DE3340584C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3340584C2 DE3340584C2 DE3340584A DE3340584A DE3340584C2 DE 3340584 C2 DE3340584 C2 DE 3340584C2 DE 3340584 A DE3340584 A DE 3340584A DE 3340584 A DE3340584 A DE 3340584A DE 3340584 C2 DE3340584 C2 DE 3340584C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- silicon layer
- layers
- polycrystalline
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H10P14/416—
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44137182A | 1982-11-12 | 1982-11-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3340584A1 DE3340584A1 (de) | 1984-05-17 |
| DE3340584C2 true DE3340584C2 (OSRAM) | 1993-02-11 |
Family
ID=23752618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833340584 Granted DE3340584A1 (de) | 1982-11-12 | 1983-11-10 | Halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen des bauelements |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652715B2 (OSRAM) |
| DE (1) | DE3340584A1 (OSRAM) |
| FR (1) | FR2536210B1 (OSRAM) |
| GB (1) | GB2130009B (OSRAM) |
| IT (1) | IT1171797B (OSRAM) |
| SE (1) | SE500463C2 (OSRAM) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4504521A (en) * | 1984-03-22 | 1985-03-12 | Rca Corporation | LPCVD Deposition of tantalum silicide |
| GB8504725D0 (en) * | 1985-02-23 | 1985-03-27 | Standard Telephones Cables Ltd | Integrated circuits |
| US4789883A (en) * | 1985-12-17 | 1988-12-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit structure having gate electrode and underlying oxide and method of making same |
| EP0253014B1 (en) * | 1986-07-18 | 1990-04-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a monvolatile semiconductor memory apparatus with writing and erasing capability |
| GB2204066A (en) * | 1987-04-06 | 1988-11-02 | Philips Electronic Associated | A method for manufacturing a semiconductor device having a layered structure |
| JP2690917B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| FR2627012B1 (fr) * | 1988-02-10 | 1990-06-01 | France Etat | Procede de depot d'une couche polycristalline a gros grains, couche obtenue et transistor pourvu d'une telle couche |
| EP0429885B1 (en) * | 1989-12-01 | 1997-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of in-situ doping of deposited silicon |
| US5366917A (en) * | 1990-03-20 | 1994-11-22 | Nec Corporation | Method for fabricating polycrystalline silicon having micro roughness on the surface |
| JP2508948B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| GB2293691B (en) * | 1991-09-07 | 1996-06-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor memory devices |
| KR960026821A (ko) * | 1994-12-20 | 1996-07-22 | 김주용 | 캐패시터 제조방법 |
| JP4003888B2 (ja) * | 1995-06-06 | 2007-11-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5733641A (en) * | 1996-05-31 | 1998-03-31 | Xerox Corporation | Buffered substrate for semiconductor devices |
| US6970644B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-11-29 | Mattson Technology, Inc. | Heating configuration for use in thermal processing chambers |
| US7015422B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-03-21 | Mattson Technology, Inc. | System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558815B2 (OSRAM) * | 1973-06-29 | 1980-03-06 | ||
| DE2536174C3 (de) * | 1975-08-13 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente |
| JPS5249782A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Fujitsu Ltd | Process for production of semiconductor device |
| US4179528A (en) * | 1977-05-18 | 1979-12-18 | Eastman Kodak Company | Method of making silicon device with uniformly thick polysilicon |
| FR2394173A1 (fr) * | 1977-06-06 | 1979-01-05 | Thomson Csf | Procede de fabrication de dispositifs electroniques qui comportent une couche mince de silicium amorphe et dispositif electronique obtenu par un tel procede |
| JPS5423386A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-21 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5617083A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
| US4358326A (en) * | 1980-11-03 | 1982-11-09 | International Business Machines Corporation | Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing |
| US4441249A (en) * | 1982-05-26 | 1984-04-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor integrated circuit capacitor |
-
1983
- 1983-11-03 GB GB08329381A patent/GB2130009B/en not_active Expired
- 1983-11-04 SE SE8306070A patent/SE500463C2/sv not_active IP Right Cessation
- 1983-11-10 DE DE19833340584 patent/DE3340584A1/de active Granted
- 1983-11-10 FR FR8317929A patent/FR2536210B1/fr not_active Expired
- 1983-11-11 IT IT23690/83A patent/IT1171797B/it active
- 1983-11-11 JP JP58213176A patent/JPH0652715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE8306070L (sv) | 1984-05-13 |
| SE500463C2 (sv) | 1994-06-27 |
| JPH0652715B2 (ja) | 1994-07-06 |
| SE8306070D0 (sv) | 1983-11-04 |
| IT8323690A0 (it) | 1983-11-11 |
| FR2536210A1 (fr) | 1984-05-18 |
| GB2130009B (en) | 1986-04-03 |
| IT1171797B (it) | 1987-06-10 |
| JPS59100561A (ja) | 1984-06-09 |
| FR2536210B1 (fr) | 1986-03-28 |
| DE3340584A1 (de) | 1984-05-17 |
| GB8329381D0 (en) | 1983-12-07 |
| GB2130009A (en) | 1984-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3340584C2 (OSRAM) | ||
| DE3317954C2 (OSRAM) | ||
| DE69224310T2 (de) | Gatestruktur einer Feldeffektanordnung und Verfahren zur Herstellung | |
| DE69432615T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer gerichteten nichtmonocristallinen Siliziumdünnschicht und Verfahren zur Herstellung | |
| DE3311635C2 (OSRAM) | ||
| DE3853668T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Oxid niedriger Fehlerdichte. | |
| DE3855765T2 (de) | Dünnschicht-Siliciumhalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69522370T2 (de) | SiGe-Dünnfilm-Halbleiteranordnung mit SiGe Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung | |
| DE69133416T2 (de) | Verfahren zum Kristallisieren eines Nicht-Einkristall Halbleiters mittels Heizen | |
| DE69215926T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, wobei ein selbstregistrierendes Kobalt- oder Nickelsilizid gebildet wird | |
| DE3331601C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE10344814B3 (de) | Speichervorrichtung zur Speicherung elektrischer Ladung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102011002398B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung | |
| DE102016204201A1 (de) | Silicidierte Nanodrähte für Nanobrücken-Weak-Links | |
| DE3541587A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennen halbleiterfilms | |
| DE3727264A1 (de) | Chemisches dampf-ablagerungsverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung derselben | |
| EP1556910A2 (de) | Feldeffekttransistor sowie verfahren zu seiner herstellung | |
| DE69520538T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dünnen polykristallinen Halbleiterschicht | |
| DE19681430B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE4244115C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung | |
| DE69403104T2 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten oxydsupraleitenden Dünnschicht | |
| DE3540452C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors | |
| DE102022125411A1 (de) | Widerstandsmaterial, widerstandselement und verfahren zur herstellung eines widerstandselements | |
| DE69117378T2 (de) | Supraleitende Einrichtung mit geschichteter Struktur, zusammengesetzt aus oxidischem Supraleiter und Isolatordünnschicht und deren Herstellungsmethode | |
| DE3340583C2 (OSRAM) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |