DE2016919A1 - Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers mit verbesserter Oberflächenglätte - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers mit verbesserter OberflächenglätteInfo
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Description
Western Electric Company, Incorporated J,C. Williams.2
New York 7. N.Y. 10007, V.St Jt. ·
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers mit verbesserter Oberflächenglätte -
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen
Körpers mit verbesserter Oberflächenglätte, bestehend
aus den Schritten des Glühens einer Mischung von Bestandteilen,
die entsprechende Oxyde in dem gebrannten Körper bil- ι
den können, Umbildung der geglühten Mischung zu einem strukturell integrierten Rohkörper und Brennen des Körpers mit einer
Temperatur und Zeitdauer, die ausreicht, ihn zu einem dichten gebrannten Körper zu formen. Sie bezieht sich dther aufsein
unglasiertes polykristallines keramisches Material, das als
Substrat für Dünnschichtkomponenten und -schaltungen geeignet
ist.
Materialien, die als Substrate zur Aufnahme von Dünnschichtkomponenten,
wie beispielsweise Widerständen und Kondensatoren, verwendet werden sollen, werden chemisch reaktionsträge,
elektrisch isolierend, thermisch leitend und mechanisch fest gewünscht. Darüberhinaus hat man beobachtet, daß wenn die
anderen Faktoren die gleichen sind, sich oftmals die Leistungs-;
fähigkeit der Komponenten verbesserte, wenn die Oberflächenglätte des tragenden Substrates verbessert wurde. In diesem
Zusammenhang sei beispielsweise auf das Buch "Printed and
Integrated Circuitry1,1 Schlabach und Rider, McGraw-Hill, 1963,
Seiten 50, 51 und 331 bis 333» verwiesen.
009846/156 8
Die Bedeutung der Oberflächenglätte kann aus der Betrachtung
verstanden werden, daß die Tantalschicht in einem Stärkebereich von wenigen Hundert bis zu Ein- oder Zweitausend Angströmeinheiten
liegen kann. Wenn die mittlere Abweichung von der Ebenheit der Substratoberfläche (gewöhnlich ausgedrückt als mittlere
Mittellinie oder CLA - center line average -) 50,8 . 10 cm beträgt, dann kann die Tantalschicht wohl als diskontinuierlich
bezeichnet werden ( 2,54- . 10™ cm entspricht 254 Angströmeinheiten).
Sogar wenn die Tantalschicht kontinuierlich ist, können * wesentliche Unterschiede in ihrer Stärke noch bei der Kondensatorherstellung
nachteilig sein, bei der die ano.disierte Ta2CL-Schicht
während des Betriebes zusammenbrechen kann.
Obwohl verschiedene polykristalline keramische Materialien, wie
beispielsweise Aluminium oder modifizierte Erdalkaliporzellane ansonsten für die Verwendung als Substratmaterialien wohl geeignet
sind, kann deren Oberfläche für die meisten kritischen Anwendungen gewöhnlich nur ausreichend glatt gehalten werden,
wenn teure Glasierungs- oder Polierschritte zusätzlich durchgeführt
werden. Alternativ hierzu werden manchmal niedrig alkalische feuerbeständige Glassubstrate verwendet, obwohl sie im
allgemeinen als den polykristallinen keramischen Substraten unterlegen angesehen werden, da sie oft die nachfolgenden Verarbeitungsschritte,
wie beispielsweise Thermokompressionsverbinden, Löten oder Schweißen von Leitungen an das niedergeschlagene Material nicht aushalten. Daher muß die Suche nach
Substratmaterialien fortgesetzt werden, auf denen Dünnschichtkomponenten
zuverlässig hergestellt werden können.
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Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren
zur Herstellung eines Substratmaterials anzugeben, dem die
vorstehend genannten Kachteile fehlen.
Für ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers mit
verbesserter Oberflächenglätte, bestehend aus den Schritten des
Glühens einer Mischung von Bestandteilen, die entsprechende Oxyde in dem gebrannten Körper bilden können, Umbildung der
geglühten Mischung zu einem strukturell integrierten Rohkörper
und Brennen des Körpers mit einer Temperatur und Zeitdauer,
die ausreicht, ihn zu einem dichten gebrannten Körper zu formen, besteht die Erfindung in der Auswahl der Bestandteile derart, daß mindestens der Oberflächenbereich des Körpers folgende
Zusammensetzung in Gewicht st eilen aufweist S.
30,5 bis 40,5 Calziumoxyd
..59t-5 his 69,5 Aluminiumoxyd und
10 bis 20 Siliziumdioxyd.
..59t-5 his 69,5 Aluminiumoxyd und
10 bis 20 Siliziumdioxyd.
Vielt ere Merkmale und vorteilhafte Aspekte der Erfindung sind
den Unteransprüchen zu entntaen.
Ein auf diese Weise hergestelltes polykristallines keramisches
Material besitzt eine wie gebrannt wirkende. Oberfläche und
erlaubt, wenn es zuvor eine geeignete Form erhält, wobei eine
Anzahl bekannter Verfahren, wie Trockenpressen, Strangpressen
oder Schaben verwendet werden können, die Herstellung von
Dünnschichtschaltkreiselementen auf einem so hergestellten u:<i--Körper,
die zuverlässiger sind, als solche, die auf anderen
Q09846/15aa BADORIGINAL
wie gebrannt wirkenden keramischen Oberflächen hergestellt werden.
Dieses Ergebnis wurde versuchsweise den glatten Körnern und flachen Korngrenzen der Oberflächen zugeschrieben und demzufolge
ihrem hohen Grad an Oberflächenglätte.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines durch Zeichnungen'
erläuterten Ausführungsbeispieies näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittzeichnung durch einen Dünnschichtwiderstand,
der auf dem erfindungsgemäßen Material aufgebracht ist,
Fig. 2 eine Schnittzeichnung durch einen Dünnschichtkondensator,
der auf dem erfindungsgemäßen Material aufgebracht ist, und
Fig. 3 eine Schnittzeichnung durch ein Substrat aus dem
erfindungsgemäßen Material.
Der dichte, feinkörnige gebrannte Körper gemäß der Erfindung
besteht aus einem polykristallinen keramischen Material, das im wesentlichen jede Glasphase entbehrt. .Es kann von Verbindungen
von Ausgangsmaterialien1 gewonnen werden, die in einem
Bereich liegen, der durch das Verhältnis der Gewichtstabelle 30, 5 bis 40,5 Calziumoxyd (CaO), 59,5 bis 69,5 Aluminiumoxyd
(Al2O,) und 10 bis EO Siliziumdoxyd <SiÖ2) ausgedrückt wird.
Unterhalb dieser Grenzen für Calziumpxyd und Aluminiumoxyd
und oberhalb von 20 Gewichtsanteilen Siliziumdioxyd beginnt
die Zuverlässigkeit der auf diesen Materialien aufgebrachten
Dünnschichtkomponenten wieder abzufallen. Im allgaeinen führt die Reduzierung des Siliziumdioxydgehaltes zu einem Ansteigen
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- 5 - ;.■■■' . -
*der* Zuverlässigkeit der Komponenten,obwohl unterhalb von 10
Gewichtseinheiten Siliziumdioxyd der gebrannte Körper feuchtigkeit
sangr if fen ausgesetzt ist. Eine Zusammensetzung, innerhalb des Bereiches von Gewichtsanteilen 35,5 GaO, 64,5 Al2O, .
und 15 SiOp wird für eine optimale Zuverlässigkeit der Komponenten bevorzugt, ohne daß ein Verlust an chemischer Stabilität
des Substrats eintritt.
Die dichte, feinkörnige gebrannte Keramik der Erfindung kann
mit Hilfe von Verfahren hergestellt werden, die an sich be- *
kannt sind. Als Beispiel wird im folgenden für den Praktiker ein Verfahren kurz beschrieben, obwohl andere Techniken gefunden
werden können, die ebenfalls in einem zufriedenstellenden gebrannten Körper resultieren.
Die üblichen Vorsichtsmaßnahmen, die das Vorhandensein von Verunreinigungen
oder sich verändernder. Bestandteile im AusgangS1-material
betreffen, sind für die praktische Durchführbarkeit der Erfindung ausreichend. Die vorliegenden Verunreinigungen ί
sollten jedoch insgesamt unterhalb von 0,1 Gewichtsprozenten gehalten werden. Für bestimmte kritische Anwendungen sollte
das Vorliegen von Fe2O* unterhalb von 0,01 Gewichtsprozenten
gehalten werden, um ein zerstörerisches Absinken der elektrischen Verlustcharakteristiken zu vermeiden.
Die Ausgangsmaterialien, 'wie beispielsweise Oxyde oder andere
Verbindungen, die beim Brennen Oxyde erzeugen, wie beispielsweise Dikarbonate, sind sorgfältig gemischt, um sicherzustellen, daß die nachfolgenden Reaktionen vollständig und gleich-
009846/1568
2016Ü10 - 6 - .
fönnig stattfinden. Das Mischen wird gewöhnlich durch Herstellung
einer wässrigen oder organischen Breis in einer Kugelmühle. Das Material wird dann getrocknet, granuliert" und vorreagieren
gelassen durch ein allgemeines Glühen bei einer Temperatur im Bereich von 800 bis 1100^C innerhalb eines Zeitraumes
von 2 bis 16 Stunden. Das Material wird dann pulverisiert,
um die Zusammenballungen auseinanderzubrechen, die sich während
des Glühens gebildet haben. An dieser Stelle werden verschiedene Formungshilfen, wie beispielsweise Bindemittel, Schmierstoffe
und Weichmacher dem Material zusanmen mit einem wässrigen
oder organischen Träger beigegeben und es wird wieder in einer Kugelmühle ein Brei hergestellt. Die besonders ausgewählten
Formungshilfen und das Verhältnis, in dem sie zugegeben
werden,' hängt von dem für die Formung des Materials in Körper mit einer Rohstärke gewählten Verfahren ab. Dem Trockenpressen
oder Schaben kann der Vorzug gegebenwerden, wenn eine fläche Oberfläche mit einem mechanisch feststellbaren glatten
Oberflächenprofil gewünscht wird.Beim Trockenpressen wird der
Brei getrocknet und pulverisiert, um dann beispielsweise ein 200er Siebraster (14 Mikromillimeter) zu durchlaufen. Er wird
dann in Formen gegossen und von 3000 bis 60000 psi (211 bis 4219 kg/cm1") gepresst.
«7
Beim Schaben oder Ausstreichen wird der Brei im allgemeinen in eine dünne Platte aus nasser Keramik ausgeformt, indem das Material
auf einen Träger aufgebracht wird, der sich mit konstanter Geschwindigkeit unter einem Messerblatt fortbewegt, dessen ,
Kante parallel zur Oberfläche des Trägers verläuft. Nach dem Lufttrocknen ist die Rohplatte fertig zum Brennen. Obwohl dieses
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ltein notwendiger Teil dieser Beschreibung Ist, wird doch darauf
hingewiesen, daß die Erzeugung eines Breies für die Ausformung
in der U.S.-Patentschrift 2 966 719 beschrieben ist.
Während der Träger im allgeeinen durch Abstreifen von der ausgestrichenen Platte vor dem Brennen befreit wird, wobei ein
selbsttragender keramischer Körper entsteht, wird die Herstellung
eines keramisch überzogenen Substrates durch Ausstreichen
oder mittels Giner anderen Technik ebenfalls als der Teil der
Erfindung angesehen. Auch andere Formungsverfahren kommen in Betracht. Beispielsweise kann für die Herstellung von Stangen
oder Röhren mit glatten Oberflächen vorzugsweise das Stangenpressen wünschenswert sein. *
Wenn das Material in einen Körper ausgeformt ist und eine Rohstärke
besitzt, dann wird es bei einer Temperatur und für eine Zeitdauer gebrennt, die ausreichend für die Herstellung einer
dichten, feinkörnigen Struktur ist. Die erforderlichen Brennbedingungen
hängen weitgehend von der Teilchengröße des Ausgangsina terials ab, wobei im allgemeinen fein zerteilte Materialien deshalb der Vorzug gegeben wird, weil sie nicht nur
niedrigerere Temperaturen und kürzere Zeiten erfordern, als gröbere Materialien, um zu einem vergleichsweise dichten gebrannten Körper zu reagieren, sondern weil sie auch zu einer
kleineren mittleren Korngröße in dem gebrannten Körper führen.
Im allgemeinen führt, wenn man mit Materialien beginnt, die
eine mittlere Teilchengröße in der Größenordnung von Hunderten
von Hilcromllllmetefn besitz|ien, dieses zu einem gebrannten
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§AD ORIGINAL
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Körper, der etwa 95% der theoretischen Dichte und eine mittlere
Korngröße von etwa 2 Mikromillimeter besitzt. Materialien
dieses Zustandes können im Handel erworben oder mit Hilfe von Ausfällungen aus geeigneten Lösungen, wie es bekannt ist, zu
erzeugen. Als Alternativlösung hierzu können grobkörnige Materialien bequem auf einen feinzerteilten Zustand während der
Mischung, falls es gewünscht ist, reduziert werden. Beispielsweise kann die Mischung in einer üblichen Kugelmühle durch
eine Verlängerung der üblichen Mahlzeiten um den Faktor 2 bis
10 verwendet werden, um die Teilchengröße zu reduzieren. Eine weitere Alternativlösung besteht darin, das Mischen in einer
Vibrationsmühle durchzuführen. Das Mahlen in einer Vibrationsmühle für die Dauer von 1 bis 2 Stunden führt normalerweise
zu einer annehmbaren Verringerung der Teilchengröße von beispielsweise 40 Mikromillimeter bis auf wenige Zehntel eines
Mikromillimeters.
Obwohl fein zerteilte Materialien bevorzugt werden, können auch
Materialien mit einer mittleren Teilchengröße bis zu etwa
40 Mikromillimetep (325er Rastersieb) verwendet werden, um
ein geeignetes Brennprodukt zu'erhalten.
Für eine mittlere Teilchengröße von etwa 0,01 bis 0,10 Mikromillimeter reicht ein Brennen bei etwa 1300 bis 14OO°C für
die Dauer von 1 /2 bis 3 Stunden aus, um einen gebrannten Körper zu erzeugen, der etwa 92 bis 97% der theoretischen
Dichte und eine mittlere Korngröße von etwa 1 bis 10 Mikromillimeter besitzt. Um eine vergleichsweise gebrannte Dichtung für Ausgangsmaterial mit Teilchengrößen bis zu 40 Mikro-
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- gf-
'millimeter zu erzeugen, ist ein Brennen von 1380 bis 142Q0C
für die Dauer von 2 bis 3 Stunden-erforderlich.
Fig. 1 zeigt nun eine Schnittzeichnung einer Dünnschichtstruktur,
bei der ein Dünnschicht-Tantalwiderstand 10 auf einem Substrat des erfindungsgemäßen Materials 11 aufgebracht ist.
Der Widerstand wird im wesentlichen durch Aufstäuben einer Tantalschicht 12 auf das Substrat 11, dem ein Aufdampfen von
leitenden Schichten 13 auf das Substrat und die Oxydation eines
Teils der Tantalschicht 12 folgt, um eine Tantaloxyd (Ta2O5)-Schicht
14 zu erzeugen, so wie es im wesentlichen die Figur zeigt. Fig. 2 zeigt hingegen eine Schnittzeichnung eines
Dünnschichtkondensators 20, der auf einem Substrat aus dem
erfindungsgemäßen Material 21 aufgebracht ist. Der Kondensator
wird im wesentlichen durch Aufstäubung einer Tantalschicht
22 auf das Substrat 21 erzeugt, dem eine Oxydation eines Teiles
der Tantalschicht 52 folgt, um eine Ta^^-Schicht 23 zu
bilden. Diesen Vorgängen folgt das Aufdampfen einer metallischen Gegenelektrode 24, so wie es im wesentlichen die Fig.
zeigt.
Fig. 3 zeigt schließlich einen Schnitt durch ein Substrat aus dem erfindungsgemäßen Material 31.
Chemisch reine Ausgangsmaterialien, die eine mittlere Teilchen
größe von 0,03 Mikromillimeter besitzen, wurden verbunden, um
ein Material zu bilden, das eine in Gewichtstellen dargestellte
Zusammensetzung von 35»5 CaO 64,5 AIoO* und 15
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2016U1O
- ίο -
aufweist. Dieses wurde für die Dauer von 16 Stunden in einer
Kugelmühle mit zellcäichem Acetat gemischt. Der sich hieraus
ergebende Brei wurde gefiltert, getrocknet,, durch ein 2,38
Mikromillimeter Rastersieb granuliert und bis auf 95O0C bei
einer Hitzezunahme von 500C je Stunde granuliert. Das geglühte
Material wurde durch ein 149 Mikromillimeter Rastersieb
pulverisiert und für das Trockenpressen vorbereitet durch Beigabe
von 4 Gewichtsprozenten Carboset 525 (ein thermoplastisches, acrylisches Kunstharz von B.F. Goodrich Co.), von 2
Gewichtsprozenten Oleinsäure und zellöslichem Acetat. Das ganze wurde in einer Kugelmühle 24 Stunden lang gemischt und
der sich ergebende Brei getrocknet. Dieser wurde dann durch ein 74 Mikromillimeter Rastersieb gegeben. Danach wurden Testscheiben
bei einem Druck von 1406 Hg/cm gepreßt und mit einer Hitzezunahme von etwa 70 C je Stunde auf etwa 1382 C erhitzt,
bei etwa 1382 C 2 Stunden lang gebrannt und dann im Ofen gekühlt. Die Brennschrumpfung betrug etya 22 Prozent.
Die gebrannten Scheiben wurden dadurch ausgewertet, daß auf
ihnen Tantaldünnschichtwiderstände, ähnlich denen in Fig. 1 aufgebracht wur.den, indem ihre Leistungsfähigkeit mit Widerständen
verglichen wurde, die auf einem modifizierten erdalkalischen
Porzellan niedergeschlagen wurden.
Die'prozentuale Widerstandsverschiebung nach der Oxydation der
Tantalschicht wurde mit etwa 37,5% im Falle des,Porzellansubstrates
beobachtet. Sie war jedoch nur 26,5% im Falle des erfindungsgemäßen Materials, wodurch eine verbesserte Tantalschicht
angezeigt wurde.
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Der Temperaturkoeffizient des Widerstandes des fertig verarbeiteten
Widerstandes wurde mit etwa -138 ppm/°C für die Widerstände
mit Porzellanträger und mit etwa -102 ppm/QC für Widerstände
auf dem erfindungsgemäßen Substrat gemessen, wodurch
sich eine verbesserte Leistungsfähigkeit für die Widerstände ergab. . ; .
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Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers mit
verbesserter Oberflächenglätte, bestehend aus den Schritten des Glühens einer Mischung von Bestandteilen, die
entsprechende Oxyde in dem gebrannten Körper bilden können, Umbildung der geglühten Mischung zu einem strukturell
integrierten Rohkörper und Brennen des Körpers mit einer Temperatur und bei einer Zeitdauer, die ausreicht, ihn zu
einem dichten gebrannten,Körper zu formen, gekennzeichnet
durch die Auswahl der Bestandteile derart, daß eine Mischung mit folgender äquivalenter Zusammensetzung - in Gewichtει eil en - erhalten wird:
30,5 bis 40,5 Calziumoxyd
59,5 bis 69,5 Aluminiumoxyd und 10 bis 20 Siliziumdioxyd.
2. Keramischer Körper, hergestellt nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch seine Verwendung als Substrat für Dünnschichtschaltkreiselemente .
3. Keramischer Körper nach Anspruch 2, gekennzeichnet duch
eine mittlere Korngröße des Oberflächenbereiches des gebrannten
Körpers bis 10 Mikromillimeter.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81565569A | 1969-04-14 | 1969-04-14 |
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DE2016919B2 DE2016919B2 (de) | 1978-11-23 |
DE2016919C3 DE2016919C3 (de) | 1979-07-26 |
Family
ID=25218424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2016919A Expired DE2016919C3 (de) | 1969-04-14 | 1970-04-09 | Verfahren zur Herstellung eines isolierenden Keramik-Körpers mit verbesserter Oberflächenglätte |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3615760A (de) |
JP (1) | JPS5016809B1 (de) |
BE (1) | BE748878A (de) |
DE (1) | DE2016919C3 (de) |
FR (1) | FR2043215A5 (de) |
GB (1) | GB1303877A (de) |
NL (1) | NL7005030A (de) |
SE (1) | SE350474B (de) |
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