DE3416897A1

DE3416897A1 - Photographisches material

Info

Publication number: DE3416897A1
Application number: DE19843416897
Authority: DE
Inventors: Fritz Dr. Nittel; Bert 5090 Leverkusen Sauter; Armin Dr. 5000 Köln Voigt
Original assignee: Agfa Gevaert AG
Current assignee: Agfa Gevaert AG
Priority date: 1984-05-08
Filing date: 1984-05-08
Publication date: 1985-11-14
Also published as: US4582783A; EP0160912B1; DE3565609D1; EP0160912A2; JPS60249144A; EP0160912A3

Description

AGFA-GEVAERT

Aktiengesellschaft D 5090 Leverkusen 1

Patentabteilung Gs/by-c

Photographisches Material

Die Erfindung betrifft ein photographisches Material, das auf einer Seite einer polyolefinbeschichteten Papierunterlage mindestens eine Silberhalogenidemulsionsschicht und auf der anderen Seite der ünterlage eine antistatische Schicht enthält.

Es ist bekannt, mit Polyolefinen beschichtete Photopapiere mit Rückschichten zu versehen, die dem Material antistatische Eigenschaften verleihen. Die antistatische Ausrüstung verhindert eine Beein-

IQ trächtigung der lichtempfindlichen Schichten eines photographischen Materials durch sogenanntes Verblitzen, das z.B. beim Transport des Materials während des Begusses, bei der Konfektionierung oder in Verarbeitungsgeräten durch elektrische Entladungen verursacht werden kann. Statische elektrische Ladungen können z.B. durch die Reibung des photographischen Materials an den Walzen oder an anderen Teilen der Vorrichtung, durch welche das Material hindurchläuft, oder durch Berührung mit rauhen Oberflächen verursacht werden. Das photographische Material wird durch

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elektrostatische Entladungen belichtet. Es treten dann nach der photographischen Verarbeitung unregelmäßige Streifen, Linien oder dunkle Punkte auf.

Die elektrostatische Aufladung der Oberfläche eines photographischen Materials kann dadurch verhindert

werden, daß man den Schutzschichten Mattierungsmittel zufügt, die die Adhäsion zweier aufeinanderliegender Materialien herabsetzt. Eine einmal entstandene Aufladung läßt sich durch elektrisch leitende Zusätze ent-10 fernen. Man kann auch beide Möglichkeiten kombinieren.

Als geeignet zur Unterdrückung der statischen Aufladung photographischer Materialien ist eine Reihe monomerer und polymerer Verbindungen beschrieben worden, die aufgrund ihrer mattierenden Wirkung oder als Elektrolyte eine antistatische Wirkung zu entwickeln vermögen. Genannt seien in diesem Zusammenhang die DE-OSen 2 337 392, 2 359 553, 3 311 126, 2 513 791 und 2 534 976.

Nachteilig an den bekannten Antistatikschichten ist das Fehlen oder die unzureichende Ausbildung von

Eigenschaften, die für photographische Materialien, insbesondere solche, die maschinell verarbeitet werden sollen, besonders wichtig sind. Dazu gehört eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Abrieb an den Transport-25 walzen während des Auftragens der Emulsionsschichten oder beim Druchlaufen sogenannter Printer, die ünbeeinflußbarkeit der antistatischen Eigenschaften durch photo-

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Λ.

graphische Verarbeitungsflüssigkeiten und die Sicherheit vor einer Verunreinigung dieser Flüssigkeiten durch Bestandteile der Antistatikschicht, kein Kleben der Antistatikschicht, auch nicht bei hohen Wickelfriktionen sowie gute Bedruckbarkeit und Beschriftbarkeit mit den üblichen Pasten oder Tinten, einschließlich von Kugelschreiberpasten. Ein besonders störender Nachteil der bekannten Antistatikschichten ist ihre Verschmutzung in Walzentransportentwicklungsmaschinen. Insbesondere in Maschinen, die zur Verarbeitung von Blattware ausgelegt sind und die textilbespannte Walzen enthalten, lagern sich auf der Rückseite des verarbeiteten Materials Schmutzfilme aus Entwickleroxidationsprodukten ab und zwar vor allem beim Anfahren der Maschinen und bei

15 geringen Durchsätzen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Antistatikschicht mit der für eine maschinelle Verarbeitung des photographischen Materials erforderlichen Abriebfestigkeit zu entwickeln, die außerdem bedruck- und beschreibbar ist und die eine maschinelle Verarbeitung blattförmigen Materials ohne die oben beschriebenen Nachteile ermöglicht.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein photographisches Material gelöst, das auf einer Seite 25 einer polyolefinbeschichteten Papierunterlage mindestens eine Silberhalogenidemulsionsschicht und auf der anderen Seite der Unterlage eine antistatische

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Schicht aufweist, und das dadurch gekennzeichnet ist, daß in der Antistatikschicht enthalten sind:

(A) ein Gemisch aus einem Natriummagnesiumsilikat und dem Natriumsalz der Polystyrolsulfonsäure

und

(B) eine Bernsteinsäurehalbester-Verbindung der Formel

R-CH-COOH CH₂-COOR²

(D

oder

R-CH-COOH ι

CH-COO

• HOOC-CH-R" OOC-CH.

worin bedeuten:

eine Alkyl- oder Alkylengruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen,

eine unsubstituierte oder substituierte Cycloalkyl- oder Arylgruppe, ein kondensierter Arylcycloalkyl-Rest, eine Aralkylgruppe, die Gruppen

oder

und

Cyclohexylen, Alkylen—(h V-Alkylen, Cycloalkylen-Alkylen-Cycloalkylen, die Gruppen

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(0-CH₂-CH₂)₃_

-B-

/ Wo-CH₂-CH₂- oder

Als Antistatika (A) geeignete Natriummagnesiumsilikate sind im Handel erhältlich. Ein vorzüglich geeignetes Natriummagnesiumsilikat hat die Zusammensetzung:

SiO₂	50,	9	Gew.-%
MgO	24,	2	Il
Na₂O	3,	7	Il
Li₂O	1/	8	Il
F	4,	7	Il

Der Rest ist strukturgebundenes Wasser.

Die beschriebenen Bernsteinsäurehalbester-Verbindungen sind nach bekannten Verfahren in einfacher Weise herstellbare Verbindungen, deren mit R bezeichneter

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0 -

Teil im Rahmen der für R gegebenen Definition auf die für die vorliegende Anwendung interessanten Eigenschaften der Verbindungen relativ wenig Einfluß hat.

Bevorzugte Bernsteinsäurehalbester-Verbindungen, im folgenden kurz Bersteinsäurehalbester genannt, enthalten als R einen der einfach ungesättigten aliphatischen Reste "*^ci2^H23' ~^Ci5^H29 ^oder ~^Cl8^H35' deren Zustandekommen durch mehrfache Addition von Propylen erklärt werden kann.

Als Beispiele für bevorzugte Bernsteinsäurehalbester seien die folgenden Verbindungen genannt:

B-CE-COOH

jT\

RkrH-COOH CH^-COOCH-

Ri-CH-COOH CH₂-COO-CH₂

HOOC-CH-R H )-CH₂COC-CH₂

R¹-CH-CCOH

ECOC-CH-R¹

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R^CH-COOH

CH₂-C00-< Β) (5)

CH-1 . /

R-¹CH-COOH

/7Λ

CH--C00-( H )-C-CH, 2 \ / ι

CH₃

R^CH-COOH

R-CH-COOH

R-CH-COOH __/

CH.-C00-/ H^ <⁷>

1 R-CH-COOH (9) (10)

R^CH-COOH ^ _χ

/ ^ (11)

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λ\

R-CH-COOH

(12)

R-¹CH-COOH CH₂-COO

(13)

R-CH-COOH

HOOC-CH-R

CH₂-COO-/ H VoOC-CH₂

(14)

R-klH-COOH HOOC-CE-R OC-CH.

..- 7T)-CH-CH₂-C-fHV00C-C

* (15)

R-^CH-COOH CH₂-COO-

(16)

R-I-CK-

HOOC-CH-R

(17)

R¹-CH-COOH CH₂-COCCH₂-

(18)

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1 /n^T^ EOOC-CH-R

A^»a"^yuB t^ ι ι \ /»»» —OOC—CiI ιι οι CH₂-COO-CH₂ ^/v^xL·^

1 T

R-CH-COOH HOOC-CH-R

(20)

R^-CH-COOH HOOC-CH-R¹ CH₂-CO- (0-CH₂-CH₂) ₈-OOC-CH₂ ^(21}

Die Herstellung der Bernsteinsäurehalbester ist allge-5 mein bekannt und kann sehr einfach durch Veresterung von Alkoholen mit Bernsteinsäureanhydriden mit Hilfe saurer oder basischer Katalysatoren (z.B. Diazabicyclooctan) erfolgen. Die Herstellung wird z. B. in der BE-PS 756 476, der CA-PS 835 420 oder der 10 US-PS 3 689 2 71 beschrieben.

In den Antistatikschichten der Erfindung können die Bernsteinsäurehalbester einzeln oder als Mischung mehrerer dieser Verbindungen angewandt werden. Man verwendet sie zweckmäßigerweise als Öl/Wasser-Emulsionen. Zusammen mit dem Natriummagnesiu-Silikat liefern diese Emulsionen besonders gut haftende und abriebfeste Schichten.

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Die erfindungsgemäße Antistatikschicht enthält 30 bis

2
150 mg pro m des Gemisches von Natriummagnesium-Silikat

und polystyrolsulfonsaurem Natrium (A) und vorzugsweise 30 bis 100 mg/m², sowie 4 0 bis 200 mg/m², vorzugsweise 5 80 bis 120 mg/m², Bernsteinsäurehalbester (B).

Das Mischungsverhältnis von Natriummagnesiumsilikat und polystyrolsulfonsaurem Natrium in Gewichtsteilen kann 0,5:1 bis 12:1 betragen und liegt vorzugsweise bei 4:1 bis 7:1.

IQ Außer den genannten Bestandteilen (A) und (B) kann die Antistatikschicht die für photographische Hilfsschichten bekannten Zusätze enthalten. Beispiele hierfür sind natürliche oder synthetische Bindemittel, z.B. Proteine, Cellulosederivate, Polysaccharide,

Polyvinylalkohol, Polyvinylpyrrolidon, insbesondere aber Gelatine, Beschichtungshilfsmittel, wie z.B. Netzmittel, Mattierungsmittel oder Bakterizide, weiter Verdickungsmittel wie Cellulosesulfat oder Carboxymethylcellulose. Als Beschichtungshilfsmittel können in den Gießlösungen der erfindungsgemäßen Antistatikschichten die üblichen Mittel wie z.B. die Natriumsalze von Sulfobernsteinsäuredioctylester, Dibutylnaphthalinsulfonsäure, Triisopropylnaphthalinsulfonsäure und insbesondere von Dodecylbenzolsulfonsäure verwendet werden.

Die vorliegenden Antistatikschichten werden in üblicher Weise durch Tauchen, Spritzen oder Rakeln auf

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die Rückseite des photographischen Schichtträgers aufgebracht. Um eine bessere Haftung zu erzielen, empfiehlt sich eine Vorbehandlung, z.B. durch Corona-Bestrahlung gemäß DE-AS 1 159 159. Nach Aufbringen der 5 erfindungsgemäßen Antistatikschicht können dann auf

die andere Seite des Schichtträgers die lichtempfindlichen photographischen Silberhalogenidemulsionsschichten und Hilfsschichten aufgetragen werden.

Als geeignete Schichtträger seien Papiere genannt, die mit dem Polymeren eines <£ -Olefins mit 2 bis 20 Kohlenstoffatomen beschichtet sind, z.B. mit Polyethylen, Polypropylen oder Copolymeren von Ethylen und Propylen.

Die Antistatikschichten der Erfindung sind sowohl für Schwarz-Weiß-, als auch für farbphotographische Materialien, und letztere bevorzugt, geeignet. Die Eigenschaften der photographischen Schichten werden durch die erfindungsgemäße Antistatikschicht in keiner Weise nachteilig beeinflußt.

Andererseits werden weder die antistatischen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Schichten durch die in Verbindung mit den photographischen Materialien angewandten Verarbeitungsflüssigkeiten noch die Verarbeitungsflüssigkeiten durch Bestandteile der erfindungsgemäßen Antistatikschichten beeinträchtigt. Die Antistatikschichten sind in hervorragender Weise abriebfest und somit von Vorteil für photographische Materialien, die zur Verarbeitung in mit Textilwalzen ausgerüsteten Maschinen bestimmt sind.

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Die folgenden Beispiele sollen die Anwendung der hier beschriebenen Antistatikschichten weiter erläutern.

1. Herstellung der gebrauchsfertigen wäßrigen Emulsion eines Bernsteinsäurehalbesters: In 9,97 1 destillierten Wassers werden 30 g Gelatine bei 4O⁰C gelöst. Danach gibt man 40 g einer 80 gew.-%igen wäßrigen Phenollösung zu.

In diese Lösung wird bei 40⁰C eine Lösung von 3 kg Bernsteinsäurehalbester und 75 g Natriumdodecylbenzolsulfonat in 3 kg Kohlensäurediethylester mittels eines Intensivmischgerätes eingerührt. Nach Ende der Zugabe homogenisiert man die Emulsion in einem geeigneten Gerät bei 80 bar und destilliert das Hilfslösungsmittel danach ab.

Herstellung von Antistatikgießlösungen.

2.1 In 7,26 kg entsalztes Wasser werden nacheinander unter Rühren eingebracht:

0,8 kg einer entsprechend (1) hergestellten wässri-20 gen Emulsion des Bernsteinsäurehalbesters Nr. 1 (R =C-0H₃₅)· 1/23 kg Natriummagnesiumsulfat (10 %ig in Wasser), 0,44 kg Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig in Wasser), 0,27 kg Dodecylbenzolsulfonsaures Natrium ( 4 %ig in Wasser).

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2.2 Die Zusammensetzung der Antistatikgießlösung wird wie folgt abgeändert:

Wasser entsalzt 6,4 7 kg

Bernsteinsäurehalbester Nr.1 1,2 kg (R =C H_ )

Natriummagnesiumsilikat (10 %ig) 1,84 kg

Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig) 0,33 kg

Dodecylbenzolsulfonsaures Natrium

(4 %ig) 0,16 kg

2.3 Die Zusammensetzung der Lösung 2.1 wird wie folgt geändert:

Wasser entsalzt 8,33 kg

Bernsteinsäurehalbester Nr.6 0,3 kg

Natriummagnesiumsilikat (10 %ig) 0,4 kg

Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig) 0,7 kg

DodecylbenzolsuIfonsaures Natrium

(4 %ig) 0,27 kg

2.4 Die Zusammensetzung der Lösung 2.1 wird wie folgt geändert:

Wasser entsalzt 8,88 kg

Bernsteinsäurehalbester Nr.7 0,3 kg

Natriummagnesiumsilikat (10 %ig) 0,2 kg

Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig) 0,35 kg

Dodecylbenzolsulfonsaures Natrium

(4 %ig) 0,27 kg

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>4 -

2.5 Die Zusammensetzung der Lösung 2.1 wird wie folgt geändert:

Wasser entsalzt 6,83 kg

Bernsteinsäurehalbester Nr.18 0,9 kg

Natriummagnesiumsilikat (10 %ig) 0,4 kg Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig) 1,6 kg Dodecylbenzolsulfonsaures Natrium

(4 %ig) 0,27 kg

10 3. Herstellung der Antistatikschicht:

Die unter II. beschriebene Gießlösung wird auf die Rückseite eines mit Polyethylen beschichteten Papierschichtträgers gegossen, die vorher einer Coronarbehandlung unterworfen wurde. Der Schichtauftrag wird mittels eines Rakels so eingestellt

2
das pro m 5g der Gießlösung angetragen werden.

Die hergestellte Schicht wird dann getrocknet.

4. Prüfverfahren:

Die Neigung einer Antistatikschicht zur Schmutz-

20 aufnahme beim Durchgang des photographischen

Materials durch eine Verarbeitungsmaschine wird in folgender Weise geprüft: Eine mit einem Polypropylengewebe bespannte Textilwalze, die in Kontakt mit einer Andruckwalze aus Stahl steht, taucht in eine mit Entwickler gefüllte Schale ein. Die Textilwalze wird durch einen Motor angetrieben. Den Entwickler führt man im Kreislauf über einen Thermo-

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staten und temperiert ihn so auf 3O⁰C. Für die Prüfung wird ein Entwickler verwendet, durch den als Vorbereitung für die Prüfung 2 Tage lang Luft geleitet wurde. Der Grad der Schmutzaufnahme wird anhand der Zahlenskala 1 (starke Verschmutzung) bis 5 (keine merkliche Verschmutzung) bewertet.

1 Liter des Entwicklers enthalten: ölsäure-N-methyltaurid, Na-SaIz 0,05 g

Diethylenglykol 50,0 ml

Benzylalkohol 2 0,0 ml Weißtöner (Na-SaIz) 1,5 g

Fluortensid 4 %ig 0,13 ml

Caprolactam 5,0 g

4-Amino-N-ethyl-N-(3-methylsulfonamido-

ethyl)-m-toluidin 6,6 g

1-Hydroxy-ethan-l,1-diphosphorsäure-di-Natriumsalz 0,16 g

Hydroxylaminsulfat
Nitrilotriessigsäure Na-SaIz

Diethylentriaminpentaessigsäure Na-SaIz

Kaliumcarbonat
Kaiiumhydroxid

Für die Prüfung der Proben wird die beschriebene Vorrichtung in folgender Weise eingesetzt:

Die Prüflinge (9 χ 23 cm) werden in Längsrichtung durch das Gerät geschickt und zwar so, daß die Antistatikschicht über die Textilwalze läuft. Dann wäscht man mit fließendem Wasser, trocknet das Ha-30 terial und bewertet die Schmutzaufnahme.

6,	0	g
o,	6	g
o,	77	g
34,	0	g
3,	6	g

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Die Prüfung des Abriebs geschieht in folgender Weise: 1200 m eines mit der erfindungsgemäßen Antistatikschicht ausgerüsteten Materials in einer Breite von 8,9 cm werden durch einen handelsüb-5 liehen Colorprinter geschickt. Nachdem die

Materialbahn das Gerät durchlaufen hat, prüft man die Oberfläche der Walzen, die mit der Antistatikschicht in Berührung gekommen sind, und benotet die auf der Oberfläche zurückgebliebene 10 Menge an Abrieb mit 1 bis 5, wobei 1 "starker Abrieb" und 5 "kein Abrieb" bedeutet.

Die Prüfung der Bedruck- und Beschriftbarkeit der Antistatikschichten nimmt man wie folgt vor: Die mit der Antistatikschicht versehene Rückseite des Materials wird einerseits mittels Schreibmaschinentypen über ein schwarzes Farbband bedruckt und andererseits mit einem Kugelschreiber beschriftet. Ist der Druck bzw. die Beschriftung einwandfrei, wird das Ergebnis mit 5 bewertet. Die schlechteren Ergebnisse bekommen Noten von 4 bis 1.

Die Bestimmung des Oberflächenwiderstandes wurde entsprechend DIN 53482 durchgeführt.

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cn co co

Tabelle 1

Antistatikschicht j	Naßauftrag 9/m²	Feststoff auftrag mg/m²	Oberflächen widerstand (Ω/cm) bei 50 % r.F nach 16 St.Klimati sierung	! ;	Bedruck-/ Beschriftbar- keit	Abrieb >	Schmutz aufnahme
ohne Schicht			10¹⁴	i 2,5 χ 10⁸	!		1
Gießlösung 2.1	5	170	2,2 χ 10⁸	: 4,8 χ 10⁸	5	5	5
2.2 2.3	5 5	172,9 78,4	1,1 χ 10⁸ 9,5 χ 10⁷	' 9,0 χ 10⁸	5 4	5 5	5 5
2.4	5	59,4	9,0 χ 10⁹	8,5 χ 10⁹	5	5	5
2.5	5	155	1,0 χ 10⁸	, ⁴	5	5
Gießlösung 2.1 verdünnt mit xl Wasser
3	5,2	155	' 5	5	5
6	5,2	142	5	i 5	5
9	5,1	131	5	5	5
12	5,0	121	5	5	5

CD CO CO

Aus den in der Tabelle zusammengestellten Ergebnissen ist ersichtlich, daß Zusammensetzung und Auftrag der erfindungsgemäßen Antistatikschichten um ein Erhebliches verändert werden können, ohne daß die vorteilhaften 5 Eigenschaften der Schichten verloren gehen.

Ersetzt man bei den verwendeten Bernsteinsäurehalbestern die für R stehende Gruppe ~^ciq^H35 durch eine der auf Seite 6 genannten Gruppen ~^ci2^H23 ^und -C_lt.^H2q' ^{so ern}^lt man vergleichbar vorteilhafte Ergebnisse.

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Vergleichsbeispiel:

Es werden die Eigenschaften erfindungsgemäßer Antistatikschichten mit denen von Schichten verglichen, welche anstelle der Bersteinsäurehalbester die zur Herstellung 5 von Antistatikschichten gebräuchlichen Latices enthalten.

a) Erfindungsgemäße Antistatikschichten.

Unter Verwendung der oben angegebenen Gießzusammensetzung 2.1 werden Antistatikschichten hergestellt, die die Bernsteinsäurehalbester Nr. 1, Nr. 3, Nr. 5 10 und Nr. 14 enthalten.

b) Latex enthaltende Antistatikschichten.
Gießzusammensetzung:

Wasser entsalzt ■ 7,29 kg

Natriummagnesiumsilikat (10 %ig) 1,23 kg Polystyrolsulfonsaures Natrium (5 %ig) 0,44 kg

Dodecylbenzolsulfonsaures Natrium 0,16 kg (4

Latex (30 Gew.-% Festkörper) 0,88 kg

Die Ergebnisse sind aus Tabelle 2 ersichtlich. Die zum Vergleich herangezogenen Latices werden in der Tabelle benannt. Die im Handel mit Feststoffgehalten von 33
bis 55 Gew.-% erhältlichen Latices wurden jeweils
30 gew.-%ig eingesetzt.

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Tabelle 2

σ»
co
oo

Naßauf trag g/m²

Berns teinsäurehalbester :j Nr. 1 (R^1-=C₄₀H^) j 5,0

Feststoffauftrag mg/m²

Nr. 3 (R-Nr. 5 (R¹^
Nr. 14 (R

5,2

5,1 5,0

j 170

' 176

172

170

Latex:	5,2	366
Polyvinylchlorid	5,0	361
Polyurethan	5,3	371
Polyethylen	5,0	356
Polyethylacrylat	5,2	368
Polybutylacrylat
Butadierihaltiges	5,3	370
Mischpolymerisat

Oberflächen-Widerstand (Cl /cm) bei 50 % r.F. nach 16 Std.Klimatisierung

Bedruck-/

Beschriftbar-

1,1 χ 10

4 χ 10¹

3,8 χ 10¹

2,7 χ 10¹

6,2 χ 10'

5
1

χ 10

χ 10^S

8,2 χ 10' 4 χ 10¹

χ 108

Abrieb

5 5 5 5

1 2 1 1

Schmutzaufnahme

4-5 5

1-2

CO

CD OO CO

Claims

Patentansprüche

1. Photographisches Material, das auf einer Seite einer Polyolefin-beschichteten Papierunterlage mindestens eine Silberhalogenidemulsionsschicht > und auf der anderen Seite der Unterlage eine antistatische Schicht enthält, dadurch gekennzeichnet, daß in der Antistatikschicht enthalten sind:

(A) ein Gemisch aus einem Natriummagnesiumsilikat 10 und das Natriumsalz der Polystyrolsulfonsäure,

(B) eine Bernsteinsäurehalbester-Verbindung der Formel

R^3--CH-COOH
CH₂-COOR²

oder

R -CH-COOH HOOC-CH-R¹ (H) CH₂-COO X 0OC-CH₂

worin bedeuten:

R eine Alkyl- oder Alkylengruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen,

R eine unsubstituierte oder substituierte 20 Cycloalkyl- oder Arylgruppe, ein konden

sierter Arylcycloalkyl-Rest, eine Aralkylgruppe,

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die Gruppen

oder

X Cyclohexylen, Alkylen—^H )—Alkylen, Cycloalkylen-Alkylen-Cycloalkylen, die Gruppen

- (0-CH₂-CH₂)₃_

-CH₂-CH₂-O-/'

0-CH₂-CH₂- oder

Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Antistatikschicht 30 bis 150 mg/m² des Gemisches (A) und 40 bis 200 mg/m² Bernsteinsäurehalbester-Verbindung (B) enthält, wobei das Mischungsverhältnis von Natriummagnesiumsilikat und dem Natriumsalz der Polystyrolsulfonsäure 0,5:1 bis 12:1 beträgt.

Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Antistatikschicht eine Bernsteinsäurehalbester-Verbindung der Formel (I) ist, in

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der R einen unsubstituierten oder alkylsubstituierten Cycloalkylrest darstellt.

4. Material nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Cycloalkylrest als Substituenten eine bis drei Methylgruppen oder einen tert.-Butylrest hat.

5. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Antistatikschicht eine Bernsteinsäurehalbester-Verbindung der Formel

10 H₃₅C₁₈-CH-COOH

-C-O-(CH₂) _n-<^

enthält, in der

η eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet.

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