DE3303762A1 - Speicher - Google Patents
SpeicherInfo
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- DE3303762A1 DE3303762A1 DE19833303762 DE3303762A DE3303762A1 DE 3303762 A1 DE3303762 A1 DE 3303762A1 DE 19833303762 DE19833303762 DE 19833303762 DE 3303762 A DE3303762 A DE 3303762A DE 3303762 A1 DE3303762 A1 DE 3303762A1
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- Germany
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- level
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- conductor
- conductors
- transistor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US34730982A | 1982-02-09 | 1982-02-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3303762A1 true DE3303762A1 (de) | 1983-08-18 |
Family
ID=23363185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833303762 Withdrawn DE3303762A1 (de) | 1982-02-09 | 1983-02-04 | Speicher |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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FR (1) | FR2521335B1 (fr) |
GB (1) | GB2114814B (fr) |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
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JPS6286755A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ |
KR900002474B1 (ko) * | 1985-11-22 | 1990-04-16 | 미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤 | 반도체 메모리 |
KR900003028B1 (ko) * | 1985-12-13 | 1990-05-04 | 미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤 | 반도체 집적회로장치 |
US5334547A (en) * | 1988-12-27 | 1994-08-02 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor memory having an increased cell capacitance in a restricted cell area |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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GB2067352A (en) * | 1980-01-11 | 1981-07-22 | Mostek Corp | One transistor - one capacitor memory cell |
-
1983
- 1983-02-03 FR FR838301685A patent/FR2521335B1/fr not_active Expired
- 1983-02-03 GB GB08303003A patent/GB2114814B/en not_active Expired
- 1983-02-04 DE DE19833303762 patent/DE3303762A1/de not_active Withdrawn
- 1983-02-08 BE BE0/210068A patent/BE895843A/fr not_active IP Right Cessation
- 1983-02-08 JP JP58018280A patent/JPS58147147A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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GB2114814B (en) | 1986-01-29 |
FR2521335A1 (fr) | 1983-08-12 |
GB2114814A (en) | 1983-08-24 |
GB8303003D0 (en) | 1983-03-09 |
BE895843A (fr) | 1983-05-30 |
JPS58147147A (ja) | 1983-09-01 |
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8130 | Withdrawal |