DE3317286A1 - Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung - Google Patents

Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung

Info

Publication number
DE3317286A1
DE3317286A1 DE19833317286 DE3317286A DE3317286A1 DE 3317286 A1 DE3317286 A1 DE 3317286A1 DE 19833317286 DE19833317286 DE 19833317286 DE 3317286 A DE3317286 A DE 3317286A DE 3317286 A1 DE3317286 A1 DE 3317286A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
acid
stationary phase
cleaning
action
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19833317286
Other languages
English (en)
Inventor
Rolf 8269 Burgkirchen Baueregger
Erich Holzöster Bildl
Josef Dipl.-Phys. Dr. 8265 Neuötting Dietl
Dieter Dipl.-Ing. Dr. 8265 Neuötting Seifert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heliotronic GmbH
Original Assignee
Heliotronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heliotronic GmbH filed Critical Heliotronic GmbH
Priority to DE19833317286 priority Critical patent/DE3317286A1/de
Priority to US06/601,804 priority patent/US4588571A/en
Priority to CA000452632A priority patent/CA1240483A/en
Priority to ES532360A priority patent/ES8502660A1/es
Priority to EP84105277A priority patent/EP0125630A3/de
Priority to NO841890A priority patent/NO159995C/no
Publication of DE3317286A1 publication Critical patent/DE3317286A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification

Description

HE LIOTRONIC 9 München, den 22.4.1983
PAT/Dr K/we
Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH ' ... .,..
Ht ÖjUi
Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Säureeinwirkung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Säureeinwirkung.
Eine kostengünstige Stromerzeugung mit Hilfe von Solarzellen ist nur dann möglich, wenn es gelingt, das Grundmaterial Silicium in ausreichend billiger Form bereitzustellen. Das zur Herstellung von hochwertigem Silicium für elektronische Zwecke gebräuchliche Verfahren'scheidet dafür insbesondere wegen der teuren Gasphasenreinigung aus. Da jedoch an die Reinheit des sogenannten "Solarsiliciums" (auch als "solar grade silicon" oder "terrestrial solar grade silicon" (TSG) bezeichnet) keine derart hohen Anforderungen gestellt werden, lassen sich zu dessen Herstellung billigere Reinigungsverfahren heranziehen, welche oft auch einen Reinigungsschritt durch Säureeinwirkung beinhalten.
Bekannt ist aus der DE-AS 10 20 008, die Säure in großen Bottichen unter tüchtigem Rühren auf das zu reinigende Silicium einwirken zu lassen. Gemäß, der DE-AS 10 27 193 ist bekannt, Silicium durch sogenannte Häufenlaugung, also durch intensives Anteigen mit verdünnter Salzsäure und nachfolgendes mehrtägiges Stehenlassen zu reinigen.'Nach der CH-PS 567 435 wird grobstückiges Silicium zur Reinigung von oben in e.inen Reaktor mit nach oben gerichtetem Säurestrom eingetragen, sinkt nach unten und zerfällt unter Säurewirkung all.mäh-Üch in kleine. Teilchen, welche durch den Säurestrom nach oben transportiert und aus dem Reaktor ausgetragen werden. Aus der DE-OS-27 22 783 ist schließlich bekannt, Siliciumgraiiulat während der Säurebehandlung zusätzlich zu vermählen. Die Nachteile dieser Verfahren liegen in dem Aufwand, den es erfordert, die zu reinigenden Siliciumteilchen in ständiger Bewegung in der Säurelösung zu halten, in der Gefahr von Verunreinigungen
durch Abrieb, oder aber, im Falle der Häufenlaugung, in dem großen Zeitbedaff.
Aufgabe der Erfindung war es daher, ein Verfahren anzugeben, das gegenüber diesem Stand der Technik mit geringerem Aufwand und in kürzerer Zeit die wirksamere Reinigung von Silicium durch Säureeinwirkung gestattet.
Unerwartet wurde nun gefunden, daß sich als stationäre Phase vorgelegtes Silicium unter Druckeinwirkung von mobilen sauren Phasen durchströmen läßt, ohne daß sich sogenannte "Nester" ausbilden, also Bereiche, die mit der Säure nicht ausreichend in Kontakt kommen und daher ungenügend gereinigt werden. Somit kann auf eine Bewegung der Siliciumpartikel in der Säure durch Rühren, Mahlen, Strömungstransport und dergleichen oder auf ein intensives mechanisches Vermischen von Säure und Silicium, gefolgt von langwierigem Stehenlassen, verzichtet werden.
Gelöst wird daher die Aufgabe durch ein Verfahren, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß das zu reinigende Silicium als stationäre Phase vorgelegt wird, und daß eine oder mehrere saure mobile Phasen durch Druckeinwirkung zum Durchströmen der stationären Phase gebracht werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich bevorzugt für die Reinigung von Rohsilicium mit einem Siliciumgehalt von über 95 Gew.-% (sogenanntes "metallurgical grade silicon") oder auch von Reinsilicium, welches z.B. durch Umkristallisieren aus Metallschmelzen, etwa Aluminium, gewöhnlich in Reinheiten von über 99 Gew.-% Si erhalten werden kann. Grundsätzlich können jedoch auch stärker verunreinigte Siliciumsorten, beispielsweise Legierungen, wie FeSi mit 60 bis 90 Gew.-% Siliciumanteil eingesetzt werden. Der Einfachheit halber wird im folgenden für das geeignete Siliciumgrundmaterial der Ausdruck "Silicium" verwendet.
s-
Als stationäre Phasen im Sinne der Erfindung sind al.lgemein Schichten von gegeneinander im wesentlichen unbeweglichen Siliciumteilchen zu verstehen·. Solche Schichten lassen sich besonders günstig dadurch erzeugen, daß Siliciumteilchen aus Suspensionen oder Auf s.chlämmungen an Filter- · flächen, z.B. in Form eines Filterkuchens, abgeschieden werden. Dafür eignen sich insbesondere Filterpressen wie Kammer.- oder Rahmenfilterpressen, aber auch andere Vorrichtungen, . bei denen durch Druckeinwirkung eine flüssige Phase zum Durchströmen einer stationären festen Phase gebracht werden kann, also beispielsweise Druckfilternutschen, andere, derartige Druckfilter oder auch entsprechend ausgerüstete Bandfilter .
Das Silicium kann in einem weiten Korngrößenbereich eingesetzt werden, wobei jedoch zu berücksichtigen ist, auf welche Art und Weise es als stationäre Phase vorgelegt werden soll. So wird man z.B. für Kammer- o.der Rahmenfilterpressen, bei denen es in der Regel auf ein pumpfähiges Reaktionsgut ankommt, eher auf-feinkörniges Material mit einer mittleren Korngröße von 0,1 bis 1000 um, bevorzugt 1 bis 100 um, zurückgreifen. Unter mittlerer Korngröße ist dabei zu verstehen,, daß mindestens 50 % der Partikel eine Korngröße kleiner oder gleich dem angegebenen Wert besitzen. Hingegen kann z.B. bei Druckfilternutschen, bei denen das Reaktionsgut leichter einzubringen ist, auch grobkörnigeres Silicium mit Teilchengrößen bis über 10 mm eingesetzt werden. Bei letzterem wirkt sich die Tatsache günstig aus, daß infolge der Säureeinwirkung, welche häuptsächlich über die Korngrenzen vor sich geht, auch große Siliciumbroc'ken mit zunehmender Einwir- ' kungsdauer allmählich in kleinere zerfallen.
■Bekanntlich reichern sich in den Korngrenzen die Verunreinigungen an und können in der Regel nur dann entfernt werden, wenn diese auch freigelegt und damit der Säureeinwirkung zugänglich sind. Es empfiehlt sich daher allgemein, Siliciumpartikel mit einer mittleren Korngröße einzusetzen, die zumindest den Kristallitgrößen im kompakten Material ent-
spricht. Wenn jedoch der Bereich der unangenehmen Feinstäube, also unterhalb einer Korngröße von etwa 1 um, erreicht wird, iät es oft günstiger grobkörnigeres Material einzusetzen, da andernfalls die Schwierigkeiten bei der Handhabung den Vorteil der besseren Reinigungswirkung überwiegen.
Die.gewünschte Korngrößenverteilung läßt sich durch Zermahlen des meist grobstückig vorliegenden Silicium erreichen. Zu diesem Zweck kommen die bekannten Feinzerkleinerungsmaschinen, also beispielsweise Trommel-, Schwing- oder auch Strahlmühlen in Frage. Das Silicium kann trocken oder naß zermahlen werden, wobei sich nasses Mahlgut gewöhnlich leichter handhaben läßt und somit beispielsweise nach dem Mahlvorgang leichter in eine Kammerfilterpresse einzubringen ist. ·
Als mobile saure Phase kommen die für die Säurereinigung von Silicium bekannten und beispielsweise in der eingangs zitierten Patentliteratur beschriebenen wäßrigen Säuren und Säuremischungen in Frage. Insbesondere sind als oxidierende Säuren Salpeter- und Schwefelsäure, als nicht oxidierende Säuren die Fluß- und die Salzsäure, die einzeln oder im Gemis.ch in den bekannten und üblichen Konzentrationen und Mischungsverhältnissen eingesetzt werden können, geeignet.'
Zweckmäßig wird eine Temperatur von 10 bis 90' 0C, vorzugsweise 20 bis 80 "C, eingehalten, wenn die saure Phase das als stationäre Phase vorliegende Silicium durchströmt. Diese ■ Temperatur läßt sich jedoch grundsätzlich auch weiter steigern, wenn die verwendete Apparatur für die dann anfallenden und benötigten Drücke ausgelegt ist.
Erfahrungsgemäß läßt sich durch Temperaturerhöhung die erforderliche Einwirkungsdauer der Säuren oft beträchtlich verkürzen. So kann im allgemeinen bei einer Temperatur von 80 °C bereits nach 0,5-2 Stunden ein Reinigungseffekt erreicht werden, der dem nach 5-20 Stunden bei 20 0C'vergleichbar ist.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird in der Regel zunächst das zu reinigende Material mit Wasser angeteigt, aufgeschlämmt oder suspendiert und dadurch pumpfähig gemacht. Dann wird die solcherart vorbereitete Masse an ihren eigentlichen Einsatzort als stationäre Phase, also z.B. in eine Kammerfilterpresse oder Druckfilternutsche überführt . Dafür eignen sich besonders gut Membranpumpen, da sie einen einwandfreien, zuverlässigen Stofftransport gewährleisten. Mit ihrer Hilfe kann die Masse z.B. aus einem Vorratsbehältnis über geeignete Zuleitungen an den Einsatzort' gepumpt werden, wo der Festanteil an Filterflächen zurückqeh.alten.wird und die. gewünschte stationäre Phase ausbildet.
Die Dicke dieser zu durchströmenden Schicht wird günstig in einem Bereich von 5 bis 50 mm, vorzugsweise 15 bis 35 mm, gewählt. Bei geringeren Schichtdicken läßt sich meist nur ein geringer und nicht mehr wirtschaftlicher Anlagendurchsatz erreichen. Bei größeren Schichtdicken hingegen ist wegen des starken Druckbedarfes der erforderliche apparative Aufwand in der Regel nicht mehr vertretbar.
Die Oberflächen, die mit Silicium oder den Säuren in Kontakt kommen, werden zweckmäßig aus Werkstoffen ausgewählt, welche säurebeständig sind und keine Silicium dotierenden Fremdstoffe freisetzen können, also vorzugsweise aus Kunststoffen, wie Polytetrafluorethylen, Polypropylen oder Polyvinylidenfluorid. Auch die Filtertücher, die z.B. in Kammerfilterpressen den Siliciumkuchen umhüllen und halten, werden vorzugsweise aus den genannten Materialien gefertigt, wobei die Porengrößen günstig in der Größenordnung des zurückzuhaltenden Korns gewählt werden.
Nachdem das zu reinigende Silicium als stationäre Phase vorgelegt ist,.kann mit der eigentlichen Säurebehandlung begonnen werden. Dabei wird man im allgemeinen nicht nur eing, sondern mehrere verschiedene saure ,Phasen, die sich in ihrer Reinigungswirkung ergänzen, nacheinander zum Durchströmen
bringen. Die Abfolge richtet sich nach den zu entfernenden Verunreinigungen; beispielsweise wird man calciumreiches Silicium· erst mit Salzsäure·und danach erst mit Flußsäure behandeln, um nicht schwer lösliches Calciumfluorid CaF2 entstehen zu lassen. Geeignete Säuren, Säureabfolgen und Säuremischungen sind jedoch bekannt und z.B. in der eingangs erwähnten Patentliteratur beschrieben; sie bedürfen keiner weiteren Erläuterung.
Die jeweils gewählte mobile saure Phase wird durch Druckeinwirkung zum Durchströmen des zu reinigenden Siliciums gebracht. Im allgemeinen wird zu diesem Zweck die beispielsweise mittels Pumpen oder Kompressoren mit Druck beaufschlagte Flüssigkeit über geeignete Zuleitungen an"die stationäre Phase herangeführt. An dieser bildet sich ein Druckgradient aus, der eine gleichmäßige Verteilung und einen stetigen Durchfluß der mobilen Phase bewirkt, welche sich dabei mit Verunreinigungen anreichert und diese entfernt. Die Säure kann auch durch den Druck eines Gases, beispielsweise Luft oder Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, zum Durchfließen durch das zu reinigende Silicium, gebracht werden. Gleichfalls möglich, zumeist aber aufwendiger, ist es, die mobile Phase durch die stationäre Phase zu saugen.
Die Druckbereiche, in denen gearbeitet werden kann, sind in der Regel durch die Druckstabilität der verwendeten Hilfsmittel, wie Pumpen, Zuleitungen, Filterpressen etc. vorgegeben und lassen sich in diesem Rahmen variieren. Bei Kammerfilterpressen oder Druckfilternutschen lassen sich beispielsweise im Druckbereich von 1 bis 16 bar gute Ergebnisse erzielen. . . -
Günstig ist es auch, die jeweils vorliegende mobile Phase im Kreislauf ggf. längere Zeit durch die stationäre Phase strömen zu lassen.
Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß sich das als stationäre Phase vorliegende Silicium auf einfache Weise nicht nur nacheinander mit verschiedenen Säuren, sondern auch mit Gasen, vor allem Inertgas, oder mit Wasser beschicken läßt. Damit hat man die Möglichkeit, z.B. am Ende eines Säurebehandlungsschrittes die Säure, etwa mit Gas, auszupressen und das Silicium mit Wasser säurefrei zu waschen, bevor die nächste saure Phase ■eingesetzt wird; Man kann z.B. auch die ganze Apparatur durch Durchpressen von Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, inertisieren, wenn bei der Säurebehandlung die Entwicklung von an Luft entzündlichen Gasen, wie manchen Silanen, zu erwarten ist. Günstig kann auch, nach abgeschlossener Reinigung das Silcium.mit z.B. verdünnter NaOH oder wäßrigem Ammoniak durchströmt und einer Reaktionsbindung gemäß der deutschen Patentanmeldung mit Aktenzeichen 32 36 276.5 unter worfen werden. Schließlich läßt sich auch, durch Durchströmen erwärmter Gase, das vorgelegte Material trocknen.
Nach abgeschlossener Säurereinigung' wird das ggf. säurefrei gewaschene und/oder reaktionsgebundene und/oder getrocknete Material entnommen und weiterverarbeitet, wobei sich meist zumindest ein weiterer, in der Regel pyrometallurgischer Reinigungsschritt, wie etwa Aufschmelzen in Verbindung mit Vakuumausdampfüng oder Behandlung mit Extraktionsschmelzen anschließt. Für das Aufschmelzen ist insbesondere das reaktionsgebundene, stückige Material gut geeignet.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat damit gegenüber der herkömmlichen Säurereinigung den Vorteil, daß eine Folge'von Säure- und ggf. Nachbehandlungsschritten ohne mechanische Bewegung des Siliciums durchgeführt werden kann, wodurch z.B. die Gefahr von Verunreinigungen durch Abrieb, aber auch der Arbeitsaufwand gering zu halten ist. Dies gilt vor allem für den Einsatz der bevorzugten Filterpressen, insbesondere Kammerfilterpressen, die mit großem Fassungsver-
mögen zur Verfügung stehen, weitgehend automatisch betrieben werden können und, da sie keine bewegten Teile enthalten, leicht zu warten sind- Darüberhinaus sind derartige Filterpressen in gasdichter Ausführung erhältlich und damit völlig inertisierbar.
Anhand der folgenden Beispiele wird das erfindungsgemäße Verfahren weiter erläutert.
Beispiel 1
In Brockenform angeliefertes Rohsilicium wurde mittels Backenbrecher und Walzenstuhl vorzerkleinert und nach Klassierung mittels eines Taumelsiebs in eigner Schwingmühle naß gemahlen. Das so erhaltene Pulver hatte eine mittlere Korngröße von 21 um, der Feinanteil mit Korngröße unter 10 um war 13 %, der Grobanteil mit Korngröße über 40 um betrug 6 %. Das zusätzlich mit dem Mahlabrieb behaftete Material hatte die aus Tabelle 1 ersichtliche Reinheit.
60 kg dieses Siliciumpulvers wurden in Wasser aufgeschlämmt; die Suspension wurde mit Hilfe einer Membranpumpe in eine Kammerfilterpresse (Kammer- und Filterplattenmaterial Polyvinylidenfluorid) eingepumpt, bis die 12 Kammern (Abmessung jeweils 470 χ 470 mm2) bis zu einer.Kuchenstärke von ca. 25 mm gefüllt waren.
Die eingesetzten wäßrigen mobilen Phasen waren mit einem Druck von 3 bar beaufschlagt und durchströmten die stationäre Phase mit einer Durchsatzrate von 5 m3/h. Die angegebenen Flüssigkeitsmengen wurden jeweils im Kreislauf geführt, der Druck wurde mit Hilfe einer Membranpumpe erzeugt. Als Gas wurde Stickstoff mit einem Gasdruck von 2,5 bar eingesetzt. Die Säurebehandlung wurde bei Raumtemperatur durch- · geführt und umfaßte die folgenden Schritte:
Zunächst wurden zur Vorreinigung 240 1 HNO3 (5 Gew.-%) während 1 Stunde durch die stationäre· Siliciümphase gepumpt. Anschließend wurde die Säure mittels Stickstoff aus dem Silicium entfernt und dieses mit Wasser kurz säurefrei gewaschen. Darauf folgte eine zweite, vierstündige Vorreinigung mit 240 1 HCl (20 Gew.-%) mit abschließendem Entfernen der Säure mit Stickstoff und kurzem Waschen mit Wasser.
Für die nachfolgende Hauptreinigung wurden 240 1 eines 1 : 1-Gemisches aus HCl (15 Gew.-%) und HF (2 Gew.-%) 12 Stunden durch.das Silicium gepumpt. Danach wurde die Säure wiederum mit Stickstoff ausgepresst und die verbliebenen Säurereste durch intensives Waschen mit Wasser entfernt. Dann wurde erneut Stickstoff durch das Silicium geleitet, bis es auf eine Restfeuchte von ca. 20 Gew.-%. Wasseranteil vorgetrocknet war.
Dieses Produkt wurde sodann mit 0,1 Gew.-%-iger wäßriger Natronlauge angefeuchtet und zur Reaktionsbindung gebracht sowie abschließend zur Trocknung mit warmem Stickstoff (60 0C) durchströmt.
Das in Plattenform erhaltene Silicium enthielt noch die in Tabelle 1 zusammengestellten Verunreinigungen.
Tabelle 1 '
Reinigung von Rohsilicium
(angegebene Werte in Gew.-ppm.)
Mn Cr Cu Ni Fe Al Ca Mg Ti
i»ili 300 20 35 100 5600 3000 3000 100
mit ADrieD
Ä" <2 <2 <2 <2. 10 35 10 < 2 !.5
Die erhaltenen Platten wurden anschließend in grobe Stücke zerbrochen und zur weiteren Reinigung aufgeschmolzen und einer Vakuumausdampfung unterzogen. -Dieses Material konnte nach Vergießen zu Blöcken als Grundmaterial für Solarzellen verwendet werden.
Beispiel 2 . .
Durch Umkristallisieren von Rohsilicium in Aluminium wurden Siliciumplättchen erhalten, die nach Abätzen des oberflächlich anhaftenden Aluminiums die aus Tabelle 2 ersichtliche Reinheit aufwiesen. Diese Plättchen wurden zur Ver-.meidung von Mahlabrieb in einer Luftstrahlmühle vermählen und ergaben ein Pulver der mittleren Korngröße 15 um (Feinanteil unter 5 μιπ 10 %, Grobanteil über 40 ym 5 %).
30 kg dieses Pulvers wurden in Wasser aufgeschlämmt und mittels einer Membranpumpe in eine Druckfilternutsche (Nutschenfläche 1 m2 ) gepumpt, wo sich ein Filterkuchen von ca. 30 mm Höhe ausbildete.
Bei einer Temperatur von 80 0C wurden die Flüssigkeiten im Kreislauf mittels einer Membranpumpe mit einem Druck von 10 bar und einer Durchflußrate von 2,5m3/h .durch den Filterkuchen gepresst. Auch der Druck des verwendeten Stickstoffs betrug 10 bar. Es wurden die folgenden Reinigungsschritte durchgeführt:
- Vorreinigung mit HCl (20 Gew.-%), wobei 100 1 Flüssigkeit 1 Stunde lang zum Durchströmen gebracht wurden.
- Ausblasen der Säure mit Stickstoff und kurzes Waschen mit Wasser.
- Hauptreinigung mit einem 1 : 1-Gemisch von HCl (20 Gew.-%) und HF (5 Gew.-/o), wobei 120 1 Flüssigkeit während einer halben Stunde zum Durchströmen gebracht wurden.
:: μ--"-- '- "'*'■ 33 Ί 7286
- Ausblasen der Säure bis auf 2Ö % Restfeuchte und kurzes Waschen mit Wasser.
- Reaktxonsbindung nach Anfeuchten mit 5 Gew.-%-igem wäßrigem Ammoniak.
Abschließend wurde das Produkt bei 80 °C mit Stickstoff getrocknet. ■
Das erhaltene Silicium wies die in Tabelle 2 angegebene Reinheit auf.
Tabelle 2
Reinigung von umkrxstallisxertem Silicium (angegebene Werte in Gew.-ppm.) ·
Mn Cr Cu Ni Fe Al Ca Mg Ti-
Si-Plättchen · ' ·
nach Umkristalli- <2 <2 <2 <2 6 1800 70 . 4 5
sation
Silicium nach - < 2- 250 < 2 < 2 < 1
Saurebehandlung _ .

Claims (7)

  1. Patentansprüche
    \ 1. Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Säureein- \-_^wirkung, dadurch gekennzeichr net, daß das zu reinigende Silicium als stationäre Phase vorgelegt wird, und daß eine oder eine Folge verschiedener mobiler saurer Phasen durch Druckeinwirkung zum Durchströmen der stationären Phase gebracht werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die mobilen sauren Phasen aus der.Gruppe der Säuren Salzsäure, Flußsäure, Salpetersäure, einzeln oder in Mischungen ausgewählt werden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch, gekennzeichnet , daß die mobilen sauren Phasen beim Durchströmen der stationären Phase im Kreislauf geführt werden.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der .Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zu reinigende Silicium in einer mittleren Korngröße von 1 bis 100 um eingesetzt wird..
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchströmen bei einer Temperatur von 20 bis 80 "C durchgeführt wird. .
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die stationäre Phase mit einer Schichtdicke von 5 bis 5.0 mm vorgelegt wird.
  7. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, 'daß im Anschluß an die Säurereinigung das Silicium einer Reaktionsbindung (gemäß der deutschen Patentanmeldung P 32 36 2 76.5) unterzogen wird, indem es zum In-Gang-Bringen einer sich selbst unterhaltenden Reaktionsbindung mit einem Silicium ätzenden Agens angefeuchtet wird und daß während und/oder nach der Reaktionsbindung verbleibende Flüssigkeitsanteile des Agens durch Temperatureinwirkung entfernt werden.
DE19833317286 1983-05-11 1983-05-11 Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung Withdrawn DE3317286A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833317286 DE3317286A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung
US06/601,804 US4588571A (en) 1983-05-11 1984-04-19 Process for the purification of silicon by the action of an acid
CA000452632A CA1240483A (en) 1983-05-11 1984-04-24 Process for the purification of silicon by the action of an acid
ES532360A ES8502660A1 (es) 1983-05-11 1984-05-10 Procedimiento para purificar silicio por accion de un acido
EP84105277A EP0125630A3 (de) 1983-05-11 1984-05-10 Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Säureeinwirkung
NO841890A NO159995C (no) 1983-05-11 1984-05-10 Fremgangsm te ved rensing av silicium.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833317286 DE3317286A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3317286A1 true DE3317286A1 (de) 1984-11-22

Family

ID=6198782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833317286 Withdrawn DE3317286A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4588571A (de)
EP (1) EP0125630A3 (de)
CA (1) CA1240483A (de)
DE (1) DE3317286A1 (de)
ES (1) ES8502660A1 (de)
NO (1) NO159995C (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19529518A1 (de) * 1994-08-10 1996-02-15 Tokuyama Corp Polykristallines Silizium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19531031A1 (de) * 1995-08-23 1997-02-27 Ictop Entwicklungsgesellschaft Verfahren zum Trocknen von Silizium
WO2009027200A2 (de) * 2007-08-29 2009-03-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zum reinigen von polykristallinem silicium
US7658900B2 (en) 2005-03-05 2010-02-09 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reactor and process for the preparation of silicon
DE102009016014B3 (de) * 2009-04-02 2010-09-30 Sunicon Ag Verfahren zur Gewinnung von reinem Silizium
DE102009046265A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-19 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen Verfahren zur Aufarbeitung von Sägerückständen aus der Produktion von Silizium-Wafern

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4002327A1 (de) * 1990-01-26 1991-08-01 Wacker Chemitronic Verfahren zur nasschemischen behandlung von halbleiteroberflaechen und loesung zu seiner durchfuehrung
JPH05121390A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Koujiyundo Silicon Kk 酸の除去方法
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
DE19618974A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial
WO2003059815A1 (de) * 2002-01-18 2003-07-24 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von amorphem silicium und/oder hieraus gewonnenen organohalogensilanen
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
KR101119090B1 (ko) * 2004-06-24 2012-03-16 엘지전자 주식회사 식기 세척기의 이물 고착 방지장치 및 그 방법
US7270706B2 (en) * 2004-10-04 2007-09-18 Dow Corning Corporation Roll crusher to produce high purity polycrystalline silicon chips
RU2445258C2 (ru) * 2006-04-04 2012-03-20 Калисолар Канада Инк. Способ очистки кремния
JP5400782B2 (ja) 2007-10-03 2014-01-29 シリコア マテリアルズ インコーポレイテッド シリコン結晶を得るためのシリコン粉末の処理方法
DE102008055833A1 (de) * 2008-11-04 2010-05-12 Adensis Gmbh Verfahren zum Entfernen von feinteiligem Siliziummaterial aus einem Silizium-Mahlgut und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102009014562A1 (de) * 2009-03-16 2010-09-23 Schmid Silicon Technology Gmbh Aufreinigung von metallurgischem Silizium
US8216539B2 (en) 2010-04-14 2012-07-10 Calisolar, Inc. Cascading purification
CN102344144A (zh) * 2011-09-30 2012-02-08 巨锋 一种废晶体硅的自动酸碱清洗反应设备
DE102012213869A1 (de) * 2012-08-06 2014-02-06 Wacker Chemie Ag Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH346532A (de) * 1956-01-19 1960-05-31 Lonza Ag Verfahren zur Herstellung von reinem Siliziummetall
US2973319A (en) * 1959-04-21 1961-02-28 Transvaal & Orange Free State Process of contacting liquids with solids
NO122241B (de) * 1970-05-04 1971-06-07 Spigerverk C
DE2722783A1 (de) * 1977-05-20 1978-11-30 Wacker Chemitronic Verfahren zum reinigen von silicium
DE2933164A1 (de) * 1979-08-16 1981-02-26 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von rohsilicium
DE3236276A1 (de) * 1982-09-30 1984-04-05 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Neuer werkstoff aus silicium und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19529518A1 (de) * 1994-08-10 1996-02-15 Tokuyama Corp Polykristallines Silizium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19531031A1 (de) * 1995-08-23 1997-02-27 Ictop Entwicklungsgesellschaft Verfahren zum Trocknen von Silizium
US7658900B2 (en) 2005-03-05 2010-02-09 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reactor and process for the preparation of silicon
WO2009027200A2 (de) * 2007-08-29 2009-03-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zum reinigen von polykristallinem silicium
WO2009027200A3 (de) * 2007-08-29 2009-06-04 Wacker Chemie Ag Verfahren zum reinigen von polykristallinem silicium
US9421584B2 (en) 2007-08-29 2016-08-23 Wacker Chemie Ag Method for purifying polycrystalline silicon
DE102009016014B3 (de) * 2009-04-02 2010-09-30 Sunicon Ag Verfahren zur Gewinnung von reinem Silizium
DE102009046265A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-19 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen Verfahren zur Aufarbeitung von Sägerückständen aus der Produktion von Silizium-Wafern

Also Published As

Publication number Publication date
NO841890L (no) 1984-11-12
CA1240483A (en) 1988-08-16
NO159995C (no) 1989-03-01
EP0125630A3 (de) 1988-03-02
ES532360A0 (es) 1985-01-16
US4588571A (en) 1986-05-13
NO159995B (no) 1988-11-21
ES8502660A1 (es) 1985-01-16
EP0125630A2 (de) 1984-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3317286A1 (de) Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung
EP2423163B1 (de) Polykristallines Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006031105A1 (de) Verfahren zur Reinigung von Polysilicium-Bruch
WO2011003777A1 (de) Verfahren zur herstellung eines hochreinen quarz-granulates
EP0707519A1 (de) Verfahren zur gewinnung von adsorptionsmaterial
DE2349519A1 (de) Verfahren zur herstellung von gips
WO2009003688A2 (de) Verfahren zur aufbereitung von siliciummaterial
DE112022001545T5 (de) Beizfreies Rückgewinnungsverfahren für Batterieelektrodenfolien
DE112021006198T5 (de) Verfahren zum Rückgewinnen von Aluminiumrückstand mit kontrollierter Partikelgröße und Anwendung davon
DE10030251A1 (de) Abtrennung von Metallchloriden aus gasförmigen Reaktionsgemischen der Chlorsilan-Synthese
DE2830574C2 (de) Verfahren zur Aufbereitung von Aluminium-Salzschlacken
DE2132426A1 (de) Verfahren zur Gewinnung von Pigment-Siliciumdioxid
EP2451610A1 (de) Verfahren zur aufbereitung einer suspension
DE102014007354B4 (de) Verfahren zum Aufbereiten von Rückständen aus der mechanischen Bearbeitung von Siliziumprodukten
DD293454A5 (de) Verfahren zur rueckgewinnung des leuchtstoffes bzw. leuchtstoffgemisches und des quecksilbers von leuchtstofflampen
DE112010003190T5 (de) Siliziumoxidentfernungsvorrichtung und Anlage zum Rückgewinnen von Edelgas, um es ineiner Siliziumeinkristall-Herstellungsvorrichtung zu verwenden
EP0627384B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines Kaliumchloridgemenges
DE112008003423T5 (de) Verfahren zum Zurückgewinnen von Silizium
DE3232850A1 (de) Verfahren zur vorbereitung von festen brikettenfoermigen raffiniermitteln zum raffinieren von aluminium und dessen legierungen
DE3642916C2 (de)
AT212290B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Entfernung gasförmiger Halogenide, insbesondere Fluoriden, aus gasförmigen Systemen
DE3428788A1 (de) Verfahren zum kontinuierlichen herstellen von fluoridarmen tantal- oder niob-pentoxiden
DE3129042C2 (de) Verfahren zur Reinigung von festem Kaliumchlorid
DE581303C (de) Verfahren zur Herstellung geformter oder koerniger adsorptionsfaehiger Massen
DE2921786C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination