DE3485622D1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter anwendung eines oxidationsschritts. - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter anwendung eines oxidationsschritts.Info
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| US6037273A (en) * | 1997-07-11 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for insitu vapor generation |
| US6159866A (en) * | 1998-03-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method for insitu vapor generation for forming an oxide on a substrate |
| DE69840861D1 (de) * | 1997-10-14 | 2009-07-16 | Texas Instruments Inc | Verfahren zum Oxidieren einer Struktur während der Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
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| US6162694A (en) * | 1998-11-25 | 2000-12-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a metal gate electrode using replaced polysilicon structure |
| DE19901210A1 (de) * | 1999-01-14 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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| TW434704B (en) * | 1999-06-11 | 2001-05-16 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Device of amorphous WO3 ion sensitive field effect transistor (ISFET) and method for making the same |
| US6555407B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-04-29 | Zarlink Semiconductor Ab | Method for the controlled oxidiation of materials |
| GB2355850A (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-02 | Mitel Semiconductor Ab | Forming oxide layers in semiconductor layers |
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| US7053459B2 (en) * | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| CN1290197C (zh) * | 2001-03-12 | 2006-12-13 | 株式会社日立制作所 | 用于制造半导体集成电路器件的方法 |
| KR100402389B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2003-10-17 | 삼성전자주식회사 | 금속 게이트 형성 방법 |
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