000 ppm übersteigt, wird die Oberfläche des
Kupferteils beim Erwärmen während des Verbindungsvorgangs
aufgerauht, wodurch die Zuverlässigkeit der Schaltungs
platte beeinträchtigt wird. Vorzugsweise beträgt die Menge
des in dem Kupferteil enthaltenen Sauerstoffs 150-600 ppm.
Das Erwärmen erfolgt auf eine Temperatur nicht über einer
Temperatur entsprechend einem Liquidusbereich einschließ
lich eines reinen Kupferschmelzpunkts eines hypoeutekti
schen Bereichs eines Zweikomponentenphasendiagramms von
Cu/Cu2O (vgl. Fig. 1) und nicht unter einer Temperatur
entsprechend einer eutektischen Linie, die durch Verbinden
einer Linie entsprechend Kupfer und einer Linie entspre
chend einer Kupfer(I) -oxid-Zusammensetzung erhalten wurde,
d. h. in einem durch die Schraffierung in Fig. 1 angegebenen
Temperaturbereich. Der Erwärmungstemperatur sind aus fol
genden Gründen Grenzen gesetzt: Wenn die Erwärmungstempera
tur unterhalb einer Temperatur entsprechend der eutektischen
Linie liegt, entsteht an der Verbindungsgrenzfläche zwischen
Substrat und Kupferteil keine eutektische Legierungsflüssig
phase. Wenn die Erwärmungstemperatur über einer Temperatur
entsprechend dem Liquidusbereich einschließlich des reinen
Kupferschmelzpunkts liegt, schmilzt das Kupferteil völlig.
Das Erwärmen erfolgt in einer Inertgasatmosphäre (Stick
stoff, Argon, Helium u. dgl.) mit 1-100 ppm Sauerstoff.
Der Grund für die Begrenzung der Sauerstoffmenge wird im
folgenden erläutert.
Der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck von Cu2O bei
einer Temperatur von 1065°C beträgt 1,5 × 10-6 Atm. Wenn
die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre des Ofens unter diesem
Wert liegt, zersetzt sich Cu2O. Infolge derselben Reaktion,
wie beschrieben, verringern sich auch die eutektische Le
gierungsflüssigphase und eine mit dem Bindungsvorgang
assoziierte flüssige Phase, so daß das aus dem AlN-
Sinterkörper bestehende Substrat nicht in zufriedenstel
lender Weise an das Kupferteil gebunden wird. Folglich muß
die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre 1 ppm oder mehr be
tragen. Wenn darüber hinaus die Sauerstoffmenge gering
fügig unterhalb dem Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck
liegt, wird die eutektische Legierungsflüssigphase kaum
reduziert. Im vorliegenden Falle ist vorher in dem Kupfer
teil eine Sauerstoffmenge im Bereich von 100-1000 ppm
enthalten. Diese Sauerstoffmenge befähigt das Kupferteil
zur festen Verbindung mit dem Substrat. Wenn das Substrat
und das Kupferteil in einer Atmosphäre mit
weniger als 1 ppm Sauerstoff thermisch miteinander ver
bunden werden, besitzt die Bindungsfestigkeit (Abzieh
festigkeit; weniger als 5 kgf/cm) zwischen Substrat und
Kupferteil selbst bei Anwesenheit des Maximalwerts an
Sauerstoff, nämlich von 1000 ppm, in dem Kupferteil einen
für den praktischen Gebrauch (nur eben) tolerierbaren Wert
oder weniger.
Wenn die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre weit größer ist
als der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck beim Erwärmen
auf eine Temperatur innerhalb des angegebenen Bereichs,
wird das Kupferteil übermäßig oxidiert und läßt sich nicht
direkt als Schaltungsplatte verwenden. Folglich muß die
maximale Sauerstoffmenge in der Atmosphäre 100 ppm betragen.
Wenn darüber hinaus das Verbinden in einer diese Sauer
stoffmenge enthaltenden Atmosphäre erfolgt, dauert die
Reaktion nur kurze Zeit, d. h. einige s bis einige min.
Da in diesem Falle die Sauerstoffmenge nur geringfügig
größer ist als der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck,
erfolgt keine merkliche Oxidation, so daß das Kupferteil
in der Praxis verwendet werden kann. Die Sauerstoffmenge
in der Atmosphäre beträgt vorzugsweise 1-50 ppm.
Nachdem erfindungsgemäß das Kupferteil an das Substrat
aus dem AlN-Sinterkörper gebunden ist, kann ersteres durch
Ätzen u. dgl. zur Ausbildung eines Schaltungsmusters bear
beitet werden.
Erfindungsgemäß kann lediglich das Kupferteil zur Bildung
eines Schaltungsmusters unter Herstellung einer Schaltungs
platte bearbeitet werden. Andererseits kann die Schaltungs
platte auch unter Anwendung einer Dickfilmtechnik oder
einer Dünnfilmtechnik hergestellt werden.
Erfindungsgemäß wird ein Kupferteil mit 100-1000 ppm
Sauerstoff mit einer auf einer Oberfläche eines Substrats
aus einem AlN-Sinterkörper entstandenen Oxidschicht einer
Dicke von 0,1-5 µm in Berührung gebracht, worauf das
erhaltene Gebilde in einer Inertgasatmosphäre auf eine
Temperatur von nicht über einer Temperatur entsprechend
einem Liquidusbereich einschließlich eines reinen Kupfer
schmelzpunkts eines hypoeutektischen Bereichs eines Zwei
komponenten-Phasendiagramms von Cu/Cu2O (vgl. Fig. 1) und
nicht unter einer Temperatur entsprechend einer eutektischen
Linie, die durch Verbinden einer Linie entsprechend Kupfer
und einer Linie entsprechend einer Kupfer(I)-oxid-Zusammen
setzung erhalten wurde, erwärmt wird. Die Inertgasatmosphäre
enthält 1-100 ppm Sauerstoff. Beim Erwärmen wird der Ver
bindungsgrenzfläche zwischen Substrat und Kupferteil kaum
Sauerstoff aus der Atmosphäre zugeführt. Vielmehr trägt
der Sauerstoff im Kupferteil zur Verbindung des Kupferteils
mit dem Substrat bei. Dies führt dazu, daß die Oberfläche
des Kupferteils kaum oxidiert wird und daß an der Verbin
dungsgrenzfläche zwischen Kupferteil und Oxidschicht auf
der Oberfläche des Substrats aus einem AlN-Sinterkörper eine
ausreichende Menge an eutektischer Legierungsflüssigphase
entsteht. Im Ergebnis läßt sich somit eine in hohem Maße
zuverlässige Schaltungsplatte hoher Abziehfestigkeit, bei
der das Kupferteil direkt an das Substrat gebunden ist,
herstellen. Genauer gesagt ist das Kupferteil so fest an
das Substrat gebunden, daß eine Abziehfestigkeit von 5 kgf/cm
oder mehr erreicht wird. Obwohl nach dem Verbinden an der
Korngrenze des Kupferteils ein Oxid vorhanden ist, entsteht
auf der Oberfläche des Kupferteils im wesentlichen kein
Oxidfilm, so daß (das) Kupfer freiliegt. Selbst wenn also
keine Ätzmaßnahmen zur Entfernung des Oxidfilms auf der
Oberfläche des Kupferteils nach dem Verbinden durchgeführt
werden, lassen sich Enden elektrischer Teile, z. B. Halb
leiterelemente, Widerstandselemente und Kondensatoren in
befriedigender Weise an das Kupferteil anschließen und
montieren.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Her
stellung einer Schaltungsplatte durch
Inberührungbringen eines Kupferteils mit 100-1000 ppm
Sauerstoff mit einem aus einem Aluminiumoxid-Sinterkörper
bestehenden Substrat;
Erwärmen des Substrats in einer inerten Gasatmosphäre mit
1-100 ppm Sauerstoff auf eine Temperatur nicht über einer
Temperatur entsprechend einem Liquidusbereich bzw. einer Liquiduslinie, der bzw. die einen
reinen Kupferschmelzpunkt eines hypoeutektischen Bereichs
eines Zweikomponentenphasendiagramms von Cu/Cu2O ein
schließt und nicht unter einer Temperatur entsprechend
einer eutektischen Linie, die durch Verbinden einer Linie
entsprechend Kupfer und einer Linie entsprechend einer
Kupfer(I)-oxid-Zusammensetzung erhalten wurde, und direktes
Verbinden des Kupferteils mit dem Substrat.
Das Kupferteil enthält Sauerstoff, der für eine Verbindung
desselben mit einem als Substrat dienenden Aluminiumoxid
(Al2O3)-Sinterkörper von wesentlicher Bedeutung ist.
Wenn Sauerstoff beim Verbinden des Substrats mit dem
Kupferteil aus einer Atmosphäre zugeführt wird, wird
die Oberfläche des Kupferteils unter Aufrauhung radikal
oxidiert. Erfindungsgemäß wird folglich der Bindungsgrenz
fläche zwischen Substrat und Kupferteil Sauerstoff nicht
aus der Atmosphäre zugeführt. Vielmehr trägt der Sauerstoff
im Kupferteil zur Verbindung desselben mit dem Substrat
bei. Es ist wichtig, daß die Menge des im Kupferteil ent
haltenen Sauerstoffs groß genug ist, um im Verbindungs
bereich zwischen Kupferteil und dem Substrat aus dem
Aluminiumoxid-Sinterkörper eine eutektische Legierungs
flüssigphase zu bilden. Die Sauerstoffmenge beträgt 100 ppm
oder mehr. Wenn die Sauerstoffmenge im Kupferteil unter
100 ppm liegt, werden das Substrat und das Kupferteil nur
teilweise mikroskopisch aneinander gebunden, da an der
Verbindungsgrenzfläche zwischen Kupferteil und Substrat
eine ausreichende Menge an eutektischer Legierungsflüssig
phase entsteht. Folglich erhält man auch keine Schaltungs
platte ausreichender Abziehfestigkeit. Wenn andererseits
die in dem Kupferteil enthaltene Sauerstoffmenge 1000 ppm
übersteigt, wird die Oberfläche des Kupferteils beim Er
wärmen während des Verbindungsvorgangs aufgerauht, wodurch
die Zuverlässigkeit der Schaltungsplatte beeinträchtigt
wird. Vorzugsweise beträgt die Menge des in dem Kupferteil
enthaltenen Sauerstoffs 100-600 ppm.
Das Erwärmen erfolgt auf eine Temperatur nicht über einer
Temperatur entsprechend einem Liquidusbereich einschließ
lich eines reinen Kupferschmelzpunkts eines hypoeutekti
schen Bereichs eines Zweikomponentenphasendiagramms von
Cu/Cu2O (vgl. Fig. 1) und nicht unter einer Temperatur
entsprechend einer eutektischen Linie, die durch Verbinden
einer Linie entsprechend Kupfer und einer Linie entspre
chend einer Kupfer(I) -oxid-Zusammensetzung erhalten wurde,
d. h. in einem durch die Schraffierung in Fig. 1 angegebenen
Temperaturbereich. Der Erwärmungstemperatur sind aus fol
genden Gründen Grenzen gesetzt: Wenn die Erwärmungstempera
tur unterhalb einer Temperatur entsprechend der eutektischen
Linie liegt, entsteht an der Verbindungsgrenzfläche zwischen
Substrat und Kupferteil keine eutektische Legierungsflüssig
phase. Wenn die Erwärmungstemperatur über einer Temperatur
entsprechend dem Liquidusbereich einschließlich des reinen
Kupferschmelzpunkts liegt, schmilzt das Kupferteil völlig.
Das Erwärmen erfolgt in einer Inertgasatmosphäre (Stick
stoff, Argon, Helium u. dgl.) mit 1-100 ppm Sauerstoff.
Der Grund für die Begrenzung der Sauerstoffmenge wird im
folgenden erläutert.
Der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck von Cu2O bei
einer Temperatur von 1065°C beträgt 1,5 × 10-6 Atm. Wenn
die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre des Ofens unter diesem
Wert liegt, zersetzt sich Cu2O. Infolge derselben Reaktion,
wie beschrieben, verringern sich auch die eutektische Le
gierungsflüssigphase und eine mit dem Bindungsvorgang
assoziierte flüssige Phase, so daß das aus dem Aluminiumoxid-
Sinterkörper bestehende Substrat nicht in zufriedenstel
lender Weise an das Kupferteil gebunden wird. Folglich muß
die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre 1 ppm oder mehr be
tragen. Wenn darüber hinaus die Sauerstoffmenge gering
fügig unterhalb dem Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck
liegt, wird die eutektische Legierungsflüssigphase kaum
reduziert. Im vorliegenden Falle ist vorher in dem Kupfer
teil eine Sauerstoffmenge im Bereich von 100-1000 ppm
enthalten. Diese Sauerstoffmenge befähigt das Kupferteil
zur festen Verbindung mit dem Substrat. Wenn das Substrat
und das Kupferteil in einer Atmosphäre mit
weniger als 1 ppm Sauerstoff thermisch miteinander ver
bunden werden, besitzt die Bindungsfestigkeit (Abzieh
festigkeit; weniger als 5 kgf/cm) zwischen Substrat und
Kupferteil selbst bei Anwesenheit des Maximalwerts an
Sauerstoff, nämlich von 1000 ppm, in dem Kupferteil einen
für den praktischen Gebrauch (nur eben) tolerierbaren Wert
oder weniger.
Wenn die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre weit größer ist
als der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck beim Erwärmen
auf eine Temperatur innerhalb des angegebenen Bereichs,
wird das Kupferteil übermäßig oxidiert und läßt sich nicht
direkt als Schaltungsplatte verwenden. Folglich muß die
maximale Sauerstoffmenge in der Atmosphäre 100 ppm betragen.
Wenn darüber hinaus das Verbinden in eine diese Sauer
stoffmenge enthaltenden Atmosphäre erfolgt, dauert die
Reaktion nur kurze Zeit, d. h. einige s bis einige min.
Da in diesem Falle die Sauerstoffmenge nur geringfügig
größer ist als der Gleichgewichts-Sauerstoffpartialdruck,
erfolgt keine merkliche Oxidation, so daß das Kupferteil
in der Praxis verwendet werden kann. Die Sauerstoffmenge
in der Atmosphäre beträgt vorzugsweise 1-50 ppm.
Nachdem erfindungsgemäß ein eine gegebene Menge Sauerstoff
enthaltendes Kupferteil mit einem Substrat aus einem
Aluminiumoxid-Sinterkörper in Berührung gebracht worden
ist, wird das Substrat in einer Inertgasatmosphäre auf eine
Temperatur nicht über einer Temperatur entsprechend dem
Liquidusbereich einschließlich eines reinen Kupferschmelz
punkts eines hypoeutektischen Bereichs eines Zweikomponen
ten-Phasendiagramms von Cu/Cu2O (vgl. Fig. 1) und nicht
unter einer Temperatur entsprechend einer eutektischen
Linie, die durch Verbinden einer Linie entsprechend
Kupfer und einer Linie entsprechend einer Kupfer(I)-oxid-
Zusammensetzung erhalten wurde, erwärmt. Die Inertgas
atmosphäre enthält eine gegebene Menge Sauerstoff. Folg
lich wird kein auf eine übermäßige Oxidation der Ober
fläche des Kupferteils zurückzuführender Oxidfilm gebildet,
so daß man eine in hohem Maße zuverlässige Schaltungsplatte
hoher Abziehfestigkeit, in der das Kupferteil in zufrie
denstellender Weise direkt an das Substrat gebunden ist,
erhält.
Bevorzugte Ausführungsformen des Verfahrens gemäß der Er
findung werden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im
einzelnen zeigen:
Fig. 1 ein Zweikomponenten-Phasendiagramm Cu/Cu2O;
Fig. 2A bis 2D im Querschnitt Herstellungsstufen einer
Schaltungsplatte gemäß dem erfindungsgemäßen Bei
spiel 1 und
Fig. 3 in ebener Darstellung eine Schaltungsplatte gemäß
Fig. 2D.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veran
schaulichen.
Die Fig. 2A bis 2D zeigen im Querschnitt Herstellungsstufen
einer Schaltungsplatte unter Verwendung eines AlN-Sinter
körpers als Substrat.
Ein AlN-Pulver mit 3 Gew.-% Yttriumoxid als Sinterhilfs
mittel wird ausgeformt und danach unter Atmosphärendruck
zur Bildung eines AlN-Sinterkörpers gesintert. Andererseits
kann der AlN-Sinterkörper auch wie folgt hergestellt werden:
Unter Zugabe von 3 Gew.-% Yttriumoxid zu AlN-Pulver wird
eine das betreffende Pulvergemisch enthaltende Aufschlämmung
zubereitet. Aus diesem werden mit Hilfe einer Rakel folien
artige Grünlinge hergestellt. Diese werden dann unter
Atmosphärendruck gesintert.
Aus dem erhaltenen AlN-Sinterkörper wird ein plattenförmiges
AlN-Sinterkörpersubstrat 1 einer Größe von 35 mm × 55 mm ×
0,7 mm hergestellt. Wie aus Fig. 2A hervorgeht, wird das
Substrat 1 3 h lang auf eine Temperatur von 1130°C erwärmt,
wobei eine α-Al2O3-Schicht 2 einer Dicke von etwa 1 µm
auf beiden Oberflächen und sämtlichen Seitenflächen des
Substrats 1 entsteht. Andererseits läßt sich die α-Al2O3-
Schicht 2 auch lediglich auf derjenigen Oberfläche des
Substrats, auf der das Kupferteil aufgebracht wird, her
stellen.
Fig. 2B zeigt, daß auf der α-Al2O3-Schicht 2 auf der Ober
seite des Substrats 1 ein plattenförmiges Kupferteil 3
einer Größe von 20 mm × 40 mm × 0,3 mm mit 400 ppm Sauer
stoff befestigt wird. Das Substrat, auf dem das Kupferteil
befestigt worden ist, wird in einen nicht dargestellten
Heizofen eingebracht. In diesem wird für eine Stickstoff
gasatmosphäre mit 7 ppm Sauerstoff gesorgt. Das Substrat
wird dann 3 min lang auf eine maximale Temperatur von
1070°C erwärmt und danach auf Raumtemperatur abgekühlt.
Auf der Grenzfläche zwischen dem Kupferteil 3 und der auf
der Oberfläche des aus dem Heizofen entnommenen Substrats 1
aus dem AlN-Sinterkörper gebildeten α-Al2O3-Schicht hat sich, wie Fig. 2C zeigt, eine
eutektische Legierungsschicht 4 aus Cu und Cu2O gebildet.
Zu diesem Zeitpunkt war an der Korngrenze des Kupferteils 3
Sauerstoff in geringer Menge vorhanden, auf der Oberfläche
des Kupferteils 3 konnten jedoch keine Oxidfilme festge
stellt werden. Wurde zur Ermittlung der Bindefestigkeit
des Kupferteils 3 ein Abziehfestigkeitstest durchgeführt,
zeigte es sich, daß die Abziehfestigkeit des Kupferteils 3
hoch war, d. h. 11 kgf/cm betrug.
Das Kupferteil 3 und die eutektische Legierungsschicht 4
auf dem Substrat 1 wurden durch Photoätzen zur Herstellung
einer Schaltungsplatte 6 mit einem Kupferschaltungsmuster 5
einer Mustergebung unterworfen (vgl. Fig. 2D und 3). Wie
bereits ausgeführt, zeigt Fig. 3 eine ebene Darstellung
von Fig. 2D.
Es wurde bestätigt, daß das erhaltene Schaltungsmuster 5
auf der Schaltungsplatte 6 dieselbe hohe Abziehfestigkeit
(11 kgf/cm) entsprechend dem Verbindungszustand des Kupfer
teils 3 aufwies. Die Enden elektrischer Teile, z. B. Halb
leiterelemente, konnten in akzeptabler Weise an das Schal
tungsmuster 5 der Schaltungsplatte 6 angeschlossen werden,
wobei eine in hohem Maße zuverlässige Montage der Teile
auf dem Schaltungsmuster 5 erreicht wurde.
Entsprechend Beispiel 1 wurde ein Substrat aus einem
AlN-Sinterkörper hergestellt. Auf dem Substrat wurde ohne
Erwärmen desselben an Luft direkt ein plattenförmiges
Kupferteil mit 400 ppm Sauerstoff montiert. Das Substrat,
auf dem das Kupferteil direkt montiert war, wurde in einen
Heizofen gelegt. In diesem wurde für eine Stickstoffgas
atmosphäre mit 7 ppm Sauerstoff gesorgt. Das Substrat
wurde 3 min lang auf eine maximale Temperatur von 1070°C.
erwärmt und dann auf Raumtemperatur abgekühlt. Lediglich
ein Teil des Kupferteils war an das aus dem Heizofen aus
getragene Substrat aus dem AlN-Sinterkörper gebunden. Wurde
zur Ermittlung der Abziefestigkeit des Kupferteils ein
Abziehfestigkeitstest durchgeführt, zeigte dieser, daß
die Abziehfestigkeit des Kupferteils weit geringer war als
in Beispiel 1, nämlich nur 1 kgf/cm betrug.
Entsprechend Beispiel 1 wurde ein Substrat aus einem
AlN-Sinterkörper 3 h lang an Luft auf eine Temperatur
Von 1130°C erwärmt, wobei auf einer Oberfläche des Substrats
eine Al2O3-Schicht entstand. Auf der auf der Oberseite des
Substrats entstandenen Al2O3-Schicht wurde dann ein platten
förmiges Kupferteil mit 400 ppm Sauerstoff montiert. Das
Substrat, auf dem das Kupferteil montiert worden war, wurde
in einen Heizofen gelegt. Darin wurde für eine Nitridgas
atmosphäre mit 0,1 ppm Sauerstoff gesorgt. Das Substrat
wurde dann 3 min lang auf eine maximale Temperatur von
1070°C erwärmt und schließlich auf Raumtempratur abgekühlt.
Ein Abziehfestigkeitstest zur Ermittlung der Abziehfestigkeit
des Kupferteils auf dem aus dem Heizofen entnommenen Substrat
aus dem AlN-Sinterkörper zeigte, daß die Abziehfestigkeit
des Kupferteils weit geringer war als in Beispiel 1 und nur
4 kgf/cm betrug.
Entsprechend Beispiel 1 wurde ein Substrat aus einem
AlN-Sinterkörper 3 h lang an Luft auf eine Temperatur von
1130°C erwärmt, wobei auf der Oberfläche des Substrats eine
Al2O3-Schicht gebildet wurde. Auf der auf der Oberfläche
des Substrats gebildeten Al2O3-Schicht wurde ein platten
förmiges, sauerstofffreies Kupferteil montiert. Das Substrat,
auf das das Kupferteil montiert worden war, wurde in einen
Heizofen überführt. In diesem wurde für eine Nitridgas
atmosphäre mit 300 ppm Sauerstoff gesorgt. Das Substrat
wurde 30 s auf eine maximale Temperatur von 1070°C erwärmt
und dann auf Raumtemperatur abgekühlt. Ein Abziehfestigkeits
test zur Bestimmung der Bindefestigkeit des Kupferteils
an dem aus dem Heizofen entnommenen Substrat aus dem
AlN-Sinterkörper zeigte, daß das Kupferteil eine relativ
hohe Abziehfestigkeit von 8 kgf/cm besaß. Die Oberfläche
des Kupferteils war jedoch in der Verbindungsstufe so
stark oxidiert worden, daß sich ihre Farbe in rötlich purpur
geändert hatte.
Ein Aluminiumoxidpulver mit 3 Gew.-% Magnesiumoxid als
Sinterhilfsmittel wurde unter Atmosphärendruck zu einem
Aluminiumoxid-Sinterkörper gesintert. Danach wurde der
Sinterkörper in ein Substrat in Form eines plattenförmigen
Aluminiumoxid-Sinterkörpers einer Größe von 35 mm × 55 mm
× 0,7 mm überführt. Auf der Oberseite des Substrats wurde
ein plattenförmiges Kupferteil mit 400 ppm Sauerstoff einer Größe von 10 mm ×
50 mm × 0,3 mm montiert. Das Substrat, auf welchem das
Kupferteil montiert worden war, wurde in einen Heizofen
gelegt. Darin wurde für eine Stickstoffgasatmosphäre mit
7 ppm Sauerstoff gesorgt. Das Substrat wurde 3 min lang
auf eine maximale Temperatur von 1070°C erwärmt und dann
auf Raumtemperatur gekühlt. An der Grenzfläche zwischen
dem aus dem Heizofen entnommenen Substrat aus dem Aluminium
oxid-Sinterkörper und dem Kupferteil hatte sich eine
eutektische Legierungsschicht aus Cu und Cu2O gebildet.
Zu diesem Zeitpunkt war an der Korngrenze des Kupferteils
Oxid (nur) in geringer Menge vorhanden. Auf der Oberseite
des Kupferteils konnten keine Oxidfilme festgestellt werden.
Wurde zur Ermittlung der Bindefestigkeit des Kupferteils
ein Abziehfestigkeitstest durchgeführt, zeigte es sich,
daß das Kupferteil 3 eine hohe Abzieh- oder Bindefestigkeit
von 11 kgf/cm aufwies.
Das Kupferteil auf dem Substrat wurde zur Herstellung einer
Schaltungsplatte mit einem Kupferschaltungsmuster durch
Photoätzung einer Mustergebung unterworfen. Es zeigte sich,
daß das erhaltene Schaltungsmuster auf der Schaltungsplatte
dieselbe hohe Abziehfestigkeit (11 kgf/cm) aufwies, wie im
Verbindungszustand des Kupferteils. Die Enden elektrischer
Teile, z. B. Halbleiterelemente, konnten in akzeptabler
Weise an das Schaltungsmuster der Schaltungsplatte ange
schlossen werden, wobei eine in hohem Maße zuverlässige
Montage der Teile auf dem Schaltungsmuster erreicht wurde.
Ein plattenförmiges Kupferteil mit 400 ppm Sauerstoff wurde
auf einem Substrat aus einem Aluminiumoxid-Sinterkörper
entsprechend Beispiel 2 montiert. Das Substrat, auf dem
das Kupferteil montiert worden war, wurde in einen Heizofen
gelegt. Darin wurde für eine Nitridgasatmosphäre mit 0,1 ppm
Sauerstoff gesorgt. Das Substrat wurde 3 min lang auf eine
maximale Temperatur von 1070°C erwärmt und dann auf Raum
temperatur abgekühlt. Ein Abziehfestigkeitstest zur Ermitt
lung der Bindefestigkeit des Kupferteils auf dem aus dem
Heizofen entnommenen Substrat aus dem Aluminiumoxid-Sinter
körper zeigte, daß die Abzieh- oder Bindefestigkeit des
Kupferteils weit geringer war als in Beispiel 2 und nur
4 kgf/cm betrug.
Ein plattenförmiges, sauerstofffreies Kupferteil wurde auf
einem Substrat aus dem Aluminiumoxid-Sinterkörper gemäß
Beispiel 2 montiert. Das Substrat, auf dem das Kupferteil
montiert worden war, wurde in einen Heizofen gelegt. Darin
wurde für eine Nitridgasatmosphäre mit 300 ppm Sauerstoff
gesorgt. Das Substrat wurde 30 s auf eine maximale Tempera
tur von 1070°C erwärmt und dann auf Raumtemperatur abgekühlt.
Ein Abziehfestigkeitstest zur Ermittlung der Bindefestigkeit
des Kupferteils an dem aus dem Heizofen entnommenen Substrat
aus dem Aluminiumoxid-Sinterkörper zeigte, daß das Kupferteil
zwar eine relativ hohe Binde- oder Abziehfestigkeit von
8 kgf/cm aufwies, daß jedoch die Oberfläche des Kupferteils
in der Verbindungsstufe so stark oxidiert worden war, daß
sich ihre Farbe in rötlich-purpur geändert hat.
Wie beschrieben, wird erfindungsgemäß ein Verfahren zur
einfachen Massenproduktion von in hohem Maße zuverlässigen
Schaltungsplatten geschaffen. Bei den erhaltenen Schaltungs
platten ist ein Kupferteil fest an ein Substrat aus einem
AlN-Sinterkörper oder einem Aluminiumoxid-Sinterkörper unter
weitestgehender Vermeidung einer Oxidation der Oberfläche
des Kupferteils gebunden. Die Enden elektronischer Teile,
z. B. Halbleiterelemente, Widerstände oder Kondensatoren
können in akzeptabler Weise an das Kupferteil gebunden und
montiert werden.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsplatte durch
Inberührungbringen eines Kupferteils (3) mit 100-1000 ppm
Sauerstoff mit einer auf einer Oberfläche eines
Substrats (1) aus einem Aluminiumnitrid-Sinterkörper
gebildeten Oxidschicht (2);
Erwärmen des Substrats (1) in einer inerten Gasatmosphäre
mit 1-100 ppm Sauerstoff auf eine Temperatur nicht
über einer Temperatur entsprechend einem Liquidusbe
reich, der einen reinen Kupferschmelzpunkt eines
hypoeutektischen Bereichs eines Zweikomponentenphasen
diagramms von Cu/Cu2O einschließt und nicht unter einer
Temperatur entsprechend einer eutektischen Linie, die
durch Verbinden einer Linie entsprechend Kupfer und
einer Linie entsprechend einer Kupfer(I)-oxid-Zusammen
setzung erhalten wurde und direktes Verbinden des
Kupferteils (3) mit dem Substrat (1).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Aluminiumnitrid-Sinterkörper durch Sintern eines
ein Sinterhilfsmittel enthaltenden Aluminiumnitrid
pulvers hergestellt wurde.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Kupferteil (3) 150-600 ppm Sauerstoff enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Inertgasatmosphäre 1-50 ppm Sauerstoff enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
Kupfer im wesentlichen an einer an das Substrat (1)
zu bindenden Oberfläche des Kupferteils (3) freiliegt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Abziehfestigkeit des an das Substrat (1) gebundenen
Kupferteils (3) nicht weniger als 5 kgf/cm beträgt.
7. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsplatte durch
Inberührungbringen eines Kupferteils mit 100-1000 ppm
Sauerstoff mit einem aus einem Aluminiumoxid-Sinterkörper
bestehenden Substrat;
Erwärmen des Substrats in einer inerten Gasatmosphäre
mit 1-100 ppm Sauerstoff auf eine Temperatur nicht
über einer Temperatur entsprechend einem Liquidusbe
reich, der einen reinen Kupferschmelzpunkt eines
hypoeutektischen Bereichs eines Zweikomponentenphasen
diagramms von Cu/Cu2O einschließt und nicht unter einer
Temperatur entsprechend einer eutektischen Linie, die
durch Verbinden einer Linie entsprechend Kupfer und
einer Linie entsprechend einer Kupfer(I)-oxid-Zusammen
setzung erhalten wurde, und direktes Verbinden des
Kupferteils mit dem Substrat.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
das Kupferteil 100-600 ppm Sauerstoff enthält.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Inertgasatmosphäre 1-50 ppm Sauerstoff enthält.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
Kupfer im wesentlichen an einer an das Substrat zu
bindenden Oberfläche des Kupferteils freiliegt.
11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Abziehfestigkeit des an das Substrat gebundenen
Kupferteils nicht weniger als 5 kgf/cm beträgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2133957A JP3011433B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | セラミックス回路基板の製造方法 |
JPP2-133957 | 1990-05-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4117004A1 true DE4117004A1 (de) | 1991-11-28 |
DE4117004B4 DE4117004B4 (de) | 2005-08-11 |
Family
ID=15117033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4117004A Revoked DE4117004B4 (de) | 1990-05-25 | 1991-05-24 | Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsplatte |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5176309A (de) |
JP (1) | JP3011433B2 (de) |
DE (1) | DE4117004B4 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4328353A1 (de) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
DE4338706A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-05-04 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
AT402871B (de) * | 1995-07-17 | 1997-09-25 | Mikroelektronik Ges Mit Beschr | Verfahren zur herstellung einer trägerplatte für elektrische schaltungen |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011433B2 (ja) * | 1990-05-25 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
EP0667640A3 (de) * | 1994-01-14 | 1997-05-14 | Brush Wellman | Mehrlagen-Laminatprodukt und seine Herstellung. |
US5777259A (en) * | 1994-01-14 | 1998-07-07 | Brush Wellman Inc. | Heat exchanger assembly and method for making the same |
US5965193A (en) * | 1994-04-11 | 1999-10-12 | Dowa Mining Co., Ltd. | Process for preparing a ceramic electronic circuit board and process for preparing aluminum or aluminum alloy bonded ceramic material |
US5490627A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-13 | Hughes Aircraft Company | Direct bonding of copper composites to ceramics |
US5586714A (en) * | 1994-10-06 | 1996-12-24 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Method of bonding metal to a non-metal substrate |
US5906310A (en) * | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Vlt Corporation | Packaging electrical circuits |
US5876859A (en) * | 1994-11-10 | 1999-03-02 | Vlt Corporation | Direct metal bonding |
JP2732823B2 (ja) * | 1995-02-02 | 1998-03-30 | ヴィエルティー コーポレーション | はんだ付け方法 |
US6022426A (en) * | 1995-05-31 | 2000-02-08 | Brush Wellman Inc. | Multilayer laminate process |
JPH09153567A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置 |
JPH09153568A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 窒化珪素セラミック回路基板および半導体装置 |
EP0866883A4 (de) * | 1996-02-09 | 1998-12-23 | Brush Wellman | C11004 legierung |
US5771157A (en) * | 1996-03-08 | 1998-06-23 | Honeywell, Inc. | Chip-on-board printed circuit assembly using aluminum wire bonded to copper pads |
US5912066A (en) * | 1996-03-27 | 1999-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and producing method therefor |
DE19633486C1 (de) * | 1996-08-20 | 1998-01-15 | Heraeus Sensor Nite Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
US6107638A (en) * | 1997-03-14 | 2000-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit substrate and semiconductor device containing same |
US6316737B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-11-13 | Vlt Corporation | Making a connection between a component and a circuit board |
JP3865557B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2007-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6985341B2 (en) * | 2001-04-24 | 2006-01-10 | Vlt, Inc. | Components having actively controlled circuit elements |
US7443229B1 (en) | 2001-04-24 | 2008-10-28 | Picor Corporation | Active filtering |
JP3969987B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2007-09-05 | Dowaホールディングス株式会社 | セラミックスと合金の接合体 |
US7754976B2 (en) | 2002-04-15 | 2010-07-13 | Hamilton Sundstrand Corporation | Compact circuit carrier package |
US20070231590A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Stellar Industries Corp. | Method of Bonding Metals to Ceramics |
JP2015224151A (ja) * | 2014-05-27 | 2015-12-14 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | Cu/セラミック基板 |
JP6602450B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2019-11-06 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | Cu/セラミック基板 |
CN111146076B (zh) * | 2019-12-19 | 2022-07-19 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种纳米烧结铜与晶圆结合的制备方法及其连接结构 |
DE102021106952A1 (de) | 2021-03-22 | 2022-09-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Dbc-substrat für leistungshalbleitervorrichtungen, verfahren zum herstellen eines dbc-substrats und leistungshalbleitervorrichtung mit dbc-substrat |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3766634A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US3994430A (en) * | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
JPS593077A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | 株式会社東芝 | セラミツク部材と金属との接合方法 |
US4585706A (en) * | 1981-04-30 | 1986-04-29 | Hitachi, Ltd. | Sintered aluminum nitride semi-conductor device |
EP0097944B1 (de) * | 1982-06-29 | 1988-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum direkten Verbinden von keramischen- und Metallkörpern und derartiger Verbundkörper |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB761045A (en) * | 1952-08-29 | 1956-11-07 | Lodge Plugs Ltd | Improvements in or relating to the bonding of ceramics with copper |
US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
US4129243A (en) * | 1975-07-30 | 1978-12-12 | General Electric Company | Double side cooled, pressure mounted semiconductor package and process for the manufacture thereof |
DE3036128C2 (de) * | 1980-09-25 | 1983-08-18 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum direkten Verbinden von Kupferfolien mit Oxidkeramiksubstraten |
DE3204167A1 (de) * | 1982-02-06 | 1983-08-11 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum direkten verbinden von metallstuecken mit oxidkeramiksubstraten |
JPS59121172A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-13 | 工業技術院長 | 金属とセラミツクスの粗平面の接合法 |
JPS59121890A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | 株式会社東芝 | セラミツクスと金属との接合体 |
JPS604154A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-10 | Ono Pharmaceut Co Ltd | 13−アザトロンボキサン類似化合物、その製造方法及びその化合物を有効成分として含有するトロンボキサン起因疾患治療剤 |
JPS6032343A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | パワ−半導体モジユ−ル基板 |
JPS61227035A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
JPH0272696A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
JP3011433B2 (ja) * | 1990-05-25 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2133957A patent/JP3011433B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-22 US US07/704,094 patent/US5176309A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-24 DE DE4117004A patent/DE4117004B4/de not_active Revoked
-
1992
- 1992-10-16 US US07/961,845 patent/US5280850A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3766634A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US3994430A (en) * | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
US4585706A (en) * | 1981-04-30 | 1986-04-29 | Hitachi, Ltd. | Sintered aluminum nitride semi-conductor device |
JPS593077A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-09 | 株式会社東芝 | セラミツク部材と金属との接合方法 |
EP0097944B1 (de) * | 1982-06-29 | 1988-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum direkten Verbinden von keramischen- und Metallkörpern und derartiger Verbundkörper |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Intern. J. Hybrid Microelectronics, Bd. 5 (Nov. 1982), S. 103-109 * |
JP 59-003077 A, mit Übersetzung Machine Design, Bd. 61, vom 23. Nov. 1989, S. 95-100 * |
Ullmanns Encyklopädie der technischen Chemie, 4. Aufl. (1982) Bd. 22, S. 244 re. Sp. Abs. 1 und S. 246 li. Sp. Abs. 2 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4328353A1 (de) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
DE4338706A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-05-04 | Schulz Harder Juergen | Mehrschicht-Substrat |
AT402871B (de) * | 1995-07-17 | 1997-09-25 | Mikroelektronik Ges Mit Beschr | Verfahren zur herstellung einer trägerplatte für elektrische schaltungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0429390A (ja) | 1992-01-31 |
DE4117004B4 (de) | 2005-08-11 |
JP3011433B2 (ja) | 2000-02-21 |
US5176309A (en) | 1993-01-05 |
US5280850A (en) | 1994-01-25 |
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