DE3334922A1 - Widerstand mit einem einen hohen widerstand aufweisenden film und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Widerstand mit einem einen hohen widerstand aufweisenden film und verfahren zu dessen herstellungInfo
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Description
PATENTANWALT - ' " ^ ^ ? Λ Q
DR. RICHARD KNEiSSL ■ · · ' ~ J O O 4 ö ζ z.
Widcnm: ya.'otr. 45 ~-Jj -
D-8000 MÜNCHEN 22
Tel. 089/295125
Tel. 089/295125
DALE ELECTRONICS, INC., Columbus, Nebraska / V. St. A.
WIDERSTAND MIT EINEM EINEN HOHEN WIDERSTAND AUFWEISENDEN FILM UND VERFAHREN ZU DESSEN
HERSTELLUNG
Widerstand mit einem einen hohen Widerstand aufweisenden Film und Verfahren zu dessen Herste!lung.
Widerstände mit einem Metallfilm werden dadurch hergestellt, daß ein dünner Metallfilm auf einen Träger aus Glas,
Aluminiumoxid oder oxidiertem Silikon oder auf irgendeinen, anderen isolierenden Trüger aufgebracht oder niedergeschlagen
wird. Eines der üblichsten Widerstandsmaterialien ist eine Nickel-Chromverbindung (Nickelchrom) oder eine Nickel-Chromverbiridüng,
die mit einem oder mehreren anderen Elementen legiert ist. Diese Widerstandsmaterialien können auf den
Träger aufgedampft oder aufgesprüht werden. Der hier verwendete Ausdruck "Nickelchrom" bezieht sich auf eine Nickel-Chromlegierunc
oder eine Nickel-Chromlegierung, die mit einem oder mehreren anderen Elementen legiert ist. Das Nickelchrom
liefert einen r---ehr "begehrten dünnen Film aufgrund seiner Stabilität
und reinen nahezu bei Null liegenden Temperaturkoeffizienten über einen verhältnismäßig breiten Temperaturbereich
(-550C bis 1,?r;°C). Die Stabilität int hervorragend, solange
der Filmwider.-tand unter 200 Ohm pro Zoll (square) auf
einem glatten Träger gehalten wird. Höhere Ohmwerte pro Quadrat-KoIl
können beim Aufdampfen erzielt werden, aber diese höheren Ohmwerte sind schwierig herzustellen, führen zu einer geringen
Ausbeute und haben eine geringe Stabilität bei hohen Temparaturen ' oder bei angelegter Spannung während des Betrieber..
Widerstandnfilme werden normalerweise dadurch stabilisiert,
daß die freiliegenden Träger in einer oxidierenden Atmosphäre erhitzt werden, um künftige V/iderstandsünderungen
während des-normalen Betriebes möglichst klein zu halten.
Bei sehr dünnen Filmen führt diese Oxidation dazu, daß der Widerstand den Films zunimmt, wenn die freilebenden Oberflächen
des MetaHfiIms oxidiert werden. Bei dünnen, nahezu
unstetigen oder unterbrochenen Filmen führt diece fxidation
zu einer pproßen, unkontrollierbaren Zunahme den ?.πά-
BAD ORIGINAL COPY
widerstander, mit einer entsprechend großen Verschiebung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes in positiver
Richtung. Untersuchungen der Lebensdauer bei diesen dünnen Filmteilen zeigten, daß diese dünnen Filme die herkömmlichen
Spezifikationet) für die Stabilität regelmäßig nicht erfüllten.
Es ist festgestellt worden, daß keramische Träger mit
"rauhen" Oberflächen, die mit einem TaIysurf-Profilmeßgerät
gemessen wurden, höhere Filmwiderstände bei einer vorgegebenen Dicke den Metallfilms ergaben als "glatte" Oberflächen.
Es wäre daher wünschenswert, einen Träger mit einer viel rauheren Oberfläche zu haben und verwenden zu können, um
einen Widers band in einer reproduzierbaren Weise mit einigen t send Ohm pro'^uadratzoll unter Verwendung von Nickelchrom oder
einem anderen dünnen Metallfilm herzustellen, der eine Stabilität hat, die ähnlich der Stabilität der dickeren oder einen
geringeren Widerstand aufweisenden Filme aus diesen Materialie ist.
Es ist daher hauptsächlich Ziel und Zweck der Erfindung, ein einen hohen Widerstand aufweisendes Filmgebilde zu schaffen,
das einen höheren Filmwiderstand, eine bessere Stabilität und einen besseren Temperaturkoeffizienten des Widerstandes
hat als die v/iderstände, die einen dünnen, aufgesprühten ·
Metallfilm aufweisen und nach herkömmlichen Verfahren hergestellt werden.
Es ist ferner Ziel und Zweck der Erfindung, ein einen hohen Widerstand aufweisendes Filmgebilde zu schaffen, das
eine Sperre [';op;on eine mögliche Diffusion von Verunreinigungen
aus dem Träger in den Widerstandsfilm aufweist.
- Es ist weiterhin Ziel und Zweck der Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung eines einen hohen Widerstand aufweisenden Filmgebildes zu schaffen, bei welchem die Oberfläche
des Trägers abgewandelt wird, bevor der V/iderstands-
COPY '
film aufgebracht wird, indem eine Isolierschicht mit einer verhältnismäßig
rauhen Oberfläche auf den Tröger aufgebracht wird, bevor der Widerstandsfilm niedergeschlagen wird.
Die Erfindung schafft ein einen hohen Widerstand aufweisendes Filmgebilde und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Das Filmgebiüde ißt ein einen dünnen Metallfilm aufweirender
Widerstand, der einen hohen Filmwiderstand besitzt und eine bessere .Stabilität und einen besseren Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes hat als die im Handel erhältlichen , herkömmlichen Widerstände mit einem dünnen Metallfilm. Diese Verbesserung
wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Oberfläche des Trägers abgewandelt wird, bevor der Widerstandsfilm aufgebracht wird. Dies wird dadurch erzielt, daß eine
Isolierschicht auf dem Träger niedergeschlagen wird. Diese Isolierschicht macht die Oberfläche des Trägers mikroskopisch
viel rauher und erhöht auf diese Weise den Widerstand des Widerstandsfilms beträchtlich.
Eine richtige Auswahl dieser Isolierschicht schafft auch eine Sperre gegen eine mögliche Diffusion von Verunreinigungen aus dem Träger in den Widerstandsfilm. Die Kombination
aus einem offensichtlich dickeren Film bei einem gegebenen Filmwiderstand und einer Sperrschicht zwischen dem Film und
dem Träger führt zu einem Widerstand, der einen viel höheren Filmwiderstand aufweist. Der erfindungsgemäße Widerstand hat
eine bessere .'Stabilität mit einem Temperaturkoeffizienten des
Widerstandes von nahezu Null air. die herkömmlichen Widerstände.
Die hier genannte otabiltät bezieht sich auf Widerstandsänderungen
wiiticnd der Lebensdauer bei voller Belastung und
aufgrund von langfristigen Einwirkungen hoher Temperaturen, wie dies in herkömmlichen Spezifikationen des Militärs vorgeschrieben
ist.
Bei dem Gebilde und dem Verfahren gemäß der Erfindung wird eine Isolierschicht auf dem Träger aufgebracht, bevor der
COPY
Widerstandsfilm niedergeschlagen wird. Es hat sich gezeigt, daß ein Isoliermaterial wie Silikonnitrid oder Aluminiumnitrid
auf dem Träger niedergeschlagen werden kann, um erstens eine viel rauhere, zusammenhängendere Oberfläche auf -dem
Träger aus Aluminiumoxid oder einem anderen keramischen Material zu erreichen und zweitens eine Sperrschicht zu
erzielen, welche die Diffusion der Verunreinigungen aus dem Träger verhindert. Wenn eine derartige Isolierschicht durch
Aufsprühen unter Anwendung von Hochfrequenz und durch sorgfältiges Steuern der Aufsprühparameter (wie Temperatur der
Niederschläge, Niederschlagsdruck, Menge, Zeit, Gas usw.) aufgebracht'wird, ist es möglich , die Natur und die Dicke
der Isolierschicht zu steuern.
Die Erfindung schafft einen Widerstand mit einem Film- !
widerstand, der ein Mehrfaches des Filmwiderstandes bei dem gleichen Aufbringen des Films auf die gleiche Trägerart ohne ·
eine Isolierschicht beträgt. Es ist mehr Widerstandsmaterial bei einem gehobenen Rohwert (blank value) erforderlich, wenn
ein mit Silikonnitrid beschichteter, keramischer Träger verwendet wird. Dies zeigt eine bessere Stabilität für diesen
Wert. Dies hat höhere Filmwiderstände (etwa 1 500 Ohm pro
Quadratzoll) mit der in militärischen Spezifikationen geforderten Stabilität möglich gemacht, als dies früher ,jemals bei
aufgesprühten Nickel-Chromverbindungen der Fall war. FiImwiderstände
über 1 500 Ohm pro Quadratzoll (square) können
den militärinchen Spezifikationen nicht voll entsprechen,
sind aber noch stabil und haben zusammenhängende Filme. Ein Widerstand mit 5000 Ohm pro Quadratzoll (square) beispiels·
weise hat eine V/iderstandsverschiebung von 1,5 % nach
zweitausend Betriebsstunden bei 15O0C. Derartige Filme haben
einen Temperaturkoeffizienten unter 100 ppm/°C.
Im nachstehenden werden zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. In den
COPY ]
Zeichnungen zeilen:
■ Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsfqrm
eines Widerstandes gemäß der Erfindung,
Fig. 2 einen Längsschnitt durch den in Fig. 1 gezeigten
'.viderstand in einem vergrößerten Maßstab,
Fig. 5 einen Teilschnitt längs der Linie 3-3 in Fig.
in einem vergrößerten Maßstab,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Abwandslungsfortn des
Widerstandes gemäß der Erfindung, und
Fi.g 5 eine perspektivische Darstellung eines mit einer
Deckschicht versehenen Widerstandes mit elektrischen. Anschlüssen und mit dem in Fig. 4 gezeigten Aufbau.
Der in den Fig. 1 bis 3 dargestellte V/iderstand 10
einen zylindrischen, keramischen Trager 12 aus herkömmlichem Material auf. Der Träger ist mit einem isolierenden oder
dielektrischen Material 14, vorzugsweise mit Silikonnitrid beschichtet. Die Außenfläche der dielektrischen Schicht 14 ist.
beträchtlich rauher als die Außenfläche des Trägers
Ein Widerstandsfilm 16, vorzugsweise Nickelchrom, wird
auf die gesamte Außenfläche des dielektrischen Materials aufgebracht. Anschlußkappen 18 aus leitendem Metall werden
auf die Enden des in Fig. 2 gezeigten, zusammengesetzten Gebildes .aufge.c;teckt, wobei die Anschlußkappen 18 in einem
innigen, elektrischen Kontakt mit dem V/iderstandsfilm 16
stehen. Herkömmliche Anschlußleitungen 20 sind an den Außenenden der Anrrchlußkappen 18 befestigt. Wie aus Fig. 3 hervorgeht,
wird dann eine isolierende Deckschicht 22 aus
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Silikon oder dergleichen auf die Außenfläche des Widerstandsfilms 16 aufgebracht.
Der Widerstand 10 A in den Pig. 4 und 5 enthält im wesentlichen die gleichen Komponenten wie der in den Fig.
1 bis 5 dargestellte Widerstand. Der Widerstand 10 Λ hat
lediglich eine andere Bauform mit einem flachen Träger 12 A. Ein dielektrisches Material 14 A aus Silikonnitrid ist auf
der Oberseite des Trägers 12 A aufgebracht. Eine Widerstandsschicht
16 A aus Nickelchrom ist auf der Oberseite des isolierenden oder dielektrischen Materials 14 A aufgebracht. Herkömmliche
Anschlüsse 20 A stehen in einem elektrischen Kontakt mit dem Widerstandsfilm 16 A. Das gesamte Gebilde mit
Ausnahme der Anschlüsse 2 O A ist mit einer isolierenden Deckschicht
22 A aUK Silikon oder dergleichen überzogen.
Die Schicht 14 aus Silikonnitrid wird dadurch aufgebracht, daß Silikon mit einer Reinheit von 99 »9999 f° in einer Stickstoffatmosphäre
bei einem Druck von 4 Mikrometer unter Anwendung von Hochfrequenz reaktiv aufgesprüht wird. Die Energiedichte
hängt entscheidend von der Dichte der Si7N. -Schicht ab und lag bei 1,1 bis 1,3 Watt/ cm~, wobei ein Plasma-Therm-Hochfrequenz-Generatorsystem
verwendet wurde. Höhere und niedrigere Drücke sowie niedrigere Energiedichten lieferten
Ergebnisse, die schlechter als die obigen Bedingungen waren. Auf Grund einer Scanning-Auger-Mikroanalyse dieser
Schicht wurde die Dicke des dielektrischen Films auf 50 bis
150 ° geschätzt. Die beschichteten Träger wurden dann bei
900 C 15 Minuten lang . getempert, bevor das Widerstandsmaterial
in l'Orm eines Filmes aufgebracht wurde. Keramikträger
ohne ein Tempern bei 900° C waren weniger stabil alc
die getemperten Träger.
Bei einer Verwendung von Keramikzylindern mit einer Länge von 555 mm (0,217 inch) und einem Durchmesser von
1,6 mm (0,06-: inch) stiegen die höchsten Rohwerte (blank value)
COPY J
die aus Gründen der Stabilität verwendet werden können und die militärischen Spezifikationen noch erfüllen, von etv/a
275 Ohm bis über 1 Kilo Ohm. Bei maximalen Spiralfaktoren
(spiral factors) von 3-5000 konnten Endwerte von 3 bis 4
Megaohm leicht erreicht werden. Die Temperaturkoeffizienten der Widerstände lagen bei + oder - ?5ppm/ Q über einen Tem-'peraturbereicli
von - 200C bis + 85°C. Höhere Rohwerte (blank
value) bis 5 Kilo Ohm können dort verwendet werden, wo weniger strenge Spezifikationen vorliegen. Es wurden Rohlinge .bis
zu 5OOO Ohm hergestellt, wobei die Temperaturkoeffiezienten
der Widerstände bei + oder - 100 ppm/°C über einen Temperaturbereich von -550C bis + 1250C lagen und die Widerstandsverschiebung
nach 2000 Stunden bei 15O0C unter 1,5 96 lag.
Der Widerstand gemäß der Erfindung überdeckt den Bereich der im Handel erhältlichen Widerstände mit Metallfilm bis
zu 22 Megaohm oder mehr bei einer früheren Grenze von 5 Mega-•ohm.
Der erfindungsgemäße Widerstand gestattet auch die. Verwendung von weniger teueren Trägern, weil der Aufbau und die
Oberfläche de:·. Trägers bei der Herstellung des Widerstandes keine größere Bedeutung hat. Die Stabilität der nach der "Erfindung
hergestellten Teile ist um das 2- oder 3-fache besser als die Stabilität der Teile, die den gleichen Rohwert (blank
value) haben und nach herkömmlichen Verfahren hergestellt sind.
Die Erfindung führt zu viel höheren Filmwiderständen. Die Diffusion von Verunreinigungen aus dem Trägermaterial
in das Widerstandsmaterial ist im wesentlichen beseitigt.
___ Die Zunahme des Widerstander, aufgrund der Änderung der
Oberflächeneir;enschaften ist in keiner Weise ein naheliegendes
Ergebnis eines derartigen Aufbringens des dielektrischen Materials. Frühere Versuche, die Rauhigkeit der Oberfläche
des keramischen Trägers zu erhöhen, haben nicht zu einer
COPY
nennenswerten Verbesserung der Stabilität des V/iderstandes bei einem gegebenen Rohwert (blank value) geführt..Es ist
nicht naheliegend, daß ein Aufbringen eines dielektrischen Materials den Widerstand des Rohwertes erhöht, während gleichzeitig
die Stabilität verbessert wird. Die änderung des Widerstandes, die mit den vorstehend beschriebenen Maßnahmen
erreicht wurde, ist daher eine änderung, die vom Fachmann nichb vorhergesehen werden konnte.
Aus dem vorstehenden geht hervor, daß die Erfindung die eingangs genannten Ziele erreicht.
COPY
Leerseite
COPY \
Claims (1)
- . PATENTANSPRÜCHEΠ. V/ider.'-.tänd mit einem einen hohen Widerstand aufweisenden Film, gekennzeichnet durch einen keramischen Träger (12), ein au! den Träger (12) aufgebrachtes dielektrisches Material (14) und einen auf dar. dielektrirche Material (14) aufgebrachten, dünnen Metallfilm (16).2. Widerstand noch Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenfläche des dielektrischen Materials (14) rauher ist. πIr. die Außenfläche den TrMgerr: (1P).5. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfilm (16) hauptsächlich aur. Nickelchrom besteht.4. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Material (14) Silikonnitrid ist.5. V/iderntand nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Material (14) Silikonnitrid ist.6. V/iderntand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Tröget· (12) Aluminiumoxid ist.7· v/idcrnfcfind noch Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Material (14) Aluminiumnitrid ist.8. Verfahren zur Herstellung eines Widerstandes mit einem dünnen 1'1Um, dadurch gekennzeichnet, daß eine rauhe Schicht eine;; dielektrischen Materials (14) auf einen keramisqhen Träger (12) aufgebracht und ein dünner Metallfilm (16) auf der rauhen Schicht des dielektrischen Materials niede: geschlagen wird.COPY j9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die rauhe Schicht des dielektrischen Materials au? Silikonnitrid besteht.10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfilra (16) hauptsächlich aus Nickelchrom besteht.11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Metal Ifilm(16) hauptsächlich aun Nickelchrom besteht.12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die rauhe Schicht des dielektrischen Materials (14) aus Aluminiumnitrid besteht.
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3603757A1 (de) * | 1985-02-16 | 1986-08-21 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4908185A (en) * | 1987-05-08 | 1990-03-13 | Dale Electronics, Inc. | Nichrome resistive element and method of making same |
US4900417A (en) * | 1987-05-08 | 1990-02-13 | Dale Electronics, Inc. | Nichrome resistive element and method of making same |
US4837550A (en) * | 1987-05-08 | 1989-06-06 | Dale Electronics, Inc. | Nichrome resistive element and method of making same |
AU622856B2 (en) * | 1987-10-23 | 1992-04-30 | Nicrobell Pty Limited | Thermocouples of enhanced stability |
US4912286A (en) * | 1988-08-16 | 1990-03-27 | Ebonex Technologies Inc. | Electrical conductors formed of sub-oxides of titanium |
US5370458A (en) * | 1990-10-09 | 1994-12-06 | Lockheed Sanders, Inc. | Monolithic microwave power sensor |
JPH065401A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | チップ型抵抗素子及び半導体装置 |
US5585776A (en) * | 1993-11-09 | 1996-12-17 | Research Foundation Of The State University Of Ny | Thin film resistors comprising ruthenium oxide |
AU7291398A (en) | 1997-05-06 | 1998-11-27 | Thermoceramix, L.L.C. | Deposited resistive coatings |
EP0982741B1 (de) * | 1998-08-25 | 2006-02-15 | Hughes Electronics Corporation | Herstellungsverfahren für einen Dünnschichtwiderstand auf ein Keramik-Polymersubstrat |
US6222166B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-04-24 | Watlow Electric Manufacturing Co. | Aluminum substrate thick film heater |
EP1346607B1 (de) | 2000-11-29 | 2012-07-25 | Thermoceramix, LLC | Widerstandsheizelemente und verwendungen dafür |
US6501906B2 (en) * | 2000-12-18 | 2002-12-31 | C.T.R. Consultoria Tecnica E Representacoes Lda | Evaporation device for volatile substances |
US6880234B2 (en) * | 2001-03-16 | 2005-04-19 | Vishay Intertechnology, Inc. | Method for thin film NTC thermistor |
DE50111791D1 (de) | 2001-04-05 | 2007-02-15 | C T R | Vorrichtung zum Verdampfen von flüchtigen Substanzen, insbesondere von Insektiziden und/oder Duftstoffen |
US6991003B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-01-31 | M.Braun, Inc. | System and method for automatically purifying solvents |
GB0418218D0 (en) * | 2004-08-16 | 2004-09-15 | Tyco Electronics Ltd Uk | Electrical device having a heat generating electrically resistive element and heat dissipating means therefor |
FR2927218B1 (fr) | 2008-02-06 | 2010-03-05 | Hydromecanique & Frottement | Procede de fabrication d'un element chauffant par depot de couches minces sur un substrat isolant et l'element obtenu |
JP5944123B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2016-07-05 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | 電圧非直線性抵抗素子の製造方法 |
JP6037426B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-12-07 | 株式会社テクノ菱和 | イオナイザー電極 |
JP6457172B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2019-01-23 | Koa株式会社 | 抵抗素子の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE937178C (de) * | 1950-08-08 | 1955-12-29 | Elektrowerk G M B H | Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten |
DE967799C (de) * | 1951-11-09 | 1957-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden |
DE1100772B (de) * | 1957-02-05 | 1961-03-02 | Kanthal Ab | Flammgespritzter elektrischer Widerstand |
DE1186539B (de) * | 1960-09-07 | 1965-02-04 | Erie Resistor Ltd | Elektrischer Widerstand mit einer Widerstandsschicht aus Metalloxyd oder Metall und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1227560B (de) * | 1962-04-27 | 1966-10-27 | Siemens Ag | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen von Elektroden aus Schwermetall fuer Elektrolyt-kondensatoren |
AT273301B (de) * | 1964-08-17 | 1969-08-11 | Amphenol Corp | Metallschichtwiderstand |
DE1490581B2 (de) * | 1963-05-27 | 1974-07-04 | Sprague Electric Co., North Adams, Mass. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schichtwiderstandes |
DE1490044C3 (de) * | 1963-09-06 | 1975-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Verfahren zum Herstellen eines Metall- oder Metalloxid-Schichtwiderstandes |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3174920A (en) * | 1961-06-09 | 1965-03-23 | Post Daniel | Method for producing electrical resistance strain gages by electropolishing |
GB1083575A (en) * | 1963-07-10 | 1967-09-13 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to circuit modules |
US3434206A (en) * | 1964-05-12 | 1969-03-25 | Z Elektroizmeritelnykh Priboro | Method of manufacturing a laminated foil resistor |
US3517436A (en) * | 1965-05-04 | 1970-06-30 | Vishay Intertechnology Inc | Precision resistor of great stability |
US3525680A (en) * | 1965-12-20 | 1970-08-25 | Ibm | Method and apparatus for the radio frequency sputtering of dielectric materials |
US3591479A (en) * | 1969-05-08 | 1971-07-06 | Ibm | Sputtering process for preparing stable thin film resistors |
US3742120A (en) * | 1970-10-28 | 1973-06-26 | Us Navy | Single layer self-destruct circuit produced by co-deposition of tungstic oxide and aluminum |
US3718883A (en) * | 1971-10-15 | 1973-02-27 | Vishay Intertechnology Inc | Electrical components with flexible terminal means |
US3791863A (en) * | 1972-05-25 | 1974-02-12 | Stackpole Carbon Co | Method of making electrical resistance devices and articles made thereby |
US3876912A (en) * | 1972-07-21 | 1975-04-08 | Harris Intertype Corp | Thin film resistor crossovers for integrated circuits |
JPS5626996B2 (de) * | 1972-11-29 | 1981-06-22 | ||
US3895219A (en) * | 1973-11-23 | 1975-07-15 | Norton Co | Composite ceramic heating element |
US4016525A (en) * | 1974-11-29 | 1977-04-05 | Sprague Electric Company | Glass containing resistor having a sub-micron metal film termination |
US4007352A (en) * | 1975-07-31 | 1976-02-08 | Hewlett-Packard Company | Thin film thermal print head |
US4064477A (en) * | 1975-08-25 | 1977-12-20 | American Components Inc. | Metal foil resistor |
US4129848A (en) * | 1975-09-03 | 1978-12-12 | Raytheon Company | Platinum film resistor device |
US3978316A (en) * | 1975-09-19 | 1976-08-31 | Corning Glass Works | Electrical heating unit |
US4057707A (en) * | 1975-10-17 | 1977-11-08 | Corning Glass Works | Electric heating unit |
FR2344940A1 (fr) * | 1976-03-18 | 1977-10-14 | Electro Resistance | Procede pour la fabrication de resistances electriques a partir d'une feuille metallique fixee sur un support isolant et dispositif s'y rapportant |
FR2351478A1 (fr) * | 1976-05-14 | 1977-12-09 | Thomson Csf | Procede de realisation de resistances en couches minces passivees et resistances obtenues par ce procede |
FR2354617A1 (fr) * | 1976-06-08 | 1978-01-06 | Electro Resistance | Procede pour la fabrication de resistances electriques a partir de feuilles ou de films metalliques et resistances obtenues |
BE855171A (fr) * | 1976-06-08 | 1977-11-28 | Electro Resistance | Procede pour la fabrication de resistances electriques a partir de feuilles ou de films metalliques et resistances obtenues |
US4306217A (en) * | 1977-06-03 | 1981-12-15 | Angstrohm Precision, Inc. | Flat electrical components |
GB2050705A (en) * | 1977-06-03 | 1981-01-07 | Angstrohm Precision Inc | Metal foil resistor |
US4172249A (en) * | 1977-07-11 | 1979-10-23 | Vishay Intertechnology, Inc. | Resistive electrical components |
GB1586857A (en) * | 1977-08-30 | 1981-03-25 | Emi Ltd | Resistive films |
GB2018036B (en) * | 1978-03-31 | 1982-08-25 | Vishay Intertechnology Inc | Precision resistors subassemblies therefor and their manufacture |
US4174513A (en) * | 1978-04-05 | 1979-11-13 | American Components Inc. | Foil type resistor with firmly fixed lead wires |
US4318072A (en) * | 1979-09-04 | 1982-03-02 | Vishay Intertechnology, Inc. | Precision resistor with improved temperature characteristics |
GB2084247B (en) * | 1980-08-23 | 1984-03-07 | Kyoto Ceramic | Glow plugs for use in diesel engines |
-
1982
- 1982-09-30 US US06/431,274 patent/US4498071A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-09-15 GB GB08324705A patent/GB2128813B/en not_active Expired
- 1983-09-15 CA CA000436745A patent/CA1214230A/en not_active Expired
- 1983-09-27 DE DE3334922A patent/DE3334922C2/de not_active Expired
- 1983-09-28 IT IT49053/83A patent/IT1197722B/it active
- 1983-09-30 FR FR8315647A patent/FR2537329B1/fr not_active Expired
- 1983-09-30 JP JP58182914A patent/JPS59132102A/ja active Granted
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE937178C (de) * | 1950-08-08 | 1955-12-29 | Elektrowerk G M B H | Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten |
DE967799C (de) * | 1951-11-09 | 1957-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden |
DE1100772B (de) * | 1957-02-05 | 1961-03-02 | Kanthal Ab | Flammgespritzter elektrischer Widerstand |
DE1186539B (de) * | 1960-09-07 | 1965-02-04 | Erie Resistor Ltd | Elektrischer Widerstand mit einer Widerstandsschicht aus Metalloxyd oder Metall und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1227560B (de) * | 1962-04-27 | 1966-10-27 | Siemens Ag | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen von Elektroden aus Schwermetall fuer Elektrolyt-kondensatoren |
DE1490581B2 (de) * | 1963-05-27 | 1974-07-04 | Sprague Electric Co., North Adams, Mass. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schichtwiderstandes |
DE1490044C3 (de) * | 1963-09-06 | 1975-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Verfahren zum Herstellen eines Metall- oder Metalloxid-Schichtwiderstandes |
AT273301B (de) * | 1964-08-17 | 1969-08-11 | Amphenol Corp | Metallschichtwiderstand |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3603757A1 (de) * | 1985-02-16 | 1986-08-21 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2128813B (en) | 1986-04-03 |
GB8324705D0 (en) | 1983-10-19 |
FR2537329A1 (fr) | 1984-06-08 |
DE3334922C2 (de) | 1987-05-14 |
US4498071A (en) | 1985-02-05 |
GB2128813A (en) | 1984-05-02 |
JPH0152881B2 (de) | 1989-11-10 |
IT8349053A0 (it) | 1983-09-28 |
FR2537329B1 (fr) | 1987-09-18 |
JPS59132102A (ja) | 1984-07-30 |
IT1197722B (it) | 1988-12-06 |
CA1214230A (en) | 1986-11-18 |
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