DE1690521A1 - Elektrischer Anschluss fuer einen metallischen Film - Google Patents

Elektrischer Anschluss fuer einen metallischen Film

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Description

Western Electric Company Incorporated Johnson Case New York 1690521
Elektrischer Anschluß für einen metallischen Film
Bei der Herstellung von Bauteilen mit Filmen, wie Tantalnitrid-Film-Widerständen, wird ein metallischer Film, z. B. ein Tantalnitrid-Film auf eine Oberfläche einer Unterlage aufgespritzt. Dann werden durch Verdampfen Anschlüsse auf die Endteile des metallischen Films aufgebracht. Bei der Herstellung von Tantalnitrid-Widerständen wird der Tantalnitrid-Film dann in einer Atmosphäre, die Sauerstoff enthält, ein oder zwei Minuten lang auf 475 C erwärmt, um den Wider stands wert zu stabilisieren und eine schützende Oxydschicht auf dem offenliegenden Tantalnitrid-Film zu bilden. Dann wird ein Leiter an den Anschluß angelötet.
Bei Verwendung von Anschlüssen bisheriger Art wurde festgestellt, daß die zur Stabilisierung des Widerstandswerts zugeführte Wärme die Lötbarkeit dieser Anschlüsse bisheriger Art herabsetzte. Zum Beispiel bestand ein Anschluß der bisherigen Art aus aufeinanderfolgenden Schichten von Chrom und Gold. Ein weiterer Anschluß bestand aus aufeinanderfolgenden Schichten aus einer Legierung von 80 % Nickel und 20 % Chrom aus Kupfer und aus Palladium.
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Das Zuführen von Wärme zu den Anschlüssen während der Stabilisierung des metallischen Films ergab Anschlüsse, an denen das Lot nicht leicht haftet, wobei die Anwendung von Kraft an den Leitern, die an diese Anschlüsse angelötet waren, die Abtrennung der angelöteten Leiter vom Anschluß ergab.
Demgemäß ist eine Aufgabe der Erfindung die Schaffung eines neuen und verbesserten Anschlusses, der seine Lötbarkeit nach der Zuführung von Wärme beibehält.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein Anschluß vorgeschlagen, der durch das aufeinanderfolgende Aufbringen einer ersten Schicht aus Chrom oder aus einer Nickel-Chromlegierung mit bis zu 80 % Nickel, ferner einer zweiten Schicht aus Palladium und schließlich einer dritten Schicht aus Gold auf einen leitenden Film auf einer | Unterlage hergestellt wird.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in vergrößertem Maßstab ein typisches Bauteil mit Anschlüssen entsprechend der Erfindung;
Fig. 2 ein Gerät, das zur Herstellung von Anschlüssen gern?« der Erfindung benutzt werden kann.
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Bei der Herstellung eines Bauteils 10 mit metallischem Film (Fig. 1) z. B. eines bestimmten Tantalnitrid-Widerstands, wird ein metallischer Film 11, z.B. Tantalnitrid auf die obere Fläche einer Unterlage 12 aufgebracht. Zum Beispiel zeigt das US-Patent 3 242 0OG von D. Gerstenberg vom 22. März 1966, das der Bell Telephone Laboratories, Inc. erteilt ist, das Aufbringen durch Aufspritzen eines Tantalnitrid-Films auf eine Unterlage. Die Unterlage 12 kann keramisch sein, sie kann aus Glas oder einem anderen geeigneten nicht-leitenden Material bestehen. In der oberen Fläche 13 können die Rillen 18 ausgebildet werden derart, daß dqr Widerstandsfilm 11 auf der oberen Fläche 13 nachfolgend abgeschliffen werden kann, wobei ein Widerstandsweg des Films 11 in den Rillen 18 mit einem vorbestimmten Widerstandswert zurückbleibt.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, wird die Unterlage 12 mit dem aufgebrachten metallischen Film 11, wie sie z.B. in Fig. 1 dargestellt | ist, in eine Vakuumkammer 14 eingebracht und eine Abdeckung auf die Unterlage 12 gelegt, so daß nur der metallische Film 11 an den Endteilen 16 und 17 der Unterlage 12 offenliegt. Die Abdeckung 15 kann aus irgendeinem geeigneten Material, z. B, aus Metall bestehen, das die Aufbringung von verdampftem Metall auf den nicht offenliegenden Teilen der Unterlage 12 verhindert oder blockiert.
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Filme mit gewünschten Dicken können durch Verwenden ahgemessener Metallmengen in einem geeigneten Verdampfungsgerät oder durch Steuern der Verdampfung durch eine zeitbestimmte Einrichtung oder eine Überwachungseinrichtung aufgebracht werden. Bei einer derartigen Überwachungseinrichtung wird eine Unterlage 20 mit den auf den Endteilen aufgebrachten leitenden Anschlüssen 21 ^ und 22 verwendet, die in die Vakuumkammer 14 eingebracht wird.
Auf die Unterlage 20 wird eine geeignete Abdeckung 23 gelegt derart, daß die Anschlüsse 21 und 22 sowie eine Fläche 24 der Unterlage offen liegen. Die Anschlüsse 21 und 22 sind so angeordnet, daß die offenliegende Fläche 24 etwa ein Quadrat darstellt. An den Anschlüssen 21. und 22 werden die Leiter 26 und 27 befestigt, um die Anschlüsse mit einer Widerstandsmeßeinrichtung 28 zu verbinden.
Dann wird die Vakuumkammer 14 durch Inbetriebsetzen eines
\ Vakuumpumpsystems 30 evakuiert, so daß in der Kammer 14 ein
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Druck von etwa 10 mm Hg entsteht. Das Vakuumpumpsystem kann eine herkömmliche Anordnung von Vorvakuum und Diffusionspumpen sein, die durch geeignete Röhren mit der Kammer 14 verbunden sind.
In der Kammer 14 befinden sich drei Wolfram-Heizdrähte 31, 32 und 33, um nacheinander Chrom oder eine Nickel-Chromlegierung Palladium und Gold zu verdampfen. Die Schalte!' 35, 36 und 37 sind
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vorgesehen, um die Heizdrähte 31, 32 und 33 einzeln mit einer Energiequelle 38 zu verbinden.
Zunächst wird der Schalter 35 geschlossen, um den Heizdraht zu erhitzen und Chrom oder die Nickel-Chromlegierung zu verdampfen, die in dem Heizdraht 31 angeordnet ist. Wenn Chrom verdampft wird, besteht der Heizdraht 31 vorzugsweise aus einem konischen Korb, der unmittelbar über der abgedeckten Unterlage 12 angebracht ist. Um eine Nickel-Chromlegierung zu verdampfen kann der Heizdraht 31 spiralförmig sein und braucht nicht in der Mitte über der Unterlage 12 zu liegen. Das verdampfte Chrom oder die verdampfte Nickel-Chromlegierung wird auf die offenliegende Oberfläche des Metallfilms 11 auf der Unterlage 12 und auf dem offenliegenden Quadrat 24 der Unterlage 20 aufgebracht. Der Widerstandswert des Quadrats wird überwacht bis er einen vorbestimmten Wert erreicht, zu welcher Zeit die Energie für den Heizdraht 31 abgeschaltet und die Verdampfung des Chroms oder der Nickel-Chromlegierung beendet wird. Das aufgebrachte Chrom oder die Nickel-Chromlegierung bilden eine Schicht 41 auf dem offenen Endteil des Tantalnitrid-Films 11, wie es in Fig. 1 dargestellt ist.
Sowohl Chrom als auch die Nickel-Chromlegierung sind für ihre Fähigkeit bekannt gute Verbindungen mit Metallfilmen zu bilden.
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Anschluß.
Bei der Herstellung eines Anschlusses aus Chrom oder einer Nickel-Chromlegierung, aus Palladium und aus Gold bildet eine Schicht 41 aus Chrom oder aus der Nickel-Chromlegierung mit einer Dicke von weniger als 100 A keinen stetigen Film auf dem Metallfilm 11, so daß eine schwache Verbindung mit dem darunterliegenden Metallfilm 11 entsteht. Eine Schicht 41, die dicker als 800 A ist, ergibt einen hohen spezifischen Widerstand und unerwünschten Rausch im
Die Nickel-Chromlegierung kann verschiedene Nickelmengen bis zu 80 Gewichtsprozent aufweisen. Chrom ist gegenüber der Nickel-Chromlegierung vorzuziehen, weil es eine bessere Verbindung ergibt, die nicht schlechter wird, wenn sie hohen Temperaturen ausgesetzt wird. Ferner sind Nickel-Chromlegierungen mit geringeren Nickelmengen gegenüber Legierungen mit größeren Nickelmengen wegen der geringeren Verschlechterung bei hohen Temperaturen vorzuziehen.
Dann wird der Schalter 36 geschlossen, um den Heizdraht 32 zu erwärmen und eine abgemessene Palladiummenge zu verdampfen, die im Heizdraht 32 angeordnet ist. Die Verdampfung des Palladiums ergibt eine Palladiumschicht 42 auf der Schicht 41.
Palladium, Platin, Ruthenium und Rhodium sind für ihre Fähigkeit
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bekannt, eine Sperre gegen die Diffusion gewisser Metalle, wie Kupfer, Gold und Silber zu bilden. Man hat festgestellt, daß eine Schicht aus Palladium mit einer größeren Dicke als 2500 A zwischen einer Chrom- oder Nickel-Chromlegierungsschicht und einer Goldschicht die Lötbarkeit der Goldschicht stark verbessert, indem die Diffusion des Chroms oder der Nickel-Chromlegierung in die Goldschicht verhindert wird. Wenn die Dicke des Palladiums über 3500 A erhöht wird, sinkt die Festigkeit des Anschlusses ab. Palladium ist wegen seiner niedrigeren Verdampfungstemperatur vorzuziehen.
Schließlich wird der Schalter 37 geschlossen, um den Heizdraht 33 zu erwärmen und eine abgemessene Goldmenge zu verdampfen, die im Heizdraht 33 angeordnet ist. Das Gold wird als Schicht 43 auf die Palladiumschicht 42 aufgebracht.
Um die gewünschte Lötbarkeit zu erhalten, wird eine Goldschicht von mehr als 3200 A benötigt. Wenn die Goldschicht mehr als 4500 A beträgt, nimmt die Festigkeit des Anschlusses ab.
Der Anschluß aus der Nickel-Chromlegierung, dem Palladium und dem Gold ergiht eine feste Verbindung mit angelöteten Leitern, solang der Anschluß nicht Temperaturen unterworfen wird, die wesentlich größer als 475 C sind oder Temperaturen von etwa 475 C für größere Zeiträume, wobei der Anschluß schwach und
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unlötbar wird. Der Anschluß aus Chrom, Palladium und Gold hat sich dem Anschluß aus einer Nickel-Chromlegierung, Palladium und Gold als überlegen erwiesen; er behält seine Lötbarkeit und seine Festigkeit bei, auch wenn er höheren Temperaturen für längere Zeiträume ausgesetzt wird.
Beispiel 1
Eine Unterlage 12, auf der ein metallischer Film 11 aufgebracht ist, wird in eine Verdampfungskammer 14 eingebracht und der Druck
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in der Kammer auf etwa 10 mm Hg abgesenkt. Die Unterlage 12 wird so abgedeckt, daß nur die nichtabgedeckten Teile des Films an den Enden 16 und 17 der Unterlage 12 offen liegen.
Ferner wird eine flache keramische Unterlage 20 in die Verdampfungskammer 14 eingebracht, auf deren Endteilen die metallischen Anschlüsse 21 und 22 aufgebracht sind. Die Unterlage 20 ist so abgedeckt, daß eine offenliegende keramische Oberfläche 24 zwischen den Anschlüssen 21 und 22 frei bleibt. Die Elektroden 26 und 27 verbinden die Anschlüsse 21 und 22 mit einer Widerstandsmeßschaltung 28.
In einem konischen Heizdraht 31 wird Chrom verdampft, um eine Chromschicht 41 auf dem offenliegenden metallischen Film 11 auf-
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zubringen. Wenn der spezifische Widerstand des auf der offenliegenden Oberfläche 24 der Unterlage 20 aufgebrachten Chroms einen vorbestimmten Wert erreicht, wird die Energie für den Heizdraht 31 abgeschaltet, um die Verdampfung des Chroms zu beenden. Der vorbestimmte spezifische Widerstand ist so berechnet, daß die aufgebrachte Schicht 41 aus Chrom eine Dicke von etwa 250 A aufweist.
Dann wird eine abgemessene Palladiummenge in einem spiralförmigen Heizdraht 32 vollständig verdampft, um eine Palladiumschicht 42 auf die Chromschicht 41 aufzubringen. Die abgemessene Palladiummenge ist so berechnet, daß eine etwa 2, 875 A dicke Schicht aufgebracht wird.
Nachdem die abgemessene Palladiummenge verdampft ist, wird eine abgemessene Goldmenge in einem spiralförmigen Heizdraht 33 vollständig verdampft, um eine Goldschicht 42 auf die Palladiumschicht 42 aufzubringen. Die Goldmenge ist so berechnet, daß eine Schicht 43 aus Gold mit einer Dicke von etwa 3, 550 A entsteht.
Der gebildete Anschluß aus Chrom, Palladium und Gold kann nachher für lange Zeiträume auf Temperaturen oberhalb 475 C erwärmt werden, ohne seine Benetzbarkeit für Lot zu zerstören. Ein an dem Anschluß angelöteter Leiter, der einer ausreichenden Kraft ausge-
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setzt wird, zerbricht die Unterlage, bevor der Anschluß von dem Tantalnitrid-Film 11 getrennt wird.
Beispiel 2
Eine Unterlage 12, auf der ein metallischer Film 11 aufgebracht ist, wird in eine Verdampfungskammer 14 eingebracht und der Druck ^ in der Kammer auf etwa 10 mm Hg abgesenkt. Die Unterlage 12
wird dann so abgedeckt, daß nur die nicht ab ge deckt en Teile des Films 11 auf den Enden 16 und 17 der Unterlage 12 frei bleiben.
Eine abgemessene Menge einer Legierung aus 80 % Nickel und 20 % Chrom wird in einem spiralförmigen Heizdraht 31 vollständig verdampft, um auf dem offenliegenden Film 11 eine Schicht 41 aus 80 % Nickel und 20 % Chrom aufzubringen. Die Menge der Legierung aus 80 % Nickel und 20 % Chrom im Heizdraht 31 ist so berechnet, ' daß eine Schicht 41 mit einer Dicke von etwa 225 A aufgebracht wird.
Dann wird eine abgemessene Palladiummenge in einem spiralförmigen Heizdraht 32 vollständig verdampft, um eine Palladiumschicht 42 auf der Schicht 41 aufzubringen. Die abgemessene Palladiummenge ist so berechnet, daß eine Dicke von etwa 2, 875 A entsteht.
Nachdem die abgemessene Palladiummenge verdampft ist, wird eine abgemessene Goldmenge in einem spiralförmigen Heizdraht 33
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vollständig verdampft. Die Goldmenge ist so berechnet, daß eine Goldschicht 43 von etwa 3550 A auf der Palladiumschicht 42 entsteht.
Der gebildete Anschluß kann nachfolgend ein oder zwei Minuten lang auf 475 C erwärmt werden, ohne seine Benetzbarkeit für Lot zu zerstören. Ein am Anschluß angelöteter Leiter, der einer Kraft ausgesetzt wird, kann nicht leicht von dem Anschluß auf dem Tantal laitrid-Film 11 getrennt werden.
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BAt>

Claims (4)

Patentansprüche
1. Lötbarer Kontaktanschluß für einen Metallfilm, wie Tantalnitrid, aufgebracht auf einer Unterlage, wobei der Film bei verhältnismäßig hohen Temperaturen mit Wärme behandelt werden soll z.B. in der Größenordnung von 475 C, wobei ferner der Anschluß nach der Behandlung lötbar sein soll und wobei er schließlich aus einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Metallschichten besteht, die auf einem Teil des Films aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschluß aus einer ersten Schicht (41) besteht, die auf dem Film (11) aufgebracht ist und die im wesentlichen aus einem Metall besteht, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Chrom und eine Nickel-Chromlegierung mit bis zu 80 % Nickel umfaßt, ferner aus einer zweiten Schicht (42), die auf der ersten Schicht (41) aufgebracht ist und die im wesentlichen aus einem Metall besteht, P das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Palladium, Platin, Ruthenium und Rhodium umfaßt, und schließlich aus einer dritten Schicht (43), die auf der zweiten Schicht (42) aufgebracht ist und die im wesentlichen aus Gold besteht.
2. Anschluß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine Dicke im Bereich von von 100 bis 800 K hat.
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3. Anschluß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht eine Dicke im Bereich von 2500 A bis 3500 R hat.
4. Anschluß nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schicht eine Dicke im Bereich von 3200 A bis 4500 A hat.
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Leerseite
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118040B (de) * 1959-12-21 1961-11-23 Phoenix Gummiwerke Ag Scheuerleiste fuer Schiffe, Dalben, Hafenanlagen od. dgl.
DE2952161A1 (de) * 1979-12-22 1981-06-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Duennfilmschaltung
DE3638342A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3629776A (en) * 1967-10-24 1971-12-21 Nippon Kogaku Kk Sliding thin film resistance for measuring instruments
DE2409312C3 (de) * 1974-02-27 1981-01-08 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit einer auf der Halbleiteroberfläche angeordneten Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4226932A (en) * 1979-07-05 1980-10-07 Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated Titanium nitride as one layer of a multi-layered coating intended to be etched
US4396900A (en) * 1982-03-08 1983-08-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Thin film microstrip circuits
JPS59167096A (ja) * 1983-03-11 1984-09-20 日本電気株式会社 回路基板
DE3416122A1 (de) * 1984-04-30 1985-10-31 Inovan-Stroebe GmbH & Co KG, 7534 Birkenfeld Verfahren zum herstellen eines kontaktwerkstoffes

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3162512A (en) * 1961-03-21 1964-12-22 Engelhard Ind Inc Immersion plating with noble metals and the product thereof
US3178270A (en) * 1962-05-15 1965-04-13 Bell Telephone Labor Inc Contact structure
US3290127A (en) * 1964-03-30 1966-12-06 Bell Telephone Labor Inc Barrier diode with metal contact and method of making
US3409809A (en) * 1966-04-06 1968-11-05 Irc Inc Semiconductor or write tri-layered metal contact
US3413711A (en) * 1966-09-07 1968-12-03 Western Electric Co Method of making palladium copper contact for soldering

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118040B (de) * 1959-12-21 1961-11-23 Phoenix Gummiwerke Ag Scheuerleiste fuer Schiffe, Dalben, Hafenanlagen od. dgl.
DE2952161A1 (de) * 1979-12-22 1981-06-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Duennfilmschaltung
DE3638342A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US3495959A (en) 1970-02-17
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